CN109904080A - 一种驱动背板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种驱动背板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，以保证驱动背板所含有的柔性衬底基板不受损的情况下，将驱动芯片绑定在背板的背面。所述驱动背板的制作方法包括：在硬质基板的表面形成第一柔性衬底基板；在第一柔性衬底基板表面形成至少一类导电层；在硬质基板开设至少一类硬质过孔，获得硬质掩膜版；在硬质掩膜版的掩膜下，在第一柔性衬底基板开设至少一类柔性过孔，并在每类柔性过孔内形成导电柱，使得导电柱与导电层一一对应连接；将至少一类驱动芯片与至少一类柔性过孔内所形成的导电柱一一对应的绑定在一起。所述驱动背板采用上述制作方法制作而成。本发明提供的驱动背板及其制作方法、显示装置用于显示中。

Description

一种驱动背板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种驱动背板及其制作方法、显示装置。
背景技术
Micro-LED(Micro-Light Emitting Diode，缩写为Micro-LED)显示技术是一种采用巨量转移技术将微米级Micro-LED转移到驱动基板上，制作各种尺寸显示器的技术。由于采用Micro-LED显示技术所制作的显示器具有自发光、高亮度、高对比度、超高分辨率与色彩饱和度、长寿命、响应速度快、节能等诸多优点，使得Micro-LED显示技术应用于各种尺寸的显示器制作中。
在现有Micro-LED显示器的制作过程中，各个微发光器件均是在独立封装后转移至驱动背板上，驱动背板包括背板以及绑定在背板背面的驱动芯片，将驱动芯片绑定在背板远离微发光器件的表面，因此，采用TPI(though PI via，缩写为TPI)在背板所包括的柔性衬底基板开设过孔，并采用电镀工艺在过孔中制作导电铜柱，然后采用机械化学抛光工艺(Chemical Mechanical Polishing，缩写为CMP)对柔性基板进行抛光，以去掉电镀在衬底基板表面的金属铜，但这也使得柔性衬底基板表面受损严重。
发明内容
本发明的目的在于提供一种驱动背板及其制作方法、显示装置，以保证驱动背板所含有的柔性衬底基板不受损的情况下，将驱动芯片绑定在背板的背面。
为了实现上述目的，本发明提供一种驱动背板的制作方法，该驱动背板的制作方法包括：
提供一硬质基板；在所述硬质基板的表面形成第一柔性衬底基板；
在所述第一柔性衬底基板远离硬质基板的表面形成至少一类用于传输驱动信号的导电层；
在所述硬质基板开设至少一类硬质过孔，获得硬质掩膜版；
在所述硬质掩膜版的掩膜下，在所述第一柔性衬底基板开设至少一类柔性过孔；
在所述硬质掩膜版的掩膜下，在每类所述柔性过孔内形成导电柱，使得至少一类柔性过孔内所形成的导电柱与至少一类导电层一一对应连接在一起；
将至少一类驱动芯片与至少一类柔性过孔内所形成的导电柱一一对应的绑定在一起，使得至少一类所述驱动芯片位于第一柔性衬底基板远离至少一类所述导电层的表面。
与现有技术相比，本发明提供的驱动背板的制作方法中，第一柔性衬底基板远离硬质基板的表面形成至少一类用于传输驱动信号的导电层，在此之后，在硬质基板开设至少一类硬质过孔，使得硬质基板作为硬质掩膜版对第一柔性衬底基板进行掩膜，以利用作为硬质掩膜版的硬质基板在第一柔性衬底基板开设至少一类柔性过孔，这样就无需专门制作掩膜版用于对第一柔性衬底基板进行开孔，从而减少驱动背板制作过程中所使用的掩膜版的数量。同时，在作为硬质掩膜版的硬质基板的掩膜下，在每类柔性过孔内形成导电柱，以使得每类柔性过孔内形成的导电柱与对应类别的导电层连接在一起，这样作为硬质掩膜版的硬质基板可保护第一柔性衬底基板，使得利用导电材料形成导电柱时，不会在第一柔性衬底基板的表面形成导电材料；因此，在每类柔性过孔内形成导电柱后，不需要使用机械化学等抛光工艺对第一柔性基板进行抛光，避免了机械化学等抛光工艺对第一柔性基板的损伤。
本发明还提供了一种驱动背板，该驱动背板采用上述驱动背板的制作方法制作而成。
与现有技术相比，本发明提供的驱动背板的有益效果与上述驱动背板的制作方法的有益效果相同，在此不做赘述。
本发明还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述驱动背板。
与现有技术相比，本发明提供的显示装置的有益效果与上述驱动背板的有益效果相同，在此不做赘述。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明实施例提供的驱动背板的制作方法流程图一；
图2为本发明实施例提供的驱动背板的制作方法流程图二；
图3为本发明实施例提供的驱动背板的制作方法流程图三；
图4为本发明实施例提供的驱动背板的制作方法流程图四；
图5为本发明实施例提供的驱动背板的制作方法结构图一；
图6为本发明实施例提供的驱动背板的制作方法结构图二；
图7为本发明实施例提供的驱动背板的制作方法结构图三；
图8为本发明实施例提供的驱动背板的制作方法结构图四；
图9为本发明实施例提供的驱动背板的结构示意图。
附图标记：
01-硬质基板， 11-第一柔性衬底基板；
12-第二柔性衬底基板， 13-缓冲层；
TFT-薄膜晶体管阵列， LED-发光器件阵列；
ACT-有源层， BJ-绑定绝缘层；
BM-黑矩阵， BOND1-第一类绑定层；
BOND2-第二类绑定层， BG1-第一类绑定过孔；
BG2-第二类绑定过孔， COM-公共引线；
D1-第一类导电层， D2-第二类导电层；
D3-第三类导电层， GI-栅极绝缘层；
GX1-第一类改性区域， GX2-第二类改性区域；
GX3-第三类改性区域， ILD-层间介电层；
IC1-栅极驱动芯片， IC2-数据驱动芯片；
IC3-公共信号驱动芯片， J1-第一类电极；
J2-第二类电极， J3-第三类电极；
MASK-硬质掩膜版， PLN-平坦化层；
PR-背板保护层， R1-第一类柔性过孔；
R2-第二类柔性过孔， R3-第三类柔性过孔；
Y1-第一类硬质过孔， Y2-第二类硬质过孔；
Y3-第三类硬质过孔， Z1-第一类导电柱；
Z2-第二类导电柱， Z3-第三类导电柱；
g1-第一类贯通过孔， g2-第二类贯通过孔；
g3-第三类贯通过孔， g4-第四类贯通过孔；
g5-第五类贯通过孔。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
Micro-LED技术是一种采用巨量转移技术将微米级Micro-LED转移到驱动基板上，制作各种尺寸显示器的技术；由于Micro-LED具有自发光高亮度、高对比度、超高分辨率与色彩饱和度、长寿命、响应速度快、节能、适应环境宽泛等诸多优点，使得Micro-LED显示技术可以涵盖从AR/VR等微显示、手机电视等中等尺寸显示到影院大屏幕显示领域。
具体的，微米级Micro-LED是发光二极管的薄膜化产品，其尺寸可降至100μm以下，是普通发光二极管尺寸的1％。转移到驱动基基板上的微米级Micro-LED以像素阵列形式设置，每一个Micro-LED像素可以定址、单独驱动发光，相邻两个Micro-LED像素之间的距离可由常规的毫米级降到微米级。在现有Micro-LED显示器的制作过程中，各个微发光器件均是在独立封装后转移至驱动背板上，驱动背板包括背板以及绑定在背板背面的驱动芯片，将驱动芯片绑定在背板远离微发光器件的表面(背板的背面)，以使得基于Micro-LED技术的显示器无边框化。而由于将驱动芯片绑定在背板远离微发光器件的表面(背板的背面)，因此，在制作驱动背板时，先在采用TPI(though PI via，缩写为TPI)在背板所包括的柔性基板开设过孔，该过程中使用掩膜版对柔性基板进行掩膜，以将过孔开设在柔性基板的设定位置；然后在过孔中制作导电铜柱；接着再在柔性基板上制作薄膜晶体管阵列TFT和发光器件阵列LED，最后将驱动芯片与导电铜柱连接在一起。
上述导电铜柱的形成方法比较多，如采用磁控溅射技术在过孔内形成导电铜柱。但是由于柔性基板的厚度一般为10μm，即导电铜柱的高度应当为10μm；而采用磁控溅射技术每次所形成的铜层厚度仅有1μm，因此，采用磁控溅射技术在过孔内需要多次形成铜层，以形成导电铜柱；但磁控溅射的次数比较多时，容易使得承载柔性基板的玻璃基板的内部应力超过一定的阈值，导致承载柔性基板的玻璃基板发生断裂。基于此，可采用电镀工艺在过孔内形成导电铜柱，而在此过程中铜材料不仅电镀在过孔内，还容易电镀在柔性基板的表面，这样就必须采用机械化学抛光工艺(Chemical Mechanical Polishing，缩写为CMP)对柔性基板进行抛光，以去掉电镀在衬底基板表面的金属铜，但这也使得柔性基板表面受损严重。
请参阅图1、图5-图8，本发明实施例提供的驱动背板的制作方法包括：
步骤S110：提供一硬质基板01，具体见图5中A1所示；该硬质基板01可选择石英板、玻璃板等硬质板材。
步骤S210：在硬质基板01的表面形成第一柔性衬底基板11，以利用硬质基板01承载第一柔性衬底基板11，方便后续驱动背板的顺利制作，具体见图6中B1所示；第一柔性衬底基板11的材料多种多样，一般选择聚酰亚胺等有机材料。
步骤S220：在第一柔性衬底基板11远离硬质基板01的表面形成至少一类用于传输驱动信号的导电层，具体见图6中B2所示；每类导电层的数量可根据实际情况设定，且每类导电层用于传输一种驱动信号，驱动信号可以为扫描信号、数据信号或公共信号。
步骤S410：在硬质基板01开设至少一类硬质过孔，获得硬质掩膜版MASK，具体见图8中D1所示。
步骤S420：在硬质掩膜版MASK的掩膜下，在第一柔性衬底基板11开设至少一类柔性过孔，具体见图8中D2所示；由于硬质掩膜版MASK实质是开设有至少一类硬质过孔的硬质基板01，因此，在硬质掩膜版MASK的掩膜下，所形成的至少一类柔性过孔应当与至少一类硬质过孔的数量和位置均一一对应。
步骤S430：在硬质掩膜版MASK的掩膜下，在每类柔性过孔内形成导电柱，使得至少一类柔性过孔内所形成的导电柱与至少一类导电层一一对应连接在一起，具体见图8中D3所示；由此可知，导电层的类数和柔性过孔的类数一一对应，且每类导电层在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影与对应类别的柔性过孔在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影至少重合，以保证每类柔性过孔内所形成的导电柱可与对应类别的导电层连接。至于导电柱的材料，主要能够导电即可，如现有的铜金属、铁金属或者氧化铟锡等均可。当然所选择的材料导电性越好，导电柱传输驱动信号的性能越好。
步骤S610：将至少一类驱动芯片与至少一类柔性过孔内所形成的导电柱一一对应的绑定在一起，使得至少一类驱动芯片位于第一柔性衬底基板11远离至少一类导电层的表面，具体见图8中D5所示。此时每类驱动芯片应当对应一种类别的柔性过孔，而每类柔性过孔内形成有与对应类别导电层连接的导电柱，因此，每类导电层可传输一种驱动信号。例如：当驱动芯片为栅极驱动芯片时，栅极驱动芯片提供栅极信号，并利用所绑定的导电柱将栅极信号传输给对应类别导电层，以使得导电层传输栅极信号；当驱动芯片为数据驱动芯片时，数据驱动芯片提供数据信号，并利用所绑定的导电柱将数据信号传输给对应类别导电层，以使得导电层传输数据信号；当驱动芯片为公共信号驱动芯片时，公共信号驱动芯片提供公共信号(如公共负极信号)，并利用所绑定的导电柱将数据信号传输给对应类别导电层，以使得导电层传输公共信号。
基于上述驱动背板的制作过程可知，第一柔性衬底基板11远离硬质基板01的表面形成至少一类用于传输驱动信号的导电层，在此之后，在硬质基板01开设至少一类硬质过孔，使得硬质基板01作为硬质掩膜版MASK对第一柔性衬底基板11进行掩膜，以利用作为硬质掩膜版MASK的硬质基板01在第一柔性衬底基板11开设至少一类柔性过孔，这样就无需专门制作掩膜版用于对第一柔性衬底基板11进行开孔，从而减少驱动背板制作过程中所使用的掩膜版的数量。同时，在作为硬质掩膜版MASK的硬质基板01的掩膜下，在每类柔性过孔内形成导电柱，以使得每类柔性过孔内形成的导电柱与对应类别的导电层连接在一起，这样作为硬质掩膜版MASK的硬质基板01可保护第一柔性衬底基板11，使得利用导电材料形成导电柱时，不会在第一柔性衬底基板11的表面形成导电材料；因此，在每类柔性过孔内形成导电柱后，不需要使用机械化学等抛光工艺对第一柔性基板进行抛光，避免了机械化学等抛光工艺对第一柔性基板的损伤。
需要说明的是，将驱动芯片与导电柱绑定在一起签，应当将硬质掩膜版MASK移除，即如图1和图8所示，在所述硬质掩膜版MASK的掩膜下，在每类所述柔性过孔内形成导电柱后，将至少一类驱动芯片与至少一类柔性过孔内所形成的导电柱一一对应的绑定在一起前，上述驱动背板的制作方法还包括：
步骤S510：将硬质掩膜版MASK从第一柔性衬底基板11上移除，以保证驱动芯片的绑定正常进行，具体见图8中D4所示。
在一些实施例中，如图1、图5和图6所示，为了增加水氧阻隔性能，并提高驱动背板的信赖性，在第一柔性衬底基板11远离硬质基板01的表面形成至少一类用于传输驱动信号导电层后，在硬质基板01开设至少一类硬质过孔，获得硬质掩膜版MASK前，上述驱动背板的制作方法还包括：
步骤S230：在第一柔性衬底基板11远离硬质基板01的表面形成第二柔性衬底基板12，使得至少一类导电层位于第一柔性衬底基板11与第二柔性衬底基板12之间，具体见图6中B3所示。
步骤S240：在第二柔性衬底基板12远离硬质基板01的表面形成缓冲层13，具体见图6中B4所示。
在一些实施例中，在硬质基板01开设至少一类硬质过孔的方式多种多样，下面举例说明。
如图1和图5所示，考虑到硬质基板01一般硬度大，且脆性高，使得开孔的难度比较大，基于此，在硬质基板01的表面形成第一柔性衬底基板11前，上述驱动背板的制作方法还包括：
步骤S120：对硬质基板01进行改性，使得硬质基板01的表面形成至少一类改性区域，具体见图5中A2所示。
如图1和图8所示，在硬质基板01开设至少一类硬质过孔，获得硬质掩膜版MASK包括：
在至少一类改性区域一一对应的开设至少一类硬质过孔，使得至少一类硬质过孔在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影一一对应的位于至少一类导电层在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影内或者二者重合，以保证利用硬质掩膜版MASK对第一柔性衬底基板11进行掩膜时，所形成的至少一类柔性过孔在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影一一对应的位于至少一类导电层在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影内，具体见图8中D1所示；而由于每类柔性过孔内形成有导电铜柱，因此，当至少一类柔性过孔在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影一一对应的位于至少一类导电层在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影内，每类柔性过孔内所形成的导电铜柱与对应类别的导电层连接。
示例性的，当硬质基板01为玻璃基板时，上述对硬质基板01进行改性包括：
采用激光照射的方式对玻璃基板进行改性，使得玻璃基板的表面形成至少一类改性区域。
在硬质基板01开设至少一类硬质过孔，获得硬质掩膜版MASK包括：
相对于玻璃基板没有改性的区域，这些发生改性的区域比较容易被氢氟酸腐蚀，因此，利用氢氟酸腐蚀至少一类改性区域，以在至少一类改性区域一一对应的开设至少一类硬质过孔，使得至少一类硬质过孔在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影一一对应的位于至少一类导电层在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影内。
在一些实施例中，如图1、图7和图8所示，考虑到成膜工艺的连续性，在第一柔性衬底基板11远离硬质基板01的表面形成至少一类用于传输驱动信号导电层后，在硬质基板01开设至少一类硬质过孔前，上述驱动背板的制作方法还包括：
步骤S310：在第一柔性衬底基板11远离硬质基板01的一侧形成薄膜晶体管阵列TFT和发光器件阵列LED，具体见图8中D1所示。当第一柔性衬底基板11的上下依次形成有第二柔性衬底基板12和缓冲层13时，薄膜晶体管阵列TFT和发光器件阵列LED层叠的设在缓冲层13远离硬质基板01的表面。
如图5～图8所示，上述薄膜晶体管阵列TFT包括三类电极，三类电极分别为第一类电极J1、第二类电极J2和第三类电极J3。当第一类电极J1为栅极、第二类电极J2为源极，那么第三类电极J3为漏极；当第一类电极J1为栅极、第二类电极J2为漏极，那么第三类电极J3为源极。
在薄膜晶体管阵列TFT驱动发光器件阵列LED发光时，需要向第一类电极J1加载栅极信号，向第二类电极J2加载数据信号，同时还需要向发光器件阵列LED加载公共信号，以使得发光器件阵列LED可以正常被驱动发光。因此，上述驱动芯片应当包括三类驱动芯片，三类驱动芯片分别为栅极驱动芯片IC1、数据驱动芯片IC2和公共信号驱动芯片IC3；上述导电层应当包括三类导电层，分别为第一类导电层D1、第二类导电层D2和第三类导电层D3；上述硬质过孔包括三类硬质过孔，三类硬质过孔分别为第一类硬质过孔Y1、第二类硬质过孔Y2和第三类硬质过孔Y3；相应的上述改性区域包括三类改性区域，三类改性区域分别为第一类改性区域GX1、第二类改性区域GX2和第三类改性区域GX3；上述柔性过孔包括三类柔性过孔，三类柔性过孔分别为第一类柔性过孔R1、第二类柔性过孔R2和第三类柔性过孔R3，第一类柔性过孔R1内形成的导电柱定义为第一类导电柱Z1，第二类柔性过孔R2内形成的导电柱定义为第二类导电柱Z2，第三类柔性过孔R3内形成的导电柱定义为第三类导电柱Z3。
需要说明的是，上述第一类硬质过孔Y1在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影与上述第一类改性区域GX1在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影重合，上述第一类柔性过孔R1在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影应当位于第一类硬质过孔Y1在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影内，上述第一类柔性过孔R1在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影位于第一类导电层D1在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影内；同理，上述第二类硬质过孔Y2在第二柔性衬底基板12所在板面的正投影与上述第二类改性区域GX2在第二柔性衬底基板12所在板面的正投影重合，上述第二类柔性过孔R2在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影应当位于第二类硬质过孔Y2在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影内，上述第二类柔性过孔R2在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影位于第二类导电层D2在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影内；上述第三类硬质过孔Y3在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影与上述第三类改性区域GX3在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影重合，上述第三类柔性过孔R3在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影应当位于第三类硬质过孔Y3在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影内，上述第三类柔性过孔R3在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影位于第三类导电层D3在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影内。
具体的，如图2、图3和图5～图8所示，上述在第一柔性衬底基板11远离硬质基板01的一侧形成薄膜晶体管阵列TFT和发光器件阵列LED包括：
步骤S311：在第一柔性衬底基板11远离硬质基板01的表面形成薄膜晶体晶体管阵列和公共引线COM，使得薄膜晶体管阵列TFT所含有的第一类电极J1与第一类导电层D1连接，第二类电极J2与第二类导电层D2连接，公共引线COM与第三类导电层D3连接，具体见图7中C1-C5所示。此时第三类导电层D3可通过第三类导电柱Z3与公共信号驱动芯片电连接在一起，从而传输公共信号。
步骤S316：在薄膜晶体管阵列TFT远离硬质基板01的一侧形成发光器件阵列LED，使得发光器件阵列LED所含有的公共电极与公共引线COM连接，驱动电极与薄膜晶体管阵列TFT所含有的第三类电极J3连接，具体见图7中C10所示。驱动电极与薄膜晶体管阵列TFT所含有的第三类电极J3连接，可以保证薄膜晶体管阵列TFT可驱动发光器件阵列LED正常发光。
可以理解的是，一般在薄膜晶体管阵列TFT与发光器件阵列LED之间设置平坦化层PLN，以使得发光器件阵列LED形成在在比较平整的表面。具体而言，在薄膜晶体管阵列TFT所含有的第二电极和第三电极位于薄膜晶体管阵列TFT背离第一柔性衬底基板11的表面时，如图2和图5～图8所示，在第一柔性衬底基板11的表面形成薄膜晶体晶体管阵列和公共引线COM后，在薄膜晶体管远离硬质基板01的一侧形成发光器件阵列LED前，上述驱动背板的制作方法还包括：
步骤S312：在薄膜晶体管阵列TFT远离硬质基板01的表面形成平坦化层PLN，使得平坦化层PLN形成在第二类电极J2和第三类电极J3远离硬质基板01的表面，具体见图7中C6所示。当第二类电极J2为源极时，第三类电极J3为漏极；当第二类电极J2为漏极时，第三类电极J3为源极。
步骤S313：为了保证薄膜晶体管阵列TFT可正常驱动发光器件阵列LED，在平坦化层PLN开设第一类绑定过孔BG1和第二类绑定过孔BG2，使得第一类绑定过孔BG1在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影位于第三类电极J3在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影内，第二类绑定过孔BG2在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影位于公共引线COM在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影内，具体见图7中C6所示。
步骤S314：在平坦化层PLN远离硬质基板01的表面形成相互绝缘的第一类绑定层BOND1和第二类绑定层BOND2，使得第一类绑定层BOND1与第三类电极J3电连接，第二类绑定层BOND2与公共引线COM电连接，具体见图7中C7所示；第一类绑定层BOND1与第三类电极J3电连接可通过开设在平坦化层PLN开设的第一类绑定过孔BG1实现，第二类绑定层BOND2与公共引线COM电连接可通过平坦化层PLN开设的第二类绑定过孔BG2实现。
例如：如图3～图8所示，上述平坦化层PLN远离硬质基板01的表面形成相互绝缘的第一类绑定层BOND1和第二类绑定层BOND2包括：
步骤S3141：在平坦化层PLN远离硬质基板01的表面形成绑定形成层；绑定形成层可采用磁控溅射工艺等方式形成在平坦化层PLN远离硬质基板01的表面。
步骤S3142：对绑定形成层进行图案化处理，获得第一类绑定层BOND1和第二类绑定层BOND2，使得第一类绑定层BOND1和第二类绑定层BOND2之间具有绝缘空隙，具体见图7中C7所示，这样第一类绑定层BOND1和第二类绑定层BOND2可相互绝缘。至于图案化方式可以为曝光显影方式，也可以是常规刻蚀方式。
步骤S3143：至少在绝缘空隙内形成绑定绝缘层BJ，使得第一类绑定层BOND1和所述第二类绑定层BOND2相互绝缘，当然绑定绝缘层BJ还可以形成在图7中C8所示的其它位置。
步骤S315：至少在第一类绑定层BOND1对应第一类绑定过孔BG1的区域以及第二类绑定层BOND2对应第二类绑定过孔BG2的区域形成黑矩阵BM，使得第一类绑定层BOND1在黑矩阵BM的作用下与第三类电极J3的电连接更加可靠，第二绑定层在黑矩阵BM的作用下与公共引线COM的电连接更加可靠。当然黑矩阵BM还具有像素界定的作用，在此不做详述。当然黑矩阵还可以形成在图7中C9所示的其它位置。
此时，上述在所述薄膜晶体管阵列TFT远离硬质基板01的一侧形成发光器件阵列LED包括：
将发光器件阵列LED设在第一类绑定层BOND1和第二类绑定层BOND2远离硬质基板01的表面，使得第一类绑定层BOND1与驱动电极连接，第二类绑定层BOND2与公共电极连接，具体见图7中C10所示。
示例性的，如图3～图8所示，当第一柔性衬底基板11远离硬质基板01的表面形成第二柔性衬底基板12，第一类电极J1为栅极，第二类电极J2为源极，第三类电极J3为漏极，在第二柔性衬底基板12远离硬质基板01的表面形成缓冲层13时，在第一柔性衬底基板11远离硬质基板01的表面形成薄膜晶体晶体管阵列和发光器件阵列LED包括：
步骤S3111：在缓冲层13远离硬质基板01的表面形成有源层ACT，具体见图7中C1所示。
步骤S3112：在有源层ACT远离硬质基板01的表面形成覆盖缓冲层13的栅极绝缘层GI，同时栅极绝缘层GI上还应当开设贯通栅极绝缘层GI、缓冲层13和第二柔性衬底基板12的第一类贯通过孔g1，第一类贯通过孔g1在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影位于第一类导电层D1在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影内，具体见图7中C2所示。
步骤S3113：在栅极绝缘层GI远离硬质基板01的表面形成栅极层(即第一类电极J1)，栅极层可通过第一类贯通过孔g1与第一类导电层D1连接。此时第一类导电层D1通过第一类导电柱Z1与栅极驱动芯片IC1电连接，用以传输栅极信号，具体见图7中C3所示。
步骤S3114：在栅极层远离硬质基板01的表面形成覆盖栅极层和栅极绝缘层GI的层间介电层ILD，且在层间介电层ILD开设贯通层间介电层ILD、栅极绝缘层GI、缓冲层13和第二柔性衬底基板12的第二类贯通过孔g2和第三类贯通过孔g3，贯通层间介电层ILD和栅极绝缘层GI的第四类贯通过孔g4和第五类贯通过孔g5；第二类贯通过孔g2在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影位于第二类导电层D2在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影内，第三类贯通过孔g3在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影位于第三类导电在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影内，第四类贯通过孔g4和第五类贯通过孔g5在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影位于有源层ACT在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影内，具体见图7中C4所示。
步骤S3115：在层间介电层ILD远离硬质基板01的表面形成源极(第二类电极J2)、漏极(第三类电极J3)和公共引线COM，使得源极通过第二类贯通过孔g2与第二类导电层D2电连接，公共引线COM通过第三类贯通过孔g3与第三类导电层D3电连接，源极通过第四类贯通过孔g4与有源层ACT电连接，漏极通过第五类贯通过孔g5与有源层ACT电连接，此时完成薄膜晶体管阵列TFT的制作，具体见图7中C5所示。此时，第二类导电层D2通过第二类导电柱Z2与数据驱动芯片IC2电连接，用以传输数据信号。
步骤S3121：在薄膜晶体管阵列TFT远离硬质基板01的表面形成平坦化层PLN，使得平坦化层PLN形成在源极和漏极远离硬质基板01的表面，具体见图7中C6所示。
步骤S313：在平坦化层PLN开设第一类绑定过孔BG1和第二类绑定过孔BG2，使得第一类绑定过孔BG1在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影位于漏极在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影内，第二类绑定过孔BG2在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影位于公共引线COM在第一柔性衬底基板11所在板面的正投影内，具体见图7中C6所示。
步骤S314：在平坦化层PLN远离硬质基板01的表面形成相互绝缘的第一类绑定层BOND1和第二类绑定层BOND2，使得第一类绑定层BOND1与第三类电极J3电连接，第二类绑定层BOND2与公共引线COM电连接，具体见图7中C7所示；第一类绑定层BOND1与漏极电连接可通过开设在平坦化层PLN开设的第一类绑定过孔BG1实现，第二类绑定层BOND2与公共引线COM电连接可通过平坦化层PLN开设的第二类绑定过孔BG2实现。
步骤S315：至少在第一类绑定层BOND1对应第一类绑定过孔BG1的区域以及第二类绑定层BOND2对应第二类绑定过孔BG2的区域形成黑矩阵BM，使得第一类绑定层BOND1在黑矩阵BM的作用下与漏极的电连接更加可靠，第二绑定层在黑矩阵BM的作用下与公共引线COM的电连接更加可靠。当然黑矩阵BM还可以形成在图7中C9所示。
步骤S3161：将发光器件阵列LED设在第一类绑定层BOND1和第二类绑定层BOND2远离硬质基板01的表面，使得第一类绑定层BOND1与驱动电极连接，第二类绑定层BOND2与公共电极连接，具体见图7中C10所示。
具体的，如图1、图5和图7所示，为了保护发光器件阵列LED和薄膜晶体管阵列TFT，在薄膜晶体管远离硬质基板01的一侧形成发光器件阵列LED后，在硬质基板01开设至少一类硬质过孔前，上述驱动背板的制作方法还包括：
步骤S320：在发光器件阵列LED远离硬质基板01的表面形成背板保护层PR，以避免在硬质基板01开设至少一类硬质过孔时，开设硬质过孔的工艺对发光器件阵列LED和薄膜晶体管阵列TFT的损伤，具体见图7中C11所示。如：当硬质基板01为玻璃基板，在硬质基板01开设至少一类硬质过孔前，已经对硬质进行改性，此时采用氢氟酸腐蚀改性区域，如果发光器件阵列LED远离硬质基板01的表面没有形成背板保护层PR，那么氢氟酸容易对薄膜晶体管和发光器件造成损伤，而在发光器件阵列LED远离硬质基板01的表面形成背板保护层PR，则可以避免氢氟酸对薄膜晶体管和发光器件造成损伤。
当然，为了进一步保护背板，可在驱动芯片绑定到导电柱后，将背板保护层PR去除。具体而言，如图1和图8所示，将至少一类驱动芯片与至少一类柔性过孔内所形成的导电柱一一对应的绑定在一起后，上述驱动背板的制作方法还包括：
步骤S710：将背板保护层PR从发光器件阵列LED远离硬质基板01的表面移除，具体见图8中D6所示。
如图9所示，本发明实施例还提供了一种驱动背板，该驱动背板采用上述驱动背板的制作方法制作而成。
与现有技术相比，本发明实施例提供的驱动背板的有益效果与上述驱动背板的制作方法的有益效果相同，在此不做赘述。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述驱动背板。
与现有技术相比，本发明实施例提供的显示装置的有益效果与上述驱动背板的制作方法的有益效果相同，在此不做赘述。
其中，上述实施例提供的显示设备可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种驱动背板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一硬质基板；在所述硬质基板的表面形成第一柔性衬底基板；
在所述第一柔性衬底基板远离硬质基板的表面形成至少一类用于传输驱动信号的导电层；
在所述硬质基板开设至少一类硬质过孔，获得硬质掩膜版；
在所述硬质掩膜版的掩膜下，在所述第一柔性衬底基板开设至少一类柔性过孔；
在所述硬质掩膜版的掩膜下，在每类所述柔性过孔内形成导电柱，使得至少一类柔性过孔内所形成的导电柱与至少一类导电层一一对应连接在一起；
将至少一类驱动芯片与至少一类柔性过孔内所形成的导电柱一一对应的绑定在一起，使得至少一类所述驱动芯片位于第一柔性衬底基板远离至少一类所述导电层的表面。
2.根据权利要求1所述的驱动背板的制作方法，其特征在于，所述在所述硬质基板的表面形成第一柔性衬底基板前，所述驱动背板的制作方法还包括：
对所述硬质基板进行改性，使得所述硬质基板的表面形成至少一类改性区域；
所述在所述硬质基板开设至少一类硬质过孔，获得硬质掩膜版包括：
在至少一类所述改性区域一一对应的开设至少一类硬质过孔，使得至少一类所述硬质过孔在第一柔性衬底基板所在板面的正投影一一对应的位于至少一类所述导电层在第一柔性衬底基板所在板面的正投影内。
3.根据权利要求1所述的驱动背板的制作方法，其特征在于，所述导电层包括第一类导电层、第二类导电层和第三类导电层；所述在所述第一柔性衬底基板远离硬质基板的表面形成至少一类用于传输驱动信号导电层后，所述在所述硬质基板开设至少一类硬质过孔前，所述驱动背板的制作方法还包括：
在所述第一柔性衬底基板远离硬质基板的表面形成薄膜晶体晶体管阵列和公共引线，使得所述薄膜晶体管阵列所含有的第一类电极与所述第一类导电层连接，第二类电极与所述第二类导电层连接，所述公共引线与第三类导电层连接；
在所述薄膜晶体管阵列远离硬质基板的一侧形成发光器件阵列，使得所述发光器件阵列所含有的公共电极与所述公共引线连接，驱动电极与薄膜晶体管阵列所含有的第三类电极连接。
4.根据权利要求3所述的驱动背板的制作方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶体管远离硬质基板的一侧形成发光器件阵列后，所述在所述硬质基板开设至少一类硬质过孔前，所述驱动背板的制作方法还包括：
在所述发光器件阵列远离硬质基板的表面形成背板保护层；
所述将至少一类驱动芯片与至少一类柔性过孔内所形成的导电柱一一对应的绑定在一起后，所述驱动背板的制作方法还包括：
将所述背板保护层从所述发光器件阵列远离硬质基板的表面移除。
5.根据权利要求3所述的驱动背板的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列所含有的第二电极和第三电极位于所述薄膜晶体管阵列远离硬质基板的表面；所述在所述第一柔性衬底基板的表面形成薄膜晶体晶体管阵列和公共引线后，所述在所述薄膜晶体管阵列远离硬质基板的一侧形成发光器件阵列前，所述驱动背板的制作方法还包括：
在所述薄膜晶体管阵列远离硬质基板的表面形成平坦化层，使得所述平坦化层形成在第二类电极和第三类电极远离硬质基板的表面；
在所述平坦化层远离硬质基板的表面形成相互绝缘的第一类绑定层和第二类绑定层，使得所述第一类绑定层与所述第三类电极电连接，所述第二类绑定层与所述公共引线电连接；
所述在所述薄膜晶体管阵列远离硬质基板的一侧形成发光器件阵列包括：
将发光器件阵列设在所述第一类绑定层和第二类绑定层远离硬质基板的表面，使得所述第一类绑定层与所述驱动电极连接，所述第二类绑定层与所述公共电极连接。
6.根据权利要求5所述的驱动背板的制作方法，其特征在于，
所述在所述平坦化层远离硬质基板的表面形成相互绝缘的第一类绑定层和第二类绑定层包括：
在所述平坦化层远离硬质基板的表面形成绑定形成层；
对所述绑定形成层进行图案化处理，获得第一类绑定层和第二类绑定层，使得所述第一类绑定层和所述第二类绑定层之间具有绝缘空隙；
至少在所述绝缘空隙内形成绑定绝缘层，使得所述第一类绑定层和所述第二类绑定层相互绝缘。
7.根据权利要求1～6任一项所述的驱动背板的制作方法，其特征在于，所述在所述第一柔性衬底基板远离硬质基板的表面形成至少一类用于传输驱动信号导电层后，所述在所述硬质基板开设至少一类硬质过孔，获得硬质掩膜版前，所述驱动背板的制作方法还包括：
在所述第一柔性衬底基板远离硬质基板的表面形成第二柔性衬底基板，使得至少一类所述导电层位于所述第一柔性衬底基板与第二柔性衬底基板之间；
在所述第二柔性衬底基板远离硬质基板的表面形成缓冲层。
8.根据权利要求3～6任一项所述的驱动背板的制作方法，其特征在于，所述第一类电极为栅极、所述第二类电极为源极，所述第三类电极为漏极；或，
所述第一类电极为栅极、所述第二类电极为漏极，所述第三类电极为源极。
9.一种驱动背板，其特征在于，采用权利要求1～8任一项所述驱动背板的制作方法制作而成。
10.一种显示装置，包括权利要求9所述的驱动背板。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110299377A (zh) * 2019-07-03 2019-10-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制造方法、显示装置
CN110429089A (zh) * 2019-08-15 2019-11-08 京东方科技集团股份有限公司 驱动背板及其制作方法、显示装置
WO2020187107A1 (zh) * 2019-03-20 2020-09-24 京东方科技集团股份有限公司 驱动背板及其制作方法、显示装置
WO2021012359A1 (zh) * 2019-07-24 2021-01-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Tft驱动背板及micro-led显示器
EP3783648A1 (en) * 2019-08-20 2021-02-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Display module and display apparatus having the same
CN112562526A (zh) * 2020-12-11 2021-03-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN112599537A (zh) * 2020-12-11 2021-04-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示基板及其制备方法
WO2021068233A1 (zh) * 2019-10-12 2021-04-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置及制造显示基板的方法
WO2021147039A1 (zh) * 2020-01-22 2021-07-29 京东方科技集团股份有限公司 驱动背板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN114171563A (zh) * 2021-11-30 2022-03-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
WO2023226127A1 (zh) * 2022-05-24 2023-11-30 惠州华星光电显示有限公司 一种显示面板及其制备方法、拼接显示装置
WO2024000647A1 (zh) * 2022-06-28 2024-01-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 发光基板及其制作方法以及显示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116632031A (zh) * 2023-05-31 2023-08-22 惠科股份有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103086320A (zh) * 2013-01-21 2013-05-08 西北工业大学 一种柔性壁面热线微传感器的新型制作方法
CN105679788A (zh) * 2014-11-19 2016-06-15 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种柔性屏体邦定方法
CN106206432A (zh) * 2016-08-16 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装置
CN107256870A (zh) * 2017-06-09 2017-10-17 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及制作方法、柔性显示面板、显示装置
CN109065583A (zh) * 2018-08-06 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板的制造方法及柔性显示面板
CN109103166A (zh) * 2018-09-18 2018-12-28 惠州雷通光电器件有限公司 一种发光二极管显示面板
CN109300848A (zh) * 2018-08-24 2019-02-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 制作柔性阵列基板的方法以及柔性阵列基板

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102304991B1 (ko) * 2015-04-21 2021-09-28 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조방법, 박막트랜지스터 어레이 기판을 구비한 표시장치
CN105789225B (zh) * 2016-05-30 2019-10-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板母板及其制作方法、显示装置及其制作方法
CN106409796A (zh) * 2016-10-25 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置及其制作方法
CN107945683B (zh) * 2018-01-08 2020-11-03 陆少韬 应用到智能设备上的前端组件
CN109904080B (zh) 2019-03-20 2020-10-02 北京京东方显示技术有限公司 一种驱动背板及其制作方法、显示装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103086320A (zh) * 2013-01-21 2013-05-08 西北工业大学 一种柔性壁面热线微传感器的新型制作方法
CN105679788A (zh) * 2014-11-19 2016-06-15 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种柔性屏体邦定方法
CN106206432A (zh) * 2016-08-16 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装置
CN107256870A (zh) * 2017-06-09 2017-10-17 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及制作方法、柔性显示面板、显示装置
CN109065583A (zh) * 2018-08-06 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板的制造方法及柔性显示面板
CN109300848A (zh) * 2018-08-24 2019-02-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 制作柔性阵列基板的方法以及柔性阵列基板
CN109103166A (zh) * 2018-09-18 2018-12-28 惠州雷通光电器件有限公司 一种发光二极管显示面板

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020187107A1 (zh) * 2019-03-20 2020-09-24 京东方科技集团股份有限公司 驱动背板及其制作方法、显示装置
US11798958B2 (en) 2019-03-20 2023-10-24 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Driving backplane, manufacturing method thereof, and display apparatus
CN110299377B (zh) * 2019-07-03 2022-12-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制造方法、显示装置
CN110299377A (zh) * 2019-07-03 2019-10-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制造方法、显示装置
WO2021012359A1 (zh) * 2019-07-24 2021-01-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Tft驱动背板及micro-led显示器
US11177425B2 (en) 2019-08-15 2021-11-16 Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. Driving backplane, method for manufacturing the same, and display device
CN110429089A (zh) * 2019-08-15 2019-11-08 京东方科技集团股份有限公司 驱动背板及其制作方法、显示装置
CN110429089B (zh) * 2019-08-15 2023-02-03 京东方科技集团股份有限公司 驱动背板及其制作方法、显示装置
US11437356B2 (en) 2019-08-20 2022-09-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Display module and display apparatus having the same
EP3783648A1 (en) * 2019-08-20 2021-02-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Display module and display apparatus having the same
CN113068414A (zh) * 2019-10-12 2021-07-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置及制造显示基板的方法
WO2021068233A1 (zh) * 2019-10-12 2021-04-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置及制造显示基板的方法
WO2021147039A1 (zh) * 2020-01-22 2021-07-29 京东方科技集团股份有限公司 驱动背板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN112599537A (zh) * 2020-12-11 2021-04-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示基板及其制备方法
CN112562526A (zh) * 2020-12-11 2021-03-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN114171563A (zh) * 2021-11-30 2022-03-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
WO2023226127A1 (zh) * 2022-05-24 2023-11-30 惠州华星光电显示有限公司 一种显示面板及其制备方法、拼接显示装置
WO2024000647A1 (zh) * 2022-06-28 2024-01-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 发光基板及其制作方法以及显示装置

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