CN110124908A - 晶片真空吸附装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及半导体制备技术领域，尤其是涉及一种晶片真空吸附装置。晶片真空吸附装置包括上盘体和下盘体，上盘体和下盘体均包括第一端面和第二端面；上盘体的第二端面上开设有多个相连通的条形凹槽，每一个条形凹槽的上方均开设有吸附通孔，吸附通孔的一端与条形凹槽相连通，吸附通孔另一端贯穿上盘体的第一端面；吸附通孔与条形凹槽形成气体通道。上盘体和下盘体密封连接，上盘体的第一端面与晶片相接触，用于吸附晶片；下盘体上开设有连通孔，连通孔与真空发生器相连接，真空发生器能够通过连通孔抽取气体通道内的气体，使气体通道内形成负压，使晶片吸附于上盘体的第一端面上。

Description

晶片真空吸附装置

技术领域

本发明涉及半导体制备技术领域，尤其是涉及一种晶片真空吸附装置。

背景技术

喷雾式涂胶机适用于在高崎岖度表面的基片上均匀涂布光刻胶，可以有效满足TSV、MEMS等制程工艺需求；喷雾式涂胶机工作时，晶片必须完全吸附在真空吸盘上，一般还需要对在喷涂的晶片进行热烘；在市场现有的真空吸盘中，一般在晶片接触的端面上开设有多圈同心的环形槽，实现对晶片的真空吸附，晶片较薄时，环形槽的真空作用往往造成晶片的变形，甚至破裂；同时环形槽的结构也降低了晶片与真空吸盘的接触率，容易引起晶片热烘不均匀，导致晶片喷涂效果不佳。

发明内容

本发明的目的在于提供一种真空吸附装置，以在一定程度上解决现有技术中真空吸附装置对晶片吸附的稳定性差，晶片喷涂效果不佳的技术问题。

本发明提供了一种晶片真空吸附装置，包括上盘体和下盘体；所述上盘体和所述下盘体均包括第一端面和第二端面；所述上盘体的第二端面上开设有多个条形凹槽，且多个所述条形凹槽相连通；多个所述条形凹槽上均开设有吸附通孔，所述吸附通孔的一端与所述条形凹槽相连通，所述吸附通孔的另一端能够贯穿所述上盘体的第一端面；所述吸附通孔与所述条形凹槽形成气体通道；所述上盘体的第一端面与晶片相接触，用于吸附所述晶片；所述下盘体的第一端面为平整表面，能够与所述上盘体的第二端面密封贴合；所述下盘体的第二端面上开设有连通孔，所述连通孔能够与所述气体通道相连通。

进一步地，与任一个所述条型凹槽相连通的所述吸附通孔的数量均为多个，多个所述吸附通孔间隔设置。

进一步地，所述上盘体的第二端面上开设有第一密封凹槽，所述第一密封凹槽内设置有第一密封垫；所述上盘体与所述下盘体通过紧固件紧固连接，并能够压紧位于所述上盘体的第二端面与所述下盘体的第一端面之间的第一密封垫，用于对所述气体通道进行密封。

进一步地，所述上盘体上沿其轴线方向开设有第一顶针通孔，所述下盘体上沿其轴线方向开设有第二顶针通孔，所述第一顶针通孔与所述第二顶针通孔能够对接形成顶针通道，顶针能够在所述顶针通道内运动，用于取放所述晶片。

进一步地，所述下盘体的第一端面上沿所述第二顶针通孔的周向设置有第二密封凹槽，所述第二密封凹槽内设置有第二密封垫，用于隔离所述顶针通孔与所述气体通道。

进一步地，所述顶针通道的数量为多个，多个所述顶针通道间隔分布在所述上盘体和所述下盘体上。

进一步地，所述连通孔包括设备连接孔和通气孔；所述设备连接孔位于所述下盘体的第二端面上，所述下盘体通过所述设备连接孔与真空发生装置相连通；所述通气孔位于所述下盘体的第一端面上，并与所述设备连接孔相连通。

进一步地，所述通气孔的数量为多个，多个所述通气孔间隔分布于所述下盘体的第一端面上。

进一步地，所述第一密封垫与所述第二密封垫的材质均为橡胶材质。

进一步地，所述上盘体和所述下盘体的材质均为金属材质。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：

本发明提供的晶片真空吸附装置包括上盘体和下盘体；上盘体包括第一端面和第二端面，其中上盘体的第二端面上开设有条形凹槽，条形凹槽的数量为多个，且多个条形凹槽能够彼此相连通；每一个条形凹槽的上方均开设有吸附通孔，吸附通孔的一端与条形凹槽相连通，吸附通孔的另一端能够贯穿上盘体的第一端面；吸附通孔与条形凹槽形成气体通道。

下盘体也包括第一端面和第二端面，下盘体上开设有连通孔，连通孔贯穿下盘体的第一端面和第二端面；连通孔的一端与气体通道相连通，连通孔的另一端与真空发生器相连接，真空发生器能够抽取气体通道内的气体，使气体通道内形成负压。

上盘体和下盘体能够密封连接；上盘体的第一端面与晶片相接触，用于吸附晶片；上盘体的第二端面与下盘体的第一端面能够密封贴合，下盘体的第二端面通过连通孔与真空发生器相连通；将晶片贴附于上盘体的第一端面上，启动真空发生器，真空发生器提供的吸附力能够将晶片吸附于上盘体的第一端面上。

本申请的晶片真空吸附装置是在与晶片接触的上盘体的第一端面上设置吸附通孔，吸附通孔为圆形通孔，其通孔的截面积远远小于现有的环形槽的截面积，因此在吸附时不会由于吸附通孔的截面积过大，导致晶片在吸附力的作用下发生变形，甚至破裂。

另外，在对晶片进行喷涂时，一般还需要对正在喷涂的晶片进行热烘，本申请的晶片真空吸附装置能够大大地增加晶片与上盘体第一端面的接触率，从而热量能够更均匀地经由下盘体和上盘体传递给晶片，使晶片热烘均匀，保证晶片具有良好的喷涂效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的晶片真空吸附装置的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的上盘体第一视角下的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的上盘体第二视角下的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的下盘体第一视角下的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的下盘体第二视角下的结构示意图；

图6为图3中A处放大图。

附图标记：

1-上盘体，11-条形凹槽，12-吸附通孔，13-第一密封凹槽，14-第一顶针通孔，2-下盘体，21-连通孔，22-顶针通道，23-第二密封凹槽，24-设备连接孔，25-通气孔，26-第二顶针通孔。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

通常在此处附图中描述和显示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。

基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

下面参照图1至图6描述根据本申请一些实施例的晶片真空吸附装置。

本申请提供了一种晶片真空吸附装置，如图1至图6所示，包括上盘体1和下盘体2；上盘体1和下盘体2均包括第一端面和第二端面；上盘体1的第二端面上开设有多个条形凹槽11，且多个条形凹槽11相连通；多个条形凹槽11上均开设有吸附通孔12，吸附通孔12的一端与条形凹槽11相连通，吸附通孔12的另一端能够贯穿上盘体1的第一端面；吸附通孔12与条形凹槽11形成气体通道；上盘体1的第一端面与晶片相接触，用于吸附晶片；下盘体2的第一端面为平整表面，能够与上盘体1的第二端面密封贴合；下盘体2的第二端面上开设有连通孔21，连通孔21能够与气体通道相连通。

本申请提供的晶片真空吸附装置包括上盘体1和下盘体2；上盘体1包括第一端面和第二端面，第一端面和第二端面位于上盘体1沿其轴线方向的两端；如图3所示，上盘体1的上表面为第一端面，上盘体1的下表面为第二端面。其中上盘体1的第二端面上开设有条形凹槽11，条形凹槽11的长度方向与上盘体1的轴线方向相垂直；条形凹槽11的数量为多个，且多个条形凹槽11能够彼此相连通；每一个条形凹槽11的上方均开设有吸附通孔12，吸附通孔12的一端与条形凹槽11相连通，吸附通孔12的另一端能够贯穿上盘体1的第一端面；吸附通孔12与条形凹槽11形成气体通道。

下盘体2也包括第一端面和第二端面，第一端面和第二端面位于下盘体2沿其轴线方向的两端；如图5所示，下盘体2的上表面为第一端面，下盘体2的下表面为第二端面。下盘体2上开设有连通孔21，连通孔21贯穿下盘体2的第一端面和第二端面；连通孔21的一端与气体通道相连通，连通孔21的另一端与真空发生器相连接，真空发生器能够抽取气体通道内的气体，使气体通道内形成负压。

上盘体1和下盘体2能够密封连接；上盘体1的第一端面与晶片相接触，用于吸附晶片；上盘体1的第二端面与下盘体2的第一端面能够密封贴合，下盘体2的第二端面通过连通孔21与真空发生器相连通。

当在喷雾式涂胶机中对晶片进行精密喷涂时，需要将晶片吸附于晶片真空吸附装置上；首先将晶片贴附于上盘体1的第一端面上，启动真空发生器，真空发生器将抽取气体通道内的气体，使之形成负压，负压提供的吸附力能够将晶片吸附于上盘体1的第一端面上。

由于现有的晶片真空吸附装置在与晶片接触的端面上开设的是多圈同心的环形槽，由于多圈同心环形槽的孔隙比较大，而晶片较薄，从而在对晶片进行真空吸附时，往往造成晶片的变形，甚至破裂；而本申请的晶片真空吸附装置是在与晶片接触的上盘体1的第一端面上设置吸附通孔12，吸附通孔12为圆形通孔，其通孔的截面积远远小于现有的环形槽的截面积，因此在吸附时不会由于吸附通孔12的截面积过大，导致晶片在吸附力的作用下发生变形，甚至破裂。

另外，在对晶片进行喷涂时，一般还需要对正在喷涂的晶片进行热烘，而环形槽的孔的截面积较大，降低了晶片与晶片真空吸附装置的接触率，容易引起晶片热烘不均匀，最终导致晶片喷涂效果不佳；而本申请的晶片真空吸附装置能够大大地增加晶片与上盘体1第一端面的接触率，从而热量能够更均匀地经由下盘体2和上盘体1传递给晶片，使晶片热烘均匀，保证晶片具有良好的喷涂效果。

在本申请的一个实施例中，优选地，如图1至图3所示，与任一个条型凹槽相连通的吸附通孔12的数量均为多个，多个吸附通孔12间隔设置。

在该实施例中，晶片通过真空发生器提供的吸附力吸附于上盘体1的第一端面上，为了增大真空发生器作用于晶片上的吸附力和吸附面积，上盘体1上的任一个条形凹槽11的上方均设置有多个间隔设置分布的吸附通孔12，通过均匀分布的多个吸附通孔12，将吸附力更均匀地作用于晶片上，从而对晶片提供高稳定性的真空吸附。

同时，虽然在上盘体1的第一端面上开设了多个吸附通孔12，但是吸附通孔12的孔径远远小于市场上现有的真空吸盘上的环形槽，因此通过多个均匀分布地吸附通孔12不仅能够对晶片提供足够的吸附力，并将吸附力均匀地分在晶片表面上，保证晶片能够稳定地附着在上盘体1上；也保证了晶片不会在吸附时由于吸附通孔12孔径过大而发生变形，甚至破裂。

在本申请的一个实施例中，优选地，如图1至图3所示，上盘体1的第二端面上开设有第一密封凹槽13，第一密封凹槽13内设置有第一密封垫；上盘体1与下盘体2通过紧固件紧固连接，并能够压紧位于上盘体1的第二端面与下盘体2的第一端面之间的第一密封垫，用于对气体通道进行密封。

在该实施例中，上盘体1与下盘体2能够密封连接；当上盘体1与下盘体2相连接时，上盘体1的第二端面与下盘体2的第一端面相贴合，在上盘体1的第二端面上开设有第一密封凹槽13，第一密封凹槽13内设置有第一密封垫，当上盘体1和下盘体2通过紧固件紧固连接后，上盘体1和下盘体2能够压紧位于二者之间的第一密封垫，从而对气体通道进行密封，保证真空发生器工作时，能够对晶片提供稳定的吸附力。

优选地，上盘体1与下盘体2通过紧固螺钉相连接，紧固螺钉的数量为多个，多个紧固螺钉均匀地分布在上盘体1与下盘体2上。

在本申请的一个实施例中，优选地，如图1至图4所示，上盘体1上沿其轴线方向开设有第一顶针通孔14，下盘体2上沿其轴线方向开设有第二顶针通孔26，第一顶针通孔14与第二顶针通孔26能够形成顶针通道22，顶针能够在顶针通道22内运动，用于取放晶片。

在该实施例中，上盘体1上沿其轴线方向开设有第一顶针通孔14，下盘体2沿其轴线方向开设有第二顶针通孔26，当上盘体1与下盘体2密封连接后，第一顶针通孔14与第二顶针通孔26能够相连通，形成顶针通道22，喷雾式涂胶机配置的顶针可以在顶针通道22内上下往复运动，便于对晶片的取放。

在本申请的一个实施例中，优选地，如图1和图4所示，下盘体2的第一端面上沿第二顶针通孔26的周向设置有第二密封凹槽23，第二密封凹槽23内设置有第二密封垫，用于隔离顶针通孔与气体通道。

在该实施例中，上盘体1和下盘体2之间设置有顶针通道22，为了保证气体通道的密封性，需要将顶针通道22与气体通道进行隔离；

在下盘体2的第一端面上沿第二顶针通孔26的周向设置有第二密封凹槽23，第二密封凹槽23内设置有第二密封垫，当上盘体1与下盘体2密封连接后，也能压紧位于第二密封凹槽23内的第二密封垫，从而将顶针通道22与气体通道隔离开来，保证了气体通道的密封性。

在本申请的一个实施例中，优选地，如图1和图4所示，顶针通道22的数量为多个，多个顶针通道22间隔分布在上盘体1和下盘体2上。

在该实施例中，顶针通道22的数量为多个，多个顶针通道22均匀分布在上盘体1和下盘体2上；

优选地，顶针通道22的数量为三个，三个顶针通道22以上盘体1和下盘体2的轴线为中心呈圆周排列。

在本申请的一个实施例中，优选地，如图1和图5所示，连通孔21包括设备连接孔24和通气孔25；

设备连接孔24位于下盘体2的第二端面上，下盘体2通过设备连接孔24与真空发生装置相连通；通气孔25位于下盘体2的第一端面上，并与设备连接孔24相连通。

在该实施例中，下盘体2上开设有贯穿第一端面和第二端面的连通孔21，连通孔21包括设备连接孔24和通气孔25；设备连接孔24位于下盘体2的第二端面上，真空发生装置通过设备连接孔24与下盘体2相连接；设备连接孔24的上方设有通气孔25，通气孔25的一端与设备连接孔24相连通，另一端贯穿下盘体2的第一端面；从而当上盘体1与下盘体2密封连接后，真空发生装置能够与气体通道相连通，用于对晶片吸附提供吸附力。

在本申请的一个实施例中，优选地，如图4和图5所示，通气孔25的数量为多个，多个通气孔25间隔分布于下盘体2的第一端面上。

在该实施例中，通气孔25的数量为多个，多个通气孔25均匀分布在下盘体2的第一端面上，并将真空发生装置与气体通道相连通。

在本申请的一个实施例中，优选地，如图1所示，第一密封垫与第二密封垫的材质均为橡胶材质。

在该实施例中，位于上盘体1与下盘体2之间的第一密封垫和第二密封垫的材质均为橡胶材质，从而将上盘体1与下盘体2相连接后，通过第一密封垫能够对气体通道进行密封，通过第二密封垫能够将顶针通道22与气体通道进行隔离。

在本申请的一个实施例中，优选地，如图1至图5所示，上盘体1和下盘体2的材质均为金属材质。

在该实施例中，上盘体1和下盘体2的材质均为金属材质，从而在对晶片进行热烘时，热量能够更快速均匀地从下盘体2传递到上盘体1的第一端面上，然后将热量均匀地传递给与上盘体1第一端面相贴合的晶片，保证晶片热烘均匀。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种晶片真空吸附装置，其特征在于，包括上盘体和下盘体；所述上盘体和所述下盘体均包括第一端面和第二端面；

所述上盘体的第二端面上开设有多个条形凹槽，且多个所述条形凹槽相连通；多个所述条形凹槽上均开设有吸附通孔，所述吸附通孔的一端与所述条形凹槽相连通，所述吸附通孔的另一端能够贯穿所述上盘体的第一端面；所述吸附通孔与所述条形凹槽形成气体通道；

所述上盘体的第一端面与晶片相接触，用于吸附所述晶片；

所述下盘体的第一端面为平整表面，能够与所述上盘体的第二端面密封贴合；所述下盘体的第二端面上开设有连通孔，所述连通孔能够与所述气体通道相连通。

2.根据权利要求1所述的晶片真空吸附装置，其特征在于，与任一个所述条型凹槽相连通的所述吸附通孔的数量均为多个，多个所述吸附通孔间隔设置。

3.根据权利要求1所述的晶片真空吸附装置，其特征在于，所述上盘体的第二端面上开设有第一密封凹槽，所述第一密封凹槽内设置有第一密封垫；所述上盘体与所述下盘体通过紧固件紧固连接，并能够压紧位于所述上盘体的第二端面与所述下盘体的第一端面之间的第一密封垫，用于对所述气体通道进行密封。

4.根据权利要求3所述的晶片真空吸附装置，其特征在于，所述上盘体上沿其轴线方向开设有第一顶针通孔，所述下盘体上沿其轴线方向开设有第二顶针通孔，所述第一顶针通孔与所述第二顶针通孔能够对接形成顶针通道，顶针能够在所述顶针通道内运动，用于取放所述晶片。

5.根据权利要求4所述的晶片真空吸附装置，其特征在于，所述下盘体的第一端面上沿所述第二顶针通孔的周向设置有第二密封凹槽，所述第二密封凹槽内设置有第二密封垫，用于隔离所述顶针通孔与所述气体通道。

6.根据权利要求4所述的晶片真空吸附装置，其特征在于，所述顶针通道的数量为多个，多个所述顶针通道间隔分布在所述上盘体和所述下盘体上。

7.根据权利要求1所述的晶片真空吸附装置，其特征在于，所述连通孔包括设备连接孔和通气孔；

所述设备连接孔位于所述下盘体的第二端面上，所述下盘体通过所述设备连接孔与真空发生装置相连通；所述通气孔位于所述下盘体的第一端面上，并与所述设备连接孔相连通。

8.根据权利要求7所述的晶片真空吸附装置，其特征在于，所述通气孔的数量为多个，多个所述通气孔间隔分布于所述下盘体的第一端面上。

9.根据权利要求5所述的晶片真空吸附装置，其特征在于，所述第一密封垫与所述第二密封垫的材质均为橡胶材质。

10.根据权利要求1所述的晶片真空吸附装置，其特征在于，所述上盘体和所述下盘体的材质均为金属材质。