CN109906410A - 高度传感器、光刻设备和用于制造器件的方法 - Google Patents

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Abstract

一种光刻设备(LA)将图案施加于衬底(W)。所述光刻设备包括高度传感器(LS)、衬底定位子系统和控制器，所述控制器被配置成使高度传感器测量跨越衬底的部位处的衬底表面的高度(h)。所测量的高度用于控制施加到衬底的一个或更多个图案的聚焦。相对于参考高度(zref)测量高度h。高度传感器可操作以改变参考高度(zref)，这允许更宽的有效操作范围。可以放宽在测量期间控制衬底高度的规范。可以通过在高度传感器内移动一个或更多个光学元件(566，572，576，504和/或512)或移动高度传感器来改变参考高度。没有移动部件的实施例包括多元件光电探测器(1212)。

Description

高度传感器、光刻设备和用于制造器件的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年11月2日提交的欧洲申请16196902.7的优先权，该欧洲申请通过引用全文并入本文。
技术领域
本发明涉及例如在通过光刻技术制造器件中可使用的方法和设备，并且涉及使用光刻技术制造器件的方法。本发明更具体地涉及位置传感器和用于确定衬底上的标记的位置的方法。
背景技术
光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底(通常是在衬底的目标部分)上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成要在IC的单层上形成的电路图案。可以将该图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个管芯或几个管芯)上。典型地，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。这些目标部分通常称为“场”。常规的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器，在步进器中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐射每个目标部分；在扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案，同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描衬底来辐射每个目标部分。
通常，图案应该被投影到的衬底表面不是完全平坦的。而且，衬底可以显示出几微米的厚度变化。例如由于聚焦误差或成像误差，衬底表面的这种不平坦性和/或厚度变化可能导致图案的不正确投影。为了校正衬底的不平坦性和/或厚度变化，已知使用高度传感器(有时称为水平传感器)，期望所述高度传感器集成在光刻设备中。这种高度传感器可用于在图案被转印(例如投影)到衬底上之前确定衬底的高度图(height map)。这种高度图随后可用于在将图案转印到衬底期间校正衬底的位置，以便将图案形成装置的空间图像保持在正确的焦点。应当理解，在此上下文中的“高度”是指大致在衬底的平面之外的维度(dimension)，并且不意味着相对于地球或重力的任何特定方向。
典型地，这种高度传感器包括投影单元，所述投影单元用于将测量束投影到衬底上，所述投影单元包括：投影光栅，布置成赋予测量束基本上周期性的辐射强度；检测单元，典型地包括两个或更多个检测元件，用于在衬底上反射之后接收测量束；和处理单元，用于基于由检测单元的检测器接收到的测量束部分计算高度水平。
例如在US7265364和US7646471(两篇文献的作者都是Teunissen等人)中公开了这种通用类型的各种高度传感器。在US2010233600A1(den Boef)中公开了使用UV辐射而不是可见辐射或红外辐射的高度传感器。在已知的布置中，水平传感器的检测单元可以包括检测光栅，所述检测光栅被配置成将反射的测量束分隔成由分立的传感器接收的不同部分。在WO2016102127A1(Reijnders/ASML)中，描述了一种紧凑的高度传感器，所述高度传感器使用多元件检测器来检测和识别光栅图像的位置，而不需要检测光栅。
典型地，高度传感器在固定部位(相对于其自身的光学系统)处进行测量。衬底相对于光学系统移动，以在跨越衬底的部位处获得高度测量。在US8947632B2中公开了一种高度传感器，在所述高度传感器中，移动光学元件使得测量部位在跨越衬底的一个或更多个面内方向上扫描，从而允许在不同部位处进行高度测量，而不需要光学系统整体相对于衬底的扫描移动。
在基于光栅图案的高度传感器中，光栅节距(连同包括光学系统中的放大率和衬底上的入射角的其它因素)决定了传感器对高度变化的灵敏度，但这也限制了能被测量到相对非常窄的范围的高度的范围。在已知的设备中，在扫描高度传感器期间精细地控制衬底的位置，使得从传感器到表面的距离始终保持在所述范围内。然而，这是对传感器适用性的限制。例如，可能期望提供一种不需要对衬底高度进行这种精控制的设备，但是衬底表面的高度变化范围可以超过当前传感器设计的范围。增加光栅节距会扩大范围，但会直接降低高度测量的准确性。
发明内容
本发明的第一方面的目的在于允许在测量过程中不要求精控制衬底表面的情况下进行准确的衬底的高度测量。
本发明的第一方面提供了一种高度传感器，包括光学系统，所述光学系统配置成将辐射传递到衬底，收集从所述衬底反射的辐射，并处理所收集的辐射以导出相对于参考高度的衬底的表面高度的测量值，其中，所述高度传感器包括用于相对于连接光学系统的参考结构调整所述参考高度的布置，同时测量整个衬底的一个或更多个部位的高度。
在一实施例中，设置控制器，以至少部分地响应于衬底支撑件相对于所述参考结构的位置的测量而自动地调整所述参考高度。
在一实施例中，设置控制器，以至少部分地通过追踪衬底的测量高度的漂移来自动调整参考高度。
在一些实施例中，设置多元件检测器，以检测所收集的辐射，其中来自所选元件的信号被组合以导出所述测量值，并且其中通过选择所述多元件检测器内的不同元件完全或至少部分地调整所述参考高度。在另外的实施例中，在测量整个衬底的一个或更多个部位处的高度时，仅通过选择所述多元件检测器内的不同元件来调整所述参考高度。在又一另外的实施例中，所收集的辐射被聚焦以在所述多元件检测器上形成光栅图案的图像，并且其中所述多元件检测器中的元件的节距是所述多元件检测器上的光栅图案的节距的两倍或更多倍，可选地是所述多元件检测器上的光栅图案的节距的四倍或更多倍。
在另外的实施例中，用于调整所述参考高度的布置包括所述光学系统中的一个或更多个可移动元件。可移动元件的数量可以是仅一个或两个，或者基本上整个光学系统可以是可移动的。在另外的实施例中，至少一个可移动光学元件包括用于将所述辐射从投影聚焦子系统引导到所述衬底的元件。在另外的实施例中，少一个可移动光学元件包括用于将所收集的辐射从所述衬底引导到检测聚焦子系统中的元件。在另外的实施例中，所述可移动元件布置成在不改变角度的情况下平移，以便在不改变所述衬底处的辐射的入射角的情况下改变所述参考高度。在另外的实施例中，所述至少一个可移动光学元件是用于将所收集的辐射从检测聚焦子系统引导到传感器子系统的元件。在另外的实施例中，所述至少一个可移动光学元件是用于将光栅图案施加于传递到所述衬底的所述辐射的光栅。在另外的实施例中，所述至少一个可移动光学元件是用于与所收集的辐射中的光栅图案相互作用的检测光栅。在另外的实施例中，所述至少一个可移动光学元件包括用于将光栅图案施加到传递到所述衬底的辐射的光栅和用于与所收集的辐射中的光栅图案相互作用的检测光栅两者。
在一实施例中，相对于所述高度传感器的所述光学系统进行所述高度测量所处的面内部位基本上独立于被调整的参考高度。
在一实施例中，进行所述高度测量所处的面内部位偏移被调整的参考高度。在另外的实施例中，高度的测量与允许识别面内部位的偏差的信息一起输出。在另外的实施例中，控制所述衬底的相对于所述衬底的面内部位以补偿由参考高度的调整引起的偏差，从而获得基本上在期望部位处的测量。
在一实施例中，调整所述参考高度包括在所述光学系统在对应于不同参考高度的一范围的状态下循环时选择测量时间。
在一实施例中，调整参考高度包括从用不同参考高度进行的一系列高度测量中选择高度测量。
本发明还提供了一种制造器件的方法，其中，使用光刻过程将器件图案施加到衬底，所述方法包括通过参考跨越衬底测量的高度将所施加的图案聚焦在所述衬底的表面上，所测量的位置是使用根据本发明如上所述的高度传感器获得的。
本发明还提供了一种用于将图案施加到衬底的光刻设备，所述光刻设备包括根据本发明如上所述的高度传感器、衬底定位子系统、以及控制器，所述控制器配置成使所述高度传感器测量跨越衬底的部位处的衬底表面的高度，以及使用所测量的高度来控制施加到所述衬底的一个或更多个图案的聚焦。在一实施例中，至少关于高度方向，所述衬底定位子系统实施与粗级致动和精级致动相对的单级致动。
将通过考虑下文描述的示例理解本发明的上述方面和其它方面。
附图说明
现在将参考附图仅通过举例方式描述本发明的实施例，在附图中：
图1描绘了其中可以使用根据本发明的高度传感器的光刻设备；
图2示出了根据本发明的一些实施例的高度传感器的操作原理；
图3示出了图2的高度传感器的感测范围；
图4示意性地示出了根据已知的布置，在图1的设备中与衬底一起操作的高度传感器的部件；
图5示意性地示出了根据本发明的第一实施例的修改的高度传感器的部件；
图6示意性地示出了具有可在本发明的实施例中使用的分立的测量和曝光平台的已知的光刻设备的部件；
图7示意性地示出了根据本发明的另一个实施例的修改的光刻设备的部件；
图8示意性地示出了根据本发明的第二实施例操作的修改的高度传感器的部件；
图9示意性地示出了根据本发明的第三实施例操作的修改的高度传感器的部件；
图10示意性地示出了根据本发明的第四实施例操作的修改的高度传感器的部件；
图11示意性地示出了根据本发明的第五实施例操作的修改的高度传感器的部件；
图12示出了WO2016102127A1(Reijnders/ASML)中公开的类型的高度传感器的操作原理，所述高度传感器可用于代替图2中所示的高度传感器以实现本发明的另外的实施例；
图13示意性地示出了根据本发明的第六实施例操作的、基于图12的高度传感器的改变的高度传感器的部件；和
图14示意性地示出了根据本发明的第七实施例操作的改变的高度传感器的部件。
具体实施方式
在详细地描述本发明的实施例之前，提出一个可以实施本发明的实施例的示例性环境是有指导意义的。
图1示意性地描绘了光刻设备LA。所述设备包括：照射系统(照射器)IL，配置成调节辐射束B(例如UV辐射或DUV辐射)；图案形成装置支撑件或支撑结构(例如掩模台)MT，构造成支撑图案形成装置(例如掩模)MA并且连接到第一定位器PM，所述第一定位器PM配置成根据特定参数来准确地定位图案形成装置；两个衬底台(例如晶片台)WTa和WTb，每个衬底台被构造成保持衬底(例如涂覆抗蚀剂的晶片)W并且每个衬底台连接到第二定位器PW，所述第二定位器PW配置成根据特定参数来准确地定位衬底；以及投影系统(例如折射型投影透镜系统)PS，配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。参考框架RF连接各种部件，并用作设定和测量图案形成装置和衬底以及图案形成装置和衬底上的特征的位置的参考基准。
照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，用以引导、成形、或控制辐射。
所述图案形成装置支撑件MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如例如图案形成装置是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置。所述图案形成装置支撑件可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。所述图案形成装置支撑件MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要是固定的或可移动的。所述图案形成装置支撑件可以确保图案形成装置位于期望的位置上(例如相对于投影系统)。
这里使用的术语“图案形成装置”应该被广义地解释为表示能够用于在辐射束的横截面上赋予辐射束图案、以在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应注意，赋予辐射束的图案可以不完全对应于衬底的目标部分中的所期望的图案，例如，如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征。通常，赋予辐射束的图案将对应于在目标部分中产生的器件(例如集成电路)中的特定功能层。
如此处所描绘的，所述设备属于透射型(例如，采用透射型图案形成装置)。可替代地，所述设备可以属于反射型(例如，采用如上文所提及类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程LCD面板。这里使用的任何术语“掩模版”或“掩模”可以被认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。术语“图案形成装置”也可以被解释为表示以数字形式存储用于控制这种可编程图案形成装置的图案信息的装置。
这里使用的术语“投影系统”应该被广义地解释为包括任何类型的投影系统，包括折射光学系统、反射光学系统、反射折射光学系统、磁性光学系统、电磁光学系统和静电光学系统或其任意组合，例如对于所使用的曝光辐射或者对于诸如浸没液体的使用或真空的使用之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以被认为与更上位的术语“投影系统”同义。
光刻设备也可以是这样一种类型：其中衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充投影系统和衬底之间的空间。浸没液体也可以被施加至光刻设备中的其它空间，例如掩模和投影系统之间的空间。本领域中众所周知的是，浸没技术用于增加投影系统的数值孔径。
在操作中，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。例如，当源为准分子激光器时，源和光刻设备可以是分立的实体。在这种情况下，不认为源构成光刻设备的一部分，且辐射束被借助于包括(例如)适合的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD从源SO传递至照射器IL。在其它情况下，例如当源为汞灯时，源可以是所述光刻设备的组成部分。可以将源SO和照射器IL以及需要时设置的束传递系统BD一起称为辐射系统。
所述照射器IL可以例如包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD、积分器IN和聚光器CO。所述照射器可以用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所期望的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在图案形成装置支撑件MT上的所述图案形成装置MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。在已横穿图案形成装置(例如，掩模)MA的情况下，辐射束B穿过投影系统PS，所述投影系统将所述束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器、二维编码器或电容传感器)，可以准确地移动衬底台WTa或WTb，例如以便将不同的目标部分C定位于辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将第一定位器PM和另一个位置传感器(图1中未明确描绘)用于相对于辐射束B的路径准确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。
可以通过使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于多个目标部分之间的空间(这些公知为划线对准标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置(例如，掩模)MA上的情况下，掩模对准标记可以位于所述管芯之间。在期望标识尽可能小并且不需要与相邻特征不同的任何成像或过程条件的情况下，在器件特征之中，小的对准标记也可以被包括在管芯内。下面进一步描述检测对准标识的对准系统。
所描绘的设备可以用于各种模式中。在扫描模式中，在对图案形成装置支撑件(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于图案形成装置支撑件(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度决定了目标部分的高度(沿扫描方向)。正如在本领域中众所周知的，其它类型的光刻设备和操作模式是可能的。例如，步进模式是已知的。在所谓的“无掩模”光刻术中，使可编程图案形成装置保持静止，但具有改变的图案，并且移动或扫描衬底台WT。
也可采用上文所描述的使用模式的组合和/或变形例，或完全不同的使用模式。
光刻设备LA是所谓的双平台类型，该双平台类型具有两个衬底台WTa、WTb和两个站-曝光站EXP和测量站MEA--所述衬底台可以在所述两个站之间交换。当一个衬底台上的一个衬底在曝光站上进行曝光时，另一个衬底可以被装载到测量站处的另一个衬底台上，并且执行各种预备步骤。这实现设备的生产量实质性增加。预备步骤可以包括使用水平传感器LS来绘制衬底的表面高度轮廓和使用对准传感器AS测量在衬底上的对准标识的位置。如果位置传感器IF在测量站处以及在曝光站处时不能够测量衬底台的位置，则可以设置第二位置传感器以实现在两个站处追踪衬底台相对于参考框架RF的位置。其它布置是已知的且可用于代替所示的双平台布置。例如，其中设置衬底台和测量台的其它光刻设备是已知的。这些衬底台和测量台在执行预备测量时被对接在一起，之后在衬底台经历曝光时不对接。
在图2中，示意性地示出了本领域已知的高度传感器。高度传感器LS被配置为确定衬底W的高度图。该高度图可用于在将图案投影到衬底W上期间校正衬底的位置。高度传感器包括光学系统，所述光学系统包括投影单元100和检测单元110。高度传感器还包括处理单元120。投影单元100包括提供光束102的光源，光束102由投影单元100的投影光栅104赋形。光源可以是例如窄带或宽带光源、偏振的或非偏振的、脉冲式的或连续的。光源可以例如是偏振或非偏振激光束。光源可以包括具有不同颜色的多个光源，诸如多个LED。注意，在本公开的上下文中，对“光”的参考不应被解释为限于可见光，而是应理解为包括紫外(UV)辐射和适于在衬底的表面上反射的任何类型的辐射。例如在US2010233600A1(den Boef等人)中公开了一种适于使用UV辐射的高度传感器。
如图所示的投影光栅102是周期性光栅，其具有周期性结构，从而导致测量束130具有周期性变化的强度。特别地，图案化测量束的强度沿箭头132所示的方向周期性地变化。具有周期性变化强度的测量束130被引导朝向衬底W上的测量部位140。在测量部位140处，测量束被衬底反射(由箭头150指示)朝向检测单元110。在实践中，光学系统将沿着图案化测量束的路径在投影单元100和检测单元110之间包括另外的光学元件。图2中省略了这些另外的元件，图2仅示出了操作原理。如下所述，这些另外的元件可用于实施高度传感器的修改。
检测单元110包括检测光栅112，检测光栅在该示例中包括三角形特征114的光栅，用于分隔被反射的测量束150并将接收的反射测量束150的部分引导到两个不同的方向152、154。被改变方向的束(沿着方向152和154)随后由检测单元110的聚焦光学器件116接收，聚焦光学器件116被配置成将所接收的被改变方向的束成像到检测单元110的分立的光电探测器118、119上。光电探测器118、119产生的信号随后将提供给高度传感器LS的处理单元120。处理单元120还被配置为基于所接收的信号确定衬底W的高度h，即衬底在指示的Z方向上的位置。
应该理解，其它形式的检测单元是已知的，并且所示的检测单元仅是一个示例。作为另一示例，公开的专利申请US2010233600A1描述了一种较早类型的基于差分检测方案的高度传感器。在这种已知的检测方案中，偏振器和剪切板的组合(例如以沃拉斯顿棱镜的形式)从反射束产生两个侧向地被剪切的光栅图像到参考光栅上。得到的图像由参考光栅传输并由两个检测器检测。以类似于图2的设计的方式处理这些信号以产生高度信号。因为已知设计的偏振部件的成本高，所以图2的设计对于使用UV辐射的高度传感器是有利的。
图3示出了在图2的高度传感器的处理单元120中获得的信号的形式。水平轴线表示传感器相对于衬底W的高度zs。垂直轴线表示不对称性A，所获得的作为两个光电探测器118、119产生的信号之间的差异。当高度zs变化时，从图2可以看出，由投影光栅104产生的光栅图案的明亮条纹投影在检测光栅的三角形特征114的不同部分上。不对称信号A摆动为正值和负值，这依赖于明亮条纹是主要照射光电探测器118还是光电探测器119。这导致近似正弦的变化，如图3中曲线200所示的形式。因为光栅并不是无限的，所以变化的幅度在曲线的中心部分202中最大，并且高度传感器被设计成仅在该中心部分的区域中操作，其中不对称信号A示出具有高度zs的近似线性变化。该操作区域大致由框204限定。因此，投影光栅和检测光栅的节距确定了正弦变化的周期，并因此限制了高度传感器的操作范围206。投影光栅的节距还确定了曲线200的线性部分在工作范围内的斜率，因此确定了高度传感器的灵敏度。
现在参考图4，示出了高度传感器LS的部件相对于光刻设备(例如图1中所示类型)中的参考框架RF和衬底支撑件WT的实体布置。在双平台设备的情况下，图4中的衬底支撑件WT可以是衬底支撑件WTa或WTb。已在图2中示出的高度传感器的部件在图4中用相同的附图标记标注。因此，投影单元100和检测单元110被示出为安装在参考框架上，并且分别包括投影光栅104和检测光栅112。虽然这些部件被示出为单独安装在参考框架RF上，但是应该理解的是，可以提供高度传感器框架，所述高度传感器框架又安装到光刻设备的参考框架RF上。
图4中还示出了光学系统的附加部件(图2中未示出)。这些部件用于调节和聚焦光束，而其它部件用于将光学系统折叠成紧凑的布置。使用弯曲反射器或棱镜，聚焦和折叠功能可以组合在一个元件中。这些功能在图4中示意性地表示，而它们的详细实施方式当然将在不同的实施方式之间变化。在投影单元100中，为了举例，示出了入射反射镜362，其折叠测量束130的路径并将其引导到投影聚焦单元364。出射反射镜366将测量束130转向适于在测量部位140处撞击衬底W的角度。类似地，在检测单元110中，入射反射镜372将反射的束150转移到检测聚焦单元374中。出射反射镜376将反射的束的路径转向检测光栅112和聚焦单元116。
在已知的布置中，高度传感器的参考高度zref相对于光刻设备的参考框架RF固定。相对于该参考高度表示或定义高度值zs。再次参考图3，已知的高度传感器具有例如几微米的操作范围。在跨越衬底的不同部位处测量高度期间，衬底的高度由光刻设备的定位子系统控制，以便将表面保持在高度传感器的操作范围内。使用位置传感器IF(也在图1中示出)以高准确度测量衬底支撑件相对于参考框架RF的高度zt的变化。这些高度变化可以加上或减去由高度传感器测量的高度zs的变化，以便获得衬底表面相对于衬底支撑件的总高度值h。
应当理解，高度传感器的有限操作范围对定位子系统提出了严格的要求，该定位子系统在测量跨越衬底的部位处的高度图期间确定衬台WT和衬底W的高度。提供具有增加的操作范围的高度传感器将放宽对设备的其余部分的设计约束，如下面将说明的。利用已知的设计，增加操作范围意味着灵敏度的对应降低，这可能是不可接受的。
图5示意性地示出了修改的高度传感器的第一示例的组件，其中高度传感器的光学系统包含图4的已知高度传感器的所有相同元件。元件502-550对应于图4的高度传感器的元件102-150，并以与图4的高度传感器的元件102-150基本相同的方式操作。元件562-576对应于图4的高度传感器的元件362-376，并以与图4的高度传感器的元件362-376基本相同的方式操作。
修改的高度传感器在功能上与图4的高度传感器的不同之处在于，测量衬底的高度zs所依据的的参考高度zref在跨越衬底的测量过程中是可变的。参考高度zref可以相对于固定参考高度z0变化量Δzref，固定参考高度z0由参考框架RF限定。可以特别地控制可变参考高度zref以追踪衬底支撑件的高度zt的变化，使得测量的高度zs保持在高度传感器的操作范围内。组合三个值Δzref、zs和zt，以与之前相同的准确度测量衬底表面相对于固定参考基准z0的高度。然而，放宽了将衬底相对于参考框架RF定位的准确度。
在下面描述的示例中公开了产生可变参考高度的这种功能的几种实施方式。在第一类型的示例中，参考高度zref的变化通过物理地移动光学系统的一个或更多个元件来实现。光学系统可以包括多个透镜、曲面镜、平面镜、棱镜、光栅等，其中任意一个都可以作为可移动元件的选择的候选者。
在图5的示例中，通过使投影单元100的出射反射镜566倾斜小角度Δθ并且通过使检测单元110的入射反射镜572倾斜相似的角度来实现参考高度zref的变化。这使得测量束530在测量部位540处被反射，该测量部位540比用虚线所示的原始位置更低，即更远离参考框架RF。在处理器520或未示出的另一个控制器的控制下，可以通过任何合适的致动器实现反射镜的倾斜。因为两个反射镜倾斜相同的量，所以聚焦光学器件574和随后的元件376、512、516内的反射束的路径不受影响。测量部位540的面内(x，y)位置也不受影响。然而，通过Δzref的变化，参考高度zref以可预测的方式随倾斜角Δθ变化。通过合适的等式或通过查找表，处理器520(或未示出的另一个控制器)根据反射镜的位置计算变化Δzref。可以通过在操作期间追踪不对称信号A的变化来自动控制所述变化，以使其保持接近操作范围的中心。替代地或另外地，通过倾斜反射镜566、572，可以在衬底台WT的测量高度zt和参考高度的变化之间形成虚线所示的控制连接580。
处理器520或分立的处理器可以作为控制器操作，用于以这种方式自动调整参考高度。如刚刚解释的，可以至少部分地响应于衬底支撑件相对于参考结构的位置的测量来进行高度调整。在其它实施例中，控制器布置成至少部分地通过跟踪衬底的测量高度的漂移来自动调整参考高度。相同的原理适用于下面要描述的示例。也就是，响应于测量的高度zs，可以在高度传感器内完全控制参考高度的变化。假设处理器520接收已知或可以计算参考高度变化的信号，则可以计算相对于固定参考高度z0的高度测量值。替代地或另外地，参考高度的变化可以部分地通过参考衬底位置的测量值来控制，诸如从在给定实施方式中等效的任何传感器接收到的测量值。在参考高度和衬底支撑件的位置由伺服控制器控制的实施例中，这些可能已经具有必要的所考虑的测量值。在一些实施例中，可以基于zs自身的测量来控制可移动元件。在这种情况下，可能不需要用于可移动元件的位置编码器，因为所测量的高度zs本身可以用于控制回路的反馈信号。当然，位置编码器可以仍然是期望的，例如在没有衬底位于传感器范围内的情况下作为备用方案(fallback)。
图6示意性地示出了图1的设备的一个实施例的整体机械布置，其中所述设备是具有双衬底支撑件和分立的测量站MEA和曝光站EXP的类型。
基部框架FB支撑并围绕地上的设备。参考框架RF用作准确的位置参考，并在所述设备内支撑在空气支承件(air bearing)602上，空气支承件602将参考框架与环境中的振动隔离。安装在该框架上的是投影系统PS以及工具604、606、608，所述投影系统自然地形成曝光站EXP的核心，工具604、606、608是测量站MEA的功能元件。在本示例中，工具604和608是高度传感器LS的检测单元110和投影单元100。工具606是对准传感器AL。在曝光站EXP上方，掩模台MT和掩模MA安装在投影系统PS上方。第一定位器PM包括长行程(粗)致动器610和短行程(精)致动器612、614。这些致动器通过主动反馈控制进行操作以获得掩模MA相对于投影系统PS的期望位置，并且因此获得掩模MA相对于参考框架RF的期望位置。这种测量在616处示意性地示出。设置平衡质量618以模拟掩模台MT和第一定位器PM的至少粗运动，以减少传递到框架和其它部件中的振动。平衡质量618经由主动空气支承件620支撑在基部框架FB上。低频伺服控制将平衡质量618保持在期望的平均位置。根据该示例的双平台布置，设置呈晶片台WTa和WTb形式的衬底支撑件，每个晶片台具有相关联的定位机构。晶片台WTa被显示在曝光站并装载有晶片W，而晶片台WTb被显示在测量站承载下一个晶片W’。每个晶片台具有粗致动器622和精致动器624、626，用于相对于工具604-608和相对于投影系统PS的出射透镜准确地定位衬底W。晶片台WTa、WTb及其各自的定位子系统被承载并连接到共享的平衡质量块628。再次，空气支承件或其它合适的支承件(诸如磁性的，静电的支撑件等)示意性示出在例如630处。相对于测量站处的工具604-608和曝光站处的投影系统PS，测量用于晶片W和W′的位置的粗控制和精控制的晶片台位置，这些中的两者最终都返回到参考框架RF。
现在参考在已知的光刻设备中由工具604和608形成的高度传感器的操作，使用具有可变参考高度zref的修改的高度传感器放松宽了对精致动器626的约束，否则这些约束将必须将衬底表面维持在高度传感器的操作范围内。
此外，如果参考高度的变化范围是足够的，则可以构造较低成本的光刻设备，如图7所示。除了精致动器624、626已被固定安装件726替换之外，这种修改的光刻设备的机械布置与图6的机械布置相同。晶片台WTa、WTb的所有运动于是仅使用粗致动器622来控制。然而，位置的测量仍然是准确的。高度传感器的操作范围已经在没有影响其灵敏度的情况下被有效地扩展，从而允许为晶圆台提供了更低成本的定位子系统。
现在将参考图8至14描述修改的高度传感器的替代实施例。这些修改的高度传感器中的每一个可以以与上述相同的方式部署在光刻设备中。这些改进的高度传感器中的每一个可以部署在具有一个或更多个衬底支撑的光刻设备中，而不仅仅是图1、6和7中所示类型的双平台设备中。这些传感器中的每一个可以部署在具有粗致动器和精致动器两者的光刻设备以及部署在仅具有粗致动器的光刻设备(如图7所示)中。这些传感器中的每一个也可以部署在包括用于半导体制造的检查设备的其它类型的设备以及其它类型的检查设备中。
图5中所示的修改的高度传感器的第一实施例通过倾斜反射镜566和572来调整参考高度，如上所述。因此，当调整参考高度时，测量束530的入射角也改变。对于某些类型的衬底，这种入射角的变化可能导致记录的高度变化。这可能导致高度测量中的可变的不准确性，尽管这些可以通过适当的可变校准来解决。
图8示出了修改的高度传感器的第二实施例，其具有投影单元800、检测单元810和处理器820。除了下文所描述的差别之外，这些单元内所示的所有部件都可以与图5中的相同，并且使用与图5中相同的附图标记。
图8的高度传感器包括可移动的光学元件以实现参考高度zref的变化，并且这些可移动的光学元件也是投影单元的出射反射镜566和检测单元的入射反射镜572。然而，参考高度的调整不是通过倾斜或旋转、而是通过反射镜的线性运动量Δx(如图所示)来实施。其效果是在不改变测量束530的入射角的情况下实现参考高度的变化Δzref。因此避免了由于过程依赖性随入射角的变化而引起的不准确性的问题。避免了可变校正。用于驱动和控制可移动元件以及用于计算组合的高度测量的布置可以与上面针对图5所描述的相同。
图9示出了修改的高度传感器的第三实施例，其具有投影单元900、检测单元910和处理器920。除了下文所描述的差别之外，这些单元内所示的所有部件都可以与图5中的相同，并且使用与图5中相同的附图标记。与图5和图8的示例相比，在该示例中，反射镜566和572是固定的(或者对于高度传感器来说，至少它们不为了调整参考高度的目的而运动)。相反，控制出射反射镜576以倾斜或旋转可变量Δθ。因此，对于给定的高度zs，投影光栅504的图像落在检测光栅512上的位置是变化的。同时，测量束在衬底上的入射角不变，避免了图5的示例中提到的问题。也减少了致动器和控制回路的数量。用于驱动和控制可移动元件以及用于计算组合的高度测量的布置可以与上面针对图5所描述的相同。与图5和8的示例相比，在图9的示例中，反射镜566和572是固定的(或者至少它们不会为了调整参考高度的目的而运动)。与图5和8的示例相比，图9的示例仅需要单个移动元件的平移。
图10示出了修改的高度传感器的第四实施例，其具有投影单元1000、检测单元1010和处理器1020。除了下文所描述的差别之外，这些单元内所示的所有部件都可以与图5中的相同，并且使用与图5中相同的附图标记。与图5和图8的示例相比，在该示例中，反射镜566、572和576是固定的(或者对于高度传感器来说，至少它们不为了调整参考高度的目的而运动)。在该示例中，控制投影光栅504的位置以平移可变量Δpg，如图所示。因此，对于给定高度zs，投影光栅504的图像落在检测光栅512上的位置是变化的，从而使得参考高度的期望变化Δzref。与图5和8的示例相比，图10的示例仅需要单个移动元件的平移。如表示图中所示的移动Δpg的箭头所示，平移方向可以相对于光栅的平面是略微成角度的。这是用于维持恒定的光学路径长度并保持投影光栅的图像聚焦到检测光栅上。如果必要可以采用其它测量。
如上所述，图9和10的布置通过仅需要单个致动器和可移动元件提供了简单性。这些布置的复杂之处在于测量部位140的面内位置(即，x或y方向上的位置)相对于参考框架RF变得可变。因此，如果以与常规高度传感器相同的方式扫描衬底的面内位置，则所获得的测量值将不对应于预期部位。然而，可以以多种方式考虑测量部位的这种面内偏差。第一种选项是控制衬底和高度传感器的相对位置，使得测量部位540实际上是预期部位。这可以通过控制衬底台的位置或通过高度传感器内的改变平面内测量部位的附加机构来实现。上述专利US8947632公开了用于改变测量部位而不使高度传感器和衬底相对于彼此物理移动的机构。那些机构的变化可用于补偿由投影光栅的移动引起的(相对非常小的)面内偏差，使得测量部位如预期的那样。
另一选项是处理器520在已测量高度图之后对其进行数学校正，从而获得预期部位处的高度估计。第三种选项是使高度图与实际测量部位的信息一起传递。当控制投影系统以施加具有正确焦点的图案时，曝光站的控制器可以考虑面内偏差。
除了测量部位的面内偏差的复杂性之外，用于驱动和控制可移动元件以及用于计算组合的高度测量的布置可以与上面针对图5所描述的基本相同。
图11示出了修改的高度传感器的第四实施例，其具有投影单元1100、检测单元1110和处理器1120。除了下文所描述的差别之外，这些单元内所示的所有部件都可以与图5中的相同，并且使用与图5中相同的附图标记。与图5和图8的示例相比，在该示例中，反射镜566、572和576是固定的(或者对于高度传感器来说，至少它们不为了调整参考高度的目的而运动)。在该示例中，控制检测光栅512的位置以平移可变量Δdg，如图所示。因此，对于给定高度zs，投影光栅504的图像落在检测光栅512上的位置是变化的，从而使得参考高度的期望变化Δzref。如表示图中所示的移动Δdg的箭头所示，平移方向可以相对于光栅的平面是略微成角度的。这是用于维持恒定的光学路径长度并保持投影光栅的图像聚焦到检测光栅上。如果必要可以采用其它测量。
与图5和8的示例相比，图11的示例可以仅需要单个移动元件的平移。正如图10的情况，图11布置的复杂之处在于测量部位140的面内位置(即，x或y方向上的位置)相对于参考框架RF变得可变。因此，如果以与常规高度传感器相同的方式扫描衬底的面内位置，则所获得的测量值将不对应于预期部位。可以以多种方式考虑测量部位的这种面内偏差，如图1中已经提到的。
在图11中可选地示出的替代选项是将投影光栅504和检测光栅512两者移动相应的量Δpg和Δdg。如果所述移动是同步的，则可以避免测量部位的面内偏差。
除了测量部位的面内偏差的复杂性之外，用于驱动和控制可移动元件以及用于计算组合的高度测量的布置可以与上面针对图5所描述的基本相同。
图12和13示出了高度传感器的替代实施方式，其不需要移动部件来实现可变高度参考。高度传感器基于WO2016102127A1(Reijnders等人)中公开的高度传感器的修改变形。从WO2016102127A1复制图12以简要说明高度检测的原理。对于进一步的细节，读者应参考WO2016102127A1，其全部内容通过引用并入本文。
图12示出了高度传感器如何再次包括投影单元1200、检测单元1210和处理单元1220。类似于图5-11的布置，投影单元1200包括提供光束1202的光源，由投影光栅1204将图案赋予到光束1202。光源可以是例如宽带光源或偏振或非偏振激光束。通过投影光栅1204的作用，获得具有周期P的具有周期性变化强度的测量束1230。所赋予的测量束的强度沿箭头1232所示的第一方向周期性地变化。具有周期性变化强度1230的测量束被引导朝向衬底上的测量部位540。在测量部位540处，图案化的测量束在衬底210上反射并且朝向检测单元1210反射(1250)。注意，可以沿着测量束的路径在投影单元1200和检测单元1210之间设置另外的光学元件。反射的图案化的测量束1250具有在第二方向上周期性变化的强度分布，由箭头1234指示，具有相同的周期P。
与图5的高度传感器的检测单元510相比，检测单元1210不使用检测光栅来分离图案化的测量束。而是，检测单元1210包括多元件光电探测器1212，其被配置为接收具有周期性变化的强度分布的反射的图案化的测量束。多元件光电探测器包括感测元件1214阵列，感测元件沿第二方向(由箭头1234表示)以小于或等于周期P的一半的节距p布置。根据本公开的原理，节距p可选地小于周期P的三分之一或四分之一。在本公开的含义内，节距p用于表示多元件光电探测器的两个相邻感测元件之间的距离，而节距P可以被认为是当投影到多元件光电探测器上时强度分布中两个相邻峰值之间的距离。出于该比较的目的，忽略光学系统中光栅节距的任何放大或缩小，但是当然在实际实施例中会将其考虑在内。
因此，周期性变化的强度分布直接投影在多元件光电探测器1212上。这样，可以注意到在沿着第二方向的周期性变化的强度分布的位置和沿着第二方向的感测元件阵列的位置之间的一对一的对应关系。高度传感器还包括处理器1220，用于接收来自多元件光电探测器的传感器信号，并基于从传感器阵列接收的一个或更多个传感器信号确定衬底的高度。
在WO2016102127A1中公开的实施例中，每个感测元件被配置为生成分立的输出信号，所述输出信号表示所接收的光的量。这些输出信号被提供给处理单元1220。然后，处理单元1220可以基于所接收的信号并基于感测元件的已知位置，确定衬底的高度，例如，通过确定图案化测量束的强度图案的平均移位或位移。作为替代或另外地，可确定最大或最小强度的位置并将所述最大或最小强度的位置用于确定衬底的高度。作为提供输出信号的每个感测元件的替代，两个或更多个感测元件可以彼此连接以获得表示所接收的光的组合量的输出信号。然而，实现了：将元件分组成两组允许获得在功能上类似于从图5至11的实施例中的一对光电探测器518/519获得的信号的信号。
图13示出了图12的高度传感器的修改，其应用本公开的原理以在不移动部件的情况下实现可变的参考高度。仅示出了高度传感器的与图5至图11的示例不同的部分，其中反射的测量束550从左下方进入图中。示出了多元件光电探测器1212的放大平面图，其可以是例如CCD或CMOS图像传感器。单独的感测元件1214(在该示例中)布置成二维阵列。所述阵列的一个维度与反射测量束1250中的光分布中的条纹1302的方向对准。原则上，所述阵列的方向不需要如此对准。所述阵列原则上不必是二维的，但可以是一维的，在这种情况下，它将与条纹1302的方向对准。在这个示例中，感测元件的节距p在条纹间隔开的方向上是投影光栅的节距P的四分之一(1/4)(当投影到多元件光电探测器上时)。
如在已知的检测器中那样，来自感测元件的信号被组合成两个信号S1和S2。这些信号之间的不对称性将以与图3所示相同的方式给出高度的测量。为了实现高度传感器的参考高度的变化，当选择哪个感测元件进行组合以获得每个信号S1、S2时，可以应用变化Δpix。选择器1304象征性地表示来自所述阵列的相邻行的信号是如何组合的。如上面参考图12所提到的，来自单独的感测元件的所有信号可以被带到处理器1220并在那里组合，或者如果需要，可以在多元件光电探测器中组合用于感测元件的组的信号。在图13中示意性表示的所述处理可以以任一方式实施。
虽然图12-13的示例不包括可移动光学元件(至少用于实施可变参考高度)，但是用于驱动和控制可移动选择以及用于计算组合的高度测量的布置可以与上面针对图5-11描述的基本相同。处理器1220中的图案识别处理可以应用于检测条纹图案的位置1306，并且当高度传感器测量跨越衬底的部位时实时追踪它。可以应用模式识别来识别条纹图案的位置并且直接导出包括参考高度变化的高度测量值，而不以所示的方式将感测元件信号组合成两个信号S1、S2。应当理解，在图12-13的示例中，仅通过选择多元件探测器内的不同元件来调整参考高度。这并不旨在排除一个或更多个光学元件是可移动的以用于校准或在不同操作模式之间改变的目的的可能性。而是旨在说明不需要移动光学元件，以便在测量跨越衬底的一个或更多个部位处的高度期间调整参考高度。
返回到具有可移动光学元件的示例，图14示出了最后一个示例，其中高度传感器的整个光学系统安装在一个或更多个子框架1402上，子框架1402相对于参考框架移动整个光学系统主体。因此，参考高度zref在不干扰光学路径的情况下变化。诸如光源和光电探测器之类的一些元件可能不需要移动，例如，如果它们通过光纤耦合到光学系统的移动部件。
所有上述示例都适用于不同的应用。上面提到的专利US8947632公开了多个测量束跨越衬底平行扫描的示例。当在这样的系统中应用本公开的原理时，设计者将必须从可利用的多种方案中选择是否以及在何种程度上针对不同的测量束单独地改变参考高度，并且这样做的最佳机制是什么。可能的是，与在整个衬底的扫描中在不同时间经历的变化相比，在任何给定时间，平行部位之间的高度变化非常小。在那种情况下，使用相同的参考高度测量所有平行束可以是完全可以接受的。替代地，例如，参考高度的简单倾斜可足以使所有测量部位在操作范围内，而不是要求对每个测量部位的参考高度进行完全独立的控制。
在所有上述示例中，参考高度的变化可以包括除了上述示例之外的二次调整，例如以使测量束聚焦在衬底上的窄部位处。对这些二次调整的需要可以在本文描述的任何实施例的详细设计中确定。
在所有上述示例中，代替通过将参考高度控向到期望设定来控制参考高度，高度传感器可以通过在一范围的参考高度设定下连续扫描高度传感器来操作。可以通过选择进行测量的时间和/或通过进行一系列测量并选择使用哪一个来调整用于测量目的的有效参考高度设定。在具有一个或更多个移动光学元件的实施例中，例如，可以使光学元件在一范围的位置振动或振荡，有效地在一范围的不同的参考高度中循环。然后可以在所述循环中的适当点处进行单个高度测量，或者可以在整个循环中进行多次测量，并且稍后使用具有适当参考高度的测量来限定高度图。
在这些“循环”实施例中，测量部位可以在每个循环中保持静止，或者高度传感器可以继续跨越衬底地扫描，同时还在参考高度的变化中更快地循环。在后一种情况下，如在图9/10和11的示例中，测量部位540可以依赖于所选择的参考高度。上面已经描述了用于处理这种测量部位变化的解决方案。
虽然上述示例假设投影和检测周期性光栅图案，但是原则上可以检测任意图案，范围从单个条或点到复杂编码图案。在这方面，术语“光栅”应该被解释为用于将可识别图案施加于用于高度感测的辐射的任何装置，并且这同样适用于投影光栅和检测光栅。
总之，已经示出了如何在更宽的高度值范围内对半导体衬底或其它产品进行高度测量，而不增加高度传感器的基本操作范围。可以保持准确性并且可以降低整个设备的成本。尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。
与高度感测硬件相关联，实施例可以包括计算机程序，该计算机程序包含实施上述类型的测量方法的一个或更多个机器可读指令序列。这种计算机程序可以例如由专用于该目的的处理器520、820、920、1020、1120、1220等执行，或者集成在图1的控制单元LACU中。还可以提供其中存储有这种计算机程序的数据存储介质(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。
尽管上文已经具体参考了在光学光刻术的上下文中使用本发明的实施例，但是应当理解，本发明可以用于其他应用，例如压印光刻术，并且在上下文允许的情况下，不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的形貌限定了在衬底上产生的图案。图案形成装置的形貌可以被压制到被提供给衬底的抗蚀剂层中，于是抗蚀剂通过应用电磁辐射、热、压力或者它们的组合被固化。在抗蚀剂被固化之后该图案形成装置被移出抗蚀剂，在其中留下图案。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，所述电磁辐射包括紫外(UV)辐射(例如具有或约为365nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有在1-100nm的范围内的波长)以及诸如离子束或电子束等粒子束。
在上下文允许的情况下，术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或其组合，包括折射式的、反射式的、磁性的、电磁的和静电的光学部件。反射部件可能用于在UV和/或EUV范围内操作的设备中。
本发明的宽度和范围不应受任一上述的示例性实施例限制，而应仅由下述的权利要求书及其等同方案来限定。

Claims (15)

1.一种高度传感器，包括光学系统，所述光学系统配置成将辐射传递到衬底、收集从所述衬底反射的辐射并处理所收集的辐射以导出相对于参考高度的衬底的表面高度的测量值，其中，所述高度传感器包括用于相对于连接至光学系统的参考结构调整所述参考高度的布置，同时测量整个衬底的一个或更多个部位的高度。
2.根据权利要求1所述的高度传感器，其中，设置控制器，用于至少部分地响应于衬底支撑件相对于所述参考结构的位置的测量而自动地调整所述参考高度。
3.根据前述权利要求中任一项所述的高度传感器，其中，设置多元件检测器，用于检测所收集的辐射，其中来自所选元件的信号被组合以得出所述测量值，并且其中通过选择所述多元件检测器内的不同元件至少部分地调整所述参考高度。
4.根据权利要求3所述的高度传感器，其中，在测量整个衬底的一个或更多个部位处的高度时，仅通过选择所述多元件检测器内的不同元件来调整所述参考高度。
5.根据权利要求3或4所述的高度传感器，其中，所收集的辐射被聚焦以在所述多元件检测器上形成光栅图案的图像，并且其中所述多元件检测器中的元件的节距是所述多元件检测器上的光栅图案的节距的两倍或更多倍，可选地是所述多元件检测器上的光栅图案的节距的四倍或更多倍。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的高度传感器，其中，用于调整所述参考高度的布置包括所述光学系统中的一个或更多个可移动元件。
7.根据权利要求6所述的高度传感器，其中，至少一个可移动光学元件包括用于将所述辐射从投影聚焦子系统引导到所述衬底的元件。
8.根据权利要求6或7所述的高度传感器，其中，至少一个可移动光学元件包括用于将所收集的辐射从所述衬底引导到检测聚焦子系统中的元件。
9.根据权利要求6、7或8所述的高度传感器，其中，所述可移动元件布置成在不改变角度的情况下平移，以便在不改变所述衬底处的辐射的入射角的情况下改变所述参考高度。
10.根据权利要求6所述的高度传感器，其中，所述至少一个可移动光学元件是用于将所收集的辐射从检测聚焦子系统引导到传感器子系统的元件。
11.根据权利要求6所述的高度传感器，其中，所述至少一个可移动光学元件是用于将光栅图案施加到传递到所述衬底的辐射的光栅和/或用于与所收集的辐射中的光栅图案相互作用的检测光栅。
12.根据前述权利要求中任一项所述的高度传感器，其中，相对于所述高度传感器的所述光学系统进行所述高度测量所处的面内部位基本上独立于被调整的参考高度。
13.一种制造器件的方法，其中，使用光刻过程将器件图案施加到衬底，所述方法包括通过参考跨越衬底测量的高度将所施加的图案聚焦在所述衬底的表面上，所测量的位置是使用前述任一权利要求所述的高度传感器获得的。
14.一种用于将图案施加到衬底的光刻设备，所述光刻设备包括根据权利要求1至12中任一项所述的高度传感器、衬底定位子系统以及控制器，所述控制器配置成使所述高度传感器测量在跨越衬底的多个部位处的衬底表面的高度，以及使用所测量的高度来控制施加到所述衬底的一个或更多个图案的聚焦。
15.根据权利要求14所述的光刻设备，其中，至少关于高度方向，所述衬底定位子系统实施与粗级致动和精级致动相对的单级的致动。
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