CN110149117A - 一种自校准比较器失调电压消除电路 - Google Patents

一种自校准比较器失调电压消除电路 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种自校准比较器失调电压消除电路,包括:比较器,被配置为根据使能信号控制输入共模电压和比较电压,通过连接共模电压进行电压校正后,连接比较信号进行信号比较输出;校准单元,被配置为连接比较器的两个输出端OUTP和OUTN,并根据使能信号将比较器的输出信号反馈到输入端,抵消失调电压;开关单元,被配置为通过使能信号实现共模电压和比较电压的切换输入。本发明通过开关单元和使能信号控制输入共模电压和比较电压,在进行失调电压时输入共模电压,来实现消除电路中的失调电压,在消除失调电压之后输入比较电压,进行比较器的正常比较输出。通过该电路,可以实现大幅度减小比较器失调电压,并且不影响比较器的速度。

Description

一种自校准比较器失调电压消除电路
技术领域
本发明涉及失调电压调整领域,尤其涉及一种自校准比较器失调电压消除电路。
背景技术
随着半导体工艺的发展,特别是发展到深亚微米阶段,存储器,数据接收器,模数转换器的性能越来越好,对其中关键模块比较器的要求也越来越高,其中失调电压,速度,噪声是影响到数模转换器(逐次逼近型、闪存、流水线型)性能的重要因素。
图1是一个比较器在模数转换器中的典型应用,可以明显看出,比较器的低噪声,高速度,低失调电压(Vos)对逐次逼近型模数转换器的性能具有决定性的作用。所以必须要考虑消除或减小其失调电压,本专利介绍一种自校准消除失调电压,且不对比较器的速度造成太大影响的比较器环路结构。
发明内容
本发明的目的在于,针对上述问题,提出一种自校准比较器失调电压消除电路。
一种自校准比较器失调电压消除电路,包括:比较器,被配置为根据使能信号控制输入共模电压和比较电压,通过连接共模电压进行电压校正后,连接比较信号进行信号比较输出;校准单元,被配置为连接比较器的两个输出端OUTP和OUTN,并根据使能信号将比较器的输出信号反馈到输入端,抵消失调电压;开关单元,被配置为通过使能信号实现共模电压和比较电压的切换输入。
所述比较器包括:放大单元,被配置为并联的主差动对和校正差动对,所述主差动对输入端连接比较信号,校正差动对输入端连接校准单元输出信号,通过校正差动对输入端的压差抵消主差动对的失调电压;动态比较单元,被配置为动态比较器和输出锁存器,连接放大单元输出信号,用于实现电压比较输出。
所述校准单元包括:输入端Vop和Von,分别连接比较器的两个输出端OUTP和OUTN。
输出端,用于输出反馈电压到比较器;第一开关组,被配置为通过Vop输入端口信号和使能信号控制第一电荷存储电容的电荷挪移;第二开关组,被配置为通过Von输入端口信号和使能信号控制第二电荷存储电容的电荷挪移。
进一步的,一种自校准比较器失调电压消除电路,还包括设置于输出端前方的第三电荷存储电容,第三电荷存储电容与所述第一电荷存储电容、第二电荷存储电容通过充放电改变输出端反馈给比较器的电压。
所述校准单元包括相同的第一校准单元和第二校准单元,第一校准单元的Vop输入端接比较器的OUTP输出端,Von输入端接比较器的OUTN输出端;第二校准单元的Vop输入端接比较器的OUTN输出端,Von输入端接比较器的OUTP输出端。
进一步的,一种自校准比较器失调电压消除电路,所述第一开关组和第二开关组采用高阈值MOS管。电荷存储电容采用金属-氧化物-金属结构。所述开关单元包括多个开关和一个非门,通过使能信号控制开关单元实现比较器输入信号的选择。
本发明的有益效果:通过开关单元和使能信号控制输入共模电压和比较电压,在进行失调电压时输入共模电压,通过输入信号控制开关组来实现校准单元的电荷挪移,并通过比较器中校准差动对输入端的压差抵消主差动对的失调电压,来实现消除电路中的失调电压,在消除失调电压之后输入比较电压,进行比较器的正常比较输出。通过该电路,可以实现大幅度减小比较器失调电压,并且不影响比较器的速度,对噪声的影响也较小。
附图说明
图1是比较器在模数转换器中的典型应用示意图;
图2是本发明的整体结构示意图;
图3是本发明的校正单元的结构示意图;
图4是本发明的比较器的结构示意图;
图5是本发明出现失调电压Vos的示意图;
图6是本发明的波形仿真模拟图。
具体实施方式
为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解,现对照附图说明本发明的具体实施方式。
本实施例中,如图2所示,电路由两个校准单元,四个开关,一个逻辑非门,一个比较器构成。
电路中共模电压Vcom连接开关S0,S1;S0的另外一端连接比较器正输入极,S1的另外一端连接比较器的负输入极,控制端连接校正使能CAL_EN;S2开关一端连接输入信号vip端,另外一端连接比较器正输入极,S3开关一端连接输入信号vin端,另外一端连接比较器负输入极,S2,S3控制端连接逻辑非门的输出,非门的输入端连接校正使能端CAL_EN。比较器时钟输入端连接输入时钟。两个校正单元使能端连接校正使能端CAL_EN,校正单元1的von连接比较器的OUTN端口,vop连接比较器OUTP端口,输出端CALP端连接比较器输入端CALP端口;校正单元2的von连接比较器的OUTP端口,vop连接比较器OUTN端口,CALP连接比较器CALN端口。比较器OUTP端口为系统vop端,OUTN端口为系统von端。
校准单元如图3所示,校准单元包含8个开关和3个电荷存储电容。CAL_EN连接开关SW1,SW2,SW5,SW6的控制端。Vop连接SW0控制端,连接非门1输入端,非门1输出端连接SW3控制端。Von连接SW7控制端,连接非门2输入端,非门2输出端连接开关SW4的控制端。SW0一端连接电源,与SW1串联,SW1另外一端连接电荷存储电容Cint1,并且与开关SW2相连,SW2另外一端与SW3串联,SW3另外一端连接输出端CALP,连接到电荷存储电容Ccalp正极,同时连接到SW4,SW4与SW5串联,SW5另一端连接到电荷存储电容Cint2,同时连接到SW6,SW6与SW7串联,SW7另一端连接到地。电荷存储电容Cint1、Cint2、Ccalp负极连接到地。
为了减小比较器的输出负载,尽量减小对比较器速度的影响,校准单元的8个开关取最小尺寸。该结构不需要单独设计偏置电压,会在校准时接近开关的导通阻抗设定值。电荷的重新分配由Cint和Ccalp的大小比例和校准环路在每个周期的可用时间来控制,为了减小Ccalp上的电荷泄露,开关采用高阈值的MOS管来实现,且电容采用金属-氧化物-金属结构的电容。
比较器见图4所示,比较器第一级在主差动对MDP、MDN旁边添加了校正差动对MSP、MSN,与主差动对并联。第一级可以为直流放大结构,也可以为动态放大结构。
第二级包括动态比较器和latch结构。
失调电压校正差分对MSP/N和主差分对MDP/N并联,校正差分对MSP/N上的差分电压与主差分对MDP/N上的失调电压相反。MSP/N会对比较器引入额外噪声,该差分对尺寸越大,校准范围越大,同时引入噪声越大,所以MSP/N的尺寸大小和MDP/N的尺寸大小需要做适量的权衡。
本实施例的工作过程:
如图5所示,当开始校正时,CAL_EN置1,开关S0,S1导通,S2,S3关断,比较器差分对电压为共模Vcom,对于一个正的失调电压Vos来说(图5),其输出电压vop为高,von为低,通过两个校准单元,挪移电荷到CALN,并从CALP挪移电荷出去,使得CALN电压升高,CALP电压降低,差动对MSP/N输入端压差抵消掉输入差动对MDP/N的失调电压,最后达到平衡。达到平衡后,比较器在不同时钟周期间隔输出0和1,保持了CALP/N节点的电压稳定,如图6所示,使得比较器校正后Vos比校正前Vos相差10倍左右。
当比较器完成校正后,CAL_EN置0,两个校正单元关闭,节点CALP/N的电压保持校正后的状态,S0,S1关断,S2,S3导通,信号进入差分对,比较器开始工作。
本发明通过开关单元和使能信号控制输入共模电压和比较电压,在进行失调电压时输入共模电压,通过输入信号控制开关组来实现校准单元的电荷挪移,并通过比较器中校准差动对输入端的压差抵消主差动对的失调电压,来实现消除电路中的失调电压,在消除失调电压之后输入比较电压,进行比较器的正常比较输出,通过该电路,可以实现大幅度减小比较器失调电压,并且不影响比较器的速度,对噪声的影响也较小。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (8)

1.一种自校准比较器失调电压消除电路,其特征在于,包括:
比较器,被配置为根据使能信号控制输入共模电压和比较电压,通过连接共模电压进行电压校正后,连接比较信号进行信号比较输出;
校准单元,被配置为连接比较器的两个输出端OUTP和OUTN,并根据使能信号将比较器的输出信号反馈到输入端,抵消失调电压;
开关单元,被配置为通过使能信号实现共模电压和比较电压的切换输入。
2.根据权利要求1所述的一种自校准比较器失调电压消除电路,其特征在于,所述比较器包括:
放大单元,被配置为并联的主差动对和校正差动对,所述主差动对输入端连接比较信号,校正差动对输入端连接校准单元输出信号,通过校正差动对输入端的压差抵消主差动对的失调电压;
动态比较单元,被配置为动态比较器和输出锁存器,连接放大单元输出信号,用于实现电压比较输出。
3.根据权利要求1所述的一种自校准比较器失调电压消除电路,其特征在于,所述校准单元包括:
输入端Vop和Von,分别连接比较器的两个输出端OUTP和OUTN;
输出端,用于输出反馈电压到比较器;
第一开关组,被配置为通过Vop输入端口信号和使能信号控制第一电荷存储电容的电荷挪移;
第二开关组,被配置为通过Von输入端口信号和使能信号控制第二电荷存储电容的电荷挪移。
4.根据权利要求3所述的一种自校准比较器失调电压消除电路,其特征在于,还包括设置于输出端前方的第三电荷存储电容,第三电荷存储电容与所述第一电荷存储电容、第二电荷存储电容通过充放电改变输出端反馈给比较器的电压。
5.根据权利要求3所述的一种自校准比较器失调电压消除电路,其特征在于,所述校准单元包括相同的第一校准单元和第二校准单元,第一校准单元的Vop输入端接比较器的OUTP输出端,Von输入端接比较器的OUTN输出端;第二校准单元的Vop输入端接比较器的OUTN输出端,Von输入端接比较器的OUTP输出端。
6.根据权利要求3所述的一种自校准比较器失调电压消除电路,其特征在于,所述第一开关组和第二开关组采用高阈值MOS管。
7.根据权利要求3所述的一种自校准比较器失调电压消除电路,其特征在于,电荷存储电容采用金属-氧化物-金属结构。
8.根据权利要求1所述的一种自校准比较器失调电压消除电路,其特征在于,所述开关单元包括多个开关和一个非门,通过使能信号控制开关单元实现比较器输入信号的选择。
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