CN109844948A - 显示器用发光二极管模块组件 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 150
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 92
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 15
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims description 11
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 239000003738 black carbon Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000009958 sewing Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/13—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了包括第一发光二极管模块及第二发光二极管模块的显示器用发光二极管模块组件。对于该发光二极管模块组件而言,上述第一发光二极管模块及上述第二发光二极管模块包括:基板,其包括侧面之间贴合的第一单位基板及第二单位基板;多个发光二极管芯片,其装配在上述基板上而形成多个像素;以及吸光层,其包括形成在上述第一单位基板上的第一吸光层及形成在上述第二单位基板上的第二吸光层,并且,上述吸光层包括形成在多个像素之间的多个谷(valley),上述第一吸光层及上述第二吸光层包括:第一倾斜部及第二倾斜部,其从第一单位基板与上述第二单位基板之间的交界面上端边缘朝向上述第一单位基板及上述第二单位基板上的外廓发光二极管芯片各自的侧面上部倾斜地连接,上述多个谷中的至少一个通过上述第一倾斜部与上述第二倾斜部彼此相接而形成。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管模块组件,更详细地,涉及一种发光二极管模块组件,其通过发光二极管模块的侧面彼此贴合而形成,并且,能够防止在发光二极管模块的连接部位的光的颜色干扰或光的漫反射,从而实现无缝(seamless)显示特性。
背景技术
目前已经公开了一种技术,其通过多个发光二极管模块的侧面彼此连接而构成一个发光二极管模块组件。这种现有发光二极管模块组件适用于发光二极管显示装置。
如图1所示,现有发光二极管模块组件包括侧面彼此连接的多个发光二极管模块2。多个发光二极管模块2分别包括:单位基板22;多个发光二极管芯片24a、24b、24c,其装配在上述单位基板22上而形成多个像素;以及黑色成型(molding)部26,其通过挤压(squeezing)工艺或传递成型(transfer molding)工艺以全部覆盖上述多个发光二极管芯片24a、24b、24c的上表面和侧面的方式形成在上述单位基板22上。黑色成型部26利用混合有黑碳的树脂材料并通过传递成型工艺形成。提供黑色成型部26的目的在于:减少从R、G、B发光二极管芯片的侧面射出的侧面光引起的颜色干扰,以呈现显示器的纯黑颜色。
上述多个发光二极管模块2通过将一个大的发光二极管模块材料分离切割为多个模块而形成,因此,通过该切割形成的多个发光二极管模块2分别形成有单位基板22的侧面和黑色成型部26的侧面作为切割面。在将这种发光二极管模块组件适用于显示装置的情况下,当驱动显示装置时,如图2所示,发光二极管模块2之间的连接部交界会很明显,由此大大降低了显示质量。产生如上的现象的原因之一是:例如,在上述多个发光二极管模块产生的光在通过锯切(sawing)等形成的黑色成型部26的切割面产生漫反射而引起的。并且,当为了形成黑色成型部26而适用传递成型工艺时,存在需要用于压缩模具的自由空间的问题,而且,黑色成型部26也将覆盖发光二极管芯片的上部,因此存在发出的光量减少而效率降低的问题。替代性地,为了形成黑色成型部26,可以适用挤压工艺,然而,当适用这种挤压工艺时,存在难以保持黑色成型部的高度偏差及平整度的问题。
并且,当由切割面与切割面的接合形成的连接部边界的间距比上述多个发光二极管之间的间距宽时,存在上述连接部边界形成为如线条的形状的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题
本发明要解决的问题是提供一种发光二极管模块组件,其通过发光二极管模块的侧面彼此贴合而形成,能够防止在发光二极管模块的连接部位产生光的颜色干扰或者光的漫反射,并且,将上述连接部边界的间距缩小为与多个像素间距相同,从而实现无缝(seamless)显示特性。
技术方案
根据本发明的一方面,提供一种包括第一发光二极管模块及第二发光二极管模块的显示器用发光二极管模块组件,上述第一发光二极管模块及上述第二发光二极管模块包括:基板,其包括侧面之间贴合的第一单位基板及第二单位基板;多个发光二极管芯片,其装配在上述基板上而形成多个像素;以及吸光层,其包括形成在上述第一单位基板上的第一吸光层及形成在上述第二单位基板上的第二吸光层,并且,上述吸光层包括形成在多个像素之间的多个谷(valley),并且,上述第一吸光层及上述第二吸光层包括第一倾斜部及第二倾斜部,其从第一单位基板与上述第二单位基板之间的交界面上端边缘附近朝向上述第一单位基板及上述第二单位基板的外廓发光二极管芯片各自的侧面上部倾斜地连接,并且,上述多个谷中的至少一个由上述第一倾斜部及上述第二倾斜部形成。
根据一个实施例,上述吸光层包括芯片之间的谷,其形成于在各个上述多个像素中的相邻的两个发光二极管芯片之间。
根据一个实施例,优选地,上述谷的宽度大于上述芯片之间的谷的宽度。
根据一个实施例,上述吸光层通过将包括黑颜色材料(Black color materials)的液状或凝胶(gel)状的材料涂布在上述基板上而形成。
根据一个实施例,上述谷从上述发光二极管芯片的侧面上端边缘朝向与上述基板表面最邻近的谷的下端倾斜地连接。
根据一个实施例,上述谷的下端位于相邻的两个发光二极管芯片之间的中央。
根据一个实施例,上述第一单位基板及上述第二单位基板包括形成在彼此贴合的侧面的吸光部。
根据一个实施例,上述吸光部通过将具有吸光颜色的材料涂布在上述第一单位基板的侧面及上述第二单位基板的侧面而形成。
根据一个实施例,上述多个谷中的至少一个谷以与预先形成在上述第一单位基板或者上述第二单位基板的吸光图案膜接触的方式形成。
根据一个实施例,上述芯片之间的谷以与预先形成在上述第一单位基板或者上述第二单位基板的吸光图案膜接触的方式形成。
根据一个实施例,上述多个发光二极管芯片倒装焊接在上述第一单位基板或者上述第二单位基板上。
根据一个实施例,上述第一单位基板及上述第二单位基板的侧面可以是垂直切割面。
根据一个实施例,上述多个发光二极管芯片的各个的表面以具有与上述谷的上端相同的高度的方式露出于外部。
根据一个实施例,优选地,通过上述第一倾斜部及上述第二倾斜部形成在上述第一发光二极管模块与上述第二发光二极管模块之间的交界的谷的间距,与仅在上述第一发光二极管模块及上述第二发光二极管模块中的任一个发光二极管模块上彼此相邻的两个像素之间形成的另一谷的间距相同。
根据一个实施例,上述第一发光二极管模块及上述第二发光二极管模块还包括形成在上述第一吸光层的第一透光层及形成在上述第二吸光层的第二透光层。
根据一个实施例,上述第一透光层及上述第二透光层分别包括:与上述多个谷接触的第一面;及平坦地形成在上述第一面的相反侧的第二面。
根据本发明另一方面的发光二极管模块组件包括第一发光二极管模块及第二发光二极管模块,并且,上述第一发光二极管模块及上述第二发光二极管模块包括:基板,其包括侧面之间贴合的第一单位基板及第二单位基板;多个发光二极管芯片,其装配在上述基板上;以及吸光层,其包括形成在上述第一单位基板上的第一吸光层及形成在上述第二单位基板上的第二吸光层,并且,上述吸光层包括形成在多个发光二极管芯片之间的多个芯片之间的谷(valley),上述第一吸光层及上述第二吸光层包括:第一倾斜部及第二倾斜部,其从第一单位基板与上述第二单位基板之间的交界面上端边缘(edge)朝向上述第一单位基板及上述第二单位基板的外廓发光二极管芯片各自的侧面上部倾斜地连接,上述多个谷中的至少一个通过上述第一倾斜部与上述第二倾斜部彼此相接而形成。
有益效果
根据本发明的发光二极管模块组件通过发光二极管模块的侧面彼此贴合而形成,并且,能够防止在发光二极管模块的连接部位的光的颜色干扰或光的漫反射,从而实现无缝(seamless)显示特性。
更具体地,在本发明中,以未充满(underfill)形态提供的吸光层包括多个像素之间的谷及芯片之间的谷,并且,由于两个发光二极管模块的连接部位也具有像素之间的谷,因此能够提高通过锯切(sawing)而具有切割面的发光二极管模块的切割面连接部位的无缝特性。其与在通过锯切(sawing)等形成的黑色成型部的切割面产生严重的漫反射的现有技术不同,本发明中,在通过锯切、划割(scribing)或者折断(breaking)形成切割面的部分预先形成谷,从而即使形成上述切割面,漫反射也较少,由此可以提高光效率。
并且,本发明中,由于发光二极管芯片上部不存在包括例如黑颜色的吸光物质,因此具有改善光量的效果。而且,与包括通过挤压工艺形成的黑色成型部的发光二极管模块组件相比,根据本发明的发光二极管模块组件具有可轻易地管理高度偏差的优点。
并且,当通过挤压或传递成型形成黑色成型部时,在形成黑色成型部之后,无法进行修理或修正,但是本发明可以仅挑选缺陷部分进行修理或修正。由此,提高产率并且降低生产费用。
附图说明
图1及图2是用于说明现有技术的图。
图3是用于说明根据本发明一个实施例的发光二极管模块组件的剖视图。
图4是用于说明根据本发明一个实施例的发光二极管模块组件的俯视图。
图5是示出放大图3的圆“A”的图。
图6是示出放大图3的圆“B”的图。
图7是用于说明本发明的另一个实施例的图。
图8是用于说明根据本发明再一个实施例的发光二极管模块组件的图。
图9至12是用于说明图示在图8的发光二极管模块的制造方法的图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的优选实施例进行说明。附图及关于附图的说明是为了有助于本领域技术人员理解本发明而提出的。因此,附图及说明不应该被解释为限定本发明的范围。
图3至图6是用于说明根据本发明一个实施例的发光二极管模块组件的图。
如图3至图6所示,根据本发明一个实施例的显示器用发光二极管模块组件包括侧面彼此贴合的多个发光二极管模块100。上述多个发光二极管模块100包括第一发光二极管模块100、第二发光二极管模块100、...以及第n发光二极管模块。为了便于说明,将多个发光二极管模块中彼此相邻配置的两个发光二极管模块分别称为第一发光二极管模块100及第二发光二极管模块100来区分,但部件的附图标记使用相同的附图标记。
上述发光二极管模块组件包括基板,该基板包括作为第一发光二极管模块100的一部分的第一单位基板110和作为上述第二发光二极管模块100的一部分的第二单位基板110。通过将上述第一发光二极管模块100和上述第二发光二极管模块100的侧面彼此贴合,上述第一单位基板110和上述第二单位基板110的侧面也彼此贴合。并且,上述第一发光二极管模块100及上述第二发光二极管模块100包括多个发光二极管芯片121、122、123,其通过装配在上述第一单位基板110及上述第二单位基板110上而形成多个像素120。并且,上述第一发光二极管模块100及上述第二发光二极管模块100包括形成在上述第一单位基板110上的第一吸光层130及形成在上述第二单位基板110上的第二吸光层130。此时,上述单位基板110可以选自例如,印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB),柔性(flexible)基板(例如,柔性印刷线路板(Flexible Printed Circuit Board,FPCB))、透明的有机质基板。
包括上述第一吸光层130及上述第二吸光层130的吸光层为例如,具有可吸光的黑颜色的吸光层,其不仅能通过以下将详细说明的结构来提供显示器的纯黑颜色,而且可以消除由发光二极管芯片121、122、123的侧面光引起的颜色干扰来改善显示画质。并且,与前面提到的现有技术的黑色成型部不同,上述吸光层未在发光二极管芯片121、122、123的上部面形成,从而几乎不降低光量,尤其,当驱动显示器时,其能够实现看不到连接缝的无缝特性。
上述第一发光二极管模块100及上述第二发光二极管模块100可以从一个大发光二极管模块材料(未图示)切割分离而形成,该大发光二极管模块材料包括比单位基板大数倍以上的大基板(未图示)及装配在该基板上的许多个发光二极管芯片。并且,上述第一单位基板110和上述第二单位基板110的各个侧面由通过上述切割形成的垂直切割面形成。并且,在上述第一单位基板110与上述第二单位基板110形成的交界面的、由垂直切割面形成的侧面形成有吸光部112。上述吸光部112可以通过将具有吸光颜色的材料,例如,黑墨水(Black ink)等涂抹在上述第一单位基板110的侧面和上述第二单位基板110的侧面而形成。
另一方面,多个像素120以矩阵阵列的方式分别排列(array)在上述第一单位基板110及上述第二单位基板110上。上述像素120分别包括红色发光二极管芯片121、绿色发光二极管芯片122以及蓝色发光二极管芯片123。并且,上述像素120中的发光二极管芯片121、122、123,即红色发光二极管芯片121、绿色发光二极管芯片122以及蓝色发光二极管芯片123以隔着规定间距的方式配置而成。并且,上述发光二极管芯片121、122、123通过倒装焊接(flip chip bonding)装配在上述单位基板110,因此,上述发光二极管芯片121、122、123上部不具有焊线(bonding wire)。并且,对于上述发光二极管芯片121、122、123等而言,可在上述单位基板110装配垂直型芯片,从而使上述发光二极管芯片121、122、123上部具有焊线,或者不具有焊线。
如以最佳方式示出的图4所示,在各个发光二极管模块100中,像素120以规定的横向间距a和规定的纵向间距b排列。换句话说,在可以是第一或第二发光二极管模块的各个发光二极管模块100中,将横向彼此相邻的像素120、120之间的横向间距规定为a,将纵向彼此相邻的像素120、120之间的纵向间距规定为b。此时,在多个发光二极管模块100彼此贴合的状态下,横向彼此相邻的两个发光二极管模块100、100之间的相邻的两个像素之间的横向间距同样为a,其与上述发光二极管模块中的像素之间的间距a相同,并且,纵向彼此相邻的两个发光二极管模块100、100之间的相邻的两个像素之间的纵向间距同样为b,其与上述发光二极管模块中的像素之间的间距b相同。因此,无论横向相邻的两个像素在相同的发光二极管模块,还是在横向彼此相邻的不同发光二极管模块,横向相邻的两个像素之间的两个相邻发光二极管芯片(121和121、122和122、123和123)之间形成的像素之间的谷宽度(vally width)均相同,并且,无论纵向相邻的两个像素在相同的发光二极管模块,还是在纵向彼此相邻的不同发光二极管模块,纵向相邻的两个像素之间的两个相邻发光二极管芯片121、123之间形成的像素之间的谷宽度均相同。
再次参照图3至图6,在包括上述第一单位基板110和上述第二单位基板110的基板上形成吸光层130,其中,上述吸光层130包括:形成在上述第一单位基板110上的第一吸光层130、及形成在上述第二单位基板110上的第二吸光层130。并且,上述吸光层130包括形成在多个像素120之间的多个谷(valley)132,更具体地,包括像素之间的谷132。
上述多个谷132分别形成在相邻的两个像素之间的相邻的两个发光二极管芯片123、121之间。并且,上述吸光层包括芯片之间的谷133,该芯片之间的谷133形成在各个上述多个像素120中的相邻的两个发光二极管芯片(121和122或者122和123之间)。
相邻的两个像素120、120之间的两个相邻的发光二极管芯片123、121之间的间距大于各个像素120中的两个相邻的发光二极管芯片(121和122或者122和123)之间的间距,因此,形成在相邻的两个像素120、120之间的谷132的宽度被设定为大于在各个像素120中的两个相邻的发光二极管芯片(121和122或者122和123)之间形成的芯片之间的谷133的宽度。
上述像素之间的谷132以从像素中的外廓发光二极管芯片121或123的侧面上端边缘朝向与上述第一单位基板110或者第二单位基板110的表面最邻近的像素之间的谷的下端132a倾斜且稍微弯曲的方式实现连接。此时,上述像素之间的谷的下端132a可以位于相邻的两个像素120、120之间的相邻的两个发光二极管芯片123、121之间的中央。此时,最优选地,上述像素之间的谷的下端132a实质上与上述第一单位基板110或者上述第二单位基板110的表面接触。
并且,上述芯片之间的谷133以从发光二极管芯片121、122、123的侧面上端边缘朝向与上述第一单位基板110或者第二单位基板110的表面最邻近的芯片之间的谷的下端133a倾斜且稍微弯曲的方式实现连接。此时,上述芯片之间的谷的下端133a可以位于相邻的像素120中的相邻的两个发光二极管芯片(121和122或122和123)之间的中央。此时,最优选地,上述芯片之间的谷的下端133a实质上与上述第一单位基板110或者上述第二单位基板110的表面接触。
此时,优选地,像素之间的谷132的深度比上述芯片之间的谷133的深度更深。
尤其,根据本发明,上述第一吸光层130及上述第二吸光层130包括第一倾斜部134a及第二倾斜部134b,该第一倾斜部134a及第二倾斜部134b从第一单位基板110与上述第二单位基板110之间的交界面的上端边缘朝向上述第一单位基板110及上述第二单位基板110上的像素中的外廓发光二极管芯片(121或123)各自的侧面上部倾斜地连接。第一倾斜部134a和第二倾斜部134b以交界面为基准,彼此对称地形成,并且在彼此相接时形成一个像素之间的谷134。该像素之间的谷134提供在前面提到的上述第一单位基板110与上述第二单位基板110之间,从而与提供在上述第一单位基板110或者上述第二单位基板110上的多个像素之间的谷134一起构成多个像素之间的谷133、134。优选地,在第一吸光层130与第二吸光层130之间,由第一倾斜部134a与第二倾斜部134b的相接而形成的像素之间的谷134具有与形成在第一吸光层130或者上述第二吸光层130自身的像素之间的谷134相同的形状及相同的大小。
此时,上述吸光层130可以通过以喷涂方式将包括黑颜色材料的液状或凝胶状的树脂材料涂布在上述第一单位基板110及上述第二单位基板110上而形成。由第一倾斜部134a与上述第二倾斜部134b的相接而形成的谷134同样从上述发光二极管芯片的侧面上端边缘朝向与上述基板表面最接近的谷的下端倾斜地连接。上述黑颜色材料例如可以是黑碳(Black carbon)。
当以喷涂方式将包括黑颜色材料的液状或凝胶状的树脂材料涂布在装配有上述多个发光二极管芯片121、122、123的第一单位基板110及第二单位基板110时,上述液状或者凝胶状的树脂材料填充相邻的像素之间的或者像素中的发光二极管芯片之间,从而形成前述的吸光层130。通过液状或者凝胶状的树脂所具有的表面张力,液状或者凝胶状的树脂从发光二极管芯片121、122、123的上表面全部流到侧面,由此,发光二极管芯片121、122、123的上表面露出于外部。因此,上述发光二极管芯片121、122、123的上表面以具有与上述谷132、133的上端相同的高度的方式露出于外部。由于上述发光二极管芯片121、122、123的上表面不存在吸光层,因此可以防止通过上述发光二极管芯片121、122、123的上表面射出的光被吸光层吸收而引起的效率降低。
图7是用于说明根据发明另一个实施例的发光二极管模块组件的图。
参照图7可知,对于根据本实施例的发光二极管模块组件而言,基板,更具体地,第一或者第二单位基板110在其上部面包括吸光图案膜115。除与发光二极管芯片121、122、123的电极焊盘连接的电极图案等之外,该吸光图案膜115以覆盖上述基板110的露出表面的方式预先形成,上述吸光图案膜可以是黑色系列的感光阻焊剂(Photo Solder Resist,PSR)或者黑色胶带(Black tape)。并且,与上述实施例相同地,吸光层130包括:像素之间的谷132,其位于在第一单位基板110或者第二单位基板110上的相邻的两个像素之间的相邻的两个发光二极管芯片123、121之间;芯片之间的谷133,其位于在上述第一单位基板110或第二单位基板110上的特定像素中的两个发光二极管芯片(121和122或者122和123)之间;另一个像素之间的谷134(参照图3),其位于在上述第一单位基板110与上述第二单位基板110之间相邻的两个像素之间的相邻的两个发光二极管芯片123、121之间,其中,上述像素之间的谷及上述芯片之间的谷以在谷的下端与吸光图案膜115接触的方式形成。这种结构可以预先阻断谷的下端被开放而露出基板表面的可能性,并且能够使发光二极管模块组件在整体上实现均匀的黑颜色。
图8是用于说明根据本发明另一个实施例的显示器用发光二极管模块组件的图。
如图8所示,根据本实施例的显示器用发光二极管模块组件包括侧面之间彼此贴合的多个发光二极管模块100。上述多个发光二极管模块100包括第一发光二极管模块100、第二发光二极管模块100、...以及第n发光二极管模块。
上述发光二极管模块组件包括:基板,其包括侧面之间彼此贴合的多个第一单位基板110和第二单位基板110;多个像素120,其排列在上述基板上,并且包括分别装配在上述第一单位基板110或者上述第二单位基板110上的红色发光二极管芯片121、绿色发光二极管芯片122以及蓝色发光二极管芯片123;第一吸光层130及第二吸光层130,第一吸光层130形成在上述第一单位基板110上,第二吸光层130形成在上述第二单位基板110上;第一透光层140及第二透光层140,第一透光层140形成在上述第一吸光层130上,第二透光层140形成在上述第二吸光层130上。上述吸光层由包括混合有反射材料的树脂材料的第一成型材料形成,上述透光层由包括透光性树脂材料且透光性优异的第二成型材料形成。
除了上述透光层140之外的其余结构与上述的实施例相同或基本类似,因此对其省略额外的说明。
如上述的实施例所述,上述吸光层130包括:在相邻的发光二极管芯片之间凹陷形成的芯片之间的谷、或者在相邻的像素之间凹陷形成的像素之间的谷。当在上述吸光层130及发光二极管芯片121、122、123的上部表面附着偏光膜时,因这种谷而产生凹凸不平的面,进而,偏光膜无法在整体上进行附着,从而在吸光层与偏光膜之间产生间隙。然而,前述的透光层140包括:下部表面,其在整体上与形成有芯片之间的谷或者像素之间的谷的吸光层130的上部表面接触;以及整体上平坦的上部表面。从而在上述透光层140的下部,填补了因芯片之间的谷或像素之间的谷而凹凸不平的吸光层130的上部表面,而且上述透光层140的上部提供了平坦的表面。并且,在该平坦的表面可以附着例如偏光膜等。
参照图9至图12,对覆盖发光二极管芯片121、122、123的表面和吸光层130的表面的透光层140的形成方法进行说明。
首先,如图9所示,准备如上述实施例中说明的发光二极管模块100。发光二极管模块100包括:单位基板110;红色、绿色以及蓝色发光二极管芯片121、122、123,其形成在单位基板110而构成多个像素;吸光层130,其以在相邻的发光二极管芯片之间及相邻的像素之间,限定芯片之间的谷及像素之间的谷的方式形成。上述吸光层130通过由混合有反射性材料的树脂材料组成的一次成型液的固化(curing)而具备其形态。并且,如图9所示,在任意的膜200的上部面涂布二次成型液140'。二次成型液140'可以是具有透光性的流动性树脂(例如,硅树脂)。
然后,如图10所示,由阻碍物(dam)300堵住二次成型液140'的周边。由此,可处于在限定于阻碍物300内侧的空间中填满了二次成型液140'的状态。应注意的是,也可以先形成阻碍物300之后,向该堤坝300内侧的空间涂布二次成型液140'。然后,将形成有吸光层130(具有芯片之间的谷及像素之间的谷)的前述的发光二极管模块100翻转,从而使红色、绿色及蓝色发光二极管芯片121、122、123的上部表面和吸光层130的上部表面以浸没在二次成型液140'的方式配置。之后,如图11及12所示,通过将二次成型液140'进行固化,从而形成透光层140,其包括:与上述吸光层130(包括芯片之间的谷及像素之间的谷)的表面接触的凹凸不平的一面;以及与膜200的表面接触的平坦面。然后,去除上述膜200。
当透光层140的端部面和单位基板110的端部面不在同一平面上时,可以切割单位基板110端部的一部分,以便透光层140的端部面和单位基板110的端部面在同一平面上。
附图标记说明
110:基板、第一单位基板、第二单位基板
120:像素
121、122、123:发光二极管芯片
130:吸光层、第一吸光层、第二吸光层
132、134:谷、像素之间的谷
140:透光层、第一透光层、第二透光层
Claims (20)
1.一种显示器用发光二极管模块组件,其为包括第一发光二极管模块及第二发光二极管模块的显示器用发光二极管模块组件,其特征在于,
所述第一发光二极管模块及所述第二发光二极管模块包括:
基板,其包括侧面相互贴合的第一单位基板及第二单位基板;
多个发光二极管芯片,其装配在所述基板上而形成多个像素;以及
吸光层,其包括形成在所述第一单位基板上的第一吸光层及形成在所述第二单位基板上的第二吸光层,
并且,所述吸光层包括形成在多个像素之间的多个谷,所述第一吸光层及所述第二吸光层包括第一倾斜部及第二倾斜部,所述多个谷中的至少一个谷由所述第一倾斜部及所述第二倾斜部形成。
2.根据权利要求1所述的显示器用发光二极管模块组件,其特征在于,
所述吸光层包括芯片之间的谷,其形成于在各个所述多个像素中的相邻的两个发光二极管芯片之间。
3.根据权利要求2所述的显示器用发光二极管模块组件,其特征在于,
所述谷的宽度大于所述芯片之间的谷的宽度。
4.根据权利要求1所述的显示器用发光二极管模块组件,其特征在于,
所述吸光层通过将包括黑颜色材料的液状或者凝胶状的材料涂布在所述基板上而形成。
5.根据权利要求1所述的显示器用发光二极管模块组件,其特征在于,
所述谷从所述发光二极管芯片的侧面上端边缘朝向与所述基板表面最邻近的谷的下端倾斜地连接。
6.根据权利要求5所述的显示器用发光二极管模块组件,其特征在于,
所述谷的下端位于相邻的两个发光二极管芯片之间的中央。
7.根据权利要求1所述的显示器用发光二极管模块组件,其特征在于,
所述第一单位基板及所述第二单位基板包括形成在彼此贴合的侧面的吸光部。
8.根据权利要求1所述的显示器用发光二极管模块组件,其特征在于,
所述吸光部通过将具有吸光颜色的材料涂布在所述第一单位基板的侧面及所述第二单位基板的侧面而形成。
9.根据权利要求1所述的显示器用发光二极管模块组件,其特征在于,
所述多个谷中的至少一个谷以与预先形成在所述第一单位基板或者所述第二单位基板的吸光图案膜接触的方式形成。
10.根据权利要求2所述的显示器用发光二极管模块组件,其特征在于,
所述芯片之间的谷以与预先形成在所述第一单位基板或者所述第二单位基板的吸光图案膜接触的方式形成。
11.根据权利要求1所述的显示器用发光二极管模块组件,其特征在于,
所述多个发光二极管芯片倒装焊接在所述第一单位基板或者所述第二单位基板上。
12.根据权利要求1所述的显示器用发光二极管模块组件,其特征在于,
所述第一单位基板及所述第二单位基板的侧面为垂直切割面。
13.根据权利要求1所述的显示器用发光二极管模块组件,其特征在于,
各个所述多个发光二极管芯片的表面以具有与所述谷的上端相同的高度的方式露出于外部。
14.根据权利要求1所述的显示器用发光二极管模块组件,其特征在于,
通过所述第一倾斜部及所述第二倾斜部形成在所述第一发光二极管模块与所述第二发光二极管模块之间的交界的谷的间距,与仅在所述第一发光二极管模块及所述第二发光二极管模块中的任一个发光二极管模块上彼此相邻的两个像素之间形成的另一谷的间距相同。
15.根据权利要求1所述的显示器用发光二极管模块组件,其特征在于,
所述第一发光二极管模块及所述第二发光二极管模块还包括形成在所述第一吸光层的第一透光层及形成在第二吸光层的第二透光层。
16.根据权利要求15所述的显示器用发光二极管模块组件,其特征在于,
所述第一透光层及所述第二透光层分别包括:与所述多个谷接触的第一面;及平坦地形成在所述第一面的相反侧的第二面。
17.一种显示器用发光二极管模块组件,其为包括第一发光二极管模块及第二发光二极管模块的显示器用发光二极管模块组件,其特征在于,
所述第一发光二极管模块及所述第二发光二极管模块包括:
基板,其包括侧面相互贴合的第一单位基板及第二单位基板;
多个发光二极管芯片,其装配在所述基板上;以及
吸光层,其包括形成在所述第一单位基板上的第一吸光层及形成在所述第二单位基板上的第二吸光层,
并且,所述吸光层包括形成在多个发光二极管芯片之间的多个芯片之间的谷,
所述第一吸光层及所述第二吸光层包括:第一倾斜部及第二倾斜部,其从第一单位基板与所述第二单位基板之间的交界面上端边缘朝向所述第一单位基板及所述第二单位基板上的外廓发光二极管芯片各自的侧面上部倾斜地连接,
所述多个谷中的至少一个谷由所述第一倾斜部及所述第二倾斜部形成。
18.根据权利要求1所述的显示器用发光二极管模块组件,其特征在于,
所述第一发光二极管模块及所述第二发光二极管模块还包括形成在所述第一吸光层的第一透光层及形成在所述第二吸光层的第二透光层,并且,所述第一透光层及所述第二透光层分别包括:与所述谷及所述多个谷接触的第一面;及平坦地形成在所述第一面的相反侧的第二面。
19.一种显示器用发光二极管模块基板,其特征在于,包括
基板;
多个像素,其排列在所述基板上,并且每个像素包括红色发光二极管芯片、绿色发光二极管芯片、蓝色发光二极管芯片;
吸光层,其形成在所述基板上,并且包括相邻的发光二极管芯片之间的芯片之间的谷及相邻的像素之间的像素之间的谷;以及
透光层,其形成在所述发光二极管芯片的上部面及所述吸光层的上部面。
20.根据权利要求19所述的显示器用发光二极管模块组件,其特征在于,
所述透光层包括:与所述芯片之间的谷及所述像素之间的谷接触的第一面;及平坦地形成在所述第一面的相反侧的第二面。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20170132603 | 2017-10-12 | ||
KR10-2017-0132603 | 2017-10-12 | ||
KR1020180119031A KR102657094B1 (ko) | 2017-10-12 | 2018-10-05 | 디스플레이용 엘이디 모듈 조립체 |
KR10-2018-0119031 | 2018-10-05 | ||
PCT/KR2018/011922 WO2019074278A1 (ko) | 2017-10-12 | 2018-10-11 | 디스플레이용 엘이디 모듈 조립체 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109844948A true CN109844948A (zh) | 2019-06-04 |
Family
ID=63920614
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201880002168.2A Pending CN109844948A (zh) | 2017-10-12 | 2018-10-11 | 显示器用发光二极管模块组件 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10504878B2 (zh) |
JP (2) | JP6411685B1 (zh) |
KR (1) | KR102657094B1 (zh) |
CN (1) | CN109844948A (zh) |
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- 2018-10-04 US US16/152,380 patent/US10504878B2/en active Active
- 2018-10-05 KR KR1020180119031A patent/KR102657094B1/ko active IP Right Grant
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CN112736177A (zh) * | 2019-10-14 | 2021-04-30 | 隆达电子股份有限公司 | 发光二极管封装结构 |
US11616173B2 (en) | 2019-10-14 | 2023-03-28 | Lextar Electronics Corporation | Light emitting diode package |
US11978832B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-05-07 | Lextar Electronics Corporation | Light emitting diode package |
WO2021109009A1 (zh) * | 2019-12-03 | 2021-06-10 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 发光二极管及其制造方法、发光二极管模组、显示设备 |
CN113228317A (zh) * | 2019-12-03 | 2021-08-06 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 发光二极管及其制造方法、发光二极管模组、显示设备 |
CN113228317B (zh) * | 2019-12-03 | 2023-08-29 | 重庆康佳光电科技有限公司 | 发光二极管及其制造方法、发光二极管模组、显示设备 |
CN111162065A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-05-15 | 深圳大道半导体有限公司 | 半导体发光器件及其制造方法 |
TWI765491B (zh) * | 2020-03-27 | 2022-05-21 | 中國商京東方科技集團股份有限公司 | 顯示基板及其製備方法、顯示裝置 |
TWI820589B (zh) * | 2021-04-09 | 2023-11-01 | 群創光電股份有限公司 | 電子裝置及其製造方法 |
CN114899181A (zh) * | 2022-02-16 | 2022-08-12 | 友达光电股份有限公司 | 发光二极管显示装置及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10872882B2 (en) | 2020-12-22 |
KR20190041413A (ko) | 2019-04-22 |
US20190115329A1 (en) | 2019-04-18 |
JP6411685B1 (ja) | 2018-10-24 |
JP6678716B2 (ja) | 2020-04-08 |
JP2019075552A (ja) | 2019-05-16 |
KR102657094B1 (ko) | 2024-04-15 |
JP2019075528A (ja) | 2019-05-16 |
US20200066694A1 (en) | 2020-02-27 |
US10504878B2 (en) | 2019-12-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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