CN109950254B - 一种阵列基板及其制造方法和显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和显示面板，阵列基板的制造方法包括步骤：形成第一金属层；在第一金属层上通入氢气和氨气形成附着层；在附着层上形成第一绝缘层；对第一绝缘层进行蚀刻形成暴露出第一金属层的过孔；以及在第一绝缘层上形成通过所述过孔与第一金属层连接的透明电极层；附着层与所述第一绝缘层之间的附着力大于所述第一金属层与所述第一绝缘层之间的附着力。通过附着层增加第一绝缘层的吸附力，使得第一绝缘层的蚀刻速度会比较慢，进而改善钻蚀现象。

Description

一种阵列基板及其制造方法和显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法和显示面板。

背景技术

液晶显示器作为传递信息的主要媒介，已经被广泛应用于工作、生活中的各个领域。但是很少有人知道看似简单的液晶面板，其制作需要成百上千道工序。一般而言，液晶显示面板是由包含薄膜晶体管等主动元件的阵列基板、包含彩色滤光片等元件的彩膜基板以及夹置其中的液晶盒所组成，位于阵列基板表面的透明电极层需要与主动开关中的金属层连接。

在阵列基板的制作中，金属层表面的绝缘层在刻蚀形成接触孔洞时，容易出现钻蚀(Passivation Undercut)现象，严重时可能直接导致液晶面板显示异常。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制造方法和显示面板，以改善绝缘层钻蚀现象。

为实现上述目的，本发明公开了一种阵列基板的制造方法，包括步骤：

形成第一金属层；

在所述第一金属层上通入氢气和氨气形成附着层；

在所述附着层上形成第一绝缘层；

对所述第一绝缘层进行蚀刻形成暴露出所述第一金属层的过孔；以及

在所述第一绝缘层上形成通过所述过孔与所述第一金属层连接的透明电极层；

其中，所述附着层与所述第一绝缘层之间的附着力大于所述第一金属层与所述第一绝缘层之间的附着力。

可选的，所述第一金属层包括金属钼材料，所述第一绝缘层包括氮化硅材料，所述附着层为氮化钼材料。

可选的，所述在第一金属层上通入氢气和氨气形成附着层的步骤中，包括步骤：

将氢气和氨气分解成氮原子和氢原子；

将氮原子和氢原子沉积在所述第一金属层上，与所述第一金属层发生化学反应形成所述附着层。

可选的，所述将氢气和氨气分解成氮原子和氢原子的步骤中，氨气和氢气通过电浆制程分解成氮原子和氢原子。

可选的，所述将氢气和氨气分解成氮原子和氢原子的步骤中，包括步骤：

在所述第一金属层上加入氢气；

通过电浆制程将氢气分解成氢原子；

在所述第一金属层上加入氨气；以及

通过电浆制程将氨气分解成氢原子和氮原子。

可选的，氢气的电浆制程时间在10秒至60秒之间，氨气的电浆制程时间在4秒至14秒之间。

可选的，氢气的电浆制程时间在20秒至30秒之间，氨气的电浆制程时间在6秒至8秒之间。

可选的，氨气的电浆制程时间为7秒。

可选的，在进行电浆制程的同时，将电浆制程的功率控制在8千瓦至16千瓦之间。

可选的，在进行电浆制程的同时，将电浆制程的功率控制在10千瓦至12千瓦之间。

可选的，在所述第一金属层上通入氢气和氨气形成附着层的步骤前，增加一道对所述第一金属层进行预热处理的步骤。

可选的，预热处理时间为25秒。

本发明还公开了一种阵列基板，包括衬底、主动开关和透明电极层，所述主动开关设置在所述衬底的表面，所述透明电极层设置在所述主动开关的表面，所述主动开关包括：第二金属层，设置在所述衬底的表面；第二绝缘层，设置在所述第二金属层的表面；半导体层，设置在所述第二绝缘层的表面；第一金属层，覆盖在所述半导体层的表面；附着层，设置在所述第一金属层的表面；沟道，贯穿所述第一金属层和所述附着层；第一绝缘层，设置在所述附着层和所述沟道的表面；过孔，贯穿所述第一绝缘层，暴露出所述第一金属层；其中，所述透明电极层通过所述过孔与所述第一金属层连接；所述附着层与所述第一绝缘层之间的附着力大于所述第一金属层与所述第一绝缘层之间的附着力；所述附着层是通过分解氨气和氢气后与第一金属层发生反应后形成。

本发明还公开了一种显示面板，包括彩膜基板，如上所述的阵列基板，以及填充在所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶盒。

相对于主动开关中没有附着层的方案来说，本申请在第一金属层上通入氨气和氢气，在第一金属层和第一绝缘层之间形成附着层，使第一绝缘层沉积时容易附着在第一金属层上，由于附着力较好，第一绝缘层的蚀刻速度会比较慢，进而改善钻蚀现象；另外本申请在第一金属层上通入氨气和氢气形成附着层，这样首先可以减少通入氨气的时间，另外还能减少氨气的密度，防止第一金属层上存在较长时间和较高密度的氨气，导致氨气在沟道中蓄积，使带电粒子在沟道中比较活跃，对沟道的信赖性较好，从而出现残影，所以本申请中在第一金属层上同时通入氨气和氢气，这样就不容易产生残影，影响显示品质。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1是一种主动开关的示意图；

图2是一种钻蚀现象的示意图；

图3是一种钻蚀现象对透明电极层影响的示意图；

图4是本发明一实施例的一种阵列基板制造方法的流程图；

图5是本发明一实施例基于图4的流程图；

图6是本发明一实施例基于图5的流程图；

图7是本发明另一实施例基于图4的流程图；

图8是本发明另一实施例基于图4的流程图；

图9是本发明的另一实施例的一种阵列基板制造方法的流程图；

图10是本发明的一种阵列基板的示意图；

图11是本发明的一种显示面板的示意图。

其中，100、阵列基板；110、衬底；120、主动开关；121、第一金属层；122、附着层；123、第一绝缘层；124、过孔；125、沟道；126、第二金属层；127、第二绝缘层；128、半导体层；1281、第一半导体层；1282、第二半导体层；130、透明电极层；140、彩膜基板；150、液晶盒；160、显示面板。

具体实施方式

需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。

在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形，意为不排他的包含，可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。

另外，“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语，是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的，仅是为了便于描述本申请的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

如图1所示，发明人了解到的一种主动开关120，主动开关120设置在衬底110上与透明电极层130之间，沿背离衬底110的方向依次包括：第二金属层126、第二绝缘层127、第一半导体层1281、第二半导体层1282、第一金属层121和第一绝缘层123，还包括贯穿第一绝缘层123的过孔124和贯穿第一绝缘层123、第一金属层121和第二半导体层1282的沟道125；其中第一金属层121和第一绝缘层123之间没有附着层122，第一金属层121表面的第一绝缘层123在刻蚀形成过孔124时，容易出现钻蚀(Passivation Undercut)现象。

图2为第一绝缘层123发生钻蚀现象的示意图，图中M为第一绝缘层123上出现的钻蚀现象，严重时可能直接导致液晶面板显示异常，钻蚀现象轻微时，可能成为潜伏的信赖性问题，在使用中导致液晶面板显示出现暗点等问题，会影响液晶面板的品质。

图3为透明电极层130铺设在发生钻蚀的第一绝缘层123后的示意图，图中N为透明电极层130受到钻蚀现象影响的部分，从图中可以看到，在过孔124中透明电极层130的厚度不均匀，从而会导致显示面板160的显示异常等问题。

下面参考附图和可选的实施例对本发明作进一步说明。

如图4所示，本发明实施例公布了一种阵列基板100的制造方法，包括步骤：

S41：形成第一金属层；

S42：在第一金属层上通入氢气和氨气形成附着层；

S43：在附着层上形成第一绝缘层；

S44：对第一绝缘层进行蚀刻形成暴露出第一金属层的过孔；

S45：在第一绝缘层上形成通过过孔与第一金属层连接的透明电极层；

附着层122与第一绝缘层123之间的附着力大于第一金属层121与第一绝缘层123之间的附着力。

其中，附着层122的厚度不超过1nm。

本申请在第一金属层121和第一绝缘层123之间加入一道附着层122，由于附着层122与第一绝缘层123之间的附着力大于第一金属层121与第一绝缘层123之间的附着力，通过附着层122加大第一金属层121和第一绝缘层123之间的附着力，使第一绝缘层123沉积时容易附着在第一金属层121上，由于附着力较好，第一绝缘层123的蚀刻速度会比较慢，进而改善钻蚀现象；如果没有这层附着层122，第一绝缘层123与第一金属层121的附着效果比较差，第一绝缘层123的表面会比较脆弱，导致蚀刻速度加快，从而出现钻蚀现象。

另外，本申请在第一金属层121上通入氨气和氢气形成附着层122，这样首先可以减少通入氨气的时间，另外还能减少氨气的密度，防止第一金属层121上存在较长时间和较高密度的氨气，导致氨气在沟道125中蓄积，使带电粒子在沟道125中比较活跃，对沟道125的信赖性较好，从而出现残影，所以本申请中在第一金属层121上同时通入氨气和氢气，这样就不容易产生残影，影响显示品质。

其中，主动开关120包括薄膜晶体管，第一金属层121为源漏电极层，第一绝缘层123为钝化层，透明电极层130的材料可为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)、镉锡氧化物(CTO)、氧化锡(SnO2)、或氧化锌(ZnO)等透明导电材料，并不限定。

在一实施例中，源漏电极层包括金属钼材料，钝化层包括氮化硅材料，附着层122为氮化钼材料。由于源漏电极层含有金属钼，钝化层含有氮化硅，氮化钼材料含有与源漏电极层和钝化层相同的成分，与源漏电极层和钝化层有较好的结合效果，因此能增加源漏电极层与钝化层之间的附着力。

在一实施例中，如图5所示，在S42步骤中，包括步骤：

S51：将氢气和氨气分解成氮原子和氢原子；

S52：将氮原子和氢原子沉积在第一金属层上，与第一金属层发生化学反应形成附着层。

在S51步骤中，氨气和氢气通过电浆制程分解成氮原子和氢原子。其中，电浆制程也可称为等离子制程，是等离子体辅助化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition PECVD)方法或电浆辅助化学气相沉积方法中的一个流程；由于在阵列基板100制作过程中成膜速率是一个很重要的参数，而且薄膜沉积工序中的成膜速率较低，因此使得薄膜沉积工序的耗时相当长，从而使得成膜速率成为制约薄膜沉积产能的一个重要因素。PECVD方法相较于其它薄膜沉积方法而言具有多个好处，其一可以实现大面积均匀性薄膜的沉积，另外可以高速率沉积薄膜，使得PECVD方法沉积薄膜的效率更高，能够提高产能。

在一实施例中，如图6所示，在S51步骤中，包括步骤：

S61：在第一金属层上加入氢气；

S62：通过电浆制程将氢气分解成氢原子；

S63：在第一金属层上加入氨气；

S64：通过电浆制程将氨气分解成氢原子和氮原子。

在S62步骤中，氢气的电浆制程时间在10秒到60秒之间，通过实验测试发现，将氢气的电浆制程时间控制在20秒至30秒之间更好；在S64步骤中，氨气的电浆制程时间在4秒至14秒之间，通过实验测试发现，将氨气的电浆制程时间控制在6秒至8秒之间更好，最好是能将氨气的电浆时间控制在7秒。

先加入氢气再加入氨气能够防止氨气的浓度过大，进而影响沟道125中的半导体层128。按理说氨气的电浆制程的时间越长，附着层122中含有的氮原子和氢原子越多，附着层122的效果越好，但是电浆制程的时间过长会使产能降低，同时电浆制程会时氨气分解成原子，这一过程会产生原子能量，这些原子能量会撞击主动开关120沟道125的表面，造成类似蚀刻的危害，所以应该控制氨气电浆制程的时间；而氢气的电浆制程时间过长又会造成浪费；如果两者的电浆制程时间过短又起不到各自的效果，氨气电浆制程时间过短的话，附着层122的效果会比较差，氢气的电浆时间过短则起不到中和氨气的效果，所以需要控制两者的电浆制程时间，通过反复测试，进一步地缩小氨气电浆制程的时间范围和氢气的电浆制程时间范围，能够进一步提高产能。

在一实施例中，如图7所示，在S51步骤中，包括步骤：

S71：在第一金属层上加入氨气；

S72：通过电浆制程将氨气分解成氢原子和氮原子；

S73：在第一金属层上加入氢气；

S74：通过电浆制程将氢气分解成氢原子。

在S72步骤中，氨气的电浆制程时间在4秒至14秒之间，通过实验测试发现，将氨气的电浆制程时间控制在6秒至8秒之间更好，最好是能将氨气的电浆时间控制在7秒；在S74步骤中，氢气的电浆制程时间在10秒到60秒之间，通过实验测试发现，将氢气的电浆制程时间控制在20秒至30秒之间更好。先加入氨气再加入氢气能够使氨气分解后的氮原子在较短时间内沉积在第一金属层121从而形成附着层122。

在一实施例中，如图8所示，在S51步骤中，包括步骤：

S81：同时在第一金属层上加入氢气和氨气；

S82：通过电浆制程将氢气和氨气分解成氢原子和氮原子。

同时加入氢气和氨气能够减少整个分解的时间，提高整个制程的效率。

在S81步骤中，氨气和氢气的比例在0.1到1的范围内。同时通入氨气和氢气时，氨气的含量不能超过氢气的含量，否侧就不能起到中和氨气的效果，经过测试氨气和氢气的比例在0.1到1之间时，生成的附着层既能起到效果，氨气又不会造成不好的影响。在S82步骤中，同时加入氨气和氢气时，直接通过一道电浆制程将氨气和氢气进行分解，电浆制程时间在10秒至60秒之间；其中，氨气和氢气的最佳电浆制程时间是在20秒到30秒之间。

在一实施例中，在进行电浆制程的同时，将电浆制程的功率控制在8KW至16KW之间。氨气和氢气在进行电浆制程时，将电浆制程的功率增大到8KW到16KW之间，能够加快氨气和氢气的分解速率，加快附着层122的成型速率，进一步地提高产能；如果电浆制程的功率过大则会使氨气和氢气在短时间内分解成原子时产生的原子能量过大，会对主动开关120的造成蚀刻危害，所以需要将电浆制程的功率限制在16KW内。

在一实施例中，在进行电浆制程的同时，将电浆制程的功率控制在10KW至12KW之间。通过更精确地控制电浆制程的功率，使得电浆制程的功率在提高产能和减少危害两方面取得更好的效果。

在一实施例中，在第一金属层上通入氢气和氨气形成附着层的步骤前，增加一道对第一金属层进行预热处理的步骤；其中第一金属层121为源漏电极层。在电浆制程前对源漏电极层和沟道加一道预热处理，能够使钝化层在沉积时与源漏电极层的接触更好，能够改善钝化层在刻蚀形成接触孔洞时出现的钻蚀现象，虽然单纯的预热处理并不能彻底的解决钻蚀的问题，但是能够起到一定的效果，这样配合预热处理后的电浆制程，能够更好地改善钻蚀现象。

在一实施例中，预热处理时间为25秒。一般情况下，如果没有氨气和氢气的电浆制程的话，预热处理时间是在50秒，而有了氨气和氢气的电浆制程，可以更好地改善钻蚀现象，可以缩短预热处理时间，从而提高产能，经测试，将预热处理时间控制在25秒时，与氨气和氢气的电浆制程结合对钻蚀现象改善的效果更好。

如图9所示，作为本发明的另一实施例，公开了一种阵列基板100的制造方法，包括步骤：

S91：形成第一金属层；

S92：对第一金属层进行预热处理；

S93：在第一金属层上加入氢气；

S94：通过电浆制程将氢气分解成氢原子；

S95：在第一金属层上加入氨气；

S96：通过电浆制程将氨气分解成氢原子和氮原子；

S97：将氮原子和氢原子沉积在第一金属层的表面，与第一金属层发生化学反应形成附着层；

S98：在附着层上形成第一绝缘层；

S99：对第一绝缘层进行蚀刻形成暴露出第一金属层的过孔；

S910：在第一绝缘层上形成通过过孔与第一金属层连接的透明电极层；

其中，附着层122与第一绝缘层123之间的附着力大于第一金属层121与第一绝缘层123之间的附着力。

如图10所示，作为本发明的另一实施例，公开了一种阵列基板100，包括衬底110、主动开关120和透明电极层130，主动开关120设置在衬底110的表面，透明电极层130设置在主动开关120的表面，主动开关120包括：第二金属层126，设置在衬底110的表面；第二绝缘层127，设置在第二金属层126的表面；半导体层128，设置在第二绝缘层127的表面；第一金属层121，覆盖在半导体层128的表面；附着层122，设置在第一金属层121的表面；沟道125，贯穿第一金属层121和附着层122；第一绝缘层123，设置在附着层122和沟道125的表面；过孔124，贯穿第一绝缘层123，暴露出第一金属层121；其中，透明电极层130通过过孔124与第一金属层121连接；附着层122与第一绝缘层123之间的附着力大于第一金属层121与第一绝缘层123之间的附着力；附着层122是通过分解氨气和氢气后与第一金属层121发生反应后形成。

其中，主动开关120包括薄膜晶体管，第一金属层121为源漏电极层，第一绝缘层123为钝化层，透明电极层130的材料可为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)、镉锡氧化物(CTO)、氧化锡(SnO2)、或氧化锌(ZnO)等透明导电材料，并不限定；第二金属层126为栅极电极层，由铜、铝、钼、钛或其层叠结构通过溅射及光罩制程形成在衬底110上；第二金属层126为栅极绝缘层，在栅极电极层上，形成覆盖整个栅极电极层的栅极绝缘层，栅极绝缘层可以是由氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜等制成，可通过等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)方式来沉积形成。其中，源漏电极层包括金属钼材料，钝化层包括氮化硅材料，附着层122为氮化钼材料；附着层122的厚度不超过1nm。

其中，半导体层128可以为一层结构，也可以是由第一半导体层1281和第二半导体层1282两层结构构成，在此不做限定；若半导体层128为单层结构，那么半导体层128为有源层，有氢化非晶硅材料构成，若半导体层127为两层结构，那么第一半导体层1281为有源层，可以由氢化非晶硅材料构成，也可以由氧化物构成，其中氧化物包含氧化锌、氧化锡、氧化铟及氧化镓中的至少一种，有源层通过溅射及光罩制程形成；第二半导体层1282为欧姆接触层，由掺杂磷构成的氢化非晶硅薄膜层，也是通过溅射及光罩制程形成。

作为本发明的另一实施例，如图11所示，还公开了一种显示面板160，包括彩膜基板140，上述的阵列基板100，以及填充在彩膜基板140和阵列基板100之间的液晶盒150。

需要说明的是，本方案中涉及到的各步骤的限定，在不影响具体方案实施的前提下，并不认定为对步骤先后顺序做出限定，写在前面的步骤可以是在先执行的，也可以是在后执行的，甚至也可以是同时执行的，只要能实施本方案，都应当视为属于本发明的保护范围。

本发明的技术方案可以广泛用于各种显示面板，如扭曲向列型(TwistedNematic，TN)显示面板、平面转换型(In-Plane Switching，IPS)显示面板、垂直配向型(Vertical Alignment，VA)显示面板、多象限垂直配向型(Multi-Domain VerticalAlignment，MVA)显示面板，当然，也可以是其他类型的显示面板，如有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板，均可适用上述方案。

以上内容是结合具体的可选的实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括步骤：

形成第一金属层；

在所述第一金属层上通入氢气和氨气形成附着层；

在所述附着层上形成第一绝缘层；

对所述第一绝缘层进行蚀刻形成暴露出所述第一金属层的过孔；以及

在所述第一绝缘层上形成通过所述过孔与所述第一金属层连接的透明电极层；

其中，所述附着层与所述第一绝缘层之间的附着力大于所述第一金属层与所述第一绝缘层之间的附着力；

所述在第一金属层上通入氢气和氨气形成附着层的步骤中，包括步骤：

将氢气和氨气分解成氮原子和氢原子；

将氮原子和氢原子沉积在所述第一金属层上，与所述第一金属层发生化学反应形成所述附着层；

所述将氢气和氨气分解成氮原子和氢原子的步骤中，氨气和氢气通过电浆制程分解成氮原子和氢原子。

2.如权利要求1所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一金属层包括金属钼材料，所述第一绝缘层包括氮化硅材料，所述附着层为氮化钼材料。

3.如权利要求1所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述将氢气和氨气分解成氮原子和氢原子的步骤中，包括步骤：

在所述第一金属层上加入氢气；

通过电浆制程将氢气分解成氢原子；

在所述第一金属层上加入氨气；以及

通过电浆制程将氨气分解成氢原子和氮原子。

4.如权利要求3所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，氢气的电浆制程时间在10秒至60秒之间，氨气的电浆制程时间在4秒至14秒之间。

5.如权利要求1所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，在进行电浆制程的同时，将电浆制程的功率控制在8千瓦至16千瓦之间。

6.如权利要求1所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述第一金属层上通入氢气和氨气形成附着层的步骤前，增加一道对所述第一金属层进行预热处理的步骤。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底、主动开关和透明电极层，所述主动开关设置在所述衬底的表面，所述透明电极层设置在所述主动开关的表面，所述主动开关包括：

第二金属层，设置在所述衬底的表面；

第二绝缘层，设置在所述第二金属层的表面；

半导体层，设置在所述第二绝缘层的表面；

第一金属层，覆盖在所述半导体层的表面；

附着层，设置在所述第一金属层的表面；

沟道，贯穿所述第一金属层和所述附着层；

第一绝缘层，设置在所述附着层和所述沟道的表面；以及

过孔，贯穿所述第一绝缘层，暴露出所述第一金属层；

其中，所述透明电极层通过所述过孔与所述第一金属层连接；

所述附着层与所述第一绝缘层之间的附着力大于所述第一金属层与所述第一绝缘层之间的附着力；所述附着层是通过分解氨气和氢气后与所述第一金属层发生反应后形成；

氨气和氢气通过电浆制程分解成氮原子和氢原子。

8.一种显示面板，其特征在于，包括彩膜基板，如权利要求7所述的阵列基板，以及填充在所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶盒。

Images