CN109814330A - 掩模、掩模容器以及掩模上累积的静电荷的放电方法 - Google Patents
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Abstract
本公开提供一种提供了掩模、掩模容器和掩模上累积的静电荷的放电方法。掩模包括遮罩基板、反射多层结构、覆盖层、吸收结构和导电材料结构。遮罩基板具有前侧表面和后侧表面。反射多层结构位于遮罩基板的前侧表面上方。覆盖层位于反射多层结构上方。吸收结构位于覆盖层上方。导电材料结构位于遮罩基板的侧壁表面和吸收结构的侧壁表面上方。
Description
技术领域
本公开涉及一种掩模以及掩模容器，特别涉及一种可将掩模上累积的静电荷放电的掩模以及掩模容器。
背景技术
半导体集成电路经历了指数级的成长，在集成电路材料以及设计上的技术进步下产生了多个世代的集成电路，且其中每一世代较前一世代具有更小更复杂的电路。然而，这些进步增加了处理和制造集成电路的复杂性，并且为了实现这些进步，在集成电路制程和制造中类似的发展是需要的。在集成电路演变过程中，功能密度(也就是每一芯片区域所具有的互连装置的数目)通常会增加，而几何尺寸(也就是可使用制造制程所产生的最小元件)会减小。
在与光刻图案化相关联的一个例子中，用于光刻制程的掩模(或遮罩)具有在其上定义电路图案，是会被转移到晶圆上。在先进的光刻技术中，使用反射式掩模来实现极紫外光(EUV)光刻制程。重要的是，EUV遮罩必须尽可能干净且无缺陷。
发明内容
本公开实施例提供一种掩模。掩模包括一遮罩基板、一反射多层(ML)结构、一覆盖层、一吸收结构和一导电材料结构。遮罩基板具有一前侧表面和一后侧表面。反射多层结构位于遮罩基板的前侧表面上方。覆盖层位于反射多层结构上方。吸收结构位于覆盖层上方。导电材料结构位于遮罩基板的一侧壁表面和吸收结构的一侧壁表面上方。
本公开实施例提供一种掩模容器。掩模容器包括一盖体、一底板和一放电装置。盖体配置以保护掩模。底板具有一顶表面，配置以与盖体接合，并且底表面与顶表面相对。放电装置是位于底板上。放电装置配置以中和在掩模上累积的静电荷。
本公开实施例提供一种掩模上累积的静电荷的放电方法。方法包括当掩模容置在掩模容器中时，通过放电装置产生的带正电的粒子或带负电的粒子来中和在掩模上累积的静电荷。方法还包括将掩模从掩模容器移除到光刻系统中的掩模静电夹。
附图说明
本公开可通过之后的详细说明并配合图示而得到清楚的了解。要强调的是，按照业界的标准做法，各种特征并没有按比例绘制，并且仅用于说明的目的。事实上，为了能够清楚的说明，因此各种特征的尺寸可能会任意地放大或者缩小。
图1是根据一些实施例的掩模的上视图。
图2A是沿图1的线A-A'截取的剖视图，表示一掩模的剖面。
图2B是沿图1的线B-B'截取一剖面图，表示一掩模的剖面。
图3A至图3D图是根据某些实施例的掩模的侧视图，表示了根据在掩模的侧壁表面上的导电材料结构的各种布置。
图4是根据一些实施例的一掩模容器的爆炸图。
图5A是根据一些实施例的掩模容器的内部盒的底板的上视图。
图5B是根据一些实施例的掩模容器的内部盒的底板的下视图。
图5C是沿图5中的线A-A'截取的剖视图，表示了根据一些实施例的掩模容器的内部盒的底板。
图6是从放电装置发射的α粒子的示意图。
图7是根据一些实施例的一光刻系统的示意图。
图8是根据一些实施例的累积在掩模上的静电荷的一放电方法的一流程图。
图9示出了根据一些实施例的累积在掩模上的静电荷的放电方法的阶段的示意图。
图10示出了根据一些实施例的累积在掩模上的静电荷的放电方法的阶段的示意图。
图11示出了根据一些实施例的累积在掩模上的静电荷的放电方法的阶段的示意图。
图12示出了根据一些实施例的累积在掩模上的静电荷的放电方法的阶段的示意图。
图13示出了根据一些实施例的累积在掩模上的静电荷的放电方法的阶段的示意图。
图14示出了根据一些实施例的在掩模上累积的静电荷的放电方法的一个阶段的示意图，当掩模定位在掩模静电夹上时。
其中，附图标记说明如下：
200 遮罩基板
201 前侧表面
203 后侧表面
205 侧壁表面
206 反射多层结构
210 覆盖层
211 侧壁表面
212 吸收结构
213 侧壁表面
216 反射区域
218 导电层
220 导电材料结构
220A、220B、220C和220D 导电材料结构
220B1 导电条
222 末端
224 末端
226 末端
228 末端
250 堆叠
252 前侧表面
254 后侧表面
260 轴
400、400A、400B、400C、400D 掩模
410 图案区域
420 边界区域
430 沟槽
432 桥接区域
500 掩模容器
510 外部盒
512 上盖部
514 底盖部
516 顶表面
518 支撑件
520 支撑件
522 紧固件
524 支撑件
540 内部盒
542 盖体
543 凸缘
544 底板
545 掩模区域
546 顶表面
547 周边区域
548 底表面
550 放电装置
551 固定装置
552 凹槽
554 顶表面
556 底表面
560 α粒子
562 带正电的粒子
564 带负电的粒子
600 光刻系统
610 掩模加载/卸载站
612 掩模加载端
613 壳体
614 掩模接口模块
615 机械臂
616 掩模加载锁定腔室
618 盖处理模块
619 保持构件
620 传送机构
622 掩模交换站
624 掩模静电夹
626 晶圆静电夹
628 辐射源
629 装载位置
630 晶圆加载/卸载站
631 原始位置
632 晶圆装载端
633 壳体
634 晶圆接口模块
635 机械臂
636 晶圆装载锁定腔室
640 传送机构
650 曝光腔室
660 极紫外光辐射
700 晶圆容器
702 晶圆
800 放电方法
802、804、806 操作
具体实施方式
以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本公开的不同特征。以下的公开内容叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。例如，若是本公开书叙述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征与上述第二特征是直接接触的实施例，亦可能包含了有附加特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使上述第一特征与第二特征可能未直接接触的实施例。另外，以下公开书不同范例可能重复使用相同的参考符号及/或标记。这些重复是为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。
此外，其与空间相关用词。例如“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，是为了便于描述图示中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在附图中示出的方位外，这些空间相关用词意欲包含使用中或操作中的装置的不同方位。装置可能被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，则在此使用的空间相关词也可依此相同解释。
描述了本公开的一些实施例。在这些实施例中所描述的阶段之前、期间及/或之后可以提供额外的操作。对于不同的实施例，可以替换或消除所描述的一些阶段。可以将额外的特征添加到半导体装置结构中。对于不同的实施例，可以替换或消除下面描述的一些特征。尽管以特定顺序执行操作来讨论了一些实施例，但是可以用另一逻辑顺序来执行这些操作
当前公开内容中所描述的先进光刻制程、方法、和材料可被使用于包括鳍式场效晶体管(fin-type field effect transistors,FinFETs)的各种应用中。举例而言，鳍结构可以被图案化以在结构之间产生相对较小的间隔，而所述公开内容是适合应用于此。再者，所述公开内容可以应用在用来形成鳍式场效晶体管的鳍结构的间隙壁(spacers)的制程。
图1是根据一些实施例的掩模400的上视图。图2A是沿图1的线A-A'截取的掩模400的剖视图。图2B是沿图1的线B-B'截取的掩模400的横截面图。如图1、图2A和图2B所示，掩模400可以具有一前侧表面252以及与前侧表面252相对的一后侧表面254。在一些实施例中，掩模400包括一堆叠250和一导电材料结构220，导电材料结构220覆盖堆叠250的一侧壁表面205。应当注意的是，图1是用于示出布置在掩模400上的各个部分，并且为了清楚起见，图1中未表示出掩模图案(例如，图2A和图2B中所示的一吸收结构212)。
在一些实施例中，掩模400包括一图案区域410，一边界区域420和一桥接区域432。在一些实施例中，图案区域410位于掩模400的中心部分中。在某些实施例中，边界区域420可以围绕图案区域410。在这样的实施例中，图案区域410可以通过如图2A所示的一沟槽430与边界区域420分离。在如图1所示的一些实施例中，沟槽430可以部分地围绕图案区域410。掩模400可以包括位于图案区域410和边界区域420之间的一或多个桥接区域432。掩模400的桥接区域432可以与图案区域410的一部分以及边界区域420的一部分互连，如图2B所示。
在一些实施例中，掩模400是极紫外(extreme ultraviolet，EUV)掩模。EUV光刻制程利用反射掩模而不是透射掩模。EUV光刻制程利用在极紫外(EUV)步进机发出在极紫外区域的光线，该区域的光是具有极紫外波长的光，例如10-15nm。在一些实施例中，EUV源产生波长为约13.6nm的EUV光。一些EUV步进机可以使用反射光学元件(意即镜子)并在真空环境中作用。EUV步进机可在形成于反射掩模上一的吸收层(例如，“EUV”掩模吸收体)上提供所需图案。在EUV范围内，所有材料都具有高吸收性。因此，使用反射光学元件而不是折射光学元件。
在一些实施例中，掩模400的堆叠250包括一遮罩基板200、一反射多层(ML)结构206、一覆盖层210和一吸收结构212，如图2A所示。另外，根据本公开的某些实施例，遮罩基板200，反射多层结构206、覆盖层210和吸收结构212可以位于掩模400的图案区域410、边界区域420和桥接区域432中。
如图2A和图2B所示，堆叠250的遮罩基板200可以具有一前侧表面201以及与前侧表面201相对的一后侧表面203。遮罩基板200可以由合适的材料制成，例如低热膨胀材料(LTEM)或熔融石英。在一些实施例中，LTEM包括掺杂SiO2的TiO2，或具有低热膨胀的其他合适材料。
堆叠250的反射多层结构206可以定位在遮罩基板200的前侧表面201上。根据菲涅耳方程式(Fresnel equations)，当光传播通过两种不同折射率的材料之间的界面时会发生光反射。层的折射率之间的差异越大，反射光在层上传播时的强度就越强。为了增加反射光的强度，在一些实施例中，可以使用多层交替材料来增加界面的数量，以使得从每个不同界面反射的光建设性地干涉。在一些实施例中，反射多层结构206包括多个膜对，例如钼-硅(Mo/Si)膜对(例如，每个膜对中的硅层在钼层的上方或下方)。在一些其他实施例中，反射多层结构206可以包括钼-铍(Mo/Be)膜对，或可配置为高度反射EUV光的其他合适材料。选择反射多层结构206的特性，使得它对于一选择的电磁辐射类型/波长提供高反射率。例如，为了EUV光刻的目的，反射多层结构206可以被设计为反射EUV范围内的光。反射多层结构206的每层的厚度取决于EUV波长和入射角。特别地是，可以调节反射多层结构206的厚度(以及膜对的厚度)以实现在每个界面处折射的EUV光的最大相长干涉以及EUV光的最小吸收。在一些实施例中，反射多层结构206中的膜对的数量可以在约20至约80的范围内。然而，可以使用任何数量的膜对。例如，反射多层结构206可以包括四十对Mo/Si层。举例来说，每个Mo/Si膜对具有约7nm的厚度，并且反射多层结构206具有280nm的总厚度。
在一些实施例中，堆叠250的覆盖层210定位在反射多层结构206上方。覆盖层210被设计为对EUV光透明并且保护反射多层结构206以免受损坏及/或氧化。另外，覆盖层210可以在覆盖层210上方的吸收结构212的图案化或修复/清洁过程中作为一蚀刻停止层。覆盖层210可以具有与吸收层不同的蚀刻特性。在一些实施例中，覆盖层210由钌(ruthenium，Ru)、Ru化合物(例如RuB和硅化钌)、铬、铬氧化物和铬氮化物形成。通常可以选择低温沉积制程来形成覆盖层210，以防止反射多层结构206的相互扩散。在某些实施例中，覆盖层210的厚度可以在约2nm至约7nm的范围内。
堆叠250的吸收结构212可以定位在覆盖层210上方。吸收结构212是用于在掩模400的前侧表面252上形成所需的曝光图案(例如，在图案区域410中的吸收结构212)。在一些实施例中，吸收结构212是吸收材料，以吸收投影到掩模400的图案区域410上的EUV波长范围内的辐射。举例来说，掩模400可以被称为二元强度掩模(BIM)。在一些实施例中，可以根据IC布局图案(或简称IC图案)来图案化吸收层210。举例来说，吸收层210可以被图案化以形成不透明区域214和反射区域216。在不透明区域214中，吸收层210可以保留在堆叠250上。入射光几乎被吸收器完全吸收。在反射区域216中，可以移除吸收层210并且入射光被下面的反射多层结构206所反射。在一些实施例中，图案区域410中的吸收结构212和边界区域420中的吸收结构212是电性连接到覆盖层210。
在一些实施例中，吸收结构212可以包括多重膜层，每个膜包含铬、氧化铬、氮化铬、钛、氧化钛、氮化钛、钽、氧化钽、氮化钽、氮氧化钽、钽氮化硼、钽氧化硼、钽硼氮氧化物、铝-铜、氧化铝、银、氧化银、钯、钌、钼、其他合适的材料、及/或上述某些的混合物。
在一些实施例中，掩模400还包括位于遮罩基板200的后侧表面203上的一导电层218，用于静电夹持。在一些实施例中，导电层218包括钽硼(TaB)、氮化铬(CrN)，但是在根据本公开的其他实施例中，其他合适的组合物也是可以使用的。
在一些实施例中，导电材料结构220是定位在遮罩基板200的一侧壁表面211以及吸收结构212的一侧壁表面213上方。导电材料结构220可以围绕导电层218。掩模400的导电材料结构220可以与吸收结构212和导电层218接触。此外，掩模400的导电材料结构220可以与反射多层结构206和覆盖层210接触。再者，导电材料结构220可以与边界区域中的吸收结构212接触，而不是与图案区域410中的吸收结构212接触。在一些实施例中，导电材料结构220由包括铜，铝，铝-铜，钴，钨，银，钯，钌，钼，其他合适的材料，及/或上述的一些材料混合的金属所形成。在一些实施例中，导电材料结构220可以具有与吸收结构212不同的蚀刻特性。例如，导电材料结构220可以由钌(Ru)、Ru化合物例如RuB、硅化钌、铬、铬氧化物和铬氮化物所形成。在一些实施例中，导电材料结构220可以通过物理气相沉积(PVD)制程(例如电镀制程)、原子层沉积(ALD)制程或其他合适的制程形成。另外，导电材料结构220可以通过低温沉积制程形成。
图3A至图3D是根据本公开的某些实施例的掩模400A、400B、400C和400D的侧视图。另外，图3A至图3D示出了根据某些实施例的导电材料结构220A、220B、220C和220D的各种布置。例如，如图3A所示，导电材料结构220A可以形成在掩模400A的堆叠250的整个侧壁表面205上。例如，如图3B所示，导电材料结构220B可以形成以覆盖掩模400B的堆叠250的侧壁表面205的一部分。根据本公开的某些实施例，导电材料结构220B可以包括多个导电条220B1。导电材料结构220B的每个导电条220B1可以具有一宽度W。导电材料结构220B的导电条220B1可以彼此分开一距离D。在一些实施例中，导电材料结构220B的每个导电条220B1的两个末端222和末端224是分别与掩模400B的叠层250的吸收结构212和导电层218接触。例如，如图3C所示，导电材料结构220C形成以覆盖掩模400C的堆叠250的侧壁表面205的一部分。导电材料结构220C可以是栅格形状。导电材料结构220C可以由彼此平行或交叉的间隔条构成。在一些实施例中，一些间隔条的末端是分别与掩模400C的吸收结构212和导电层218接触。例如，如图3D所示，导电材料结构220D可以是螺旋形状并且可以覆盖掩模400D的堆叠250的侧壁表面205的一部分。导电材料结构220D可以环绕垂直于遮罩基板200的前侧表面201的一轴260来形成。在一些实施例中，每个导电材料结构220D的两个末端226和末端228是分别与掩模400D的吸收结构212和导电层218接触。
在一些常用的掩模中，图案区域中的吸收结构的不透明区域(例如，掩模图案)可具有相对小的区域并且在掩模的前侧表面和后侧表面之间没有足够的导电路径。这样，当在光刻系统中执行光刻曝光制程时，通过掩模静电夹具所产生的静电力将掩模的后侧表面夹在掩模静电夹具上。另外，由静电力引起的感应静电荷可能积聚在掩模的前侧表面上。引起的静电荷在吸收结构的不透明区域上形成一相对高的静电场并导致静电放电损害。
在一些实施例中，掩模(例如，掩模400、400A、400B、400C和400D)包括覆盖堆叠250的侧壁表面205的导电材料结构(例如，导电材料结构220、220A、220B、220C和220D)。导电材料结构可以与吸收结构212和导电层218接触。另外，吸收结构212可以位于靠近前侧表面252的位置，并且导电层218可以位于靠近掩模400的后侧表面254的位置。当掩模的导电材料结构与掩模静电夹具接触，这种布置可以将累积在掩模400的前侧表面252上的静电荷传导到掩模静电夹具。因此，导电材料结构可以保护吸收结构212的不透明区域214(例如掩模图案)免受静电放电伤害。
当掩模在周围环境中运输或传送时，空气分子可能会摩擦掩模。静电荷可以在吸收结构和遮罩基板的表面上感应与累积。因为每个掩模图案具有相对小的面积，所以吸收结构和遮罩基板上的感应静电荷在其上形成相对高的静电势。由于电势而附着在掩模上的微粒污染物(例如颗粒、粉末和有机物质)可能导致投影图案品质的下降。因此，可以通过定位在一掩模容器内来运输或传送掩模，以便保持掩模的清洁度。
图4是根据一些实施例的一掩模容器500的爆炸图。掩模容器500可以是一双掩模盒(dual reticle pod)，被配置以容纳掩模400。在一些实施例中，掩模容器500包括一外部盒510和一内部盒540。外部盒510可以包括一上盖部512以及一底盖部514。底盖部514可以接合到上盖部512以定义由底盖部514的一顶表面516以及上盖部512的一内表面所围绕的空间。底盖部514可以包括位在顶表面516上的多个支撑件518，并且上盖部512可以包括朝向底盖部514突出的多个支撑件520。因此，通过接合上盖部512和底盖部514所形成的空间可以容纳并固定内部盒540。
在一些实施例中，内部盒540被配置以使得外部盒510可以装配在内部盒540周围。例如，内部盒540可以适当地放置在由外部盒510所定义的空间中。此外，内部盒540可具有与外部盒510对应的适当尺寸和形状。在一些实施例中，内部盒540包括一盖体542和一底板544。盖体542可以配置以保护掩模400。此外，盖体542可包括一紧固件522，并且紧固件522是靠近盖体542的周边区域中的四个角落位置。紧固件522可以帮助盖体542固定至底板544。底板544可具有一顶表面546以及与顶表面546相对的一底表面548。此外，底板544可包括定位在顶表面546上的多个支撑件524。支撑件524是靠近底板544的周边区域中的四个角落定位。因此，掩模400的四个角落可以由支撑件524来支撑。底板544可以被配置以接合于盖体542，以形成由底板544的顶表面546和盖体542的一内表面所围绕的空间。另外，通过将盖体542与底板544邻接在一起而形成的空间可以容纳掩模400。当内部盒540紧固在外部盒510中时，内部盒540的底板544可以与外部盒510的底盖部514的支撑件518接触。掩模400是位于内部盒540中，并且内部盒540是位于掩模容器500的外部盒510中。如此一来，可以进一步对于掩模400提供保护。
图5A、图5B和图5C分别是掩模容器500的内部盒540的底板544的上视图、下视图以及横截面图。在一些实施例中，底板544的顶表面546具有一掩模区域545以及一周边区域547，周边区域547环绕掩模区域545。掩模区域545是设置以支撑掩模400(图4)。掩模容器500的内部盒540还包括一个或多个放电装置550，定位在底板544的掩模区域545中。在一些实施例中，当掩模400是由底板544支撑且在一周围环境或一真空环境中运输或传送时，放电装置550配置以中和在掩模400上累积的静电荷。
在一些实施例中，放电装置550是定位在底板544的一凹槽552中，如图5C所示。另外，放电装置550可以通过一固定装置(例如螺丝)551固定。凹槽552可以在掩模区域545中通过凹陷底板544的顶表面546形成。放电装置550的一顶表面554可以位于底板544的顶表面546和底表面548之间。此外，凹槽552的一底表面556可以位于底板544的顶表面546和底表面548之间。因此，放电装置550暴露于底板544的顶表面546。当掩模400是由底板544支撑时，放电装置550的顶表面554可面向掩模400的前侧表面252。再者，底板544的底表面548可以覆盖放电装置550。
放电装置550可包括一α-离子产生器(未示出)。α-离子产生器可以配置以发射α粒子560，以与空气中的氢气(H2)碰撞并使其离子化，从而产生带正电的粒子562或带负电的粒子564，如图6所示。带正电的粒子562或带负电的粒子564可以吸引它们的对应物以便中和掩模400上的静电荷。
在一些实施例中，掩模容器500包括固定在内部盒540的底板544上的放电装置550。例如，放电装置550可以连续地产生带正电的颗粒或带负电的颗粒。例如，放电装置550可以通过一控制器(未示出)间歇地产生带正电的粒子或带负电的粒子。当定位在内部盒540中(或底板544上)的掩模400在周围环境中或在真空环境中运输或传送时，其中累积在掩模400上的感应静电荷可被放电装置550中和。因此，掩模容器500可以防止掩模400受到颗粒污染(例如颗粒、粉末和有机物质)。
图7是根据一些实施例的一光刻系统600的示意图。在一些实施例中，光刻系统600包括一光刻曝光设备。光刻曝光设备可以是一极紫外(extreme ultraviolet，EUV)步进机或其他类似的机台。在一些实施例中，光刻系统600包括一掩模加载/卸载站610、一晶圆加载/卸载站630和一曝光腔室650。根据某些实施例，掩模加载/卸载站610可以被配置以在掩模容器500内加载、卸载和转移掩模400。根据某些实施例，晶圆加载/卸载站630可以被配置为以一晶圆容器700中装载、卸载和传送晶圆702。另外，曝光腔室650可以被配置以执行光刻曝光制程。曝光腔室650是连接到掩模加载/卸载站610和晶圆加载/卸载站630。应当理解的是，在光刻曝光系统600的其他实施例中，下面描述的特征可以替换或消除。
在一些实施例中，掩模加载/卸载站610包括一掩模加载端612、一掩模接口模块614和一掩模加载锁定腔室616。掩模加载端612可以被配置以加载掩模容器500，其中掩模容器500存储有掩模400。掩模接口模块614可以配置以从外部盒510处理内部盒540。在一些实施例中，掩模接口模块614包括一壳体613，以及一个或多个传送装置，例如一机械臂615。在一些实施例中，掩模接口模块614包括一设备前端模块(equipment front end module，EFEM)。在某些实施例中，机械臂615是设置在壳体613内并且被配置用于物理地运输内部盒540。例如，机械臂615可以将内部盒540从外部盒510取回到壳体613，或者机械臂615可以将内部盒540输送到掩模加载锁定腔室616和从掩模加载锁定腔室616移出。然而，机械臂615可以输送内部盒540的位置不受本实施例的限制。
掩模加载锁定腔室616是位于掩模接口模块614和曝光腔室650之间。掩模加载锁定腔室616被配置以通过将其与掩模接口模块614分离来保持曝光腔室650内的气压。掩模加载锁定腔室616能够产生与曝光腔室650或掩模接口模块614相容的气压，取决于装载的内部盒540预定接下来的位置。这可以通过例如添加气体或产生真空的装置改变掩模加载锁定腔室616的气体含量以及用于调节掩模加载锁定腔室616中的气压的其他合适装置来执行。
在一些实施例中，晶圆加载/卸载站630包括一晶圆装载端632、一晶圆接口模块634和一晶圆装载锁定腔室636。晶圆装载端632可配置以装载用于存储晶圆702的晶圆容器700。晶圆接口模块634可以被配置为从晶圆容器700处理晶圆。根据一些实施例，晶圆接口模块634包括一壳体633和一个或多个传送装置，例如一机械臂635。在一些实施例中，晶圆接口模块634包括一设备前端模块(equipment front end module，EFEM)。机械臂635是设置在壳体633内。机械臂635被配置用于物理地运输晶圆702。例如，机械臂635可以将晶圆702从晶圆容器700取回到壳体633，或者机械臂635可以将晶圆702输送到晶圆装载锁定腔室636和从晶圆装载锁定腔室636移出。然而，机械臂635可以输送晶圆702的位置不受本实施例的限制。
晶圆装载锁定腔室636是位于晶圆界面模块634和暴露曝光腔室650之间。晶圆装载锁定腔室636被配置以通过将其与晶圆接口模块634分离来保持曝光腔室650内的气压。晶圆装载锁定腔室636能够产生与曝光腔室650或晶圆接口模块634相容的气压，取决于晶圆预定接下来的位置。这可以通过例如添加气体或产生真空的装置改变晶圆装载锁定腔室636的气体含量以及用于调节晶圆装载锁定腔室636中的气压的其他合适装置来执行。
在一些实施例中，曝光腔室650包括一盖处理模块618、一传送机构620、一掩模交换站622、一掩模静电夹(E-clamp)624，一晶圆静电夹(E-clamp)626以及一辐射源628。曝光腔室650在一超高真空压力下保持真空环境，其范围为约10-6Pa至约10-10Pa。盖处理模块618、传送机构620、掩模交换站622、掩模静电夹624、晶圆静电夹626和辐射源628是定位在曝光腔室650中。盖处理模块618被配置以存储由内部盒540移除的一或多个盖体542。在一些实施例中，盖处理模块618包括多个保持构件619，用以支撑从内部盒540移除的盖体542。掩模静电夹624被配置用于在光刻曝光制程的期间固定掩模400。晶圆静电夹626被配置用于在光刻曝光制程期间固定晶圆。在一些实施例中，掩模静电夹624和晶圆静电夹626是通过产生一静电场来产生夹持力。
在掩模400由掩模静电夹624固定的前或者从掩模静电夹624释放底板544之后，掩模交换站622被配置以支撑内部盒540的底板544。在一些实施例中，掩模交换站622是相对于掩模静电夹624定位。在一些其他实施例中，掩模交换站622能够通过一驱动构件(例如线性马达(未示出))移动。为了将掩模400放置在掩模静电夹624的一预设位置上，一对准工具(例如照相机，图中未示出)产生关于掩模交换站622及/或掩模静电夹624的位置的信息，并且通过使用来自对准工具的信息移动掩模交换站622，以对掩模交换站622相对于掩模静电夹624执行对准处理。
传送机构620配置以在曝光腔室650内传送将内部盒540或内部盒540的底板544。传送机构620可以升高，向左和向右移动，向前和向后移动，以及绕一垂直轴旋转，以便在掩模加载锁定腔室616、盖处理模块618和掩模交换站622之间传送内部盒540的内部盒540或内部盒540的底板544。
图8是根据一些实施例的累积在掩模400上的静电荷的一放电方法800的一简化流程图。为了说明的缘故，将配合图7以及图9至图13描述流程图。在不同的实施例中，一些所描述的阶段可以被替换或消除。
放电方法800可以包括操作802，其中具有掩模400的掩模容器500是被放置到光刻系统600中。在一些实施例中，掩模400包括堆叠250和导电材料结构220，连接于掩模400的吸收结构212和导电层218(图1、图2A和图2B)。在一些实施例中，掩模容器500包括外部盒510和内部盒540。另外，放电装置550是定位在底板540上以及在内部盒540中(图4与图5A-图5C)。
在一些实施例中，为了使用掩模400以执行光刻曝光制程，包含内部盒540中的掩模400的掩模容器500是放置在光刻系统600的掩模加载端612上，如图7所示。在将掩模容器500放置在掩模加载端612上之后，通过机械臂615将内部盒540从外部盒510移除，并且沿着如图9中的箭头所示的方向朝向掩模加载锁定腔室616移动。
在一些实施例中，放电方法800还可包括将具有晶圆702的晶圆容器700放入光刻系统600中。包含晶圆702的晶圆容器700是放置在光刻系统600的晶圆装载端632上，如图7所示。在将晶圆容器700放置在晶圆装载端632上之后，通过机械臂635将晶圆702从晶圆容器700移除，并沿着如图9中箭头所示的方向朝晶圆装载锁定腔室636移动。
放电方法800还包括操作804，其中当掩模400是容置在掩模容器500内时，在掩模400上累积的静电荷被放电装置550产生的带正电的粒子562或带负电的粒子564(图6)所中和。例如，当掩模400从掩模加载端612传送并在周围环境中朝向掩模加载锁定腔室616移动时，在掩模400上累积的感应静电荷可被内部容器540中的放电装置550产生的带正电的粒子562或带负电的粒子564(图6)所中和，如图7、图9和图10所示。
当内部盒540放置在掩模加载锁定腔室616中时，机械臂615回到掩模接口模块614中的壳体613，如图10所示。此时，掩模加载锁定腔室616被密封，并且通过诸如添加气体或产生气体的方式改变掩模加载锁定腔室616的气体含量或产生真空，以及用于调节掩模加载锁定腔室616中的气压的其他合适的装置，来产生与曝光腔室650中的真空压力相容的气压。当达到正确的气压时，传送机构620将内部盒540从掩模加载锁定腔室616移除。如此一来，在具有掩模400的掩模容器500放置在光刻系统600中，如图10所示，内部盒540与掩模400一起从周围环境(即外部盒510和壳体613中的空间)传送到掩模加载锁定腔室616中的真空环境(即曝光腔室650中的空间)。
例如，当内部盒540与掩模400一起从周围环境传送到真空环境时，累积在掩模400上的静电荷可以连续地或间歇地可以被放电装置550产生的带正电的粒子562或者带负电的粒子564(图6)所中和，当掩模400是容置在内部盒540中时。
在一些实施例中，放电方法800还可以包括将晶圆702从大气中传送到真空环境。当晶圆702放置在晶圆装载锁定腔室636中时，晶圆702从周围环境(即晶圆容器700和壳体633中的空间)传送到真空环境(即曝光腔室650中的空间)。之后，传送机构640将晶圆702从晶圆装载锁定腔室636中移除，如图10所示。
放电方法800还包括操作806，其中来自掩模容器500的内部盒540的掩模400被移除到光刻系统600中的掩模静电夹624。在一些实施例中，在内部盒540被移动到真空环境中后，内部盒540是通过传送机构620传送到盖处理模块618，如图11所示。在盖处理模块618中，盖体542的一凸缘543是由保持构件619所支撑，并且通过使底板544沿图11中箭头所示的方向移动，盖体542会留在保持构件619上。如此一来，盖体542在真空环境中从底板544和内部盒540的放电装置550移除。此时，掩模400是放置在放电装置550和底板544上，并且底板544是暴露于真空环境。
例如，当底板544上的掩模400暴露于真空环境(例如，曝光腔室650中的空间)时，累积在掩模400上的静电荷可以连续地或者间歇地通过放电装置550产生的带正电的粒子562或带负电的粒子564(图6)中和，当掩模400是容置在内部盒540中时。
在一些实施例中，放电方法800可以进一步包括将晶圆702朝向晶圆静电夹626移除。在一些实施例中，在晶圆702移动到真空环境中之后，晶圆702通过传送机构640传送到曝光腔室650，如图11所示。
在一些实施例中，在将盖体542从底板544移除之后，通过传送机构620将放电装置550和掩模400放置在掩模交换站622上，如图12所示。例如，掩模交换站622可以位于掩模静电夹624下方的位置。
在一些实施例中，放电方法800还可以包括将晶圆702放置在晶圆静电夹626上。如此一来，晶圆702可以被晶圆静电夹626产生的夹紧力所固定，并且是晶圆702准备用于光刻曝光制程，例如接受极紫外(EUV)光。
之后，将掩模交换站622升高到一装载位置629，如图13中的虚线所示，以在掩模400和掩模静电夹624之间产生直接接触。如此一来，掩模400可以通过掩模静电夹624产生的夹紧力来固定，并且掩模400是准备用于光刻曝光制程，例如接受极紫外(EUV)光。在通过掩模静电夹624来固定掩模400之后，空的底板544下降到其原始位置631，如图13中的实线所示。
当掩模400与掩模静电夹624接触时，导电材料结构220通过导电层218电性连接到掩模静电夹624。因此，在掩模400上累积的静电荷是通过导电材料结构220和导电层218传导到掩模静电夹624，如图14所示。
在将掩模从掩模静电夹移除之后，使用掩模400和辐射源628在真空环境中对晶圆702执行光刻曝光制程，如图13所示。在一些实施例中，辐射源628被配置以产生具有约13.5nm为中心的波长的极紫外光辐射660。例如，辐射源628利用激光产生等离子体(laser-produced plasma，LPP)并通过使用激光将诸如锡滴的介质加热成高温等离子体，来产生极紫外光辐射660。
通过辐射源628产生的极紫外光辐射660可以通过照明器模块(未示出)来聚焦并成形。照明器模块可以包括折射式光学元件，包括单片透镜及/或阵列透镜(例如，区域板)，并且可以包括反射式光学元件，包括单片透镜及/或透镜阵列。光学元件被配置和对准以将由辐射源628发射的辐射投射到维持在掩模静电夹624中的掩模400上。照明器模块的光学元件还可以沿着光路径对调整辐射形状，以在掩模400上产生特定照明图案(例如，图案区域410中的吸收结构212)。
在被掩模400吸收或反射之后，辐射被引导通过一投影模块(未示出)，也称为投影光学盒(projection optics box，POB)。类似于照明器模块，投影模块可以包括折射式光学元件。投影模块的光学元件被配置和对准以引导穿过掩模400或从掩模400反射的辐射并将此辐射投射到晶圆702上，其中晶圆702是固定于晶圆静电夹626。
当执行光刻曝光制程时，累积在掩模400上(例如，在掩模400的前侧表面252上)的静电荷是通过导电材料结构220以及导电层218传导到掩模静电夹624，如图14所示。
在执行光刻曝光制程之后，通过传送机构620将掩模400从掩模静电夹624移除至掩模容器500的底板544，如图12所示。之后，盖体542可以与放电装置550一起重新连接到底板544，以在真空环境中的曝光腔室650中形成内部盒540。
之后，由内部盒540固定的掩模400可以在真空环境中从曝光腔室650传送到掩模加载锁定腔室616。此时，掩模加载锁定腔室616可以产生与掩模接口模块614相容的气压。当达到正确的气压时，机械臂615将内部盒540从掩模加载锁定腔室616移除到掩模接口模块614。如此一来，内部盒540与掩模400一起从真空环境(即曝光腔室650中的空间)传送到周围环境(意即，外部盒510以及壳体613中的空间)。
之后，掩模加载锁定腔室616中的内部盒540朝向掩模加载端612移动并且通过机械臂615放置到外部盒510中。因此，掩模400被放置在掩模容器500中。
例如，在执行光刻曝光制程之后，在掩模400从掩模静电夹624到掩模容器500的传送路径期间，掩模400可以与放电装置550一起放置在底板544上。因此，累积在掩模400上的静电荷可以连续地或可以间歇地通过放电装置550产生的带正电的粒子562或带负电的粒子564(图6)所中和。
在执行光刻曝光制程之后，从晶圆静电夹626移除晶圆702并将其传送回到晶圆装载端632并且放入晶圆容器700中。更具体而言，可以在真空环境中通过传送机构640将曝光腔室650中的晶圆静电夹626上移除晶圆702以传送到晶圆装载锁定腔室636。当晶圆702放置在晶圆装载锁定腔室636中时，晶圆702从真空环境转移到周围环境。之后，在晶圆装载锁定腔室636中的晶圆702可以被移除以朝向晶圆装载端632移动并且通过机械臂635放置到晶圆容器700中。
在一些实施例中，累积在掩模400上的静电荷的放电方法800是利用于光刻系统600中，以执行光刻曝光制程。例如，放电方法800可以使用固定在掩模容器500(图4、图5A、图5B和图5C)中的掩模400(图1、图2A和图2B)。当掩模400是放置在周围环境或真空环境中的掩模容器500的底板544上时，累积在掩模400上的静电荷可以被底板544上的放电装置550所产生的带正电的粒子562或由带负电的粒子564连续地或间歇地中和。因此，掩模容器500可以防止掩模400受到周围环境或真空环境中的微粒污染。当掩模400与掩模静电夹624接触时(准备用于光刻曝光制程或在光刻曝光制程期间)，掩模400的导电材料结构220是电性连接到掩模静电夹624。累积在掩模400上的静电荷是通过掩模400的导电材料结构220传导到掩模静电夹624。因此，导电材料结构220可以保护掩模400的图案区域410中的吸收结构212免受静电放电损坏。
如先前所描述，掩模(例如，掩模400、400A、400B、400C和400D)包括位于遮罩基板200的侧壁表面211以及吸收结构212的侧壁表面213上方的导电材料结构(例如，导电材料结构220、220A、220B、220C和220D)。在一些实施例中，导电材料结构与遮罩基板200的后侧表面203上方的吸收结构和导电层接触。当掩模的导电材料结构与掩模静电夹接触时，导电材料结构可以将累积在掩模400的前侧表面252上的静电荷传导到掩模静电夹(例如光刻系统600中的掩模静电夹624)。因此，导电材料结构可以保护掩模的吸收结构212的不透明区域214(例如，掩模图案)免受静电放电损坏。
如前所述，掩模容器500包括在底板544上的放电装置550。在一些实施例中，放电装置配置以中和在掩模上累积的静电荷。当掩模包含在掩模容器500中或者在周围环境或真空环境中放置在底板544上时，放电装置可以连续地或间歇地产生带正电的粒子562或带负电的粒子564以中和累积在掩模400上的静电荷。
如前所述，累积在掩模400上的静电荷的放电方法800包括当掩模400是容置在掩模容器500中(例如，在底板540上和内部盒540中)，通过放电装置550产生的带正电的粒子562或带负电的粒子564中和累积在掩模上的静电电荷。因此，掩模容器500可以防止掩模400受到周围环境或真空环境中的微粒污染。另外，累积在掩模400上的静电荷的放电方法800可以包括：当掩模400的导电材料结构220是接触光刻系统600中的掩模静电夹624时，通过导电材料结构220将累积在掩模400上的静电荷传导到掩模静电夹624。因此，导电材料结构220可以保护掩模400的图案区域410中的吸收结构212免受静电放电损坏。
本公开提供了一掩模、一掩模容器和累积在掩模上的静电荷的放电方法的实施例。掩模包括一遮罩基板、一反射多层(ML)结构、一覆盖层、一吸收结构和一导电材料结构。遮罩基板具有一前侧表面和一后侧表面。反射多层结构位于遮罩基板的前侧表面上方。覆盖层位于反射多层结构上方。吸收结构位于覆盖层上方。导电材料结构位于遮罩基板的一侧壁表面和吸收结构的一侧壁表面上方。导电材料结构可以保护掩模的图案区域中的吸收结构免受静电放电损坏。
根据本公开一些实施例，该导电材料结构围绕该导电层。
根据本公开一些实施例，该导电材料结构包括多个导电条，其中每个导电条具有两个末端，分别接触该吸收结构和该导电层。
根据本公开一些实施例，该导电材料结构是绕垂直于该遮罩基板的该前侧表面的一轴以呈现螺旋形状。
在一些实施例中，提供了一种掩模。掩模包括一遮罩基板、一反射多层(ML)结构、一覆盖层、一吸收结构和一导电材料结构。遮罩基板具有一前侧表面和一后侧表面。反射多层结构位于遮罩基板的前侧表面上方。覆盖层位于反射多层结构上方。吸收结构位于覆盖层上方。导电材料结构位于遮罩基板的一侧壁表面和吸收结构的一侧壁表面上方。
根据本公开一些实施例，该图案区域中的该吸收结构和该边界区域中的该吸收结构是电性连接到该覆盖层。
在一些实施例中，提供了一种掩模容器。掩模容器包括一盖体、一底板和一放电装置。盖体配置以保护掩模。底板具有一顶表面，配置以与盖体接合，并且底表面与顶表面相对。放电装置是位于底板上。放电装置配置以中和在掩模上累积的静电荷。
根据本公开一些实施例，该放电装置包括一α离子发生器，配置以发射α粒子。
根据本公开一些实施例，该放电装置的一顶表面位于该底板的该顶表面和该底表面之间。
根据本公开一些实施例，放电装置位于该底板的一凹槽中。
根据本公开一些实施例，该凹槽的一底表面位于该底板的该顶表面和该底表面之间。
在一些实施例中，提供了一种掩模上累积的静电荷的放电方法。此放电方法包括当掩模容置在掩模容器中时，通过放电装置产生的带正电的粒子或带负电的粒子来中和在掩模上累积的静电荷。此放电方法还包括将掩模从掩模容器移除到光刻系统中的掩模静电夹。
根据本公开一些实施例，当该掩膜容器和该掩膜放置在该光刻系统的一掩膜加载锁定腔室中时，具有该掩膜的该掩膜容器从该周围环境传送到该真空环境
根据本公开一些实施例，在执行光刻曝光制程之后，将该掩膜从该掩膜静电夹移除到该掩膜容器。
前述内文概述了许多实施例的特征，使本技术领域中技术人员可以从各个方面更佳地了解本公开。本技术领域中技术人员应可理解，且可轻易地以本公开为基础来设计或修饰其他制程及结构，并以此达到相同的目的及/或达到与在此介绍的实施例等相同的优点。本技术领域中技术人员也应了解这些相等的结构并未背离本公开的发明构思与范围。在不背离本公开的发明构思与范围的前提下，可对本公开进行各种改变、置换或修改。
Claims (10)
1.一种掩模，包括：
一遮罩基板具有一前侧表面和一后侧表面；
一反射多层结构，位于该遮罩基板的该前侧表面上方；
一覆盖层，位于该反射多层结构上方；
一吸收结构，位于该覆盖层上方；以及
一导电材料结构，位于该遮罩基板的一侧壁表面和该吸收结构的一侧壁表面上方。
2.如权利要求1所述的掩模，还包含：
一导电层，位于该遮罩基板的该后侧表面，其中，该导电材料结构接触该吸收结构以及该导电层。
3.如权利要求1所述的掩模，其中该掩模包括：
一图案区域；
一边界区域，围绕该图案区域且与该图案区域分离；以及
一桥接区域，介于该图案区域和该边界区域之间，其中，该桥接区域连接该图案区域和该边界区域；
其中，该覆盖层和该吸收结构位于该图案区域、该边界区域和该桥接区域中。
4.一种掩模容器，包括：
一盖体，配置以保护一掩模；
一底板，包括：
一顶表面，配置以与该盖体接合；以及
一底表面，相对于该顶表面；以及
一放电装置，位于该底板上，其中，该放电装置配置以中和在该掩模上累积的静电荷。
5.如权利要求4所述的掩模容器，其中，该底板的该顶表面具有一掩模区域，配置以支撑该掩模和环绕该掩模区域的一周边区域。
6.一种掩模上累积的静电荷的放电方法，包括：
当该掩模容置在一掩模容器中时，通过放电装置产生的带正电的粒子或带负电的粒子来中和在一掩模上累积的静电荷；以及
将该掩模从该掩模容器移除到一光刻系统中的一掩模静电夹。
7.如权利要求6所述的掩模上累积的静电荷的放电方法，其中，该掩模包括一导电材料结构，连接至该掩模的一遮罩基板和该掩模的一吸收结构，该方法还包括：
当该掩模的该导电材料结构接触该掩模静电夹时，通过该导电材料结构将累积在该掩模上的静电荷传导到该掩模静电夹。
8.如权利要求6所述的掩模上累积的静电荷的放电方法，还包括：
在将该掩模从该掩模容器移除到该光刻系统中的该掩模静电夹之前，将该掩模容器与该掩模从一周围环境传送到该光刻系统中的一真空环境。
9.如权利要求6所述的掩模上累积的静电荷的放电方法，还包括：
在将该掩模从该掩模容器移除到该掩模静电夹之后，使用该掩模在该真空环境中执行光刻曝光制程。
10.如权利要求6所述的掩模上累积的静电荷的放电方法，其中，将该掩模从该掩模容器移除到该掩模静电夹的步骤还包括：
在真空环境中从一底板和该掩模容器的该放电装置上移除该掩模容器的一盖体；
将该掩模和该掩模容器的该底板传送到该真空环境中该掩模静电夹下方的位置。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114364952A (zh) * | 2019-09-11 | 2022-04-15 | I·M·A·工业机械自动装置股份公司 | 用于中和存在于容器和/或容器保持盘的表面上的静电的装置和方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11088003B2 (en) * | 2019-01-28 | 2021-08-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device |
| US11874596B2 (en) * | 2020-09-30 | 2024-01-16 | Gudeng Precision Industrial Co., Ltd | Workpiece container system |
| CN113314462B (zh) * | 2021-05-26 | 2022-03-22 | 惠科股份有限公司 | 驱动电路的制造方法、驱动电路和光罩 |
| US20230064383A1 (en) * | 2021-08-30 | 2023-03-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reticle enclosure for lithography systems |
| TW202323984A (zh) * | 2021-12-08 | 2023-06-16 | 陳啓仲 | 基於微影用途之光罩保持容器 |
| WO2024014207A1 (ja) * | 2022-07-14 | 2024-01-18 | Ａｇｃ株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスク、反射型マスクの製造方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001075943A2 (en) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Xilinx, Inc. | Methods and structures for protecting reticles from esd failure |
| US20020115001A1 (en) * | 2001-02-21 | 2002-08-22 | Chen-Chiu Hsue | Electrostatic discharge effect free mask |
| US20060154153A1 (en) * | 2005-01-10 | 2006-07-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Anti-ESD photomask blank |
| CN201091030Y (zh) * | 2007-09-30 | 2008-07-23 | 家登精密工业股份有限公司 | 掩膜盒与掩膜传送盒及其支撑件 |
| TW201248312A (en) * | 2011-05-20 | 2012-12-01 | Hermes Microvision Inc | Structure for discharging extreme ultraviolet mask |
| CN103748660A (zh) * | 2011-08-25 | 2014-04-23 | 凸版印刷株式会社 | 反射型掩模及其制造方法 |
| CN105629657A (zh) * | 2014-11-26 | 2016-06-01 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | Euv掩模和通过使用euv掩模的制造方法 |
| CN106486345A (zh) * | 2015-08-26 | 2017-03-08 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 掩膜结构的制造方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8764995B2 (en) | 2010-08-17 | 2014-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof |
| EP2555234B1 (en) * | 2011-08-02 | 2020-08-19 | ASML Holding N.V. | Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp |
| NL2009332A (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and substrate handling method. |
| US8841047B2 (en) | 2012-04-02 | 2014-09-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet lithography process and mask |
| US8877409B2 (en) | 2012-04-20 | 2014-11-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reflective mask and method of making same |
| US8828625B2 (en) | 2012-08-06 | 2014-09-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet lithography mask and multilayer deposition method for fabricating same |
| US9093530B2 (en) | 2012-12-28 | 2015-07-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fin structure of FinFET |
| WO2014122151A2 (en) * | 2013-02-07 | 2014-08-14 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus and method |
| US8796666B1 (en) | 2013-04-26 | 2014-08-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | MOS devices with strain buffer layer and methods of forming the same |
| US9490153B2 (en) * | 2013-07-26 | 2016-11-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Mechanical alignment of substrates to a mask |
| US9548303B2 (en) | 2014-03-13 | 2017-01-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | FinFET devices with unique fin shape and the fabrication thereof |
| US9529268B2 (en) | 2014-04-03 | 2016-12-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Systems and methods for improving pattern transfer |
| US9256123B2 (en) | 2014-04-23 | 2016-02-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of making an extreme ultraviolet pellicle |
| US9184054B1 (en) | 2014-04-25 | 2015-11-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for integrated circuit patterning |
-
2018
- 2018-01-31 US US15/884,801 patent/US10802394B2/en active Active
- 2018-11-16 CN CN201811365845.5A patent/CN109814330B/zh active Active
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-
2020
- 2020-10-08 US US17/066,181 patent/US11320733B2/en active Active
-
2022
- 2022-04-29 US US17/733,616 patent/US11703763B2/en active Active
-
2023
- 2023-05-31 US US18/326,210 patent/US11982944B2/en active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001075943A2 (en) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Xilinx, Inc. | Methods and structures for protecting reticles from esd failure |
| US20020115001A1 (en) * | 2001-02-21 | 2002-08-22 | Chen-Chiu Hsue | Electrostatic discharge effect free mask |
| US20060154153A1 (en) * | 2005-01-10 | 2006-07-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Anti-ESD photomask blank |
| CN201091030Y (zh) * | 2007-09-30 | 2008-07-23 | 家登精密工业股份有限公司 | 掩膜盒与掩膜传送盒及其支撑件 |
| TW201248312A (en) * | 2011-05-20 | 2012-12-01 | Hermes Microvision Inc | Structure for discharging extreme ultraviolet mask |
| CN103748660A (zh) * | 2011-08-25 | 2014-04-23 | 凸版印刷株式会社 | 反射型掩模及其制造方法 |
| CN105629657A (zh) * | 2014-11-26 | 2016-06-01 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | Euv掩模和通过使用euv掩模的制造方法 |
| CN106486345A (zh) * | 2015-08-26 | 2017-03-08 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 掩膜结构的制造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114364952A (zh) * | 2019-09-11 | 2022-04-15 | I·M·A·工业机械自动装置股份公司 | 用于中和存在于容器和/或容器保持盘的表面上的静电的装置和方法 |
| CN114364952B (zh) * | 2019-09-11 | 2023-11-28 | I·M·A·工业机械自动装置股份公司 | 用于中和存在于容器和/或容器保持盘的表面上的静电的装置和方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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