CN110168388A - 电子装置以及连接体 - Google Patents

电子装置以及连接体 Download PDF

Info

Publication number
CN110168388A
CN110168388A CN201780081394.XA CN201780081394A CN110168388A CN 110168388 A CN110168388 A CN 110168388A CN 201780081394 A CN201780081394 A CN 201780081394A CN 110168388 A CN110168388 A CN 110168388A
Authority
CN
China
Prior art keywords
terminal
main terminal
head
encapsulation part
sense
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201780081394.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN110168388B (zh
Inventor
梅田宗一郎
森永雄司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Publication of CN110168388A publication Critical patent/CN110168388A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110168388B publication Critical patent/CN110168388B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2644—Adaptations of individual semiconductor devices to facilitate the testing thereof
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/0092—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof measuring current only
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2856—Internal circuit aspects, e.g. built-in test features; Test chips; Measuring material aspects, e.g. electro migration [EM]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2884—Testing of integrated circuits [IC] using dedicated test connectors, test elements or test circuits on the IC under test
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2896—Testing of IC packages; Test features related to IC packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H01L23/4951—Chip-on-leads or leads-on-chip techniques, i.e. inner lead fingers being used as die pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/49524—Additional leads the additional leads being a tape carrier or flat leads

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Details Of Connecting Devices For Male And Female Coupling (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

电子装置，具有：封装部90；第一主端子11，从所述封装部90向外侧突出；第二主端子12，从所述封装部90向外侧突出；电子元件95，其正面与所述第一主端子11电连接，背面与所述第二主端子12电连接，且被设置在所述封装部90内；头部40，与所述电子元件95的正面相连接；正面侧传感端子13，从所述封装部90向外部突出，用于传感；以及连接部35，与所述头部40形成为一体，且与所述正面侧传感端子13电连接，其中，流通所述正面侧传感端子13以及所述连接部35内的电流的传感电流流路与流通所述第二主端子12、所述电子元件95以及所述第一主端子11的主电流流路不重复。

Description

电子装置以及连接体
技术领域
本发明涉及电子装置以及连接体。
背景技术
以往，被普遍认知的是将半导体元件放置在基板的导体层上，并通过焊锡将该半导体元件的正面与端子用导线与连接件进行连接。此外，有时会以检测半导体元件中的电压为目的而使用传感(sensing)端子(特开平7-245401号)。由于这种传感端子被连接在与连接件的基端部相连接的导体层上，因此用于测量半导体元件的电压的传感电流流路会与流通半导体元件的电流流路在一部分上重复，并且连接件的布线电阻部分的电压降会对通过传感端子检测出的电压带来影响。
鉴于上述课题，本发明的目的，是提供一种电子装置以及连接体，能够在尽可能不受到由布线电阻所产生的影响的情况下，检测出电子元件的正确电压。
发明内容
本发明的一例涉及的电子装置的特征在于，包括：
封装部；
第一主端子，从所述封装部向外侧突出；
第二主端子，从所述封装部向外侧突出；
电子元件，其正面与所述第一主端子电连接，背面与所述第二主端子电连接，且被设置在所述封装部内；
头部，与所述电子元件的正面相连接；
传感端子，从所述封装部向外部突出，用于传感；以及
连接部，与所述头部一体形成，且与所述传感端子电连接，
其中，流通传感电流流路中的所述传感端子以及所述连接部内的电流与流通所述第二主端子、所述电子元件以及所述第一主端子的主电流流路不重复。
在本发明的一例涉及的电子装置中，
所述传感端子以及所述连接部与所述头部一体形成。
在本发明的一例涉及的电子装置中，
所述第一主端子与所述头部一体形成。
本发明的一例涉及的电子装置，进一步包括：
基端部，与所述头部一体形成，且在所述封装部内与导体层相连接。
本发明的一例涉及的电子装置的特征在于：
其中，所述电子元件具有耐压构造，
所述电子装置进一步包括：回避部，与所述头部一体形成，且用于回避与所述耐压构造之间的接触。
本发明的一例涉及的连接体，被用于电子装置中，所述电子装置具有：封装部、从所述封装部向外侧突出的第一主端子、从所述封装部向外侧突出的第二主端子、以及正面与所述第一主端子电连接，背面与所述第二主端子电连接，且被设置在所述封装部内的电子元件，其特征在于，包括：
头部，与所述电子元件的正面相连接；以及
连接部，与从所述封装部向外部突出后用于传感的传感端子电连接，且与所述头部形成为一体，
其中，流通传感电流流路中的所述连接部内的电流的传感电流流路与流通所述第二主端子、所述电子元件以及所述第一主端子的主电流流路不重复。
发明效果
在本发明中，由于头部与连接部是一体形成的因此就能够尽可能地防止由布线电阻所产生的影响，并且由于流通传感电流流路中的连接部内的电流与流通第一主端子、电子元件以及第二主端子的主电流流路不重复，所以也能够防止因主电流流路而引起的由布线电阻所产生的影响。因此，就能够更为正确地检测出电子元件的电压。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式涉及的半导体装置的斜视图。
图2是展示在本发明的第一实施方式涉及的半导体装置中，将封装部去除后的形态的斜视图。
图3是将图2所示的形态从侧面进行观看后的侧面图。
图4是将图3放大后的侧面图。
图5是将图2所示的形态放大后的斜视图。
图6是展示在本发明的第一实施方式中所使用的头部、回避部等关系的底面图。
图7是展示在本发明的第一实施方式中，使用夹具来设置连接体的形态的侧面图。
图8是展示连接部与正面侧传感端子是相互独立的形态的侧面图。
图9是展示在本发明的第二实施方式中所使用的连接体的斜视图。
具体实施方式
第一实施方式
《构成》
作为本实施方式的电子装置一例的半导体装置如图1所示，具有：由封装树脂等构成的封装部90、从封装部90向外侧突出的第一主端子11、以及从封装部90向外侧突出的第二主端子12。半导体装置如图2所示，具有：正面与第一主端子11电连接，背面与第二主端子12电连接，且被设置在封装部90内的半导体元件95、与半导体元件95的正面相连接的头部40、从封装部90向外部突出，用于源极侧的传感的正面侧的传感端子13(以下称为“正面侧传感端子13”)、以及与头部40一体形成，且与正面侧传感端子13电连接的连接部35。流通传感电流流路中的正面侧传感端子13以及连接部35内的电流流路与流通第二主端子12、半导体元件95以及第一主端子11的主电流流路不重复(参照图5)。在本实施方式中，虽然是使用流通主电流的第一主端子11来作为第一端子，使用流通主电流的正面侧传感端子13来作为第二端子进行说明的，但是并不仅限于此。也能够采用在第一端子不流通主电流，第二端子不用于传感的形态。
在本实施方式中，虽然是使用半导体装置来作为电子装置，使用半导体元件95来作为电子元件进行说明的，但是不仅限于此，其不必特别是“半导体”。
如图2所示，半导体装置具有：例如是由绝缘性材料所构成的基板5、以及设置在基板5上的由铜等构成的导体层70。如图4所示，在基板5的背面设置有由铜等构成的散热板79。
在图2所示的形态中，第二主端子12与导体层70相连接，且第二主端子12通过导体层70与半导体元件95的背面相连接。在第二主端子12与导体层70之间的连接部位的周缘处，设置有用于防止焊锡等导电性粘合剂流出的抗蚀剂(不进行图示)。半导体元件95的背面与导体层70通过焊锡等导电性粘合剂相连接。头部40与半导体元件95的正面也是通过焊锡等导电性粘合剂75相连接(参照图4)。
半导体元件95具有保护环等耐压构造。在半导体元件95具有这种耐压构造的情况下，如图3所示，其设置有与头部40一体形成，且用于回避与耐压构造之间的接触的回避部31、32。该回避部31、32与半导体元件95的耐压构造对应设置，且根据保护环等耐压构造的配置位置、平面方向的粗细等预先设计。
回避部31、32具有：设置在第一主端子11以及头部40之间的第一回避部31、设置在正面侧传感端子13以及头部40之间的第二回避部32。第一回避部31是以与半导体元件95隔开的方式凹陷的第一凹部31a，第二回避部32是以与半导体元件95隔开的方式凹陷的第二凹部32a。在图7中，展示了没有使用凹部的形态。
第一主端子11以及第二主端子12是流通有大容量电流的功率端子。并且，主电流流路被形成为：通过第二主端子12、导体层70、半导体元件95的背面与正面、头部40、第一回避部31以及第一主端子11(参照图2)。另一方面，传感电流流路被形成为：通过半导体元件95的正面、头部40、第二回避部32、连接部35以及正面侧传感端子13。并且，从半导体元件95的正面流向头部40的电流在一方沿着主电流流路通过第一回避部31以及第一主端子11，在另一方则沿着传感电流流路通过第二回避部32、连接部35以及正面侧传感端子13。
如图2所示，正面侧传感端子13以及连接部35与头部40是一体形成的。但也不限于此，例如图8所示，虽然连接部35与头部40是一体形成的，但是连接部35与正面侧传感端子13也可以是相互独立的。作为其中一例，连接部35的背面可以通过导电性粘合剂等与正面侧传感端子13的正面电连接。
如图2所示，第一主端子11与头部40是一体形成的。在第一主端子11与头部40是一体形成的情况下，如图3以及图4所示，第一主端子11不与导体层70连接，而是与导体层70分离设置。此外，在该形态中，可以在第一主端子11的下方不设置导体层70，第一回避部31可以在其中途从封装部90的侧面向外部露出，也可以是在紧接着第一回避部31之后第一主端子11从封装部90的侧面向外部露出。
在第一主端子11与头部40是一体形成，且正面侧传感端子13、连接部35以及头部40也是一体形成的情况下，如图3以及图7所示，第一主端子11的背面侧的高度与正面侧传感端子13的背面侧的高度是相互对应的。这里的高度相互对应是指：第一主端子11与正面侧传感端子13的厚度差在10％的范围内。在第一主端子11与正面侧传感端子13的厚度T0是相同的情况下，第一主端子11的背面侧的高度与第二主端子12的背面侧的高度之间的偏差在该厚度T0的10％以内，也就是在小于等于0.1T0的范围内。在第一主端子11与正面侧传感端子13的厚度是不相同的情况下，第一主端子11的背面侧的高度与第二主端子12的背面侧的高度之间的偏差在第一主端子11与正面侧传感端子13两者间厚度为较厚一方的厚度T1的10％以内，也就是在小于等于0.1T1的范围内。第一主端子11的背面侧的高度与正面侧传感端子13的背面侧的高度也可以相一致。在相一致的情况下，第一主端子11的背面侧的高度与正面侧传感端子13的背面侧的高度之间的偏差在制造误差的范围内。
此外，在第一主端子11与头部40是一体形成，且连接部35与头部40也是一体形成的情况下，第一主端子11的背面侧的高度与连结于连接部35的正面侧传感端子13的背面侧的高度也可以相互对应(参照图8)。这里的高度相互对应是指：与之前所述的形态相同，第一主端子11与正面侧传感端子13的厚度差在10％的范围内。第一主端子11的背面侧的高度与正面侧传感端子13的背面侧的高度也可以相一致。在相一致的情况下，第一主端子11的背面侧的高度与正面侧传感端子13的背面侧的高度之间的偏差在制造误差的范围内。此外，在本实施方式中“连结”也包含成为“一体”的形态。
如图2以及图3所示，正面侧传感端子13以及连接部35与第一主端子11从头部40向反方向延伸设置。在这种情况下，可以将第一主端子11与正面侧传感端子13作为用于接受夹具99的夹具座来使用(图7)。只是，正面侧传感端子13以及连接部35与第一主端子11只要在从头部40进行观看时是向不同的方向延伸即可，并不仅限于此。例如，正面侧传感端子13以及连接部35与第一主端子11可以以形成90度或比90度更大的角度(钝角)的方式进行延伸。
如图6所示，头部40具有：向半导体元件95侧突出的第二凸部42、以及从第二凸部42向半导体元件95侧突出的第一凸部41。
在图2所示的形态中，作为其中一例，第一回避部31、头部40以及第二回避部32的宽度比正面侧传感端子13以及连接部35的宽度更大，第一主端子11以及第二主端子12的宽度比第一回避部31、头部40以及第二回避部32的宽度更大。
由于不需要对传感电流流路流通大容量的电流，因此第二回避部32、连接部35以及正面侧传感端子13的宽度可以收窄。作为其中一例，第二回避部32、连接部35以及正面侧传感端子13其各自的宽度可以收窄，并可以是小于等于头部40的宽度的3分之1或5分之1。其中，在图2所示的形态中，虽然第二回避部32的头部侧的宽度变大了，但是成为这种形态不是必要的形态。只是，如图2所示般由于第二回避部32的头部侧的宽度变大，使头部侧的宽度与头部40的宽度相对应，因此就能够准确地确保第二回避部32的平面形头部40的宽度。也就是说，虽然在形成头部40、第二回避部32等时有想到对铜板等导电性部件进行钻孔，但是从准确地确保头部40的宽度的观点来看，理想的情况是将与头部40相邻的第二回避部32的宽度设为与头部40的宽度是相同的程度。另一方面，在或多或少地牺牲头部40的宽度的情况下，也可以考虑将第二回避部32的宽度整体收窄。
在图1所示的形态中，第二主端子12、正面侧传感端子13、背面侧传感端子14以及控制端子15从封装部90的一侧的侧面向外侧突出，第一主端子11从封装部90的另一侧的侧面向外侧突出。第一主端子11、第二主端子12、正面侧传感端子13、背面侧传感端子14以及控制端子15向正面侧弯曲，并与设置在正面侧的控制基板(不进行图示)相连接。该控制基板用于对半导体元件95进行控制。
半导体装置的封装部90内的构造可以成为线对称。作为其中一例，第一主端子11、第二主端子12、正面侧传感端子13、背面侧传感端子14、控制端子15以及导体层70其各自可以配置为对任意的直线呈线对称。其中，在图2中也展示了导线19。
《作用·效果》
下面，对由上述结构所构成的本实施方式的作用·效果进行说明。
根据本实施方式，由于头部40与连接部35是一体形成的，因此就能够尽可能地防止由布线电阻所产生的影响。并且，由于流通传感电流流路中的正面侧传感端子13以及连接部35内的电流与流通第一主端子11、半导体元件95以及第二主端子12的主电流流路不重复(参照图5)，因此还能够防止因主电流流路而引起的由布线电阻所产生的影响。从而就能够更为正确地检测出半导体元件95的电压。
在以往的构成中由于检测半导体元件95中的电压的正面侧传感端子13与连接在连接件的基端部的导体层70相连接，因此用于测量半导体元件95的电压的传感电流流路与流通半导体元件95的电流流路至少通过相同的连接件，而连接件的布线电阻部分的电压降会对通过正面侧传感端子13检测出的电压带来影响。与此相对，根据本实施方式，从半导体元件95的正面流向头部40的电流在一方沿着主电流流路通过第一回避部31以及第一主端子11，在另一方则沿着传感电流流路通过第二回避部32、连接部35以及正面侧传感端子13。因此，通过正面侧传感端子13所检测出的半导体元件95的电压就会作为更为正确的值被检测出来。
其中，当在第一主端子11以及第二主端子12流通有大容量的电流(例如，大于等于200A～300A)时，由布线电阻所产生的电压降的影响会增大。因此，在这种流通有大容量的电流的情况下，采用本实施方式的形态是非常有帮助的。
如图2等所示，当采用正面侧传感端子13以及连接部35与头部40是一体形成的形态时，由于能够将正面侧传感端子13以及连接部35与头部40以相同材料一体形成，因此就如正面侧传感端子13以及连接部35与头部40是相互独立时的情况一样，根据连接方式的不同所检测出的电压不会受到影响。因此，对于能够更为正确地检测正面侧传感端子13的电压是有帮助的。
如图8所示，即使是在头部40与连接部35是一体形成，连接部35与正面侧传感端子13是相互独立形成的情况下，当连接部35与正面侧传感端子13是不通过导体层70而连接时，根据连接部35与导体层70以及正面侧传感端子13与导体层70之间的连接方式所检测出的电压不会受到影响。因此，对于能够正确地检测正面侧传感端子13的电压是有帮助的。
在第一主端子11与头部40是一体形成的情况下，可以不需要用于与第一主端子11连接的导体层70，在第一主端子11的背面侧就可以不设置导体层70。在这种不设置导体层70的情况下，能够降低制造成本。此外，在将第一主端子11与头部40一体形成的情况下，由于能够在不通过导体层70的情况下就使端子从封装部90的侧面向外侧露出，因此对于不设置导体层70这点，还能够期待缩小面内方向上的大小。在以往的构成中，由于检测半导体元件95中的电压的正面侧传感端子13与连接在连接件的基端部的导体层70相连接，因此就必须设置这种导体层70。
在半导体元件95是具有耐压构造的情况下，当设置有与头部40一体形成，且用于回避与耐压构造之间的接触的回避部31、32时(参照图4等)，能够将半导体元件95的耐压构造与连接体50电接触的问题防范于未然。此外，在这种形态中，如图2等所示，当采用连接部35与正面侧传感端子13、第二回避部32以及头部40一体形成的形态时，能够将从头部40至正面侧传感端子13之间的部件一体形成，就如这些部件中的任意一个是相互独立时的情况一样，根据连接方式的不同所流通的电流不会有改变。因此，就能够更为正确地检测正面侧传感端子13的电压或电流。
第二实施方式
下面，对本发明的第二实施方式进行说明。
在第一实施方式中，虽然在使用头部40与第一主端子11一体形成的形态后进行了说明，但是第二实施方式中的连接体50a如图9所示，其与第一主端子11和头部40是相互独立的。在本实施方式中，设置有与头部40一体形成，且在封装部90内与导体层70相连接的基端部45。
而除此以外的其他构成，则与第一实施方式相同。在第二实施方式中，对与第一实施方式相同或同等的部件等添加相同的符号，并省略其说明。在本实施方式中，除了头部40与第一主端子11一体形成时的效果以外，能够获得与通过第一实施方式所实现的效果相同的效果。
上述记载的各实施方式、变形例以及公开的附图，只是用于说明权利要求所记载的发明的一例，权利要求所记载的发明不受上述记载的实施方式或公开的附图所限定。此外，最初申请的权利要求仅是一例示例，能够根据说明书、附图等记载，对权利要求进行适当变更。
符号说明
11 第一主端子
12 第二主端子
13 正面侧传感端子
31 第一回避部
32 第二回避部
35 连接部
40 头部
50,50a 连接体
70 导体层
75 导电性粘合剂
90 封装部
95 半导体元件(电子元件)

Claims (6)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
封装部；
第一主端子，从所述封装部向外侧突出；
第二主端子，从所述封装部向外侧突出；
电子元件，其正面与所述第一主端子电连接，背面与所述第二主端子电连接，且被设置在所述封装部内；
头部，与所述电子元件的正面相连接；
传感端子，从所述封装部向外部突出，用于传感；以及
连接部，与所述头部形成为一体，且与所述传感端子电连接，
其中，流通传感电流流路中的所述传感端子以及所述连接部内的电流与流通所述第二主端子、所述电子元件以及所述第一主端子的主电流流路不重复。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于：
其中，所述传感端子以及所述连接部与所述头部被形成为一体。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于：
其中，所述第一主端子与所述头部被形成为一体。
4.根据权利要求1或2所述的电子装置，其特征在于，进一步包括：
基端部，与所述头部形成为一体，且在所述封装部内与导体层相连接。
5.根据权利要求1至4的任意一项所述的电子装置，其特征在于：
其中，所述电子元件具有耐压构造，
并且进一步包括：回避部，与所述头部形成为一体，且用于回避与所述耐压构造之间的接触。
6.一种连接体，被用于电子装置中，所述电子装置具有：封装部、从所述封装部向外侧突出的第一主端子、从所述封装部向外侧突出的第二主端子、以及正面与所述第一主端子电连接，背面与所述第二主端子电连接，且被设置在所述封装部内的电子元件，其特征在于，包括：
头部，与所述电子元件的正面相连接；以及
连接部，与从所述封装部向外部突出后用于传感的传感端子电连接，且与所述头部形成为一体，
其中，流通传感电流流路中的所述连接部内的电流的传感电流流路与流通所述第二主端子、所述电子元件以及所述第一主端子的主电流流路不重复。
CN201780081394.XA 2017-02-20 2017-02-20 电子装置以及连接体 Active CN110168388B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2017/006025 WO2018150555A1 (ja) 2017-02-20 2017-02-20 電子装置及び接続体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110168388A true CN110168388A (zh) 2019-08-23
CN110168388B CN110168388B (zh) 2021-10-22

Family

ID=63169172

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780081394.XA Active CN110168388B (zh) 2017-02-20 2017-02-20 电子装置以及连接体

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11211311B2 (zh)
EP (1) EP3584592A4 (zh)
JP (1) JP6517434B2 (zh)
KR (1) KR102282886B1 (zh)
CN (1) CN110168388B (zh)
WO (1) WO2018150555A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114628347A (zh) * 2022-05-16 2022-06-14 山东中清智能科技股份有限公司 一种半导体封装结构及其制备方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115380377A (zh) * 2020-04-01 2022-11-22 松下知识产权经营株式会社 半导体模块

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1360814A (zh) * 1999-05-27 2002-07-24 理查德·K·威廉斯 功率半导体器件的表面安装封装
CN101026156A (zh) * 2006-02-23 2007-08-29 松下电器产业株式会社 半导体器件
CN101236977A (zh) * 2007-02-02 2008-08-06 统宝光电股份有限公司 图像显示系统
CN101529259A (zh) * 2006-09-08 2009-09-09 普罗米修斯设备有限责任公司 监视传输线的传感器、方法和系统
CN102099931A (zh) * 2008-03-24 2011-06-15 卡西欧计算机株式会社 光感测设备、光传感器以及显示设备
US20110260222A1 (en) * 2007-08-30 2011-10-27 Hyoun-Min Beak Image Sensor having Reduced Dark Current
CN203275343U (zh) * 2013-05-06 2013-11-06 海南大学 一种半导体臭氧传感器测量电路
CN103715161A (zh) * 2012-10-05 2014-04-09 英飞凌科技股份有限公司 芯片装置，芯片封装和用于制作芯片装置的方法
CN103855902A (zh) * 2012-11-28 2014-06-11 姚其良 外定子式两相直流电动机的霍尔传感器工作分布角度
CN203941234U (zh) * 2014-05-27 2014-11-12 江苏瑞新科技股份有限公司 一种太阳能硅片电阻率电涡流测试装置
CN104465554A (zh) * 2013-07-23 2015-03-25 英飞凌科技股份有限公司 功率开关的热观测器以及过载保护
CN104917434A (zh) * 2013-12-18 2015-09-16 迪尔公司 用于功率电子变换器的无传感器式电流感测方法
CN106291303A (zh) * 2015-06-25 2017-01-04 Abb有限公司 电力驱动系统中的功率半导体器件的老化的确定
CN106416071A (zh) * 2014-05-29 2017-02-15 康奈可关精株式会社 半导体开关元件驱动电路

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2858390B2 (ja) 1994-03-02 1999-02-17 株式会社デンソー 縦型半導体装置の特性測定方法
JP3780061B2 (ja) * 1997-04-17 2006-05-31 株式会社日立製作所 面実装型半導体装置
US6249041B1 (en) 1998-06-02 2001-06-19 Siliconix Incorporated IC chip package with directly connected leads
JP2008227286A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP4900148B2 (ja) 2007-09-13 2012-03-21 三菱電機株式会社 半導体装置
JP5701377B2 (ja) 2011-03-24 2015-04-15 三菱電機株式会社 パワー半導体モジュール及びパワーユニット装置
JP5267959B2 (ja) 2011-05-30 2013-08-21 株式会社デンソー 半導体モジュール、及び、それを用いた駆動装置
JP2013004943A (ja) 2011-06-22 2013-01-07 Renesas Electronics Corp 半導体装置及びその製造方法
JP6335815B2 (ja) 2015-02-24 2018-05-30 三菱電機株式会社 放熱構造体

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1360814A (zh) * 1999-05-27 2002-07-24 理查德·K·威廉斯 功率半导体器件的表面安装封装
CN101026156A (zh) * 2006-02-23 2007-08-29 松下电器产业株式会社 半导体器件
CN101529259A (zh) * 2006-09-08 2009-09-09 普罗米修斯设备有限责任公司 监视传输线的传感器、方法和系统
CN101236977A (zh) * 2007-02-02 2008-08-06 统宝光电股份有限公司 图像显示系统
US20110260222A1 (en) * 2007-08-30 2011-10-27 Hyoun-Min Beak Image Sensor having Reduced Dark Current
CN102099931A (zh) * 2008-03-24 2011-06-15 卡西欧计算机株式会社 光感测设备、光传感器以及显示设备
CN103715161A (zh) * 2012-10-05 2014-04-09 英飞凌科技股份有限公司 芯片装置，芯片封装和用于制作芯片装置的方法
CN103855902A (zh) * 2012-11-28 2014-06-11 姚其良 外定子式两相直流电动机的霍尔传感器工作分布角度
CN203275343U (zh) * 2013-05-06 2013-11-06 海南大学 一种半导体臭氧传感器测量电路
CN104465554A (zh) * 2013-07-23 2015-03-25 英飞凌科技股份有限公司 功率开关的热观测器以及过载保护
CN104917434A (zh) * 2013-12-18 2015-09-16 迪尔公司 用于功率电子变换器的无传感器式电流感测方法
CN203941234U (zh) * 2014-05-27 2014-11-12 江苏瑞新科技股份有限公司 一种太阳能硅片电阻率电涡流测试装置
CN106416071A (zh) * 2014-05-29 2017-02-15 康奈可关精株式会社 半导体开关元件驱动电路
CN106291303A (zh) * 2015-06-25 2017-01-04 Abb有限公司 电力驱动系统中的功率半导体器件的老化的确定

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HYO-JOONGKIM: "Highly sensitive and selective gas sensors using p-type oxide semiconductors: Overview", 《SENSORS AND ACTUATORS B: CHEMICAL》 *
蒋恺: "基于ARM的磁致伸缩位移传感器的设计与实现", 《中国优秀硕士学问论文全文数据开库 信息科技辑》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114628347A (zh) * 2022-05-16 2022-06-14 山东中清智能科技股份有限公司 一种半导体封装结构及其制备方法
CN114628347B (zh) * 2022-05-16 2022-07-22 山东中清智能科技股份有限公司 一种半导体封装结构及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20200011904A1 (en) 2020-01-09
KR102282886B1 (ko) 2021-07-27
KR20190112097A (ko) 2019-10-02
US11211311B2 (en) 2021-12-28
WO2018150555A1 (ja) 2018-08-23
JP6517434B2 (ja) 2019-05-22
CN110168388B (zh) 2021-10-22
EP3584592A1 (en) 2019-12-25
EP3584592A4 (en) 2020-11-18
JPWO2018150555A1 (ja) 2019-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9714959B2 (en) Current sensor and electronic device incorporating the same
JP6467696B2 (ja) 電流測定装置
US9995771B2 (en) Shunt resistor
US10267824B2 (en) Shunt resistor
US20180180649A1 (en) Integrated current sensor device and corresponding electronic device
JP2012009857A (ja) 光起電力モジュールに関連して配置できる接続装置
CN103219322A (zh) 具有电阻测量结构的三维集成电路及其使用方法
JP7188599B2 (ja) 配線モジュール
CN110168388A (zh) 电子装置以及连接体
US20130187644A1 (en) Hall-effect sensor isolator
US10438872B2 (en) Semiconductor device and lead frame
CN107797053B (zh) 监测电路断路器的监测单元及包括该监测单元的断路器
US11476224B2 (en) Wiring member and semiconductor module including same
US10103096B2 (en) Semiconductor device
CN110214372A (zh) 电子装置以及连接体
CN211579118U (zh) 一种矩形连接器
CN109075146A (zh) 电子装置、连接体以及电子装置的制造方法
US9504143B2 (en) Electrical circuit
US10944191B1 (en) Offset ;lug connector on a board connection area
EP3324195B1 (en) Electronic component
KR20120003738U (ko) 반도체식 파동 및 정전기 방지 전기 커넥터
CN103620430A (zh) 电子模块、电子装置以及用于产生电子模块的方法
JP2018074108A (ja) 電子部品
JP2010151563A (ja) 変換基板及び電子部品装置の評価方法
PL89278B1 (zh)

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant