CN109994315B - 由磁性纳米纤维铁电薄膜组合的磁电复合材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种由磁性纳米纤维和铁电薄膜复合的磁电复合材料及其制备方法。它是在Pt/Ti/SiO2/Si或Nb‑SrTiO3衬底上通过静电纺丝方法制备CoFe2O4(CFO)磁性纳米纤维,在其上面再用脉冲激光沉积法镀铁电层Pb(Zr,Ti)O3薄膜将其包覆,实现了1‑2型铁电铁磁复合。通过配制CFO前驱体溶液、清洗衬底、静电纺丝法制备CFO纳米纤维、退火结晶、脉冲激光沉积法继续生长铁电材料PZT、制备Pt顶电极等步骤制备完成。本发明有效减弱刚性衬底的夹持效应,增大铁电材料与铁磁材料的应变传递面积,增强磁电耦合效应。本发明所属方法制备的磁电复合薄膜,薄膜的磁电耦合系数可达320mV/Oe·cm。
Description
技术领域
本发明属于薄膜磁电材料领域,涉及由磁性纳米纤维铁电薄膜组合的磁电复合材料及其制备方法。
背景技术
磁电耦合效应是材料在电场(磁场)的作用下产生磁化(电极化)的现象。多铁性磁电复合材料因兼备铁电性,铁磁性,铁弹性,不但能用于单一铁性材料的技术领域,更在新型磁-电传感器件、自旋电子器件、新型信息存储器等领域展现出巨大的应用前景。
根据铁电相和铁磁相的不同复合方式,主要分为0-3型颗粒镶嵌复合材料,2-2型叠层复合材料,1-3型纳米纤维或纳米棒镶嵌复合材料。目前来说,对于0-3型颗粒镶嵌复合结构,由于铁磁相体积百分数受到限制,且存在一定程度的漏电流现象,因而较难获得大的磁电耦合系数;2-2型的连接方式是将一种薄膜沉积在另一种薄膜或者薄片上所形成的异质结、双层膜、或两相交替的多层膜,2-2型层间复合磁电薄膜会受限于衬底的夹持效应;1-3型磁电复合结构是以铁磁纳米柱以垂直于薄膜平面的方式分散在铁电材料基体中形成的磁电复合薄膜,该类复合材料也存在漏流和铁磁相体积分数受限等问题,且存在制备难度大,薄膜微观结构难以调控,生产成本高等问题。
我们提出一种1-2型结构磁电复合薄膜,将一维线状纳米纤维与二维薄膜复合在一起,该结构不再采用连通上下电极的纳米柱结构,而是用铁电薄膜将磁性纳米纤维包覆(如图1所示),这种新的结构,一方面降低了刚性衬底对磁性材料的夹持作用,另一方面,磁性纳米颗粒包覆在铁电层中,有效地增大了铁电材料与铁磁材料的接触面积,有利于两相间的应力传递,增强其磁电耦合效应。
发明内容
本发明提出了一种磁性纳米纤维铁电薄膜的磁电复合材料及其制备方法。是一种1-2型磁电复合薄膜及其制备方法,将静电纺丝技术与脉冲激光沉积技术结合起来实现的,目的在于增大铁电材料与铁磁材料的接触面积,达到较高的磁电耦合响应。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
在Pt/Ti/SiO2/Si(001)或Nb-SrTiO3(001)导电衬底上,用静电纺丝法制备一层磁性纳米纤维,再在其上用脉冲激光镀膜法生成掩盖磁性纳米纤维的铁电薄膜,形成一种1-2型磁电复合薄膜材料;衬底材料为Pt/Ti/SiO2/Si、Nb-SrTiO3或其他导电衬底,衬底厚度为0.1~0.5mm;磁性纳米纤维为CoFe2O4或者是NiFe2O4或者是(La,Sr)MnO3等其他磁性材料,纤维直径为70~90nm,纤维长度为1~3μm,压电薄膜为锆钛酸铅、钛酸钡、钛酸铅、铌镁钛酸铅等压电材料厚度约为300~500nm。
本发明的制备步骤如下
步骤一:利用硝酸铁,硝酸钴化学试剂为原料制备CFO(CoFe2O4)前驱体溶液;
(1)溶剂选用N,N-二甲基甲酰胺和乙醇,N,N-二甲基甲酰胺与乙醇溶剂配比按照1:0.5~1.5不同比例进行混合,按照Co2+与Fe3+摩尔比1:2称取一定量的硝酸钴与硝酸铁,将其溶于N,N-二甲基甲酰胺与乙醇的混合溶液中,常温搅拌20min,待其完全溶解;
(2)加入0.8g聚乙烯吡咯烷酮,常温搅拌5~6h至聚合物完全溶解;
(3)将溶液超声20min,静置一天,得到均一稳定的CFO前驱体溶液;
步骤二:清洗导电衬底
衬底选用合肥科晶有限公司,所用导电衬底为Pt/Ti/SiO2/Si或Nb-SrTiO3,依次用丙酮、乙醇超声清洗导电衬底
步骤三:用静电纺丝法制备CFO磁性纳米纤维
(1)注射器规格选用10mL,针头直径选用0.7mm,用一次性注射器抽取一定容量的电纺前驱体溶液,并除去溶液中的气泡;
(2)将装有电纺溶液的注射器安装在电纺夹具上,调整好注射器针尖和接收极板的角度,并保持一定的接收距离;
(3)开启蠕动泵电源,使蠕动泵推进装置与注射器紧密接触;
(4)在接收滚筒上卷一圈锡箔纸,将超声清洗过的Pt/Ti/SiO2/Si或Nb-SrTiO3衬底用双面胶粘在锡箔纸上。
(5)设置高压静电纺丝机纺丝参数,设定纺丝温度为40℃,湿度14~18%,正压18kV,负压-3kV,接收滚筒转速140r/min,推注速率0.07mm/min,针尖距离接收端距离~15cm;
(6)启动高压电源开关,开始纺丝,纺丝5-10s后取出衬底;
步骤四:退火结晶
(1)将上步骤静电纺丝完成的制品进行干燥,升温速率以2℃/min上升到70℃,保温2h,使聚合物纤维的溶剂能充分挥发;
(2)再以升温速率2℃/min上升到400℃,保温2h,去除有机物;
(3)以升温速率1℃/min升温到750℃,达到结晶温度保温2h,使CFO纳米纤维结晶。
步骤五:上步骤退火结束,取出制品;
步骤六:脉冲激光沉积法镀铁电层进行复合实现1-2型磁电复合材料
(1)PZT靶材选用日本金童半导体材料有限公司,成分为PbZr0.2Ti0.8O3;
(2)将已纺CFO纳米纤维的Pt/Ti/SiO2/Si用银浆粘在样品托上面,利用机械泵和分子泵抽真空,使沉积室的真空压强低于3×10-4Pa。
(3)PZT生长参数为:沉积温度580℃,流动氧压30Pa,激光能量210mJ,脉冲频率5Hz,沉积时长60~120min,沉积厚度300~500nm;
沉积生长完成后进行退火,退火温度:650℃,氧压:3000Pa,650℃保温时长20min。
步骤七:将掩膜版放置在制品上,用直流磁控溅射法制备Pt顶电极,工艺参数:溅射功率40W,流动氩压0.5Pa,室温,沉积时间90s;
步骤八:检测制品。
本发明的优点
本发明提出了一种新型的磁电复合结构,将一维纳米线与二维薄膜复合即1-2型结构磁电复合薄膜,这种复合结构增大了铁电材料与铁磁材料的接触面积,有效去除了衬底对薄膜的夹持效应,增大铁电铁磁两相的应变传递面积,提高磁电耦合性能。采用本发明所述方法制备的磁电复合薄膜,其磁电耦合系数可达320mV/Oe·cm,具有很高的磁电耦合效应。
附图说明
图1 1-2型纳米纤维-薄膜复合磁电材料结构示意图
其中1----CFO磁性纳米纤维,2----PZT薄膜,3----衬底
图2 CFO磁性纳米纤维的TEM图
图3 CFO磁性纳米纤维与PZT复合薄膜的磁电耦合系数随直流磁场变化图
具体实施方式
下面用实施例对本发明进一步说明。
实施例
1、配置CoFe2O4(CFO)前驱体溶液
溶剂选用N,N-二甲基甲酰胺和乙醇,N,N-二甲基甲酰胺与乙醇按照1:1、1:1.4、1:2、1.4:1、2:1五种不同比例进行混合,称取一定量的硝酸钴与硝酸铁,Co2+与Fe3+摩尔比为1:2,将称取的硝酸铁与硝酸钴溶于乙醇与N,N-二甲基甲酰胺不同比例的混合溶液中,之后放在搅拌器上常温搅拌至其完全溶解。待其完全溶解之后,加入0.8g聚合物PVP,继续进行常温搅拌,搅拌5-6h至聚合物完全溶解。然后将溶液放在超声机里进行超声20分钟,使其分散均匀。取出之后静置1天,方可得到较为均一稳定的溶液。
2、清洗衬底
衬底选用合肥科晶有限公司,所用衬底为Pt/Ti/SiO2/Si(001)或Nb-SrTiO3(001),依次用丙酮、乙醇超声清洗Pt/Ti/SiO2/Si或Nb-SrTiO3衬底
3、在衬底上进行纺丝
(1)注射器规格选用10mL,针头直径选用0.7mm,用一次性注射器抽取一定容量的电纺前驱体溶液,并除去溶液中的气泡;
(2)将装有电纺溶液的注射器安装在电纺夹具上,调整好注射器针尖和接收极板的角度,并保持一定的接收距离;
(3)开启蠕动泵电源,使蠕动泵推进装置与注射器紧密接触;
(4)在接收滚筒上卷一圈锡箔纸,将超声清洗过的Pt/Ti/SiO2/Si和Nb-SrTiO3衬底用双面胶粘在锡箔纸上。
(5)设置高压静电纺丝机纺丝参数,设定纺丝温度为40℃,湿度14~18%,正压18kV,负压-3kV,接收滚筒转速140r/min,推注速率0.07mm/min,针尖距离接收端距离~15cm;
(6)启动高压电源开关,开始纺丝,纺丝5-10s后取出衬底;
4、干燥退火与结晶
将纺丝衬底取下之后,放在石英舟里进行退火
(1)对样品进行干燥,设置升温速率为2℃/min,升温至70℃,70℃保温2h;
(2)设置升温速率为2℃/min,升温至400℃,400℃保温2h去除样品中的有机物;
(3)以升温速率1℃/min升温到750℃,达到结晶温度保温2h,使CFO纳米纤维结晶。
5、脉冲激光沉积法镀铁电层进行复合实现1-2型磁电复合材料
(1)PZT靶材选用日本金童半导体材料有限公司,成分为PbZr0.2Ti0.8O3;
(2)将已纺CFO纳米纤维的Pt/Ti/SiO2/Si用银浆粘在样品托上面,利用机械泵和分子泵抽真空,使沉积室的真空压强等于3×10-4Pa。
(3)设定生长PZT参数:沉积温度580℃,流动氧压30Pa,激光能量210mJ,脉冲频率:5HZ,氧气氛围下沉积60min,PZT薄膜厚度约为300nm;
沉积生长完成后进行退火,退火温度:650℃,氧压:3000Pa,650℃保温时长20min,实现1-2型磁性纳米纤维与铁电材料复合。
6、磁控溅射仪镀一层Pt顶电极
掩膜版直径为300μm,用直流磁控溅射法制备Pt顶电极,利用机械泵和分子泵抽真空,使溅射室压强低于8×10-4Pa,工艺参数:溅射功率40W,流动氩压0.5Pa,室温,沉积时间90s;
对上述方法所制得的样品的微观形貌如图2的TEM图所示,所制得的样品呈颗粒状连接的一维链状结构,纤维直径分布在70~90nm,纤维长度分布在1~3μm。上述样品测的磁电耦合系数随外加磁场的变化关系如图3所示,在900Oe的直流磁场下,得到的最大磁电耦合系数αE,31=320mV/Oe cm。
以上所述实施例仅表达了本发明的优选实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干改进及替代,这些都属于本发明的保护范围。
Claims (2)
1.一种由磁性纳米纤维铁电薄膜组合的磁电复合材料,其特征在于在导电衬底上,用静电纺丝法制备一层磁性纳米纤维,再在其上用脉冲激光沉积法生长覆盖磁性纳米纤维的铁电薄膜,形成一种1-2型磁电复合薄膜材料;所述衬底材料为Pt/Ti/SiO2/Si或Nb-SrTiO3导电衬底材料,所述磁性纳米纤维为CFO,或者是NiFe2O4或者是(La, Sr)MnO3磁性材料,纤维直径为70~90 nm, 纤维长度为1~3 μm,所述铁电薄膜为PZT、或钛酸钡、或钛酸铅、或铌镁钛酸铅压电材料,厚度为300~500 nm;
所述CFO为CoFe2O4材料;
所述静电纺丝法制备一层磁性纳米纤维的方法为:
1)、按照Co2+与Fe3+摩尔比1:2称量硝酸钴与硝酸铁,将其溶于N,N-二甲基甲酰胺与乙醇的混合溶液中,其两溶剂比例为1:0.5~1.5,常温搅拌20 min,待其完全溶解;加入0.8 g聚乙烯吡咯烷酮,常温搅拌5-6 h至聚合物完全溶解;再将溶液超声20 min,静置一天,得到均一稳定的CFO前驱体溶液;
2)、用高压静电纺丝机将CFO前驱体溶液纺丝涂布在经超声清洗过的Pt/Ti/SiO2/Si或Nb-SrTiO3衬底上,设定纺丝参数:温度为40 ℃,湿度14~18 %,正压18 kV,负压-3 kV,接收滚筒转速140 r/min,推注速率0.07 mm/min,针尖距离接收端距离~15 cm;纺丝5~10 s后取出衬底;
3)、将取出的衬底进行退火结晶,升温速率以2 ℃/min上升到70 ℃,保温2 h,再以升温速率2 ℃/min上升到400 ℃,保温2 h,再以升温速率1 ℃/min升温到750 ℃,达到结晶温度保温2 h,使CFO纳米纤维结晶,在衬底上制备了一层磁性纳米纤维。
2.一种由磁性纳米纤维铁电薄膜组合的磁电复合材料的制备方法,其特征包括以下步骤:
步骤一:利用硝酸铁,硝酸钴化学试剂为原料制备CFO前驱体溶液
(1)溶剂选用N,N-二甲基甲酰胺和乙醇,N,N-二甲基甲酰胺与乙醇溶剂配比按照1:0.5~1.5不同比例进行混合,按照Co2+与Fe3+摩尔比1:2称量硝酸钴与硝酸铁,将其溶于N,N-二甲基甲酰胺与乙醇的混合溶液中,常温搅拌20 min,待其完全溶解;
(2)加入0.8 g聚乙烯吡咯烷酮,常温搅拌5-6 h至聚合物完全溶解;
(3)将溶液超声20 min,静置一天,得到均一稳定的CFO前驱体溶液;
所述CFO为CoFe2O4材料;
步骤二:清洗衬底
依次用丙酮、乙醇超声清洗Pt/Ti/SiO2/Si和Nb-SrTiO3衬底;
步骤三:用静电纺丝法制备CFO纳米纤维
(1)注射器规格选用10 mL,针头直径选用0.7 mm,用一次性注射器抽取一定容量的电纺前驱体溶液,并除去溶液中的气泡;
(2)将装有电纺溶液的注射器安装在电纺夹具上,调整好注射器针尖和接收极板的角度,并保持一定的接收距离;
(3)开启蠕动泵电源,使蠕动泵推进装置与注射器紧密接触;
(4)在接收滚筒上卷一圈锡箔纸,将超声清洗过的Pt/Ti/SiO2/Si或Nb-SrTiO3衬底用双面胶粘在锡箔纸上;
(5)设置高压静电纺丝机纺丝参数,设定纺丝温度为40 ℃,湿度14~18 %,正压18 kV,负压-3 kV,接收滚筒转速140 r/min,推注速率0.07 mm/min,针尖距离接收端距离~15 cm;
(6)启动高压电源开关,开始纺丝,纺丝5~10 s后取出衬底;
步骤四:退火结晶
(1)将上步骤静电纺丝完成的制品进行干燥,升温速率以2 ℃/min上升到70 ℃,保温2h,使聚合物纤维的溶剂能充分挥发;
(2)再以升温速率2 ℃/min上升到400 ℃,保温2 h,去除有机物;
(3)以升温速率1 ℃/min升温到750 ℃,达到结晶温度保温2 h,使CFO纳米纤维结晶;
步骤五:上步骤退火结束,取出制品;
步骤六:利用脉冲激光沉积法继续生长铁电材料PZT包覆CFO纳米纤维;
(1)选用PZT为靶材,成分为PbZr0.2Ti0.8O3;
(2)PZT生长参数为:沉积温度580 ℃,流动氧压30 Pa,激光能量210 mJ,脉冲频率5Hz,沉积时长60~120 min,沉积厚度300~500 nm;
沉积生长完成后进行退火,退火温度:650 ℃,氧压:3000 Pa,650 ℃保温时长20 min;
步骤七:将掩膜版放置在制品上,用直流磁控溅射法制备Pt顶电极,工艺参数:溅射功率40 W,流动氩压0.5 Pa,室温,沉积时间90 s;
步骤八:检测制品。
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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