TW201843463A - 控制基板溫度裝置及對應製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種用於控制基板溫度的裝置及一種相對應的製造方法。該裝置係配備有具一基板置放區（SF）的一平板式主要本體（1；1a、1b）；用於利用一第一溫度控制流體控制該主要本體的溫度之一第一溫度控制裝置，其具有在該主要本體（1；1a、1b）內部、用於循環該第一溫度控制流體的一第一複數分離環形通道（R1F-R4F）；用於利用一第二溫度控制流體控制該主要本體的溫度之一第二溫度控制裝置，其具有在該主要本體（1；1a、1b）內部、用於循環該第二溫度控制流體之一第二複數分離環形通道（R1L-R5L），其中該第一溫度控制流體可經由一第一管件（K1F）而被供應至該第一複數環形通道（R1F-R4F）並經由一第二管件（K2F）而從其移除，其中該第二溫度控制流體可經由一第三管件（K1L）而被供應至該第二複數環形通道（R1L-R5L）並經由一第四管件（K2L）而從其移除，其中該主要本體（1；1a、1b）具有在各情況中與該第一複數分離環形通道（R1F-R4F）和該第二複數分離環形通道（R1L-R5L）連通的一第一至第四孔洞（B1F、B2F、B1L、B2L），其中該第一至第四管件（K1F；K2F；K1L；K2L）係置於該主要本體（1；1a、1b）的該第一至第四孔洞（B1F；B2F；B1L；B2L）中。

Description

控制基板溫度裝置及對應製造方法
本發明與一種用於控制基板溫度的裝置，特別是晶圓基板及一種相對應的製造方法有關。
雖未對其限制，然本發明和其所依據的問題將參考晶圓等級的積體電路來討論。
在積體電路生產期間的製造流程中，係對未切割的晶圓進行晶圓測試，以便可以及早發現並移除有缺陷的積體電路。為此，待測試晶圓被放置到晶圓探針器中，並且利用位於其中的溫度可控制夾盤（用於控制晶圓基板溫度的裝置）而達到所需測試溫度。一旦晶圓處於所需測試溫度，位於針頭上的接觸針配置即用以建立與待測試積體電路的接觸墊之電氣連接。具有接觸針之針頭係配置在所謂的探針卡上，其經由針頭的接觸針而於測試系統和晶圓之間形成一介面。
晶圓測試一般是在-40°C與200°C之間的溫度範圍中進行，在例外情況中，甚至是在高於或低於0度的更極端的溫度下進行。
傳統用於控制基板溫度（特別是晶圓基板）的裝置設有一封閉的冷卻迴路，其中冷卻流體循環通過基板支座中的通道而至一熱交換器並且返回到基板支座。
EP1943665B1中揭露了一種用於控制基板（特別是晶圓）溫度的裝置，其中該裝置具有一主要本體，其由一第一溫度控制裝置與一第二溫度控制裝置予以溫度控制，其中該第一溫度控制裝置係配置以將該主要本體的溫度控制於介於一第一溫度與一第二溫度之間的一第一溫度範圍中，其中該第一溫度低於該第二溫度，且係利用一第一溫度控制流體進行溫度控制，而該第二溫度控制裝置係配置以將該主要本體的溫度控制於介於一第三溫度與一第四溫度之間的一第二溫度範圍中，其中該第三溫度係低於該第四溫度，且該第二溫度控制裝置係利用一第二溫度控制流體進行溫度控制，其中該第二溫度低於該第四溫度，而且該第一溫度控制流體與該二溫度控制流體不同。該主要本體具有一實質上平坦的放置區，其具有用於附接基板之一附接裝置，其具有多數個抽吸溝槽，其中供該第一溫度控制流體用之一或多個第一溫度控制裝置通道係設於置位於其上方之該主要本體內部，而且其中用於控制該主要本體溫度之第二溫度控制裝置包括一溫度控制本體，其在它的內部具有供該第二溫度控制流體用之一個或多個第二溫度控制裝置通道。
已經發現這種用於控制基板溫度的習知裝置的缺點在於，由於溫度控制裝置係一個位在另一個之上而其具有較高的體積，而且在下方的溫度控制裝置會被配置為離基板很遠。
因此，本發明的一個目的在於提供一種用於控制一基板溫度的裝置，其可被設計得更小巧，以及一種相對應的製造方法。
為了實現這個目的，本發明提供了如申請專利範圍第1項所述之用於控制一基板溫度的裝置，以及如申請專利範圍第15項所述之對應製造方法。
較佳的改良係個別依附項的標的物。
本發明所根據之構想是包含以節省空間且可輕易連接的方式將兩個不同的溫度控制裝置內嵌於主要本體中。特別是，在根據本發明之用於控制基本溫度的裝置中，溫度控制裝置與基板之間的個別距離可被設定為大致相等。
根據另一較佳改良方式，該主要本體具有一平板式底部與一平板式頂部，其係於一連接區中連接在一起，特別式焊接或黏著地接合在一起。這簡化了製造方法。
根據另一較佳實施方式，在底部中設有第一至第四孔洞，而在頂部中設有第一複數分離環形通道與第二複數分離環形通道。因此可在頂部與底部組裝之前放置管件。
根據另一較佳實施方式，第一複數分離環形通道與第二複數分離環形通道係相對於主要本體的中心軸成同心地配置，較佳地是圓形地配置。
根據另一較佳實施方式，第一複數分離環形通道與第二複數分離環形通道是配置為使得它們交替圍繞彼此。在這種方式中，可藉由兩個溫度控制裝置來實現均勻的溫度分佈。
根據另一較佳實施方式，第一複數分離環形通道與第二複數分離環形通道具有個別不同的截面。在這種方式中可考量兩種溫度控制流體（例如氣體/液體）的不同黏度。
根據另一較佳實施方式，第一至第四管件係焊接或黏著地接合至主要本體。此確保兩個迴路的高緊密度。
根據另一較佳實施方式，第一至第四管件是由不鏽鋼、銅或塑膠材料製成。
根據另一較佳實施方式，主要本體是由銅或鋁製成。這確保高熱傳導性。對於特殊應用而言，高度熱傳導性陶瓷材料也是可行的。
根據另一較佳實施方式，第一開口與第二開口係配置成對，使得它們在兩個部位處與該個別環形通道連通，該兩個部位係沿著相應的環形通道順時針和逆時針大致等距地配置。這確保均勻的溫度分佈。
根據另一較佳實施方式，第三開口與第四開口係配置成對，使得它們在兩個部位處與該個別環形通道連通，該兩個部位係沿著相應的環形通道順時針和逆時針大致等距地配置。這確保均勻的溫度分佈。
根據另一較佳實施方式，第一及/或第二及/或第三及/或第四管件具有一第一開放端部與一第二封閉端部，其中該開口具有從該第一開放端部增加到該第二封閉端部之一截面。因此可補償在管件間發生的壓力降。
根據另一較佳實施方式，第一及/或第二及/或第三及/或第四管件具有每一環形通道之複數個開口。因此可調整個別的進流與出流方向，特別是使溫度分佈均勻化。
根據另一較佳實施方式，該複數個開口係於相關聯環形通道的相反方向中對齊。這導致在熱動力上特別有效的逆流進流與出流。
第1圖是根據本發明一第一實施方式之用於控制基板溫度的裝置的示意平面截面圖。
在第1圖中，元件符號1表示一平板式主要本體，其具有一基板放置區SF，該主要本體具有一平板式底部1a與一平板式頂部1b，其於一連接區V（參考第4a圖至第4b圖）中彼此連接，例如是藉由焊接或黏著劑接合的方式。基板放置區SF可具有溝槽（未示），其連接至一負壓產生裝置（未示），以用於穩定放置之基板，例如一晶圓基板。
設於該平板式主要本體1內部的是一第一溫度控制裝置，用於利用一第一溫度控制流體（例如液體）控制該主要本體的溫度，其具有在主要本體1內部的第一複數分離圍繞環形通道R1F-R4F以循環該第一溫度控制流體，其中R1F表示第一通道，R2F表示第二通道，R3F表示第三通道，而R4F表示該第一複數中的一第四通道。
進一步設於該主要本體1內部的是一第二溫度控制裝置，用於利用一第二溫度控制流體（例如氣體）控制該主要本體的溫度，其具有在主要本體1內部的第二複數分離圍繞環形通道R1L-R5L以循環該第二溫度控制流體，其中R1L表示第一通道，R2L表示第二通道，R3L表示第三通道，R4L表示一第四通道，而R5L表示該第二複數中的一第五通道。
第一溫度控制流體可經由第一管件K1F而被供應至該第一複數環形通道R1F-R4F，並且經由第二管件K2F從其移除。第一管件K1F與第二管件K2F被置放於該主要本體1之一對應的第一孔洞B1F與一對應的第二孔洞B2F中（參考第2圖）。第二溫度控制流體可經由第三管件K1L而被供應至該第二複數環形通道R1L-R5L，並且經由第四管件K2L從其移除。第三管件K1L與第四管件K2L被置放於該主要本體1之一對應的第三孔洞B1L與第四孔洞B2L中（參考第2圖）。
第一溫度控制流體之入口Fi係置於第一管件K1F的一第一開放端部E1處，第一管件K1F進一步具有一第二封閉端部E2。第一溫度控制流體之出口Fa係位於第二管件K2F的一第一開放端部E1’’’，該第二管件K2F進一步具有一第二封閉端部E2’’’。
第二溫度控制流體之入口Li係置於第三管件K1L的一第一開放端部E1’處，第三管件K1L進一步具有一第二封閉端部E2’。第二溫度控制流體之出口La係位於第四管件K2L的一第一開放端部E1’’，該第四管件K2L進一步具有一第二封閉端部E2’’。
第一至第四管件K1F、、K2F、K1L、K2L有利地以密封方式另外連接至主要本體1，例如藉由黏著劑接合或焊接的方式。
第一至第四管件K1F、K2F、K1L、K2L有利地側向突出至主要本體1外，使得對應的連接（例如凸緣，未示）可對其附接，其係分別連接至第一與第二溫度控制流體的對應來源與匯集處。
第一至第四孔洞B1F、B2F、B1L、B2L（其在本實例中為盲孔）在每個情況中係與第一複數分離環形通道R1F-R4F及第二複數分離環形通道R1L-R5L連通，亦即，其是朝向它們開放的。
第一管件K1F（係置於主要本體1的第一孔洞B1F中）在第一複數分離環形通道R1F-R4F的區域中具有用於供應第一溫度控制流體的個別第一開口F1-F4，其中第一開口F1-F4中，F1表示一第一開口、F2表示一第二開口、F3表示一第三開口、而F4表示一第四開口。
第二管件K2F（係置於主要本體1的第二孔洞B2F中）在第一複數分離環形通道R1F-R4F的區域中具有用於移除第一溫度控制流體的個別第二開口F1’-F4’，其中第二開口F1’-F4’中，F1’表示一第一開口、F2’表示一第二開口、F3’表示一第三開口、而F4’表示一第四開口。
第三管件K1L（係置於主要本體1的第三孔洞B1L中）在第二複數分離環形通道R1L-R5L的區域中具有用於供應第二溫度控制流體的個別第三開口L1-L5，其中第三開口L1-L5中，L1表示一第一開口、L2表示一第二開口、L3表示一第三開口、L4表示一第四開口、而L5表示一第五開口。
第四管件K2L（係置於主要本體1的第四孔洞B2L中）在第二複數分離環形通道R1L-R5L的區域中具有用於移除第二溫度控制流體的個別第四開口L1’-L5’，其中L1’表示第四開口L1’-L5’中的一第一開口、L2’表示一第二開口、L3’表示一第三開口、L4’表示一第四開口、而L5’表示一第五開口。
在本實例中，該第一複數分離環形通道R1F-R4F與第二複數分離環形通道R1L-R5L係相對於主要本體1的中心軸M呈圓形地同心地配置。第一複數分離環形通道R1F-R4F與第二複數分離環形通道R1L-R5L在此係配置為可使得它們交替圍繞彼此，其結果是可達到盡可能均勻的溫度分佈。
第一至第四管件K1F、K2F、K1L、K2L較佳地是由不鏽鋼、銅、或塑膠材料所製成，其中主要本體1係較佳地由銅或鋁所製成。
第一開口F1-F4與第二開口F1’-F4’係配置成對，使得它們在兩個部位處與該個別環形通道R1F-R4F連通，該二部位係沿著相應的環形通道R1F-R4F順時針和逆時針大致等距地配置，亦即，它們在此圓形幾何中大致為直徑上相反地配置。該第三開口L1-L5和該第四開口L1’-L5’係配置成對，使得它們在兩個部位處與該個別環形通道R1L-R5L連通，該二部位係沿著相應的環形通道R1L-R5L順時針和逆時針大致等距地配置，亦即，它們在此圓形幾何中大致為直徑上相反地配置。
這提供了第一與第二溫度控制流體的一種反向的、實質上對稱的流動輪廓。
第2圖是沿著第1圖中線X_X’、根據本發明第一實施方式之用於控制基板溫度的裝置的部分垂直截面圖。
如第2圖所示，在本例示實施方式中，第一至第四孔洞B1F、B2F、B1L、B2L是設於底部1a，而第一複數分離環形通道R1F-R4F與第二複數分離環形通道R1L-R5L是設於頂部1b。第一複數分離環形通道R1F-R4F是呈矩形且具有一第一截面Q1，而第二複數分離環形通道R1L-R5L係呈矩形且具有一第二截面Q2，其中第二截面Q2小於第一截面。這是考慮第一溫度控制流體（在此例中為液體）和第二溫度控制流體（在此例中為氣體）具有不同黏度的事實。
如第2圖中進一步所示，在主要本體1的底部1a上進一步設有一平板式加熱裝置HEI，例如是利用電加熱機制。
第3a圖、第3b圖在每一情況中為根據本發明第一實施方式之用於控制基板溫度的裝置的第一與第二管件的軸向截面圖。
第3a圖、第3b圖說明了第一管件K1F與第三管件K1L在它們未置於主要本體1中的狀態。特別是，如圖所示，第一開口F1-F4的截面是相同的，第三開口L1-L5的截面也是相同的。然而，第一開口F1-F4的截面大於第三開口L1-L5的截面。其也考慮了第一與第二溫度控制流體的不同黏度，並且可視需要而被調適。
第4a圖、第4b圖是根據本發明第一實施方式之用於控制基板溫度的裝置在用於注入第一或第二溫度控制流體的開口F1與L3的區域中之個別部分垂直截面圖。
第4a圖說明了第一管件K1F與第一複數環形通道R1F-R4F中的第一環形通道R1F的交會處、以及第三管件K1L與第一複數環形通道R1F-R4F中的第一環形通道R1F的交會處。由於第一複數環形通道R1F-R4F係由第一管件K1F所供應，後者係於相關區域中經由第一開口F1-F4中的第一開口F1連接至第一複數環形通道R1F-R4F中的第一環形通道R1F，而在此區域中的第三管件K1L係以密封形式通過，因此第一與第二溫度控制流體是無法混合的。這對於剩下的第一開口F2-F4也是相應如此，其於每一情況中係連接至該第一複數環形通道R1F-R4F中的相關聯通道R2F、R3F、R4F，而在這些區域中的第三管件K1L同樣以密封形式通過。
在對應的方式中，第4b圖示出了第一管件K1F與第二複數環形通道R1L-R5L中的第三環形通道R3L的交會處，其中第一管件以密封形式通過。在這個區域中的第三管件K1L係藉由第三開口L1-L5中的第三開口L3而呈開放，使得第二溫度控制流體可流到第二複數環形通道R1L-R5L中的第三環形通道R3L中。對於剩下的第三開口L2-L5這亦是相對應如此，其每一者連接至第二複數環形通道R1L-R5L中的相關聯通道R2L、R3L、R4L、R5L，而在這些區域中的第一管件K1F同樣是以密封形式通過。
第4c圖、第4d圖在每個情況中為根據本發明第一實施方式之用於控制基板溫度的裝置在用於移除第一或第二溫度控制流體的開口F1’與L3’的區域中之部分垂直截面圖。
第4c圖中示出了類似的說明，第一溫度控制流體係於第四管件K2L和第二管件K2F與第一複數環形通道R1F-R4F中的第一環形通道R1F的交會處移除，其中第一溫度控制流體可經由第一開口F1’而移除，且第四管件K2L係以密封形式通過。對於剩下的第三開口F2-F4而言這亦相應如此，其每一者連接至第一複數環形通道R1F-R4F中的相關聯通道R2F、R3F、R4F，而在這些區域中的第四管件K2L係同樣以密封形式通過。
最後，第4d圖示出了第四管件K2L與第二複數環形通道R1L-R5L中的第三環形通道的交會處、以及第二管件K2F的相應交會處。第二溫度控制流體係於該處通過第三開口L3’移除而至第四管件K2L中，而第二管件係以密封形式通過。
對於剩下的第三開口L1’-L5’這亦相應如此，其每一者連接至第二複數環形通道R1L-R4L的相關聯通道R1L-R4L，而第二管件K2F在這些區域中亦同樣以密封形式通過。
第5圖是根據本發明一第二實施方式之用於控制一基板溫度的裝置的第一管件的軸向截面圖。
第二實施方式係根據第5圖說明了第一管件K1F之第一開口F1a、F2a、F3a、F4a具有不同截面，其中開口F1a、F2a、F3a、F4a的截面係從第一開放端部E1增加至第二開放端部E2。這考慮了第一溫度控制流體的降低之動態壓力。
第6圖是根據本發明一第三實施方式之用於控制基板溫度的裝置在用於注入第一溫度控制流體的開口F11與L12的區域中的部分垂直截面圖。
第三實施方式根據第6圖說明一種修改方式，其中第一管件K1F具有該第一複數環形通道R1F-R4F中的每一環形通道R1F-R4F之複數個開口F11、F12。可以此種方式影響第一溫度控制流體的出流方向，而且可以避免特別是在頂部1b中管件上方之所謂熱點。
在本實例中，開口F11與F12是在相關聯環形通道的相反方向中對齊。
為了產生用於控制基板（特別是晶圓基板）溫度的裝置的所示實施方式，較佳地，先在主要本體的底部1a中製出孔洞B1F、B2F、B1L、B2L，然後第一至第四管件K1F、K2F、K1L、K2L係據以放置、對齊以及密封於其中。
第一與第二複數環形通道R1F-R4F與R1L-R5L係進一步銑削至頂部1b中。然後，於連接區V中進行對齊與組裝、以及黏著劑接合或焊接，其最終產生了上述裝置。
一種替代的生產方法是，利用三維印刷方法來生產主要本體，其中第一至第四管件K1F、K2F、K1L、K2L是被放置在例如完成底部1a之後的一中間步驟中。
本發明雖以參照較佳實施方式來說明，但並不限於此，而是可以各種方式加以修改。
在目前情況中，第一至第四孔洞B1F、B2F、B1L、B2L是盲孔，然而本發明並不限於此，而是這些孔洞也可以被配置為貫穿的，而且管件K1F、K2F、K1L、K2L也可以兩側部呈開放，其於每一情況中具有兩個連接，或是如上述般僅於一個側部呈開放。
特別是，用於控制一基板溫度之裝置的幾何形狀並不限於圓形，而是可具有任何所需幾何形狀。該材料也僅為例示，且可廣泛地變化。通道系統的幾何配置也可以依需要加以修改。
1‧‧‧平板式主要本體
1a‧‧‧平板式底部
1b‧‧‧平板式頂部
B1F、B2F、B1L、B2L‧‧‧第一至第四孔洞
E1、E1’、E1’’、E1’’’‧‧‧第一開放端部
E2、E2’、E2’’、E2’’’‧‧‧第二開放端部
F1、F2、F3、F4‧‧‧第一開口
F1’、F2’、F3’、F4’‧‧‧第二開口
F11、F12‧‧‧開口
Fa‧‧‧第一溫度控制流體之出口
Fi‧‧‧第一溫度控制流體之入口
HEI‧‧‧平板式加熱裝置
K1F‧‧‧第一管件
K2F‧‧‧第二管件
K1L‧‧‧第三管件
K2L‧‧‧第四管件
L1、L2、L3、L4、L5‧‧‧第三開口
L1’、L2’、L3’、L4’、L5’‧‧‧第四開口
La‧‧‧第二溫度控制流體之出口
Li‧‧‧第二溫度控制流體之入口
M‧‧‧中心軸
Q1、Q2‧‧‧截面
R1F、R2F、R3F、R4F‧‧‧第一複數分離環形通道
R1L、R2L、R3L、R4L、R5L‧‧‧第二複數分離環形通道
SF‧‧‧基板放置區
V‧‧‧連接區域
X_X’‧‧‧中線
本發明的例示實施方式係以圖式說明，並詳細解釋如下。 第1圖示出了根據本發明一第一實施方式之用於控制基板溫度的裝置的示意平面截面圖； 第2圖示出了沿著第1圖中線X_X’之根據本發明第一實施方式之用於控制基板溫度的裝置的部分垂直截面圖； 第3a圖、第3b圖各自示出了根據本發明第一實施方式之用於控制基板溫度的裝置的第一與第二管件的軸向截面圖； 第4a圖、第4b圖各自示出了根據本發明第一實施方式之用於控制基板溫度的裝置在用於注入第一或第二溫度控制流體的開口F1與L3的區域中之部分垂直截面圖； 第4c圖、第4d圖各自示出了根據本發明第一實施方式之用於控制基板溫度的裝置在用於移除第一或第二溫度控制流體的開口F1’與L3’的區域中之部分垂直截面圖； 第5圖示出了根據本發明一第二實施方式之用於控制基板溫度的第一管件的軸向截面圖；以及 第6圖示出了根據本發明一第三實施方式之用於控制基板溫度的裝置在用於注入第一溫度控制流體的開口F11與L12的區域中的部分垂直截面圖。 在圖式中，相同的元件符號即表示相同構件或具有相同功能的構件。

Claims (20)

  1. 一種用於控制一基板、特別是一晶圓基板之該溫度的裝置，具有： 一平板式主要本體，其具有一基板放置區； 一第一溫度控制裝置，用於利用一第一溫度控制流體控制該主要本體的該溫度，具有在該主要本體內側的一第一複數分離環形通道以循環該第一溫度控制流體； 一第二溫度控制裝置，用於利用一第二溫度控制流體控制該主要本體的該溫度，具有在該主要本體內側的一第二複數分離環形通道以循環該第二溫度控制流體； 其中該第一溫度控制流體可經由一第一管件而被供應至該第一複數環形通道，並經由一第二管件而從其移除； 其中該第二溫度控制流體可經由一第三管件而被供應至該第二複數環形通道，並經由一第四管件而從移除； 其中該主要本體具有一第一至第四孔洞，其在各情況中與該第一複數分離環形通道和該第二複數分離環形通道連通； 其中該第一管件是置於該主要本體的該第一孔洞中，且在該第一複數分離環形通道的該區域中具有個別第一開口以供應該第一溫度控制流體； 其中該第二管件是置於該主要本體的該第二孔洞中，且在該第一複數分離環形通道的該區域中具有個別第二開口以移除該第一溫度控制流體； 其中該第三管件是置於該主要本體的該第三孔洞中，且在該第二複數分離環形通道的該區域中具有個別第三開口以供應該第二溫度控制流體；及 其中該第四管件是置於該主要本體的該第四孔洞中，且在該第二複數分離環形通道的該區域中具有個別第四開口以移除該第二溫度控制流體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之用於控制一基板之溫度的裝置，其中該主要本體具有一平板式底部與一平板式頂部，其係於一連接區域連接在一起、特別是焊接或黏著地接合在一起。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之用於控制一基板之溫度的裝置，其中該第一至第四孔洞係設於該底部，而該第一複數分離環形通道和該第二複數分離環形通道係設於該頂部。
  4. 如前述申請專利範圍其中一項所述之用於控制一基板之溫度的裝置，其中該第一複數分離環形通道和該第二複數分離環形通道係相對於該主要本體的一中心軸呈同心地、較佳地是圓形地配置。
  5. 如前述申請專利範圍其中一項所述之用於控制一基板之溫度的裝置，其中該第一複數分離環形通道與該第二複數分離環形通道是配置為使得他們彼此交替環繞。
  6. 如前述申請專利範圍其中一項所述之用於控制一基板之溫度的裝置，其中該第一複數分離環形通道與該第二複數分離環形通道具有個別不同截面。
  7. 如前述申請專利範圍其中一項所述之用於控制一基板之溫度的裝置，其中該第一至第四管件係焊接或黏著地接合至該主要本體。
  8. 如前述申請專利範圍其中一項所述之用於控制一基板之溫度的裝置，其中該第一至第四管件係由不鏽鋼、銅或塑膠材料製成。
  9. 如前述申請專利範圍其中一項所述之用於控制一基板之溫度的裝置，其中該主要本體是由銅或鋁製成。
  10. 如前述申請專利範圍其中一項所述之用於控制一基板之溫度的裝置，其中該第一開口與第二開口是配置成對，使得它們在兩個部位處與該個別環形通道連通，該二部位係沿該個別環形通道順時針和逆時針大致等距地配置。
  11. 如前述申請專利範圍其中一項所述之用於控制一基板之溫度的裝置，其中該第三開口和該第四開口係配置成對，使得它們在兩個部位處與該個別環形通道連通，該二部位係沿著該個別環形通道順時針和逆時針大致等距地配置。
  12. 如前述申請專利範圍其中一項所述之用於控制一基板之溫度的裝置，其中該第一及/或第二及/或第三及/或第四管件具有一第一開放端部與一第二封閉端部，而且該開口具有自該第一開放端增加至該第二封閉端部之一截面。
  13. 如前述申請專利範圍其中一項所述之用於控制一基板之溫度的裝置，其中該第一及/或第二及/或第三及/或第四管件具有每一環形通道之複數個開口。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之用於控制一基板之溫度的裝置，其中該複數個開口係於相關環形通道的相反方向中對齊。
  15. 一種用於控制一基板、特別是一晶圓基板之溫度的裝置的製造方法，具有下列步驟： 提供一平板式主要本體，其具有一基板放置區； 形成一第一溫度控制裝置，其用於利用一第一溫度控制流體控制該主要本體的該溫度，具有在該主要本體內側的一第一複數分離環形通道以循環該第一溫度控制流體； 形成一第二溫度控制裝置，其用於利用一第二溫度控制流體控制該主要本體的溫度，具有在該主要本體內側的一第二複數分離環形通道以循環該第二溫度控制流體； 提供一第一至第四管件，其中該第一溫度控制流體可經由該第一管件而供應至該第一複數環形通道並且經由該第二管件而自其移除，而且其中該第二溫度控制流體可經由該第三管件而供應至該第二環形通道並且經由該第四管件而自其移除； 其中一第一至第四孔洞係形成於該主要本體中，其於每個情況中係與該第一複數分離環形通道和該第二複數分離環形通道連通； 其中該第一管件係置於該主要本體的該第一孔洞中，而且在該第一複數分離環形通道之該區域中具有個別的第一開口以供應該第一溫度控制流體； 其中該第二管件係置於該主要本體的該第二孔洞中，而且在該第一複數分離環形通道之該區域中具有個別的第二開口以移除該第一溫度控制流體； 其中該第三管件是置於該主要本體的該第三孔洞中，且在該第二複數分離環形通道的該區域中具有個別第三開口以供應該第二溫度控制流體；以及 其中該第四管件是置於該主要本體的該第四孔洞中，且在該第二複數分離環形通道的該區域中具有個別第四開口以移除該第二溫度控制流體。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之製造方法，其中該主要本體具有一平板式底部與一平板式頂部，其係於一連接區域連接在一起、特別是焊接或黏著地接合在一起。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之製造方法，其中該第一至第四孔洞係設於該底部，而該第一複數分離環形通道和該第二複數分離環形通道係設於該頂部，而且該第一至第四管件是在該平板式底部和該平板式頂部彼此連接之前即先放置。
  18. 如申請專利範圍第15項至第17項其中之一所述之製造方法，其中該第一至第四管件係焊接或黏著地接合至該主要本體。
  19. 如申請專利範圍第15項至第17項其中之一所述之製造方法，其中該主要本體是藉由三維印刷方法所產生。
  20. 如申請專利範圍第15項至第19項其中之一所述之製造方法，其中該第一及/或第二及/或第三及/或第四孔洞是盲孔，而且該第一及/或第二及/或第三及/或第四管件具有一第一開放端部與一第二封閉端部。
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