CN109860217A - 阵列基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。该制备方法能够量化生产，制备出至少具有下列优点的阵列基板：通过第一保护层可以保护其覆盖区域免受污染和损伤；外界光线可直接通过第二导电层照射光敏层上，有助于增加光传感器的感光面积，提升光感测效能；同时，第一导电层可有效阻挡背光源直接照射光敏层，以避免可能的噪声影响，从而可以使得光感测器具有较稳定的光感测性能；通过第二保护层可以防止例如手指按压阵列基板时对各层的挤压损坏，提高使用寿命，同时防止各层出现相对错位的现象，提高用户的体验。

Description

阵列基板及其制备方法、显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，将触控技术结合于显示面板，即触摸面板和显示面板一体化成为一种趋势。示例性的触摸显示面板是在彩膜基板上形成PS(Photo Spacer，隔垫物)，再在该PS上形成氧化铟锡电极，同时阵列基板上也相对应形成氧化铟锡电极。当有用户手指按压彩膜基板时，促使隔垫物上的氧化铟锡电极和阵列基板上氧化铟锡电极接触导通，以传递该触摸信号。但是，由于触碰时常会导致上下基板(彩膜基板和阵列基板)出现错位，该错位现象使得上下基板的氧化铟锡电极触碰失效，无法感测用户的触摸信号，给用户带来不好的体验。

因此，示例性的触摸显示面板触碰时存在触碰失效，无法感测用户的触摸信号的问题，给用户带来不好的体验。

发明内容

基于此，有必要针对触摸显示面板触碰时存在触碰失效，无法感测用户的触摸信号的问题提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

为了实现本发明的目的，本发明采用如下技术方案：

一种阵列基板的制备方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括薄膜晶体管区域和光感测区域；在所述衬底上形成栅极层，所述栅极层包括形成在所述薄膜晶体管区域上的第一栅极以及形成在所述光感测区域的第二栅极；

在所述衬底上形成栅极绝缘层和半导体层，使得所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层和所述衬底；所述半导体层位于所述第一栅极上方，且所述半导体层具有第一沟道区，所述第一沟道区部分贯穿所述半导体层；

在所述栅极绝缘层和所述半导体层上形成第一导电层，以及在所述第一导电层上形成第一保护层，在所述第一保护层对应光感测区域上形成第二沟道区；

在所述第二沟道区上形成光敏层；

在所述光敏层上形成第二导电层，所述第二导电层与所述第二栅极电性连接；

在所述第一保护层和所述第一沟道区上形成光屏蔽层；以及

在所述光屏蔽层、所述第二导电层以及所述第一保护层上形成第二保护层。

在其中一个实施例中，在所述栅极绝缘层和所述半导体层上形成第一导电层，以及在所述第一导电层上形成第一保护层，在所述第一保护层对应光感测区域上形成第二沟道区的步骤，具体为：

在所述栅极绝缘层和所述半导体层上依次形成第一导电层和第一保护层；

利用半透式掩膜板，通过一次构图工艺在所述第一保护层对应光感测区域上形成第二沟道区，以使所述第二沟道区贯穿所述第一保护层，所述第一沟道区贯穿所述第一保护层和所述第一导电层。

在其中一个实施例中，所述半透式掩膜板包括全透光区域和半透光区域，所述全透光区域对应所述第一沟道区，所述半透光区域对应所述第二沟道区。

在其中一个实施例中，所述第一导电层包括形成在所述薄膜晶体管区域的第一源/漏极和第二源/漏极，以及形成在所述光感测区域的第一电极层；

所述第一源/漏极和所述第二源/漏极位于所述第一沟道区的两侧，所述第一源/漏极和第二源/漏极分别与所述半导体层电性连接，所述第二沟道区露出部分第一电极层。

在其中一个实施例中，所述光屏蔽层位于所述第一栅极上方，所述光屏蔽层部分贯穿所述半导体层。

在其中一个实施例中，所述光敏层包括第一光敏剂层和第二光敏剂层中的至少一层，所述第一光敏剂层的材料为硅锗氧氮聚合材料层，所述第二光敏剂层为硅锗材料层。

在其中一个实施例中，所述硅锗氧氮聚合材料层的材料为Si_xGe_yO_zN_w，其中，所述硅锗氧氮聚合材料层的材料为Si_xGe_yO_zN_w，其中，x的范围为0.15-2.5，y的范围为0.15-2.5，z的范围为0.1-0.35，w的范围为0.1-0.35。

在其中一个实施例中，所述第二保护层的材料包括SiNx、SiOx、SiON、SiC、SiOC中的至少一种。

一种基于如上所述制备方法制备的阵列基板，包括：

衬底，所述衬底包括薄膜晶体管区域和光感测区域；

栅极层，包括设置在所述薄膜晶体管区域上的第一栅极以及设置在所述光感测区域的第二栅极；

栅极绝缘层，设置在所述衬底上，覆盖所述栅极层和所述衬底；

半导体层，设置在所述栅极绝缘层上，位于所述第一栅极上方，所述半导体层形成有第一沟道区，所述第一沟道区部分贯穿所述半导体层；

第一导电层，设置在所述栅极绝缘层和所述半导体层上，所述第一沟道区贯穿所述第一导电层；

第一保护层，设置在所述第一导电层上，所述第一沟道区贯穿所述第一保护层，所述第一保护层在所述光感测区域上具有第二沟道区，所述第二沟道区贯穿所述第一保护层；

光敏层，设置在所述第二沟道区上；

第二导电层，设置在所述光敏层上，与所述第二栅极电性连接；

光屏蔽层，设置在所述第一保护层和所述第一沟道区上；以及

第二保护层，设置在所述光屏蔽层、所述第二导电层以及所述第一保护层上。

一种显示面板，所述显示面板包括如上所述的阵列基板。

上述制备方法，能够量化生产，制备出至少具有下列优点的阵列基板：通过第一保护层可以保护其覆盖区域免受污染和损伤；通过第一导电层、光敏层以及第二导电层形成光传感器，外界光线可直接通过第二导电层照射光敏层上，有助于增加光传感器的感光面积，提升光感测效能；同时，第一导电层可有效阻挡背光源直接照射光敏层，以避免可能的噪声影响，从而可以使得光感测器具有较稳定的光感测性能；通过第二保护层可以防止例如手指按压阵列基板时对各层的挤压损坏，提高使用寿命，同时防止各层出现相对错位的现象，提高用户的体验。

上述阵列基板，包括衬底、栅极层、栅极绝缘层、半导体层、第一导电层、第一保护层、光敏层、第二导电层、光屏蔽层以及第二保护层；阵列基板至少具有下列优点：通过第一保护层可以保护其覆盖区域免受污染和损伤；通过第一导电层、光敏层以及第二导电层形成光传感器，外界光线可直接通过第二导电层照射光敏层上，有助于增加光传感器的感光面积，提升光感测效能；同时，第一导电层可有效阻挡背光源直接照射光敏层，以避免可能的噪声影响，从而可以使得光感测器具有较稳定的光感测性能；通过第二保护层可以防止例如手指按压阵列基板时对各层的挤压损坏，提高使用寿命，同时防止各层出现相对错位的现象，提高用户的体验。

上述显示面板，具备了阵列基板的优点，在使用过程中保持高的光感测效能，提高用户的体验；同时还具有较高的使用寿命。

附图说明

图1为一实施例中阵列基板的制备方法的流程图；

图2为图1制备方法中步骤S101制作流程的剖面结构示意图；

图3为图1制备方法中步骤S102制作流程的剖面结构示意图；

图4为图1制备方法中步骤S103中的半透式掩膜板的剖面结构示意图；

图5为图1制备方法中步骤S103一实施例的具体流程图；

图6为图1制备方法中步骤S103制作流程的剖面结构示意图；

图7为图1制备方法中步骤S104制作流程的剖面结构示意图；

图8为图1制备方法中步骤S105制作流程的剖面结构示意图；

图9为图1制备方法中步骤S106制作流程的剖面结构示意图；

图10为图1制备方法中步骤S107制作流程的剖面结构示意图；

图11为一实施方式的阵列基板的剖面结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体地实施例的目的，不是旨在于限制本发明。

参见图1，图1为本实施例中的阵列基板的制备方法的流程示意图。该制备方法包括步骤：S101、S102、S103、S104、S105、S106以及S107。具体如下：

步骤S101，提供衬底，衬底包括薄膜晶体管区域和光感测区域；在衬底上形成栅极层，栅极层包括形成在薄膜晶体管区域上的第一栅极以及形成在光感测区域的第二栅极。

具体地，请辅助参阅图2。

其中，衬底110可以选用玻璃或透明有机材料。在一个实施例中，玻璃衬底可以为无碱硼硅酸盐超薄玻璃，无碱硼硅酸盐玻璃具有较高的物理特性、较好的耐腐蚀性能、较高的热稳定性以及较低的密度和较高的弹性模量。衬底110上设置有读取光信息的薄膜晶体管和感测光信息的光感测器，分别对应在薄膜晶体管区域(图中A区域)和光感测区域(图中B区域)上。

其中，栅极层120设置在衬底110上，包括设置在薄膜晶体管区域上的第一栅极120a以及设置在光感测区域的第二栅极120b。第一栅极120a和第二栅极120b可以选用相同的材料同时形成在衬底110，材料可以选用金属，包括但不限于钼、钛、铝和铜中的至少一种，以保证良好的导电性能。其中，可以通过射频磁控溅射、热蒸发、真空电子束蒸发以及等离子增强化学气相沉积工艺形成栅极层120；栅极层120可以通过光刻处理形成所需的图案，即第一栅极120a和第二栅极120b；栅极层120的厚度可以根据实际应用情况以及产品性能进行选择和调整，在此不作进一步的限定。

步骤S102，在衬底上形成栅极绝缘层和半导体层，使得栅极绝缘层覆盖栅极层和衬底；半导体层位于第一栅极上方，且半导体层具有第一沟道区，第一沟道区部分贯穿所述半导体层。

在一个实施例中，半导体层包括在栅极绝缘层上形成的有源层和在有源层上形成的掺杂层，有源层位于第一栅极上方，掺杂层具有第一沟道区，第一沟道区贯穿掺杂层。

具体地，请辅助参阅图3。

其中，栅极绝缘层130设置在衬底110上，且覆盖栅极层120和衬底110。在一个实施例中，栅极绝缘层130的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅中的至少一种。栅极绝缘层130的厚度可以根据实际应用情况以及产品性能进行选择和调整，在此不作进一步的限定。栅极绝缘层130可以通过射频磁控溅射、热蒸发、真空电子束蒸发以及等离子增强化学气相沉积工艺形成在衬底110上。

其中，有源层140设置在栅极绝缘层130上，位于第一栅极120a上方；掺杂层150设置在有源层140上。有源层140通常作为导电的介质，其材料可以选用非晶硅。有源层140的厚度可以根据实际应用情况以及产品性能进行选择和调整，在此不作进一步的限定。掺杂层150可以是在非晶硅层中进行N型掺杂，也可以是非晶硅层中进行P型掺杂，可选地，掺杂层150为在非晶硅层中进行N型掺杂，同时，为N型重掺杂。

掺杂层150的中部具有第一沟道区150a，第一沟道区150a贯穿掺杂层150，进一步地，沟道区150a还可以部分贯穿至有源层140。其中，贯穿可以通过光刻或者刻蚀方法实现，部分贯穿即没有全部刻蚀掉源层140，可以理解，对于“部分”的具体厚度，可以根据实际生产情况和产品性能作出选择和调整。在一实施例中，可以采用刻蚀工艺对有源层140和掺杂层150进行图案化处理，并通过刻蚀工艺形成第一沟道区150a。

步骤S103，在栅极绝缘层和半导体层上形成第一导电层，以及在第一导电层上形成第一保护层，在第一保护层对应光感测区域上形成第二沟道区。

具体地，步骤S103为：在栅极绝缘层和半导体层上依次形成第一导电层和第一保护层；利用半透式掩膜板，通过一次构图工艺在第一保护层对应光感测区域上形成第二沟道区，以使第二沟道区贯穿第一保护层，第一沟道区贯穿第一保护层和所述第一导电层。

其中，请辅助参阅图4，半透式掩膜板200包括全透光区域210和半透光区域220，全透光区域210对应第一沟道区150a，半透光区域220对应第二沟道区170a(图4中，半透式掩膜板的遮光区域230对应第一保护层上除第一沟道区和第二沟道区外的其他区域)。通过使用半透式掩膜板，有效减少了利用掩膜板曝光的次数，从而降低了工序复杂度，在缩短了加工时间的同时降低了加工成本

在一个实施例中，步骤S103为在栅极绝缘层和掺杂层上形成第一导电层，在第一导电层上形成第一保护层，利用半透式掩膜板，对第一保护层和第一导电层通过一次构图工艺得到第一保护层和第一导电层的图案，具体可以包括S1031、S1032以及S1033(参见图5)。

步骤S1031，在栅极绝缘层和掺杂层上形成第一导电层，在第一导电层上形成第一保护层。

步骤S1032，在第一保护层上涂布光刻胶层，利用半透式掩膜板对光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域。其中，光刻胶完全去除区域对应第一沟道区，光刻胶半保留区域对应第二沟道区，光刻胶完全保留区域对应第一保护层上除第一沟道区和第二沟道区外的其他区域。

步骤S1033，利用刻蚀工艺去除掉光刻胶完全去除区域的第一保护层和第一导电层；利用等离子体灰化工艺去除掉光刻胶半保留区域的光刻胶；利用刻蚀工艺去除掉光刻胶半保留区域的第一保护层；剥离掉光刻胶完全保留区域的光刻胶。

由此，得到第一保护层170和第一导电层160的图案：第一沟道区150a贯穿第一保护层170和第一导电层160，第一保护层170在光感测区域上具有第二沟道区170a，第二沟道区170a贯穿第一保护层170。

具体地，请辅助参阅图6。

其中，第一导电层160设置在栅极绝缘层130和掺杂层150上，包括设置在薄膜晶体管区域的第一源/漏极160a和第二源/漏极160b，以及设置在光感测区域的第一电极层160c，第一源/漏极160a和第二源/漏极160b分别与有源层140电性连接。第一导电层160可以选用金属材料，包括但不限于钼、钛、铝和铜中的至少一种，以保证良好的导电性能。

第一源/漏极160a和第二源/漏极160b中包括源极和漏极，具体可以是第一源/漏极160a为源极，第二源/漏极160b为漏极；也可以是第二源/漏极160b为源极，第一源/漏极160a为漏极。第一源/漏极160a和第二源/漏极160b位于第一沟道区150a的两侧，第一源/漏极160a、第二源/漏极160b以及第一电极层160c的材料和厚度可以相同也可以不相同，具体可以根据实际应用情况以及产品性能进行选择和调整，在此不作进一步的限定。第二源/漏极160b和第一电极层160c电性连接。由此，第一栅极120a、栅极绝缘层130、有源层140、掺杂层150、第一源/漏极160a以及第二源/漏极160b构成薄膜晶体管，用以读取光感测区域中光感测器的感测信息。

其中，第一保护层170设置在第一导电层160上，第一沟道区150a贯穿第一导电层160和第一保护层170。第一保护层170具有第二沟道区170a以露出部分第一电极层160c(参见图中区域a)。其中，对于“部分”的具体大小，可以根据实际生产情况和产品性能作出选择和调整。第一保护层170可用于保护覆盖区域免受污染和损伤，其材料可以但不限于选用氮化硅和氧化硅中一种或多种。

步骤S104，在第二沟道区上形成光敏层。

具体地，请辅助参阅图7。

其中，光敏层180设置在第二沟道区170a上，通过第二沟道区170a与第一电极层160c连接。在一个实施例中，光敏层180包括第一光敏剂层和第二光敏剂层中的至少一层，第一光敏剂层和第二光敏剂层的相对位置不受限定，可以是第一光敏剂层设置在靠近第一电极层160c侧，也可以是第二光敏剂层设置在靠近第一电极层160c侧。

其中，第一光敏剂层的材料为硅锗氧氮聚合材料层，具体地，硅锗氧氮聚合材料层的材料为Si_xGe_yO_zN_w，其中，x的范围为0.15-2.5，y的范围为0.15-2.5，z的范围为0.1-0.35，w的范围为0.1-0.35，从而光敏层180具有较强的光敏性和较大的感光范围。可选地，当光感测区域感测的对象为近红外光时，x的范围为0.15-0.3，y的范围为1.2-2.5，z的范围为0.1-0.35，w的范围为0.1-0.35；当光感测区域感测的对象为可见光时，x的范围为1.2-2.5，y的范围为0.15-0.3，z的范围为0.1-0.35，w的范围为0.1-0.35，从而增强光敏层180对光感测的选择性和针对性。

其中，第二光敏剂层为硅锗材料层，在一个实施例中，硅锗材料层的材料可以选用为微晶硅锗，以提高光敏特性。

步骤S105，在光敏层上形成第二导电层，第二导电层与第二栅极电性连接。

具体地，请辅助参阅图8。

其中，第二导电层190覆盖光敏层180，与第二栅极120b电性连接。其中，第二导电层190与第二栅极120b电性连接可以通过刻蚀工艺将第一保护层170、第一导电层160以及栅极绝缘层130进行全透刻蚀工艺，以获得第三沟道区170b，从而，将第二导电层190覆盖光敏层180的同时，覆盖至第三沟道区170b中，与第二栅极120b接触。第二导电层190为光感测区域与第一电极层160c相对应的第二电极层，第二导电层190的材料可以选用铟锡氧化物、铟锌氧化物或是其它透明导电材料。由此，第一电极层160c、光敏层180以及第二导电层190形成光传感器，以感测光，获取感测信息。由于第二导电层190为透明导电层，因此外界光线可直接通过第二导电层190照射光敏层180上，有助于增加光传感器的感光面积，提升光感测效能；同时，由于第一电极层160c为金属材料，可有效阻挡背光源直接照射光敏层170，以避免可能的噪声影响。

步骤S106，在第一保护层上和第一沟道区上形成光屏蔽层。

具体地，请辅助参阅图9。

其中，光屏蔽层200设置在第一保护层170和第一沟道区150a上，位于第一栅极120a上方，光屏蔽层200贯穿掺杂层150，用于屏蔽光对薄膜晶体管区域的照射。光屏蔽层200的材料包括不透光材料。其中，不透光材料包括但不限于树脂材料、不透光金属材料、黑色无机材料中的至少一种。在一个实施例中，树脂材料可以是黑矩阵材料。

步骤S107，在光屏蔽层、第二导电层以及第一保护层上形成第二保护层。

具体地，请辅助参阅图10。

其中，第二保护层210设置在光屏蔽层200、第二导电层190以及第一保护层170上，覆盖薄膜晶体管区域和光感测区域，使得薄膜晶体管区域和光感测区域上各层及其边缘均能得到有效的保护。具体地，第二保护层210为硬涂层，用于防止例如手指按压阵列基板时对各层的挤压损坏，提高使用寿命，同时防止各层出现相对错位的现象。第二保护层210的材料包括但不限于SiNx、SiOx、SiON、SiC、SiOC中的至少一种。

需要说明的是，上述各层的形成工艺可以包括射频磁控溅射、热蒸发、真空电子束蒸发以及等离子增强化学气相沉积工艺。可以理解，该形成工艺可以根据实际应用情况以及产品性能进行选择和调整，在此不作进一步的限定。上述各层的厚度也可以根据实际应用情况以及产品性能进行选择和调整，在此不作进一步的限定。

本实施提供的制备方法，通过使用半透式掩膜板，有效减少了利用掩膜板曝光的次数，从而降低了工序复杂度，在缩短了加工时间的同时降低了加工成本；同时，该制备方法能够量化生产，制备出至少具有下列优点的阵列基板：通过第一保护层可以保护其覆盖区域免受污染和损伤；通过第一导电层、光敏层以及第二导电层形成光传感器，外界光线可直接通过第二导电层照射光敏层上，有助于增加光传感器的感光面积，提升光感测效能；同时，第一导电层可有效阻挡背光源直接照射光敏层，以避免可能的噪声影响，从而可以使得光感测器具有较稳定的光感测性能；通过第二保护层可以防止例如手指按压阵列基板时对各层的挤压损坏，提高使用寿命，同时防止各层出现相对错位的现象，提高用户的体验。

参见图11，图11为本实施例中的阵列基板的结构示意图，该阵列基板结构使用前述阵列基板的制备方法实施例进行制造。

在本实施例中，阵列基板10包括薄膜晶体管和光感测器。具体地，阵列基板10包括衬底110、栅极层120、栅极绝缘层130、半导体层(在一个实施例中，半导体层包括有源层140和掺杂层150)、第一导电层160、第一保护层170、光敏层180、第二导电层190、光屏蔽层200以及第二保护层210。

在本实施例中，衬底110、栅极层120、栅极绝缘层130、有源层140、掺杂层150、第一导电层160、第一保护层170、光敏层180、第二导电层190、光屏蔽层200以及第二保护层210的相关描述参见上一实施例，在此不再进一步进行赘述。

本实施提供的阵列基板，包括衬底、栅极层、栅极绝缘层、半导体层、第一导电层、第一保护层、光敏层、第二导电层、光屏蔽层以及第二保护层；阵列基板至少具有下列优点：通过第一保护层可以保护其覆盖区域免受污染和损伤；通过第一导电层、光敏层以及第二导电层形成光传感器，外界光线可直接通过第二导电层照射光敏层上，有助于增加光传感器的感光面积，提升光感测效能；同时，第一导电层可有效阻挡背光源直接照射光敏层，以避免可能的噪声影响，从而可以使得光感测器具有较稳定的光感测性能；通过第二保护层可以防止例如手指按压阵列基板时对各层的挤压损坏，提高使用寿命，同时防止各层出现相对错位的现象，提高用户的体验。

本实施例还提供了显示面板，该显示面板包括上述实施例中的阵列基板。其中，显示面板可以是TFT-LCD(Thin film transistor-liquid crystal display，薄膜晶体管液晶显示装置)液晶显示面板，也可以是电致发光显示面板，例如OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板、QLED(Quantum Dot Light EmittingDiodes，量子点发光二极管)显示面板中的一种。该显示面板同时具备触摸技术和显示功能，当有用户手指按压显示面板时，能够感测并读取触摸信号。本实施例提供的显示面板，具备了阵列基板的优点，在使用过程中保持高的光感测效能，提高用户的体验；同时还具有较高的使用寿命。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括薄膜晶体管区域和光感测区域；在所述衬底上形成栅极层，所述栅极层包括形成在所述薄膜晶体管区域上的第一栅极以及形成在所述光感测区域的第二栅极；

在所述衬底上形成栅极绝缘层和半导体层，使得所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层和所述衬底；所述半导体层位于所述第一栅极上方，且所述半导体层具有第一沟道区，所述第一沟道区部分贯穿所述半导体层；

在所述栅极绝缘层和所述半导体层上形成第一导电层，以及在所述第一导电层上形成第一保护层，在所述第一保护层对应光感测区域上形成第二沟道区；

在所述第二沟道区上形成光敏层；

在所述光敏层上形成第二导电层，所述第二导电层与所述第二栅极电性连接；

在所述第一保护层和所述第一沟道区上形成光屏蔽层；以及

在所述光屏蔽层、所述第二导电层以及所述第一保护层上形成第二保护层。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述栅极绝缘层和所述半导体层上形成第一导电层，以及在所述第一导电层上形成第一保护层，在所述第一保护层对应光感测区域上形成第二沟道区的步骤，具体为：

在所述栅极绝缘层和所述半导体层上依次形成第一导电层和第一保护层；

利用半透式掩膜板，通过一次构图工艺在所述第一保护层对应光感测区域上形成第二沟道区，以使所述第二沟道区贯穿所述第一保护层，所述第一沟道区贯穿所述第一保护层和所述第一导电层。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述半透式掩膜板包括全透光区域和半透光区域，所述全透光区域对应所述第一沟道区，所述半透光区域对应所述第二沟道区。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一导电层包括形成在所述薄膜晶体管区域的第一源/漏极和第二源/漏极，以及形成在所述光感测区域的第一电极层；

所述第一源/漏极和所述第二源/漏极位于所述第一沟道区的两侧，所述第一源/漏极和第二源/漏极分别与所述半导体层电性连接，所述第二沟道区露出部分第一电极层。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光屏蔽层位于所述第一栅极上方，所述光屏蔽层部分贯穿所述半导体层。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光敏层包括第一光敏剂层和第二光敏剂层中的至少一层，所述第一光敏剂层的材料为硅锗氧氮聚合材料层，所述第二光敏剂层为硅锗材料层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述硅锗氧氮聚合材料层的材料为Si_xGe_yO_zN_w，其中，x的范围为0.15-2.5，y的范围为0.15-2.5，z的范围为0.1-0.35，w的范围为0.1-0.35。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二保护层的材料包括SiNx、SiOx、SiON、SiC、SiOC中的至少一种。

9.一种基于如权利要求1-8任一项所述制备方法制备的阵列基板，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括薄膜晶体管区域和光感测区域；

栅极层，包括设置在所述薄膜晶体管区域上的第一栅极以及设置在所述光感测区域的第二栅极；

栅极绝缘层，设置在所述衬底上，覆盖所述栅极层和所述衬底；

半导体层，设置在所述栅极绝缘层上，位于所述第一栅极上方，所述半导体层形成有第一沟道区，所述第一沟道区部分贯穿所述半导体层；

第一导电层，设置在所述栅极绝缘层和所述半导体层上，所述第一沟道区贯穿所述第一导电层；

第一保护层，设置在所述第一导电层上，所述第一沟道区贯穿所述第一保护层，所述第一保护层在所述光感测区域上具有第二沟道区，所述第二沟道区贯穿所述第一保护层；

光敏层，设置在所述第二沟道区上；

第二导电层，设置在所述光敏层上，与所述第二栅极电性连接；

光屏蔽层，设置在所述第一保护层和所述第一沟道区上；以及

第二保护层，设置在所述光屏蔽层、所述第二导电层以及所述第一保护层上。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求9所述的阵列基板。