CN110168706A - 显示装置以及显示装置基板 - Google Patents

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Abstract

本发明的显示装置包括：第一基板；功能器件；以及第二基板，具有导电布线和根据向所述导电布线施加的电信号来驱动所述功能器件的驱动器件，与所述第一基板对置配置。所述导电布线由通过第一导电性金属氧化物层和第二导电性金属氧化物层夹持铜合金层而得到的三层构成，所述铜合金层包含固溶于铜的第一元素和第二元素，该第二元素的电负性比铜以及所述第一元素小，所述第一元素以及所述第二元素是添加于铜的情况下的电阻率上升率为1μΩcm/at％以下的元素，所述铜合金层的电阻率在1.9μΩcm至6μΩcm的范围内。

Description

显示装置以及显示装置基板
技术领域
本发明涉及显示装置以及显示装置基板。
背景技术
以往，在使用于显示装置的功能元件、显示元件、使用于静电电容传感器、光传感器等输入元件、存储元件、RFID(Radio Frequency Identification)元件、薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)、二极管等有源元件中，使用了导电布线。为了消除电信号的延迟，要求低电阻的导电布线。
作为这种导电布线，大多使用了铝布线。铝布线是低电阻布线，通过铝钝化而得到实用的可靠性。
然而，在高纯度并且高导电性的铝布线中，由于具备铝布线的功能器件的制造过程中的受热经历、长期的使用、保存等原因，容易在铝布线的表面产生丘状物(半球状等的突起物)，容易引起绝缘不良等可靠性降低。
高纯度的铝具有2.7μΩcm的电阻率。为了消除上述产生丘状物的问题，以往使用了添加有少量Nd(钕)、Ta(钽)等金属的铝合金。
通过Nd、Ta的添加引起的铝合金的电阻率的增加率分别是3.7μΩcm/at％、8.6μΩcm/at％。换言之，通过在铝中添加1at％的Nd，得到的铝合金的电阻率在计算上成为6.4μΩcm而恶化。一般来说，铝合金布线的目标的电阻率被设为6μΩcm以下。
另一方面，作为上述导电布线，已知有铜合金布线。铜合金布线从耐碱性的观点出发，比铝合金布线优异，另外，从耐药品性的观点出发，具有优异的特性。作为使用于功能器件的导电布线，铜合金布线的要求较高。
与铝相比，高纯度的铜具有1.7μΩcm的电阻率，被期待作为代替铝合金布线的导电布线。然而，铜布线具有如下缺点：容易相对于与铜布线连接的部件或材料扩散，导致可靠性的降低，铜布线的表面不钝化，铜氧化物的形成量随时间增加。
若形成于铜布线的表面的铜氧化物的膜厚变厚，则表面电阻变高，在电安装上产生问题。铜氧化物的形成除了表面电阻的增加之外，还对接触电阻的偏差引起的薄膜晶体管的阈值电压(Vth)的偏差带来影响，所以不优选。在铜布线、铜合金布线和各种布线、各种层膜的电安装中，为了去除形成于布线的表面的铜氧化物，需要进行螯合洗涤那样的前处理。
近年来，提供了具有被含有铟和锌的氧化物层夹持的铜层的金属布线(例如，参照专利文献1)。在专利文献1中，氧化锌的含量被设为10重量％以上且小于35重量％。专利文献1的[0050]段中记载了氧化锌(ZnO)、铟氧化物(InO)等。
然而，在专利文献1的权利要求1中，没有作为氧化物中的金属元素的铟和作为金属元素的锌的定义。因此，金属元素的原子比(at％)不明确。假设换算铟氧化物(InO)之中金属元素的原子比，则氧化锌的下限值10重量％下的、氧化物层中的原子比约为15at％。若锌元素的量相对于铟元素与锌元素的合计超过10at％，则耐碱性降低。
特别是，锌元素的量越多，上述耐碱性的降低越显著地产生。另外，若锌元素的量超过10at％，则氧化锌与氧化铟的复合氧化物的表面电阻增大，成为电安装中的障碍。在专利文献1中没有公开这样的课题。进而，在专利文献1中，关于铜的迁移、扩散的问题，没有公开任何内容。
另外，作为改善铜对玻璃基板、硅基板的紧贴性的技术，公开了将锌(Zn)、钙(Ca)、镁(Mg)、锰(Mn)等作为合金元素添加到铜中的技术(例如，参照专利文献2以及专利文献3)。
然而，在专利文献2以及专利文献3中，采用了铜合金直接接触于玻璃基板或者薄膜晶体管的半导体层的构成，存在不能完全抑制铜相对于铜的基底层(玻璃基板、半导体层)扩散的问题。在专利文献2以及专利文献3中，当然没有公开基于铜合金层被导电性金属氧化物夹持的三层构成的课题的解决。
另外，在由铜合金形成的导电布线直接形成于基板的构成中，例如在布线宽度为10μm宽度以下这样的细线的情况下，在制造工序中有导电布线从基板剥离的情况。通过湿式蚀刻工序形成的导电布线在该工序以后的工序、例如清洗工序、半导体图案化工序、显影工序等中，有产生由静电破坏引起的局部剥离(导电布线的缺损、断线)的情况。导电布线的线宽越细，导电布线的剥离越容易显著地产生。这种制造工序中的课题未被专利文献1以及专利文献2公开。另外，专利文献1、专利文献2、以及专利文献3中都没有公开静电电容方式下的触摸感测的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014－78700号公报
专利文献2:日本特开2011－91364号公报
专利文献3:日本专利第5099504号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明鉴于上述的课题而完成，提供能够防止铜的扩散、铜的迁移的产生、并能够提高电安装中的可靠性的显示装置。
另外，本发明提供能够进行稳定的触摸感测、触摸感测灵敏度高、且可获得良好的响应性的显示装置以及显示装置基板。
用于解决课题的手段
本发明的第一方式的显示装置具备：第一基板；功能器件；以及第二基板，具有导电布线、和根据向所述导电布线施加的电信号来驱动所述功能器件的驱动器件，与所述第一基板对置配置，所述导电布线由利用第一导电性金属氧化物层和第二导电性金属氧化物层夹持铜合金层而得到的三层构成，所述铜合金层包含第一元素和第二元素，所述第一元素固溶于铜，所述第二元素的电负性比铜以及所述第一元素小，所述第一元素以及所述第二元素是添加于铜的情况下的电阻率上升率为1μΩcm/at％以下的元素，所述铜合金层的电阻率在1.9μΩcm至6μΩcm的范围内。
本发明的第二方式的显示装置具备：具有第一导电布线的第一基板；功能器件；以及第二基板，具有第二导电布线、和根据向所述第二导电布线施加的电信号来驱动所述功能器件的驱动器件，与所述第一基板对置配置，所述第一导电布线以及所述第二导电布线分别由通过第一导电性金属氧化物层和第二导电性金属氧化物层夹持铜合金层而得到的三层构成，所述铜合金层包含第一元素和第二元素，所述第一元素固溶于铜，所述第二元素的电负性比铜以及所述第一元素小，所述第一元素以及所述第二元素是添加于铜的情况下的电阻率上升率为1μΩcm/at％以下的元素，所述铜合金层的电阻率在1.9μΩcm至6μΩcm的范围内。
在本发明的第二方式的显示装置中，也可以是，具备：第三导电布线，设于所述第一基板或者所述第二基板，沿俯视时与所述第一导电布线延伸的方向正交的方向延伸；以及控制部，检测所述第一导电布线与所述第三导电布线之间的静电电容的变化而进行触摸感测，所述第三导电布线由通过第一导电性金属氧化物层和第二导电性金属氧化物层夹持铜合金层而得到的三层构成，所述铜合金层包含第一元素和第二元素，所述第一元素固溶于铜，所述第二元素的电负性比铜以及所述第一元素小，所述第一元素以及所述第二元素是添加于铜的情况下的电阻率上升率为1μΩcm/at％以下的元素，所述铜合金层的电阻率在1.9μΩcm至6μΩcm的范围内。
本发明的第一方式或者第二方式的显示装置中，也可以是，所述第一元素是锌，所述第二元素是钙。
本发明的第一方式或者第二方式的显示装置中，也可以是，所述第一导电性金属氧化物层以及所述第二导电性金属氧化物层是如下导电性金属氧化物：含有氧化铟作为主要的导电性金属氧化物，并且含有从由氧化锑、氧化锌以及氧化镓构成的组中选择的一种以上。
本发明的第一方式或者第二方式的显示装置中，也可以是，所述驱动器件是如下薄膜晶体管：具有与栅极绝缘层接触并且由氧化物半导体构成的沟道层，并且驱动所述功能器件，所述驱动器件设于所述第二基板的与所述第一基板对置的面。
本发明的第一方式中，也可以是，所述驱动器件具备设于栅极绝缘层上的栅极电极，所述栅极电极构成所述导电布线的一部分。
本发明的第二方式中，也可以是，所述驱动器件具备设于栅极绝缘层上的栅极电极，所述栅极电极构成所述第二导电布线的一部分。
本发明的第一方式或者第二方式的显示装置中，也可以是，所述氧化物半导体含有从由氧化铟(In2O3)、氧化镓(Ga2O3)、氧化锌(ZnO)构成的组中选择的一种以上，至少包含氧化锑(Sb2O3)、氧化铋(Bi2O3)中的某一方。
本发明的第一方式或者第二方式的显示装置中，也可以是，所述栅极绝缘层是包含氧化铈的氧化物或者包含氧化铈的氮氧化物。
本发明的第一方式或者第二方式的显示装置中，也可以是，所述功能器件是有机电致发光层，所述有机电致发光层设于所述第二基板的与所述第一基板对置的面。
本发明的第一方式或者第二方式的显示装置中，也可以是，所述功能器件是发光二极管层，所述发光二极管层设于所述第二基板的与所述第一基板对置的面。
本发明的第一方式或者第二方式的显示装置中，也可以是，所述功能器件是液晶层，所述液晶层配设于所述第一基板与所述第二基板之间。
本发明的第三方式的显示装置基板具备：基板主体；黑矩阵，设于所述基板主体上；以及第一触摸感测布线，设于俯视时与所述黑矩阵对应的位置，所述第一触摸感测布线由通过第一导电性金属氧化物层和第二导电性金属氧化物层夹持铜合金层而得到的三层构成，所述铜合金层包含第一元素和第二元素，所述第一元素固溶于铜，所述第二元素的电负性比铜以及所述第一元素小，所述第一元素以及所述第二元素是添加于铜的情况下的电阻率上升率为1μΩcm/at％以下的元素，所述铜合金层的电阻率在1.9μΩcm至6μΩcm的范围内。
本发明的第三方式的显示装置基板中，也可以是，具备：绝缘层，覆盖所述第一触摸感测布线；以及第二触摸感测布线，沿俯视时与所述第一触摸感测布线延伸的方向正交的方向延伸，在俯视时与所述黑矩阵对应的位置处设于所述绝缘层上，所述第二触摸感测布线由通过第一导电性金属氧化物层和第二导电性金属氧化物层夹持铜合金层而得到的三层构成，所述铜合金层包含第一元素和第二元素，所述第一元素固溶于铜，所述第二元素的电负性比铜以及所述第一元素小，所述第一元素以及所述第二元素是添加于铜的情况下的电阻率上升率为1μΩcm/at％以下的元素，所述铜合金层的电阻率在1.9μΩcm至6μΩcm的范围内。
发明效果
根据本发明的方式，能够提供如下显示装置：即使将使用了铜合金的导电布线使用于显示装置，也能够防止铜的扩散、铜的迁移的产生，并能够提高电安装中的可靠性。根据本发明的方式，作为导电布线、触摸感测布线的构成材料，使用铜合金，从而可提供能够进行稳定的触摸感测、触摸感测灵敏度高、且可获得良好的响应性的显示装置以及显示装置基板。
附图说明
图1是表示构成本发明的第一实施方式的显示装置的控制部(影像信号控制部、系统控制部以及触摸感测控制部)以及显示部的框图。
图2是局部表示构成本发明的第一实施方式的显示装置的阵列基板的俯视图，并且是从观察者侧观察的俯视图。
图3A是局部表示本发明的第一实施方式的显示装置的剖面图，并且是沿着图2所示的B－B’线的剖面图。
图3B是局部表示本发明的第一实施方式的显示装置的剖面图，并且是放大表示共用电极的放大剖面图。
图4是局部表示本发明的第一实施方式的显示装置的剖面图，并且是沿着图2所示的C－C’线的剖面图。
图5是局部表示构成本发明的第一实施方式的显示装置的显示装置基板的剖面图，并且是放大表示图3A所示的触摸感测布线(第一导电布线)的放大剖面图。
图6是表示在本发明的第一实施方式的显示装置中触摸感测布线作为触摸驱动电极发挥功能并且共用电极作为触摸检测电极发挥功能的情况下的、在触摸感测布线与共用电极之间生成了电场的状态的示意剖面图。
图7是表示本发明的第一实施方式的显示装置的示意剖面图，并且是表示手指等指示器接触或接近显示装置基板的观察者侧的表面时的电场的生成状态的变化的剖面图。
图8是局部表示本发明的第二实施方式的显示装置的剖面图。
图9是局部表示构成本发明的第二实施方式的显示装置的阵列基板的局部剖面图。
图10是局部表示本发明的第三实施方式的显示装置的剖面图。
图11是局部表示构成本发明的第三实施方式的显示装置的显示装置基板的剖面图，并且是放大表示图10的附图标记P所示的触摸感测布线(第一导电布线)的放大剖面图。
图12是局部表示构成本发明的第三实施方式的显示装置的阵列基板的俯视图，并且是沿着图10所示的D－D’线的图。
图13是局部表示本发明的第三实施方式的显示装置的剖面图，并且是沿着图12所示的E－E’线的图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。
在以下说明中，对相同或者实质上相同的功能以及结构要素赋予相同的标号，省略或简化其说明，或者仅在需要的情况下进行说明。在各图中，将各结构要素设置为能够在附图上识别的程度的大小，使各结构要素的尺寸和比率与实际情况适当地不同。另外，根据需要，省略了难以图示的要素、例如构成显示装置的绝缘层、缓冲层、形成半导体的沟道层的多层的构成、还有形成导电层的多层的构成等的图示。
本发明的实施方式的显示装置具备功能器件和根据施加于导电布线的电信号来驱动功能器件的驱动器件。
作为本发明的实施方式的功能器件，可列举控制触摸感测的控制部、进行显示装置中的显示功能的显示元件、机械要素部件、静电电容传感器或光传感器等输入元件、促动器、存储元件等。具体而言，可列举液晶(Liquid Crystal)、发光二极管(LED：LightEmitting Diode)、有机EL(OLED：Organic Light Emitting Diode)、EMS(ElectroMechanical System)元件、MEMS(Micro Electro Mechanical System)元件、IMOD(Interferometric Modulation)元件、RFID(Radio Frequency Identification)元件等。
作为驱动器件，可列举薄膜晶体管、薄膜二极管等有源元件等。薄膜晶体管、二极管具有能够利用来自包含导电布线的控制类电路的电信号而驱动上述功能器件的功能，因此称为驱动器件。作为一个例子，驱动器件是具有与栅极绝缘层接触并且由氧化物半导体构成的沟道层、并且驱动功能器件的薄膜晶体管。另外，在本发明中，并不限定于由驱动器件驱动功能器件。在以下的记载中，有时将薄膜晶体管记载为有源元件。
作为能够用于本发明的实施方式的第一基板、第二基板等的基板，能够应用玻璃基板、石英基板、蓝宝石基板、陶瓷基板、硅、碳化硅、硅锗等半导体基板、或者塑料基板等。
例如，能够使用玻璃基板等可视区域透明的基板作为第一基板、使用硅基板等作为第二基板来构成反射型的显示装置。
也能够将本发明应用于使微LED等发光元件排列成矩阵状的大型显示装置、投影仪、头戴式显示器用的小型显示装置。
第一基板、第二基板、以及第一导电布线、第二导电布线、第三导电布线等所使用的“第一”、“第二”等序数词是为了避免构成要素的混淆而附加的，并不限定数量。在以下的记载中，第一导电布线、第二导电布线、第三导电布线有时仅设为导电布线。
在以下的说明中，有时能够将第一导电性金属氧化物层以及第二导电性金属氧化物层简称为导电性金属氧化物层。本发明的实施方式的显示装置能够具有基于静电电容方式的触摸感测功能。如后述那样，第一导电布线、第三导电布线等导电布线能够被用作触摸感测的检测布线、驱动布线。在以下的记载中，有时将与触摸感测有关的导电布线、电极以及信号简称为触摸布线、触摸驱动布线、触摸检测布线、触摸电极以及触摸驱动信号。将为了触摸感测的驱动而向触摸感测布线施加的电压称为触摸驱动电压，将为了显示功能层即液晶层的驱动而向共用电极与像素电极间施加的电压称为液晶驱动电压。将驱动有机EL层的电压称为有机EL驱动电压。有时将连接于共用电极的导电布线称为公共布线。
(第一实施方式)
(显示装置DSP1的功能构成)
以下，参照图1至图7，对本发明的第一实施方式的显示装置DSP1进行说明。
在以下叙述的各实施方式中，对特征性的部分进行说明，例如，对于通常的液晶显示装置中使用的构成要素与本实施方式的显示装置之间无差异的部分，省略说明。
在本发明的实施方式的显示装置DSP1中，功能器件是液晶层，驱动器件是薄膜晶体管(有源元件)。
另外，本发明的实施方式的显示装置DSP1使用了内嵌式触控方式。这里，“内嵌式触控方式”的意思是触摸感测功能内置于液晶显示装置的液晶显示装置、或使触摸感测功能与液晶显示装置一体化了的液晶显示装置。通常，在经由液晶层将显示装置基板与阵列基板(TFT基板)贴合而成的液晶显示装置中，在显示装置基板以及阵列基板各自的外侧的面粘贴有偏光薄膜。换言之，本发明的实施方式的内嵌式触控方式的液晶显示装置指的是在位于相互对置的两个偏光薄膜之间并且在厚度方向上构成液晶显示装置的某个部位具备触摸感测功能的液晶显示装置。
图1是表示本发明的第一实施方式的显示装置DSP1的框图。如图1所示，本实施方式的显示装置DSP1具备显示部110、用于控制显示部110以及触摸感测功能的控制部120。
控制部120具有公知的构成，具备影像信号控制部121(第一控制部)、触摸感测控制部122(第二控制部)、以及系统控制部123(第三控制部)。
影像信号控制部121将设于阵列基板200的共用电极17(后述)设为恒电位，并且向设于阵列基板200的栅极布线10(后述的扫描线)以及源极布线31(后述的信号线)发送信号。通过由影像信号控制部121对共用电极17与像素电极20(后述)之间施加显示用的液晶驱动电压，在阵列基板200上产生边缘电场，液晶分子沿着边缘电场旋转，液晶层300被驱动。由此，在阵列基板200上显示图像。经由源极布线(信号线)向多个像素电极20的每一个独立地施加例如矩形波的影像信号。另外，作为矩形波，也可以是正或者负的直流矩形波或交流矩形波。影像信号控制部121向源极布线发送这种影像信号。
触摸感测控制部122对触摸感测布线3(第一导电布线)施加触摸感测驱动电压，检测在触摸感测布线3与共用电极17(第二导电布线)之间产生的静电电容的变化，进行触摸感测。
系统控制部123能够控制影像信号控制部121以及触摸感测控制部122，并交替地、即以时分割方式进行液晶驱动与静电电容的变化的检测。另外，系统控制部123也可以具有以与液晶驱动频率和触摸感测驱动频率不同的频率或不同的电压驱动液晶的功能。
在具有这种功能的系统控制部123中，例如检测来自由显示装置DSP1拾取的外部环境的噪声的频率，选择与噪声频率不同的触摸感测驱动频率。由此，能够减少噪声的影响。另外，在这种系统控制部123中，也能够选定与手指、笔等指示器的扫描速度一致的触摸感测驱动频率。
在具有图1所示的构成的显示装置DSP1中，共用电极17一并具有对共用电极17与像素电极20之间施加显示用的液晶驱动电压而驱动液晶的功能、以及检测在触摸感测布线3与共用电极17之间产生的静电电容的变化的触摸感测功能。本发明的实施方式的触摸感测布线能够由导电率好的金属层形成，因此能够降低触摸感测布线的电阻值而使触摸灵敏度提高(后述)。
控制部120如后述那样，优选的是具有如下功能：在影像显示的稳定期间以及影像显示后的黑显示稳定期间的至少一方的稳定期间，进行基于触摸感测布线3以及共用电极17的触摸感测驱动。
(显示装置DSP1的构造)
本实施方式的液晶显示装置能够具备后述的实施方式的显示装置基板。另外，以下记载的“俯视”意思是指，从观察者观察液晶显示装置的显示面(显示装置用基板的平面)的方向观察的平面。本发明的实施方式的液晶显示装置的显示部的形状、或者对像素进行规定的像素开口部的形状、构成液晶显示装置的像素数不被限定。但是，在以下详细叙述的实施方式中，将俯视时像素开口部的短边的方向规定为X方向、将长边的方向(长边方向)规定为Y方向、而且将透明基板的厚度方向规定为Z方向，对液晶显示装置进行说明。也可以在以下的实施方式中切换如上述那样规定的X方向与Y方向来构成液晶显示装置。
另外，在图2～图7中省略了对液晶层300赋予初始取向的取向膜、偏光薄膜、相位差薄膜等光学薄膜、保护用的罩玻璃等。在显示装置DSP1的表面以及背面的各个面上，以使得光轴成为正交尼科尔结构的方式粘贴有偏光薄膜。
在本实施方式的显示装置DSP1中，采用了FFS液晶驱动方式(Fringe FieldSwitching)。在该液晶驱动方式中，利用在共用电极17与像素电极20之间产生的电场、特别是在被称作边缘的电极端部产生的电场，来驱动构成液晶层300的液晶分子。另外，本发明并不限定FFS液晶驱动方式。作为液晶层，也可以采用垂直取向的液晶层。
图2是局部地表示构成本发明的第一实施方式的显示装置DSP1的阵列基板200的俯视图，并且是从观察者侧观察的俯视图。在图2中，为了易于理解阵列基板的构造地进行说明，省略了与阵列基板对置的显示装置基板的图示。
显示装置DSP1在阵列基板200上具备多个源极布线31、多个栅极布线10、以及多个公共布线30(导电布线、第二导电布线)。源极布线31分别形成为具有沿Y方向(第一方向)延伸的线状图案。栅极布线10的各个以及公共布线30的各个形成为具有沿X方向(第二方向)延伸的线状图案。即，源极布线31与栅极布线10以及公共布线30正交。公共布线30以将多个像素开口部截断的方式沿X方向延伸。多个像素开口部是在透明基板22上定义的区域。
在图2中，多个像素开口部由多个源极布线31和多个栅极布线10划分为矩阵状。另外，第一方向与第二方向只要大致正交即可，也可以调换第一方向与第二方向。
另外，第一方向上“延线”是指各个像素形状可以是例如以“く”字(dog legpattern)的方式弯曲的形状，或者也可以是平行四边形状，并且是指作为像素排列而沿第一方向排列的矩阵。第二方向上“延线”的意思也是同样的。作为像素排列的整体，第一方向与第二方向正交。
而且，显示装置DSP1具备配置为矩阵状的多个像素电极20以及与像素电极20对应地设置并且连接于像素电极20的多个有源元件28(薄膜晶体管)。像素电极20设于多个像素开口部的各个。具体而言，在多个像素电极20的各个连接有有源元件28。在图2所示的例子中，在像素电极20的右上端的位置设有有源元件28。
有源元件28具备连接于源极布线31的源极电极24(后述)、沟道层27(后述)、漏极电极26(后述)、以及经由绝缘层13(后述)而与沟道层27对置配置的栅极电极25。有源元件28的栅极电极25构成了栅极布线10(导电布线，第二导电布线)的一部分，并连接于栅极布线10。
在本实施方式中，显示装置DSP1具备多个像素，一个像素电极20形成一个像素。通过基于有源元件28的开关驱动，多个像素电极20分别被赋予电压(正负的电压)，液晶被驱动。在以下的说明中，有时将利用像素电极20进行液晶驱动的区域称作像素、像素开口部或像素区域。该像素是在俯视时由源极布线31和栅极布线10划分的区域。
而且，显示装置DSP1在Z方向上在与像素电极20对置的位置具备共用电极17。特别是，对一个像素电极20设有两个具有条纹图案的共用电极17。共用电极17设于多个像素开口部的各个。共用电极17在Y方向上延伸，与像素电极20的长边方向平行。Y方向上的共用电极17的长度EL比Y方向上的像素电极20的长度大。共用电极17穿过后述的贯通孔20S、接触孔H而与公共布线30电连接。接触孔H如图2所示那样位于共用电极17的导电图案(电极部17A、条纹图案)的长边方向上的中央。
一个像素内的共用电极17的条数以及接触孔的数量例如能够通过像素宽度(像素尺寸)来调整。
在X方向上，共用电极17的宽度W17A例如是约3μm。相互邻接的共用电极17之间的间距P17A(距离)例如是约4μm。具体而言，不仅在一个像素上、在相互邻接的像素之间，也是共用电极17沿X方向以间距P17A相互分离。
在图2所示的例子中，对一个像素电极20设有两个具有条纹图案的共用电极17，但本发明并非限定该构成。共用电极17的条数也可以根据像素电极20的大小而为一条以上进而三条以上。在该情况下，共用电极17的宽度W17A以及间距P17A能够根据像素尺寸等及设计而适当地变更。
图3A是局部表示本发明的第一实施方式的显示装置DSP1的剖面图，并且是沿着图2所示的B－B’线的剖面图。图3B是局部表示本发明的第一实施方式的显示装置DSP1的剖面图，并且是放大了共用电极的放大剖面图。
图4是局部表示本发明的第一实施方式的显示装置DSP1的剖面图，并且是沿着图2所示的C－C’线的剖面图。
图3A示出了触摸感测布线3与共用电极17的距离W1。换言之，该距离W1是包含透明树脂层16、滤色器51(RGB)，未图示的取向膜以及液晶层300的空间中的Z方向的距离。该空间内不包含有源元件、源极布线以及像素电极。在本实施方式中，将以距离W1示出的该空间称作触摸感测空间。从有源元件、源极布线等噪声源产生的噪声通常以三维的放射状发射。因此，噪声的大小成为距离W1的三次方的倒数(距离越大，噪声的影响越小)。因而，如图3A所示，由于触摸感测空间不包含有源元件、源极布线等噪声源，因此能够提高触摸感测精度。
图3A示出了触摸感测布线3与源极布线31的距离W2。如距离W2所示，触摸感测布线3与源极布线31大幅分离。除此之外，如图2所示，由于共用电极17与源极布线31在俯视时不重叠，因此源极布线31所引起的寄生电容极小。而且，设于最接近触摸感测空间的位置的共用电极17在像素的长边方向上以像素为单位具有细条的形状。因此，与以跨越多个像素的方式设有以直线形状延伸的共用电极的情况相比，本实施方式的共用电极17能够减小寄生电容。
根据图3A所示的构造，能够抑制向源极布线31供给的影像信号所引起的噪声对触摸感测布线3(第一导电布线)带来的影响，能够使在触摸感测布线3与源极布线31之间产生的寄生电容减少。
显示装置DSP1具备显示装置基板100(第一基板、对置基板)、以与显示装置基板100相向的方式被贴合的阵列基板200(第二基板)、和被显示装置基板100以及阵列基板200夹持的液晶层300(功能器件)。
在显示装置DSP1中向内部供给光L的背光单元BU设于构成显示装置DSP1的阵列基板200的背面(与配置有液晶层300的阵列基板200的面相反的面)。另外，背光单元BU也可以设于显示装置DSP1的侧面。在该情况下，在阵列基板200的透明基板22的背面设置例如使从背光单元BU出射的光朝向显示装置DSP1的内部反射的反射板、导光板、或光扩散板等。背光单元BU的光源能够使用LED。
(显示装置基板100)
显示装置基板100具备透明基板21(基板主体)、设于透明基板21上的触摸感测布线3、以覆盖触摸感测布线3的方式形成的滤色器51(RGB)、以及以覆盖滤色器51的方式形成的透明树脂层16(绝缘层)。
触摸感测布线3作为触摸驱动电极(触摸驱动布线)发挥功能。在显示装置DSP1中，通过检测触摸感测布线3与共用电极17间的静电电容的变化，进行触摸感测的检测。
触摸感测布线3具有黑色层8和设于黑色层8的上方的金属层叠构造。在俯视时，在设于透明基板21上的黑矩阵(黑色层)所对应的位置设有触摸感测布线3。触摸感测布线3具有三层层叠构造。另外，也可以在第一导电性金属氧化物层6的表面(液晶层侧)还层叠黑色层、光吸收层。在俯视时也可以存在触摸感测布线3与黑色层8的线宽相等的部分。
(铜合金层5)
如图5所示，触摸感测布线3具有由第一导电性金属氧化物层6和第二导电性金属氧化物层4夹持铜合金层5的构成。
这种布线构造不仅适用于触摸感测布线3，也能够适用于在阵列基板200上形成的各种布线。具体而言，在本发明的导电布线或者第二导电布线所对应的栅极布线10、源极布线31、公共布线30等中，也可以适用由第一导电性金属氧化物层6和第二导电性金属氧化物层4夹持铜合金层5的布线构造。
以下，对铜合金层5进行具体说明。
铜合金层5含有固溶在铜中的第一元素、和电负性比铜以及第一元素小的第二元素。第一元素以及所述第二元素是添加到铜中的情况下的电阻率上升率为1μΩcm/at％以下的元素。铜合金层的电阻率在1.9μΩcm至6μΩcm的范围内。第一元素是锌，第二元素是钙。
具体而言，关于铜合金层5的组分，铜合金层5使用了钙2at％、锌0.5at％、其余部分为铜的铜合金。铜合金层5的电阻率为2.6μΩcm。
铜合金层5的电阻率根据铜合金层5的成膜方法、退火条件，可能有±30％左右的变化。例如，在玻璃基板等上直接形成有铜合金层的构成中，通过成膜时的热处理、进而通过成膜后的热处理，铜合金层被氧化(形成CuO、氧化铜)，电阻值恶化。另外，在以低浓度添加了构成铜合金层的合金元素的铜合金、即低合金中，在氧化铜形成的同时，铜合金的晶粒变得过大。因此，有如下情况：形成存在间隙的粗大的晶粒边界(晶界)、铜合金层的表面变粗糙，导致电阻值恶化。
在本发明的实施方式中，采用了铜合金层5被第一导电性金属氧化物层6与第二导电性金属氧化物层4夹持的构成。在该构成中，通过热处理(退火)而改善电阻率的情况较多。换言之，在本发明的实施方式中，通过由导电性金属氧化物覆盖铜合金层5，来抑制铜合金层5的表面氧化。另外，通过基于形成于铜合金层5的表面以及背面的导电性金属氧化物层的限制(锚定)，铜合金层5的晶粒不会极端粗大化，铜合金层5的表面不会变粗糙。即使是以较低的浓度(例如，0.2at％左右)添加了构成铜合金层5的合金元素的铜合金层5，结晶粒(晶粒)也难以变大，能够抑制晶粒边界所引起的载流子散射(电阻率的恶化)。
关于抑制电阻率的恶化的效果，特别是在添加到铜中的合金元素的电阻率上升率为1μΩcm/at％的元素的情况下、并且是铜合金层5被第一导电性金属氧化物层6和第二导电性金属氧化物层4夹持的构成的情况下，容易得到显著的效果。本实施方式与铜合金层暴露于大气环境、氮环境、氧环境、氢环境等的情况完全不同，通过基于形成于铜合金层的表面以及背面的导电性金属氧化物层的限制(锚定)，铜合金层中的致密的晶粒的再结晶化进展，铜合金层容易低电阻化。
在本发明的实施方式的触摸感测布线3中，在铜合金层5与第一导电性金属氧化物层6的界面、以及铜合金层5与第二导电性金属氧化物层4的界面、特别是铜合金层5的侧面9(滤色器51的着色层R与铜合金层5的界面、滤色器51的着色层G与铜合金层5的界面)，形成有钙氧化物。由于钙氧化物形成于铜合金层5的表面，因此铜的扩散被抑制，有助于可靠性的提高。
另外，在本发明的实施方式的铜合金层中，不需要有意地含有氧(O)。关于富含氧的铜合金层，担心例如由于水、碱的存在，在铜合金层中产生空隙，降低铜合金层的可靠性。
因此，将第一导电性金属氧化物层、铜合金层、以及第二导电性金属氧化物层这三层例如在从室温(25℃)到低于200℃的基板温度下进行连续成膜。而且，在形成沟道层的图案之后的后续工序中，例如实施200℃～350℃的低温退火。由此，能够改善包括电阻率在内的电特性。
氧化物半导体例如含有从由氧化铟、氧化镓、氧化锌构成的组中选出的1种以上。而且，氧化物半导体含有氧化锑、氧化铋中的某一个。这种氧化物半导体通过与上述相同的200℃～350℃的低温退火，能够促进结晶化并使半导体特性稳定化。这种低温工序使对以有机树脂、有机颜料为基础的滤色器、聚酰亚胺树脂、芳族聚酰胺树脂等树脂基板的适合性提高。
在铜合金层5被第一导电性金属氧化物层6和第二导电性金属氧化物层4夹持的构成中，能够得到包含上述效果的协同效果。另外，为了进一步提高本发明的实施方式的导电布线的可靠性，期望的是除了电安装中使用的端子部、接触孔以外，通过由氧氮化硅等绝缘性无机膜、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等有机树脂构成的保护层，将触摸感测布线3覆盖。例如，也可以经由丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、芳族聚酰胺树脂等的绝缘层，采用双层层叠的导电布线构造。在这种导电布线构造中，上布线以及下布线的各自的导电布线例如能够经由接触孔进行电连接。
本发明的实施方式的铜合金层为Cu－Ca合金类的合金。在Cu－Ca合金类中，钙难以固溶于铜。例如，对于作为铜合金层的原材料的溅射靶，作为Cu5Ca等的析出物，容易分散在溅射靶中。在Cu－Ca－Zn合金中，同样地，钙难以固溶在铜中。
Cu5Ca、在热处理时形成于铜合金的表面或者导电性金属氧化物与铜合金的界面的CaO，将铜的扩散抑制，有助于铜布线的可靠性的提高。
在本发明的实施方式中，作为添加到铜合金中的添加元素的钙以及锌没有被用于提高铜合金薄膜相对于透明基板或者滤色器的紧贴性。
通过向铜合金中添加锌，锌固溶在铜中，在铜的晶粒中的晶格位置替换锌，抑制铜的运动，主要能够防止铜的迁移。
通过将钙添加到铜合金中，主要能够防止由于形成CaO、Cu5Ca等析出物而导致的铜的扩散。
在本发明的实施方式中，夹持铜合金层的导电性金属氧化物层具有：提高对于铜合金薄膜的紧贴性、改善电安装中的欧姆接触、提高耐擦伤性、防止铜迁移，提高基于铜合金层以及导电性金属氧化物层的层叠构造的可靠性等功能。
特别有效的是，将本发明的实施方式的、具有由导电性金属氧化物层夹持铜合金层的三层构成的导电布线，用于薄膜晶体管、薄膜二极管等半导体元件的导电布线。具体而言，在半导体元件与导电布线经由接触孔的电连接中，能够得到几乎实用的接触。而且，通过形成添加了钙、锌等合金元素的铜合金，能够防止铜向氧化物半导体、硅半导体的扩散，获得较高的可靠性。
本发明的实施方式中的用语“元素”以包含“金属元素”以及“半金属”在内的广义意义使用。金属元素彼此的作为固体的溶解度可以由它们的原子半径、价电子的总数e与总原子数a之比e/a(电子浓度)、或者化学的亲和力等推断。简便地可以根据元素彼此的二元状态图来判断固溶的可能性。
本发明的实施方式的与铜固溶的元素例如在面向车载的电子设备的使用范围即－(负)40℃至+(正)80℃的温度区域中，可以说是稳定地取得与铜的替换型固溶的元素。另外，元素(也可以是多种)向铜的添加量只要是铜合金的电阻率(与电阻率(日语：比抵抗)同义)不超过6μΩcm的范围即可。在矩阵母材为铜的情况下，对于铜具有宽的固溶区的金属能够例示出金(Au)、镍(Ni)、锌(Zn)、镓(Ga)、钯(Pd)、锰(Mn)。铝(Al)虽然并不广泛，但具有对铜的固溶区。
然而，作为具有丘状物抗性的合金，已知有例如添加了1at％Nd的铝合金。这种铝合金的电阻率为6.4μΩcm。本发明的实施方式的铜合金层具有能够替代由铝合金构成的导电布线的程度的电特性(较小的电阻率)。即，本发明的实施方式的铜合金层的电阻率的上限为6μΩcm。但是，只要是允许由含有铜合金层的导电布线的电阻引起的信号的延迟、失真的用途，就可以使用含有具有大于6μΩcm的电阻率的铜合金的导电布线。
添加到具有与银同等的高导电率的铜中的元素通过合金化而使电阻率增加。纯铜的电阻率约为1.7μΩcm。另外，在本发明的实施方式中说明的纯铜含有微量的不可避免的杂质。
电阻率小的元素(铜的合金元素)可列举钯(Pd)、镁(Mg)、铍(Be)、金(Au)、钙(Ca)、镉(Cd)、锌(Zn)、银(Ag)。这些元素相对于纯铜添加1at％时，电阻率的增加大致为1μΩcm以下。钙(Ca)、镉(Cd)、锌(Zn)、银(Ag)的电阻率的增加为0.3μΩcm/at％以下，因此优选用作合金元素。若考虑到经济性和环境负荷，则优选使用锌以及钙作为合金元素。锌以及钙能够分别作为向铜添加的合金元素添加至4at％。
也可以基于上述添加量的范围，增加钙的添加量、或减少锌的添加量、或增减锌以及钙的添加量。关于向铜中添加锌以及钙所产生的效果，在各为0.2at％以上的添加量中获得显著的效果。
相对于纯铜添加了合计0.4at％的锌以及钙的铜合金的电阻率约为1.9μΩcm。因而，本发明的实施方式的铜合金层的电阻率的下限成为1.9μΩcm。另外，在将钙(Ca)、镉(Cd)、锌(Zn)、银(Ag)用作合金元素的情况下，若相对于铜的添加量超过5at％，则铜合金的电阻率显著增加，因此优选的是至少小于5at％的添加量。
锌在100℃以下的温度下相对于铜具有至少30at％的固溶区。锌具有如下效果：与铜替换固溶，在铜的晶粒(结晶粒)中抑制铜的运动，并抑制铜的扩散。
电负性是原子(元素)吸引电子的强度的相对量度。该值越小的元素越容易成为阳离子。铜的电负性为1.9。氧的电负性为3.5。电负性小的元素中可列举碱土类元素、钛族元素、铬族元素等。碱性元素的电负性也较小，但若在铜的附近存在碱性元素、水分，则铜的扩散增加。因此，钠、钾等碱性元素不能用作铜的合金元素。
钙的电负性为1.0这样小。在将钙用作铜的合金元素的情况下，在热处理时等，钙比铜先被氧化，成为氧化钙，能够抑制铜的扩散。在本发明的实施方式的导电布线中，能够在未被导电性金属氧化物层覆盖的铜合金层的露出面、铜合金层与导电性金属氧化物层的界面选择性地形成钙氧化物。特别是，在未被导电性金属氧化物层覆盖的铜合金层的露出面形成钙氧化物，有助于抑制铜的扩散以及提高可靠性。本发明的实施方式的导电布线、铜合金层的导电率通过退火等热处理而提高。上述电负性由轮询(polling)的电负性的值表示。在本发明的实施方式的导电布线中，优选的是通过导电布线的热处理工序等，使得第二元素在铜以及第一元素之前被氧化而形成氧化物。另外，优选防止氢/氧混入铜或铜合金中。
另外，在本发明的实施方式中，“第一元素”也可以相比于铜，电负性更小。“第二元素”也可以在铜中具有固溶区。在使用具有电负性比铜小、并且在铜中具有固溶区这两个性质的两种以上的元素的情况下，将两种以上的元素中的电负性小的元素设为“第二元素”。
在铜的晶粒内，产生铜被锌替换、以及钙氧化物的形成，由此提高本发明的实施方式的导电布线的可靠性。除此之外，本发明的实施方式的导电布线由于具有利用第一导电性金属氧化物层和第二导电性金属氧化物层夹持铜合金层的三层构成，因此可获得利用导电性金属氧化物抑制铜对于显示装置的构成材料的扩散的效果，使导电布线的可靠性提高。而且，导电性金属氧化物形成导电布线的表面层。因此，能够通过电连接(安装)获得欧姆接触。
在本发明的实施方式中所述的构成中，也可以不使用铜合金，而使用银合金。但是，从材料价格方面考虑，优选使用铜合金。
在本发明的实施方式中，铜合金层包含在铜中具有固溶区并且能够在铜的晶粒中与铜替换的第一元素、以及电负性比铜小的第二元素。由此，能够防止使驱动器件的电特性降低的铜的扩散、迁移。而且，本发明的实施方式具有上述铜合金层被导电性金属氧化物层夹持的构成。通过该构成，能够提供实用性高、具有高可靠性的铜布线。
(导电性金属氧化物层4、6)
第一导电性金属氧化物层6以及第二导电性金属氧化物层4夹持铜合金层5。
第一导电性金属氧化物层6以及第二导电性金属氧化物层4是含有氧化铟作为主要的导电性金属氧化物并且含有从由氧化锑、氧化锌以及氧化镓构成的组中选择的一种以上的导电性金属氧化物。
例如，关于第一导电性金属氧化物层6以及第二导电性金属氧化物层4各自的组分，在不对氧进行计数的元素的比例中，锑为4at％，镓为4at％，其余部分为铟。
锑氧化物作为夹持铜、铜合金层的导电性金属氧化物层的金属氧化物较为重要。锑作为金属元素其与铜的固溶区小，抑制铜向导电性金属氧化物中的扩散。第一导电性金属氧化物层6以及第二导电性金属氧化物层4的各个优选的是除了铟氧化物之外还至少包含锑氧化物。
构成本发明的实施方式的导电布线的第一导电性金属氧化物层、铜合金层以及第二导电性金属氧化物层能够使用溅射等真空成膜法而简便地成膜。
第一导电性金属氧化物层、铜合金层、第二导电性金属氧化物层优选的是在维持真空环境的状态下连续地成膜。第一导电性金属氧化物层与第二导电性金属氧化物层的膜厚可以不同。例如，也可以将形成于靠近显示装置基板100(第一基板)的透明基板21的位置的第二导电性金属氧化物层4的膜厚设为25nm，将形成于远离透明基板21的位置的第一导电性金属氧化物层6的膜厚设为45nm。铜合金层的膜厚的膜厚范围能够设为200nm至400nm。但是，本发明不规定构成上述导电布线的层各自的膜厚。
作为本发明的实施方式的导电性金属氧化物层的形成方法，如上述那样可列举溅射成膜法，能够简便地成膜出导电性金属氧化物层。在该情况下，使用溅射靶作为成膜材料。另外，为了高密度化、靶母材的结晶的致密化、靶的导电性的提高，能够在该溅射靶中添加少量氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化锡(SnO2)等。
另外，在本发明的实施方式的对导电布线进行图案化的方法中，具有如下优点：对于第一导电性金属氧化物层/铜合金层/第二导电性金属氧化物层这三层，能够通过公知的光刻的方法，使用单组分(日语：1液の)蚀刻剂一并形成任意的布线状的图案。在导电布线中，也可以形成用于电安装的端子部、引绕、接触孔等。也可以根据需要形成电浮动的浮置图案。多个第一导电布线以及多个第二导电布线能够在触摸感测时分别进行间隔剔除而驱动、检测。通过对驱动个数进行间隔剔除，能够缩短触摸响应时间，或者能够减少与触摸驱动相关的功耗。
(黑色层8)
黑色层8作为显示装置DSP1的黑矩阵发挥功能。黑色层例如由分散有黑色色料的着色树脂构成。铜的氧化物、铜合金的氧化物无法获得充分的黑色或低的反射率，但本实施方式的黑色层与玻璃等的基板之间的界面上的可见光的反射率被抑制在大致3％以下，可获得高的可视性。
作为黑色色料，可以应用碳、碳纳米管或多个有机颜料的混合物。例如，按照相对于色料整体的量为51质量％以上的比例，即作为主要色料而使用碳。为了调整反射色，还可以在黑色色料中添加蓝色或红色等有机颜料进行使用。例如，通过调整作为原材料的感光性黑色涂敷液中含有的碳的浓度(降低碳浓度)，能够提高黑色层的再现性。
即使在使用了作为液晶显示装置的制造装置的大型曝光装置的情况下，也能够形成具有例如1～6μm的宽度(细线)的图案的黑色层(图案化)。另外，本实施方式中的碳浓度的范围设定在相对于包括树脂、固化剂及颜料在内的整体的固体成分为4以上50以下的质量％的范围内。这里，作为碳量，即使碳浓度超过了50质量％也是可以的，但相对于整体的固体成分，碳浓度超过50质量％时有涂膜适合性下降的趋势。另外，在将碳浓度设定为小于4质量％时，无法获得充分的黑色，在位于黑色层下的基底的金属层上产生的反射光被明显辨认，有时会降低视觉辨认性。
在作为后续工序的光刻中进行曝光处理的情况下，进行曝光对象的基板与掩模的对位(对准)。这时，以对准为优先，例如能够使透射测定中的黑色层的光学浓度为2以下。除了碳以外，还可以使用多个有机颜料的混合物作为黑色的颜色调整来形成黑色层。考虑玻璃、透明树脂等基材的折射率(约1.5)，以使黑色层与这些基材之间的界面上的反射率为3％以下的方式，设定黑色层的反射率。该情况下，优选对黑色色料的含量、种类、色料中使用的树脂、膜厚进行调整。通过优化这些条件，可以使得折射率为约1.5的玻璃等基材与黑色层之间的界面上的反射率在可见光波长区域内为3％以下，能够实现低反射率。考虑到防止因从背光单元BU出射的光引起的反射光再次反射的必要性、和观察者的视觉辨认性的提高，优选黑色层的反射率为3％以下。另外，通常滤色器中使用的丙烯酸树脂和液晶材料的折射率为大约1.5以上且1.7以下的范围。
另外，通过在触摸感测布线3上形成具有光吸收性的金属氧化物，能够抑制使用于触摸感测布线3的铜合金层5带来的光反射。
在图3A所示的显示装置基板100中使用了设有滤色器51的构造，但也可以使用省略了滤色器51的构造，例如具备设于透明基板21上的触摸感测布线3和以覆盖触摸感测布线3的方式形成的透明树脂层16的构造。
在使用不包含滤色器51的显示装置基板的液晶显示装置中，在背光单元设置红色发光、绿色发光以及蓝色发光的各个LED，以场序的方法进行彩色显示。设于图3A所示的透明基板21上的触摸感测布线3的层构成能够设为，与后述的阵列基板200上形成的公共布线30(导电布线)的层构成、栅极电极25(栅极布线10)的层构成相同。
(阵列基板200)
如图3A以及图3B所示，阵列基板200具备：透明基板22(第二透明基板)；以覆盖透明基板22的表面的方式形成的第四绝缘层14；形成于第四绝缘层14上的源极布线31；以覆盖源极布线31的方式形成在第四绝缘层14上的第三绝缘层13；形成在第三绝缘层13上的栅极布线10；形成在第三绝缘层13上的公共布线30；以覆盖栅极布线10以及公共布线30的方式形成在第三绝缘层13上的第二绝缘层12；形成在第二绝缘层12上的像素电极20；以覆盖像素电极20的方式形成在第二绝缘层12上的第一绝缘层11；和共用电极17。
作为形成第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13、以及第四绝缘层14的材料，可采用氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮氧化铝、氧化铈、氧化铪、或包含这样的材料的混合材料。或者，也可以在这些绝缘层的一部分中使用聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、苯并环丁烯树脂、低介电常数材料(low－k材料)。另外，作为这样的绝缘层11、12、13、14的构成，可以采用由单一层构成的层构成，也可以采用层叠了多层而成的多层构成。这样的绝缘层11、12、13、14能够使用等离子体CVD、溅射等成膜装置来形成。
源极布线31配设于第三绝缘层13与第四绝缘层14之间。作为源极布线31的构造，能够采用多层的导电层。在第一实施方式中，作为源极电极24与漏极电极26的构造，采用了钛/铝合金/钛、钼/铝合金/钼等的三层构成。这里，铝合金是铝－钕的合金。另外，也可以对源极电极24与漏极电极26以及源极布线31采用由导电性金属氧化物层夹持铜合金层的导电布线。
作为公共布线30的形成材料，采用与上述铜合金层5相同的材料。另外，同样，作为公共布线30的构造，采用与上述铜合金层5相同的构造。
像素电极20设于多个像素开口部的各个，连接于作为TFT的有源元件(后述)。在阵列基板200中，由于有源元件以矩阵状配置，因此像素电极20也同样在阵列基板200上以矩阵状配置。像素电极20由ITO(氧化铟锡，Indium Tin Oxide)等的透明导电膜形成。
构成有源元件的沟道层或半导体层可以由多晶硅半导体形成，也可以由氧化物半导体形成。构成有源元件的沟道层或半导体层的层构成也可以是层叠有多晶硅半导体与氧化物半导体而成的层叠构成。也可以是在阵列基板上的同一面形成有由2种半导体形成的元件、例如具备作为多晶硅半导体的沟道层的有源元件和具备作为氧化物半导体的沟道层的有源元件的构成。而且，也可以采用在多晶硅半导体的TFT阵列上隔着绝缘层层叠两层由氧化物半导体形成的TFT阵列的构成。在显示功能层为有机EL(OrganicElectroluminescence)层的情况下，由氧化物半导体形成的TFT具有向由多晶硅半导体形成的TFT供给信号(选择TFT元件)的功能，由多晶硅半导体形成的TFT具有驱动显示功能层的功能。通过该构成，能够实现采用有机EL层作为显示功能层的显示装置。具备载流子迁移率高的多晶硅半导体、并且作为沟道层具有多晶硅半导体的TFT适合于向有机EL元件注入电流(有机EL元件的驱动)。
(共用电极17的构造)
参照图3B，对共用电极17的构造和位于共用电极17的周边的阵列基板200的构成部件进行说明。特别是，对由公共布线30、共用电极17、像素电极20、第一绝缘层11、以及第二绝缘层12构成的层叠构造具体地进行说明。图3B示出了构成阵列基板200的像素的主要部分，并示出了一个像素中的一个共用电极17的构造。图3B所示的共用电极17的构造也应用于阵列基板200中的全部像素中。
第二绝缘层12设于第一绝缘层11之下，并形成在公共布线30上，具有形成后述的接触孔H的一部分的贯通孔12H。第一绝缘层11设于共用电极17的上部(电极部17A)之下，并形成在像素电极20上，具有形成后述的接触孔H的一部分的贯通孔11H。贯通孔12H的位置(中心位置)和贯通孔11H的位置(中心位置)一致。贯通孔11H的直径(X方向上的宽度)在从第一绝缘层11的上表面11T朝向公共布线30的方向(Z方向)上逐渐变小。同样，贯通孔12H的直径(X方向上的宽度)在从第二绝缘层12的上表面12T朝向公共布线30的方向(Z方向)上逐渐变小。贯通孔11H以及贯通孔12H具有连续的内壁，并形成了接触孔H。接触孔H具有锥形状。
像素电极20形成在第一绝缘层11之下，具有通孔20S。贯通孔20S是不存在透明导电膜的开口部。贯通孔20S设于与接触孔H对应的位置。
在图2所示的例子中，在各像素设有两个接触孔H、即左侧接触孔LH(H，第一接触孔)以及右侧接触孔RH(H，第二接触孔)，在两个接触孔H的各个所对应的位置处设有贯通孔20S。
在以下的说明中，有时将左侧接触孔LH以及右侧接触孔RH简称为接触孔H。
贯通孔20S相当于设置于像素电极20的内壁20K的内侧区域。贯通孔20S的直径D20S比接触孔H的直径大。贯通孔11H(接触孔H的一部分)设于贯通孔20S的内部。在贯通孔20S的内部填充有第一绝缘层11，并且，以将在贯通孔20S的内壁填埋的第一绝缘层11的填充部11F贯通的方式形成贯通孔11H。而且，在贯通孔20S的下方的位置也以与贯通孔11H连续的方式形成了贯通孔12H(接触孔H的一部分)。另外，形成于像素电极20的贯通孔20S的数量与接触孔H的数量是相同的，在俯视时形成于相同的位置。贯通孔20S的直径D20S例如为3μm至6μm。贯通孔20S的直径也可以比共用电极17的宽度W17A大。
共用电极17具备电极部17A(导电部)和导电连接部17B。
电极部17A形成于第一绝缘层11的上表面11T，从Z方向观察时与像素电极20的贯通孔20S重叠地配置。电极部17A设于距液晶层300最近的阵列基板200的面。具体而言，在液晶层300与阵列基板200之间形成有取向膜，在该取向膜之下设有第一绝缘层11。
电极部17A的宽度W17A例如可以为约3μm，并形成得比导电连接部17B的上端(电极部17A与导电连接部17B的连接部)大，且比贯通孔20S的直径D20S(例如，2μm)大。或者，贯通孔20S的直径D20S也可以比电极部17A的宽度W17A大。也能够将贯通孔20S的直径D20S设为例如4μm。在从电极部17A的中心(与Z方向平行的电极部17A的中心线)朝向电极部17A的外侧的方向(X方向)上，电极部17A的壁部17K比像素电极20的内壁20K的位置突出。
导电连接部17B设于接触孔H(贯通孔11H、12H)的内部，穿过接触孔H而电连接于公共布线30。
通过在第一绝缘层11以及第二绝缘层12形成有上述接触孔的状态下在第一绝缘层11上实施成膜工序以及图案化工序，使得电极部17A以及导电连接部17B一体地形成。共用电极17与像素电极20相同地由ITO等的透明导电膜形成。
在上述层叠构造中，在电极部17A与像素电极20之间配置有第一绝缘层11、并且在公共布线30与像素电极20之间配置有第二绝缘层12的状态下，共用电极17以及公共布线30相互导通，公共布线30的电位与共用电极17的电位成为相同。
公共布线30(或者共用电极17)的电位能够在交替地进行液晶驱动与触摸感测驱动(静电电容的变化的检测)时改变，即能够以时分割方式改变。另外，向公共布线30(或者共用电极17)赋予的信号的频率能够在交替地进行液晶驱动与触摸感测驱动(静电电容的变化的检测)时改变，即能够以时分割方式改变。另外，能够在液晶驱动时、并且是帧反转驱动时，将公共布线30(或者共用电极17)的电位的极性按照每帧替换为正极性与负极性，例如以±2.5V的液晶驱动电压驱动液晶。
在使液晶驱动为列反转驱动或点反转驱动的情况下，共用电极17的电位也可以设为恒定(恒电位)。在该情况下的“恒电位”指的是例如在液晶显示装置的壳体等上经由高电阻接地的共用电极17的电位，并非所述帧反转驱动所使用的±2.5V等的恒电位。是在液晶的阈值Vth以下的电压以下的范围内被固定为约0V(零伏特)的恒电位。换言之，如果是Vth的范围内，则“恒电位”也可以是从液晶驱动电压的中间值偏离的恒电位。此外，上述的“高电阻”是能够从500兆欧姆至50垓欧姆的范围内选择的电阻值。作为这样的电阻值，例如能够代表性地采用500千兆欧姆至5垓欧姆。在采用列反转驱动或点反转驱动作为液晶驱动方式的情况下，公共布线30例如能够设为经由1垓欧姆的高电阻而接地，并设为约0V(零伏特)的恒电位。在该情况下，连接于公共布线30的共用电极17也为约0V(零伏特)的恒电位，能够进行累积的静电电容的复位。在将共用电极17的电位设为恒电位的情况下，在触摸感测时，触摸感测布线被施加触摸驱动电压。在将共用电极17的电位设为“恒电位”的情况下，也可以不以时分割的方式驱动液晶驱动与触摸驱动。
另外，在作为形成液晶显示装置的有源元件(薄膜晶体管)的沟道层的材料而使用IGZO等氧化物半导体的情况下，为了缓和容易产生液晶显示装置的像素的影像残留的状态，也可以使用比1垓欧姆低的电阻作为上述高电阻。
在进行后述的黑显示时，也可以经由上述高电阻使栅极布线、源极布线接地。在该情况下，能够防止像素的影像残留。
另外，能够以调整与触摸感测有关的时间常数的目的而调整上述高电阻。在将IGZO等的氧化物半导体使用于有源元件的沟道层中的显示装置中，能够进行触摸感测控制中的上述的各种方案。在以下的记载中，有时将氧化物半导体简称为IGZO。
在使用多晶硅半导体作为薄膜晶体管的沟道层的晶体管中，泄漏电流较大，需要繁琐地重新写入向薄膜晶体管的影像信号。关于该繁琐信号的重新写入，例如担心从源极布线产生的噪声给触摸感测带来负面影响。将被称作IGZO等的氧化物半导体使用于沟道层的薄膜晶体管的泄漏电流极少，具备存储性。换言之，由于具有由氧化物半导体形成的沟道层的薄膜晶体管能够保持影像信号，所以不需要繁琐的信号的重新写入。具有由氧化物半导体形成的沟道层的薄膜晶体管其与触摸感测的相性是非常良好的。
具体而言，使用氧化物半导体作为沟道层的薄膜晶体管能够活用作液晶驱动的低频率驱动。例如，即使是使液晶驱动频率为0.1Hz至30Hz的低频率驱动，也能够进行没有闪烁(闪变)的显示。功能器件的低频率驱动有助于大幅减少功耗。进而，通过进行基于液晶层的低频率的点反转驱动和与该低频率不同的触摸感测驱动，能够进行高精度的触摸感测。
另外，为了用第二导电布线驱动作为驱动器件的薄膜晶体管，第二导电布线只要至少设为向薄膜晶体管发送影像信号的源极布线、或发送栅极信号的栅极布线即可。在以下的记载中，有时将薄膜晶体管记载为有源元件。
(有源元件28)
接下来，参照图4对连接于像素电极20的有源元件28的构造进行说明。
图4示出具有顶栅构造的薄膜晶体管(TFT)的一个例子。
有源元件28具备沟道层27、连接于沟道层27的一端(第一端，图4中的沟道层27的左端)的漏极电极26、连接于沟道层27的另一端(第二端，图4中的沟道层27的右端)的源极电极24、以及隔着第三绝缘层13而与沟道层27对置配置的栅极电极25。图4示出了构成有源元件28的沟道层27、漏极电极26、以及源极电极24形成于第四绝缘层14上的构造，但本发明并不限定于这种构造。也可以不设置第四绝缘层14，而是在透明基板22上直接形成有源元件28。
源极布线31被以较高的频度供给影像信号，容易从源极布线31产生噪声。在顶栅构造中，具有如下优点：能够使也作为噪声产生源的源极布线31远离前述的触摸感测空间。
另外，本发明并不限定具有顶栅构造的薄膜晶体管，也可以应用具有底栅构造的薄膜晶体管。
图4所示的源极电极24与漏极电极26在相同的工序中由相同构成的导电层形成。在第一实施方式中，作为源极电极24与漏极电极26的构造，采用了钛/铝合金/钛的三层构成。这里，铝合金是铝－钕的合金。
位于栅极电极25的下部的第三绝缘层13也可以是具有与栅极电极25相同的宽度的绝缘层。在该情况下，例如进行使用栅极电极25作为掩模的干式蚀刻，将栅极电极25的周围的第三绝缘层13去除。由此，能够形成具有与栅极电极25相同的宽度的绝缘层。将栅极电极25用作掩模而以干式蚀刻对绝缘层进行加工的技术一般被称为自对准。
栅极电极25以及第三绝缘层13形成为具有相同的宽度，由此能够减少寄生电容。栅极电极25在与栅极布线10相同的工序中，由第一导电性金属氧化物层/铜合金层/第二导电性金属氧化物层这三层形成(导电布线)形成。
作为沟道层27的材料，例如能够使用被称作IGZO的氧化物半导体。作为沟道层27的材料，能够使用包含镓、铟、锌、锡、铝、锗、锑、铋、铈中的2种以上的金属氧化物的氧化物半导体。在本实施方式中，使用了包含氧化铟、氧化镓以及氧化锌的氧化物半导体。由氧化物半导体形成的沟道层27的材料也可以是单晶、多晶、微晶、微晶与非晶体的混合体、或非晶体的任一种。作为氧化物半导体的膜厚，能够设为2nm～50nm的范围内的膜厚。另外，沟道层27也可以由多晶硅半导体形成。
氧化物半导体或多晶硅半导体例如能够用于具有p/n结的互补型的晶体管的构成，或者能够在仅具有n型结的单沟道型晶体管的构成中使用。作为氧化物半导体的层叠构成，例如也可以采用层叠有n型氧化物半导体和电特性与该n型的氧化物半导体不同的n型氧化物半导体而成的层叠构成。层叠的n型氧化物半导体可以由多层构成。在层叠的n型氧化物半导体中，能够使基底的n型半导体的带隙与位于上层的n型半导体的带隙不同。
也可以采用沟道层的上表面例如被不同的氧化物半导体覆盖的构成。或者，例如也可以采用在结晶性的n型氧化物半导体上层叠有微晶的(接近非晶质)氧化物半导体而成的层叠构成。这里，微晶是指例如将由溅射装置成膜出的非晶质的氧化物半导体在180℃以上450℃以下的范围热处理而成的微晶状的氧化物半导体膜。或者，是指在将成膜时的基板温度设定为200℃左右的状态下成膜出的微晶状的氧化物半导体膜。微晶状的氧化物半导体膜是通过TEM等观察方法能够观察到至少1nm至3nm左右、或者大于3nm的结晶粒的氧化物半导体膜。
氧化物半导体通过从非晶质变化为晶质，能够实现载流子迁移率的改善、可靠性的提高。氧化铟、氧化镓作为氧化物的熔点较高。氧化锑、氧化铋的熔点都是1000℃以下，氧化物的熔点较低。例如，在采用了氧化铟、氧化镓、以及氧化锑的三元复合氧化物的情况下，由于熔点低的氧化锑的效果，能够降低该复合氧化物的结晶化温度。换言之，能够提供容易从非晶质状态结晶化为微晶状态等的氧化物半导体。
作为半导体的层叠构成，也可以在n型的多晶硅半导体上层叠n型的氧化物半导体。作为获得将该多晶硅半导体用作基底层的层叠构造的方法，优选的是在基于激光退火的多晶硅结晶化工序之后，保持着维持真空状态地通过溅射等成膜出氧化物半导体。作为应用于该方法的氧化物半导体，由于在后续工序的湿式蚀刻中要求易溶性，因此能够使用富含氧化锌的复合氧化物。例如，作为用于溅射的靶的金属元素的原子比，能够例示In：Ga：Zn＝1：2：2。在该层叠构成中，也可以采用仅在多晶硅的沟道层上不层叠氧化物半导体(例如，通过湿式蚀刻去除)的构成。这里，Zn(锌)能够替换为Sb(锑)或者Bi(铋)。
而且，也能够对同一像素各配设一个具有n型氧化物半导体的沟道层的薄膜晶体管(有源元件)和具有n型硅半导体的沟道层的薄膜晶体管(有源元件)，并驱动液晶层、OLED这类显示功能层以发挥薄膜晶体管的各个沟道层的特性。在使用液晶层、OLED作为显示功能层的情况下，能够采用n型的多晶硅薄膜晶体管作为向显示功能层施加电压(电流)的驱动晶体管，且采用n型氧化物半导体的薄膜晶体管作为向该多晶硅(polysilicon)薄膜晶体管发送信号的开关晶体管。
作为漏极电极26以及源极电极24(源极布线31)的各个，能够采用相同的构造。例如，能够将多层的导电层使用于漏极电极26以及源极电极24。例如能够采用将铝、铜、或它们的合金层用钼、钛、钽、钨、导电性的金属氧化物层等夹持的电极构造。也可以在第四绝缘层14上先形成漏极电极26以及源极电极24，再以层叠于这两个电极的方式形成沟道层27。晶体管的构造也可以是双栅构造等的多栅构造。或者，作为阵列基板内的晶体管的构造，也可以是在沟道层的上下配置有电极的双栅极构造。
半导体层或者沟道层也可以在其厚度方向上调整迁移率、电子浓度。半导体层或者沟道层也可以是层叠有不同的氧化物半导体的层叠构造。由源极电极与漏极电极的最小的间隔决定的晶体管的沟道长度能够设为10nm以上且10μm以下、例如20nm至0.5μm。
第三绝缘层13作为栅极绝缘层发挥功能。作为这种绝缘层材料，可采用硅酸铪(HfSiOx)、氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮氧化硅、氮氧化铝、氧化锆、氧化镓、氧化锌、氧化铪、氧化铈、氧化镧、或者将这些材料混合而成的绝缘层等。氧化铈的介电常数高，并且铈与氧原子的结合牢固。因此，优选的是将栅极绝缘层设为包含氧化铈的复合氧化物。在采用氧化铈作为构成复合氧化物的氧化物之一的情况下，即使在非晶质状态下也容易保持较高的介电常数。氧化铈具备氧化力。栅极绝缘层，例如是包含氧化铈的氧化物、或者包含氧化铈的氧氮化物。
氧化铈能够进行氧的储存与释放。因此，能够以氧化物半导体与氧化铈接触的构造从氧化铈向氧化物半导体供给氧，并且避免氧化物半导体的氧缺乏，能够实现稳定的氧化物半导体(沟道层)。在将SiN等氮化物用于栅极绝缘层的构成中，不会表现出如上所述的作用。另外，栅极绝缘层的材料也可以包括以硅酸铈(CeSiOx)为代表的镧系元素金属硅酸盐。或者，也可以含有镧铈复合氧化物、镧硅酸铈、进而是铈氮氧化物。
因此，能够以氧化物半导体与氧化铈接触的构造避免氧化物半导体的氧欠缺，实现稳定的氧化物。在将氮化物使用于栅极绝缘层的构成中，不会表现出如上所述的作用。另外，栅极绝缘层的材料也可以包括以硅酸铈(CeSiOx)为代表的镧系元素金属硅酸盐。
作为第三绝缘层13的构造，也可以是单层膜、混合膜或多层膜。在混合膜、多层膜的情况下，能够利用从上述绝缘膜材料中选择出的材料来形成混合膜、多层膜。第三绝缘层13的膜厚例如是能够从2nm以上且300nm以下的范围内选择的膜厚。在由氧化物半导体形成沟道层27的情况下，能够以含有较多氧的状态(成膜环境)形成与沟道层27接触的第三绝缘层13的界面。
在薄膜晶体管的制造工序中，在具有顶栅构造的薄膜晶体管中，能够在形成氧化物半导体之后、在含有氧的导入气体中形成含有氧化铈的栅极绝缘层。此时，能够使位于栅极绝缘层之下的氧化物半导体的表面氧化，并且能够调整该表面的氧化程度。在具有底栅构造的薄膜晶体管中，栅极绝缘层的形成工序在氧化物半导体的工序之前被执行，因此稍微难以调整氧化物半导体的表面的氧化程度。在具有顶栅构造的薄膜晶体管中，与底栅构造的情况相比，能够促进氧化物半导体的表面的氧化，难以产生氧化物半导体的氧欠缺。
包含第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13、以及氧化物半导体的基底的绝缘层(第四绝缘层14)在内的多个绝缘层能够使用无机绝缘材料或者有机绝缘材料来形成。作为绝缘层的材料，能够使用氧化硅、氮氧化硅、氧化铝，作为绝缘层的构造，能够使用包含上述材料的单层、多层。也可以是由不同的绝缘材料形成的多层被层叠而成的构成。为了获得使绝缘层的上表面平坦化的效果，也可以将丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、苯并环丁烯树脂、聚酰胺树脂等使用于一部分的绝缘层。也能够使用低介电常数材料(low－k材料)。
在沟道层27之上隔着第三绝缘层13配设栅极电极25。栅极电极25(栅极布线10)能够使用与共用电极17、公共布线30相同的材料、以具有相同的层构成的方式通过相同的工序形成。另外，栅极电极25也可以使用与上述漏极电极26以及源极电极24相同的材料、以具有相同的层构成的方式形成。作为栅极电极25的构造，能够采用铜层或铜合金层被导电性金属氧化物夹持的构成。
也能够用含有铟的复合氧化物将在栅极电极25的端部露出的金属层的表面覆盖。或者，也可以用氮化硅、氮化钼等氮化物以将栅极电极25的端部(剖面)包含在内的方式对栅极电极25整体进行覆盖。或者，也可以以大于50nm的膜厚将具有与上述栅极绝缘层相同的组分的绝缘膜层叠。
作为栅极电极25的形成方法，也能够先于栅极电极25的形成地仅对位于有源元件28的沟道层27的正上方的第三绝缘层13实施干式蚀刻等，减薄第三绝缘层13的厚度。
也可以在与第三绝缘层13接触的栅极电极25的界面进一步插入电性质不同的氧化物半导体。或者，也可以由至少含有氧化铈、氧化镓的绝缘性的金属氧化物层形成第三绝缘层13。
另外，也可以在沟道层27的下部形成遮光膜。作为遮光膜的材料，能够使用钼、钨、钛、铬等高熔点金属。
栅极布线10与有源元件28电气协作。具体而言，连接于栅极布线10的栅极电极25与有源元件28的沟道层27隔着第三绝缘层13而对置。对应于从影像信号控制部121向栅极电极25供给的扫描信号，在有源元件28中进行开关驱动。
为了抑制因向源极布线31供给的影像信号引起的噪声传向公共布线30，需要加厚第三绝缘层13。另一方面，第三绝缘层13具有作为位于栅极电极25与沟道层27之间的栅极绝缘层的功能，被要求考虑到有源元件28的更换特性的适当的膜厚。为了实现如此相反的两个功能，通过较大地维持公共布线30与源极布线31之间的第三绝缘层13的膜厚、而减薄位于沟道层27的正上方的第三绝缘层13的厚度，能够抑制因向源极布线供给的影像信号引起的噪声传向公共布线30，并且能够在有源元件28中实现所希望的开关特性。
另外，也可以在沟道层27的下部形成遮光膜。作为遮光膜的材料，能够使用钼、钨、钛、铬等高熔点金属。
栅极布线10与有源元件28电气协作。具体而言，连接于栅极布线10的栅极电极25与有源元件28的沟道层27隔着第三绝缘层13而对置。对应于从影像信号控制部121向栅极电极25供给的扫描信号，在有源元件28中进行开关驱动。
源极布线31被从影像信号控制部121赋予作为影像信号的电压。源极布线31被赋予例如从±2.5V到±5V的正或者负的电压的影像信号。作为施加于共用电极17的电压，例如能够设为在每次帧反转时变化的±2.5V的范围。另外，也可以将共用电极17的电位设为从液晶驱动的阈值Vth以下到0V的范围的恒电位。在将该共用电极应用于后述的恒电位驱动的情况下，期望的是在沟道层27中使用氧化物半导体。由氧化物半导体构成的沟道层的电气的耐电压较高，通过使用了氧化物半导体的晶体管，能够将超过±5V的范围的较高的驱动电压施加到电极部17A，并使液晶的响应高速化。液晶驱动中能够应用帧反转驱动、列反转(垂直线)反转驱动、水平线反转驱动、点反转驱动等各种驱动方法。
在对栅极电极25的构成的一部分采用铜合金的情况下能够对铜添加0.1at％以上且4at％以下的范围内的金属元素或半金属元素。通过这样将元素添加于铜，可获得能够抑制铜的迁移这一效果。特别是，优选的是将能够通过在铜层的晶体(晶粒)内与铜原子的一部分替换而配置于铜的晶格位置的元素、以及在铜层的晶界析出而抑制铜的晶界附近的铜原子的运动的元素一同添加于铜。或者，优选的是为了抑制铜原子的运动而将比铜原子重的(原子量大的)元素添加于铜。除此之外，优选的是对铜以0.1at％至4at％的范围内的添加量选择不易降低铜的导电率的添加元素。并且，若考虑溅射等的真空成膜，优选的是溅射等的成膜速率接近于铜的元素。如上述那样将元素添加于铜的技术即便将铜替换为银、铝的情况下也能够应用。换言之，也可以取代铜合金而使用银合金、铝合金。
将能够在铜层的结晶(晶粒)内与铜原子的一部分替换来配置于铜的晶格位置的元素添加于铜换言之就是，将在常温附近与铜形成固溶体的金属或半金属添加于铜。作为容易与铜形成固溶体的金属，可列举锰、镍、锌、钯、镓、金(Au)等。将在铜层的晶界析出而抑制铜的晶界附近的铜原子的运动的元素添加于铜换言之就是，将在常温附近不会与铜形成固溶体的金属、半金属添加于铜。不会与铜形成固溶体或不易与铜形成固溶体的金属、半金属可列举各种材料。例如能够列举钛、锆、钼、钨等被称作高熔点金属、硅、锗、锑、铋等被称作半金属的元素等。
铜在迁移的观点上，在可靠性方面存在问题。通过将上述的金属、半金属添加于铜，能够弥补可靠性方面。通过对铜添加0.1at％以上的上述金属或半金属，可获得抑制迁移的效果。但是，在对铜添加超过4at％的上述金属或半金属的情况下，铜的导电率的恶化变得显著，无法获得选定铜或铜合金的优点。
作为上述导电性金属氧化物，例如能够采用从氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化锑中选择的2个以上的复合氧化物(混合氧化物)。该复合氧化物中也可以进一步少量添加氧化钛、氧化锆、氧化铝、氧化镁、氧化锗。氧化铟与氧化锡的复合氧化物一般作为被称作ITO的低电阻的透明导电膜。在使用氧化铟、氧化锌以及氧化锡的三元系的复合氧化物的情况下，通过调整氧化锌以及氧化锡的混合比例，能够调整湿式蚀刻中的蚀刻速率。在由氧化铟、氧化锌以及氧化锡的三元系的复合氧化物夹持了合金层的三层构成中，通过调整复合氧化物的蚀刻速率和铜合金层的蚀刻速率，能够使这三层的图案宽度大致相等。
一般来说，为了进行灰阶显示，向源极布线施加与灰阶显示相应的各种电压，并且在各种定时向源极布线赋予影像信号。担心因这样的影像信号引起的噪声容易传向共用电极17而导致触摸感测的检测精度降低。因此，如图4所示，采用增大源极布线31与触摸感测布线3的距离W2的构造，由此获得能够减少噪声这样的效果。
在本实施方式中，作为有源元件28，采用了具有顶栅构造的晶体管。也可以取代顶栅构造而采用具有底栅构造的晶体管，但在采用顶栅构造的晶体管的情况下，能够使Z方向上的源极布线31的位置从触摸感测布线3远离。换言之，在具有顶栅构造的晶体管的情况下，能够使源极布线从在触摸感测布线3与共用电极17之间生成静电电容的空间远离。通过如此使源极布线远离生成有静电电容的空间，能够减少噪声对在触摸感测布线3与共用电极17之间检测的触摸信号的影响、即能够减少由从源极布线产生的各种影像信号引起的噪声给触摸信号带来的影响。
在本实施方式中，重要的是在触摸感测布线3与共用电极17之间的物理空间内不包含源极布线31、像素电极20。在以下的说明中，有时将触摸感测布线3与共用电极17之间的物理空间称作触摸感测空间。另外，期望的是，形成一并考虑到栅极布线10与公共布线30(导电布线)的距离和上述距离W2的触摸感测空间。在该情况下，能够缓和向栅极布线10供给的栅极信号所引起的噪声给公共布线30带来的影响。
(触摸感测驱动)
图6以及图7示出了在本发明的第一实施方式的显示装置DSP1中触摸感测布线3作为触摸驱动电极发挥功能、并且共用电极17作为触摸检测电极发挥功能的情况下的构造。
基于图6以及图7所示的构造，进行以下的说明。
另外，如上述那样，能够调换触摸驱动电极与触摸检测电极的作用。
图6是表示在触摸感测布线与共用电极之间生成了电场的状态的示意剖面图，图7是表示手指等指示器接触或接近显示装置基板100的观察者侧的表面时的电场的生成状态的变化的剖面图。
在图6以及图7中，对使用了触摸感测布线3和共用电极17的触摸感测技术进行说明。图6以及图7为了易于理解地说明触摸感测驱动，示出了构成阵列基板200的第一绝缘层11以及共用电极17、显示装置基板100，省略了其他构成。
如图6以及图7所示，在相对于液晶层300的厚度方向倾斜的倾斜方向上，触摸感测布线3与共用电极17彼此相向。因此，可获得如下效果：能够对生成倾斜方向的电场的状态的变化而言容易地提高检测信号的对比度，能够提高触摸感测的S/N比(S/N比的改善效果)。而且，在触摸感测布线3与共用电极17像这样在倾斜方向上彼此相向的配置中，由于在俯视时没有形成触摸感测布线3与共用电极17重叠的重叠部，因此能够大幅减少寄生电容。另外，在触摸检测电极与触摸驱动电极在厚度的上下方向重合的构成中，触摸检测电极以及触摸驱动电极相互重叠的部分中的静电电容难以变化，因此难以对触摸感测的S/N比赋予对比度。例如，在触摸检测电极与触摸驱动电极处于同一面上的平行的位置关系的情况下，静电电容容易根据手指等指示器的位置而不均匀地变化，存在误检测以及分辨率降低的隐患。
在本发明的实施方式的显示装置DSP1中，如图2、图3A、以及图3B所示，共用电极17作为检测电极发挥功能，具有长度EL。该共用电极17与作为驱动电极发挥功能的触摸感测布线3在俯视时是平行的，并且通过具有长度EL的共用电极17，能够充分地并且均匀地确保静电电容。
图6示意地示出使触摸感测布线3作为触摸驱动电极发挥功能、且使共用电极17作为触摸检测电极发挥功能的情况下的静电电容的产生状况。触摸感测布线3被以规定频率供给脉冲状的写入信号。该写入信号的供给也可以以液晶驱动与触摸驱动的时分割来进行。通过写入信号，可在接地的共用电极17与触摸感测布线3之间维持电力线33(箭头)所示的静电电容。
如图7所示，若手指等指示器接触或接近显示装置基板100的观察者侧的表面，则共用电极17与触摸感测布线3之间的静电电容变化，根据该静电电容的变化，检测出有无手指等指示器的触摸。
如图6以及图7所示，在触摸感测布线3与共用电极17之间未设有与液晶驱动有关的电极、布线。而且，如图4所示，源极布线31远离触摸感测布线3以及共用电极17(触摸驱动布线以及触摸检测布线)。因此，实现了不易拾取与液晶驱动相关的噪声的构造。
例如，在俯视时，多个触摸感测布线3沿第一方向(例如，Y方向)延伸，并且沿第二方向(例如，X方向)排列地配设。多个公共布线30(导电布线)在Z方向上位于比阵列基板200的内部的像素电极20靠下方的位置，沿第二方向(例如，X方向)延伸，并沿第一方向(例如，Y方向)排列。共用电极17与公共布线30电连接，将共用电极17与触摸感测布线3之间的静电电容的变化使用于有无触摸的检测。
在本实施方式的显示装置DSP1中，在触摸感测布线3与共用电极17之间例如以500Hz以上且500KHz以下的频率施加矩形波状的脉冲信号。通常，通过该脉冲信号的施加，作为检测电极的共用电极17维持恒定的输出波形。若手指等指示器接触或接近显示装置基板100的观察者侧的表面，则该部位的共用电极17的输出波形出现变化，可判断触摸的有无。手指等指示器至显示面的距离能够通过从指示器的接近到接触为止的时间(通常是几百μsec以上且几msec以下)、在该时间内计数出的输出脉冲数等测定。通过获取触摸检测信号的积分值，能够进行稳定的触摸检测。
也可以不将触摸感测布线3以及公共布线30(或与导电布线连接的共用电极)的全部使用于触摸感测。也可以进行间隔剔除驱动。接着，对使触摸感测布线3进行间隔剔除驱动的情况进行说明。首先，将全部的触摸感测布线3区分为多个组。组的数量比全部的触摸感测布线3的数量少。构成一个组的布线数例如设为6条。这里，选择全部的布线(布线数量是6条)中的例如2条布线(比全部的布线的条数少的条数，2条＜6条)。在一个组中使用选择出的2条布线进行触摸感测，剩余的4条布线中的电位被设定为浮置电位。显示装置DSP1由于具有多个组，因此能够如上述那样按照布线的功能被定义的每个组来进行触摸感测。同样，也可以是在公共布线30中也进行间隔剔除驱动。
用于触摸的指示器是手指的情况和是笔的情况下，接触或者接近的指示器的面积、容量不同。通过这样的指示器的大小，能够调整间隔剔除的布线的条数。对于笔、针尖等前端细的指示器而言，能够减少布线的间隔剔除根数而使用高密度的触摸感测布线的矩阵。在指纹认证时也能够使用高密度的触摸感测布线的矩阵。
通过这样按照每个组进行触摸感测驱动，扫描或检测所使用的布线数量减少，因此能够提高触摸感测速度。并且，在上述的例子中，构成一个组的布线数量为6条，但例如也可以以10条以上的布线数量形成一个组，使用在一个组中选择出的2条布线来进行触摸感测。即，增加被间隔剔除的布线的数量(成为浮置电位的布线的数量)，由此使触摸感测所使用的选择布线的密度(选择布线相对于全部布线数的密度)降低，利用选择布线进行扫描或检测，从而有助于功耗的减少、触摸检测精度的提高。相反，通过减少被间隔剔除的布线的数量，提高触摸感测所使用的选择布线的密度，利用选择布线进行扫描或检测，能够运用于例如指纹认证、基于触摸笔的输入。在这样的触摸感测期间，能够使源极布线31、栅极布线10接地或者开路(浮置)来减少由这些布线引起的寄生电容。
也能够以时分割进行触摸感测驱动和液晶驱动。也可以配合于被要求的触摸输入的速度来调整触摸驱动的频率。触摸驱动频率能够采用比液晶驱动频率高的频率。手指等指示器接触或接近显示装置基板100的观察者侧的表面的定时是不定期的且为短时间，因此期望的是触摸驱动频率较高。
使触摸驱动频率与液晶驱动频率不同的方法可列举若干。例如，也可以利用常闭的液晶驱动，在黑显示(断开)时将背光也设为断开，在该黑显示的期间(对液晶显示无影响的期间)进行触摸感测。在该情况下，能够选择各种触摸驱动的频率。
另外，在使用具有负的介电常数各向异性的液晶的情况下，容易选择与液晶驱动频率不同的触摸驱动频率。换言之，虽然如图6以及图7所示，从触摸感测布线3朝向共用电极17产生的电力线33作用在液晶层300的倾斜方向或厚度方向上，但只要使用具有负的介电常数各向异性的液晶，液晶分子就不会在该电力线33的方向上立起，因此对显示品质的影响变少。
而且，在减少触摸感测布线3、公共布线30的布线电阻、伴随着电阻的降低而减少触摸驱动电压的情况下，也能够容易地设定与液晶驱动频率不同的触摸驱动频率。通过在构成触摸感测布线3、公共布线30的金属层中使用铜、银等导电率良好的金属、合金，可获得较低的布线电阻。
在进行3D(立体影像)显示的显示装置的情况下，除了通常的二维图像的显示之外，为了三维地显示跟前的图像、位于里侧的图像，需要多个影像信号(例如，右眼用的影像信号和左眼用的影像信号)。因此，关于液晶驱动的频率，需要例如240Hz或480Hz等的高速驱动以及很多的影像信号。此时，通过使触摸驱动的频率与液晶驱动的频率不同而得到的好处较大。例如，通过本实施方式，在3D显示的游戏机中能够进行高速以及高精度的触摸感测。在本实施方式中，在游戏机或自动取款机等手指等的触摸输入频度高的显示器中也特别有用。
以运动图像显示作为典型，基于像素的影像信号的改写动作被频繁地进行。由于跟随于这些影像信号的噪声从源极布线产生，因此优选的是如本发明的实施方式那样使源极布线31的厚度方向(Z方向)的位置远离触摸感测布线3。根据本发明的实施方式，触摸驱动信号被施加到远离源极布线31的位置处的触摸感测布线3，因此相比于公开了在阵列基板设置被施加触摸驱动信号的布线的构造的专利文献6，噪声的影响变少。
一般来说，液晶驱动的频率为60Hz或该频率的整数倍的驱动频率。通常，触摸感测部位会受到液晶驱动的频率所伴有的噪声的影响。并且，通常的家庭电源为50Hz或60Hz的交流电源，触摸感测部位容易拾取到从利用这种外部电源而进行动作的电气设备产生的噪声。因此，作为触摸驱动的频率，通过采用与50Hz、60Hz的频率不同的频率、或从这些频率的整数倍偏移了一些的频率，能够大幅度地降低从液晶驱动、外部的电子设备产生的噪声的影响。或者，也可以在时间轴上使触摸感测驱动信号的施加定时从液晶驱动信号的施加定时偏移。偏移量为稍许量即可，例如只要是从噪声频率偏移±3％～±17％的偏移量即可。在该情况下，能够降低相对于噪声频率的干扰。例如，触摸驱动的频率例如能够从500Hz～500KHz的范围中选择与上述液晶驱动频率、电源频率不干扰的不同的频率。通过选择不会与液晶驱动频率、电源频率干扰的不同频率作为触摸驱动的频率，能够减少例如列反转驱动中的耦合噪声等噪声的影响。
另外，在触摸感测驱动中，并非将驱动电压供给到全部触摸感测布线3，而是如上述那样通过间隔剔除驱动进行触摸位置检测，从而能够减少触摸感测中的功耗。
在间隔剔除驱动中，关于未使用于触摸感测的布线、即具有浮置图案的布线，也可以利用开关元件切换为检测电极、驱动电极而进行高精细的触摸感测。或者，也能够将具有浮置图案的布线以与地(与壳体接地)电连接的方式切换。为了改善触摸感测的S/N比，也可以在触摸感测的信号检测时将TFT等有源元件的信号布线暂时与地(壳体等)连接。
另外，在由触摸感测控制检测的静电电容的复位需要时间的触摸感测布线、即触摸感测中的时间常数(电容与电阻值的积)较大的触摸感测布线中，例如也可以将奇数行的触摸感测布线与偶数行的触摸感测布线交替地利用于感测，进行调整了时间常数的大小的驱动。也可以将多个触摸感测布线分组而进行驱动、检测。多个触摸感测布线的分组也可以采取不是按照线顺序、而是以其组为单位进行被称作自检测方式的一并检测的方法。也可以进行以组为单位的并列驱动。或者，为了进行寄生电容等的噪声消除，也可以采用取相互接近或者邻接的触摸感测布线的检测信号之差的差分检测方式。
根据上述第一实施方式，能够防止铜的扩散、铜的迁移的产生，能够提高电安装中的可靠性。另外，作为导电布线、触摸感测布线的构成材料，使用了上述铜合金，从而能够进行稳定的触摸感测，触摸感测灵敏度高，可获得良好的响应性。特别是，能够提供S/N比高、高分辨率、并且可响应高速的触摸输入的显示装置DSP1。而且，通过采用使用了氧化物半导体的薄膜晶体管作为沟道层，能够实现低功耗且闪烁少、且具备触摸感测功能的显示装置DSP1。
(第一实施方式的变形例1)
在图3A所示的显示装置DSP1中，使用了设有滤色器51的构造。在本实施方式中，也可以省略滤色器。在省略了滤色器51的构造中，例如也可以设为具备设于透明基板21上的触摸感测布线3和以覆盖触摸感测布线3的方式形成的透明树脂层16的构造。
在不包括滤色器51的显示装置中，将红色发光、绿色发光以及蓝色发光的各个LED设于背光单元，通过场序的方法进行彩色显示。设于图3A所示的透明基板21上的触摸感测布线3的层构成能够采用于在阵列基板200形成的公共布线30(导电布线)的层构成、栅极电极25(栅极布线10)的层构成。
在图3A所示的显示装置DSP1中，在显示装置基板100(第一基板)的透明基板21与触摸感测布线3的界面形成黑色层8、防反射膜。黑色层8例如能够通过在树脂中分散碳、碳纳米管、碳纳米角或多个有机颜料的混合物而形成。在该情况下，也可得到与上述实施方式相同的效果。
(第一实施方式的变形例2)
另外，本发明也能够应用于不具有触摸感测功能的显示装置。在该情况下，采用从图3A所示的显示装置DSP1去除了触摸感测布线3的构造。换言之，采用在第一基板未设置导电布线、而在作为第二基板的阵列基板200设有导电布线的构造。
(第二实施方式)
以下，参照附图对本发明的第二实施方式进行说明。
在第二实施方式中，对与第一实施方式相同的部件标注相同的附图标记，省略或者简化其说明。
图8是局部表示本发明的第二实施方式的显示装置DSP2的剖面图。图9是局部表示本发明的第二实施方式的阵列基板500的剖面图。
在显示装置DSP2中，作为功能器件而采用了有机EL层，作为驱动器件而采用了薄膜晶体管(有源元件)。薄膜晶体管具有由氧化物半导体构成的沟道层58。
构成第二实施方式的显示装置DSP2的显示装置基板400(第一基板)具备透明基板44(基板主体)，该透明基板44具有第一面MF和与第一面MF相反的一侧的第二面MS。在第一面MF上，在观察方向OB上依次形成有第一触摸感测布线3(导电布线，第一导电布线)和第二触摸感测布线2(导电布线，第三导电布线)。即，第二触摸感测布线2位于第一触摸感测布线3与阵列基板500(第二基板)之间。第二触摸感测布线2以及第一面MF由第二透明树脂层105覆盖。
在第一触摸感测布线3与第二触摸感测布线2之间，以覆盖第一触摸感测布线3的方式设有绝缘层I(触摸布线绝缘层)，第一触摸感测布线3与第二触摸感测布线2通过绝缘层I而彼此电绝缘。
在图8所示的构造中，第一透明树脂层108与第二透明树脂层105贴合。具体而言，具备作为有机EL的发光层92的阵列基板500和具备第一触摸感测布线3以及第二触摸感测布线2的显示装置基板400，隔着透湿性低的第一透明树脂层108而贴合。即，发光层92(功能器件)设于所述阵列基板500的与显示装置基板400对置的面。
第二实施方式的第一触摸感测布线3与第一实施方式的触摸感测布线3对应，具有与第一实施方式相同的构成，即，具有黑色层和设于黑色层上的金属层叠构造。在俯视时，在设于透明基板44上的黑矩阵(黑色层)所对应的位置设有第一触摸感测布线3。第一触摸感测布线3具有利用第一导电性金属氧化物层6和第二导电性金属氧化物层4夹持铜合金层5的构成。
在俯视(从观察方向OB观察)时，第二触摸感测布线2在与第一触摸感测布线3延伸的方向正交的方向上延伸。第二触摸感测布线2设于绝缘层I上。第二触摸感测布线2具有与第一实施方式的触摸感测布线3相同的构成，即，具有黑色层和设于黑色层上的金属层叠构造。在俯视时，在设于绝缘层I上的黑矩阵(黑色层)所对应的位置设有第二触摸感测布线2。第二触摸感测布线2具有由第一导电性金属氧化物层6和第二导电性金属氧化物层4夹持铜合金层5的构成。
第一触摸感测布线3以及第二触摸感测布线2连接于触摸感测控制部122，触摸感测控制部122检测在第一触摸感测布线3和第二触摸感测布线2之间产生的静电电容的变化，进行触摸感测。
沿X方向延伸的多个第一触摸感测布线3以及沿Y方向延伸的多个第二触摸感测布线2的各个电独立。第一触摸感测布线3与第二触摸感测布线2在俯视时正交。例如，能够将第一触摸感测布线3用作触摸检测电极，将第二触摸感测布线2用作触摸驱动电极。触摸感测控制部122作为触摸信号，检测第一触摸感测布线3与第二触摸感测布线2的交点处的、第一触摸感测布线3与第二触摸感测布线2之间的静电电容C2的变化。
另外，也可以调换第一触摸感测布线3的作用和第二触摸感测布线2的作用。具体而言，也可以将第一触摸感测布线3用作触摸驱动电极，将第二触摸感测布线2用作触摸检测电极。
作为第一触摸感测布线3以及第二触摸感测布线2的各自的构造，能够采用与在第一实施方式中说明的图5所示的剖面构造相同的构造。以晶格状正交的第一触摸感测布线3和第二触摸感测布线2也兼用作使显示对比度提高的黑矩阵的作用。
(阵列基板500的构造)
接下来，对构成显示装置DSP2的阵列基板500的构造进行说明。
作为阵列基板500的基板45，不需要使用透明基板，例如作为能够适用于阵列基板500的基板，可列举玻璃基板、陶瓷基板、石英基板、蓝宝石基板、硅、碳化硅、硅锗等半导体基板、或者塑料基板等。
在阵列基板500中，在基板45上依次层叠有第四绝缘层14、形成于第四绝缘层14上的有源元件68、以覆盖第四绝缘层14以及有源元件68的方式形成的第三绝缘层13、以与有源元件68的沟道层58对置的方式形成在第三绝缘层13上的栅极电极95、以覆盖第三绝缘层13以及栅极电极95的方式形成的第二绝缘层12、以及形成于第二绝缘层12上的平坦化层96。
在平坦化层96上，在与有源元件68的漏极电极56对应的位置形成有接触孔93。另外，在平坦化层96上，在与沟道层58对应的位置形成有隆起部(日语：バンク)94。在剖视时彼此相邻的隆起部94之间的区域中、即俯视时被隆起部94包围的区域中，以覆盖平坦化层96的上表面、接触孔93的内部以及漏极电极56的方式形成有下部电极88(像素电极)。另外，下部电极88也可以不形成于隆起部94的上表面。
而且，以覆盖下部电极88、隆起部94、以及平坦化层96的方式形成有空穴注入层91。在空穴注入层91上依次层叠有发光层92、上部电极87、以及密封层109。
下部电极88如后述那样，具有银或者银合金层被导电性金属氧化物层夹持的构成。
作为隆起部94的材料，能够使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂等有机树脂。也可以在隆起部94上进一步层叠氧化硅、氮氧化硅等无机材料。
作为平坦化层96的材料，也可以使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、苯并环丁烯树脂、聚酰胺树脂等。也能够使用低介电常数材料(low－k材料)。
另外，为了提高可视性，也可以是平坦化层96、密封层109、或者基板45中的某一个具有光散射的功能。或者，也可以在基板45的上方形成光散射层。
另外，在图8中，附图标记290示出了由下部电极88、空穴注入层91、发光层92、以及上部电极87构成的发光区域。
(发光层92)
如图9所示，阵列基板500包括作为功能器件的发光层92(有机EL层)。发光层92是在对一对电极间赋予了电场时、通过从阳极(例如，下部电极)注入的空穴和从阴极(例如，上部电极，像素电极)注入的电子进行再结合而被激发并发光的显示功能层。
发光层92至少含有具有发光性质的材料(发光材料)，并且优选的是含有具有电子输送性的材料。发光层92是形成于阳极与阴极之间的层，在下部电极88(阳极)之上形成有空穴注入层91的情况下，在空穴注入层91与上部电极87(阴极)之间形成发光层92。另外，在阳极之上形成有空穴输送层的情况下，在空穴输送层与阴极之间形成发光层92。上部电极87与下部电极88的作用也能够调换。
发光层92的膜厚只要不显著损害本发明的效果即为任意的膜厚，但从膜难以产生缺陷的观点出发，优选膜厚较大。另一方面，在膜厚较小的情况下，驱动电压变低，因此优选。因此，发光层92的膜厚优选的是3nm以上，更优选的是5nm以上，另外，另一方面，通常优选的是200nm以下，更优选的是100nm以下。
发光层92的材料只要以希望的发光波长发光、且不损害本发明的效果，就无特别限制，能够应用公知的发光材料。发光材料可以是荧光发光材料，也可以是磷光发光材料，但优选的是发光效率良好的材料，出于内部量子效率的观点，优选的是磷光发光材料。
作为赋予蓝色发光的发光材料，例如可列举萘、二萘嵌苯、芘、蒽、香豆素、、对-双(2-苯基乙烯基)苯及它们的衍生物等。作为赋予绿色发光的发光材料，例如可列举喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物、Al(C9H6NO)3等铝络合物等。
作为赋予红色发光的发光材料，例如可列举DCM(4－(dicyanomethylene)－2－methyl－6－(p－dimethylaminostyryl)－4H－pyran，4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(对二甲基氨基苯乙烯基)-4H吡喃)系化合物、苯并吡喃衍生物、罗丹明衍生物、苯并噻吨衍生物、氮杂苯并噻吨等。
构成上述的发光层92的有机EL层的构成、发光材料等并不限定于上述材料。
如图9所示，发光层92形成于空穴注入层91上，由施加在上部电极87与下部电极88之间的驱动电压驱动。
下部电极88具有由导电性金属氧化物层夹持反射层的三层构造。另外，在上部电极87与下部电极88之间，除了发光层92以外，也可以插入电子注入层、电子输送层、空穴输送层等。
在空穴注入层91能够使用氧化钨、氧化钼等高熔点金属氧化物。在反射层中能够应用光的反射率高的银合金、铝合金等。另外，ITO等导电性金属氧化物与铝的紧贴性不好。电极、接触孔等的界面例如在ITO和铝合金的情况下，容易产生电连接不良。银、银合金与ITO等导电性金属氧化物的紧贴性良好，并且ITO等导电性金属氧化物容易得到欧姆接触。
(有源元件68)
接下来，参照图9，对在显示装置DSP2中连接于下部电极88(像素电极)的有源元件68的构造进行说明。
图9作为有源元件68的一个例子，示出了采用顶栅构造的薄膜晶体管(TFT)的构造。另外，在图9中，为了简化说明，省略了显示装置基板400和密封层109。
栅极电极95与栅极布线(导电布线，第二导电布线)电气协作，驱动有源元件68。在第二实施方式中，第一触摸感测布线3(导电布线，第一导电布线)、第二触摸感测布线2(导电布线，第三导电布线)以及栅极布线(导电布线，第二导电布线)具有由第一导电性金属氧化物层6和第二导电性金属氧化物层4夹持铜合金层5的构成。另外，关于导电布线中的材料组分，第二实施方式也与第一实施方式相同。
沟道层58由与第一实施方式相同的基于氧化铟、氧化锑、氧化镓的氧化物半导体构成。具体而言，关于第二实施方式的薄膜晶体管所具备的形成沟道层的氧化物半导体，金属元素的原子比(不计数氧的原子比)设为In：Ga：Sb＝1：1：1。氧化物半导体中的氧化锑能够替换为氧化锌。
在本实施方式中，对使用有机EL发光层作为功能器件的情况进行了说明，但也能够代替有机EL发光层而使用微LED。在以薄膜晶体管驱动有机EL发光层或者微LED的情况下，薄膜晶体管的Vth(阈值电压)需要是均匀的。使用多晶硅半导体作为薄膜晶体管的沟道层的晶体管由于晶体管的Vth的偏差较大，因此不适合驱动电压高并且被要求均匀性的有机EL发光层或者微LED的驱动。具有由氧化物半导体形成的沟道层的薄膜晶体管其Vth的偏差较小，适合有机EL发光层或者微LED的驱动。
具备由氧化物半导体形成的沟道层的薄膜晶体管所进行的有机EL、LED的驱动，比具备由多晶硅半导体形成的沟道层的薄膜晶体管所进行的驱动更优选。
例如，被称为IGZO的氧化物半导体通过溅射等真空成膜一并形成。在氧化物半导体成膜之后，也一并进行TFT等图案形成后的热处理。因此，与沟道层相关的电特性(例如，Vth)的偏差极少。有机EL、LED的驱动为了抑制其亮度的偏差，需要将所述薄膜晶体管的Vth的偏差抑制在较小的范围内。
另一方面，在具有由多晶硅半导体形成的沟道层的薄膜晶体管中，需要对作为薄膜晶体管的前体的非晶硅按照晶体管的每一个实施激光退火，各个激光退火会导致薄膜晶体管的Vth的偏差。出于该观点，在具备有机EL、LED的显示装置中使用的薄膜晶体管优选的是，为具备由氧化物半导体形成的沟道层的薄膜晶体管。
另外，具备由氧化物半导体形成的沟道层的薄膜晶体管的泄漏电流极少，因此扫描信号、影像信号输入后的稳定性高。具备由多晶硅半导体形成的沟道层的薄膜晶体管与氧化物半导体的晶体管相比，泄漏电流大2位以上。其泄漏电流少，关系到高精度的触摸感测，较为优选。
作为沟道层58的材料，例如能够使用被称为IGZO的氧化物半导体。作为构成沟道层58的氧化物半导体的材料，能够使用含有如下金属氧化物的材料，该金属氧化物为含有从由镓、铟、锌、锡、铝、锗以及铈构成的组中选择的1种以上的金属氧化物、以及含有锑以及铋中的至少1种的金属氧化物。
在本实施方式中，将含有氧化铟、氧化镓、氧化锑等的氧化物半导体使用于沟道层。由氧化物半导体形成的沟道层58的材料也可以是单晶、多晶、微晶、微晶与非晶体的混合体、或非晶体中的任一种。关于形成沟道层的氧化物半导体，也可以形成在沟道层的厚度方向上载流子迁移率不同的多层的氧化物半导体。作为氧化物半导体的膜厚，能够设为2nm～50nm的范围内的膜厚。沟道层58也可以由多晶硅半导体形成。
而且，也可以采用层叠了两个薄膜晶体管而成的构造。作为一个例子，作为位于下层的薄膜晶体管，可以使用具备由多晶硅半导体形成的沟道层的薄膜晶体管。作为位于上层的薄膜晶体管，使用具备由氧化物半导体形成的沟道层的薄膜晶体管。在这种层叠了两个薄膜晶体管的构造中，薄膜晶体管在俯视时配置成矩阵状。在该构造中，通过多晶硅半导体获得较高的迁移率，通过氧化物半导体能够实现低泄漏电流。即，能够同时发挥多晶硅半导体的优点与氧化物半导体的优点这两方。
作为另一例子，也可以在显示装置基板400与阵列基板500相向的面上，在显示装置基板400以及阵列基板500的各个上形成薄膜晶体管。在该情况下，各薄膜晶体管能够具备由氧化物半导体形成的沟道层。
能够将氧化物半导体或多晶硅半导体使用于例如具有p/n结的互补型的晶体管的构成，或者，也能够在仅具有n型结的单沟道型晶体管的构成中使用。作为氧化物半导体的层叠构造，例如也可以采用层叠有n型氧化物半导体和电特性与该n型的氧化物半导体不同的n型氧化物半导体而成的层叠构造。层叠的n型氧化物半导体也可以由多层构成。在层叠的n型氧化物半导体中，能够使基底的n型半导体的带隙与位于上层的n型半导体的带隙不同。
也可以采用沟道层的上表面被例如不同的氧化物半导体覆盖的构成。也可以采用层叠有载流子迁移率、载流子浓度互不相同的多个氧化物半导体而成的多层构成。或者，例如也可以采用在结晶性的n型氧化物半导体上层叠有微晶的(接近非晶质的)氧化物半导体而成的层叠构造。这里，微晶是指例如将由溅射装置成膜出的非晶质的氧化物半导体在200℃以上且450℃以下的范围内进行热处理而得到的微晶状的氧化物半导体膜。或者，是指在将成膜时的基板温度设定为200℃左右的状态下成膜出的微晶状的氧化物半导体膜。微晶状的氧化物半导体膜是能够通过TEM等观察方法至少观察到1nm至3nm左右、或大于3nm的结晶粒的氧化物半导体膜。
氧化物半导体通过从非晶质变化为晶质，能够实现载流子迁移率的改善、可靠性的提高。作为氧化铟、氧化镓的氧化物的熔点较高。氧化锑(Sb2O3)、氧化铋(Bi2O3)的熔点都为1000℃以下，且氧化物的熔点较低。例如在采用氧化铟(In2O3)、氧化镓(Ga2O3)、以及氧化锑的三元复合氧化物的情况下，由于熔点较低的氧化锑的效果，能够降低该复合氧化物的结晶化温度。换言之，能够提供容易从非晶质状态结晶化为微晶状态等的氧化物半导体。氧化物半导体通过提高其结晶性，能够提高载流子迁移率。
本发明的实施方式的上述的氧化物半导体也能够在从室温(例如，25℃)至小于200℃的基板温度下成膜，并在沟道层的图案形成后的后续工序中例如通过250℃～350℃的低温退火来改善电特性。出于节省工序的观点，在薄膜晶体管形成后，与第二导电布线一起进行退火较为简便。另外，本发明的实施方式的氧化物半导体、导电布线相对于基底层(氧化硅等绝缘层)、玻璃基板具有极其牢固的紧贴性。
氧化物半导体在后续工序的湿式蚀刻中被要求易溶性，因此能够使用富含氧化锌、氧化镓或者氧化锑的复合氧化物。例如，作为使用于溅射的金属氧化物靶的金属元素的原子比(不计数氧的原子比)，能够例示In：Ga：Sb＝1：2：2、In：Ga：Sb＝1：3：3、In：Ga：Sb＝2：1：1、或In：Ga：Sb＝1：1：1。这里，Sb例如能够替换为Zn(锌)、Bi(铋)。以下，有时将氧化铟、氧化锑以及氧化镓的复合氧化物称作IAGO。
另外，也可以以In：Sb＝1：1的原子比设为氧化铟以及氧化锑的二元复合氧化物。例如，也可以以In：Bi＝1：1的原子比设为氧化铟以及氧化铋的二元复合氧化物。另外，在上述原子比中，也可以进一步增加In的含量。
例如，也可以在上述的复合氧化物中进一步添加Sn。在该情况下，可得到含有包含In2O3、Ga2O3、Sb2O3、以及SnO2的四元系的组分的复合氧化物，或者可得到含有包含In2O3、Sb2O3、以及SnO2的三元系的组分的复合氧化物，并能够调整载流子浓度。价数与In2O3、Ga2O3、Sb2O3、Bi2O3不同的SnO2起到载流子掺杂剂的作用。
另外，复合氧化物的组分并不限定于上述组分。
例如，使用在含有氧化铟、氧化镓以及氧化锑的三元金属氧化物中加入氧化锡而得到的靶来进行溅射成膜。由此，能够成膜出提高了载流子浓度的复合氧化物。同样，例如，能够通过使用氧化铟、氧化镓，氧化铋的三元金属氧化物中加入氧化锡而得到的靶来进行溅射成膜，成膜出提高了载流子浓度的复合氧化物。
但是，如果载流子浓度变得过高，则具有由复合氧化物形成的沟道层的晶体管的阈值Vth容易变为负的(容易变为常导通)。因此，期望的是调整氧化锡添加量，以使载流子浓度小于1×1018cm－3。另外，关于载流子浓度、载流子迁移率，通过调整上述复合氧化物的成膜条件(导入气体所使用的氧气、基板温度、成膜速率等)、成膜后的退火条件以及复合氧化物的组分等，能够获得希望的载流子浓度、载流子迁移率。例如，提高氧化铟的组分比易于提高载流子迁移率。例如，通过在200℃至700℃的温度条件下进行热处理的退火工序，能够促进上述复合氧化物的结晶化，使复合氧化物的载流子迁移率提高。
而且，也能够对同一像素各配设一个具有由n型氧化物半导体形成的沟道层的薄膜晶体管(有源元件)、和具有由n型硅半导体形成的沟道层的薄膜晶体管(有源元件)，并驱动LED、有机EL(OLED)这类发光层以发挥薄膜晶体管各自的沟道层的特性。在作为显示功能层而使用液晶层、有机EL(OLED)的情况下，能够采用n型的多晶硅薄膜晶体管作为向发光层施加电压(电流)的驱动晶体管，并采用n型氧化物半导体的薄膜晶体管作为向该多晶硅薄膜晶体管发送信号的开关晶体管。
根据上述第二实施方式，能够获得与第一实施方式相同的效果，并且实现具备由有机EL元件构成的发光层的显示装置DSP2。
(第二实施方式的变形例1)
在上述第二实施方式中，作为驱动器件，对发光层92形成于阵列基板500(第二基板)的构成进行了说明。驱动器件也可以不仅形成于阵列基板500，也形成于显示装置基板400(第一基板)。在该情况下，也可以在显示装置基板400以及阵列基板500的每一个形成驱动器件，以形成有驱动器件的面相向的方式使显示装置基板400以及阵列基板500贴合。供给向这样形成于两个基板的驱动器件施加的电信号的第二导电布线能够分别形成于两个基板。通过形成于显示装置基板400上的驱动器件，能够向作为导电布线的触摸布线施加触摸驱动电压。驱动器件能够设为具备由氧化物半导体形成的沟道层的薄膜晶体管。在该情况下，也可获得与上述实施方式相同的效果。
(第二实施方式的变形例2)
另外，在上述实施方式中，说明了采用有机电致发光层(有机EL)作为发光层92的构造。发光层92也可以是无机的发光二极管层。另外，发光层92也可以具有将无机的LED芯片以矩阵状排列的构造。在该情况下，也可以将红色发光、绿色发光、蓝色发光的各个微小的LED芯片安装在阵列基板500上。作为将LED芯片安装于阵列基板500的方法，也可以进行基于倒装的安装。即，发光二极管层(功能器件)设于与显示装置基板400对置的所述阵列基板500的面。
在发光层92由无机LED构成的情况下，作为发光层92，将蓝色发光二极管或者蓝紫色发光二极管配设于阵列基板500(基板45)。在形成氮化物半导体层和上部电极之后，对绿色像素层叠绿色荧光体，对红色发光的像素层叠红色荧光体。由此，能够在阵列基板500上简便地形成无机LED。在使用这种荧光体的情况下，通过从蓝紫色发光二极管产生的蓝色光下的激发，能够从绿色荧光体以及红色荧光体分别得到绿色发光以及红色发光。
或者，也可以作为发光层92而将紫外发光二极管配设于阵列基板500(基板45)。在该情况下，在形成氮化物半导体层和上部电极之后，对蓝色像素层叠蓝色荧光体，对绿色像素层叠绿色荧光体，对红色像素层叠红色荧光体。由此，能够在阵列基板500上简便地形成无机LED。在使用这种荧光体的情况下，例如能够通过印刷法等简便的方法形成绿色像素、红色像素、或者蓝色像素。关于这些像素，出于各个颜色的发光效率、颜色平衡的观点，期望的是调整像素的大小。
(第二实施方式的变形例3)
在上述实施方式中，检测在第一触摸感测布线3(第一导电布线)与第二触摸感测布线2(第三导电布线)之间产生的静电电容的变化，进行触摸感测。也能够将第一触摸感测布线3以及第二触摸感测布线2中的一方的导电布线使用于例如RFID(IC卡等)的读取器。
触摸驱动的频率为几KHz，使用于RFID的频率为13.56MHz，频率不同。例如，也可以在显示装置DSP2设有从触摸驱动的频率向RFID的频率切换的切换开关。或者，通过以时分割方式对导电布线的驱动频率进行切换等，能够将显示装置DSP2用作RFID的读取器。而且，能够在电子结算系统、近距离通信系统中应用本发明的实施方式的显示装置DSP2。切换开关也可以是显示于显示装置DSP2的显示画面的图像的一部分。
通过调整导电布线的膜厚、线宽、图案形状等，能够将RFID的读取器的功能安装于显示装置DSP2。这里，图案形状指的是，与使用的频率对应地调整例如单极、偶极、环形等天线形状。例如，为了使RFID的读取器的接收灵敏度提高，也可以在剖视时在导电布线的下部隔着高介电常数的绝缘层而设为第四导电布线，第五导电布线等的层叠构成。而且，也可以在阵列基板500上形成由驱动器件驱动的阻抗匹配电路(共振频率的调整)，进而与设于显示装置基板400的天线进行电连接。另外，使用于RFID的频率也可以使用VHF、UHF等更高的频率。
根据上述变形例，能够获得与第二实施方式相同的效果，并且能够实现具备RFID的读取器的功能的显示装置DSP2。
(第三实施方式)
以下，参照附图对本发明的第三实施方式进行说明。
在第三实施方式中，对与第一实施方式以及第二实施方式相同的部件标注同一附图标记，省略或者简化其说明。
图10是局部表示本发明的第三实施方式的显示装置DSP3的剖面图。图11是局部表示构成本发明的第三实施方式的显示装置DSP3的显示装置基板600的剖面图，并且是放大表示由附图标记P表示的触摸感测布线(第一导电布线)的放大剖面图。图12是局部表示构成本发明的第三实施方式的显示装置的阵列基板700的俯视图，并且是沿着图10所示的D－D’线的图。图13是局部表示本发明的第三实施方式的显示装置的剖面图，并且是沿着图12所示的E－E’线的图。
在第三实施方式中，功能器件是液晶层，驱动器件是薄膜晶体管(有源元件)。
如图10～图12所示，第三实施方式的显示装置DSP3具有显示装置基板600(第一基板)、阵列基板700(第二基板)、以及配置于显示装置基板600与阵列基板700之间的液晶层800。
显示装置基板600具备透明基板65(基板主体)和配置于透明基板65上的第一触摸感测布线611。阵列基板700具备透明基板62、第二触摸感测布线774(导电布线，第三导电布线)、以及源极布线66(导电布线，第二导电布线)。显示装置基板600以及阵列基板700经由液晶层800而贴合。
如图10以及图11所示，显示装置基板600具备夹持第一触摸感测布线611(导电布线，第一导电布线)的第一光吸收层604以及第二光吸收层605。第一光吸收层604是为了提高观察者观察显示装置DSP3的显示面时的可视性而设置的。第二光吸收层605是为了抑制从背光单元(未图示)产生的再次反射光或在显示部110的内部传播的反射光入射到薄膜晶体管的开口部、并减少影像显示的噪声而形成的。另外，滤色器51(RGB)也可以从显示装置基板600中省略。
第三实施方式的第一触摸感测布线611与第二触摸感测布线774在俯视时正交，能够用作触摸感测中的检测布线或驱动布线。第二触摸感测布线774在俯视时与栅极布线75平行，源极布线66承担作为影像信号线的源极布线的作用。
液晶层800是水平取向的液晶，由在阵列基板700上的像素电极71与共用电极72之间产生的边缘电场驱动。在图10中，省略了取向膜、偏光板等光学薄膜的图示。
在图13中，通过检测位于纸面里侧的第一触摸感测布线611(由虚线所示)和配设于阵列基板700的绝缘层723上的第二触摸感测布线774之间的静电电容C3的变化，进行触摸感测。在从观察者观察的俯视时，第一触摸感测布线611与第二触摸感测布线774正交。
如图12所示，像素电极71沿X轴方向延伸，按每个像素配设。如图13所示，像素电极71设置在绝缘层723上，配设于与液晶层800对置的阵列基板700的面。
在阵列基板700上隔着绝缘层721配设有向像素电极71施加液晶驱动电压的薄膜晶体管73(有源元件)。薄膜晶体管73具备栅极电极76、源极电极77、漏极电极78、以及沟道层79。栅极电极76与栅极布线75电气协作。源极电极77与源极布线66电气协作。
沿Y方向延线的第二触摸感测布线774与栅极布线75平行，并配设于俯视时重叠的位置。沿与Y方向正交的X方向延线的第一触摸感测布线611与作为第二导电布线的源极布线66平行，并配设于俯视时重叠的位置。
第一触摸感测布线611、源极布线66、以及第二触摸感测布线774的分别具有铜合金层5被第一导电性金属氧化物层6和第二导电性金属氧化物层4夹持的构成。
在第三实施方式中，铜合金层5使用钙3at％、锌0.6at％、其余部分为铜的铜合金。铜合金层5的电阻率约为3μΩcm。另外，铜合金层5的电阻率根据铜合金层5的成膜方法、退火条件而可能有±30％左右的变化。在铜合金层5被第一导电性金属氧化物层6和第二导电性金属氧化物层4夹持的构成中，大多通过热处理(退火)改善电阻率。
关于第三实施方式中的第一导电性金属氧化物层6以及第二导电性金属氧化物层4各自的组分，在不计数氧的元素的比例下，锌为4at％，锑为4at％，其余部分为铟。如上述那样，若锌的添加量超过10at％，则导电性金属氧化物层的耐碱性降低，因此优选的是锌的添加量小于10at％。
锌、镓以及锑合计后的添加量的上限为15at％。虽然也受电安装的条件的影响，但例如若锌、镓、以及锑合计后的添加量超过16at％，则表面电阻变大，担心难以取得欧姆接触。
锌、镓以及锑合计后的添加量的下限为0.2at％。在该添加量小于0.2at％的情况下，在对导电性金属氧化物层进行退火处理等的热处理中，氧化铟复合氧化物的晶粒容易异常生长，容易成为不稳定的导电性金属氧化物层。
(薄膜晶体管73)
关于形成第三实施方式的薄膜晶体管所具备的沟道层的氧化物半导体，金属元素的原子比(不计数氧的原子比)设为In：Ga：Sb＝1：1：1。氧化物半导体中的氧化锑能够替换为氧化锌。栅极绝缘层由氧化铈形成。
在第三实施方式中，源极布线66为第二导电布线。第二导电布线与第一实施方式、第二实施方式相同，是由第一导电性金属氧化物层和第二导电性金属氧化物层夹持铜合金层而成的构成。源极电极77、漏极电极78在形成源极布线66的相同的工序中由与上述导电布线相同的构成及/或材料形成。本实施方式中的导电布线承担向所述薄膜晶体管发送影像信号的作用。
在第一实施方式以及第三实施方式的显示装置的有源矩阵驱动中，也可以按每一个像素使用两条栅极布线作为扫描信号线(栅极布线)。在该情况下，例如，奇数行的扫描信号线与偶数行的扫描信号线被写入相反极性的数据。也可以在某一显示期间内，向邻接的像素的奇数列与偶数列分别写入相反极性的数据，在下一显示期间分别写入与之前的显示期间相反极性的数据(例如，日本特开平7－181927号公报所记载)。通过采用这种布线构造、驱动方法，能够减少显示装置的功耗，并且能够减少对触摸感测带来影响的噪声。
在将上述液晶驱动方法应用于本发明的情况下，在任一方法中，每一像素的有源元件(TFT)的个数可以是一个以上，也可以是多个。在本发明中能够应用上述的液晶驱动技术。
例如，上述的实施方式的显示装置能够进行各种应用。作为上述的实施方式的显示装置所能够应用的电子设备，能够举出移动电话、便携式游戏机、便携信息终端、个人笔记本电脑、电子书、摄像机、数字照相机、头戴显示器、导航系统、声音再现装置(车辆音频、数字音频播放器等)、复印机、传真、打印机、打印复合机、自动贩卖机、自动存取款机(ATM)、个人认证设备、光通信设备等。上述各实施方式可以自由地组合使用。
对本发明的优选实施方式进行说明，虽然通过上述进行了说明，但这些是本发明的例示的实施方式，应理解为不应该限于此。可以不脱离本发明的范围地进行追加、省略、替换以及其他变更。因此，本发明不应该视为被上述说明限定，而是被权利要求书限制。
附图标记说明
2、774 第二触摸感测布线(导电布线，第三导电布线)
3、611 第一触摸感测布线(导电布线，第一导电布线)
4 第二导电性金属氧化物层
5 铜合金层
6 第一导电性金属氧化物层
8 黑色层
9 侧面
10、75 栅极布线
11 第一绝缘层(绝缘层)
12 第二绝缘层(绝缘层)
13 第三绝缘层(绝缘层)
14 第四绝缘层(绝缘层)
16 透明树脂层
17、72 共用电极
17A 电极部
17B 导电连接部
17K 壁部
20 像素电极
20K 内壁
20S 贯通孔
21、22、44、62、65 透明基板
24、77 源极电极
25、76、95 栅极电极
26、56、78 漏极电极
27 沟道层
28、68 有源元件
30 公共布线
31、66 源极布线
45 基板
51 滤色器
58 沟道层
71 像素电极
73 薄膜晶体管
79 沟道层
87 上部电极
88 下部电极
91 空穴注入层
92 发光层
93 接触孔
94 隆起部
96 平坦化层
100、400、600 显示装置基板
105 第二透明树脂层
108 第一透明树脂层
109 密封层
110 显示部
120 控制部
121 影像信号控制部
122 触摸感测控制部
123 系统控制部
200、500、700 阵列基板
300、800 液晶层
604 第一光吸收层
605 第二光吸收层
721 绝缘层
723 绝缘层

Claims (15)

1.一种显示装置，其中，具备：
第一基板；
功能器件；以及
第二基板，具有导电布线、和根据向所述导电布线施加的电信号来驱动所述功能器件的驱动器件，与所述第一基板对置配置，
所述导电布线由通过第一导电性金属氧化物层和第二导电性金属氧化物层夹持铜合金层而得到的三层构成，
所述铜合金层包含第一元素和第二元素，所述第一元素固溶于铜，所述第二元素的电负性比铜以及所述第一元素小，
所述第一元素以及所述第二元素是添加于铜的情况下的电阻率上升率为1μΩcm/at％以下的元素，
所述铜合金层的电阻率在1.9μΩcm至6μΩcm的范围内。
2.一种显示装置，其中，具备：
具有第一导电布线的第一基板；
功能器件；以及
第二基板，具有第二导电布线、和根据向所述第二导电布线施加的电信号来驱动所述功能器件的驱动器件，与所述第一基板对置配置，
所述第一导电布线以及所述第二导电布线分别由通过第一导电性金属氧化物层和第二导电性金属氧化物层夹持铜合金层而得到的三层构成，
所述铜合金层包含第一元素和第二元素，所述第一元素固溶于铜，所述第二元素的电负性比铜以及所述第一元素小，
所述第一元素以及所述第二元素是添加于铜的情况下的电阻率上升率为1μΩcm/at％以下的元素，
所述铜合金层的电阻率在1.9μΩcm至6μΩcm的范围内。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，具备：
第三导电布线，设于所述第一基板或者所述第二基板，沿俯视时与所述第一导电布线延伸的方向正交的方向延伸；以及
控制部，检测所述第一导电布线与所述第三导电布线之间的静电电容的变化而进行触摸感测，
所述第三导电布线由通过第一导电性金属氧化物层和第二导电性金属氧化物层夹持铜合金层而得到的三层构成，
所述铜合金层包含第一元素和第二元素，所述第一元素固溶于铜，所述第二元素的电负性比铜以及所述第一元素小，
所述第一元素以及所述第二元素是添加于铜的情况下的电阻率上升率为1μΩcm/at％以下的元素，
所述铜合金层的电阻率在1.9μΩcm至6μΩcm的范围内。
4.如权利要求1至3中任一项所述的显示装置，其中，
所述第一元素是锌，所述第二元素是钙。
5.如权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其中，
所述第一导电性金属氧化物层以及所述第二导电性金属氧化物层是如下导电性金属氧化物：
含有氧化铟作为主要的导电性金属氧化物，并且含有从由氧化锑、氧化锌以及氧化镓构成的组中选择的一种以上。
6.如权利要求1或2所述的显示装置，其中，
所述驱动器件是如下薄膜晶体管：具有与栅极绝缘层接触并且由氧化物半导体构成的沟道层，并且驱动所述功能器件，
所述驱动器件设于所述第二基板的与所述第一基板对置的面。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述驱动器件具备设于栅极绝缘层上的栅极电极，
所述栅极电极构成所述导电布线的一部分。
8.如权利要求2所述的显示装置，其中，
所述驱动器件具备设于栅极绝缘层上的栅极电极，
所述栅极电极构成所述第二导电布线的一部分。
9.如权利要求6所述的显示装置，其中，
所述氧化物半导体含有从由氧化铟、氧化镓、氧化锌构成的组中选择的一种以上，并至少包含氧化锑、氧化铋中的某一方。
10.如权利要求6所述的显示装置，其中，
所述栅极绝缘层是包含氧化铈的氧化物或者包含氧化铈的氮氧化物。
11.如权利要求6所述的显示装置，其中，
所述功能器件是有机电致发光层，
所述有机电致发光层设于所述第二基板的与所述第一基板对置的面。
12.如权利要求6所述的显示装置，其中，
所述功能器件是发光二极管层，
所述发光二极管层设于所述第二基板的与所述第一基板对置的面。
13.如权利要求6所述的显示装置，其中，
所述功能器件是液晶层，
所述液晶层配设于所述第一基板与所述第二基板之间。
14.一种显示装置基板，其中，具备：
基板主体；
黑矩阵，设于所述基板主体上；以及
第一触摸感测布线，设于俯视时与所述黑矩阵对应的位置，
所述第一触摸感测布线由通过第一导电性金属氧化物层和第二导电性金属氧化物层夹持铜合金层而得到的三层构成，
所述铜合金层包含第一元素和第二元素，所述第一元素固溶于铜，所述第二元素的电负性比铜以及所述第一元素小，
所述第一元素以及所述第二元素是添加于铜的情况下的电阻率上升率为1μΩcm/at％以下的元素，
所述铜合金层的电阻率在1.9μΩcm至6μΩcm的范围内。
15.如权利要求14所述的显示装置基板，其中，具备：
绝缘层，覆盖所述第一触摸感测布线；以及
第二触摸感测布线，沿俯视时与所述第一触摸感测布线延伸的方向正交的方向延伸，在俯视时与所述黑矩阵对应的位置处设于所述绝缘层上，
所述第二触摸感测布线由通过第一导电性金属氧化物层和第二导电性金属氧化物层夹持铜合金层而得到的三层构成，
所述铜合金层包含第一元素和第二元素，所述第一元素固溶于铜，所述第二元素的电负性比铜以及所述第一元素小，
所述第一元素以及所述第二元素是添加于铜的情况下的电阻率上升率为1μΩcm/at％以下的元素，
所述铜合金层的电阻率在1.9μΩcm至6μΩcm的范围内。
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