CN110214367B - 用于对衬底进行调温的设备和相对应的制造方法 - Google Patents
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- 238000005496 tempering Methods 0.000 title claims abstract description 107
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 13
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
- C23C16/463—Cooling of the substrate
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
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- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67383—Closed carriers characterised by substrate supports
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
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- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
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Abstract
本发明提供了一种用于对衬底进行调温的设备和一种相对应的制造方法。该设备配备有:板状的主体(1;1a、1b),所述板状的主体具有衬底支承面(SF);用于借助于第一调温流体对主体进行调温的第一调温装置,所述第一调温装置具有在主体(1;1a、1b)的内部的多个分开的第一环形通道(R1F‑R4F),用于使所述第一调温流体循环;用于借助于第二调温流体对主体进行调温的第二调温装置,所述第二调温装置具有在主体(1;1a、1b)的内部的多个分开的第二环形通道(R1L‑R5L),用于使所述第二调温流体循环,其中所述第一调温流体能通过第一管道(K1F)被输送给多个第一环形通道(R1F‑R4F)并且能通过第二管道(K2F)从中排出,其中所述第二调温流体能通过第三管道(K1L)被输送给多个第二环形通道(R1L‑R5L)并且能通过第四管道(K2L)从中排出,其中主体(1;1a、1b)具有第一至第四孔(B1F、B2F、B1L、B2L),所述第一至第四孔分别与多个第一环形通道(R1F‑R4F)和多个第二环形通道(R1L‑R5L)相连,其中第一至第四管道(K1F;K2F;K1L;K2L)被插到主体(1;1a;1b)的第一至第四孔(B1F;B2F;B1L;B2L)中。
Description
本发明涉及一种用于对衬底、尤其是晶片衬底进行调温的设备和一种相对应的制造方法。
不仅不限于此,本发明及其所基于的问题依据晶片层上的集成电路来探讨。
在制造集成电路时的生产过程中,在还未被分割的晶片上进行晶片测试,以便可以及早地识别并且挑出有缺陷的集成电路。为此,将所要测试的晶片插到晶片探针中并且借助于处在其中的可调温的夹盘(用于对晶片衬底进行调温的设备)来达到所希望的测试温度。如果晶片处在所希望的测试温度,则借助于处在探针头上的接触探针装置,建立与所要测试的集成电路的接触面的电连接。具有接触探针的探针头安装在所谓的探针卡上,该探针卡通过探针头的接触探针形成测试系统与晶片之间的接口。
晶片测试通常在-40℃与200℃之间的温度范围内被执行,在特殊情况下甚至在高于或低于零点的还极端的温度下被执行。
传统的用于对衬底、尤其是晶片衬底进行调温的设备配备有封闭的冷却循环,其中冷却液经由衬底紧固设备中的通道循环到热交换器并且又循环回到衬底紧固设备。
EP 1 943 665B1公开了一种用对衬底、尤其是晶片进行调温的设备,其中该设备具有通过第一调温装置和第二调温装置来调温的主体,其中第一调温装置被配置用于在第一温度与第二温度之间的第一温度范围内对主体进行调温,其中第一温度低于第二温度,而且第一调温装置借助于第一调温流体来调温,而第二调温装置被配置用于在第三温度与第四温度之间的第二温度范围内对主体进行调温,其中第三温度低于第四温度,而且第二调温装置借助于第二调温流体来调温,其中第二温度低于第四温度而且第一调温流体不同于第二调温流体。该主体具有基本上平坦的支承面,该支承面具有用于固定衬底的固定装置,该固定装置具有多个抽吸槽,其中在位于其上的衬底的内部设置用于第一调温流体的一个或多个第一调温介质通道,而且其中用于对主体进行调温的第二调温装置包括调温体,该调温体在其内部具有用于第二调温流体的一个或多个第二调温介质通道。
在该已知的用于对衬底进行调温的设备方面已经被证明为不利的是:该设备由于调温装置交叠而体积大而且下方的调温装置布置得离衬底远。
因而,本发明的任务是:提供一种用于对衬底进行调温的能更紧凑地来构建的设备和一种相对应的制造方法。
为了解决该任务,本发明提供了一种用于对衬底进行调温的设备和一种相对应的制造方法。
本发明所基于的思想在于:将两个不同的调温装置节省空间地并且能简单地连接地嵌入到主体中。在按照本发明的用于对衬底进行调温的设备中,尤其可以将调温装置距衬底的相应的距离调整得差不多相同。
按照另一优选的扩展方案,主体具有板状的下部和板状的上部,所述板状的下部和板状的上部在连接区内彼此连接,尤其是焊接或粘贴。这简化了该制造方法。
按照另一优选的实施方式,在下部中设置第一至第四孔而在上部中设置多个分开的第一环形通道和多个分开的第二环形通道。这样,可以在将上部与下部组装之前插入管道。
按照另一优选的实施方式,多个分开的第一环形通道和多个分开的第二环形通道与主体的中间轴同心地布置,优选地圆形地同心地布置。
按照另一优选的实施方式,多个分开的第一环形通道和多个分开的第二环形通道互相包围地交替地布置。这样,通过两个调温装置可以实现均匀的温度分布。
按照另一优选的实施方式,多个分开的第一环形通道和多个分开的第二环形通道具有相应的不同的横截面。这样,可以考虑两种调温流体、例如气体/液体的不同的粘性。
按照另一优选的实施方式,第一至第四管道与主体焊接或粘贴。这确保了两个循环的高密封性.
按照另一优选的实施方式,第一至第四管道由不锈钢、铜或塑料制成。
按照另一优选的实施方式,主体由铜或铝制成。这导致高导热能力。对于某些应用来说,也会可设想的是导热能力高的陶瓷材料。
按照另一优选的实施方式,第一开口和第二开口成对地布置,使得它们与相应的环形通道在两个位置相连,这两个位置沿顺时针和沿逆时针都沿着相应的环形通道差不多等距地间隔开。这导致均匀的温度分布。
按照另一优选的实施方式,第三开口和第四开口成对地布置,使得它们与相应的环形通道在两个位置相连,这两个位置沿顺时针和沿逆时针都沿着相应的环形通道差不多等距地间隔开。这导致均匀的温度分布。
按照另一优选的实施方式,第一和/或第二和/或第三和/或第四管道具有第一敞开端和第二闭合端,其中这些开口都具有从第一敞开端朝向第二闭合端增大的横截面。这样,可以补偿在管道内出现的压降。
按照另一优选的实施方式,第一和/或第二和/或第三和/或第四管道对于每个环形通道来说都具有多个开口。这样,可以调整的流入或流出方向,尤其可以使温度分布均匀。
按照另一优选的实施方式,所述多个开口沿所属的环形通道的相反方向对齐。这导致热力学上特别有效的逆流流入或流出。
本发明的实施例在附图中示出并且在随后的描述中进一步予以阐述。
其中:
图1示出了按照本发明的第一实施方式的用于对衬底进行调温的设备的示意性的平面横截面图;
图2示出了按照本发明的第一实施方式的用于对衬底进行调温的设备的沿着图1中的线X_X'的部分垂直的横截面图;
图3a),3b)示出了按照本发明的第一实施方式的用于对衬底进行调温的设备的第一和第二管道的相应的轴向横截面图;
图4a),4b)示出了按照本发明的第一实施方式的用于对衬底进行调温的设备的在用于引入第一或第二调温流体的开口F1和L3的区域的相应的部分垂直的横截面图;
图4c),4d)示出了按照本发明的第一实施方式的用于对衬底进行调温的设备的在用于排出第一或第二调温流体的开口F1'和L3'的区域的相应的部分垂直的横截面图;
图5示出了按照本发明的第二实施方式的用于对衬底进行调温的设备的第一管道的轴向横截面图;而
图6示出了按照本发明的第三实施方式的用于对衬底进行调温的设备的在用于引入第一调温流体的开口F11和L12的区域的部分垂直的横截面图。
在这些附图中,相同的附图标记表示相同或功能相同的组成部分。
图1是按照本发明的第一实施方式的用于对衬底进行调温的设备的示意性的平面横截面图。
在图1中,附图标记1表示具有衬底支承面SF的板状的主体,该板状的主体具有板状下部1a和板状上部1b,所述板状下部和板状上部在连接区V(参见图4a)-b))彼此连接,例如通过焊接或粘贴来彼此连接。衬底支承面SF可具有(未示出的)槽,所述槽与(未示出的)欠压生成设备连接,以便这样用于使被支承的衬底、例如晶片衬底稳定。
在板状的主体1的内部设置用于借助于第一调温流体、例如液体对主体进行调温的第一调温装置,该第一调温装置具有在主体1的内部的多个分开的循环的第一环形通道R1F-R4F,用于使第一调温流体循环,其中R1F表示所述多个分开的循环的第一环形通道中的第一通道,R2F表示所述多个分开的循环的第一环形通道中的第二通道,R3F表示所述多个分开的循环的第一环形通道中的第三通道而R4F表示所述多个分开的循环的第一环形通道中的第四通道。
还在板状的主体1的内部设置用于借助于第二调温流体、例如气体对主体1进行调温的第二调温装置,该第二调温装置具有在主体1的内部的多个分开的第二环形通道R1L-R5L,用于使第二调温流体循环,其中R1L表示所述多个分开的第二环形通道中的第一通道,R2L表示所述多个分开的第二环形通道中的第二通道,R3L表示所述多个分开的第二环形通道中的第三通道,R4L表示所述多个分开的第二环形通道中的第四通道,而R5L表示所述多个分开的第二环形通道中的第五通道。
第一调温流体能通过第一管道K1F被输送给多个第一环形通道R1F-R4F并且能通过第二管道K2F从中排出。第一管道K1F和第二管道K2F被插到主体1的相对应的第一孔B1F和相对应的第二孔B2F中(参见图2)。第二调温流体能通过第三管道K1L被输送给多个第二环形通道R1L-R5L并且能通过第四管道K2L从中排出。第三管道K1L和第四管道K2L被插到主体1中的相对应的第三孔B1L和第二孔B2L中(参见图2)。
第一调温流体的输入端Fi处在第一管道K1F的第一敞开端E1上,该第一管道还具有第二闭合端E2。第一调温流体的输出端Fa处在第二管道K2F的第一敞开端E1”'上,该第二管道还具有第二闭合端E2”'。
第二调温流体的输入端Li处在第三管道K1L的第一敞开端E1'上,该第三管道还具有第二闭合端E2'。第二调温流体的输出端La处在第四管道K2L的第一敞开端E1”上,该第四管道还具有第二闭合端E2”。
适宜地,第一至第四管道K1F、K2F、K1L、K2L附加地与主体1密封连接,例如通过粘贴或焊接来密封连接。
适宜地,第一至第四管道K1F、K2F、K1L、K2L在侧面从主体1伸出,使得相对应的连接端、例如(未示出的)法兰可以连接在所述第一至第四管道上,所述连接端与第一或第二调温流体的相对应的源头或者排出槽连接。
在当前示例中分别实施为盲孔的第一至第四孔B1F、B2F、B1L、B2L分别与所述多个分开的第一环形通道R1F-R4F和所述多个分开的第二环形通道R1L-R5L相邻,也就是说这些孔朝那里敞开。
插到主体1的第一孔B1F中的第一管道K1F在所述多个分开的第一环形通道R1F-R4F的区域内具有相应的第一开口F1-F4,用于输送第一调温流体,其中F1表示所述第一开口F1-F4中的第一开口,F2表示所述第一开口F1-F4中的第二开口,F3表示所述第一开口F1-F4中的第三开口而F4表示所述第一开口F1-F4中的第四开口。
插到主体1的第二孔B2F中的第二管道K2F在所述多个分开的第一环形通道R1F-R4F的区域内具有相应的第二开口F1'-F4',用于排出第一调温流体,其中F1'表示所述第二开口F1'-F4'中的第一开口,F2'表示所述第二开口F1'-F4'中的第二开口,F3'表示所述第二开口F1'-F4'中的第三开口而F4'表示所述第二开口F1'-F4'中的第四开口。
插到主体1的第三孔B1L中的第三管道K1L在所述多个分开的第二环形通道R1L-R5L的区域内具有相应的第三开口L1-L5,用于输送第二调温流体,其中L1表示所述第三开口L1-L5中的第一开口,L2表示所述第三开口L1-L5中的第二开口,L3表示所述第三开口L1-L5中的第三开口,L4表示所述第三开口L1-L5中的第四开口而L5表示所述第三开口L1-L5中的第五开口。
插到主体1的第四孔B2L中的第四管道K2L在所述多个分开的第二环形通道R1L-R5L的区域内具有相应的第四开口L1'-L5',用于排出第二调温流体,其中L1'表示所述第四开口L1'-L5'中的第一开口,L2'表示所述第四开口L1'-L5'中的第二开口,L3'表示所述第四开口L1'-L5'中的第三开口,L4'表示所述第四开口L1'-L5'中的第四开口而L5'表示所述第四开口L1'-L5'中的第五开口。
在当前示例中,所述多个分开的第一环形通道R1F-R4F和所述多个分开的第二环形通道R1L-R5L与主体1的中间轴M圆形地同心地来布置。在此,所述多个分开的第一环形通道R1F-R4F和所述多个分开的第二环形通道R1L-R5L互相包围地交替地布置,使得能实现尽可能均匀的温度分布。
第一至第四管道K1F、K2F、K1L、K2L优选地由不锈钢、铜或塑料制成,其中主体1优选地由铜或铝制成。
第一开口F1-F4和第二开口F1'-F4'成对地来布置,使得它们与相应的环形通道R1F-R4F在两个位置相连,这两个位置沿顺时针和沿逆时针都沿着相应的环形通道R1F-R4F差不多一样远地间隔开,也就是说在当前的圆形几何形状的情况下,它们差不多正对着地对置。第三开口L1-L5和第四开口L1'-L5'成对地来布置,使得它们与相应的环形通道R1L-R5L在两个位置相连,这两个位置沿顺时针和沿逆时针都沿着相应的环形通道R1L-R5L差不多一样远地间隔开,也就是说在当前的圆形几何形状的情况下,它们差不多正对着地对置。
借此,得到第一和第二调温流体的互相相反的、基本上对称的流动分布。
图2是按照本发明的第一实施方式的用于对衬底进行调温的设备的沿着图1中的线X_X'的部分垂直的横截面图。
如从图2可见,在当前实施例中,在下部1a设置第一至第四孔B1F、B2F、B1L、B2L,而在上部1b设置多个分开的第一环形通道R1F-R4F以及多个分开的第二环形通道R1L-R5L。所述多个分开的第一环形通道R1F-R4F是矩形的而且具有第一横截面Q1,而所述多个分开的第二环形通道R1L-R5L是矩形的而且具有第二横截面Q2,其中第二横截面Q2小于第一横截面。这考虑了如下事实:第一调温流体、这里是液体和第二调温流体、这里是气体具有不同的粘性。
如还从图2可见的那样,还在主体1的下部1a设置板状加热装置HEI,例如具有电加热机构的板状加热装置HEI。
图3a),3b)是按照本发明的第一实施方式的用于对衬底进行调温的设备的第一和第二管道的相应的轴向横截面图。
图3a),3b)阐明了在未被插到主体1中的状态下的第一管道K1F和第三管道K1L。如尤其是可看出的那样,第一开口F1-F4的横截面都相同,以及第三开口L1-L5的横截面都相同。然而,第一开口F1-F4的横截面大于第三开口L1-L5的横截面。这也考虑了第一和第二调温流体的不同的粘性并且可以按需求来适配。
图4a),4b)是按照本发明的第一实施方式的用于对衬底进行调温的设备的在用于引入第一或第二调温流体的开口F1和L3的区域的相应的部分垂直的横截面图。
在图4a)中,示出了第一管道K1F与所述多个第一环形通道R1F-R4F中的第一环形通道R1F的交点以及第三管道K1L与所述多个第一环形通道R1F-R4F中的第一环形通道R1F的交点。因为所述多个第一环形通道R1F-R4F由第一管道K1F来供应,所以该第一管道在相关区域内通过所述第一开口F1-F4中的第一开口F1连接到所述多个第一环形通道R1F-R4F中的第一环形通道R1F上,而第三管道K1L在该区域内密封地贯穿,使得不可能发生第一和第二调温流体的混合。相对应的情况适用于其余的第一开口F2-F4,所述其余的第一开口分别连接在所述多个第一环形通道R1F-R4F中的所属的通道R2F、R3F、R4F上,而第三管道K1L在这些区域内同样密封地贯穿。
相对应地,图4b)示出了第一管道K1F与所述多个第二环形通道R1L-R5L中的第三环形通道R3L的交点,第一管道在那里密封地贯穿。第三管道K1L在该区域内通过所述第三开口L1-L5中的第三开口L3敞开,借此第二调温流体可以流到所述多个第二环形通道R1L-R5L中的第三环形通道R3L中。相对应的情况适用于其余的第三开口L2-L5,所述其余的第三开口分别连接在所述多个第二环形通道R1L-R5L中的所属的通道R2L、R3L、R4L、R5L上,而第一管道K1F在这些区域内同样密封地贯穿。
图4c),4d)是按照本发明的第一实施方式的用于对衬底进行调温的设备的在用于排出第一或第二调温流体的开口F1'和L3'的区域的相应的部分垂直的横截面图。
图4c)示出了类似的图示,针对在第四管道K2L和第二管道K2F与所述多个第一环形通道R1F-R4F中的第一环形通道R1F的交点处对第一调温流体的排出,在那里,第一调温流体可通过第一开口F1'被排出而第四管道K2L密封地贯穿。相对应的情况适用于其余的第三开口F2-F4,所述其余的第三开口分别连接在所述多个第一环形通道R1F-R4F中的所属的通道R2F、R3F、R4F上,而第四管道K2L在这些区域内同样密封地贯穿。
最后,图4d)示出了第四管道K2L与所述多个第二环形通道R1L-R5L中的第三环形通道的交点和第二管道K2F的相对应的相交区域。这里,第二调温流体通过第三开口L3'被排到第四管道K2L中,而第二管道密封地贯穿。
相对应的情况适用于其余的第三开口L1'-L5',所述其余的第三开口分别连接在所述多个第二环形通道R1L-R4L中的所属的通道R1L-R4L上,而第二管道K2F在这些区域内同样密封地贯穿。
图5是按照本发明的第二实施方式的用于对衬底进行调温的设备的第一管道的轴向横截面图。
在按照图5的第二实施方式中,示出了:第一管道K1F的第一开口F1a、F2a、F3a、F4a具有不同的横截面,其中开口F1a、F2a、F3a、F4a的横截面从第一敞开端E1朝向第二敞开端E2增大。这考虑了第一调温流体的降低的背压。
图6是按照本发明的第三实施方式的用于对衬底进行调温的设备的在用于引入第一调温流体的开口F11和L12的区域的部分垂直的横截面图。
在按照图6的第三实施方式中,示出了如下修改方案,其中第一管道K1F对于所述多个第一环形通道R1F-R4F中的每个环形通道R1F-R4F来说都具有多个开口F11、F12。这样,可以影响第一调温流体的流出方向并且尤其可以避免在上部1b的管道之上的所谓的热点。
在当前示例中,开口F11和F12沿所属的环形通道的相反方向对齐。
为了制造用于对衬底、尤其是晶片衬底进行调温的设备的所示出的实施方式,优选地首先将孔B1F、B2F、B1L、B2L引入到主体的下部1a中,并且紧接着将第一至第四管道K1F、K2F、K1L、K2L相对应地插到其中、对齐并且密封。
此外,将多个第一环形通道R1F-R4F和第二环形通道R1L-R5L铣削到上部1b中。紧接着,在连接区V进行对齐和组装以及粘贴或焊接,这最终导致上文所描述的设备。
一种替选的制造可能性会在于:借助于三维打印方法来制造主体,其中例如在下部1a制造完成之后在中间步骤中插入第一至第四管道K1F、K2F、K1L、K2L。
尽管本发明在上文已经依据优选的实施方式予以阐述,但是本发明并不限于此,而是能以各种各样的方式来修改。
第一至第四孔B1F、B2F、B1L、B2L在当前情况下形成为盲孔,但是本发明并不限于此,而是这些孔也可以贯通地形成并且管道K1F、K2F、K1L、K2L要么在两侧以分别两个连接端敞开地来构造或者如上所述只在一侧敞开地来构造。
尤其是,用于对衬底进行调温的设备的几何形状也并不限于圆形,而是可以取任意的几何形状。所说明的材料也只是示例性的并且可能在很大程度上发生变化。通道系统的几何形状的实施方案也能任意地被修改。
Claims (24)
1.一种用于对衬底进行调温的设备,所述设备具有:
板状的主体(1;1a、1b),所述板状的主体具有衬底支承面(SF);
用于借助于第一调温流体对所述主体进行调温的第一调温装置,所述第一调温装置具有在所述主体(1;1a、1b)的内部的多个分开的第一环形通道(R1F-R4F),用于使所述第一调温流体循环;
用于借助于第二调温流体对所述主体进行调温的第二调温装置,所述第二调温装置具有在所述主体(1;1a、1b)的内部的多个分开的第二环形通道(R1L-R5L),用于使所述第二调温流体循环;
其中所述多个分开的第一环形通道(R1F-R4F)和所述多个分开的第二环形通道(R1L-R5L)互相包围地交替地布置,
其中所述第一调温流体能通过第一管道(K1F)被输送给多个第一环形通道(R1F-R4F),并且所述第一调温流体能通过第二管道(K2F)从多个第一环形通道中排出;
其中所述第二调温流体能通过第三管道(K1L)被输送给多个第二环形通道(R1L-R5L),并且所述第二调温流体能通过第四管道(K2L)从多个第二环形通道中排出;
其中所述主体(1;1a、1b)具有第一孔至第四孔,所述第一孔至第四孔分别与所述多个第一环形通道(R1F-R4F)和所述多个第二环形通道(R1L-R5L)相连;
其中所述第一管道(K1F)被插到所述主体(1;1a、1b)的第一孔(B1F)中并且在所述多个分开的第一环形通道(R1F-R4F)的区域内具有相应的第一开口(F1-F4),用于输送所述第一调温流体;
其中所述第二管道(K2F)被插到所述主体(1;1a、1b)的第二孔(B2F)中并且在所述多个分开的第一环形通道(R1F-R4F)的区域内具有相应的第二开口(F1'-F4'),用于排出所述第一调温流体;
其中所述第三管道(K1L)被插到所述主体(1;1a、1b)的第三孔(B1L)中并且在所述多个分开的第二环形通道(R1L-R5L)的区域内具有相应的第三开口(L1-L4),用于输送所述第二调温流体;而
其中所述第四管道(K2L)被插到所述主体(1;1a、1b)的第四孔(B2L)中并且在所述多个分开的第二环形通道(R1L-R5L)的区域内具有相应的第四开口(L1'-L5'),用于排出所述第二调温流体。
2.根据权利要求1所述的用于对衬底进行调温的设备,
其中所述主体(1;1a、1b)具有板状的下部(1a)和板状的上部(1b),所述板状的下部和板状的上部在连接区(V)彼此连接。
3.根据权利要求2所述的用于对衬底进行调温的设备,
其中在所述下部(1a)设置所述第一孔至第四孔,而在所述上部(1b)设置所述多个分开的第一环形通道(R1F-R4F)以及所述多个分开的第二环形通道(R1L-R5L)。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的用于对衬底进行调温的设备,
其中所述多个分开的第一环形通道(R1F-R4F)和所述多个分开的第二环形通道(R1L-R5L)与所述主体(1;1a、1b)的中间轴(M)同心地来布置。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的用于对衬底进行调温的设备,
其中所述衬底是晶片衬底。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的用于对衬底进行调温的设备,
其中所述多个分开的第一环形通道(R1F-R4F)和所述多个分开的第二环形通道(R1L-R5L)具有各自不同的横截面(Q1、Q2)。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的用于对衬底进行调温的设备,
其中第一管道至第四管道与所述主体(1;1a、1b)焊接或粘贴。
8.根据权利要求1-3中任一项所述的用于对衬底进行调温的设备,
其中第一管道至第四管道由不锈钢、铜或塑料制成。
9.根据权利要求1-3中任一项所述的用于对衬底进行调温的设备,
其中所述主体(1;1a、1b)由铜或铝制成。
10.根据权利要求1-3中任一项所述的用于对衬底进行调温的设备,
其中所述第一开口(F1-F4)和所述第二开口(F1'-F4')成对地来布置,使得它们与相应的环形通道(R1F-R4F)在两个位置相连,所述两个位置沿顺时针和沿逆时针都沿着相应的环形通道(R1F-R4F)一样远地间隔开。
11.根据权利要求1-3中任一项所述的用于对衬底进行调温的设备,
其中所述第三开口(L1-L5)和所述第四开口(L1'-L5')成对地来布置,使得它们与相应的环形通道(R1L-R5L)在两个位置相连,所述两个位置沿顺时针和沿逆时针都沿着相应的环形通道(R1L-R5L)一样远地间隔开。
12.根据权利要求1-3中任一项所述的用于对衬底进行调温的设备,
其中第一管道和/或第二管道和/或第三管道和/或第四管道具有第一敞开端(E1;E1';E1”;E1”')和第二闭合端(E2;E2';E2”;E2”'),而且所述第一开口、第二开口、第三开口和第四开口都具有从所述第一敞开端(E1;E1';E1”;E1”')朝向所述第二闭合端(E2;E2';E2”;E2”')增大的横截面。
13.根据权利要求1-3中任一项所述的用于对衬底进行调温的设备,
其中第一管道和/或第二管道和/或第三管道和/或第四管道对于第一环形通道和第二环形通道中的每个环形通道来说都具有多个开口(F11、F12)。
14.根据权利要求13所述的用于对衬底进行调温的设备,
其中所述多个开口(F11、F12)沿所属的环形通道的相反方向对齐。
15.根据权利要求2所述的用于对衬底进行调温的设备,
其中所述板状的下部和板状的上部在连接区(V)彼此焊接或者粘贴。
16.根据权利要求4所述的用于对衬底进行调温的设备,
其中所述多个分开的第一环形通道(R1F-R4F)和所述多个分开的第二环形通道(R1L-R5L)与所述主体(1;1a、1b)的中间轴(M)圆形地同心地来布置。
17.一种针对用于对衬底进行调温的设备的制造方法,所述制造方法具有如下步骤:
提供板状的主体(1;1a、1b),所述板状的主体具有衬底支承面(SF);
构造用于借助于第一调温流体对所述主体进行调温的第一调温装置,所述第一调温装置具有在所述主体(1;1a、1b)的内部的多个分开的第一环形通道(R1F-R4F),用于使所述第一调温流体循环;
构造用于借助于第二调温流体对所述主体进行调温的第二调温装置,所述第二调温装置具有在所述主体(1;1a、1b)的内部的多个分开的第二环形通道(R1L-R5L),用于使所述第二调温流体循环;
其中所述多个分开的第一环形通道(R1F-R4F)和所述多个分开的第二环形通道(R1L-R5L)互相包围地交替地布置;
提供第一管道至第四管道,其中所述第一调温流体能通过第一管道(K1F)被输送给多个第一环形通道(R1F-R4F),并且所述第一调温流体能通过第二管道(K2F)从多个第一环形通道中排出,而其中所述第二调温流体能通过第三管道(K1L)被输送给多个第二环形通道(R1L-R5L),并且所述第二调温流体能通过第四管道(K2L)从多个第二环形通道中排出;
其中在所述主体(1;1a、1b)中形成第一孔至第四孔,所述第一孔至第四孔分别与所述多个分开的第一环形通道(R1F-R4F)和所述多个分开的第二环形通道(R1L-R5L)相连;
其中所述第一管道(K1F)被插到所述主体(1;1a、1b)的第一孔(B1F)中并且在所述多个分开的第一环形通道(R1F-R4F)的区域内具有相应的第一开口(F1-F4),用于输送所述第一调温流体;
其中所述第二管道(K2F)被插到所述主体(1;1a、1b)的第二孔(B2F)中并且在所述多个分开的第一环形通道(R1F-R4F)的区域内具有相应的第二开口(F1'-F4'),用于排出所述第一调温流体;
其中所述第三管道(K1L)被插到所述主体(1;1a、1b)的第三孔(B1L)中并且在所述多个分开的第二环形通道(R1L-R5L)的区域内具有相应的第三开口(L1-L4),用于输送所述第二调温流体;而
其中所述第四管道(K2L)被插到所述主体(1;1a、1b)的第四孔(B2L)中并且在所述多个分开的第二环形通道(R1L-R5L)的区域内具有相应的第四开口(L1'-L5'),用于排出所述第二调温流体。
18.根据权利要求17所述的制造方法,
其中所述主体(1;1a、1b)具有板状的下部(1a)和板状的上部(1b),所述板状的下部和板状的上部在连接区(V)彼此连接。
19.根据权利要求18所述的制造方法,
其中在所述下部(1a)设置所述第一孔至第四孔,而在所述上部(1b)设置所述多个分开的第一环形通道(R1F-R4F)以及所述多个分开的第二环形通道(R1L-R5L),而且在将所述板状的下部(1a)与所述板状的上部(1b)连接之前,将所述第一管道至第四管道插入。
20.根据权利要求17至19中任一项所述的制造方法,
其中所述第一管道至第四管道与所述主体(1;1a、1b)焊接或粘贴。
21.根据权利要求17至19中任一项所述的制造方法,
其中所述主体(1;1a、1b)借助于三维打印方法来制造。
22.根据权利要求17至19中任一项所述的制造方法,
其中第一孔和/或第二孔和/或第三孔和/或第四孔形成为盲孔,而且第一管道和/或第二管道和/或第三管道和/或第四管道具有第一敞开端(E1;E1';E1”;E1”')和第二闭合端(E2;E2';E2”;E2”')。
23.根据权利要求17所述的制造方法,
其中所述衬底是晶片衬底。
24.根据权利要求18所述的制造方法,
其中所述板状的下部和板状的上部在连接区(V)彼此焊接或者粘贴。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102017200588.2A DE102017200588A1 (de) | 2017-01-16 | 2017-01-16 | Vorrichtung zum Temperieren eines Substrats und entsprechendes Herstellungsverfahren |
DE102017200588.2 | 2017-01-16 | ||
PCT/EP2018/050874 WO2018130684A1 (de) | 2017-01-16 | 2018-01-15 | Vorrichtung zum temperieren eines substrats und entsprechendes herstellungsverfahren |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110214367A CN110214367A (zh) | 2019-09-06 |
CN110214367B true CN110214367B (zh) | 2023-08-29 |
Family
ID=61003009
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201880007125.3A Active CN110214367B (zh) | 2017-01-16 | 2018-01-15 | 用于对衬底进行调温的设备和相对应的制造方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20200388513A1 (zh) |
EP (1) | EP3568871B1 (zh) |
JP (1) | JP6802926B2 (zh) |
KR (1) | KR102256224B1 (zh) |
CN (1) | CN110214367B (zh) |
DE (1) | DE102017200588A1 (zh) |
ES (1) | ES2917402T3 (zh) |
PT (1) | PT3568871T (zh) |
TW (1) | TWI682181B (zh) |
WO (1) | WO2018130684A1 (zh) |
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- 2017-01-16 DE DE102017200588.2A patent/DE102017200588A1/de not_active Withdrawn
-
2018
- 2018-01-15 KR KR1020197024102A patent/KR102256224B1/ko active IP Right Grant
- 2018-01-15 CN CN201880007125.3A patent/CN110214367B/zh active Active
- 2018-01-15 WO PCT/EP2018/050874 patent/WO2018130684A1/de unknown
- 2018-01-15 TW TW107101461A patent/TWI682181B/zh active
- 2018-01-15 JP JP2019538245A patent/JP6802926B2/ja active Active
- 2018-01-15 EP EP18700663.0A patent/EP3568871B1/de active Active
- 2018-01-15 ES ES18700663T patent/ES2917402T3/es active Active
- 2018-01-15 PT PT187006630T patent/PT3568871T/pt unknown
- 2018-01-15 US US16/477,976 patent/US20200388513A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190117539A (ko) | 2019-10-16 |
JP2020505764A (ja) | 2020-02-20 |
DE102017200588A1 (de) | 2018-07-19 |
TW201843463A (zh) | 2018-12-16 |
PT3568871T (pt) | 2022-06-02 |
WO2018130684A1 (de) | 2018-07-19 |
US20230148124A1 (en) | 2023-05-11 |
JP6802926B2 (ja) | 2020-12-23 |
US20200388513A1 (en) | 2020-12-10 |
KR102256224B1 (ko) | 2021-05-25 |
EP3568871B1 (de) | 2022-05-04 |
CN110214367A (zh) | 2019-09-06 |
TWI682181B (zh) | 2020-01-11 |
ES2917402T3 (es) | 2022-07-08 |
EP3568871A1 (de) | 2019-11-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Clemens reitinger Inventor before: Klaus Wright-tinger |
|
CB03 | Change of inventor or designer information | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |