CN109983588A - 半导体元件 - Google Patents

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Abstract

实施例提供了一种半导体元件，包括：多个半导体结构，每个半导体结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层、以及延伸穿过第二导电半导体层和有源层并到第一导电半导体层的部分区域的第一凹口；第二凹口，设置在多个半导体结构之间；第一电极，设置在第一凹口处并电连接到第一导电半导体层；反射层，设置在第二导电半导体层下方；和突出部分，设置在第二凹口上并且比半导体结构的上表面突出得更高，其中在第一凹口中第一电极与第一导电半导体层进行接触的表面到半导体结构的上表面的距离为300nm至500nm。

Description

半导体元件
技术领域
本发明涉及一种半导体器件。
背景技术
半导体器件包含诸如GaN和AlGaN的化合物，具有许多优点，例如宽的和可调节的带隙能量，因此可以不同地用于发光器件、光接收器件、各种二极管等。
特别地，由III-V族或II-VI族化合物半导体材料形成的发光器件，例如发光二极管或激光二极管，可以实现各种颜色，例如红色、绿色和蓝色，或由于薄膜生长技术和器件材料的发展可以发射紫外线。发光器件还可以使用荧光材料或组合颜色来发射有效的白光，并且与诸如荧光灯和白炽灯的现有光源相比具有低功耗、半永久寿命、高响应速度、安全性和环境友好性的优点。
此外，由于器件材料的发展，当用III-V族或II-VI族化合物半导体材料来制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时，光接收器件通过吸收各种波长区域中的光来产生光电流。因此，使用从伽马射线区域到无线电波区域的各种波长区域中的光是可能的。而且，由于高响应速度、安全性、环境友好性且易于调节器件材料的优点，光接收器件可以容易地用于功率控制或超高频电路或通信模块。
因此，半导体器件的应用正在扩展到光通信装置的传输模块、取代构成液晶显示器(LCD)器件的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光、可替代荧光灯或白炽灯的白色发光二极管照明器件、汽车头灯、交通灯、用于感测气体或火灾的传感器等。而且，半导体器件的应用可以扩展到高频应用电路、功率控制器件和通信模块。
特别地，在紫外波长区域发光的发光器件具有治疗或杀菌效果，因此可用于治疗、医疗和杀菌。
在传统的半导体器件中，从有源层发射的光不仅可以向上行进，而且可以横向或向下行进。特别地，当Al组分增加时，可以增加从侧表面发射的光量。因此，会延长从半导体器件发射的光的光学行进路径，或者会在半导体结构中吸收光。
发明内容
技术问题
本发明旨在提供一种具有改良的光提取效率的半导体器件。
本发明还旨在提供一种具有增强的光输出和降低的工作电压的半导体器件。
本发明还旨在提供一种柔性半导体器件。
技术方案
本发明的一个方面提供了一种半导体器件，包括：多个半导体结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层、以及穿过第二导电半导体层和有源层并延伸到第一导电半导体层的部分区域的第一凹口；第二凹口，设置在多个半导体结构之间；第一电极，设置在第一凹口中并电耦接到第一导电半导体层；反射层，设置在第二导电半导体层下方；和突出部分，设置在第二凹口上并且比半导体结构的上表面突出得更高。从在第一凹口中第一电极与第一导电半导体层进行接触的表面到半导体结构的上表面的距离在300nm至500nm的范围内。
相邻的第二导电半导体层之间的最短距离可以大于或等于9μm且小于或等于74μm。
反射层的厚度可以为0.5μm到1μm。
半导体器件可以包括电耦接到反射层的第二电极焊盘。
半导体器件还可以包括第二电极，设置在第二导电半导体层和反射层之间。
反射层可以电耦接到第二电极。
半导体器件还可以包括绝缘层，覆盖反射层和第一凹口。
半导体器件还可以包括结合层，设置在绝缘层、第一凹口和第一电极下方。
半导体器件还可以包括衬底，设置在结合层下方并且电耦接到结合层。
第二凹口、反射层、绝缘层和结合层的一个表面可以与半导体结构的上表面共面。
半导体结构可以产生紫外波长范围的光。
第一导电半导体层可以包括：第1-2导电半导体层，设置为邻近有源层；和第1-1导电半导体层，设置在第1-2导电半导体层上，第1-1导电半导体层可以比第1-2导电半导体层具有更高的Al含量，第一电极可以设置在第1-2导电半导体层下方。
第二凹口可以包括台阶部分。第二电极的上表面和台阶部分之间的距离可以等于第二电极的上表面和第一电极与第一导电半导体层进行接触的表面之间的距离。
由第二凹口分隔的第一区域与由第一凹口分隔的第二区域的面积比可以在1：0.1至1：0.4的范围内。
本发明的另一个方面提供了一种半导体器件，包括：多个半导体结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层、以及第一凹口，第一凹口穿过第二导电半导体层和有源层并延伸到第一导电半导体层的部分区域，并且具有上表面和下表面；第二凹口，设置在多个半导体结构之间；以及光提取结构，从半导体结构的下表面延伸到半导体结构的上表面并在半导体结构的上表面暴露。从第一电极与第一导电半导体层进行接触的表面到半导体结构的上表面的距离在300nm至500nm的范围内。
本发明的又一方面提供了一种电子器件，包括：半导体器件和被配置为容纳半导体器件的壳体。
有益效果
根据实施例，可以提高光提取效率。
而且，可以增强光输出。
此外，可以改善工作电压。
而且，半导体器件可以是柔性的。
本发明的各种有用的优点和效果不限于上述所提到的，并且从本发明的实施例的详细描述中能更容易地理解。
附图说明
图1是根据第一实施例的半导体器件的平面图。
图2是沿根据第一实施例的图1中的线A-A'截取的半导体器件的剖视图。
图3是图1的局部放大图。
图4a是示出图2中的厚度和距离的剖视图。
图4b至4e是图4a中所示的半导体器件的修改示例的剖视图。
图5是根据第二实施例的半导体器件的平面图。
图6是沿根据第二实施例的图5中的线B-B'截取的半导体器件的剖视图。
图7是图6中的D的放大图。
图8是沿根据第二实施例的图5中的线C-C'截取的半导体器件的放大剖视图。
图9是图5中的E的放大图。
图10a至10f是示出根据本发明第一实施例的制造半导体器件的方法的视图。
图11a至11b是示出根据本发明第二实施例的制造半导体器件的方法的视图。
具体实施方式
可以将本发明的实施例修改为其他形式，或者可以将若干实施例彼此组合。本发明的范围不限于下面描述的每个实施例。
即使当在另一个实施例中不重复对特定实施例的描述时，该描述可以被理解为与另一个实施例有关，除非在另一个实施例中陈述相反或有所矛盾。
例如，假设在特定实施例中描述了配置A的特性，并且在另一实施例中描述了配置B的特性，即使在其中组合配置A和配置B的实施例没有清楚地说明，它应该被理解的是除非陈述相反或有所矛盾，否则该实施例属于本发明的范围。
在描述实施例时，当声明任何一个元件形成在另一个元件的“上方或下方”时，这两个元件可以形成为彼此直接接触或形成为彼此间接接触，即，一个或多个其他元件可以在这两个元件之间形成。而且，术语“上方或下方”可以不仅指示一个元件的上方向，而且还指示该元件的下方向。
在下文中，将参照附图详细描述本发明的实施例，使得本发明所属领域的普通技术人员可以容易地实现这些实施例。
图1是根据第一实施例的半导体器件的平面图。图2是沿根据第一实施例的图1中的线A-A'截取的半导体器件的剖视图。图3是图1的局部放大图。
参照图1至图3，根据本发明第一实施例的半导体器件可以包括多个半导体结构。半导体结构的数量可以改变，因此，半导体器件的尺寸可以变化。
参照图2，根据第一实施例的半导体器件可以包括多个半导体结构120、第一绝缘层130、第一凹口125、第二凹口126、反射层140、第二绝缘层150、结合层160、以及衬底170。
每个半导体结构120可以包括第一导电半导体层122、第二导电半导体层124、设置在第一导电半导体层122和第二导电半导体层124之间的有源层123、以及穿过第二导电半导体层124和有源层123并延伸到第一导电半导体层122的部分区域的第一凹口125。
根据本实施例的半导体结构120可以产生紫外波长范围的光。
例如，半导体结构120可以输出近紫外(UV-A)波长范围的光、远紫外(UV-B)波长范围的光和深紫外(UV-C)波长范围的光。紫外波长范围可以由半导体结构120的Al组分比确定。
例如，近紫外(UV-A)波长范围内的光可以具有320nm至420nm的波长范围，远紫外(UV-B)波长范围内的光可以具有280nm至320nm的波长范围，并且深紫外(UV-C)波长范围内的光可以具有100nm至280nm的波长范围。
第一导电半导体层122可以设置在半导体结构120的上部中。第一导电半导体层122可以包括：第1-2导电半导体层122b，设置为邻近于有源层123；和第1-1导电半导体层122a，设置在第1-2导电半导体层122b上。
第1-1导电半导体层122a的Al组分可以与第1-2导电半导体层122b的不同。例如，第1-1导电半导体层122a可以是具有高Al组分的层，第1-2导电半导体层122b可以是具有低Al组分的层。第1-1导电半导体层122a的下表面可以与第一电极182的上表面接触并电耦接。
第一导电半导体层122可以实现为由诸如-V族或-VI族的化学化合物构成的半导体，并且可以掺杂有第一掺杂剂。例如，第一导电半导体层122可以选自GaN、AlGaN、InGaN、InAlGaN等，其为具有经验式“Inx1Aly1Ga1-x1-y1N(0≤x1≤1，0≤y1≤1，0≤x1+y1≤1)”的半导体材料。第一掺杂剂可以是n型掺杂剂，例如Si、Ge、Sn和Te。当第一掺杂剂是n型掺杂剂时，掺杂有第一掺杂剂的第一导电半导体层122可以是n型半导体层。
第1-1导电半导体层122a的Al组分可以为55％至70％的范围内，第1-2导电半导体层122b的Al组分可以在40％至55％的范围内。第1-2导电半导体层122b可以设置为邻近有源层123。
在这种情况下，当Al组分增加时，半导体结构120中的电流扩散特性可能劣化。而且，与从基于GaN的蓝色发光器件发射的光量相比，从有源层113的侧表面发射的光量有所增加(横向磁(TM)模式)。这样的TM模式可以从紫外半导体器件生成。
有源层123可以设置在第一导电半导体层122和第二导电半导体层124之间。在有源层123中，通过第一导电半导体层122注入的电子(或空穴)与通过第二导电半导体层124注入的空穴(或电子)相遇。当电子和空穴再结合时，有源层123转变为低能级并且可以产生对应于该能级的波长的光。
有源层123可以具有单阱结构、多阱结构、单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构和量子线结构中的任何一种，但是有源层123的结构不限于此。有源层123可以包括Al。
第二导电半导体层124可以设置在有源层123下方。第二导电半导体层124可以电耦接到第二电极186。
第二导电半导体层124可以实现为由诸如-V族或-VI族的化学化合物构成的半导体。而且，第二导电半导体层124可以掺杂有第二掺杂剂。第二导电半导体层124可以由具有经验式Inx5Aly2Ga1-x5-y2N(0≤x5≤1，0≤y2≤1，0≤x5+y2≤1)的半导体材料形成，或由选自AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP的材料形成。当第二掺杂剂是p型掺杂剂，例如Mg、Zn、Ca、Sr和Ba时，掺杂有第二掺杂剂的第二导电半导体层124可以是p型半导体层。
第一凹口125可以穿过第二导电半导体层124和有源层123并且延伸到第一导电半导体层122的部分区域。在半导体结构120中可以存在至少一个第一凹口125。第一电极182设置在第一凹口125中并电耦接到第一导电半导体层122。
第二凹口126可以设置在多个半导体结构120之间。第二电极186可以设置在第二凹口126和第一凹口125之间。而且，第二电极186可以设置在第二导电半导体层124下方并且电耦接到第二导电半导体层124。
参照图3，半导体器件可以包括由第二凹口126分隔的多个第一区域S1。第一电极182和第二电极186可以设置在每个第一区域S1中。第一区域S1可以具有多边形形状，例如六边形形状、八边形形状和四边形形状，或具有曲率的形状。然而，第一区域S1的形状不限于此。
半导体器件可以包括第二区域S2，其中第一导电半导体层暴露在第一凹口125中。第二区域S2可以具有多边形形状，例如六边形形状、八边形形状和四边形形状，或具有曲率的形状。然而，第二区域S2的形状不限于此。第一电极182可以设置在第二区域S2中。第一区域S1与第二区域S2的面积比可以在1:0.1至1:0.4的范围内。
当第一区域与第二区域的面积比小于1:0.1时，设置在第一凹口125中的第一电极182的面积小，并且工作电压可能增加，这是有问题的。
当第一区域与第二区域的面积比超过1:0.4时，有源层123和第二导电半导体层的面积小，并且从半导体结构发射的光通量可能减小，这是有问题的。
第二凹口126可以包括台阶部分126a。第二电极186的上表面和台阶部分126a之间的距离可以等于第二电极186的上表面和第一电极182与第一导电半导体层122进行接触的表面之间的距离。然而，第二电极186的上表面与台阶部分126a之间的距离不限于此。而且，第二凹口126可以不包括台阶部分126a。第二凹口126可以设置成穿过第一导电半导体层122。
第二凹口126可以包括突出部分190，从半导体结构120的下表面设置在比半导体结构120的上表面更高的水平处。反射层140可以设置在第二凹口126中，并且反射层140的上表面可以设置在比半导体结构120的上表面更高的水平处。与此不同，反射层140的上表面可以设置在比半导体结构120的上表面低的水平处，因此，上表面的水平(level)不限于前一种情况。
从突出部分190的上表面到反射层140的上表面的距离可以是突出部分190的厚度。突出部分190的厚度可以在第一方向上远离第二凹口126的上表面的中心逐渐变小。突出部分190的上表面可以具有曲率。第一方向可以是方向X1或X2。第二方向可以是方向Y1或Y2。第二方向是半导体结构的堆叠方向，第一方向是垂直于第二方向的方向。
突出部分190可以通过调节在半导体结构120之间发射的光的光束角度来均匀化从整个半导体器件发射的光通量。当突出部分190具有曲率时，突出部分190可以用作透镜，并且可以通过调整突出部分190的厚度和形状来控制在半导体结构120之间发射的光的光束角度。因此，可以通过调节突出部分190的厚度和形状来控制从半导体器件发射的光通量的均匀性。
突出部分190可以包括反射层140和/或第一绝缘层130。
设置在突出部分190中的第一绝缘层130可以具有比设置在第二导电半导体层124的下表面处的第一绝缘层130更小的厚度。在这种情况下，突出部分190的厚度可以是第一导电半导体层122的上表面和突出部分190的上表面之间在Y2方向上的距离。突出部分190可以通过防止设置在第二凹口126中的反射层140的上表面向外暴露来保护反射层140的上表面免受外部湿气或污染物的影响。
突出部分190的厚度可以在0.05μm到0.7μm的范围内，以改善从半导体器件发射的光通量的均匀性。当突出部分190的厚度小于0.05μm时，设置在第二凹口126中的反射层140的上表面保护反射层140的上表面免受外部湿气或污染物影响的特性可能会降低。当突出部分190的厚度超过0.7μm时，半导体器件的柔性特性可能降低。
第一绝缘层130可以从半导体结构120的下部延伸到第一凹口125和第二凹口126中。第一绝缘层130可以将第一导电半导体层122与第二导电半导体层124电隔离。
第一绝缘层130可以具有0.1μm到0.7μm的厚度，但厚度不限于此。当第一绝缘层130的厚度为0.1μm或更小时，电可靠性可能降低。另一方面，当第一绝缘层130的厚度为0.7μm或更大的范围内时，由于反射层140和第一绝缘层130之间的热膨胀系数(CTE)差异或者反射层140与第一绝缘层130之间的热应力差异，可能发生分层或者在反射层140中可能产生裂缝，使得半导体器件的电可靠性可能降低或者光提取效率可能降低。
第一绝缘层130可以由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SixNy)和氧化铝(AlxOy)中的至少一种形成，但不限于此。
第一绝缘层130可以包括折射率低于半导体结构120的材料。当突出部分190由与第一绝缘层130的材料相同的材料形成时，由于这种配置，突出部分190的折射率低于半导体结构120的折射率，因此，可以提高半导体器件的光提取效率。
反射层140可以设置在第一绝缘层130和第二导电半导体层124下方。反射层140可以电耦接到第二导电半导体层124。而且，反射层140可以覆盖第二电极186并且可以电耦接到第二电极186。
反射层140可以从第二导电半导体层124的下表面延伸到第一凹口125的部分区域。而且，反射层140可以从第二导电半导体层124的下表面延伸到第二凹口126中。
反射层140可以设置在第二导电半导体层124的下表面上，并且将从有源层123发射的光反射到半导体结构120上方。
而且，反射层140可以延伸到第一凹口125和第二凹口126中，并且将从有源层123发射的光反射到半导体结构120上方。因此，反射层140可以增加从半导体器件发射的光通量并控制半导体器件的光束角。
当反射层140延伸到第一凹口125的部分区域时，反射层140可以设置成不与第一电极182和设置在第一凹口125中的结合层160直接接触。因此，可以将从第一凹口125的侧表面和上表面发射的光反射在半导体结构120上方。
当反射层140与第一电极182和结合层160直接接触时，第一电极182和第二电极186可能短路。而且，第一电极182可能与结合层160短路。因此，不会将电流注入半导体结构120中使得半导体器件可能发生故障。
因此，反射层140可以向上设置到第一凹口125的上表面的部分区域。反射层140和第一电极182之间的最短分离距离可以在1μm到15μm的范围内。当反射层140与第一电极182之间的距离小于1μm时，缺少用于确保反射层140和第一电极182之间的距离的工艺余量，使得半导体器件的产量可能降低。当在反射层140和第一电极182之间没有分离距离时，第一电极182和反射层140彼此电耦接，使得半导体器件可能发生故障。
而且，当半导体器件长时间工作时，第一电极182和反射层140可能由于反射层140的原子迁移而短路。当反射层140与第一电极182之间的距离超过15μm时，第一凹口125的上表面的面积增加。因此，减小了半导体结构120中的有源层123的面积，使得可以减少从半导体结构120和半导体器件发射的光通量。
反射层140可以电耦接到第二电极焊盘146。从第二电极焊盘146供应的电力可以通过反射层140和第二电极186提供给第二导电半导体层124。反射层140可以具有0.03μm到1μm的厚度。优选地，反射层140的厚度在0.8μm到1μm的范围内。
作为反射层140，可以选择在紫外波长范围内具有高反射率的材料。反射层140可以包括导电材料。例如，反射层140可以包括Al。
第二绝缘层150可以设置在反射层140和第一凹口125下方。第二绝缘层150可以使结合层160与反射层140电绝缘。而且，第二绝缘层150可以使衬底170与反射层140电绝缘。第二绝缘层150可以具有0.5μm到1μm的厚度，但厚度不限于此。
当第二绝缘层150的厚度超过0.5μm时，半导体器件的电可靠性可能降低。当第二绝缘层150的厚度大于或等于1μm时，半导体器件的可靠性因工艺期间施加到器件的压力或热应力而降低，并且光提取效率降低。
结合层160可以设置在第二绝缘层150或第一电极182下方。结合层160可以电耦接到第一电极182。第二绝缘层150可以设置在结合层160和反射层140之间。第二绝缘层150可以设置为将反射层140与结合层160电分离。结合层160可以将半导体结构120和设置在半导体结构120下方的衬底170结合在一起。
结合层160可以包括导电材料。例如，结合层160可以包括选自由如下材料组成的组的材料：金(Au)、锡(Sn)、铟(In)、铝(Al)、硅(Si)、银(Ag)、镍(Ni)和铜(Cu)或其合金。
衬底170可以设置在结合层160下方。衬底170可以由诸如金属的导电材料形成。衬底170可以电耦接到结合层160。例如，衬底170可以包括金属或半导体材料。衬底170可以是具有优异导电性和/或导热性的金属。在这种情况下，可以将半导体器件工作期间产生的热快速传递到外部。
衬底170可以包括选自由如下材料组成的组的材料：Si、钼(Mo)、钨(W)、Cu和Al或其合金。然而，衬底170不限于此。
第一电极182可以设置在第一凹口125中。第一电极182可以被设置为与第1-2导电半导体层122b的下表面接触。由于这种配置，半导体器件可以确保相对平滑的电流注入特性。由于高Al组分，第1-1导电半导体层122a与第1-2导电半导体层122b相比可能具有较差的电流扩散特性和电流注入特性。因此，第一电极182可以设置在第1-2导电半导体层122b的下表面上。
第一电极182可以电耦接到第一导电半导体层122。第一电极182可以具有0.2μm到0.3μm的厚度。然而，第一电极182的厚度不限于此。
第一电极182的厚度可以小于第一绝缘层130的厚度。第一绝缘层130和第一电极182可以彼此分开设置。第一绝缘层130和第一电极182之间的最短分离距离可以在0.3μm到0.5μm的范围内。当最短分离距离小于0.3μm时，用于设置以最短分离距离设置的第二绝缘层140的距离太短，因此，可能难以设置第二绝缘层150。因此，可能在第二绝缘层150中产生裂缝或者可能发生分层。半导体器件的可靠性可能降低。
当最短分离距离超过0.5μm时，第一凹口125的面积变得太大，并且半导体结构120的有源层123的面积减小。因此，可能减少从半导体结构120发射的光通量。第一电极182的厚度可以在第一绝缘层130的厚度的40％至80％的范围内。
当第一电极182的厚度小于第一绝缘层130的厚度的40％时，由于设置下电极引起的台阶覆盖特性的降低，可能发生诸如分层和裂缝的问题。
当第一电极182的厚度超过第一绝缘层130的厚度的80％时，第二绝缘层150可以设置在第一绝缘层130和第一电极182之间的分离距离内。在这种情况下，第二绝缘层150的间隙填充特性降低，使得在第二绝缘层150中可能产生裂缝或者可能发生分层。
第二电极186可以设置在第二导电半导体层124和反射层140之间。第二电极186可以电耦接到反射层140。而且，第二电极186可以通过反射层140电耦接到第二电极焊盘146。
第二电极焊盘146和半导体结构120之间的距离可以在5μm到30μm的范围内。当距离小于5μm时，很难确保工艺余量。当距离大于30μm时，设置第二电极焊盘146的区域在整个器件中增加。因此，可能减小有源层123的面积，并且可能减少光量。
第二电极焊盘146的凸起部分的高度可以大于有源层123的高度。因此，第二电极焊盘146可以通过将从有源层123在器件的水平方向上发射的光进行反射来提高光提取效率并控制光束角度。
第一电极182和第二电极186可以形成为包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化镓锌(GZO)、IZO氮化物(IZON)、Al-Ga ZnO(AGZO)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au或Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一种，但不限于这些材料。
第二电极焊盘146可以由导电材料形成。第二电极焊盘146可以具有单层或多层结构，并且包括Ti、Ni、Ag和Au。例如，第二电极焊盘146可以具有Ti/Ni/Ti/Ni/Ti/Au的结构。
第二电极焊盘146的中心是凹陷的，使得其上表面可以具有凹入部分和凸起部分。电线(未示出)可以结合到上表面的凹入部分。因此，由于大的粘合面积，电线可以进一步牢固地结合到第二电极焊盘146。
第二电极焊盘146可以反射光。因此，当第二电极焊盘146更靠近半导体结构120时，可以提高光提取效率。
可以在半导体结构120的上表面上形成突起和凹陷。这些突起和凹陷可以提高从半导体结构120发射的光的提取效率。突起和凹陷可具有根据紫外波长变化的平均高度。在UV-C的情况下，突起和凹陷可以具有约300nm至约800nm的高度，并且当平均高度为约500nm至约600nm时，可以提高光提取效率。
图4a是示出图2中的厚度和距离的剖视图。图4b至4e是图4a中所示的半导体器件的修改示例的剖视图。
如图4a所示，在第一凹口125中，从第一电极182与第1-2导电半导体层122b进行接触的表面到半导体结构120的上表面的第一距离h1可以在300nm至500nm的范围内。
第一距离h1可以是从第一凹口125的上表面到半导体结构120的上表面的最短距离。
第一电极182与第一导电半导体层122进行接触的表面可以与第1-1导电半导体层122a和第1-2导电半导体层122b之间的界面共面，但不限于此。
当第一距离h1小于300nm时，第一导电半导体层122的厚度减小，使得电流扩展可能降低。这可能导致半导体器件的光通量减小。
当第一距离h1大于500nm时，多个光线可能被限制在第一导电半导体层122中。这可能降低半导体器件的光强度。
第二导电半导体层124的下部与第一凹口125的上表面之间的第二距离h2可以在0.7μm到1μm的范围内。
当第二距离h2小于0.7μm时，第一导电半导体层122的厚度很小，使得电流扩展特性可能降低。结果是，注入到半导体结构120中的电流的均匀性可能降低。而且，电流或热量集中在第一凹口125的附近，使得半导体器件的电学和光学特性以及可靠性可能降低。
另一方面，当第二距离h2大于1μm时，从有源层123发射的光的路径在半导体结构120中变长，并且半导体结构120中吸收的光量增加，使得半导体器件的光通量可能减小。
在半导体结构120的下表面和从半导体结构120的下表面延伸出来的第二凹口126之间的第一角度θ1可以在90°到120°的范围内。当在第二凹口126和半导体结构120的下表面之间的第一角度θ1超过120°时，第二凹口126的上表面的宽度很小，使得在形成反射层140的过程中间隙填充特性可能降低。在反射层140的上表面和突出部分190的下表面之间可能产生空隙或裂缝，因此，半导体器件的可靠性和光提取效率可能降低。
第二凹口126可以包括台阶部分126a。从台阶部分126a到半导体结构120的下表面的高度h3可以等于从第一凹口125的上表面到半导体结构120的下表面的高度h2。
当应用半导体工艺时，可以通过干法蚀刻或湿法蚀刻形成第一凹口125和第二凹口126。当穿过半导体结构120的第二凹口126通过半导体工艺形成时，由于半导体结构120的厚度大，第二凹口126可以通过几个工艺阶段形成。因此，当从台阶部分126a到半导体结构120的下表面的高度h3等于从第一凹口125的上表面到半导体结构120的高度h2时，可以通过多个蚀刻工艺设置第一凹口125和第二凹口126来减少工艺的数量。而且，可以降低半导体器件的产量和生产成本。
台阶部分126a的宽度L5可以在0.5μm到3μm的范围内。台阶部分126a可以在第一方向上相对于第二凹口126的中心对称地形成，第二凹口126设置在相邻的半导体结构120之间。
然而，台阶部分126a不限于此，并且可以仅形成在第一方向上的基于第二凹口126的中心的一侧上。图4a示出了相同的台阶部分126a基于第二凹口126的第一方向设置在方向X1和X2上，但是，例如，设置在方向X1和X2上的台阶部分126a可以具有不同的宽度。
而且，从有源层123发射的光可以在半导体结构120中的台阶部分126a处散射。因此，可以降低在半导体结构120中发生的全内反射的可能性，并且可以提高半导体器件的光提取效率。
第一个角度θ1可以在90°到120°的范围内。第一角度θ1可以是在半导体结构120的下表面和从半导体结构120的下表面延伸出来的第二凹口126之间的角度。然而，第一角度θ1不限于此。
第二角度θ2可以在90°到120°的范围内。第二角度θ2可以是包括在第二凹口126中的台阶部分126a与第一导电半导体层122的侧表面之间的角度，该侧表面从台阶部分126a延伸到第二凹口126并且与半导体结构120的上表面接触。
当第二角度θ2超过120°时，第二凹口126的上表面的宽度很小，使得在设置反射层140的过程中间隙填充特性可能降低。因此，在反射层140的上表面和突出部分190的下表面之间可能产生空隙或裂缝，因此，半导体器件的可靠性和光提取效率可能降低。
第一角度θ1和第二角度θ2可以彼此相同或不同。可以通过调节第一角度θ1和第二角度θ2彼此相同或不同来控制半导体结构120的光束角度。
当第1-1导电半导体层122a中的Al组分变大，电流扩展效应可能被减少。因此，电流仅分布在第一电极182的附近，电流密度可能在远离第一电极182的中心的位置处急剧减小。因此，可能减小有效发光区域的尺寸。
远离第一电极182的中心的低电流密度区域具有低电流密度，因此几乎不会有助于发光。因此，根据实施例，反射层140可以形成在具有低电流密度的区域中，使得光提取效率可以提高。
然而，在低电流密度区域的整个区域中形成反射层140是低效的。因此，可能有利的是仅留下将形成反射层140的区域并将第一电极182密集地设置在剩余区域中以增强光输出。
设置在第一凹口125和第二凹口126之间的第二导电半导体层124的下表面的最短长度L1可以在10μm到35μm的范围内。
从形成在第2-1凹口126中的台阶部分126a到形成在相邻的第2-2凹口126中的台阶部分126a的最短距离L3可以在45μm到100μm的范围内。
从暴露的第2-1凹口126的上表面的中心到相邻的第2-2凹口126的上表面的中心的最短距离L2可以在50μm到110μm的范围内。
设置在第一区域中的第二导电半导体层124的层片之间的最短距离L4可以在9μm到74μm的范围内。
第二凹口126可以设置成穿过第一导电半导体层122。从第一导电半导体层122的上表面到半导体结构120的下表面的距离可以小于从设置在第二凹口126中的第一绝缘层130的上表面到半导体结构120的下表面的距离。在这种情况下，突出部分190的上表面可以设置在比半导体结构120的上表面更高的水平处。而且，半导体结构120的上表面可以设置在突出部分190的上表面和反射层140的上表面之间。
与此不同，参照图4b，突出部分190的上表面可以具有如上所述的曲率。根据这种配置，可以改善从半导体器件发射的光通量的均匀性。
参照图4c，半导体结构120的上表面可以与设置在第二凹口126中的第一绝缘层130的上表面共面。与此不同，参照图4d，半导体结构120的上表面可以根据蚀刻程度设置在设置在第二凹口126中的第一绝缘层130的上表面和设置在第二凹口126中的反射层140的上表面之间。
参照图4e，半导体结构120的上表面可以设置在设置在第二凹口126中的反射层140的上表面和设置在第二凹口126中的第二绝缘层150的上表面之间。半导体结构120的上表面可以根据蚀刻程度设置在不同位置。
图5是根据第二实施例的半导体器件的平面图，图6是沿根据第二实施例的图5中的线B-B'截取的半导体器件的剖视图，图7是图6中的D的放大图，图8是沿根据第二实施例的图5中的线C-C'截取的半导体器件的放大剖视图，图9是图5中的E的放大图。
参照图5至图9，根据本发明第二实施例的半导体器件可以包括半导体结构120、第一绝缘层130、第二凹口126、反射层140、第二绝缘层150、结合层160和衬底170。
根据第二实施例的半导体器件可以包括多个半导体结构120。半导体结构120的数量可以变化，并且半导体器件的尺寸可以相应地变化。然而，半导体器件不限于此。
每个半导体结构可以包括第一导电半导体层122、第二导电半导体层124、设置在第一导电半导体层122和第二导电半导体层124之间的有源层123、以及穿过第二导电半导体层124和有源层123延伸到第一导电半导体层122的部分区域的第一凹口125。
第一导电半导体层122可以设置在半导体结构120的上部中。第一导电半导体层122可以包括：第1-2导电半导体层122b，设置为邻近于有源层123；和第1-1导电半导体层122a，设置在第1-2导电半导体层122b上。
第1-1导电半导体层122a的Al组分可以与第1-2导电半导体层122b的不同。例如，第1-1导电半导体层122a可以是具有高Al组分的层，第1-2导电半导体层122b可以是具有低Al组分的层。第1-1导电半导体层122a的下表面可以与第一电极182的上表面接触并电耦接。
有源层123可以设置在第一导电半导体层122和第二导电半导体层124之间。在有源层123中，通过第一导电半导体层122注入的电子(或空穴)与通过第二导电半导体层124注入的空穴(或电子)相遇。当电子和空穴再结合时，有源层123转变为低能级并且可以产生对应于该能级的波长的光。
第二导电半导体层124可以设置在有源层123下方。第二导电半导体层124可以电耦接到第二电极186。
第一凹口125可以穿过第二导电半导体层124和有源层123并且延伸到第一导电半导体层122的部分区域。在半导体结构中可以存在至少一个第一凹口125。第一电极182设置在第一凹口125中并电耦接到第一导电半导体层122。
第二凹口126可以设置在多个半导体结构120之间。第二电极186可以设置在第二凹口126和第一凹口125之间。
第二凹口126可以包括台阶部分126a。第二电极186的上表面和台阶部分126a之间的距离可以等于第二电极186的上表面和第一电极182与第一导电半导体层122进行接触的表面之间的距离。
然而，该距离不限于这种情况。而且，第二凹口126可以不包括台阶部分126a。第二凹口126可以设置成穿过第一导电半导体层122。
第二凹口126可以通过第一导电半导体层122暴露。第二凹口126和反射层140可以在与半导体结构120的上表面相同的平面中部分地暴露。然而，本发明不限于这种情况，并且半导体结构120的上表面可以高于或低于第二凹口126和反射层140的暴露表面。而且，第二绝缘层150和结合层160也可以部分地暴露。由第二凹口126、反射层140、第二绝缘层150和结合层160暴露的上表面可以是共面的。
暴露表面可以包括多个半导体结构120之间的界面。当半导体器件弯曲或折叠时，第二凹口126和第二绝缘层150可能容易被界面中心处的应力损坏。在这种情况下，可能引入异物、湿气等，使得半导体器件可能发生故障。
而且，当反射层140断裂时，第二电极186的片层之间的电耦接可能被阻挡，使得多个阵列的半导体器件可能被关闭。因此，易受外部应力影响的第二凹口126可以不覆盖反射层140的暴露第二凹口126的表面。这样的配置可以防止第二绝缘层150被施加到反射层140的上部的应力损坏。
第一绝缘层130可以从半导体结构120的下部延伸到第一凹口125和第二凹口126中。第一绝缘层130可以将第一导电半导体层122与第二导电半导体层124电隔离。第一绝缘层130可以具有0.1μm到0.7μm的厚度，但厚度不限于此。反射层140可以设置在第一绝缘层130和第二导电半导体层124下方。
反射层140可以电耦接到第二导电半导体层124。反射层140可以覆盖第二电极186并且可以电耦接到第二电极186。而且，反射层140可以从第二导电半导体层124的下表面延伸到第一凹口125的部分区域，并且从第二导电半导体层124的下表面延伸到第二凹口126中。
当反射层140延伸到第一凹口125的部分区域时，反射层140可以设置成不与第一电极182和设置在第一凹口125中的结合层160直接接触。因此，可以将发射第一凹口125的侧表面和部分上表面的光反射到半导体结构120上方。
当反射层140与第一电极182和结合层160直接接触时，第一电极182和第二电极186可能短路。因此，不会将电流注入半导体结构120中使得半导体器件可能发生故障。
因此，延伸到第一凹口125的上表面的部分区域的反射层140可以与第一电极182具有1μm到15μm的分离距离。当反射层140与第一电极182之间的距离小于1μm时，缺少用于确保反射层140和第一电极182之间的距离的工艺余量，使得半导体器件的产量可能降低。而且，当半导体器件长时间工作时，第一电极182和反射层140可能由于反射层140的原子迁移而彼此短路。
当反射层140与第一电极182之间的距离超过15μm时，第一凹口125的上表面的面积增加。因此，减小了半导体结构120中的有源层123的面积，使得从半导体结构120和半导体器件发射的光通量可能减少。
第二绝缘层150可以设置在反射层140和第一凹口125下方。第二绝缘层150可以使结合层160和衬底170与反射层140电绝缘。第二绝缘层150可以具有0.8μm到1μm的厚度，但厚度不限于此。
结合层160可以设置在第二绝缘层150下方。而且，结合层160可以设置在第二绝缘层150的下表面上，并且设置在第一电极182下方并电耦接到第一电极182。第二绝缘层150可以设置在结合层160和反射层140之间。
第二绝缘层150可以设置为将反射层140和结合层160彼此电分离。结合层160可以将半导体结构120和设置在半导体结构120下方的衬底170结合在一起。
衬底170可以设置在结合层160下方。衬底170可以由诸如金属的导电材料形成。衬底170可以电耦接到结合层160。例如，衬底170可以包括金属或半导体材料。衬底170可以是具有优异导电性和/或导热性的金属。在这种情况下，可以将半导体器件工作期间产生的热快速传递到外部。
衬底170可以包括选自由如下材料组成的组的材料：Si、Mo、Si、W、Cu和Al或其合金。然而，衬底170不限于此。
第一电极182可以设置在第一凹口125中。此外，第一电极182可以被设置在第1-2导电半导体层122b中。由于这种配置，半导体器件可以确保相对平滑的电流注入特性。
由于高Al组分，第1-1导电半导体层122a与第1-2导电半导体层122b相比可能具有较差的电流扩散特性和电流注入特性。因此，第一电极182可以设置在第1-2导电半导体层122b的下表面上。
第二电极186可以设置在第二导电半导体层124和反射层140之间。第二电极186可以电耦接到反射层140。
参照图7，第二凹口126、反射层140、第二绝缘层150和结合层160的一部分可以在与第一导电半导体层122的上表面相同的表面处暴露。衬底170可以包括暴露表面的中心C。中心C是中心点，在该中心点处，衬底170的暴露的上表面在第一方向上被分成两部分。
可以基于中心C来划分相邻的半导体器件。此外，可以基于中心C来弯曲或折叠半导体器件。第二凹口126和第二绝缘层150可以基于中心来划分。第二凹口126和第二绝缘层150都不存在于中心C处。根据这种配置，半导体器件可以因折叠或弯曲受到很少应力。因此，根据本实施例的半导体器件可以容易地用在柔性器件中。
其中结合层160暴露的宽度d1可以在5μm到11μm的范围内。半导体器件距离基于中心C而相邻的半导体器件可以具有5μm或更大的宽度，以便具有柔性效果。
参照图8，可以暴露半导体器件的上表面的一部分。由于这种配置，半导体器件的反射层140可以与部分区域分离。
图10a至10f是示出根据本发明第一实施例的制造半导体器件的方法的视图。
参照图10a至10f，该方法可包括：在生长衬底1上形成半导体结构的操作；通过去除半导体结构的部分区域形成第一凹口和第二凹口的操作；在第一凹口中形成第一电极和在第二导电半导体层上形成第二电极和第一绝缘层的操作；在第一绝缘层上形成反射层的操作；在反射层上形成第二绝缘层的操作；在第二绝缘层上形成结合层的操作；以及在结合层上设置衬底170的操作。随后，该方法可以包括分离生长衬底1和将第一导电半导体层蚀刻到一定厚度范围的操作。
参照图10a，可以在生长衬底1上顺序地设置第一导电半导体层122、有源层123和第二导电半导体层124，以制造半导体结构120。
第一导电半导体层122可以被形成为包括与生长衬底1接触的第1-1导电半导体层122a和设置在第1-1导电半导体层122a上的第1-2导电半导体层122b。第1-1导电半导体层122a可以比第1-2导电半导体层122b具有更高的Al组分。
可以在第一导电半导体层和衬底170之间进一步设置缓冲层(未示出)。缓冲层(未示出)可以减轻衬底170与第一导电半导体层122、有源层123和第二导电半导体层124之间的晶格失配。缓冲层可以是如下组元素的组合，或者可以包括其中任一种：GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN。缓冲层可以掺杂有掺杂剂，但不限于此。
第一导电半导体层122、有源层123和第二导电半导体层124可以使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、分子束外延(MBE)、氢化物气相外延(HVPE)、溅射等的方法来形成，但形成层的方法不限于此。
参照图10b，可以通过第一蚀刻去除第二导电半导体层124、有源层123和第一导电半导体层122的一部分。可以向下执行蚀刻至第一导电半导体层122的一部分。可以通过蚀刻来暴露第二导电半导体层124、有源层123和第一导电半导体层122。
参照图10c，可以通过第二蚀刻将第一导电半导体层122的一部分向下去除至第1-1导电半导体层122a的上表面。第二蚀刻可以向下执行至第1-1导电半导体层122a的一部分。因此，生长衬底1不被暴露。第二蚀刻可以暴露第1-1导电半导体层122a下至其部分下部区域中。可以通过第一蚀刻和第二蚀刻来暴露第一导电半导体层122、有源层123和第二导电半导体层124。半导体结构120可以是经过两次制造执行系统应用(MESA)蚀刻的结构。
参照图10d，可以将第一绝缘层130设置在第一导电半导体层122、有源层123和第二导电半导体层124上。可以将第一电极182沉积在与第1-2导电半导体层122b接触的表面上。可以将第二电极186沉积在第二导电半导体层124上。
而且，第一电极182和第二电极186可以由不透明金属形成，例如Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf。在这种情况下，发光区域减小与第一电极182的面积一样多，因此可以以小尺寸形成第一电极182。
任何通常使用的电极制造方法，例如溅射、涂覆和沉积，可用于形成第一电极182和第二电极186。当形成第一电极182和第二电极186时，可以另外形成反射层和欧姆层。
第一凹口125可以形成在第一电极182和第二电极186之间，以及第二凹口126可以在通过第二蚀刻暴露的第1-1导电半导体层122a中形成在第二导电半导体层124的暴露上表面之间。
第一电极182和第二电极186可以是欧姆电极。第一电极182和第二电极186可以形成为包括ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IZON、AGZO、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au或Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一种，但不限于这些材料。
反射层140可以形成在第二凹口126和第二电极186上。然而，反射层140可以与第一电极182电隔离。反射层140可以设置在第二电极186下方并且电耦接到第二电极186。
第二绝缘层150可以设置在反射层140和第一凹口125下方。由于这种配置，反射层140和第一电极182可以彼此电绝缘。
参照图10e，可以在第二绝缘层150下方设置结合层160。结合层160可以设置在第二绝缘层150和第一电极182下方并且电耦接到第一电极182。
可以在结合层160的上表面上形成衬底170。然后，可以去除生长衬底1。除去生长衬底1的方法没有特别限制。例如，可以通过激光剥离(LLO)工艺去除生长衬底1，但是该方法不限于此。
结合层160可以将设置在半导体结构120下方的衬底170和半导体结构120结合在一起。
参照图10f，根据蚀刻，第一绝缘层130的上表面和半导体结构120的上表面的布置可以具有不同的关系。首先，第一绝缘层130和半导体结构120的上表面可以是共面的。
而且，第一绝缘层130通过蚀刻可以包括突出部分190，该突出部分190距离半导体结构120的下表面设置在比半导体结构120的上表面更高的水平处。换句话说，半导体结构120的上表面可以插入在突出部分190的上表面和反射层140的上表面之间。
此外，半导体结构120的上表面和反射层140的上表面可以通过蚀刻变得共面，从而构成平坦表面。此外，半导体结构120的上表面可以通过蚀刻设置在比反射层140的上表面低的水平处。
图11a至11b是示出根据本发明第二实施例的制造半导体器件的方法的视图。
由于图11a与图10e相同，根据本发明第二实施例的制造半导体器件的方法与上面参考图10e所述的相同。
参照图11b，可以向下执行蚀刻到结合层160的上表面。第1-1导电半导体层122a可以使用与结合层160的上表面相同的方式被蚀刻。因此，可以暴露结合层160、第二绝缘层150、反射层140和第二凹口126的一部分。
半导体器件可以配置为封装并用于固化树脂、抗蚀剂、旋涂电介质(SOD)或旋涂玻璃(SOG)。或者，半导体器件可用于医疗或保健或用于空气净化器，净水器等中的消毒。
半导体器件可以用作照明系统的光源、图像显示器件的光源、或照明器件的光源。换句话说，半导体器件可以设置在壳体中并应用于提供光的各种电子器件。例如，当组合使用半导体器件和红-绿-蓝(RGB)荧光材料时，可以实现具有高显色指数(CRI)的白光。
上述半导体器件可以构成发光器件封装，并且可以用作照明系统的光源。例如，半导体器件可以用作图像显示器件的光源或照明器件等的光源。
当半导体器件用作图像显示器件的背光单元时，半导体器件可以用作边缘型背光单元或直下型背光单元。当半导体器件用作照明器件的光源时，半导体器件可以用作灯具或灯泡型光源。而且，半导体器件可以用作移动终端的光源。
除了上述发光二极管之外，发光器件可以是激光二极管。
与发光二极管类似，激光二极管可以包括上述结构的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层。激光二极管使用电致发光现象，其中当在p型第一导电半导体和n型第二导电半导体的接合之后电流流动时发光，但是激光二极管在方向和发光阶段上具有差异。换句话说，激光二极管可以使用受激发射现象、增强干涉现象等以相同相位和相同方向发射具有一个特定波长的光(单色光束)。由于这些特性，激光二极管可以用于光通信或医疗设备、半导体处理设备等。
光接收器件的示例可以是光电检测器，其是用于检测光并将光的强度转换成电信号的换能器。光接收器件可以是光电池(硅或硒)、光电导器件(硫化镉或硒化镉)、光电二极管(例如，在可见盲光谱区域或真正的盲光谱区域具有峰值波长的光电二极管(PD))、光电晶体管、光电倍增管、光电管(真空或气体密封)、红外(IR)检测器等，但实施例不限于此。
通常，诸如光电探测器的半导体器件可以使用具有高光转换效率的直接带隙半导体来制造。或者，存在各种光电探测器结构，其中最通常包括使用pn结的pin型光电探测器、使用肖特基结的肖特基型光电探测器、金属半导体金属(MSM)型光电探测器等。
像发光器件一样，光电二极管可以包括上述结构的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层，并且被配置为pn结或pin结构。通过施加反向偏压或零偏压来操作光电二极管。当光入射到光电二极管上时，产生电子和空穴并且电流流动。在这种情况下，电流可以几乎与入射在光电二极管上的光的强度成比例。
光电池或太阳能电池是一种光电二极管，可以将光转换成电流。像发光器件一样，太阳能电池可以包括具有上述结构的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层。
而且，半导体器件可以通过使用pn结的普通二极管的整流特性用作电子电路的整流器，并且可以应用于甚高频电路然后施加到振荡电路等。
另外，上述半导体器件不仅用半导体实现，在某些情况下还可以包括金属材料。例如，诸如光接收器件的半导体器件可以用Ag、Al、Au、In、Ga、N、Zn、Se、P和As中的至少一种来实现，并且可以用掺杂有p型或n型掺杂剂或本征半导体材料的半导体材料来实现。
尽管上面主要描述了实施例，但它们仅是示例，并不限制本发明。本发明所属领域的普通技术人员应当理解，在不脱离实施例的本质特征的情况下，可以进行上面未示出的若干变型和应用。例如，可以以修改的方式实现实施例中具体表示的每个元件。应该理解，与这种变型和应用相关的差异包括在以下权利要求中限定的本发明的范围内。

Claims (10)

1.一种半导体器件，包括：
多个半导体结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层、以及穿过第二导电半导体层和有源层并延伸到第一导电半导体层的部分区域的第一凹口；
第二凹口，设置在所述多个半导体结构之间；
第一电极，设置在第一凹口中并电耦接到第一导电半导体层；
反射层，设置在第二导电半导体层下方；和
突出部分，设置在第二凹口上，
其中，突出部分比半导体结构的上表面突出得更高，以及
从在第一凹口中第一电极与第一导电半导体层进行接触的表面到半导体结构的上表面的距离在300nm至500nm的范围内。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，相邻的第二导电半导体层之间的最短距离大于或等于9μm且小于或等于74μm。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，反射层的厚度为0.5μm到1μm。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第二凹口包括台阶部分，以及
第二电极的上表面和台阶部分之间的距离等于第二电极的上表面和第一电极与第一导电半导体层进行接触的表面之间的距离。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第二电极，设置在第二导电半导体层和反射层之间，
其中，反射层电耦接到第二电极。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
绝缘层，覆盖反射层和第一凹口；
结合层，设置在绝缘层、第一凹口和第一电极下方；和
衬底，设置在结合层下方并且电耦接到结合层。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，第二凹口、反射层、绝缘层和结合层的一个表面与半导体结构的上表面共面。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，第二凹口、反射层、绝缘层和结合层的一个表面与半导体结构的上表面共面。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一导电半导体层包括：
第1-2导电半导体层，设置为邻近有源层；和
第1-1导电半导体层，设置在第1-2导电半导体层上，
其中，第1-1导电半导体层比第1-2导电半导体层具有更高的Al含量，以及
第一电极设置在第1-2导电半导体层下方。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一导电半导体层包括：
第1-2导电半导体层，设置为邻近有源层；和
第1-1导电半导体层，设置在第1-2导电半导体层上，
其中，第1-1导电半导体层比第1-2导电半导体层具有更高的Al含量，以及
第一电极设置在第1-2导电半导体层下方。
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