JP2008261895A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明では、液晶表示装置を構成するTFT基板の電極端子において、絶縁体上に形成された電極端子は、銅を主体とした導電層と、当該銅を主体とした導電層を被覆する酸化物からなり、さらに、当該酸化物は、透明電極との積層となる構造を有し、当該積層部がオーミック接合であることを有し、かつ、当該酸化物が酸化マンガンを主とすることを特徴とする。
【選択図】図21
Description
これらのいずれの文献においても、外部引き出し電極構造に言及していない。しかし、外部引き出し電極構造には、基板との高い密着性、使用される環境への耐性、外部引き出し部の電気的接合としての安定性が求められ、液晶表示装置の重要は構成要素である。
〔オーミック接合〕
[Cu合金]
[シェーディング]
ところで、a−Si TFTのスイッチング時間は容量負荷を駆動することとa−Siの移動度が低く0.3−1.0であることからμs オーダーであ。従って、ゲート電圧 パルス幅16.7μsの間にTFTのスイッチ・オンに数μsを要する。
その伝播速度は、ゲート配線の抵抗値とゲート配線に寄生する電気容量が増大すると遅くなる。これをゲート電圧パルスの伝播遅延という。この伝播遅延が大きくなると、液晶層駆動電圧の書き込み時に書き込みに十分な時間を得られなくなり、各画素の液晶駆動電圧が所定の値に達することが出来なくなる。このため、液晶層の透過率にムラが生じ、すなわち、画面の明るさにムラが生ずる、シェーディングの原因になる。もちろん、上述したIPS液晶およびVA液晶でも、同様にシェーディングの原因になり得る。
[ガラスとの密着性]
[製造プロセス]
[有機EL]
1 LCDパネル
2 駆動回路
3 バックライト
4 シャーシ
11 TFT基板
12 カラーフィルタ基板
13 液晶層(LC層)
14 スペーサ
15 シール
17 配向膜
18 偏光フィルム
19 偏光フィルム
21 LCDドライバLSI・チップ
22 多層プリント板(PCB)
23 コントロール回路
31 画素部
32 TFT部
33 ゲート配線
34 信号配線
36 アモルファス・シリコン(a−Si)
37 ゲート絶縁膜
38 ランプ
39 導光板
43 チャネルエッチ部
44 保護膜
46 ソース及びドレイン電極の酸化物層
51 薄膜
52 マスク
53 レジスト
71 ITO膜
111 TFT
112 保持容量(CS)
113 画素電極
121 ブラックマトリックス(BM)
122 カラーフィルタ(CF)
123 共通電極
161 ショート部分
162 接続パッド
181 基板
182 駆動TFT部
183 TFTの電極
184 有機EL素子
185 陰極
186 陽極(透明電極)
187 発光
191 有機El素子
192 駆動TFT
193 スイッチTFT
194 走査線
195 信号線
196 電源線
198 画素領域
201 ガラス基板
202 陽極(ITO)
203 ホール輸送層(HTL)
204 発光層(EML)
205 電子輸送層(ETL)
206 陰極
351 ゲート電極
352 ソース電極
353 ドレイン電極
Claims (21)
- 液晶表示装置を構成するTFT基板の電極端子において、前記絶縁体上に形成された電極端子は、銅を主体とした層と、当該銅を主体とした層を被覆する酸化物からなり、さらに、当該酸化物は、透明電極の積層となる構造を有し、当該積層部がオーミック接合であることを特徴とする液晶表示装置。
- 前記酸化物の主成分が、Mnであり、かつ前記酸化物の副成分が、Cuであること、を特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記酸化物は、組成式がCuXMnYSiZO(0<X<Y,0<Z<Y)であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記絶縁体上に形成された電極端子は、保護膜に覆われており、前記透明電極は、当該保護膜の開口部を介して、前記酸化物と接触していることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記銅を主体とした層は、銅合金から形成され、該銅合金の添加元素は、Mnであること、を特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記Mnの添加量が、0.5−25 at % であること、を特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記酸化物の層が、Cu およびSiを含むこと、を特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 液晶表示装置を構成するTFT基板の外部引き出し電極端子であって、絶縁体上に形成された当該電極端子は、二つの異なる絶縁層あるいは絶縁物に挟持された構造を有し、これらは銅を主成分とした第一の層と、当該第一の層の外周部を被覆する酸化物からなる第二の層からなり、さらに前記第二の層の組成式が、CuXMnYSiZO(0<X<Y,0<Z<Y)であること、を特徴とする液晶表示装置。
- 前記第一の層は、銅合金から形成され、該銅合金の添加元素は、Mn、Zn、Ga、Li、Ge、Sr、Ag、In、Sn、Ba、Pr 及びNd からなる群から選択された少なくとも1種の金属であること、を特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記第一の層は、銅合金から形成され、該銅合金の添加元素は、Mnであること、を特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記Mnの添加量が、0.5−25 at % であること、を特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記第二の層の主成分が、Mnであり、かつ前記第二の層の副成分が、Cuであること、を特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記配線あるいは電極を挟持する絶縁層あるいは絶縁膜がガラスを含むこと、を特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記第二の層が、Cu およびSiを含むこと、を特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 液晶表示装置のTFT基板上の外部引き出し電極において、ガラス上に形成された銅を主とした銅合金層が、およそ150℃乃至300℃の加熱処理をすることによって、該銅合金の添加元素、銅及びガラス中の酸化珪素と反応して、該銅合金層の外周部を被覆する酸化物を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
- 前記銅合金層の加熱処理の温度が、およそ250℃をピークにコンタクト抵抗が減少すること、を特徴とする請求項15に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記銅合金層の外周部を被覆する酸化物の膜厚が、1−30nmであること、を特徴とする請求項15に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 液晶表示装置を構成するTFT基板の外部引き出し電極端子であって、絶縁体上に形成された当該電極端子は、二つの異なる絶縁層あるいは絶縁物に挟持された構造を有し、これらは銅を主成分とした第一の層と、当該第一の層の外周部を被覆する酸化物からなる第二の層からなり、さらに前記第二の層の組成式が、CuXMnYSiZO(0<X<Y,0<Z<Y)であること、を特徴とする有機EL表示装置。
- 前記第一の層は、銅合金から形成され、該銅合金の添加元素は、Mn、Zn、Ga、Li、Ge、Sr、Ag、In、Sn、Ba、Pr 及びNd からなる群から選択された少なくとも1種の金属であること、を特徴とする請求項18に記載の有機EL表示装置。
- 前記第一の層は、銅合金から形成され、該銅合金の添加元素は、Mnであること、を特徴とする請求項18に記載の有機EL表示装置。
- 前記Mnの添加量が、0.5−25 at % であること、を特徴とする請求項20に記載の有機EL表示装置。
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