CN109946929B - 一种集成电路芯片光阻去除装置及工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了半导体集成电路领域内的一种集成电路芯片光阻去除装置及工艺，装置包括机台，机台上依次排列设置有若干去光阻槽体，内槽体内设置有超声发生器，内槽体内设置有加热装置，内槽体内放置有可升降的晶圆载具，晶圆载具上放置有晶舟，外槽体内部通过外接管道与内槽体底部相连通；工艺包括如下步骤：将每个晶舟的各晶圆槽内都放入晶圆；然后将各晶舟放到各晶圆载具上；控制杆带动各晶舟下降浸没到去光阻槽体中；循环泵工作，同时超声发生器先开启工作N秒，然后超声发生器再关闭N秒；重复上述步骤M次；再将晶舟放入水洗槽体内，洗掉晶圆上的去光阻液。本发明能够去除晶圆上的光阻，防止光阻回粘在晶圆上，提高光阻去除效率。
Description
技术领域
本发明属于半导体集成电路领域，特别涉及一种集成电路芯片光阻去除装置及工艺。
背景技术
现有技术中，在集成电路芯片的整个制作过程中，透明电极和金属电极图形的制作常常用到光阻来完成，而完成电极后的光阻去除不可避免的成为了集成电路芯片制作过程的一个重要环节。
现有技术中，有一种有效去除光阻的方法，其专利申请号： 201510147639.7；申请日：2015-03-31；公开号：104882364A；公开日： 2015-09-02；该方法按以下步骤实施：第一步：将需去除光阻的晶片置于去光阻液中浸泡30min～60min；第二步：从去光阻液中取出水洗吹干；第三步：将吹干的晶片置于等离子装置中采用干式方法去除残余光阻。该方法通过足够时间的去光阻液浸泡，并且辅助一定的等离子体清洗来达到彻底去胶的效果；但是其不足之处在于：整个过程耗时较长，效率低下，消耗较多去胶成本。
在集成电路芯片制造业，通常都会使用去光阻液来去除晶圆表面的光阻，此反应是利用“光阻溶胀+光阻剥离+光阻溶解”的作用机理，通常会在光阻去除过程中加入超声装置来加速光阻去除反应；但是此工艺的不足之处在于：因为超声的空化作用，去光阻液中会形成大量有气泡的射流，最终去光阻液中会有涡流、乱流产生，在超声常开时，部分未溶解光阻一直留在去光阻液中，光阻无法去除掉，因此容易有未溶解的光阻回粘在芯片上，形成光阻残留，最终导致芯片良率的损失。
发明内容
本发明的目的之一是提供一种集成电路芯片光阻去除装置，能够用于去除晶圆上的光阻，防止光阻回粘在晶圆上，提高光阻去除效率，降低晶圆上的光阻残留不良率。
本发明的目的是这样实现的：一种集成电路芯片光阻去除装置，包括机台，所述机台上依次排列设置有若干去光阻槽体，每个去光阻槽体均包括内槽体和外槽体，所述外槽体位于内槽体外周，所述内槽体内盛有可溢流至外槽体内的去光阻液，所述内槽体内设置有超声发生器，内槽体内还设置有加热装置，加热装置与温控系统电连接，所述内槽体内放置有可升降的晶圆载具，所述晶圆载具上定位放置有晶舟，晶舟内竖直放置有若干平行的晶圆；所述外槽体内部通过外接管道与内槽体底部相连通，所述外接管道上分别设置有循环泵和过滤芯。
本发明工作时，将晶圆放到晶舟的晶圆槽内，再将各晶舟对应放到各晶圆载具上，使得晶舟的两个侧支撑块分别支撑在对应晶圆载具的左侧板和右侧板上，左侧的定位块位于左侧板外侧，右侧的定位块位于右侧板外侧；升降控制机构启动，控制杆带动晶舟下降浸没到对应去光阻槽体内；循环泵开启时，内槽体内的去光阻液具有自下而上的稳态流场，去光阻液从内槽体上方溢流至外槽体，外槽体内的去光阻液经过滤后，由外接管道输送到内槽体底部，完成一个循环；超声发生器先开启工作，因为超声波的空化作用会在去光阻液中形成大量有气泡的射流，内槽体内的自下而上的稳态流场会被破坏，内槽体的去光阻液中会有涡流、乱流产生，超声波加速了晶圆上光阻的脱落，但是自下而上的稳态流场被破坏后，会有部分未溶解光阻一直处在内槽体的涡流中，无法溢流到外槽体；然后超声发生器关闭，内槽体内自下而上的稳态流场会重新形成，给予足够时间可以将内槽体中未溶解光阻溢流至外槽体内，继而通过过滤芯被过滤处理掉。与现有技术相比，本发明的有益效果在于：通过晶舟和晶圆载具将晶圆稳定地放在去光阻液中，处理时竖直放置的晶圆不会晃动；超声波可以加速“光阻溶胀+光阻剥离+光阻溶解”的光阻去除反应；能够防止光阻回粘在晶圆上，提高光阻去除效率，降低晶圆上的光阻残留不良率。
作为本发明的进一步改进，所述内槽体包括矩形内底板，内底板的四周均连接有竖直的内侧板，所述外槽体包括若干围成长方体的外侧板， 各外侧板与各内侧板一一对应设置，外侧板底部与内槽体外壁之间水平设有外底板；所述外侧板的顶部位置高于内侧板的顶部位置。 循环泵工作时，内槽体内的去光阻液可以溢流至外槽体内，内槽体内形成自下而上的稳态流场。
作为本发明的进一步改进，所述晶圆载具包括矩形前侧板，与前侧板相对应地设置有后侧板，后侧板包括连为一体的矩形下支撑板和梯形上加强板，上加强板上间隔开设有若干流动孔，相邻流动孔的间隔为0.5~1.5cm，所述下支撑板和前侧板之间设置有左右对称的梯形左侧板和右侧板，所述左侧板和右侧板上均开设有若干通孔，左侧板和右侧板的上边缘均开设有矩形搬动孔。超声发生器关闭时，流动孔可以减轻后侧板的隔断作用，防止自下而上的稳态流场被破坏，流动孔的形状不限，开孔的总面积应尽量大，不影响晶圆载具刚性即可，可以改善后侧流场；矩形搬动孔可以便于移动晶舟。
作为本发明的进一步改进，所述晶舟的左右两侧均设置有侧支撑块，侧支撑块下侧设有定位块，晶舟位于前侧板和下支撑板之间，侧支撑块支撑在左侧板或右侧板上，晶舟底部设置有支撑腿，支撑腿向下延伸到前侧板下方，晶舟上沿左侧板长度方向间隔开设有若干晶圆槽，各晶圆分别竖直放置在对应晶圆槽内，晶圆表面与前侧板相平行设置；晶舟后侧设有抓握把手。通过两个侧支撑块可以将晶舟放置在晶圆载具上，两侧的定位块可以将晶舟限位，防止晶舟左右晃动。
作为本发明的进一步改进，所述机台上方设置有升降控制机构，升降控制机构包括若干可升降和震荡的控制杆，各控制杆下端与各晶圆载具的上加强板一一对应相连。各控制杆同时带动各晶圆载具升降，多个晶舟上的晶圆同时去除光阻，提高了工作效率；控制杆带动晶圆载具在去光阻液中上下震荡，可以加速光阻与晶圆的分离脱落。
作为本发明的进一步改进，所述机台上靠近左侧去光阻槽体的位置设有水洗槽体，靠近右侧去光阻槽体的位置也设有水洗槽体，水洗槽体上方设置有盖板，水洗槽体内部盛有清洗液。清洗液可以清洗晶圆上的光阻液，防止光阻残留。
本发明的目的之二是提供一种集成电路芯片光阻去除装置的光阻去除工艺，能够防止光阻回粘在晶圆上，提高光阻去除效率，降低晶圆上的光阻残留不良率。
本发明的目的是这样实现的：一种集成电路芯片光阻去除装置的光阻去除工艺，包括如下步骤：
（1）先取若干晶圆和晶舟，再将每个晶舟的各晶圆槽内都竖直放入一片晶圆；
（2）然后将各晶舟一一对应放到各晶圆载具上，使得晶舟的两个侧支撑块分别支撑在对应晶圆载具的左侧板和右侧板上，左侧的定位块位于左侧板外侧，右侧的定位块位于右侧板外侧；
（3）升降控制机构启动，各控制杆带动各晶舟下降浸没到对应去光阻槽体的去光阻液中，温控系统通过加热装置控制去光阻液的温度为24℃-80℃；
（4）循环泵工作，去光阻液的液面高度高于内侧板的顶部高度，内槽体内的去光阻液溢流至外槽体中，循环泵将外槽体内的去光阻液抽入外接管道，经过滤芯过滤后进入内槽体底部，同时超声发生器先开启工作N秒，控制超声波的输出电压强度为1~35毫伏，输出电流强度为0.1~3安培，超声波的频率为20~1000千赫兹，控制杆带动晶圆载具在去光阻液中上下震荡，然后超声发生器再关闭N秒；
（5）重复上述步骤（4）M次；
（6）晶圆完成去光阻处理，控制杆带动各晶舟上升并移出去光阻液，再将晶舟放入水洗槽体内，洗掉晶圆上的去光阻液，最后将晶舟放到指定区域。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：通过在1个步骤内“开启超声发生器短时间+关闭超声发生器短时间”，再搭配多次循环该步骤，可达到需要的工艺时间；在超声发生器关闭，内槽体内自下而上的稳态流场会重新形成，给予足够时间可以将内槽体中未溶解光阻溢流至外槽体内，继而通过过滤芯被过滤处理掉，防止未溶解光阻回粘在晶圆上，提高光阻去除效率，降低晶圆上的光阻残留不良率；通过分多步开启、关闭超声发生器，保证每次超声波加速去除光阻后，都可以将内槽体内的未溶解光阻溢流出去并过滤处理掉。也可以设置“开启超声发生器长时间+关闭超声发生器长时间”，来达到需要的工艺时间。
作为本发明的进一步改进，所述步骤（4）中，去光阻槽体内的去光阻液的总体积为L升，外接管道内的去光阻液循环流量为V升/秒，L小于等于NMV。超声发生器关闭的时长设定可以具体参考外接管道的流量，要确保该时长内去光阻液能够完整的循环过滤至少1次，NMV为超声发生器关闭时外接管道的循环流量，L小于等于NMV时，即可以保证去光阻槽体内的去光阻液至少循环过滤1次。
作为本发明的进一步改进，所述N=120，M=5。去光阻程式设定为“开启超声发生器120秒+关闭超声发生器120秒，共5个循环”，总工艺时间为1200秒。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图2为机台的俯视图。
图3为去光阻槽体的结构示意图。
图4为晶舟和晶圆载具的主视图。
图5为晶圆载具的主视图。
图6为晶圆载具的俯视图。
图7为晶圆载具的左视图。
图8为晶舟和晶圆载具的俯视图。
图9为晶舟的主视图。
图10为去光阻槽体内部形成自下而上的稳态流场时的结构示意图。
图11为去光阻槽体内部形成涡流、乱流时的结构示意图。
其中，1机台，2去光阻槽体，2a内槽体，2a1内底板，2a2内侧板，2b外槽体，2b1外底板，2b2外侧板，3去光阻液，4超声发生器，5加热装置，6温控系统，7晶圆载具，7a前侧板，7b后侧板， 7b1下支撑板，7b2上加强板，7c左侧板，7d右侧板，8晶舟，8a侧支撑块，8b支撑腿，8c晶圆槽，9外接管道，10循环泵，11过滤芯，12流动孔，13通孔，14搬动孔，15定位块，16抓握把手，17控制杆，18水洗槽体,18a盖板。
具体实施方式
实施例1
如图1-11，为一种集成电路芯片光阻去除装置，包括机台1，机台1上依次排列设置有若干去光阻槽体2，每个去光阻槽体2均包括内槽体2a和外槽体2b，外槽体2b位于内槽体2a外周，内槽体2a内盛有可溢流至外槽体2b内的去光阻液3，去光阻液3主要配方为“氮甲基吡咯烷酮，砜类（如二甲基亚砜），醇类（2-氨基乙醇），胺类（如乙醇胺），碱类（如四甲基氢氧化铵）”其中的1种或多种成分；内槽体2a内设置有超声发生器4，内槽体2a内还设置有加热装置5，加热装置5与温控系统6电连接，内槽体2a内放置有可升降的晶圆载具7，晶圆载具7上定位放置有晶舟8，晶舟8内竖直放置有若干平行的晶圆；外槽体2b内部通过外接管道9与内槽体2a底部相连通，外接管道9上分别设置有循环泵10和过滤芯11。内槽体2a包括矩形内底板2a1，内底板2a1的四周均连接有竖直的内侧板2a2，外槽体2b包括若干围成长方体的外侧板2b2， 各外侧板2b2与各内侧板2a2一一对应设置，外侧板2b2底部与内槽体2a外壁之间水平设有外底板2b1；外侧板2b2的顶部位置高于内侧板2a2的顶部位置。晶圆载具7包括矩形前侧板7a，与前侧板7a相对应地设置有后侧板7b，后侧板7b包括连为一体的矩形下支撑板7b1和梯形上加强板7b2，上加强板7b2上间隔开设有若干流动孔12，相邻流动孔12的间隔为1cm，下支撑板7b1和前侧板7a之间设置有左右对称的梯形左侧板7c和右侧板7d，左侧板7c和右侧板7d上均开设有若干通孔13，左侧板7c和右侧板7d的上边缘均开设有矩形搬动孔14。晶舟8的左右两侧均设置有侧支撑块8a，侧支撑块8a下侧设有定位块15，晶舟8位于前侧板7a和下支撑板7b1之间，侧支撑块8a支撑在左侧板7c或右侧板7d上，晶舟8底部设置有支撑腿8b，支撑腿8b向下延伸到前侧板7a下方，晶舟8上沿左侧板7c长度方向间隔开设有若干晶圆槽8c，各晶圆分别竖直放置在对应晶圆槽8c内，晶圆表面与前侧板7a相平行设置；晶舟8后侧设有抓握把手16。机台1上方设置有升降控制机构，升降控制机构包括若干可升降和震荡的控制杆17，各控制杆17下端与各晶圆载具7的上加强板7b2一一对应相连。机台1上靠近左侧去光阻槽体2的位置设有水洗槽体18，靠近右侧去光阻槽体2的位置也设有水洗槽体18，水洗槽体18上方设置有盖板18a，水洗槽体18内部盛有清洗液。
本实施例的集成电路芯片光阻去除装置的光阻去除工艺，包括如下步骤：
（1）先取若干晶圆和晶舟8，再将每个晶舟8的各晶圆槽8c内都竖直放入一片晶圆；
（2）然后将各晶舟8一一对应放到各晶圆载具7上，使得晶舟8的两个侧支撑块8a分别支撑在对应晶圆载具7的左侧板7c和右侧板7d上，左侧的定位块15位于左侧板7c外侧，右侧的定位块15位于右侧板7d外侧；
（3）升降控制机构启动，各控制杆17带动各晶舟8下降浸没到对应去光阻槽体2的去光阻液3中，温控系统6通过加热装置5控制去光阻液3的温度为52℃；
（4）循环泵10工作，去光阻液3的液面高度高于内侧板2a2的顶部高度，内槽体2a内的去光阻液3溢流至外槽体2b中，循环泵10将外槽体2b内的去光阻液3抽入外接管道9，经过滤芯11过滤后进入内槽体2a底部，同时超声发生器4先开启工作120秒，控制超声波的输出电压强度为18毫伏，输出电流强度为1安培，超声波的频率为500千赫兹，控制杆17带动晶圆载具7在去光阻液3中上下震荡，然后超声发生器4再关闭120秒；
（5）重复上述步骤（4）5次；
（6）晶圆完成去光阻处理，控制杆17带动各晶舟8上升并移出去光阻液3，再将晶舟8放入水洗槽体18内，洗掉晶圆上的去光阻液3，最后将晶舟8放到指定区域。
所述步骤（4）中，去光阻槽体2内的去光阻液3的总体积为20升，外接管道9内的去光阻液3循环流量为0.3升/秒，20升小于（120秒*5*0.3升/秒=180升）。去光阻槽体2内的去光阻液3可以通过外接管道9循环过滤9次。
采用本实施例的工艺处理21821片晶圆，其中具有光阻残留的晶圆为137片，不良率为0.63%。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：通过在1个步骤内“开启超声发生器4短时间+关闭超声发生器4短时间”，再搭配多次循环该步骤，可达到需要的工艺时间；如图10，在超声发生器4关闭，内槽体2a内自下而上的稳态流场会重新形成，给予足够时间可以将内槽体2a中未溶解光阻溢流至外槽体2b内，继而通过过滤芯11被过滤处理掉，防止未溶解光阻回粘在晶圆上，提高光阻去除效率，降低晶圆上的光阻残留不良率；通过分多步开启、关闭超声发生器4，保证每次超声波加速去除光阻后，都可以将内槽体2a内的未溶解光阻溢流出去并过滤处理掉。
实施例2
如图1-11，为一种集成电路芯片光阻去除装置，包括机台1，机台1上依次排列设置有若干去光阻槽体2，每个去光阻槽体2均包括内槽体2a和外槽体2b，外槽体2b位于内槽体2a外周，内槽体2a内盛有可溢流至外槽体2b内的去光阻液3，内槽体2a内设置有超声发生器4，内槽体2a内还设置有加热装置5，加热装置5与温控系统6电连接，内槽体2a内放置有可升降的晶圆载具7，晶圆载具7上定位放置有晶舟8，晶舟8内竖直放置有若干平行的晶圆；外槽体2b内部通过外接管道9与内槽体2a底部相连通，外接管道9上分别设置有循环泵10和过滤芯11。内槽体2a包括矩形内底板2a1，内底板2a1的四周均连接有竖直的内侧板2a2，外槽体2b包括若干围成长方体的外侧板2b2， 各外侧板2b2与各内侧板2a2一一对应设置，外侧板2b2底部与内槽体2a外壁之间水平设有外底板2b1；外侧板2b2的顶部位置高于内侧板2a2的顶部位置。晶圆载具7包括矩形前侧板7a，与前侧板7a相对应地设置有后侧板7b，后侧板7b包括连为一体的矩形下支撑板7b1和梯形上加强板7b2，上加强板7b2上间隔开设有若干流动孔12，相邻流动孔12的间隔为0.5cm，下支撑板7b1和前侧板7a之间设置有左右对称的梯形左侧板7c和右侧板7d，左侧板7c和右侧板7d上均开设有若干通孔13，左侧板7c和右侧板7d的上边缘均开设有矩形搬动孔14。晶舟8的左右两侧均设置有侧支撑块8a，侧支撑块8a下侧设有定位块15，晶舟8位于前侧板7a和下支撑板7b1之间，侧支撑块8a支撑在左侧板7c或右侧板7d上，晶舟8底部设置有支撑腿8b，支撑腿8b向下延伸到前侧板7a下方，晶舟8上沿左侧板7c长度方向间隔开设有若干晶圆槽8c，各晶圆分别竖直放置在对应晶圆槽8c内，晶圆表面与前侧板7a相平行设置；晶舟8后侧设有抓握把手16。机台1上方设置有升降控制机构，升降控制机构包括若干可升降和震荡的控制杆17，各控制杆17下端与各晶圆载具7的上加强板7b2一一对应相连。机台1上靠近左侧去光阻槽体2的位置设有水洗槽体18，靠近右侧去光阻槽体2的位置也设有水洗槽体18，水洗槽体18上方设置有盖板18a，水洗槽体18内部盛有清洗液。
本实施例的集成电路芯片光阻去除装置的光阻去除工艺，包括如下步骤：
（1）先取若干晶圆和晶舟8，再将每个晶舟8的各晶圆槽8c内都竖直放入一片晶圆；
（2）然后将各晶舟8一一对应放到各晶圆载具7上，使得晶舟8的两个侧支撑块8a分别支撑在对应晶圆载具7的左侧板7c和右侧板7d上，左侧的定位块15位于左侧板7c外侧，右侧的定位块15位于右侧板7d外侧；
（3）升降控制机构启动，各控制杆17带动各晶舟8下降浸没到对应去光阻槽体2的去光阻液3中，温控系统6通过加热装置5控制去光阻液3的温度为24℃；
（4）循环泵10工作，去光阻液3的液面高度高于内侧板2a2的顶部高度，内槽体2a内的去光阻液3溢流至外槽体2b中，循环泵10将外槽体2b内的去光阻液3抽入外接管道9，经过滤芯11过滤后进入内槽体2a底部，同时超声发生器4先开启工作200秒，控制超声波的输出电压强度为35毫伏，输出电流强度为3安培，超声波的频率为20千赫兹，控制杆17带动晶圆载具7在去光阻液3中上下震荡，然后超声发生器4再关闭200秒；
（5）重复上述步骤（4）3次；
（6）晶圆完成去光阻处理，控制杆17带动各晶舟8上升并移出去光阻液3，再将晶舟8放入水洗槽体18内，洗掉晶圆上的去光阻液3，最后将晶舟8放到指定区域。
所述步骤（4）中，去光阻槽体2内的去光阻液3的总体积为20升，外接管道9内的去光阻液3循环流量为0.3升/秒，20升小于（200秒*3*0.3升/秒）。去光阻槽体2内的去光阻液3可以通过外接管道9循环过滤9次。
采用本实施例的工艺处理21352片晶圆，其中具有光阻残留的晶圆为132片，不良率为0.61%。
实施例3
如图1-11，为一种集成电路芯片光阻去除装置，包括机台1，机台1上依次排列设置有若干去光阻槽体2，每个去光阻槽体2均包括内槽体2a和外槽体2b，外槽体2b位于内槽体2a外周，内槽体2a内盛有可溢流至外槽体2b内的去光阻液3，内槽体2a内设置有超声发生器4，内槽体2a内还设置有加热装置5，加热装置5与温控系统6电连接，内槽体2a内放置有可升降的晶圆载具7，晶圆载具7上定位放置有晶舟8，晶舟8内竖直放置有若干平行的晶圆；外槽体2b内部通过外接管道9与内槽体2a底部相连通，外接管道9上分别设置有循环泵10和过滤芯11。内槽体2a包括矩形内底板2a1，内底板2a1的四周均连接有竖直的内侧板2a2，外槽体2b包括若干围成长方体的外侧板2b2， 各外侧板2b2与各内侧板2a2一一对应设置，外侧板2b2底部与内槽体2a外壁之间水平设有外底板2b1；外侧板2b2的顶部位置高于内侧板2a2的顶部位置。晶圆载具7包括矩形前侧板7a，与前侧板7a相对应地设置有后侧板7b，后侧板7b包括连为一体的矩形下支撑板7b1和梯形上加强板7b2，上加强板7b2上间隔开设有若干流动孔12，相邻流动孔12的间隔为1.5cm，下支撑板7b1和前侧板7a之间设置有左右对称的梯形左侧板7c和右侧板7d，左侧板7c和右侧板7d上均开设有若干通孔13，左侧板7c和右侧板7d的上边缘均开设有矩形搬动孔14。晶舟8的左右两侧均设置有侧支撑块8a，侧支撑块8a下侧设有定位块15，晶舟8位于前侧板7a和下支撑板7b1之间，侧支撑块8a支撑在左侧板7c或右侧板7d上，晶舟8底部设置有支撑腿8b，支撑腿8b向下延伸到前侧板7a下方，晶舟8上沿左侧板7c长度方向间隔开设有若干晶圆槽8c，各晶圆分别竖直放置在对应晶圆槽8c内，晶圆表面与前侧板7a相平行设置；晶舟8后侧设有抓握把手16。机台1上方设置有升降控制机构，升降控制机构包括若干可升降和震荡的控制杆17，各控制杆17下端与各晶圆载具7的上加强板7b2一一对应相连。机台1上靠近左侧去光阻槽体2的位置设有水洗槽体18，靠近右侧去光阻槽体2的位置也设有水洗槽体18，水洗槽体18上方设置有盖板18a，水洗槽体18内部盛有清洗液。
本实施例的集成电路芯片光阻去除装置的光阻去除工艺，包括如下步骤：
（1）先取若干晶圆和晶舟8，再将每个晶舟8的各晶圆槽8c内都竖直放入一片晶圆；
（2）然后将各晶舟8一一对应放到各晶圆载具7上，使得晶舟8的两个侧支撑块8a分别支撑在对应晶圆载具7的左侧板7c和右侧板7d上，左侧的定位块15位于左侧板7c外侧，右侧的定位块15位于右侧板7d外侧；
（3）升降控制机构启动，各控制杆17带动各晶舟8下降浸没到对应去光阻槽体2的去光阻液3中，温控系统6通过加热装置5控制去光阻液3的温度为80℃；
（4）循环泵10工作，去光阻液3的液面高度高于内侧板2a2的顶部高度，内槽体2a内的去光阻液3溢流至外槽体2b中，循环泵10将外槽体2b内的去光阻液3抽入外接管道9，经过滤芯11过滤后进入内槽体2a底部，同时超声发生器4先开启工作150秒，控制超声波的输出电压强度为1毫伏，输出电流强度为0.1安培，超声波的频率为1000千赫兹，控制杆17带动晶圆载具7在去光阻液3中上下震荡，然后超声发生器4再关闭150秒；
（5）重复上述步骤（4）4次；
（6）晶圆完成去光阻处理，控制杆17带动各晶舟8上升并移出去光阻液3，再将晶舟8放入水洗槽体18内，洗掉晶圆上的去光阻液3，最后将晶舟8放到指定区域。
所述步骤（4）中，去光阻槽体2内的去光阻液3的总体积为20升，外接管道9内的去光阻液3循环流量为0.3升/秒，20升小于（150秒*4*0.3升/秒）。去光阻槽体2内的去光阻液3可以通过外接管道9循环过滤9次。
采用本实施例的工艺处理21248片晶圆，其中具有光阻残留的晶圆为128片，不良率为0.60%。
对比例
以传统工艺用去光阻液3处理20576片晶圆，其中具有光阻残留的晶圆为214片，不良率为1.04%。
将各实施例和对比例的晶圆光阻去除效果列表说明：
由上表可知，通过间歇式超声波对晶圆进行去光阻处理，可以将光阻残留不良率减少至少0.41%，改善幅度达39.6%。
本发明并不局限于上述实施例，在本发明公开的技术方案的基础上，本领域的技术人员根据所公开的技术内容，不需要创造性的劳动就可以对其中的一些技术特征作出一些替换和变形，这些替换和变形均在本发明的保护范围内。
Claims (4)
1. 一种集成电路芯片光阻去除装置，其特征在于，包括机台，所述机台上依次排列设置有若干去光阻槽体，每个去光阻槽体均包括内槽体和外槽体，所述外槽体位于内槽体外周，所述内槽体内盛有可溢流至外槽体内的去光阻液，所述内槽体内设置有超声发生器，内槽体内还设置有加热装置，加热装置与温控系统电连接，所述内槽体内放置有可升降的晶圆载具，所述晶圆载具上定位放置有晶舟，晶舟内竖直放置有若干平行的晶圆；所述外槽体内部通过外接管道与内槽体底部相连通，所述外接管道上分别设置有循环泵和过滤芯；所述内槽体包括矩形内底板，内底板的四周均连接有竖直的内侧板，所述外槽体包括若干围成长方体的外侧板， 各外侧板与各内侧板一一对应设置，外侧板底部与内槽体外壁之间水平设有外底板；所述外侧板的顶部位置高于内侧板的顶部位置；所述晶圆载具包括矩形前侧板，与前侧板相对应地设置有后侧板，后侧板包括连为一体的矩形下支撑板和梯形上加强板，上加强板上间隔开设有若干流动孔，相邻流动孔的间隔为0.5~1.5cm，所述下支撑板和前侧板之间设置有左右对称的梯形左侧板和右侧板，所述左侧板和右侧板上均开设有若干通孔，左侧板和右侧板的上边缘均开设有矩形搬动孔；所述晶舟的左右两侧均设置有侧支撑块，侧支撑块下侧设有定位块，晶舟位于前侧板和下支撑板之间，侧支撑块支撑在左侧板或右侧板上，晶舟底部设置有支撑腿，支撑腿向下延伸到前侧板下方，晶舟上沿左侧板长度方向间隔开设有若干晶圆槽，各晶圆分别竖直放置在对应晶圆槽内，晶圆表面与前侧板相平行设置；晶舟后侧设有抓握把手；所述机台上靠近左侧去光阻槽体的位置设有水洗槽体，靠近右侧去光阻槽体的位置也设有水洗槽体，水洗槽体上方设置有盖板，水洗槽体内部盛有清洗液；集成电路芯片光阻去除装置的光阻去除工艺，包括如下步骤：
（1）先取若干晶圆和晶舟，再将每个晶舟的各晶圆槽内都竖直放入一片晶圆；
（2）然后将各晶舟一一对应放到各晶圆载具上，使得晶舟的两个侧支撑块分别支撑在对应晶圆载具的左侧板和右侧板上，左侧的定位块位于左侧板外侧，右侧的定位块位于右侧板外侧；
（3）升降控制机构启动，各控制杆带动各晶舟下降浸没到对应去光阻槽体的去光阻液中，温控系统通过加热装置控制去光阻液的温度为24℃-80℃；
（4）循环泵工作，去光阻液的液面高度高于内侧板的顶部高度，内槽体内的去光阻液溢流至外槽体中，循环泵将外槽体内的去光阻液抽入外接管道，经过滤芯过滤后进入内槽体底部，同时超声发生器先开启工作N秒，控制超声波的输出电压强度为1~35毫伏，输出电流强度为0.1~3安培，超声波的频率为20~1000千赫兹，控制杆带动晶圆载具在去光阻液中上下震荡，然后超声发生器再关闭N秒；
（5）重复上述步骤（4）M次；
（6）晶圆完成去光阻处理，控制杆带动各晶舟上升并移出去光阻液，再将晶舟放入水洗槽体内，洗掉晶圆上的去光阻液，最后将晶舟放到指定区域。
2.根据权利要求1所述的一种集成电路芯片光阻去除装置，其特征在于，所述机台上方设置有升降控制机构，升降控制机构包括若干可升降和震荡的控制杆，各控制杆下端与各晶圆载具的上加强板一一对应相连。
3.根据权利要求1所述的一种集成电路芯片光阻去除装置，其特征在于，所述步骤（4）中，去光阻槽体内的去光阻液的总体积为L升，外接管道内的去光阻液循环流量为V升/秒，L小于等于NMV。
4.根据权利要求3所述的一种集成电路芯片光阻去除装置，其特征在于，所述N=120，M=5。
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