CN110277378A - 一种集合基板、发光装置及其制造方法 - Google Patents

一种集合基板、发光装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110277378A
CN110277378A CN201910340707.XA CN201910340707A CN110277378A CN 110277378 A CN110277378 A CN 110277378A CN 201910340707 A CN201910340707 A CN 201910340707A CN 110277378 A CN110277378 A CN 110277378A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
gap
small
insulating substrate
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910340707.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN110277378B (zh
Inventor
周世官
邢美正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Jufei Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Jufei Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Jufei Optoelectronics Co Ltd filed Critical Shenzhen Jufei Optoelectronics Co Ltd
Priority to CN201910340707.XA priority Critical patent/CN110277378B/zh
Publication of CN110277378A publication Critical patent/CN110277378A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110277378B publication Critical patent/CN110277378B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明实施例提供一种集合基板、发光装置及其制造方法,该集合基板包括绝缘基板、导电层和至少两个从所述绝缘基版的正面贯穿至背面且沿着所述绝缘基板的长度方向设置的缝隙,所述至少两个缝隙将所述绝缘板划分为一个或多个小基板,所述导电层包括至少两个设置于所述小基板的正面上的焊接区,所述焊接区沿着长度方向均匀分布且从两侧的所述缝隙延伸至所述小基板的背面,通过本发明提供的集合基板不仅可以实现了适应多种发光装置的制造,还通过在集合基板的长度方向上设置多个贯穿基板正背面的缝隙,使得在裁剪时可减少多次裁剪的工艺,从而提高了发光装置的制造效率。

Description

一种集合基板、发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及LED技术领域,尤其涉及一种集合基板、发光装置及其制造方法。
背景技术
随着LED封装技术的不断发展,尤其是目前市面上的倒装式的LED芯片的封装生产方式,都是在一个大的母材上进行阵列式排版生产,但是这种排版方式需要在母材上设置大小与单个LED芯片相等的安装区域,然后再安装安装区域的方式进行生产,最后通过剪切机器裁剪,即可一次性得到若干个完整的小LED芯片,或者是还在母材上设置裁剪的标识,在生产完成后按照裁剪的标识进行裁剪也可以,但是上述的设置方式,其裁剪的过程比较复杂,并且该种设置方式并不能适应当前焊接引脚需要从LED芯片的侧面延伸至背面的发光装置的生产制造。
发明内容
本发明实施例提供的集合基板、发光装置及其制造方法,主要解决的技术问题是:现有的发光装置集合生产板的设置方式难以适应焊接引脚包裹背面的发光装置的生产,以及裁剪过于复杂的问题。
为解决上述技术问题,本发明实施例提供一种集合基板,包括:绝缘基板、导电层和至少两个从所述绝缘基板的正面贯穿至背面且沿着所述绝缘基板的长度方向设置的缝隙,所述至少两个缝隙将所述绝缘基板划分为一个或多个小基板;
所述导电层包括至少两个设置于所述小基板的正面上的焊接区,所述焊接区沿着所述小基板的长度方向均匀分布且从两侧的所述缝隙延伸至所述小基板的背面。
在本发明的另一些实施例中,,在所述绝缘基板的正面上还设置有至少一个裁剪标识,所述裁剪标识沿着所述绝缘基板的宽度方向设置,并将所述小基板划分出至少两个单片基板。
在本发明的另一些实施例中,,所述剪切标识包括条形槽、线条、剪刀标识中的至少一种。
在本发明的另一些实施例中,,所述焊接区为一对带有延伸部的金属引脚,所述金属引脚分别设置在所述单片基板的两端位置上,并且所述延伸部穿过所述缝隙包裹至所述单片基板的背面。
在本发明的另一些实施例中,,还包括用于实现所述单片基板之间连接的连接部。
在本发明的另一些实施例中,,在所述连接部上还设置有中心排列在同一直线上的多个小通孔。
为了解决上述技术问题,本发明还提供了一种发光装置,包括如权利要求 1-6任一项所述的集合基板和LED芯片,其中,所述LED芯片设置于所述集合基板中的导电层上。
在本发明的另一些实施例中,,还包括密封胶层,所述密封胶层设置于所述绝缘基板的正面上,并覆盖所述LED芯片。
为了解决上述技术问题,本发明还提供了一种发光装置的制造方法,所述方法包括:
S1、在所述绝缘基板的长度方向上设置至少两个缝隙,将所述绝缘基板划分为一个或多个小基板;
S2、在所述绝缘基板的宽度方向上设置至少一个裁剪标识,将所述小基板划分出至少两个沿着长度方向排列的单片基板;
S3、在所述单片基板上设置一对金属引脚,且所述金属引脚沿着所述缝隙延伸包裹至所述单片基板的背面;
S4、将LED芯片分别焊接在所述单片基板上的一对金属引脚之间;
S5、分别沿着所述缝隙和所述剪切标识对所述绝缘基板进行裁剪,得到所述单片基板。
在本发明的另一些实施例中,,在所述S4之后,在所述S5之前,还包括:在每个所述单片基板上涂覆上一层密封胶层,并覆盖所述LED芯片。
本发明的有益效果是:
根据本发明实施例提供的集合基板、发光装置及其制造方法,该集合基板包括绝缘基板、导电层和至少两个从所述绝缘基版的正面贯穿至背面且沿着所述绝缘基板的长度方向设置的缝隙,所述至少两个缝隙将所述绝缘板划分为一个或多个小基板,所述导电层包括至少两个设置于所述小基板的正面上的焊接区,所述焊接区沿着所述小基板的长度方向均匀分布且从两侧的所述缝隙延伸至所述小基板的背面,通过本发明提供的集合基板不仅可以实现了适应多种发光装置的制造,还通过在集合基板的长度方向上设置多个贯穿基板正背面的缝隙,使得在裁剪时可减少多次裁剪的工艺,从而提高了发光装置的制造效率。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的集合基板的结构示意图;
图2为本发明实施例一提供的集合基板AA线的结构示意图;
图3为本发明实施例一提供的集合基板的第二种结构示意图;
图4为本发明实施例一提供的集合基板的第三种结构示意图;
图5为本发明实施例一提供的集合基板的第四种结构示意图;
图6为本发明实施例二提供的发光装置的结构示意图;
图7为本发明实施例二提供的发光装置的制造方法的流程示意图。
其中,附图中的1为集合基板,2为发光装置,11为绝缘基板,12为导电层,13为缝隙,14为裁剪标识,101为小基板,102为单片基板,11a为绝缘基板的主面、11b为绝缘基板的背面,21为LED芯片,22为封装胶层。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,下面通过具体实施方式结合附图对本发明实施例作进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
实施例一:
请参见图1,图1为本发明实施例提供的集合基板的结构示意图,该集合基板1包括绝缘基板11、导电层12和至少两个缝隙13,主要用于安装制造发光装置,其中所述绝缘基板11包括用于安装LED器件的正面11a和背面11b,而该缝隙13是从绝缘基板11的正面11a贯穿至背面11b,优选的所述缝隙13是沿着所述绝缘基板11的长度方向(具体参考图1中的方向指示)设置,这里的长度方式指的是图1中的X方向,该X方向具体是与LED器件长边方向一致的方向,所述至少两个缝隙13将所述绝缘基板11划分为一个或多个小基板10,这里的小基板10指的是包括设置有多个单片基板的小集合基板,所述导电层12 具体是设置在所述小基板10的正面11a上,并且所述导电层穿过所述缝隙13 延伸至所述小基板10的背面11b。
在本实施例中,所述导电层12包括至少两个焊接区,该焊接区设置在所述小基板上,并且沿着所述小基板的长度方向排列设置,并且焊接区在设置在小基板的正面的同时还从小基板的两侧的缝隙延伸包裹至小基板的背面,使得最终成型的焊接区是类似L形状或者U形状的金属导电区。
在本实施例中,所述绝缘基板11的正面11a上还设置有至少一个裁剪标识 14,优选的,所述裁剪标识14可以是条形槽、线条或者剪刀标识中的至少一种,只要能实现裁剪位置标识的任何形式的标识都可以,所述裁剪标识14沿着所述绝缘基板11的宽度方向(该宽度方向指的是图中的W方向)设置,并将所述小基板10划分为至少两个单片基板101,这时,所述导电层12具体是按照每个单片基板101进行设置。
在本实施例中,所述导电层12包括一对带有延伸部的金属引脚,所述金属引脚分别设置在所述单片基板101的两端位置上,并且其延伸部穿过所述缝隙 13包裹至所述单片基板101的背面11b。
优选的,所述金属引脚的形状为类似倒“T”字形,并且在倒“T”形的垂直边上还设置有一个小凸起,该凸起用于为焊接LED器件时提供接触面,而在倒“T”形的水平边上设置有延伸部,该延伸部从单片基板101的正面11a向缝隙13弯折,并包裹住缝隙13中的侧面延伸至背面11b上。
在实际应用中,如图2所示,所述小基板10上的每个单片基板101之间的金属引脚为一体成型,优选的,为了便于识别单片基板101,两个单片基板101 之间的一体成型的金属引脚之间沿着宽度方向设置有绝缘区域,将该绝缘区域作为裁剪标识14使用,具体该绝缘区域通过腐蚀工艺或者激光雕刻工艺实现。
在本实施例中,如图3所示,在所述单片基板101之间还设置有连接部102,所述连接部102具体设置在缝隙13的位置上,并连接在两个小基板10之间,用于维持绝缘基板11的张力,同时由于在连接部102与连接部102之间还是设置有缝隙13的,该缝隙13所在的位置刚好是金属引脚的延伸部弯折的位置,这样的设置方式不仅解决了通用性的问题,还大大简化了裁剪的工作量。
在实际应用,如图4所示,当所述裁剪标识14设置为条形槽时,在每两个所述单片基板101之间的条形槽之间也可以通过增加一个连接部102的设置方式实现支撑连接,避免过于漏空而导致在单片基板101上设置导电层12不方便,进一步的,所述缝隙13还可以与裁剪标识13设置成连体的槽。
如图5所示,在所述连接部102上还可以设置一些小通孔,这些小通孔可以设置为中心排列在同一直线上的一排小通孔组,也可以是设置成中心排列不在同一中心的,例如设置为“V”字形,波浪形等等,这样的设置结构,不仅可以实现绝缘基板11上单片基板101的连接,小通孔的组合设置,可以实现了裁剪的向导设置,更加便于裁剪,甚至在整个制造完成后,不需要裁剪,在用户需要使用时,可以直接用手掰即可。
综上所述,本实施例提供的集合基板,通过在绝缘基板的长度方向设置缝隙,用于导电层的设置,并是得导电层的延伸部通过缝隙弯折包裹至绝缘基板的背面,且在绝缘基板的宽度方向上还设置有裁剪标识,便于用户对集合基板的裁剪,由于设置了一条缝隙,而使得裁剪时减少了裁剪的工艺,提高到了效率。
实施例二:
请参考图6,图6为本实施例提供的发光装置的结构示意图,该发光装置2 包括上述实施例一提供的集合加班1和LED芯片21,其中集合基板1包括绝缘基板11、导电层12和至少两个缝隙13,主要用于安装制造发光装置,所述LED 芯片21设置于所述集合基板1中的导电层12上。
在本实施例中,所述绝缘基板11包括用于安装LED器件的正面11a和背面 11b,而该缝隙13是从绝缘基板11的正面11a贯穿至背面11b,优选的所述缝隙13是沿着所述绝缘基板11的长度方向设置,这里的长度方式指的是图1中的X方向,该X方向具体是与LED器件长边方向一致的方向,所述至少两个缝隙13将所述绝缘基板11划分为一个或多个小基板10,这里的小基板10指的是包括设置有多个单片基板的小集合基板,所述导电层12具体是设置在所述小基板10的正面11a上,并且所述导电层穿过所述缝隙13延伸至所述小基板10的背面11b。
在本实施例中,所述导电层12包括一对带有延伸部的金属引脚,所述金属引脚分别设置在所述单片基板101的两端位置上,并且其延伸部穿过所述缝隙 13包裹至所述单片基板101的背面11b。
优选的,所述金属引脚的形状为类似倒“T”字形,并且在倒“T”形的垂直边上还设置有一个小凸起,该凸起用于为焊接LED器件时提供接触面,而在倒“T”形的水平边上设置有延伸部,该延伸部从单片基板101的正面11a向缝隙13弯折,并包裹住缝隙13中的侧面延伸至背面11b上,优选的,所述LED 芯片21设置在两个小凸起之间的位置上,并通过焊锡固定焊接在小凸起上,从而实现LED芯片与单片基板101的电连接。
在本实施例中,所述发光装置2还包括密封胶层22,所述密封胶层22设置于所述绝缘基板1的正面11a上,并覆盖所述LED芯片21,具体是的封装胶层 22通过注塑工艺将预先熔化的透明树脂涂覆在绝缘基板11,待冷却成成型后得到封装胶层22。
在本发明的另一些实施例中,所述封装胶层122还可以通过封装薄膜来加工形成,具体是通过将带有荧光材料的一层树胶薄膜层覆盖在加工好的集合基板1的正面11a上,然后通过高温烘烤的方式使得树胶薄膜层熔化在主面11a 上,从而将LED芯片21覆盖封装住。
基于上述的发光装置,本实施例还提供了一种制造方法,具体步骤如图7 所示,所述方法包括:
S1、在所述绝缘基板的长度方向上设置至少两个缝隙,将所述绝缘基板划分为一个或多个小基板;
S2、在所述绝缘基板的宽度方向上设置至少一个裁剪标识,将所述小基板划分出至少两个沿着长度方向排列的单片基板;
S3、在所述单片基板上设置一对金属引脚,且所述金属引脚沿着所述缝隙延伸包裹至所述单片基板的背面;
S4、将LED芯片分别焊接在所述单片基板上的一对金属引脚之间;
S5、分别沿着所述缝隙和所述剪切标识对所述绝缘基板进行裁剪,得到所述单片基板。
在本实施例中,在所述S4之后,在所述S5之前,还包括:在每个所述单片基板上涂覆上一层密封胶层,并覆盖所述LED芯片。
在实际应用中,为了更好地保持小基板与绝缘基板处于同一平面上,而在缝隙的位置上还增加了一个连接部,该连接部具体是设置在每两个单片基板之间的位置上,同时对裁剪标识也可以采用条形槽的方式设置,这时,应当在两个单片基板之间的条形槽之间也设置一个连接部。
综上所述,本发明实施例提供的集合基板、发光装置齐集制造方法,通过在绝缘基板的长度方向设置缝隙,用于导电层的设置,并是得导电层的延伸部通过缝隙弯折包裹至绝缘基板的背面,且在绝缘基板的宽度方向上还设置有裁剪标识,不仅可以实现了适应多种发光装置的制造,还通过在集合基板的长度方向上设置多个贯穿基板正背面的缝隙,使得在裁剪时可减少多次裁剪的工艺,从而提高了发光装置的制造效率。
前述实施例中提供的LED可以应用于各种发光领域,例如其可以制作成背光模组应用于显示背光领域(可以是电视、显示器、手机等终端的背光模组)。此时可以将其应用于背光模组。除了可应用于显示背光领域外,还可应用于按键背光领域、拍摄领域、家用照明领域、医用照明领域、装饰领域、汽车领域、交通领域等。应用于按键背光领域时,可以作为手机、计算器、键盘等具有按键设备的按键背光光源;应用于拍摄领域时,可以制作成摄像头的闪光灯;应用于家用照明领域时,可以制作成落地灯、台灯、照明灯、吸顶灯、筒灯、投射灯等;应用于医用照明领域时,可以制作成手术灯、低电磁照明灯等;应用于装饰领域时可以制作成各种装饰灯,例如各种彩灯、景观照明灯、广告灯;应用于汽车领域时,可以制作成汽车车灯、汽车指示灯等;应用于交通领域时,可以制成各种交通灯,也可以制成各种路灯。上述应用仅仅是本实施例所示例的几种应用,应当理解的是本实施例中的LED的应用并不限于上述示例的几种领域。
以上内容是结合具体的实施方式对本发明实施例所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种集合基板,其特征在于,包括:绝缘基板、导电层和至少两个从所述绝缘基板的正面贯穿至背面且沿着所述绝缘基板的长度方向设置的缝隙,所述至少两个缝隙将所述绝缘基板划分为一个或多个小基板;
所述导电层包括至少两个设置于所述小基板的正面上的焊接区,所述焊接区沿着所述小基板的长度方向均匀分布且从两侧的所述缝隙延伸至所述小基板的背面。
2.根据权利要求1所述的集合基板,其特征在于,在所述绝缘基板的正面上还设置有至少一个裁剪标识,所述裁剪标识沿着所述绝缘基板的宽度方向设置,并将所述小基板划分出至少两个单片基板。
3.根据权利要求2所述的集合基板,其特征在于,所述剪切标识包括条形槽、线条、剪刀标识中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的集合基板,其特征在于,所述焊接区为一对带有延伸部的金属引脚,所述金属引脚分别设置在所述单片基板的两端位置上,并且所述延伸部穿过所述缝隙包裹至所述单片基板的背面。
5.根据权利要求1-4任一项所述的集合基板,其特征在于,还包括用于实现所述单片基板之间连接的连接部。
6.根据权利要求5所述的集合基板,其特征在于,在所述连接部上还设置有中心排列在同一直线上的多个小通孔。
7.一种发光装置,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的集合基板和LED芯片,其中,所述LED芯片设置于所述集合基板中的导电层上。
8.根据权利要求7所述的发光装置,其特征在于,还包括密封胶层,所述密封胶层设置于所述绝缘基板的正面上,并覆盖所述LED芯片。
9.一种发光装置的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
S1、在所述绝缘基板的长度方向上设置至少两个缝隙,将所述绝缘基板划分为一个或多个小基板;
S2、在所述绝缘基板的宽度方向上设置至少一个裁剪标识,将所述小基板划分出至少两个沿着长度方向排列的单片基板;
S3、在所述单片基板上设置一对金属引脚,且所述金属引脚沿着所述缝隙延伸包裹至所述单片基板的背面;
S4、将LED芯片分别焊接在所述单片基板上的一对金属引脚之间;
S5、分别沿着所述缝隙和所述剪切标识对所述绝缘基板进行裁剪,得到所述单片基板。
10.根据权利要求9所述的发光装置的制造方法,其特征在于,在所述S4之后,在所述S5之前,还包括:在每个所述单片基板上涂覆上一层密封胶层,并覆盖所述LED芯片。
CN201910340707.XA 2019-04-25 2019-04-25 一种集合基板、发光装置及其制造方法 Active CN110277378B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910340707.XA CN110277378B (zh) 2019-04-25 2019-04-25 一种集合基板、发光装置及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910340707.XA CN110277378B (zh) 2019-04-25 2019-04-25 一种集合基板、发光装置及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110277378A true CN110277378A (zh) 2019-09-24
CN110277378B CN110277378B (zh) 2023-11-14

Family

ID=67959779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910340707.XA Active CN110277378B (zh) 2019-04-25 2019-04-25 一种集合基板、发光装置及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110277378B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111933776A (zh) * 2020-07-29 2020-11-13 佛山市国星光电股份有限公司 一种支架阵列、单体支架、器件阵列及发光器件
WO2022242754A1 (zh) * 2021-05-20 2022-11-24 深圳市聚飞光电股份有限公司 电路板及电子装置

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07202271A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Matsushita Electric Works Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2000068613A (ja) * 1998-08-18 2000-03-03 Rohm Co Ltd ハイブリット集積回路装置の製造方法
JP2005026276A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Hitachi Aic Inc 発光デバイス用基板および発光デバイス
CN101930964A (zh) * 2009-06-17 2010-12-29 株式会社元素电子 安装基板及使用该安装基板的薄型发光装置的制造方法
CN102064246A (zh) * 2009-11-17 2011-05-18 斯坦雷电气株式会社 发光装置及其制造方法
CN102064267A (zh) * 2010-11-02 2011-05-18 佛山市国星光电股份有限公司 显示屏用的led支架单元、led支架及led支架单元的制造方法
JP2011101054A (ja) * 2009-07-03 2011-05-19 Sharp Corp 半導体発光素子搭載用基板、バックライトシャーシ、表示装置、及び、テレビ受信装置
CN201910443U (zh) * 2010-11-02 2011-07-27 佛山市国星光电股份有限公司 显示屏用的led支架单元及led支架
CN104576883A (zh) * 2013-10-29 2015-04-29 普因特工程有限公司 芯片安装用阵列基板及其制造方法
CN205810850U (zh) * 2016-06-03 2016-12-14 王婉莉 改进的二极管结构
CN206210828U (zh) * 2016-09-08 2017-05-31 佛山市国星光电股份有限公司 一种led器件
CN206338768U (zh) * 2017-03-28 2017-07-18 山东晶泰星光电科技有限公司 一种表面贴装式rgb‑led集成基板
CN106992169A (zh) * 2017-04-27 2017-07-28 山东晶泰星光电科技有限公司 一种倒装rgb‑led封装模组及其显示屏
CN108511432A (zh) * 2018-05-18 2018-09-07 梁倩 Led支架及封装器件

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07202271A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Matsushita Electric Works Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2000068613A (ja) * 1998-08-18 2000-03-03 Rohm Co Ltd ハイブリット集積回路装置の製造方法
JP2005026276A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Hitachi Aic Inc 発光デバイス用基板および発光デバイス
CN101930964A (zh) * 2009-06-17 2010-12-29 株式会社元素电子 安装基板及使用该安装基板的薄型发光装置的制造方法
JP2011101054A (ja) * 2009-07-03 2011-05-19 Sharp Corp 半導体発光素子搭載用基板、バックライトシャーシ、表示装置、及び、テレビ受信装置
CN102064246A (zh) * 2009-11-17 2011-05-18 斯坦雷电气株式会社 发光装置及其制造方法
CN102064267A (zh) * 2010-11-02 2011-05-18 佛山市国星光电股份有限公司 显示屏用的led支架单元、led支架及led支架单元的制造方法
CN201910443U (zh) * 2010-11-02 2011-07-27 佛山市国星光电股份有限公司 显示屏用的led支架单元及led支架
CN104576883A (zh) * 2013-10-29 2015-04-29 普因特工程有限公司 芯片安装用阵列基板及其制造方法
CN205810850U (zh) * 2016-06-03 2016-12-14 王婉莉 改进的二极管结构
CN206210828U (zh) * 2016-09-08 2017-05-31 佛山市国星光电股份有限公司 一种led器件
CN206338768U (zh) * 2017-03-28 2017-07-18 山东晶泰星光电科技有限公司 一种表面贴装式rgb‑led集成基板
CN106992169A (zh) * 2017-04-27 2017-07-28 山东晶泰星光电科技有限公司 一种倒装rgb‑led封装模组及其显示屏
CN108511432A (zh) * 2018-05-18 2018-09-07 梁倩 Led支架及封装器件

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111933776A (zh) * 2020-07-29 2020-11-13 佛山市国星光电股份有限公司 一种支架阵列、单体支架、器件阵列及发光器件
CN111933776B (zh) * 2020-07-29 2022-06-28 佛山市国星光电股份有限公司 一种支架阵列、单体支架、器件阵列及发光器件
WO2022242754A1 (zh) * 2021-05-20 2022-11-24 深圳市聚飞光电股份有限公司 电路板及电子装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN110277378B (zh) 2023-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104425657A (zh) 发光二极管组件以及相关的照明装置
TW448588B (en) LED lamp of edge emitting type
CN103022010A (zh) 发光装置、照明装置和制造该发光装置的方法
TW201123562A (en) A light emission module with high-efficiency light emission and high-efficiency heat dissipation and applications thereof
CN103016972B (zh) 线性光源器件和平面光源器件
CN110277378A (zh) 一种集合基板、发光装置及其制造方法
US11092318B2 (en) LED flexible light bar
CN107706175A (zh) 可挠曲高亮度发光二极管
CN210092076U (zh) 一种基于倒装芯片的cob光源
US20220003366A1 (en) Dividable led bar and led lighting device including connector for the same
CN211424020U (zh) 一种led微集成灯丝
CN204756804U (zh) 一种led灯板结构
CN210956720U (zh) 一种led支架、倒装led芯片封装体
CN208652209U (zh) 一种软硬板结合的led灯组
CN105605537A (zh) 全金属灯头电连接结构、正负极端子及应用的led灯泡
CN217062085U (zh) 发光封装结构及背光模块
CN216286081U (zh) 一种发光元件单元及直下式背光结构
CN218993106U (zh) 一种led直插式生鲜灯专用灯珠
CN203585866U (zh) 照明用光源以及照明装置
CN204042798U (zh) 照明用光源以及照明装置
CN209947854U (zh) 发光二极管支架阵列及灯丝
CN110121769A (zh) 发光二极管封装件组件以及包括其的发光二极管灯泡
CN219738986U (zh) 一种铜箔基底led灯珠及灯带
CN209977739U (zh) 一种新型光源模组结构
CN216719981U (zh) 一种超薄侧发光七彩闪烁led贴片

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant