CN104099613A - 反应腔室及等离子体加工设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供的反应腔室及等离子体加工设备，包括热交换媒介源和介质窗，介质窗设置在反应腔室的顶部，并且在介质窗的上表面均匀分布有凹道，并且在介质窗的上表面上叠置有密封板，密封板与凹道形成封闭的通道，并且在密封板上设置有分别与通道的首尾两端连通的入口和出口，热交换媒介源与入口连接，用以经由入口向通道内输送热交换媒介，热交换媒介自出口排出通道，并在沿通道流动的过程中与介质窗进行热交换。本发明提供的反应腔室可以实现对介质窗进行均匀加热，从而提高了工艺的均匀性，进而提高等离子体加工设备的工艺质量。

Description

反应腔室及等离子体加工设备

技术领域

本发明属于微电子加工技术领域，具体涉及反应腔室及等离子体加工设备。

背景技术

在采用等离子体加工设备对被加工工件进行刻蚀工艺的过程中，精确地控制等离子体加工设备中的诸如腔室壁、静电卡盘等部件或装置的温度对工艺质量起着至关重要的作用。

图1为现有的等离子体加工设备的结构简图。如图1所示，等离子体加工设备包括反应腔室1、射频线圈9和射频电源5。其中，在反应腔室1内设置有静电卡盘4，用以采用静电引力的方式将被加工工件3的吸附在其上表面上；而且，在反应腔室1的顶壁上内嵌有石英窗2，射频线圈9设置在石英窗2的上方，且与射频电源5电连接，在射频电源5接通后，射频线圈9激发反应腔室1中的工艺气体生成等离子体6，以对被加工工件4进行刻蚀。此外，在反应腔室1的腔室壁和静电卡盘4内均设置有温控装置（图中未示出），用以分别调节腔室壁和静电卡盘4的温度，以使反应腔室1的工艺温度能够保证刻蚀速率和刻蚀深度的均匀性，从而提高工艺质量。然而，由于在石英窗2内未设置温控装置，导致在进行工艺的过程中，石英窗2的温度往往低于腔室壁和静电卡盘4的温度，从而给工艺质量带来一定的不良影响。

为此，人们通常采用下述方法调节石英窗2的温度。具体地，在上述石英窗2的外周壁上包覆有加热带8，用以对石英窗2进行加热，以使其达到工艺所需的温度，如图2所示。

然而，由于加热带8仅与石英窗2的外周壁直接接触，加热带8产生的热量需要自石英窗2的边缘向中心传导，又由于石英窗2为热的不良导体，导致热量很难到达石英窗2的中心区域，这使得石英窗2的边缘区域的温度与中心区域的温度存在差异，从而造成石英窗2的温度不均匀，进而给工艺的均匀性带来不良影响。

发明内容

本发明旨在解决现有技术中存在的技术问题，提供了一种反应腔室及等离子体加工设备，其可以实现对介质窗进行均匀加热，从而可以提高工艺的均匀性，进而可以提高等离子体加工设备的工艺质量。

本发明提供一种反应腔室，包括热交换媒介源和介质窗，所述介质窗设置在所述反应腔室的顶部，并且在所述介质窗的上表面均匀分布有凹道，并且在所述介质窗的上表面上叠置有密封板，所述密封板与所述凹道形成封闭的通道，并且在所述密封板上分别设置有与所述通道的首尾两端连通的入口和出口，所述热交换媒介源与所述入口连接，用以经由所述入口向所述通道内输送热交换媒介，并且流入所述通道内的所述热交换媒介自所述出口排出所述通道，并在沿所述通道流动的过程中与所述介质窗进行热交换。

其中，所述凹道为环绕所述介质窗的上表面中心均匀缠绕的螺旋状结构。

其中，所述凹道包括至少两个环形子凹道，所述至少两个环形子凹道以所述介质窗的上表面的中心为圆心，且半径不同。

其中，所述凹道由彼此独立的至少两条凹道段组成；并且所述入口和出口的数量与所述凹道段的数量相对应，且所述入口和出口一一对应地与所述凹道段的首尾两端连通。

其中，还包括温度传感器和温控单元，其中所述温度传感器包括中心传感器和边缘传感器，所述中心传感器和边缘传感器用于分别测量所述介质窗的中心区域和边缘区域的实时温度值，并将其发送至所述温控单元；所述热交换媒介源包括中心热交换媒介源和边缘热交换媒介源，所述中心热交换媒介源经由相应的入口与位于所述介质窗的中心区域的凹道段连通；所述边缘热交换媒介源经由相应的入口与位于所述介质窗的边缘区域的凹道段连通；所述温控单元用于将中心区域的实时温度值与预定的中心区域的理想温度值进行比较，并根据比较结果调节所述中心热交换媒介源输出的流量值；以及，将边缘区域的实时温度值与预定的边缘区域的理想温度值进行比较，并根据比较结果调节所述边缘热交换媒介源输出的流量值。

其中，还包括加热带，所述加热带沿所述介质窗的外周壁环绕设置，用以采用热传导的方式对所述介质窗进行加热。

其中，还包括温度传感器和温控单元，其中所述温度传感器包括中心传感器和边缘传感器，所述中心传感器和边缘传感器用于分别测量所述介质窗的中心区域和边缘区域的实时温度值，并将其发送至所述温控单元；并且所述温控单元用于将中心区域的实时温度值与预定的中心区域的理想温度值进行比较，并根据比较结果调节所述热交换媒介源输出的流量值；以及，将边缘区域的实时温度值与预定的边缘区域的理想温度值进行比较，并根据比较结果调节所述加热带的输出功率。

其中，所述中心传感器和边缘传感器均为接触式温度传感器，且二者分别设置在所述介质窗内的中心区域和边缘区域，且位于靠近所述介质窗的下表面的位置处。

其中，所述中心传感器和边缘传感器均为非接触式温度传感器，并且，在所述密封板的上表面且对应于所述介质窗的中心区域和边缘区域，分别设置有中心测温孔和边缘测温孔，且所述中心测温孔和边缘测温孔的下端均延伸至所述介质窗的内部；所述中心传感器和边缘传感器设置在所述密封板的上方，且分别与中心测温孔和边缘测温孔相对应的位置处。

其中，还包括温度传感器和温控单元，其中所述温度传感器用于测量所述介质窗的实时温度值，并将其发送至所述温控单元；所述温控单元用于将所述实时温度值与预定的理想温度值进行比较，并根据比较结果调节所述热交换媒介源输出的流量值。

其中，所述温度传感器为接触式温度传感器，所述接触式温度传感器设置在所述介质窗内，且位于靠近所述介质窗下表面的位置处。

其中，所述温度传感器为非接触式温度传感器，并且，在所述密封板的上表面设置有测温孔，且所述测温孔的下端延伸至所述介质窗的内部；所述温度传感器设置在所述密封板的上方，且位于与所述测温孔的相对应的位置处。

其中，还包括感应线圈和射频电源，所述感应线圈设置在所述密封板的上方，且与所述射频电源电连接，用以激发所述反应腔室中的工艺气体生成等离子体；并且所述密封板采用抗磁材料制作。

其中，所述抗磁材料包括树脂。

其中，所述热交换媒介包括热交换气体或者热交换液体。

其中，在所述介质窗的上表面与所述密封板之间设置有密封件，用以对二者之间的间隙进行密封。

其中，所述介质窗的材料包括石英、三氧化二铝陶瓷或者氮化铝陶瓷。

本发明还提供一种等离子体加工设备，包括反应腔室，该反应腔室采用了本发明提供的反应腔室。

本发明具有下述有益效果：

本发明提供的反应腔室，其在介质窗的上表面均匀分布有凹道，该凹道与叠置在介质窗的上表面的密封板形成封闭的通道，并且，在密封板上分别设置有与该通道的首尾两端连通的入口和出口，热交换媒介源与入口连接，用以经由入口向通道内输送热交换媒介，并且流入通道内的热交换媒介自出口排出通道，并在沿通道流动的过程中与介质窗进行热交换。由于凹道与密封板所形成的通道相对于介质窗的上表面均匀分布，这使得通道内的热交换媒介可以均匀地与介质窗进行热交换，从而不仅可以使介质窗的温度达到工艺所需的温度，而且可以保证介质窗的温度均匀性，从而可以提高工艺的均匀性。

本发明提供的等离子体加工设备，其通过采用本发明提供的反应腔室，可以提高工艺的均匀性，从而可以提高等离子体加工设备的工艺质量。

附图说明

图1为现有的等离子体加工设备的结构简图；

图2为带有加热带的石英窗的俯视图；

图3为本发明第一实施例提供的反应腔室的结构简图；

图4为图3中反应腔室的介质窗的俯视图；

图5为图3中反应腔室的介质窗和密封板的剖视图；

图6为本发明第一实施例提供的反应腔室对介质窗进行温度控制的原理框图；

图7为本发明第二实施例提供的反应腔室对介质窗进行温度控制的原理框图；

图8为本发明第三实施例提供的反应腔室的结构简图；以及

图9为本发明第三实施例提供的反应腔室对介质窗进行温度控制的原理框图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的反应腔室及等离子体加工设备进行详细地描述。

图3为本发明第一实施例提供的反应腔室的结构简图。图4为图3中反应腔室的介质窗的俯视图。图5为图3中反应腔室的介质窗和密封板的剖视图。图6为本发明第一实施例提供的反应腔室对介质窗进行温度控制的原理框图。请一并参阅图3、图4、图5和图6，反应腔室10包括热交换媒介源20、介质窗11、感应线圈16、射频电源17、温度传感器18和温控单元19。其中，热交换媒介源20可以为热交换气体或液体，例如，热交换气体可以包括热空气、冷空气等；热交换液体可以包括热氟化液、冷却液等；介质窗11设置在反应腔室10的顶部，且在介质窗11的上表面均匀分布有凹道12，在本实施例中，凹道12采用相对于介质窗11的上表面，且环绕其中心均匀缠绕的螺旋状结构，如图4所示，并且，在介质窗11的上表面上叠置有密封板13，密封板13与凹道12形成封闭的通道（即，通道在垂直于热交换媒介的流向的截面上的投影轮廓为闭合的任意形状，例如，圆形、椭圆形、三角形或多边形），并且在密封板13上分别设置有与该通道的首尾两端（14，15）连通的入口和出口（图中未示出），热交换媒介源20与入口连接，用以经由入口向通道内输送热交换媒介，并且流入通道内的热交换媒介自出口排出通道，并在沿通道流动的过程中与介质窗11进行热交换。由于上述凹道12与密封板13所形成的通道相对于介质窗11的上表面均匀分布，这使得通道内的热交换媒介可以均匀地与介质窗11进行热交换，从而既可以使介质窗11的温度达到工艺所需的温度，又可以保证介质窗11的温度均匀性，进而可以提高工艺的均匀性。

需要说明的是，上述入口和出口可以为设置在密封板13的上表面，且位于与通道的首尾两端（14，15）相对应的位置处的两个通孔，热交换媒介源20以及用于自通道排出热交换媒介的排气通道对应地与分别作为入口和出口的这两个通孔连通；或者，还可以在密封板13内分别设置进气通道和排气通道，二者的一端延伸至密封板13的上表面或侧面，且对应地与热交换媒介源20和排气通道连通；二者的另一端延伸至密封板13的下表面，且对应地与通道的首尾两端（14，15）连通。只要上述入口和出口能够将通道的首尾两端（14，15）分别与热交换媒介源20和排气通道连通即可，而不必限制入口和出口的结构。

在实际应用中，介质窗11的材料可以包括石英或陶瓷，优选地，介质窗11的材料可以采用诸如三氧化二铝（Al₂O₃）陶瓷或氮化铝(AlN)陶瓷等的导热性能较好的材料，以提高介质窗11的传热效率。而且，在介质窗11的上表面与密封板13之间设置有密封件（图中未示出），用以对二者之间的间隙进行密封，从而可以防止通道内的热交换媒介自该间隙泄漏出去。此外，密封板13可以采用螺钉等紧固件与介质窗11固定连接。

在本实施例中，温度传感器18用于测量介质窗11的实时温度值，并将其发送至温控单元19；温控单元19用于将实时温度值与预定的理想温度值（即，工艺所需的介质窗11的温度）进行比较，并根据比较结果调节热交换媒介源20输出的流量值，从而使介质窗11的温度达到工艺所需的温度。在实际应用中，温度传感器18可以为诸如热电偶、热电阻等的接触式温度传感器，或者也可以为诸如激光、红外线等的非接触式温度传感器，当温度传感器18为接触式温度传感器时，可以将温度传感器18设置在介质窗11内，且位于靠近介质窗11的下表面的位置处，这可以使温度传感器18测量的温度更接近介质窗11的下表面的温度，从而可以更准确地获得介质窗11在反应腔室10内的温度；当温度传感器18为非接触式温度传感器时，可以在密封板13的上表面设置测温孔，且该测温孔的下端延伸至介质窗11的内部，具体地，如图5所示，在密封板13的上表面设置有通孔131，并对应地在介质窗11的上表面设置有盲孔111，即，通孔131和盲孔111相互叠置而组成上述测温孔。而且，温度传感器18设置在密封板13的上方，且与该测温孔的相应位置处。例如，在采用红外传感器测量介质窗11的温度的过程中，该红外传感器可以通过探测由该测温孔的底部（即，盲孔111的底面）辐射的红外光来获得介质窗11的温度信号，并将其发送至温控单元19。

在本实施例中，感应线圈16设置在密封板13的上方，且与射频电源17电连接，用以激发反应腔室10中的工艺气体生成等离子体。在实际应用中，若将用于输送热交换媒介的通道设置在介质窗11的内部，即，该通道位于介质窗11的上表面的下方，则会使位于感应线圈16和通道之间的介质窗11与感应线圈16产生耦合现象，这不仅会损耗射频电源17的功率，而且还会对反应腔室10内形成的等离子体产生不良影响，因此，若感应线圈16设置在介质窗11的上方，则必须将通道设置在介质窗11的上表面，即，在介质窗11的上表面均匀分布凹道12，并借助密封板13与凹道12形成封闭的通道，以防止热交换媒介泄漏，而且，为了避免密封板13与感应线圈16之间产生耦合，可以采用抗磁材料制作密封板13，抗磁材料可以包括诸如PTFE、ULTEM等的树脂材料。

需要说明的是，在本实施例中，凹道12采用相对于介质窗11的上表面，且环绕其中心均匀缠绕的螺旋状结构，但是，本发明并不局限于此，在实际应用中，凹道12还可以采用其他分布方式，例如，可以采用相对于介质窗11的上表面均匀分布的曲线形凹道，或者，还可以采用多个条形凹道，且以介质窗11的中心为中心呈放射状均匀分布，只要凹道12能够相对于介质窗11的上表面均匀分布即可，而不必限定凹道12的分布方式。

还需要说明的是，在实际应用中，凹道12可以为连续的一条凹道，或者，也可以由多条彼此独立的凹道段组成，并且，应在密封板13上为每条凹道段均配置分别与热交换媒介源20和排气通道连通的入口和出口，即，入口和出口的数量与凹道段的数量相对应，且凹道段的首尾两端一一对应地与入口和出口连通。而且，热交换媒介源20和排气通道各自的数量可以为一个或多个，当热交换媒介源20为多个时，可以同时经由相应的入口向与之连通的凹道段输送热交换媒介，从而可以缩短热交换媒介充满整个通道的时间，进而可以提高热交换的效率。此外，每条凹道段可以采用环绕介质窗11的上表面中心均匀缠绕的螺旋状结构，且各条凹道段相互嵌套；或者，也可以采用以介质窗11的中心为圆心的环形结构，且各条凹道段的半径不同，只要由多条凹道段组成的凹道12能够相对于介质窗11的上表面均匀分布即可。

图7为本发明第二实施例提供的反应腔室对介质窗进行温度控制的原理框图。请参阅图7，本实施例提供的反应腔室和上述第一实施例相比，同样包括热交换媒介源20、介质窗11、感应线圈16、射频电源17、温度传感器18和温控单元19。由于热交换媒介源20、介质窗11、感应线圈16、射频电源17、温度传感器18和温控单元19的结构和功能在上述第一实施例中已做了详细地描述，在此不再赘述。

下面仅对本实施例提供的反应腔室和上述第一实施例的不同点进行详细的描述，具体地，在本实施例中，凹道12由彼此独立的至少两条凹道段组成，并且，热交换媒介源20包括中心热交换媒介源201和边缘热交换媒介源202，中心热交换媒介源201经由相应的入口与位于介质窗11的中心区域的凹道段连通；边缘热交换媒介源202经由相应的入口与位于介质窗11的边缘区域的凹道段连通。此外，温度传感器18包括中心传感器181和边缘传感器182，二者可以为接触式温度传感器或非接触式温度传感器，当中心传感器181和边缘传感器182为接触式温度传感器时，二者分别设置在介质窗11内的中心区域和边缘区域，且位于靠近介质窗11的下表面的位置处；当中心传感器181和边缘传感器182为非接触式温度传感器时，在密封板13的上表面，且对应于介质窗11的中心区域和边缘区域分别设置有中心测温孔和边缘测温孔，并且中心测温孔和边缘测温孔的下端延伸至介质窗11的内部；中心传感器181和边缘传感器182设置在密封板13的上方，且分别与中心测温孔和边缘测温孔相对应的位置处。

中心传感器181和边缘传感器182用于分别测量介质窗11的中心区域和边缘区域的实时温度值，并将其发送至温控单元19；温控单元19用于将中心区域的实时温度值与预定的中心区域的理想温度值进行比较，并根据比较结果调节中心热交换媒介源201输出的流量值；以及，将边缘区域的实时温度值与预定的边缘区域的理想温度值进行比较，并根据比较结果调节边缘热交换媒介源202输出的流量值，从而使介质窗11的中心区域和边缘区域均达到工艺所需的温度，并使介质窗11的温度趋于均匀。

需要说明的是，在本实施例中，借助中心热交换媒介源201和边缘热交换媒介源202、中心传感器181、边缘传感器182和温控单元19，可以分别独立地对介质窗11的中心区域和边缘区域的温度进行调节，从而不仅可以提高介质窗11的温度均匀性，而且还可以提高控制介质窗11的温度的灵活性。但是，本发明并不局限于此，在实际的应用中，还可以以任意方式将介质窗11划分为多个区域，并一一对应地在各个区域内设置温度传感器；而且，在介质窗11的上表面，且位于各个区域分别均匀分布至少一条凹道段，并且设置独立地多个热交换媒介源一一对应地与各个凹道段连通，从而可以实现独立地对所划分的多个区域的温度进行调节。此外，凹道段的分布方式可以为螺旋状、多个同心圆、放射状等的任意方式，只要在所划分的各个区域内的至少一个凹道段能够相对于该区域均匀分布即可。

图8为本发明第三实施例提供的反应腔室的结构简图。图9为本发明第三实施例提供的反应腔室对介质窗进行温度控制的原理框图。请一并参阅图8和图9，本实施例提供的反应腔室和上述第一、第二实施例相比，同样包括热交换媒介源20、介质窗11、感应线圈16、射频电源17、温度传感器18和温控单元19，由于交换媒介源20、介质窗11、感应线圈16、射频电源17、温度传感器18和温控单元19的结构和功能在第一、第二实施例中已做了详细的描述，在此不再赘述。

下面仅对本实施例提供的反应腔室和第一、第二实施例的不同点进行详细地描述，具体地，沿介质窗11的外周壁环绕设置有加热带21，用以采用热传导的方式对介质窗11进行加热。而且，温度传感器18包括中心传感器181和边缘传感器182，二者的设置方式和功能在上述第二实施例中已有了详细地描述，在此不再赘述。此外，温控单元19将介质窗11的中心区域的实时温度值与预定的中心区域的理想温度值进行比较，并根据比较结果调节热交换媒介源20输出的流量值；以及，将介质窗11的边缘区域的实时温度值与预定的边缘区域的理想温度值进行比较，并根据比较结果调节加热带21的输出功率。这同样可以分别独立地对介质窗11的中心区域和边缘区域的温度进行调节，从而不仅可以使介质窗11的中心区域和边缘区域均达到工艺所需的温度，提高介质窗11的温度均匀性，而且还可以提高控制介质窗11的温度的灵活性。

另外，在本实施例中，凹道12可以为连续的一条凹道，或者，也可以由多条彼此独立的凹道段组成，并且，当凹道12由多条彼此独立的凹道段组成时，与上述第二实施例的技术方案相类似，同样可以以任意方式将介质窗11划分为多个区域，并结合使用加热带21和对应各个区域的多个热交换媒介源分别独立地对各个区域的温度进行调节，由于该温控方式在上述第二实施例中已有了详细地描述，在此不再赘述。

综上所述，本实施例提供的反应腔室，其在介质窗的上表面均匀分布有凹道，该凹道与叠置在介质窗的上表面的密封板形成封闭的通道，并且，在密封板上分别设置有与该通道的首尾两端连通的入口和出口，热交换媒介源与入口连接，用以经由入口向通道内输送热交换媒介，并且流入通道内的热交换媒介自出口排出通道，并在沿通道流动的过程中与介质窗进行热交换。由于凹道与密封板所形成的通道相对于介质窗的上表面均匀分布，这使得通道内的热交换媒介可以均匀地与介质窗进行热交换，从而不仅可以使介质窗的温度达到工艺所需的温度，而且可以保证介质窗的温度均匀性，从而可以提高工艺的均匀性。

作为另一个技术方案，本发明还提供一种等离子体加工设备，其包括反应腔室，该反应腔室采用了上述各个实施例提供的反应腔室。

本发明提供的等离子体加工设备，其通过采用本实施例提供的反应腔室10，可以提高工艺的均匀性，从而可以提高等离子体加工设备的工艺质量。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的原理和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (18)

1.一种反应腔室，其特征在于，包括热交换媒介源和介质窗，所述介质窗设置在所述反应腔室的顶部，并且在所述介质窗的上表面均匀分布有凹道，并且在所述介质窗的上表面上叠置有密封板，所述密封板与所述凹道形成封闭的通道，并且

在所述密封板上分别设置有与所述通道的首尾两端连通的入口和出口，所述热交换媒介源与所述入口连接，用以经由所述入口向所述通道内输送热交换媒介，并且流入所述通道内的所述热交换媒介自所述出口排出所述通道，并在沿所述通道流动的过程中与所述介质窗进行热交换。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述凹道为环绕所述介质窗的上表面中心均匀缠绕的螺旋状结构。

3.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述凹道包括至少两个环形子凹道，所述至少两个环形子凹道以所述介质窗的上表面的中心为圆心，且半径不同。

4.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述凹道由彼此独立的至少两条凹道段组成；并且

所述入口和出口的数量与所述凹道段的数量相对应，且所述入口和出口一一对应地与所述凹道段的首尾两端连通。

5.根据权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，还包括温度传感器和温控单元，其中

所述温度传感器包括中心传感器和边缘传感器，所述中心传感器和边缘传感器用于分别测量所述介质窗的中心区域和边缘区域的实时温度值，并将其发送至所述温控单元；

所述热交换媒介源包括中心热交换媒介源和边缘热交换媒介源，所述中心热交换媒介源经由相应的入口与位于所述介质窗的中心区域的凹道段连通；所述边缘热交换媒介源经由相应的入口与位于所述介质窗的边缘区域的凹道段连通；

所述温控单元用于将中心区域的实时温度值与预定的中心区域的理想温度值进行比较，并根据比较结果调节所述中心热交换媒介源输出的流量值；以及，将边缘区域的实时温度值与预定的边缘区域的理想温度值进行比较，并根据比较结果调节所述边缘热交换媒介源输出的流量值。

6.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，还包括加热带，所述加热带沿所述介质窗的外周壁环绕设置，用以采用热传导的方式对所述介质窗进行加热。

7.根据权利要求6所述的反应腔室，其特征在于，还包括温度传感器和温控单元，其中

所述温度传感器包括中心传感器和边缘传感器，所述中心传感器和边缘传感器用于分别测量所述介质窗的中心区域和边缘区域的实时温度值，并将其发送至所述温控单元；并且

所述温控单元用于将中心区域的实时温度值与预定的中心区域的理想温度值进行比较，并根据比较结果调节所述热交换媒介源输出的流量值；以及，将边缘区域的实时温度值与预定的边缘区域的理想温度值进行比较，并根据比较结果调节所述加热带的输出功率。

8.根据权利要求5或7所述的反应腔室，其特征在于，所述中心传感器和边缘传感器均为接触式温度传感器，且二者分别设置在所述介质窗内的中心区域和边缘区域，且位于靠近所述介质窗的下表面的位置处。

9.根据权利要求5或7所述的反应腔室，其特征在于，所述中心传感器和边缘传感器均为非接触式温度传感器，并且，在所述密封板的上表面且对应于所述介质窗的中心区域和边缘区域，分别设置有中心测温孔和边缘测温孔，且所述中心测温孔和边缘测温孔的下端均延伸至所述介质窗的内部；

所述中心传感器和边缘传感器设置在所述密封板的上方，且分别与中心测温孔和边缘测温孔相对应的位置处。

10.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，还包括温度传感器和温控单元，其中

所述温度传感器用于测量所述介质窗的实时温度值，并将其发送至所述温控单元；

所述温控单元用于将所述实时温度值与预定的理想温度值进行比较，并根据比较结果调节所述热交换媒介源输出的流量值。

11.根据权利要求10所述的反应腔室，其特征在于，所述温度传感器为接触式温度传感器，所述接触式温度传感器设置在所述介质窗内，且位于靠近所述介质窗下表面的位置处。

12.根据权利要求10所述的反应腔室，其特征在于，所述温度传感器为非接触式温度传感器，并且，在所述密封板的上表面设置有测温孔，且所述测温孔的下端延伸至所述介质窗的内部；

所述温度传感器设置在所述密封板的上方，且位于与所述测温孔的相对应的位置处。

13.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，还包括感应线圈和射频电源，所述感应线圈设置在所述密封板的上方，且与所述射频电源电连接，用以激发所述反应腔室中的工艺气体生成等离子体；并且

所述密封板采用抗磁材料制作。

14.根据权利要求13所述的反应腔室，其特征在于，所述抗磁材料包括树脂。

15.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述热交换媒介包括热交换气体或者热交换液体。

16.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，在所述介质窗的上表面与所述密封板之间设置有密封件，用以对二者之间的间隙进行密封。

17.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述介质窗的材料包括石英、三氧化二铝陶瓷或者氮化铝陶瓷。

18.一种等离子体加工设备，包括反应腔室，其特征在于，所述反应腔室采用权利要求1-17任意一项权利要求所述的反应腔室。