CN109911847A - 一种通过转移释放获取高密度纳米线阵列的方法 - Google Patents
一种通过转移释放获取高密度纳米线阵列的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109911847A CN109911847A CN201910191518.0A CN201910191518A CN109911847A CN 109911847 A CN109911847 A CN 109911847A CN 201910191518 A CN201910191518 A CN 201910191518A CN 109911847 A CN109911847 A CN 109911847A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- high density
- transfer
- layer
- silicon
- nanowire arrays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000003491 array Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims abstract description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 12
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 11
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 9
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 claims description 8
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 claims description 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 5
- 229910017817 a-Ge Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 3
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910001339 C alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 claims 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 3
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 3
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004033 diameter control Methods 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000007773 growth pattern Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 description 1
- 235000012149 noodles Nutrition 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N tunicamycin Natural products CC(C)CCCCCCCCCC=CC(=O)NC1C(O)C(O)C(CC(O)C2OC(C(O)C2O)N3C=CC(=O)NC3=O)OC1OC4OC(CO)C(O)C(O)C4NC(=O)C MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明公开了一种通过转移释放获取高密度纳米线阵列的方法,通过将引导沟道侧壁生长的纳米线阵列转移至预拉伸的柔性衬底,释放衬底时衬底回缩使得纳米线阵列间距减小,通过多次重复转移不断缩小纳米线阵列间距,实现平面高密度纳米线阵列的方法。本发明提供了一种获得高密度平面纳米线阵列的可靠方法,基于转移技术可将平面高密度纳米线阵列大面积转移至任意衬底,可广泛应用于半导体微纳电子器件,尤其针对大面积电子(平板显示TFT应用)、逻辑、柔性/可穿戴电子和场效应生物化学传感器件。
Description
技术领域
本发明涉及半导体纳米线领域,尤其涉及一种通过转移释放获取高密度纳米线阵列的方法。
背景技术
晶硅或相关半导体纳米线(Nanowire)是开发新一代高性能微纳电子逻辑、传感和显示应用的关键构建单元。基于自上而下的电子束直写(EBL)技术制备直径在10~100nm范围的纳米线结构,已经验证各种新型纳米线功能器件的优异特性,但由于其制备成本及其昂贵、产量低等因素,一直以来都难以得到规模化应用。相比之下,通过纳米金属液滴催化的自下而上的自组装(Self-assembly)纳米线生长,可以大批量制备直径在百纳米以下的晶态硅、锗和各种合金半导体纳米线。然而,通常采用的气-液-固(VLS)生长模式所制备的纳米线多为竖直随机阵列,难以直接在目前的平面电子工艺中实现可靠且低成本的定位集成。
发明内容
发明目的:针对上述问题,本发明提出了一种利用转移释放工艺,将生长于光刻定义的台阶边缘的纳米线阵列。
技术方案:
一种通过转移释放获取高密度纳米线阵列的方法,包括步骤:
1)采用晶硅、玻璃、聚合物或者介质层覆盖的金属薄膜作为衬底,利用薄膜淀积技术,在其上淀积介质层;
2)利用光刻、电子束刻蚀或者掩模板技术定义引导台阶,再用刻蚀技术刻蚀介质层形成引导沟道;
3)利用金属淀积工艺在引导沟道一端淀积金属催化层,作为纳米线的生长起点位置;在还原性气体等离子体作用下,在高于金属熔点的温度进行处理,使所述金属催化层转变成为分离的金属纳米颗粒;
4)将温度降低到金属催化颗粒熔点以下,通过PECVD,CVD或者PVD沉积技术,在经过所述步骤3)处理的样品表面覆盖若干层与所需要生长纳米线成分相对应的非晶薄膜前驱体层;
5)将温度提高到300-500度,使得所述金属纳米颗粒重新熔化,并开始在前端吸收所述非晶薄膜前驱体层的非晶硅,而在后端生长淀积出晶态的硅纳米线结构,所述硅纳米线平行生长于所述引导沟道的坡面之上,获得平行排布生长于引导沟道的硅纳米线阵列;
6)在PECVD腔体中选择性刻蚀去除剩余的非晶硅层;
7)在生长硅纳米线阵列的基底上直接旋涂高分子聚合物树脂胶体材料或直接覆盖固化后的高分子聚合物树脂胶体材料,将所述硅纳米线阵列转移至所述胶体材料上;
8)利用胶体材料将所述硅纳米线阵列转移至预拉伸的柔性衬底上,释放预拉伸柔性衬底,衬底回缩恢复至原始状态,重复本步骤,获得所需硅纳米线间距的高密度硅纳米线阵列。
所述步骤2)中,在刻蚀过程中使用C4F8、CF4、SF6或其混合气体进行刻蚀。
所述金属催化层的厚度为20~60nm。
所述步骤3)中,所述金属催化层的材料为铟、锡、镓、铋、金、铜、镍、钛、银、铅或其合金。
所述步骤3)中,所述金属纳米颗粒的直径在10~1000nm范围内。
所述步骤3)中,将所述金属催化层的材料为铟,将样品装入PECVD腔体,在250度条件下进行氢气等离子体处理,使覆盖在所述引导沟道一端的催化金属层转变成为分离铟纳米颗粒,所述分离铟纳米颗粒直径为200nm。
所述步骤4)中,前驱体层为非晶硅a-Si、非晶锗a-Ge、非晶碳a-C、或者其中的非晶合金层、或者其中的异质叠层。
所述步骤4)中,将温度降低到100~160度,在PECVD腔体中表面覆盖一层厚度为20~100nm的非晶硅薄膜前驱体层。
所述步骤5)中,相邻的硅纳米线的间距由所述引导沟道的间隔决定。
所述步骤7)中,所述高分子聚合物树脂胶体材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯或聚乙烯醇。
有益效果:1)解决了平面固液固(IPSLS)台阶引导生长半导体纳米线沟道集成密度不高(及其带来的器件应用中驱动电流受限)的关键问题;2)利用转移技术将纳米线阵列转移至预拉伸柔性衬底,回缩预拉伸柔性衬底可以将纳米线的集成密度大幅提高,并且此技术完全兼容大面积薄膜电子器件的基本工艺,不必引入额外的高精度光刻技术。3)与此同时,由于纳米线可以高密度集成定位于任意平面衬底,为开拓新一代的集成柔性微纳电子器件提供了一种关键的实现技术,并且实现工艺可扩展、低成本;4)高密度的平面纳米线阵列制备器件可以获得非常高的沟道电流驱动能力,这对于实现平板显示所需要的高性能薄膜晶体管(TFT)尤为重要。基于此技术,纳米线阵列有望在更小的TFT器件空间内满足实现新型AMOLED显示所需要的驱动电流。这对于建立新一代平面纳米线TFT平板显示技术,既以高世代非晶硅技术为基础实现高性能(迁移率、稳定特性和开口率等)驱动电流,意义尤其重大。5)另外,此技术还有望帮助实现集成度更高的大面积逻辑电路,开发或优化新一代显示、传感和信息器件应用。
附图说明
图1是本发明流程图。
图2是本发明通过转移释放实现高密度纳米线阵列的方法的制备流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例,进一步阐明本发明。
如图1所示,本发明通过转移释放实现高密度纳米线阵列的方法利用胶体材料将沟道侧壁生长的纳米线阵列转移至预拉伸柔性衬底,释放衬底回缩使纳米线间距减小,可用于将制备的高密度纳米线阵列转移至任意衬底制备器件,其制备过程可包括以下步骤:
1)采用晶硅、玻璃、聚合物或者介质层覆盖的金属薄膜作为衬底,利用一种或多种薄膜淀积技术,在其上淀积介质层(如非晶氧化硅SiO2,氮化硅SiNx等);
2)利用光刻、电子束刻蚀或者掩模板技术定义引导沟道位置,再用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀或者反应离子体刻蚀(RIE)技术刻蚀介质层形成引导沟道;刻蚀过程中可使用C4F8、CF4、SF6(或其混合气体)等具有不同陡直特性和表面钝化特性的反应气体进行刻蚀,以形成坡面侧壁;
3)利用光刻定位、蒸发或者溅射工艺等金属淀积工艺,在引导沟道一端淀积金属催化层(厚度20~60nm),作为纳米线的生长起点位置;在本发明中,所述金属催化层的材料为铟、锡、镓、铋、金、铜、镍、钛、银、铅或其合金。在还原性气体(氢气等)等离子体作用下,在高于金属熔点的温度进行处理,使覆盖在侧壁坡面引导沟道上的催化金属层转变成为分离的金属纳米颗粒;且通过控制其处理时间、温度、功率和气压参数,将坡面上的金属纳米颗粒的直径控制在10~1000nm范围内;
在本发明中,样品装入PECVD腔体,在在250度进行氢气等离子体处理,使覆盖在侧壁坡面引导沟道上的催化金属层转变成为分离铟纳米颗粒,直径在200nm左右;
4)将温度降低到金属催化颗粒熔点以下,通过PECVD,CVD或者PVD沉积技术,在表面覆盖一层或多层,与所需要生长纳米线成分相对应的非晶薄膜前驱体层;前驱体层可以为非晶硅a-Si、非晶锗a-Ge、非晶碳a-C或者其中的非晶合金层,以及异质叠层(如a-Ge/a-Si)结构;在本发明中,将温度降低到100~160度,在PECVD系统中表面覆盖一层非晶硅薄膜(20~100nm)前驱体层;
5)将温度提高到300-500度,以使得纳米铟颗粒重新熔化,并开始在前端吸收非晶硅,而在后端生长淀积出晶态的硅纳米线结构,借助坡面侧壁上形成的多级台阶结构作为引导沟道,纳米线将平行生长与坡面之上,顺延引导坡面整体走向,可以获得平行排布生长于引导沟道侧壁的纳米线阵列;在本发明中,相邻纳米线的间距由台阶间隔决定,可利用叠层膜厚精确调控在几纳米到几百纳米之间;
6)通过氢气等离子体或者相应的ICP、RIE在PECVD腔体中进行选择性刻蚀去除剩余的非晶硅层;
7)在生长纳米线的基底上直接旋涂高分子聚合物树脂胶体材料,例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚氯乙烯(PVC)或聚乙烯醇(PVA),或直接覆盖固化后的高分子聚合物树脂胶体材料,可将纳米线转移至胶体材料上。
8)利用胶体材料将纳米线阵列转移至预拉伸的柔性衬底(如聚二甲基硅氧烷PDMS)上,并保证衬底的预拉伸方向与纳米线生长方向垂直,释放预拉伸柔性衬底,衬底回缩恢复至原始状态,其上的纳米线阵列间距也随之缩小;通过多次重复此步骤,可将纳米线阵列间距不断缩小,获得所需纳米线间距的高密度硅纳米线阵列,最后通过压印技术将高密度纳米线阵列直接转移至有氧化层的硅衬底,制备平面高密度纳米线阵列场效应晶体管。在本发明中,将衬底拉伸50%,回缩后纳米线间距将缩短一半。初始纳米线间距为2微米,也就是重复一次衬底拉伸50%-放置纳米线-回缩衬底的完整步骤,纳米线间距将缩短至1微米。将这个间距变成1微米的纳米线阵列再转移到另一个预拉伸了50%的衬底上,那么衬底回缩后,纳米线间距将减小到500纳米,所以如果要得到间距20纳米的阵列的话,理论上是重复8次。
以上详细描述了本发明的优选实施方式,但是本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种等同变换(如数量、形状、位置等),这些等同变换均属于本发明的保护。
Claims (10)
1.一种通过转移释放获取高密度纳米线阵列的方法,其特征在于:包括步骤:
1)采用晶硅、玻璃、聚合物或者介质层覆盖的金属薄膜作为衬底,利用薄膜淀积技术,在其上淀积介质层;
2)利用光刻、电子束刻蚀或者掩模板技术定义引导台阶,再用刻蚀技术刻蚀介质层形成引导沟道;
3)利用金属淀积工艺在引导沟道一端淀积金属催化层,作为纳米线的生长起点位置;在还原性气体等离子体作用下,在高于金属熔点的温度进行处理,使所述金属催化层转变成为分离的金属纳米颗粒;
4)将温度降低到金属催化颗粒熔点以下,通过PECVD,CVD或者PVD沉积技术,在经过所述步骤3)处理的样品表面覆盖若干层与所需要生长纳米线成分相对应的非晶薄膜前驱体层;
5)将温度提高到300-500度,使得所述金属纳米颗粒重新熔化,并开始在前端吸收所述非晶薄膜前驱体层的非晶硅,而在后端生长淀积出晶态的硅纳米线结构,所述硅纳米线平行生长于所述引导沟道的坡面之上,获得平行排布生长于引导沟道的硅纳米线阵列;
6)在PECVD腔体中选择性刻蚀去除剩余的非晶硅层;
7)在生长硅纳米线阵列的基底上直接旋涂高分子聚合物树脂胶体材料或直接覆盖固化后的高分子聚合物树脂胶体材料,将所述硅纳米线阵列转移至所述胶体材料上;
8)利用胶体材料将所述硅纳米线阵列转移至预拉伸的柔性衬底上,释放预拉伸柔性衬底,衬底回缩恢复至原始状态,重复本步骤,获得所需硅纳米线间距的高密度硅纳米线阵列。
2.根据权利要求1所述的通过转移释放获取高密度纳米线阵列的方法,其特征在于:所述步骤2)中,在刻蚀过程中使用C4F8、CF4、SF6或其混合气体进行刻蚀。
3.根据权利要求1所述的通过转移释放获取高密度纳米线阵列的方法,其特征在于:所述金属催化层的厚度为20~60nm。
4.根据权利要求1所述的通过转移释放获取高密度纳米线阵列的方法,其特征在于:所述步骤3)中,所述金属催化层的材料为铟、锡、镓、铋、金、铜、镍、钛、银、铅或其合金。
5.根据权利要求1所述的通过转移释放获取高密度纳米线阵列的方法,其特征在于:所述步骤3)中,所述金属纳米颗粒的直径在10~1000nm范围内。
6.根据权利要求1所述的通过转移释放获取高密度纳米线阵列的方法,其特征在于:所述步骤3)中,将所述金属催化层的材料为铟,将样品装入PECVD腔体,在250度条件下进行氢气等离子体处理,使覆盖在所述引导沟道一端的催化金属层转变成为分离铟纳米颗粒,所述分离铟纳米颗粒直径为200nm。
7.根据权利要求1所述的通过转移释放获取高密度纳米线阵列的方法,其特征在于:所述步骤4)中,前驱体层为非晶硅a-Si、非晶锗a-Ge、非晶碳a-C、或者其中的非晶合金层、或者其中的异质叠层。
8.根据权利要求1所述的通过转移释放获取高密度纳米线阵列的方法,其特征在于:所述步骤4)中,将温度降低到100~160度,在PECVD腔体中表面覆盖一层厚度为20~100nm的非晶硅薄膜前驱体层。
9.根据权利要求1所述的通过转移释放获取高密度纳米线阵列的方法,其特征在于:所述步骤5)中,相邻的硅纳米线的间距由所述引导沟道的间隔决定。
10.根据权利要求1所述的通过转移释放获取高密度纳米线阵列的方法,其特征在于:所述步骤7)中,所述高分子聚合物树脂胶体材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯或聚乙烯醇。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910191518.0A CN109911847A (zh) | 2019-03-14 | 2019-03-14 | 一种通过转移释放获取高密度纳米线阵列的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910191518.0A CN109911847A (zh) | 2019-03-14 | 2019-03-14 | 一种通过转移释放获取高密度纳米线阵列的方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109911847A true CN109911847A (zh) | 2019-06-21 |
Family
ID=66964743
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910191518.0A Pending CN109911847A (zh) | 2019-03-14 | 2019-03-14 | 一种通过转移释放获取高密度纳米线阵列的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109911847A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110544656A (zh) * | 2019-09-19 | 2019-12-06 | 南京大学 | 利用超可拉伸晶态纳米线实现Micro-LED巨量转移的方法 |
CN111422828A (zh) * | 2020-04-01 | 2020-07-17 | 南京大学 | 利用晶态纳米线阵列堆叠制备高光学手性器件的方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101189106A (zh) * | 2005-05-27 | 2008-05-28 | 加利福尼亚大学董事会 | 弹性体的连续收缩——一种产生微米和纳米结构的简单微型化方法 |
CN101353164A (zh) * | 2007-07-25 | 2009-01-28 | 清华大学 | 一种高密度碳纳米管阵列的制备方法 |
CN105592640A (zh) * | 2014-10-22 | 2016-05-18 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种柔性印制电路的制备方法 |
CN107460542A (zh) * | 2017-06-15 | 2017-12-12 | 南京大学 | 一种基于平面纳米线线形设计和引导的可拉伸晶体半导体纳米线的制备方法 |
CN108668431A (zh) * | 2017-03-28 | 2018-10-16 | 国家纳米科学中心 | 柔性可拉伸导电线路及电路的制备方法与用途 |
-
2019
- 2019-03-14 CN CN201910191518.0A patent/CN109911847A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101189106A (zh) * | 2005-05-27 | 2008-05-28 | 加利福尼亚大学董事会 | 弹性体的连续收缩——一种产生微米和纳米结构的简单微型化方法 |
CN101353164A (zh) * | 2007-07-25 | 2009-01-28 | 清华大学 | 一种高密度碳纳米管阵列的制备方法 |
CN105592640A (zh) * | 2014-10-22 | 2016-05-18 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种柔性印制电路的制备方法 |
CN108668431A (zh) * | 2017-03-28 | 2018-10-16 | 国家纳米科学中心 | 柔性可拉伸导电线路及电路的制备方法与用途 |
CN107460542A (zh) * | 2017-06-15 | 2017-12-12 | 南京大学 | 一种基于平面纳米线线形设计和引导的可拉伸晶体半导体纳米线的制备方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110544656A (zh) * | 2019-09-19 | 2019-12-06 | 南京大学 | 利用超可拉伸晶态纳米线实现Micro-LED巨量转移的方法 |
CN110544656B (zh) * | 2019-09-19 | 2021-10-26 | 南京大学 | 利用超可拉伸晶态纳米线实现Micro-LED巨量转移的方法 |
CN111422828A (zh) * | 2020-04-01 | 2020-07-17 | 南京大学 | 利用晶态纳米线阵列堆叠制备高光学手性器件的方法 |
CN111422828B (zh) * | 2020-04-01 | 2021-10-26 | 南京大学 | 利用晶态纳米线阵列堆叠制备光学手性器件的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108557758A (zh) | 一种循环交替刻蚀同质多级坡面台阶引导生长纳米线阵列的方法 | |
Chen et al. | Atomic level deposition to extend Moore’s law and beyond | |
CN109234807B (zh) | 一种可拉伸晶体半导体纳米线及其制备方法 | |
CN108217591A (zh) | 一种异质交替叠层台阶引导生长三维坡面纳米线阵列的方法 | |
JP5763629B2 (ja) | パッシベートされたシリコンナノワイヤーの製造方法およびこれにより得られるデバイス | |
KR101878600B1 (ko) | 광학 바이오센서를 위한 주기적 금속 나노 패턴의 제조 방법 | |
CN109950393B (zh) | 一种可堆叠大面积制备的纳米线交叉点阵列阻变存储器件结构的制备方法 | |
Nguyen et al. | Wafer-scale nanopatterning and translation into high-performance piezoelectric nanowires | |
CN109650330A (zh) | 基于可编程纳米线为模板实现大面积石墨烯纳米带阵列的制备方法 | |
CN109911847A (zh) | 一种通过转移释放获取高密度纳米线阵列的方法 | |
CN109941962B (zh) | 一种电学连接高密度坡面台阶纳米线的方法 | |
CN109850843B (zh) | 一种悬空纳米线机械手批量制备方法 | |
TWI320971B (en) | Array of nanoscopic mosfet transistors and fabrication methods | |
Ma et al. | Cylindrical line-feeding growth of free-standing silicon nanohelices as elastic springs and resonators | |
Park et al. | Fabrication of nanowires with high aspect ratios utilized by dry etching with SF 6: C 4 F 8 and self-limiting thermal oxidation on Si substrate | |
CN103030097B (zh) | 基于静电场自聚焦的圆片级低维纳米结构的制备方法 | |
CN112599418B (zh) | 一种三维折线纳米线阵列垂直场效应晶体管的制备方法 | |
CN101823684B (zh) | 一种仿蝴蝶磷翅分级多层非对称微纳结构的制备方法 | |
CN109659305A (zh) | 一种基于硒化铟晶体管的氧化锌压电传感器及其制作方法 | |
CN105223421A (zh) | 纳米线巨压阻特性测量装置及其制造方法 | |
CN102280480B (zh) | 双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管及制备工艺 | |
CN205193157U (zh) | 纳米线巨压阻特性测量装置 | |
CN202127020U (zh) | 双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管 | |
CN102969222B (zh) | 与cmos工艺兼容的硅纳米线器件的制作方法 | |
CN106057664B (zh) | 一种纳米尺度多晶硅线条的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190621 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |