KR20120010204A - 리소그래피 장치, 컴퓨터 프로그램 제품, 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

리소그래피 장치, 컴퓨터 프로그램 제품, 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

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Abstract

디바이스 제조 방법, 이와 관련된 장치, 및 패터닝 장치로부터의 패턴을 기판 상에 전사하는 단계를 포함하는 방법을 개시한다. 이 방법은 패터닝 장치와 기판의 정렬에 관한 것이며, 패터닝 장치 상의 정렬 구조체 상에 방사 빔을 제공하여 결과 에어리얼 이미지를 획득하는 단계; 결과 에어리얼 이미지를 포함하고 있는 타겟 볼륨에 걸쳐, 스캐닝 방식에 따라 이미지 센서를 스캐닝하여, 이미지 센서와 기판의 상대 위치를 알아내거나 후속 결정되도록 하는 단계; 및 이미지의 특징부를 측정하고, 이에 의해 이미지 센서에 대한 정렬 구조체의 위치를 결정하는 단계를 포함하며, 예컨대 전체 타겟 볼륨에 걸쳐 2개 이상의 스캔이 수행되고, 종래의 단일의 연속 스캔과 동일한 전체 듀레이션을 갖는, 대안의 스캐닝 방식이 이용된다.

Description

리소그래피 장치, 컴퓨터 프로그램 제품, 및 디바이스 제조 방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS, COMPUTER PROGRAM PRODUCT AND DEVICD MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 리소그래피 장치, 컴퓨터 프로그램 제품, 및 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에 통상적으로는 기판의 타겟 영역 상에 원하는 패턴을 부여하는 장치이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 경우, 마스크 또는 레티클(reticle)로도 지칭되는 패터닝 장치가 집적회로의 개개의 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟 영역(예컨대, 하나의 다이(die)의 일부분, 하나의 다이, 또는 여러 개의 다이를 포함) 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 위에의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패터닝되는 인접한 타겟 영역들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 타겟 영역 상에 패턴 전체를 한번에 노광함으로써 각각의 타겟 영역을 조사(照射)하는 소위 스테퍼(stepper), 및 소정의 방향("스캐닝"-방향)의 방사 빔을 통해 패턴을 스캐닝하는 동시에, 이 방향과 평행한 방향(동일 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 스캐닝함으로써 각각의 타겟 영역을 조사하는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 장치로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
리소그래피 장치를 이용한 디바이스 제조 방법에서, 오버레이는 수율, 즉 정확하게 제조된 디바이스의 백분율에 있어서 중요한 요소이다. 오버레이는 이전에 형성된 층에 관련하여 층들이 프린트되는 정확도이다. 오버레이 에러의 정해진 범위(overlay error budget)는 종종 10 nm 또는 그 이하가 될 것이며, 이러한 정확도를 달성하기 위해, 기판은 아주 높은 정확도로 전사될 레티클 패턴(및 그에 따라 레티클 자체)에 정렬되어야 한다. 통상적으로, IC는 수십 개의 층을 갖고 있으며, 레티클 정렬(레티클 패턴을 웨이퍼 또는 웨이퍼 스테이지와 정렬시킴)이 각각의 기판의 각각의 층에 대해 수행되어야 하며, 이로써 새로운 층의 이미지가 이전의 이미지/층과 정확하게 정렬되도록 한다. 어떠한 왜곡, 변형 또는 어떠한 다른 정렬 에러도 오버레이에 대해 부정적인 영향을 가질 수 있다.
이 레티클 정렬은 방사 빔을 레티클 상의 격자 상으로 투영함으로써 수행된다. 격자 내의 복수의 개구부에 의해 방출된 그 결과의 방사 빔은 리소그래피 장치의 투영 렌즈 시스템을 통과하며, 이로써 이미 기판에 관련하여 정확하게 정렬되어 있는(또는 정렬될) 감광성 디바이스 상에 격자의 이미지가 생성된다. 감광성 디바이스에 의해 검출된 광의 세기는 감광성 디바이스(및 그에 따라 기판)에 관련한 격자의 상대 위치에 좌우되며, 이로써 검출된 광 세기 최대치는 레티클 및 기판이 정확하게 정렬되었다는 것을 나타내준다. 이와 달리 또는 이에 추가하여, 레티클 상의 반전된 정렬 마크와 조합하여 적절한 정렬을 나타내기 위해 광 최소치를 검출하는 방법들이 이용될 수도 있다. 감광성 디바이스로 보여지는 바와 같은 투영된 격자의 이미지는 "에어리얼 이미지(aerial image)"로서 지칭되며, 3차원으로 연장한다.
정렬된 위치를 찾아내기 위해 수평/수직 스캔이 수행되며, 이 수평/수직 스캔에서는, 소정 개수의 z-레벨의 각각의 레벨에서 x-y 평면으로의 이동이 수행되어, 대략적으로 예상 정렬 위치에 근접하여 중심이 맞추어진다(centered). 이 스캔은 각각의 z-레벨에 걸쳐 전후에서 연속되는 단일 스캔으로서 수행된다. 방사 빔이 펄스형 레이저(pulsed laser)로 이루어지거나, 또는 샘플링이 연속적인 조명 소스에 대해 시간적으로 불연속적인 순간에 수행되는 것 중의 하나가 원인이 되어, 스캔 경로를 따른 샘플링 지점에서 다수의 불연속적인 샘플이 얻어진다.
당해 기술 분야의 현재 상황은, 에어리얼 이미지 부근의 영역을 선형 방식으로 스캐닝된 불연속적인 양의 z 레벨로 선형 방식으로 측정하고 있다. 이 타입의 스캔의 문제점은 정렬된 위치 부근에서의 관련 샘플 모두가 짧은 시간 내에 측정된다는 것이며, 이것은 특히 저주파 범위에 대해서는 측정 지점이 부분적으로 상관된다는 것을 의미한다. 레티클 정렬에 충격을 주는 잡음의 대부분은 이러한 낮은 주파수에 있으며, 이것은 예컨대 액체 렌즈 및 광학 경로를 따르는 공기에서의 저주파 왜란(low frequency disturbance)에 기인한다. 이러한 왜란은, 예컨대 각각 상이한 온도를 갖고 및/또는 상이한 화학 성분이 혼합된, 서로 다른 공기 및/또는 물이 흐를 때에 발생할 것이다.
전술한 타입의 스캔이 갖는 또 다른 문제점은, 다수의 특정 주파수가 더 높은 주파수 범위에 있도록 하는 방식으로 샘플링이 설계되고, 이들 주파수에서 이미지 센서가 측정 위치 잡음에 대해 높은 감도를 갖는다는 것이다. 이들 주파수에서 강한 잡음 영향(strong noise contribution)이 의도하지 않게 제공된다면, 레티클 정렬 동안의 이미지 센서 성능이 크게 악화된다.
그에 따라, 레티클 정렬 성능에 대한 저주파 잡음 왜란의 영향을 제한함으로써 및/또는 렌즈, 웨이퍼 스테이지, 레티클 스테이지 등의 공진 주파수에서의 잡음 영향이 레티클 정렬 성능에 미치는 충격을 제한함으로써, 레티클 정렬 동안의 이미지 센서 정확도를 향상시키는 것이 바람직하다.
본 발명의 특징에 따라, 방사 빔을 조절하도록 구성된 조명 시스템; 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 이미지 센서; 패터닝 장치를 지지하도록 구성된 것으로, 상기 리소그래피 장치가 상기 패터닝 장치로부터의 패턴을 상기 기판 상으로 전사하도록 배치되며, 상기 패터닝 장치가 상기 패터닝 장치를 상기 이미지 센서에 대하여 정렬시키기 위한 하나 이상의 정렬 구조체를 포함하는, 지지체; 및 방사 빔을 투영하는 투영 시스템을 포함하며, 리소그래피 장치는 방사 빔을 상기 투영 시스템을 통해 상기 정렬 구조체 상에 제공하여 결과 에어리얼 이미지(resultant aerial image sensor)를 획득하도록 동작할 수 있고, 상기 결과 에어리얼 이미지를 포함하는 타겟 볼륨에 걸쳐 스캐닝 방식에 따라 상기 이미지 센서를 스캐닝하여, 상기 이미지의 특징부를 측정하고 이에 의해 상기 이미지 센서에 대한 상기 정렬 구조체의 위치의 결정을 가능하게 하며, 상기 스캐닝 방식은, 실질적으로 전체 타겟 볼륨에 걸쳐 이격된 연속 레벨에서 복수의 횡단 패스를 포함하는 단일의 연속 스캔을 수행하는 것과 비교할 때에, 상기 이미지 센서가 타겟 볼륨의 실질적으로 중앙 부분을 통과하는 경우의 시간 간격(temporal seperation)을 증가시키도록 되는 것을 특징으로 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 특징에 따라, 패터닝 장치로부터의 패턴을 기판 상으로 전사하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법으로서, 이 디바이스 제조 방법이, 상기 패터닝 장치 상의 정렬 구조체 상에 방사 빔을 제공하여 결과 에어리얼 이미지를 획득하는 단계; 상기 결과 에어리얼 이미지를 포함하고 있는 타겟 볼륨에 걸쳐, 스캐닝 방식에 따라 상기 이미지 센서를 스캐닝하여, 상기 이미지 센서와 상기 기판의 상대 위치를 알아내거나 후속 결정되도록 하는 단계; 및 상기 이미지의 특징부를 측정하고, 이에 의해 상기 이미지 센서에 대한 상기 정렬 구조체의 위치를 결정하는 단계를 수행함으로써, 상기 패터닝 장치와 상기 기판을 정렬시키는 단계를 포함하며, 상기 스캐닝 방식은, 실질적으로 전체 타겟 볼륨에 걸쳐 이격된 연속 레벨에서 복수의 횡단 패스를 포함하는 단일의 연속 스캔을 수행하는 것과 비교할 때에, 상기 이미지 센서가 타겟 볼륨의 실질적으로 중앙 부분을 통과하는 경우의 시간 간격(temporal seperation)을 증가시키도록 되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 특징에 따라, 적합한 장치 상에서 실행될 때에, 전술한 디바이스 제조 방법을 수행하도록 작동할 수 있는 프로그램 명령을 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품이 제공된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하고 있다.
도 2는 도 1의 리소그래피 장치에 도시된 기판 테이블의 가능한 배열을 개략적으로 예시하고 있다.
도 3은 도 2의 기판 테이블 상에 도시된 바와 같은 투과 이미지 검출기의 예를 도시하고 있다.
도 4는 레티클 정렬 방법에서 수행된 종래의 단일 스캔 동안의 투과 이미지 검출기에 의해 취해진 경로의 특정 예를 예시하고 있다.
도 5는 도 4에 예시된 타입의 스캔 동안에 투과 이미지 검출기 상에 기록된 그 결과의 세기 프로파일의 예를 도시하고 있다.
도 6 중첩하는 2개의 단일 스캔 동안에 투과 이미지 검출기에 의해 취해진 경로의 구체적인 예를 도시하고 있는 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 레티클 정렬 방법 동안에 이 2개의 스캔 사이에서의 연결 이동(connection move)이 수행되는 것을 보여주고 있다.
도 7a는 도 4 및 도 6에 도시된 레티클 정렬 방법을 위한 저주파 범위에서의 주파수에 대한, 잡음 대 재생 감도의 그래프이다.
도 7b는 더 높은 주파수에서의 도 7a와 동일한 그래프이다.
도 8은 도 4 및 도 6에 도시된 레티클 정렬 방법 및 본 발명의 다른 실시예에 따른 2가지의 추가의 방법에 대한, 잡음 영향(noise contribution) 대 주파수의 대표적인 예를 나타내는 그래프이며, 수평축에 누적 잡음 영향을 나타내고 있다.
도 9는 도 6의 2개의 스캔 실시 동안 투과 이미지 검출기에 의해 취해진 경로에 대한 변형을 도시하고 있다.
이하에서는, 단지 예시를 목적으로 하는 본 발명의 실시예를 대응하는 부분에 대응하는 도면 부호가 부여되어 있는 첨부된 개략 도면을 참조하여 설명할 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하고 있다. 본 리소그래피 장치는 이하의 구성요소를 포함한다:
- 방사 빔(B, 예컨대 UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 조절하도록 구성된 조명 시스템(조명기)(IL);
- 패터닝 장치(예컨대, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 또한 특정의 파라미터에 따라 패터닝 장치(MA)를 정확히 위치시키도록 구성된 제1 위치 설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(예컨대, 레지스트가 코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 특정의 파라미터에 따라 기판(W)을 정확히 위치시키도록 구성된 제2 위치 설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예컨대, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
- 패터닝 장치(MA)에 의해 방사 빔(B)에 부여한 패턴을, 기판(W)의 타겟 영역(C)(예컨대, 하나 이상의 다이를 포함하는) 상에 투영하도록 구성된 투영 시스템(예컨대, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS).
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위한 굴절식, 반사식, 자기식, 전자기식, 정전식, 또는 다른 형태의 광학 요소들 또는 이들의 임의의 조합과 같은 다양한 형태의 광학 요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 장치를 지지한다. 즉, 패터닝 장치의 중량을 지탱한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 장치의 배향, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예컨대 패터닝 장치가 진공 분위기에서 유지되는지의 여부와 같은 기타 조건들에 좌우되는 방식으로 패터닝 장치를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 장치를 유지하기 위해 기계식, 진공식, 정전식, 또는 기타 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는 예컨대 필요에 따라 고정되거나 이동시킬 수 있는 프레임(frame) 또는 테이블일 수도 있다. 지지 구조체는 패터닝 장치가 예컨대 투영 시스템에 대하여 요구된 위치에 있도록 할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 장치"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 장치"라는 용어는, 기판의 타겟 영역에 패턴을 생성하기 위하여 방사 빔의 단면에 패턴을 부여하기 위해 사용될 수 있는 모든 디바이스를 지칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사 빔에 부여된 패턴은, 예컨대 그 패턴이 위상 반전 피처(phase shifting feature) 또는 이른바 어시스트 피처(assist feature)를 포함하는 경우, 기판의 타겟 영역 내의 요구된 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것에 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사 빔에 부여된 패턴은 집적회로와 같은 타겟 영역 내에 생성되는 디바이스에서의 특정 기능층에 대응할 것이다.
패터닝 장치는 투과형 또는 반사형 모두 가능하다. 패터닝 장치의 예는 마스크, 프로그래머블 미러 어레이, 및 프로그래머블 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상 반전형 및 감쇠 위상 반전형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라 다양한 하이브리드 마스크 타입들을 포함한다. 프로그래머블 미러 어레이의 예는 소형 미러들의 매트릭스 배열을 채용하며, 그 각각의 미러들은 입사하는 방사 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 경사지는 것이 가능하다. 경사진 미러들은 미러 매트릭스에 의해 반사되는 방사 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 이용되고 있는 노광 방사에 대하여 적합하거나 또는 액침액의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인들에 대하여 적합한, 굴절형, 반사형, 반사 굴절형(catadioptric), 자기형, 전자기형, 및 정전형 광학 시스템, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 어떠한 타입의 투영 시스템도 포함하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서 사용되는 "투영 렌즈"라는 용어는 "투영 시스템"이라는 좀더 일반적인 용어의 동의어로 간주할 수 있다.
본 명세서에서 설명한 바와 같이, 리소그래피 장치는 투과형의 것(예컨대, 투과형 마스크를 채용함)이다. 이와 달리, 리소그래피 장치는 반사형의 것(예컨대, 전술한 바와 같은 유형의 프로그래머블 미러 어레이를 채용하거나, 또는 반사형 마스크를 채용함)일 수도 있다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2개 이상의 패터닝 장치 테이블)를 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는, 추가의 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 하나 이상의 테이블 상에서 예비 공정을 수행하면서 다른 하나 이상의 테이블을 노광용으로 사용하는 것이 가능하다.
리소그래피 장치는 기판의 적어도 일부분이 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해 물과 같은 비교적 굴절률이 높은 액체에 의해 덮여지는 유형의 것일 수도 있다. 액침액은 또한 예컨대 패터닝 장치(예컨대, 마스크)와 투영 시스템 사이와 같은 리소그래피 장치 내의 다른 공간에도 가해질 수 있다. 액침 기술은 투영 시스템의 개구도를 증가시키기 위해 이용될 수 있다. 본 명세서에 사용된 바와 같은 "액침"이라는 용어는, 기판과 같은 구조체가 액체에 침수되어야 하는 것을 의미하지 않고, 그보다는 노광 동안에 투영 시스템과 기판 사이에 액체가 위치된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 조명기(IL)는 방사 소스(SO)로부터 방사 빔을 수광한다. 예컨대, 방사 소스(SO)가 엑시머 레이저인 경우, 방사 소스(SO) 및 리소그래피 장치는 별도의 구성요소일 수도 있다. 이러한 경우, 방사 소스(SO)는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사 빔은 예컨대 적합한 지향 미러 및/또는 빔 확장기(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)을 이용하여 방사 소스(SO)로부터 조명기(IL)로 전달된다. 다른 경우에, 예컨대 방사 소스(SO)가 수은 램프인 경우에, 이 방사 소스(SO)는 리소그래피 장치에 통합된 부품일 수도 있다. 방사 소스(SO) 및 조명기(IL)는 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사 시스템으로 지칭될 수도 있다.
조명기(IL)는 방사 빔의 각도 세기 분포(angular intensity distribution)를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 조명기의 퓨필 평면(pupil plane) 내의 세기 분포의 적어도 외측 반경 및/또는 내측 반경 범위(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 조명기(IL)는 집속기(integrator)(IN) 및 집광기(condenser)(CO)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. 조명기(IL)는 방사 빔의 단면에서 요구된 균일성 및 세기 분포를 갖도록 방사 빔을 조절하는데 사용될 수 있다.
방사 빔(B)은 지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 장치(예컨대, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 장치(MA)에 의해 패터닝된다. 패터닝 장치(MA)를 종단한 후, 방사 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하고, 투영 시스템(PS)은 방사 빔을 기판(W)의 타겟 영역(C) 상에 집속시킨다. 제2 위치 설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예컨대, 간섭계 디바이스, 선형 인코더, 또는 용량형 센서)를 이용하여, 예컨대 상이한 타겟 영역(C)을 방사 빔(B)의 경로 내에 위치시키도록 기판 테이블(WT)을 정확하게 이동시킬 수 있다. 마찬가지로, 제1 위치 설정기(PM) 및 다른 위치 센서(도 1에 명시되어 도시되어 있지는 않음)를 이용하여, 예컨대 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적 인출 후에 또는 스캔하는 동안에, 방사 빔(B)의 경로에 대하여 패터닝 장치(MA)를 정확히 위치시키는 것이 가능하다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은, 제1 위치 설정기(PM)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈(long-stroke module; 개략적 위치 설정) 및 숏-스트로크 모듈(short-stroke module; 미세 위치 설정)을 이용하여 실현될 것이다. 마찬가지로, 기판 테이블(WT)의 이동은 제2 위치 설정기(PW)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈 및 숏-스트로크 모듈을 이용하여 실현될 수 있다. 스테퍼의 경우(스캐너와는 달리), 지지 구조체(MT)는 숏-스트로크 액추에이터에만 연결될 수도 있고, 그렇지 않으면 고정될 것이다. 패터닝 장치(MA) 및 기판(W)은 패터닝 장치 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 전용의 타겟 영역에 위치하고 있지만, 이들 마크들은 타겟 영역 사이의 공간 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려져 있다). 마찬가지로, 패터닝 장치(MA) 상에 하나보다 많은 다이가 제공되는 상황에서는, 패터닝 장치 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 하나 이상의 모드로 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서는, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)을 기본적으로 정지 상태로 유지한 채로, 방사 빔에 부여한 패턴 전체를 한 번에 타겟 영역(C) 상에 투영한다(즉, 단일 정지 노광). 그리고나서, 상이한 타겟 영역(C)이 노광될 수 있도록 기판 테이블(WT)을 X 방향 및/또는 Y 방향으로 이동시킨다. 스텝 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기에 의해, 단일 정지 노광시에 이미징되는 타겟 영역(C)의 크기가 한정된다.
2. 스캔 모드에서는, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)을 동기적으로 스캐닝하면서, 방사 빔에 부여한 패턴을 타겟 영역(C) 상에 투영한다(즉, 단일 동적 노광). 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대율(축소율) 및 상 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기에 의해, 단일 동적 노광시의 타겟 영역의 폭(스캐닝되지 않는 방향에서의 폭)이 한정되는 한편, 스캐닝 동작의 길이에 의해 타겟 영역의 높이(스캐닝 방향에서의 높이)가 결정된다.
3. 또 다른 모드에서는, 프로그래머블 패터닝 장치를 유지한 채로 지지 구조체(MT)를 기본적으로 정지 상태로 하고, 또한 기판 테이블(WT)을 이동시키거나 스캐닝하면서, 방사 빔에 부여한 패턴을 타겟 영역(C) 상에 투영한다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스 방사 소스가 채용되며, 프로그래머블 패터닝 장치는 기판 테이블(WT)의 각각의 이동 후에 또는 스캔 동안의 연속적인 방사 펄스의 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급한 바와 같은 타입의 프로그래머블 미러 어레이와 같은 프로그래머블 패터닝 장치를 이용하는 마스크 없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 전술한 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 전혀 다른 사용 모드들이 채용될 수도 있다.
도 2는 도 1의 리소그래피 장치에 도시된 기판 테이블(WT)의 배열을 개략적으로 예시하고 있다. 기판 테이블(WT) 상에는, 여기에서는 2개의 고정된 마크(TIS1, TIS2)가 제공된다. 고정된 마크(TIS1, TIS2)는 투과 이미지 검출기 또는 투과 이미지 센서로도 지칭되는 투과 이미지 검출을 위한 디바이스를 이들 내에 통합하고 있다. 이 투과 이미지 센서는 에어리얼 이미지를 통해 투과 이미지 센서를 스캐닝함으로써 마스크(MA) 상의 오브젝트 마크의 에어리얼 이미지의 위치를 결정하도록 이용될 수 있다. 투과 이미지 센서는 실질적으로 기판 평면에, 즉 기판(W)이 기판 테이블(WT) 상에 위치되는 경우에 기판(W)이 위치되는 평면에 위치된다. 그 결과, 마스크(MA) 상의 오브젝트 마크의 이미지와 고정된 마크(TIS1, TIS2)의 상대 위치가 결정될 수 있다. 기판 테이블(WT)에 기판 마크, 예컨대 도 2에 도시된 바와 같은 기판 마크(P1, P2, P3, P4)를 포함하는 기판(W)이 제공되면, 정렬 센서(도시하지 않음)가 기판 마크(P1, P2, P3, P4)의 상대 위치를 사전에 획득할 수 있다. 정렬 센서에 의해 획득된 기판 마크(P1, P2, P3, P4)의 상대 위치에 대한 정보와, 고정된 마크(TIS1, TIS2) 내의 투과 이미지 센서에 의해 측정된 고정된 마크(TIS1, TIS2)와 마스크(MA) 상의 오브젝트 마크의 이미지의 상대 위치에 대한 정보를 조합하면, 기판(W)을 아주 높은 정확도로 3차원 직교 방향(X, Y 및 Z)에서 마스크(MA)의 투영된 이미지에 관련하여 요구된 위치에 위치시킬 수 있다.
도 3은 전술한 투과 이미지 센서를 개략적으로 도시하고 있다. 투영 빔(PB)이 제1 오브젝트(G0), 예컨대 마스크(MA) 상의 격자에 입사된다. 제1 격자(G0)는 투영 빔(PB)으로부터 이미지를 생성하기 위해 배열된 복수의 개구부를 포함한다. 제1 격자(G0) 내의 각각의 개구부는 투영 빔(PB)으로부터 기원하는 방사 빔을 방출한다. 제1 격자(G0) 내의 복수의 개구부에 의해 방출된 방사 빔은 예컨대 투영 렌즈 시스템(PS)과 같은 렌즈를 통과한다. 이러한 투영 렌즈 시스템의 광학적 특성은, 제1 격자(G0)의 이미지인 G0'이 투영 렌즈 시스템(PS) 아래의 소정 평면에 형성되도록 하는 것이다. 투과 이미지 센서(TD)는 투영 렌즈 시스템(PS) 아래에 위치된다. 투과 이미지 센서(TD)는 슬롯 패턴(G1) 및 광센서(PH) 디바이스를 포함한다. 슬롯 패턴(G1)은 광센서(PH) 위에 있는 슬릿 또는 정사각의 형상을 갖는 개구부이다. 광센서(PH) 위의 개구부에 패턴을 적용하는 것은 에지의 개수를 증가시키며, 이것은 신호 레벨 및 그에 따라 광센서(PH)의 신호대 잡음비를 증가시킬 수 있다.
기판(W)에 관련하여 마스크(MA) 상의 오브젝트(G0)의 위치를 결정하기 위해, 이미지(G0')의 세기가 투과 이미지 센서의 XYZ 위치를 함수로 하여 맵핑될 수 있다. 이러한 맵핑은 예컨대 샘플링 위치의 좌표 및 각각의 위치에서 샘플링된 세기를 포함하는 이미지 맵(3D 맵)에서 X, Y 및 Z 방향을 따라 스캐닝함으로써 행해질 수 있다. 3D 맵으로부터, 투과 이미지 센서(TD)에 연결된 계산 수단은 예컨대 최소자승법(a least squares fitting method)을 이용한 예컨대 가장 큰 세기를 나타내는 위치의 포물선 합(parabolic fit)을 이용함으로써 이미지의 위치를 구할 수 있다.
도 4는 종래의 단일 스캔의 특정의 예를 예시하고 있다. 예시된 스캔은, 소정의 개수의 z-레벨의 각각의 레벨에서, x 및 y로의 이동이 수행되어 예상 정렬 위치에 근접하여 중심이 맞추어지는 수평/수직 스캔이다. 이 스캔은 각각의 z-레벨에 걸쳐 전후로 횡단하는(traverse) 연속적인 단일 스캔으로서 수행되며, 각각의 횡단은 일직선으로서 수행된다. z-레벨의 수, z-레벨 당의 샘플링 지점의 수, 및 스캐닝의 면적의 크기와 같은 파라미터는, 에어리얼 이미지(G0') 크기(마크의 폭 및 조명 설정에 좌우되는) 및 캡쳐 범위(에어리얼 이미지 G0'가 위치되는 곳의 정보의 정확도)에 의해 정해진다.
도 5는 레벨 당 i개의 샘플로 13개의 z-레벨(Z-1 내지 Z-13)에 걸쳐 이러한 스캔을 행한 후의 그 결과의 세기 프로파일 대 시간의 예를 나타내고 있다. Z-1 내지 Z-13에 대응하는 시간은 바닥축을 따라 표시되어 있다. 각각의 이들 패스(pass) 내에서, 뚜렷한 피크의 세기가 보일 수 있다. 각각의 패스에서의 중앙 피크는 어떠한 포커스 레벨 Z에서의 X/Y 방향에서의 정렬된 위치에 해당한다. 각각의 패스에서의 중앙 피크는 어떠한 포커스 레벨 Z에서 광센서(PH)에 충돌하는 방사선의 최대량에 해당한다. 상이한 패스 중에서, Z-7 패스에 대응하는 세기 피크가 가장 높다는 것을 알 수 있다. 따라서, 간략한 신호 처리에 의해, X/Y 방향에서의 정렬 위치가 최상의 포커스에서 결정될 수 있으며, 여기서 최상의 포커스(Z) 위치는 Z-7 레벨로 결정된다.
이 가장 높은 중심 피크의 위치를 기판 테이블(WT)을 구동하는 위치설정 서브시스템으로부터 수신된 이동 신호와 상관시킴으로써, 데이터가 구축될 수 있으며, 이 데이터에 의해, 원칙적으로, 패터닝 장치의 에어리얼 이미지에 대하여, 기판 테이블 및 기판(W)의 어떠한 위치가 달성될 수 있다.
에어리얼 이미지(G0')는 위치 종속 함수로 설명될 수 있다. 이 함수
Figure pat00001
는 샘플링에 의한 레티클 정렬 동안에
Figure pat00002
로 재구성되며, 여기서 n은 샘플의 개수이다. 위치 왜란(position disturbance) δi를 고려하면, 함수
Figure pat00003
는
Figure pat00004
의 형태로 재구성된다. 위치 왜란은 에어리얼 이미지 함수의 이러한 재구성이 부정확한 정렬 위치를 발생하게 한다. 하나의 왜란에 대한 제1 오더(first order)에서, 이것은 모든 크로스 텀(cross term)을 무시하면
Figure pat00005
로 나타내질 수 있다. 이상적으로는,
Figure pat00006
는 최적의 검출 방식을 전개함으로써 최소화될 것이다.
위치 왜란 대 시간의 선형 드리프트(linear drift)로부터의 결과에 대해 어떠한 부정확성이 알려져 있는 상황을 고려해보면, 이러한 상황에서, 위치 왜란은
Figure pat00007
으로서 기술될 수 있으며, 하나의 방향으로 스캔을 수행하고 또한 동일 루트를 역으로 취하는 것은, 정확한 정렬 위치를 발생할 것이다. 이것은 위치 왜란에 이러한 왜란에 대한 감소를 곱한 것(position disturbance times the sensitivity for these disturbance)의 합계가 제로이기 때문이다. 마찬가지로, 알고 있는 주기적 위치 왜란(known periodic position disturbance) 대 시간의 경우, 위치 왜란은 다음과 같이 기술될 수 있다:
Figure pat00008
. 따라서, 이론적으로, 왜란의 주기의 정수배인 듀레이션 동안 스캔을 수행함으로써, 위치 왜란에 그 감도를 곱한 것의 합계는 제로이다. 그러므로, 이들 위치 왜란의 영향은 매회 이후의 발진(socillation) 주기의 절반으로 이격된 측정 샘플의 균등한 양을 취함으로써 제거될 수 있다.
그러나, 현실적으로, 왜란은 알려져 있지 않거나 및/또는 복잡할 것이다. 알려지지 않은 왜란에 대해, 상기한 이론적인 예와 같이 구체적인 스캔 방법을 구성하는 것이 가능하지 않다. 따라서, 제안된 솔루션은 에어리얼 이미지 함수를 피팅(fitting)할 때에 모든 샘플의 개별 위치 에러의 합계에 대한 충격을 최소화하기 위해 위치 샘플링을 여러 방식으로 "랜덤화(randomize)"하는 것이 필수적이다. 그러나, 완전하게 랜덤한 스캔(본 발명의 사상 내에 있지만)은, 하드웨어의 제어 및 기판의 완전한 스캔 커버리지의 보장에 있어서의 어려움으로 인해 이상적이지 않다.
따라서, 일실시예에서, z-레벨 전체에 걸쳐 연속적으로 수행된 종래의 단일 스캔을 더 짧은 듀레이션의 다수의 스캔으로 대체하고, 이로써 전체 스캔 듀레이션이 종래의 단일 스캔의 스캔 듀레이션과 동일하거나 더 짧게 되도록 하는 것이 제안된다. 그러나, 처리량을 희생하여 추가로 향상된 정확도가 요망된다면, 전술한 종래의 단일 스캔보다 긴 전체 듀레이션을 갖는 다수의 더 짧은 듀레이션 스캔을 행하는 것도 본 발명의 범위 내에 있다는 것을 이해하여야 한다.
각각의 더 짧은 스캔이 예컨대 스타팅 포인트, 초기 스캔 방향 및/또는 취해진 스캔 경로를 포함한 하나 이상의 파라미터에 대하여 랜덤하거나 의사 랜덤(pseudo-random)할 수도 있다. 최종의 요소에 대해, 각각의 패스를 일직선으로 수행되도록 프로그래밍하는 대신, 상이한 패스 경로가 프로그래밍될 수도 있고, 또는 경로 자체가 랜덤(의사 랜덤)화 되어, 이로써 랜덤 방향이 예컨대 각각의 샘플 후에 또는 수 개의 샘플마다에 대해 취해진다.
일실시예에서, 종래의 단일 스캔을 각각 상이한 파라미터를 가질 수 있는 적어도 부분적으로 중첩하는 한정된 개수의 더 짧은 스캔으로 대체하도록 제안된다. 예컨대, 종래의 단일 스캔이 듀레이션이 20ms일 수도 있지만, 중첩하는 더 짧은 스캔의 예는 2개의 10ms 스캔, 또는 8ms 스캔과 12ms 스캔, 또는 7ms 스캔, 5ms 스캔 및 2개의 4ms 스캔을 포함할 수 있다. 또한 본 발명의 범위 내에 있는 이들 예에 대한 가상적인 무제한의 변형이 있음은 자명하다. 모든 경우에, 각각의 스캔은 단지 종래의 단일 스캔에 의해 커버되는 볼륨의 일부분만을 커버할 수 있거나, 또는 대략 동일한 볼륨을 모두 커버할 수 있거나(그러므로, 각각의 스캔은 더 적은 샘플/레벨을 취하는 동일 볼륨을 커버함), 또는 이들 옵션의 임의의 조합도 가능하다. 더 짧은 스캔의 적어도 2개는 이들이 대략적으로 동일한 볼륨 공간을 통해 이동하는 한 대략적으로 중첩하여야 한다.
도 6은 그 사이에 연결 이동 B를 갖는 2개의 중첩하는 단일 스캔, 즉 제1 스캔 A와 제2 스캔 C의 구체적인 예에 대한 x 및 y 위치에 대한 z-위치의 플로트를 도시하고 있다. 이 예에서 스캔 A 및 스캔 C 양자는 기본적으로 도 4의 종래의 단일 스캔과 동일한 볼륨 공간을 커버하는 것을 볼 수 있다. 그러나, 각각의 경우에, 스캔은 종래의 단일 스캔보다 덜 철저하며, 더 적은 레벨에 걸쳐 더 적은 샘플이 취해진다.
도 7a 및 도 7b는 도 6에 도시된 2개의 스캔 방법의 효과를 도 4의 종래의 단일 스캔과 비교하여 예시하고 있다. 도 7a는 종래의 스캔 A 및 2개의 더 짧은 스캔 B에 대한 낮은 주파수 범위에 대하여 주파수에 대한 감도의 그래프를 도시하고 있는 한편, 도 7b는 더 높은 주파수에 대한 동일 그래프를 나타내고 있다. 도입부에서 설명된 바와 같이, 레티클 정렬 부정확도는 낮은 주파수 잡음에 의해 야기된 중요한 부분이다. 더욱이, 특정의 더 높은 주파수에서의 잡음 감도 스파이크는 구체적인 더 높은 주파수가 레티클 정렬 정확도에 해가되는 영향을 가질 수 있다.
먼저 도 7a를 살펴보면, 종래의 단일 스캔 방법 A에서 기인하는 낮은 주파수에서의 일반적인 잡음 패턴이 주파수 분의 1(1/f) 잡음으로서 작용한다는 것을 알 수 있다. 스캔 시간이 증가되면, 트레이스의 저주파수 부분에 대한 감도의 기울기가 가파르게 될 것이다. 그러나, 주요 잡음 영향은 여전히 저주파 영역에서 제공될 것이다. 그 결과, 종래의 단일 스캔과 동일한 양의 시간(이 예에서는 2개)에 걸쳐 한정된 개수의 스캔(이 예에서는 2개)에서의 레티클 정렬을 위한 총 스캔을 가함으로써, 도 7의 그래프로부터 낮은 주파수 감도 곡선이 정상 감도와 제로 감도 사이에서 발진할 것이라는 것을 알 수 있다. 이 발진 감도 곡선이 액침 스캐너의 전형적인 잡음 방식과 승산될 때, 종래의 단일 스캔 감도 곡선에 비하여 더 낮은 순 부정확도 결과(net lower inaccuracy result)가 발생한다. 그 이유는 정렬된 위치에 근접한(그리고 피트(fit)를 위해 사용된) 측정 지점이, 상관이 보다 적은 측정 샘플 및 그에 따라 레티클 정렬 정확도에서의 향상을 발생하는 더 큰 시간에 걸쳐 스미어(smear)된다는 사실을 고려함으로써 이해될 수 있다.
도 7b를 참조하면, 종래의 단일 스캔 A가 전술한 바와 같이 급격한 감도 피크를 발생한다는 것을 알 수 있다. 그러나, 정렬된 위치의 부근에서 에어리얼 이미지를 샘플링하기 위해 한정된 개수의 상이한 패스 방법(different pass method)을 선택(예컨대, 각각의 스캔에 대해 상이한 파라미터를 선택하고, 연결 이동에서 추가의 샘플을 취함)한 결과, 강한 잡음 감도 최대치는 각각의 상이한 패스 방법에 대해 상이하다. 따라서, 이것은 "플래터 감도 프로파일(flatter sensitivity profile) B 대 주파수"를 발생한다. 적은 수의 최대치를 갖는 감도 프로파일에 비교된 동일하거나 유사한 통합 값을 갖는 플래터 감도 프로파일은, 레티클 정렬이 고유의 발진(웨이퍼 스테이지, 레티클 스테이지, 렌즈 등) 또는 우연하게 발생하는 발진에 대해 더욱 견고하게 된다는 것을 의미한다. 상이한 듀레이션을 갖는 여러 스캔을 수행함으로써, 이들 스캔의 각각이 더 낮은 전체 감도를 발생하는 주파수를 함수로 하여 상이한 감도를 나타낼 것이기 때문에 레티클 정렬의 견고성이 추가로 증가한다.
도 8은 종래의 단일 스캔 A 및 전술한 3개의 구체적인 예 - 즉 2개의 10ms 스캔, 또는 8ms 스캔과 12ms 스캔, 또는 7ms 스캔, 5ms 스캔 및 2개의 4ms 스캔 - 에 대한 누적 잡음 영향 대 주파수의 그래프를 나타낸다. 불연속적 스캔의 3가지 모두 종래의 단일 스캔에 대해서보다 적은 누적 잡음 충격을 나타내고 있다는 것을 알 수 있고, 그에 따라 본 명세서에 설명된 방법이 전제적으로 더 적은 잡음 충격을 발생하고, 그에 따라 레티클 정렬의 재현 가능성을 향상시킨다.
도 9는 도 6의 2개의 스캔 실시예에 대한 변형예를 도시하고 있다. 역시 2개의 중첩 단일 스캔, 즉 제1 스캔 A와 제2 스캔 C가 있으며, 이들 스캔 사이에 연결 이동 B를 갖는다. 이 경우, 각각의 횡단(traverse)(각각의 레벨에서의)에 대해 일직선이 되지 않고 파동성 경로(wavy path)(물론 어떠한 경로 프로파일도 이용될 수 있음)를 따르도록 의도적으로 프로그래밍되었다. 이와 같이 하면, 추가로 향상된 결과를 얻을 수 있으며, 잡음이 추가로 감소되고, 및/또는 감도 프로파일이 추가로 평탄화된다.
본 명세서에서는, 집적회로(IC)의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 사용예에 대해 특정하게 언급하였지만, 본 명세서에서 설명된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리(magnetic domain memory)용 유도 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같은 기타 응용예들을 가질 수 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 다른 응용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟 영역"과 같은 좀더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예컨대 트랙(전형적으로 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 장치), 계측 장비, 및/또는 검사 장치에서 처리될 수 있다. 적용 가능한 범위에서, 상기한 기판 처리 장치와 여타 기판 처리 장치에 본 명세서의 개시 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 집적회로를 생성하기 위하여 기판이 복수 회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 지칭할 수도 있다.
이상에서 광학 리소그래피의 관점에서 본 발명의 실시예의 이용에 대하여 구체적인 참조가 이루어졌지만, 본 발명은 다른 응용예, 예컨대 임프린트 리소그래피에서도 이용될 수 있으며, 문맥이 허용하는 곳에서는 광학 리소그래피로 제한되지 않는다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 장치의 토포그래피는 기판 상에 생성되는 패턴을 형성한다. 패터닝 장치의 토포그래피는 기판에 공급된 레지스트층에 프레싱될 수 있으며, 그 후 이 레지스트는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 이들의 조합을 가함으로써 경화된다. 패터닝 장치는 레지스트가 경화된 후에 레지스트로부터 이동되어 패턴을 잔류시킨다.
본 명세서에 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는, 자외(UV) 방사선(예컨대, 365, 355, 248, 193, 157, 또는 126 nm의 파장 또는 그 부근의 파장을 가짐) 및 극자외(EUV) 방사선(예컨대, 5?20 nm 범위의 파장을 가짐)뿐만 아니라 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
문맥이 허용하는 곳에서의 "렌즈"라는 용어는 굴절식, 반사식, 자기식, 전자기식, 및 정전식 광학 요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 요소들 중 어느 하나 또는 그 조합을 지칭할 수도 있다.
이상에서 본 발명의 특정 실시예들이 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예컨대, 본 발명의 실시예는 위에서 개시된 바와 같은 방법을 기술하는 기계 판독 가능한 명령어들의 하나 이상의 시퀀스들을 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되는 데이터 저장 매체(예컨대, 반도체 메모리, 자기 디스크 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다.
전술한 내용은 예시를 위한 것으로, 본 발명을 제한하려는 것이 아니다. 예컨대, 상기한 설명은 위치 왜란의 예를 이용하여 설명되었지만, 개시된 개념은 파워 및 온도 변동으로 비롯되는 것과 같은 기타 왜란에도 적용할 수 있다. 따라서, 당업자라면 아래에서 정해지는 실시예들의 범위를 벗어나지 않고서도 전술한 본 발명에 대한 변형예가 이루어질 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다:
1. 리소그래피 장치에 있어서, 방사 빔을 조절하도록 구성된 조명 시스템; 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 이미지 센서; 패터닝 장치를 지지하도록 구성되며, 상기 리소그래피 장치가 상기 패터닝 장치로부터의 패턴을 상기 기판 상으로 전사하도록 배치되며, 상기 패터닝 장치가 상기 패터닝 장치를 상기 이미지 센서에 대하여 정렬시키기 위한 하나 이상의 정렬 구조체를 포함하는, 지지체; 및 방사 빔을 투영하는 투영 시스템을 포함하며,
상기 리소그래피 장치는 방사 빔을 상기 투영 시스템을 통해 상기 정렬 구조체 상에 제공하여 결과 에어리얼 이미지(resultant aerial image sensor)를 획득하도록 동작할 수 있고, 상기 결과 에어리얼 이미지를 포함하는 타겟 볼륨에 걸쳐 스캐닝 방식에 따라 상기 이미지 센서를 스캐닝하여, 상기 이미지의 특징부를 측정하고 이에 의해 상기 이미지 센서에 대한 상기 정렬 구조체의 위치의 결정을 가능하게 하며,
상기 스캐닝 방식은, 실질적으로 전체 타겟 볼륨에 걸쳐 이격된 연속 레벨에서 복수의 횡단 패스(traverse pass)를 포함하는 단일의 연속 스캔을 수행하는 것과 비교할 때에, 상기 이미지 센서가 타겟 볼륨의 실질적으로 중앙 부분을 통과하는 경우의 시간 간격(temporal seperation)을 증가시키도록 되는 것을 특징으로 한다.
2. 실시예 1에 기술된 바와 같은 리소그래피 장치는, 상기 대안의 스캐닝 방식이 복수의 스캔을 포함하고, 각각의 스캔이 타겟 볼륨의 적어도 일부분에 걸쳐 이격된 연속 레벨에서 복수의 횡단 패스를 포함하도록, 동작할 수 있다.
3. 실시예 2에 기술된 바와 같은 리소그래피 장치는, 복수의 스캔 중의 2개 이상의 스캔의 각각이 상기 타겟 볼륨의 실질적으로 동일한 부분에 걸쳐 이격된 연속 레벨에서 복수의 횡단 패스를 포함하도록, 동작할 수 있다.
4. 실시예 3에 기술된 바와 같은 리소그래피 장치는, 복수의 스캔 중의 2개 이상의 스캔의 각각이 타겟 볼륨의 실질적으로 전체에 걸쳐 이격된 연속 레벨에서 복수의 횡단 패스를 포함하도록, 동작할 수 있다.
5. 실시예 2, 3 또는 4에 기술된 바와 같은 리소그래피 장치는, 복수의 스캔 중의 2개 이상의 스캔이 각각 상이한 듀레이션으로 된다.
6. 실시예 2 내지 5 중의 하나에 기술된 바와 같은 리소그래피 장치는, 상기 복수의 스캔의 전체 듀레이션이 유사 정확도의 종래의 단일 연속 스캔의 전체 듀레이션을 초과하지 않도록, 동작할 수 있다.
7. 실시예 2 내지 6 중의 하나에 기술된 바와 같은 리소그래피 장치는, 미세 정확도를 위한 상기 복수의 스캔의 전체 듀레이션이 10 내지 500 ms의 범위 내에 있도록, 동작할 수 있다.
8. 실시예 2 내지 7 중의 하나에 기술된 바와 같은 리소그래피 장치는, 계속되는 스캔을 연결하는 연결 이동이 상기 타겟 볼륨의 실질적으로 중앙 부분을 통과하도록, 동작할 수 있다.
9. 실시예 8에 기술된 바와 같은 리소그래피 장치는, 상기 연결 이동이 상기 타겟 볼륨의 실질적으로 중앙 부분 내에서의 이동을 최대화하기 위해 하나의 스캔의 종료점과 다음 스캔의 개시점 사이의 직접 경로를 벗어나도록, 동작할 수 있다.
10. 실시예 2 내지 9 중의 하나에 기술된 바와 같은 리소그래피 장치는, 상기 복수의 스캔 중의 하나 이상의 스캔에 대해, 각각의 횡단이 일직선에서 의도적으로 벗어나도록 프로그래밍되도록, 동작할 수 있다.
11. 실시예 1에 기술된 바와 같은 리소그래피 장치는, 상기 타겟 볼륨이 의사 랜덤화된 방식으로 수평 방향과 수직 방향으로 스캔되도록, 동작할 수 있다.
12. 실시예 1 내지 11 중의 하나에 기술된 바와 같은 리소그래피 장치는, 상기 이미지 센서와 상기 기판의 상대 위치 또한 결정되도록, 동작할 수 있다.
13. 패터닝 장치로부터의 패턴을 기판 상으로 전사하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법은,
상기 패터닝 장치 상의 정렬 구조체 상에 방사 빔을 제공하여 결과 에어리얼 이미지를 획득하는 단계; 상기 결과 에어리얼 이미지를 포함하고 있는 타겟 볼륨에 걸쳐, 스캐닝 방식에 따라 상기 이미지 센서를 스캐닝하여, 상기 이미지 센서와 상기 기판의 상대 위치를 알아내거나 후속 결정되도록 하는 단계; 및 상기 이미지의 특징부를 측정하고, 이에 의해 상기 이미지 센서에 대한 상기 정렬 구조체의 위치를 결정하는 단계,
를 수행함으로써 상기 패터닝 장치와 상기 기판을 정렬시키는 단계를 포함하며, 상기 스캐닝 방식은, 실질적으로 전체 타겟 볼륨에 걸쳐 이격된 연속 레벨에서 복수의 횡단 패스를 포함하는 단일의 연속 스캔을 수행하는 것과 비교할 때에, 상기 이미지 센서가 타겟 볼륨의 실질적으로 중앙 부분을 통과하는 경우의 시간 간격(temporal seperation)을 증가시키도록 되는 것을 특징으로 한다.
14. 실시예 13에 기술된 바와 같은 디바이스 제조 방법은, 상기 대안의 스캐닝 방식이 복수의 스캔을 포함하고, 각각의 스캔이 타겟 볼륨의 적어도 일부분에 걸쳐 이격된 연속 레벨에서 복수의 횡단 패스(traverse pass)를 포함한다.
15. 실시예 14에 기술된 바와 같은 디바이스 제조 방법은, 복수의 스캔 중의 2개 이상의 스캔의 각각이 상기 타겟 볼륨의 실질적으로 동일한 부분에 걸쳐 이격된 연속 레벨에서 복수의 횡단 패스를 포함한다.
16. 실시예 15에 기술된 바와 같은 디바이스 제조 방법은, 복수의 스캔 중의 2개 이상의 스캔의 각각이 타겟 볼륨의 실질적으로 전체에 걸쳐 이격된 연속 레벨에서 복수의 횡단 패스를 포함한다.
17. 실시예 14, 15 또는 16에 기술된 바와 같은 디바이스 제조 방법은, 복수의 스캔 중의 2개 이상의 스캔이 각각 상이한 듀레이션으로 된다.
18. 실시예 14 내지 17 중의 하나에 기술된 바와 같은 디바이스 제조 방법은, 상기 복수의 스캔의 전체 듀레이션이 유사 정확도의 종래의 단일 연속 스캔의 전체 듀레이션을 초과하지 않는다.
19. 실시예 14 내지 18 중의 하나에 기술된 바와 같은 디바이스 제조 방법은, 미세 정확도를 위한 상기 복수의 스캔의 전체 듀레이션이 10 내지 500 ms의 범위에 있다.
20. 실시예 14 내지 19 중의 하나에 기술된 바와 같은 디바이스 제조 방법은, 계속되는 스캔을 연결하는 연결 이동이 상기 타겟 볼륨의 실질적으로 중앙 부분을 통과하한다.
21. 실시예 20에 기술된 바와 같은 디바이스 제조 방법은, 상기 연결 이동이 상기 타겟 볼륨의 실질적으로 중앙 부분 내에서의 이동을 최대화하기 위해 하나의 스캔의 종료점과 다음 스캔의 개시점 사이의 직접 경로를 벗어난다.
22. 실시예 14 내지 21 중의 하나에 기술된 바와 같은 디바이스 제조 방법은, 상기 복수의 스캔 중의 하나 이상의 스캔에 대해, 각각의 횡단이 일직선에서 의도적으로 벗어나도록 프로그래밍된다.
23. 실시예 13 내지 22 중의 하나에 기술된 바와 같은 디바이스 제조 방법은, 상기 타겟 볼륨이 의사 랜덤화된 방식으로 수평 방향과 수직 방향으로 스캔된다.
24. 실시예 13 내지 23 중의 어느 하나에 기술된 바와 같은 디바이스 제조 방법을, 적합한 장치 상에서 수행될 때에, 실행하도록 동작할 수 있는 프로그램 명령을 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품.
25. 실시예 13 내지 23 중의 어느 하나에 기술된 바와 같은 디바이스 제조 방법에 따라 리소그래피 장치를 작동시키기 위한 기기 실행 가능 명령을 갖는 기기 판독 가능 매체.

Claims (15)

  1. 리소그래피 장치에 있어서,
    방사 빔을 조절하도록 구성된 조명 시스템;
    기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블;
    이미지 센서;
    패터닝 장치를 지지하도록 구성된 것으로, 상기 리소그래피 장치가 상기 패터닝 장치로부터의 패턴을 상기 기판 상으로 전사하도록 배치되며, 상기 패터닝 장치가 상기 패터닝 장치를 상기 이미지 센서에 대하여 정렬시키기 위한 하나 이상의 정렬 구조체를 포함하는, 지지체; 및
    방사 빔을 투영하는 투영 시스템
    을 포함하며,
    상기 리소그래피 장치는 방사 빔을 상기 투영 시스템을 통해 상기 정렬 구조체 상에 제공하여 결과 에어리얼 이미지(resultant aerial image sensor)를 획득하도록 동작할 수 있고, 상기 결과 에어리얼 이미지를 포함하는 타겟 볼륨에 걸쳐 스캐닝 방식에 따라 상기 이미지 센서를 스캐닝하여, 상기 이미지의 특징부를 측정하고 이에 의해 상기 이미지 센서에 대한 상기 정렬 구조체의 위치의 결정을 가능하게 하며,
    상기 스캐닝 방식은, 실질적으로 전체 타겟 볼륨에 걸쳐 이격된 연속 레벨에서 복수의 횡단 패스를 포함하는 단일의 연속 스캔을 수행하는 것과 비교할 때에, 상기 이미지 센서가 타겟 볼륨의 실질적으로 중앙 부분을 통과하는 경우의 시간 간격(temporal seperation)을 증가시키도록 되는,
    것을 특징으로 리소그래피 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 대안의 스캐닝 방식이 복수의 스캔을 포함하고, 각각의 스캔이 타겟 볼륨의 적어도 일부분에 걸쳐 이격된 연속 레벨에서 복수의 횡단 패스를 포함하도록, 동작할 수 있는, 리소그래피 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 스캔 중의 2개 이상의 스캔의 각각이 상기 타겟 볼륨의 실질적으로 동일한 부분에 걸쳐 이격된 연속 레벨에서 복수의 횡단 패스를 포함하도록, 동작할 수 있는, 리소그래피 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 스캔 중의 2개 이상의 스캔의 각각이 타겟 볼륨의 실질적으로 전체에 걸쳐 이격된 연속 레벨에서 복수의 횡단 패스를 포함하도록, 동작할 수 있는, 리소그래피 장치.
  5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 스캔의 전체 듀레이션이 유사 정확도의 종래의 단일 연속 스캔의 전체 듀레이션을 초과하지 않도록, 동작할 수 있는, 리소그래피 장치.
  6. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    계속되는 스캔을 연결하는 어떠한 연결 이동이 상기 타겟 볼륨의 실질적으로 중앙 부분을 통과하도록, 동작할 수 있는, 리소그래피 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 타겟 볼륨이 의사 랜덤(pseudo-random)화된 방식으로 수평 방향과 수직 방향으로 스캔되도록, 동작할 수 있는, 리소그래피 장치.
  8. 패터닝 장치로부터의 패턴을 기판 상으로 전사하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법으로서, 이 디바이스 제조 방법이,
    상기 패터닝 장치 상의 정렬 구조체 상에 방사 빔을 제공하여 결과 에어리얼 이미지를 획득하는 단계;
    상기 결과 에어리얼 이미지를 포함하고 있는 타겟 볼륨에 걸쳐, 스캐닝 방식에 따라 상기 이미지 센서를 스캐닝하여, 상기 이미지 센서와 상기 기판의 상대 위치를 알아내거나 후속 결정되도록 하는 단계; 및
    상기 이미지의 특징부를 측정하고, 이에 의해 상기 이미지 센서에 대한 상기 정렬 구조체의 위치를 결정하는 단계,
    를 수행함으로써 상기 패터닝 장치와 상기 기판을 정렬시키는 단계를 포함하며,
    상기 스캐닝 방식은, 실질적으로 전체 타겟 볼륨에 걸쳐 이격된 연속 레벨에서 복수의 횡단 패스를 포함하는 단일의 연속 스캔을 수행하는 것과 비교할 때에, 상기 이미지 센서가 타겟 볼륨의 실질적으로 중앙 부분을 통과하는 경우의 시간 간격(temporal seperation)을 증가시키도록 되는,
    것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 대안의 스캐닝 방식이 복수의 스캔을 포함하고, 각각의 스캔이 타겟 볼륨의 적어도 일부분에 걸쳐 이격된 연속 레벨에서 복수의 횡단 패스를 포함하는, 디바이스 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 복수의 스캔 중의 2개 이상의 스캔의 각각이 상기 타겟 볼륨의 실질적으로 동일한 부분에 걸쳐 이격된 연속 레벨에서 복수의 횡단 패스를 포함하는, 디바이스 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 복수의 스캔 중의 2개 이상의 스캔의 각각이 타겟 볼륨의 실질적으로 전체에 걸쳐 이격된 연속 레벨에서 복수의 횡단 패스를 포함하는, 디바이스 제조 방법.
  12. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 스캔의 전체 듀레이션이 유사 정확도의 종래의 단일 연속 스캔의 전체 듀레이션을 초과하지 않는, 디바이스 제조 방법.
  13. 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    계속되는 스캔을 연결하는 어떠한 연결 이동이 상기 타겟 볼륨의 실질적으로 중앙 부분을 통과하는, 디바이스 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 연결 이동이 상기 타겟 볼륨의 실질적으로 중앙 부분 내에서의 이동을 최대화하기 위해 하나의 스캔의 종료점과 다음 스캔의 개시점 사이의 직접 경로를 벗어나는, 디바이스 제조 방법.
  15. 제8항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 타겟 볼륨이 의사 랜덤화된 방식으로 수평 방향과 수직 방향으로 스캔되는, 디바이스 제조 방법.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10558722B2 (en) 2017-03-31 2020-02-11 Intel Corporation Provision of on premise ambient service method and apparatus
CN108332658B (zh) * 2018-01-25 2019-08-02 清华大学 一种用于复杂曲面焊接的焊道位姿实时检测方法
CN111727353A (zh) * 2018-02-27 2020-09-29 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 标记区、用于确定位置的方法和装置
CN110727169B (zh) * 2018-07-17 2021-04-06 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种掩模装置、曝光设备及曝光方法
CN114252042B (zh) * 2020-09-25 2023-12-22 上海微电子装备（集团）股份有限公司 掩模台垂向测量工装及掩模台垂向测量方法
EP4293424A1 (en) * 2022-06-13 2023-12-20 ASML Netherlands B.V. Method of spatially aligning a patterning device and a substrate

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0883753A (ja) * 1994-09-13 1996-03-26 Nikon Corp 焦点検出方法
KR970067585A (ko) * 1996-03-25 1997-10-13 오노 시게오 결상특성의 측정방법 및 투영노광방법
JPH10312961A (ja) 1997-03-11 1998-11-24 Nikon Corp 移動シーケンスの決定方法および位置合わせ装置
JPH10294268A (ja) 1997-04-16 1998-11-04 Nikon Corp 投影露光装置及び位置合わせ方法
JPH11251213A (ja) 1998-02-26 1999-09-17 Nikon Corp 露光装置及び同装置における位置計測方法
TW490596B (en) * 1999-03-08 2002-06-11 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
US20020041377A1 (en) * 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2002050563A (ja) 2000-08-03 2002-02-15 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
KR100376867B1 (ko) * 2000-11-02 2003-03-19 주식회사 하이닉스반도체 스캔 방식 반도체 노광장치 및 노광 균일도 향상 방법
WO2005124834A1 (ja) * 2004-06-22 2005-12-29 Nikon Corporation ベストフォーカス検出方法及び露光方法、並びに露光装置
US7333175B2 (en) * 2004-09-13 2008-02-19 Asml Netherlands, B.V. Method and system for aligning a first and second marker
US7308368B2 (en) * 2004-09-15 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for vibration detection, method and apparatus for vibration analysis, lithographic apparatus, device manufacturing method, and computer program
US7525638B2 (en) * 2005-03-23 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7626181B2 (en) 2005-12-09 2009-12-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101567302A (zh) 2008-04-23 2009-10-28 力晶半导体股份有限公司 对准标记及其形成方法、半导体的对准方法
CN101576715B (zh) 2009-06-23 2011-05-04 芯硕半导体（中国）有限公司 一种微观成像系统的标定方法
CN101614963B (zh) 2009-08-05 2011-08-10 上海微电子装备有限公司 光刻机硅片对准信号的处理方法
NL2005389A (en) * 2009-10-21 2011-04-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of applying a pattern to a substrate.

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