CN205193157U - 纳米线巨压阻特性测量装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种纳米线巨压阻特性测量装置，包括：纳米线、铂电阻温度传感器、电热致动器、基于电容测量的位移传感器、电极、基于电容测量的负荷传感器，所述铂电阻温度传感器、电热致动器、基于电容测量的位移传感器、基于电容测量的负荷传感器依次连接，所述电极数量设置为四个，所述四个电极设置在基于电容测量的位移传感器与基于电容测量的负荷传感器之间，两个水平放置的电极之间设置有纳米线，所述纳米线上下两侧均设置有电极。本实用新型提供的纳米线巨压阻特性测量装置，实现纳米线的机械特性与电气特性的同时测量，从而完成压阻系数的表征，可适用于多种不同测量样本。

Description

纳米线巨压阻特性测量装置

技术领域

本实用新型涉及纳米线巨压阻特性测量装置，属于微纳机电系统技术领域。

背景技术

纳米线作为典型的一维半导体纳米材料，除具有一般纳米材料的特征外，还具有与现代大规模集成电路工艺相兼容，易于大量制备，且便于表面修饰等特点。由于纳米线的半导体性质显示出独特的电学、力学、热学和化学特性，使其研究范围及应用领域覆盖了从化学、物理、生物、环境传感器、场效应晶体管和逻辑电路等众多领域。除此之外，硅纳米线还显示出不同于体硅材料的场发射、热导率、可见光致发光及量子限制效应，在纳米电子器件、光电子器件以及新能源等方面具有巨大的潜在应用价值。

一方面，在探索纳米线的性能与应用时，巨压阻效应由于其在机电传感器和应变工程中潜在的利用价值成为人们所最感兴趣的特性。尽管如此，目前纳米线巨压阻结构的制备还是比较困难的，其制备方法主要有：1、通过反复的热氧化与腐蚀工艺减薄减小纳米线的直径形成显著的量子限制效应来提升纳米线的压阻特性；2、利用化学工艺对纳米线进行表面修饰；3、制备半导体-金属异质结构。

另一方面，目前对纳米结构压阻系数的表征主要可以分成两大类：一类是基于原子力显微镜(AtomicForceMicroscope,AFM)或者是其他探针技术的加载方法，主要特点在于需要对AFM/探针集成纳米力学传感器以及纳米精度执行器、需要采用纳米操纵技术把纳米结构组装到针尖上去等等。但这类实验测试系统十分复杂，实验成本也十分昂贵。而且，AFM针尖结构的尺寸要比纳米结构大得多，机械加载过程中的控制精度很难达到纳米量级。此外，大多数AFM机械加载实验都是在扫描电子显微镜(ScanningElectronMicroscopy,SEM)内进行，SEM的成像技术会对电气特性的测量产生影响。另一类则是利用微电子机械系统微驱动器对纳米结构进行加载，目前主要有压电驱动、静电梳齿驱动、热驱动三种MEMS驱动器件，其电阻的测量全部采用两点测量，由于接触电阻等因素的存在，无疑加大了纳米线的压阻系数的测量误差。

值得注意的是，由于温度漂移使得半导体巨压阻传感器的灵敏度和稳定性产生一定影响，而且降低了测量的精度，所以针对应用于各种温度环境的半导体压阻传感器需要考虑其温度漂移效应，然而目前针对纳米线的压阻系数的温度特性的研究却较少，因而迫切需要相关的测量与研究方法。

实用新型内容

目的：为了克服现有技术中存在的不足，本实用新型提供一种纳米线巨压阻特性测量装置。

技术方案：为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：

一种纳米线巨压阻特性测量装置，包括：纳米线、铂电阻温度传感器、电热致动器、基于电容测量的位移传感器、电极、基于电容测量的负荷传感器，所述铂电阻温度传感器、电热致动器、基于电容测量的位移传感器、基于电容测量的负荷传感器依次连接，所述电极数量设置为四个，所述四个电极设置在基于电容测量的位移传感器与基于电容测量的负荷传感器之间，两个水平放置的电极之间设置有纳米线，所述纳米线上下两侧均设置有电极。

还包括校准探针，所述校准探针与基于电容测量的负荷传感器相连接。

还包括电气绝缘模块，其特征在于：所述电热致动器与基于电容测量的位移传感器之间，基于电容测量的位移传感器与电极之间，电极与基于电容测量的负荷传感器之间，基于电容测量的负荷传感器与校准探针之间均设置有电气绝缘模块。

所述纳米线采用外生长硅纳米线，通过在纳米线上制备银的纳米粒子对其进行表面修饰形成巨压阻特性。

所述纳米线采用化学气相沉积方法，基于径向与轴向生长的控制合成具有巨压阻特性的硅锗径向异质结构纳米线。

所述纳米线采用溶液气象法自生长自组装具有巨压阻特性的硅锗纵向异质结纳米线。

所述纳米线采用STM针尖操作将制备完成的具有巨压阻特性的纳米线在两个悬挂电极上表面相应位置进行定位、校准、拉紧纳米线等装配操作，利用电子束诱导沉积将纳米线阵列固定在悬挂电极上。

纳米线巨压阻特性测量装置制造方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤一：选用顶层硅25μm，掩埋氧化层2μm，底层硅300μm的SOI硅片，将硅片先后放入丙酮、双氧水和浓硫酸的混合溶液中进行超声清洗，再用去离子水反复清洗干净；然后将清洗干净的硅片放入稀释的HF溶液中反应，以除去硅片表面的氧化层；

步骤二：通过LPCVD技术在SOI硅片的顶层与底层硅沉积1μm的SiO₂氧化层；

步骤三：通过RIE技术刻蚀顶层SiO₂氧化层形成铂电阻区域；通过DRIE技术刻蚀铂电阻区域；

步骤四：通过RIE技术刻蚀顶层SiO₂氧化层，形成硼掺杂电阻区；通过扩散工艺，在电阻区进行硼掺杂，所述电阻区的电阻率设置为1.7~1.9×10^-5Ω·m，形成P型掺杂硅电阻区；

步骤五：采用缓冲氧化物蚀刻BOE剥离硅表面的SiO₂氧化层；

步骤六：通过RIE技术刻蚀底层SiO₂氧化层，形成绝缘模块图形；

步骤七：在SOI硅片底层旋涂光刻胶；利用掩膜版，光刻形成氧化物层蚀刻掩膜图案；

步骤八：通过DRIE技术对底层硅刻蚀100μm；

步骤九：通过RIE技术刻蚀未被光刻胶保护的底层SiO₂氧化层；

步骤十：通过DRIE技术对未被光刻胶与氧化层保护的底层硅刻蚀；

步骤十一：使用正性光刻胶形成铂金电阻图形，采用剥离工艺方法，在SiO₂掩埋层上制作出温度单元的铂金电阻；

步骤十二：使用正性光刻胶形成电极及引线区图形；溅射铝，采用剥离工艺方法，形成引线与铝上电极；

步骤十三：通过RIE技术刻蚀SiO2掩埋层，露出绝缘模块；

步骤十四：剥离残余光刻胶，底层的SiO2氧化层；

步骤十五：通过DRIE技术对顶层硅刻蚀完成器件结构，形成完整结构后退火，利用光刻、刻蚀、剥离工艺在测量结构衬底形成铝下电极。

有益效果：本实用新型提供的纳米线巨压阻特性测量装置，采用外置电场与化学工艺表面修饰相结合的方法对纳米线的表面态结构进行改性，或者利用自生长的硅锗异质结构来完成具有巨压阻特性的纳米线制备。

采用适合于大批量生产的标准CMOS工艺兼容的MEMS技术完成纳米线巨压阻特性测量装置，该MEMS测量装置可以实现纳米线的机械特性与电气特性的同时测量，从而完成压阻系数的表征，并且可适用于多种不同测量样本。

该测量装置通过基于电容测量的位移传感器与负荷传感器外接的电容数字转换芯片得到纳米线的伸长和负荷数据，因而不依赖于扫描式电子显微镜成像，从而避免了电子束照射对电气特性测量的影响。同时针对被测样品的温度影响压阻系数测量的问题，该测量装置还集成了温度传感器用于压阻系数的温度补偿，降低环境系统的影响，从而完成多种测量样本巨压阻系数的高精度测量的目的。

1.本实用新型提供了5种具有巨压阻特性的纳米线的制备方法，巨压阻特性的MEMS测量装置具有施加偏置电场的能力，可以调制纳米线的压阻特性。

2.本实用新型将MEMS温度传感器与测量装置集成在一起进行温度补偿，保证其一致性，提高了巨压阻系数精确度。

3.本实用新型结合四探针结构消除了接触电阻的影响从而使得纳米线巨压阻系数的测量结果更加精确。

4.本实用新型提供了一个更高的采样率，在突发事件，例如：塑性变形和破坏的数据点都可以捕获。

5.本实用新型所涉及的装置可置于真空室外部表征，使其更容易研究环境因素对纳米材料的特性，如气、光或温度的影响。

6.本实用新型获取的所有测量数据力和位移，不依靠扫描式电子显微镜成像，避免了电子束照射对样品的电气特性测量的影响。

7.本实用新型的测量样本可以是二维薄膜，一维纳米结构，其纳米结构可为单一的半导体纳米线结构，可为异质结纳米线，也可为纳米线阵列。

附图说明

图1为纳米线巨压阻特性测量装置的结构示意图；

图2为纳米线巨压阻特性测量装置的工作流程图；

图3为纳米线巨压阻特性测量装置制备工艺流程图；

图4为硅锗径向异质结纳米线的制备示意图；

图5为硅锗纵向异质结纳米线的生长示意图；

图6为STM探针操作将纳米线固定于电极上的示意图；

图7为纳米线自生长于电极上的示意图；

图8为电子束光刻纳米线的集成测量结构制备的MEMS工艺流程图；

图9为纳米线四个电极测量的结构示意图；

图10为纳米线样本的力学表征装置的机械模型；

图11为基于改进遗传算法的小波神经网络温度补偿流程图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作更进一步的说明。

如图1所示，一种纳米线巨压阻特性测量装置自左向右分别是铂电阻温度传感器1，用于温度补偿；电热致动器2，用来作为驱动装置使位移传感器、纳米线以及负荷传感器移动；基于电容测量的位移传感器3，用来测量热致动器的位移，同时实现为热致动器的驱动电压去耦功能；用于四探针测量的四个电极4；具有巨压阻特性的纳米线6；基于电容测量的负荷传感器9，用来完成本身的位移与拉力的测量；校正探针10，用于为力传感器进行校准。上述所有单元由一组锚定在顶层硅的梁来稳定在同一平面内做单轴运动，以确保整个纳米线标本均布载荷。

电热致动器2与位移传感器3，位移传感器3与电极4，电极4与负荷传感器9，负荷传感器9与校准探针10分别通过四个SOI掩埋层的电气绝缘模块11来实现机械连接，以对纳米线样本提供独立的电气测量；也用于负荷传感器9与校准探针10的机械连接，实现有效测量。两个悬挂电极4与纳米线6实现机械连接。

如图2所示，一种纳米线巨压阻特性测量装置的测量步骤：第一步，在显微镜下完成位移传感器与负荷传感器校准；第二步，电热致动器作为驱动装置通过绝缘模块推动位移传感器向左移动，同时通过绝缘模块拉动纳米线向左移动，而纳米线也通过绝缘模块拉动负荷传感器向左移动；第三步，通过基于电容测量的负荷传感器和位移传感器外接的电容数字转换芯片得到纳米线的负荷和伸长数据，与此同时通过四探针的测量得到压阻变化；第四步，通过应变系数表征压阻效应。

如图3所示，一种纳米线巨压阻特性测量装置的制备方法，该方法具体步骤：

1)选用顶层硅25μm，掩埋氧化层2μm，底层硅300μm的SOI硅片，将硅片先后放入丙酮、双氧水和浓硫酸的混合溶液中进行超声清洗，再用去离子水反复清洗干净；然后将清洗干净的硅片放入稀释的HF溶液中反应，以除去硅片表面的氧化层；

2)通过LPCVD技术在SOI硅片的顶层与底层硅沉积1μm的SiO₂氧化层；

3)通过RIE（反应离子蚀刻）技术刻蚀顶层SiO₂氧化层形成铂电阻区域；通过DRIE（深反应离子蚀刻）技术刻蚀铂电阻区域；

4)通过RIE技术刻蚀顶层SiO₂氧化层，形成硼掺杂电阻区；通过扩散工艺，在电阻区进行硼掺杂（电阻率：1.7~1.9×10^-5Ω·m），形成P型掺杂硅电阻区；

5)采用缓冲氧化物蚀刻（BOE）剥离硅表面的SiO₂氧化层；

6)通过RIE技术刻蚀底层SiO₂氧化层，形成绝缘模块图形;

7)在SOI硅片底层旋涂光刻胶；利用掩膜版，光刻形成氧化物层蚀刻掩膜图案；

8)通过DRIE技术对底层硅刻蚀100μm；

9)通过RIE技术刻蚀未被光刻胶保护的底层SiO₂氧化层；

10)通过DRIE技术对未被光刻胶与氧化层保护的底层硅刻蚀；

11)使用正性光刻胶形成铂金电阻图形，采用剥离工艺方法，在SiO₂掩埋层上制作出温度单元的铂金电阻；

12)使用正性光刻胶形成电极及引线区图形；溅射铝，采用剥离工艺方法，形成及引线与铝上电极；

13)通过RIE技术刻蚀SiO₂掩埋层，露出绝缘模块；

14)剥离残余光刻胶，底层的SiO₂氧化层；

15)通过DRIE技术对顶层硅刻蚀完成器件结构，形成完整结构后退火，利用光刻、刻蚀、剥离工艺在测量结构衬底形成铝下电极。

值得注意的是，在MEMS测量装置的悬挂电极与衬底之间加入偏置电压，可以耗尽纳米线中导电沟道形成部分区域夹断从而有利于实现纳米线巨压阻特性。

其次完成负荷传感器与位移传感器的校准。装置校准的数据采样率为45Hz。给电热制动器上电后使位移传感器与电热致动器向左移动，读出在显微成像中位移传感器的位移和与位移相对应电容数字转换芯片电路的输出电压，得到位移传感器分别与相对应的电压输出的关系。使用探针设备推动校正探针移动，读出在显微成像中负荷传感器的位移和与位移相对应电容数字转换芯片电路的输出电压，得到负荷传感器分别与相对应的电压输出的关系。同时使用精密微量天平校准负荷传感器，得到位移与负荷的关系。

本实用新型给出了5种具有巨压阻特性的纳米线设置方法，具体如下：

实施例1：带银的硅纳米线

Si纳米线制备的实验过程为:首先用2%的HF溶液(HF:H₂O=1:50)对Si片清洗3分钟，以去除Si片表面的自然氧化层；接着，将硅片先后放入丙酮、双氧水和浓硫酸的混合溶液中进行超声清洗，再用去离子水反复清洗干净；然后利用真空蒸发镀膜机蒸发高纯Au，在Si衬底表面沉积一定厚度的金属催化剂;最后，将沉积好金属催化剂的样品放置在自动控温管式氧化炉的石英管中，在温度为800-1100℃和一定流量的保护气氛下，进行高温退火以生长Si纳米线。用氢氟酸处理掉纳米线上氧化膜，硅的纳米线的表面被氢钝化，把表面被氢所钝化的硅纳米放入硝酸银溶液中，在硅纳米线上制备了银的纳米粒子。

实施例2：硅锗径向异质结纳米线

金纳米簇沉积在氧化的硅晶片，并放置在一石英管式炉。在450℃条件下，使用硅烷作为前导气体，使得硅纳米线芯在轴向约以2μm/min的增长率生长，然后使用硅烷和100ppm氦气的乙硼烷作为前导气体沉积p型硅壳，并以10nm/min的径向生长速率。随后在380℃条件下，锗纳米线10%的相关氩气中以轴向生长速率为0.72um/min的速率生长，而锗壳在炉内通过改变生长衬底的位置环境以10nm/min的径向速度沉积。通过重复以上工艺可以完成各种壳核结构的纳米线，如Si/Ge，Ge/Si，或者Si/Ge/Si，Ge/Si/Ge等。其工艺流程图如图4。

实施例3：硅锗纵向异质结纳米线

第一步，将用有机溶剂洗好的干净硅片置于真空溅射镀膜仪中，在硅片表面溅射一层大约10nm的锡，加热到600℃，锡团聚成纳米颗粒；第二步，在450-470℃下,通过笨硅烷热分解得到硅烷气，然后将硅烷气体作为前导气体在锡纳米颗粒催化剂层表面生长硅纳米片段，反应完全后通入(Ar+5%H₂)气体，清除残余的不同前导气体；第三步，在420-440℃下，将三苯基锗烷液体热分解得到锗烷气体，然后将之作为生长锗纳米片段的前导气体，在硅纳米片段上生长锗纳米片段，反应完全后通入(Ar+5%H₂)气体，清除残余的不同前导气体。通过反复重复以上两个步骤形成突变界面的硅锗异质结纳米线，其结构直至生长出合适长度的硅锗异质结纳米线（Si/Ge/Si/Ge）。其工艺流程图如图5。

针对上述三种实施案例，利用STM（扫到隧道显微镜）针尖操作将制备完成的纳米线在两个悬挂电极上表面相应位置进行定位、校准、拉紧纳米线等装配操作，利用电子束诱导沉积将纳米线阵列固定在悬挂电极，其效果见图6。

实施例4：自生长的表面修饰的硅纳米线

在模型上形成30-60纳米薄的氧化层，再光刻定位去除槽侧壁的氧化层，形成生长硅纳米线的窗口。采用光刻辅助定位生长区域，利用电沉积方法在生长区域得到高密度的锡纳米颗粒催化剂，沉积过程中将衬底浸没在含有锡盐溶液、氢氟酸溶液和表面活性剂的微乳液中，成半径为10-20纳米的颗粒。将笨硅烷（PS）在450-470℃下进行热分解，得到硅烷气；后以硅烷气体作为前导气体在锡纳米颗粒催化剂层表面生长硅纳米线，使得悬挂电极通过纳米线阵相连，对纳米线进行Ba,Hf,Zr掺杂的表面修饰处理，提高表面态密度，增加表面效应和压阻特性，如图7所示。

实施例5：基于MEMS工艺的表面修饰硅纳米线

针对上述结构完成了负荷传感器与位移传感器的校准，运用电子束光刻纳米线，完成硅纳米线巨压阻特性测量装置的制备，如图8所示。具体步骤如下：

1)选用顶层硅25μm，掩埋氧化层2μm，底层硅300μm的SOI硅片，将硅片先后放入丙酮、双氧水和浓硫酸的混合溶液中进行超声清洗，再用去离子水反复清洗干净；然后将清洗干净的硅片放入稀释的HF溶液中反应，以除去硅片表面的氧化层；

2)通过LPCVD技术在SOI硅片的顶层与底层硅沉积1um的SiO₂氧化层；

3)通过RIE（反应离子蚀刻）技术刻蚀顶层SiO₂氧化层形成铂电阻区域；通过DRIE（深反应离子蚀刻）技术刻蚀铂电阻区域；

4)通过RIE技术刻蚀顶层SiO₂氧化层，形成硼掺杂电阻区；通过扩散工艺，在电阻区进行硼掺杂（电阻率：1.7~1.9×10^-5Ω·m），形成P型掺杂硅电阻区；

5)采用缓冲氧化物蚀刻（BOE）剥离硅表面的SiO₂氧化层；

6)通过RIE技术刻蚀底层SiO₂氧化层，形成绝缘模块图形;

7)在SOI硅片底层旋涂光刻胶；利用掩膜版，光刻形成氧化物层蚀刻掩膜图案；

8)通过DRIE技术对底层硅刻蚀100μm；

9)通过RIE技术刻蚀未被光刻胶保护的底层SiO₂氧化层；

10)通过DRIE技术对未被光刻胶与氧化层保护的底层硅刻蚀；

11)通过RIE技术刻蚀SiO₂掩埋层，露出绝缘模块，剥离残余光刻胶，底层的SiO₂氧化层；

12)使用正性光刻胶形成铂金电阻图形，采用剥离工艺方法，在SiO₂掩埋层上制作出温度单元的铂金电阻；

13)用LPCVD方法在SOI硅片顶层积淀一层1μm的氮化硅，采用RIE的方法刻蚀出纳米线区域；

14)在1100度纯氧环境下氧化上层硅，采用BOE溶液腐蚀掉二氧化硅，然后进行多次同样环境下氧化，腐蚀二氧化硅，直到纳米线厚度达到100nm；对纳米线区域掺杂Hf，Ba或者Zr；

15)用氢氟酸处理掉纳米线上氧化膜，硅的纳米线的表面被氢钝化，把表面被氢所钝化的硅纳米放入硝酸银溶液中，在硅纳米线上制备了银的纳米粒子；采用RIE的方法刻蚀掉残余的氮化硅；

16)使用正性光刻胶形成电极及引线区图形；溅射铝，采用剥离工艺方法，形成及引线与铝电极；

17)第一步是将SOI硅片旋涂上负光刻胶，涂胶后进行软烘；第二步电子束在光刻胶表面扫描得到需要的各种尺寸的纳米线线条图形及其器件图形；第三步将曝光的图形进行显影，然后去除曝光的部分通过DRIE技术对顶层硅刻蚀完成器件结构；最后将未曝光部分的光刻胶去除。利用光刻、刻蚀、剥离工艺在测量结构衬底形成下电极。

然后，求得纳米线初始电阻。如图9所示，通过水平方向两个电极为纳米线提供恒流源I，垂直方向两个电极为纳米线提供电压V₀，得到纳米线的初始电阻。d1垂直方向两个电极之间纳米线的距离，d0水平方向两个电极之间纳米线的距离；如前面所强调的，同时在纳米线悬挂电极与衬底之间加入偏置电压，耗尽纳米线导电沟道形成部分区域夹断可有利于充分实现纳米线巨压阻特性。

随之，为电热致动器提供电压，使整个装置工作。电热致动器作为驱动装置通过绝缘模块推动位移电容传感器向左移动移动，同时通过绝缘模块拉动纳米线向左移动，纳米线通过绝缘模块拉动负荷传感器向左移动。纳米线拉伸长度d_s为纳米为位移传感器的位移d_a减去负荷传感器的位移d_f，求得纳米线应变ε=d_s/d₀。纳米线长度伸长度d_s后,垂直方向两个电极的电压变为V₁,纳米线变化后的电阻R₁为，。通过压阻系数表征压阻效应。

如图10，由于纳米线的样品成为该装置的测试过程中的机械系统的一部分，k_sd_s=k_fd_f；F_a=k_ad_a+k_sd_s，其中k_s、k_a、k_f分别为纳米线、负荷传感器、电热致动器的刚度；d_s、d_a、d_f分别为纳米线、负荷传感器、电热致动器的位移；电热致动器产生的力，其中α是硅的热膨胀系数，ΔT是V型梁的平均温度，N是V型梁的数目，A是V型梁的横截面积。纳米线的刚度可由输出电压所对应的负荷传感器负荷与位移之比得到。可得纳米线刚度k_s=F/d_s，纳米线应力δ=F/S，F为负荷传感器负荷，S为纳米线的横截面积。从而得到纳米线杨氏模E=δ/ε。

通过以上步骤完成了纳米线机械特性与电气特性的测量，同时表征了纳米线的巨压阻效应。在测量过程中，被测样品的温度和电阻率有直接的关系，从而影响压阻系数的测量，所以在测量之前首先要掌握被测样品的温度，如果测量时样片的温度不在适合测量的范围，就会影响到最终的压阻系数，则必须采用基于改进遗传算法的小波神经网络模型进行修正，具体流程如图11所示：

步骤1：种群初始化：随机初始化种群，对小波神经网络输入层和隐层之间的链接权值、隐层到输出层的链接权值、伸缩银子和平移因子进行编码，产生一定规模的初始化种群。

步骤2：根据个体得到的小波神经网络的链接权值，伸缩和平移因子。输入测量得到的压阻系数与温度数据作为训练数据，训练小波神经网络后得到系统的预测输出与目标值之间的误差作为适应值F。

步骤3：进行选择，交叉和变异操作。

步骤4：判断进化是否结束，这里由两个结束条件：适应度值是否满足关系，遗传算法达到设定的迭代数，满足这两个条件就可以利用搜索完成的权值，伸缩和平移因子进行小波神经网络计算。

本实用新型通过纳米线巨压阻特性测量装置及其MEMS测量方法，实现多种测量样本的机械特性与电气特性的测量，并表征压阻系数。可以拓展到其他类型的纳米线，比如金属-硅异质结纳米线的力学、电学和压阻特性的测量。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (3)

1.一种纳米线巨压阻特性测量装置，其特征在于：包括：纳米线、铂电阻温度传感器、电热致动器、基于电容测量的位移传感器、电极、基于电容测量的负荷传感器，所述铂电阻温度传感器、电热致动器、基于电容测量的位移传感器、基于电容测量的负荷传感器依次连接，所述电极数量设置为四个，所述四个电极设置在基于电容测量的位移传感器与基于电容测量的负荷传感器之间，两个水平放置的电极之间设置有纳米线，所述纳米线上下两侧均设置有电极。

2.根据权利要求1所述的纳米线巨压阻特性测量装置，其特征在于：还包括校准探针，所述校准探针与基于电容测量的负荷传感器相连接。

3.根据权利要求2所述的纳米线巨压阻特性测量装置，其特征在于：还包括电气绝缘模块，所述电热致动器与基于电容测量的位移传感器之间，基于电容测量的位移传感器与电极之间，电极与基于电容测量的负荷传感器之间，基于电容测量的负荷传感器与校准探针之间均设置有电气绝缘模块。