CN109804464A - 电子基板和电子设备 - Google Patents

电子基板和电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN109804464A
CN109804464A CN201780063157.0A CN201780063157A CN109804464A CN 109804464 A CN109804464 A CN 109804464A CN 201780063157 A CN201780063157 A CN 201780063157A CN 109804464 A CN109804464 A CN 109804464A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
underfilling
electronic chip
electric substrate
flows
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201780063157.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109804464B (zh
Inventor
前原正孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Semiconductor Solutions Corp
Original Assignee
Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Semiconductor Solutions Corp filed Critical Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority to CN202310811367.0A priority Critical patent/CN116960068A/zh
Publication of CN109804464A publication Critical patent/CN109804464A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109804464B publication Critical patent/CN109804464B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
    • H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/02233—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body not in direct contact with the bonding area
    • H01L2224/02245—Flow barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • H01L2224/26152—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/26175—Flow barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/27011—Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature
    • H01L2224/27013—Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature for holding or confining the layer connector, e.g. solder flow barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/3201—Structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/3205—Shape
    • H01L2224/32057—Shape in side view
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
    • H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1017—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support
    • H01L2225/1023—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support the support being an insulating substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1047—Details of electrical connections between containers
    • H01L2225/1058—Bump or bump-like electrical connections, e.g. balls, pillars, posts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/105—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/183—Connection portion, e.g. seal
    • H01L2924/18301—Connection portion, e.g. seal being an anchoring portion, i.e. mechanical interlocking between the encapsulation resin and another package part
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本技术涉及一种电子基板和电子设备，该电子基板实现了基板尺寸的减小，并且能够降低底层填料中的空隙风险。根据本技术的一个实施例的电子基板设有：电子芯片，其放置在基板上方；电极，其存在于基板和电子芯片之间，并且将基板和电子芯片彼此电连接；底层填料，用其填充基板和电子芯片之间的空间，从而密封和保护电极；保护目标，其需要受到保护以防止底层填料流入，所述保护目标形成在所述基板上；以及底层填料流入防止单元，其形成在基板中以包围保护目标的整体或一部分。本技术可应用于例如固态成像元件。

Description

电子基板和电子设备
技术领域
本技术涉及一种电子基板和电子设备，尤其涉及一种电子基板和电子设备，其中规定的电子芯片安装在基板上方，并且基板和电子芯片之间的空间填充有底层填料(液体可固化树脂)，使得基板和电子芯片之间的电极受到密封和保护。
背景技术
传统上，存在这样的技术，其中规定的电子芯片被放置在构成电子设备的基板上方，并且基板和电子芯片之间的空间填充有底层填料，使得基板和电子芯片之间的电极受到密封和保护。
此外，已经提出了一种用于在基板上形成槽作为防止填充的底层填料不必要地扩散的结构的技术(例如，参见专利文献1)。
引文目录
专利文件
专利文献1：日本专利申请公开号2010-87239
发明内容
本发明要解决的问题
同时，在专利文献1中提出的技术中，采用这样一种构造，其中防止底层填料不必要地扩散的槽形成为包围芯片的框架形状，并且确保芯片的面积被增加槽的面积。
鉴于上述情况做出了本技术，并且本技术实现了基板尺寸的减小，并且还能够降低底层填料中的空隙风险。
问题的解决方案
本技术的第一方面中的电子基板包括：电子芯片，其放置在基板上方；电极，其存在于基板和电子芯片之间，并且电连接基板和电子芯片；底层填料，用其填充基板和电子芯片之间的空间，使得电极受到密封和保护；保护目标，其需要受到保护以防止底层填料流入，保护目标形成在基板上；以及底层填料流入防止单元，其形成在基板中以包围保护目标的整体或一部分。
底层填料流入防止单元可以具有多重结构。
底层填料流入防止单元可以是凹状槽。
凹状槽可以相对于基板表面具有60°至90°的倾斜角。
凹状槽的深度/宽度可以在0.5至16000的范围内。
底层填料流入防止单元可以是凸状壁。
保护目标可以是连接到外部设备的连接焊盘。
保护目标可以是光接收层，电子芯片可以是包括功能电路的半导体芯片，并且电子基板可以是固态图像传感器的部件。
底层填料流入防止单元可以形成在基板中，以便包围一个或多个保护目标中的全部或一些。
本技术的第二方面中的电子设备是采用电子基板的电子设备。该电子基板包括：电子芯片，其放置在基板上方；电极，其存在于基板和电子芯片之间，并且电连接基板和电子芯片；底层填料，用其填充基板和电子芯片之间的空间，使得电极受到密封和保护；保护目标，其需要受到保护以防止底层填料流入，保护目标形成在基板上；以及底层填料流入防止单元，其形成在基板中以包围保护目标的整体或一部分。
在本技术的第一和第二方面中，底层填料流入防止单元抑制底层填料流入保护目标。
本发明的效果
在本技术的第一和第二方面，可以实现基板尺寸的减小，并且可以降低底层填料中的空隙风险。
附图说明
图1是示出在基板上方形成槽的构造的示例的截面图。
图2是示出在基板上方形成槽的构造的示例的俯视图。
图3是示出参考图1和图2描述的技术应用于构成固态图像传感器的基板的情况下的构造示例的俯视图。
图4是示出应用了本技术的固态图像传感器的基板的构造示例的俯视图。
图5是流入防止单元是凹状槽的情况下的截面图。
图6是流入防止单元是凸状壁的情况下的截面图。
图7是示出第一变型的俯视图。
图8是示出第二变型的俯视图。
图9是示出第三变型的截面图。
图10是说明底层填料和光学层之间的结构的第一构造示例的图。
图11是说明底层填料和光学层之间的结构的第二构造示例的图。
图12是说明底层填料和光学层之间的结构的第三构造示例的图。
图13是说明底层填料和光学层之间的结构的第四构造示例的图。
图14是示出车辆控制系统的粗略构造的示例的框图。
图15是示出车外信息检测器和成像单元的安装位置的示例的说明图。
具体实施方式
下面将参照附图详细描述用于实施本技术的最佳模式(以下称为实施例)。
<固态图像传感器的构造示例>
首先，在描述根据本实施例的固态图像传感器之前，将参考图1至图3描述导致本技术的必要性的固态图像传感器的构造。
图1是示出固态图像传感器的构造示例的截面图，其中在基板上方形成槽。图2是对应于图1的俯视图。
如图1所示，电子芯片13放置在基板11上方，基板11和电子芯片13之间的空间填充有底层填料14，底层填料14密封电连接基板11和电子芯片13的电极12。此外，如图2所示，在基板11中，槽15形成为包围放置电子芯片13的位置的框架形状，并且槽15抑制底层填料14扩散。
图3是示出参考图1和图2描述的技术应用于构成固态图像传感器的基板的情况下的构造示例的俯视图。
在图3中，在包括Si等的基板11的表面上形成包括光电二极管(PD)等光电检测器的光学层21。此外，连接到向外部设备传输各种信号的导线等的连接焊盘22形成在基板11上。此外，包括逻辑电路等的电子芯片13放置在基板11上方。
基板11和电子芯片13之间的空间填充有底层填料14，底层填料14密封电连接基板11和电子芯片13的电极12。此外，槽15以框架形状形成在电子芯片13放置在基板11的位置周围。通过形成槽15，抑制底层填料14扩散到光学层21或连接焊盘22。
在上述构造的情况下，要求底层填料14被可靠地保持在由槽15包围的范围内，并且要求提供开始填充底层填料14的位置，因此要求由槽15构造的框架的尺寸形成为大于电子芯片13的尺寸。因此，在围绕电子芯片13形成槽15的方法中，难以提高基板11的面积效率，并且让基板11的尺寸无法减小。
此外，底层填料14的填充量根据由槽15构成的框架的尺寸而受到限制，因此，根据框架的尺寸，有可能无法充分执行底层填料14的填充。在底层填料没有足够体积的情况下，由于毛细作用，流动特性降低。在这种情况下，底层填料14中产生空隙，并且基板11和电子芯片13之间的电极12有可能不会可靠地受到密封或保护。
<根据本实施例的固态图像传感器的构造示例>
图4是示出根据本实施例的固态图像传感器的基板的构造示例的俯视图。然而，在图4中，与固态图像传感器的构造的图3所示示例中的部件共同的部件由相同的附图标记表示。
在图4中，诸如逻辑电路的电子芯片13被放置在包括Si等的基板31上方。此外，包括诸如光电二极管(PD)的光电检测器的光学层21形成在基板31的表面上。
电子芯片13和基板31之间的空间填充有底层填料14，底层填料14密封并保护电连接电子芯片13和基板31的电极41(图5)。此外，防止底层填料14流入光学层21的流入防止单元32形成在基板31的电子芯片13放置位置和光学层21之间。注意，作为流入防止单元32，可以在基板31中形成凹状槽或凸状壁。
此外，连接到传输各种信号的导线等的连接焊盘22形成在基板31中。此外，防止底层填料14流入连接焊盘22的流入防止单元33形成在基板31的连接焊盘22周围。
注意，作为流入防止单元33，可以在基板31中形成凹状槽或凸状壁。
此外，流入防止单元33可以具有多重结构，诸如双重或更多结构，而不是单一结构。
图5是流入防止单元32和33是凹状槽的情况下的截面图。假设凹状槽相对于基板31的表面的倾斜角θ在60°至90°的范围内。通过将倾斜角θ设定为60°至90°的陡峭角度，由于基板31和底层填料14之间的摩擦力和底层填料14的表面张力的平衡，底层填料14的流入可以停止在槽的上表面上。槽的深度和宽度以深度与宽度(深度/宽度)之比落在0.5至16000的范围内的方式形成。
图6是流入防止单元32和33是凸状壁的情况下的截面图。
注意，流入防止单元32和33中的一个可以形成为凹状槽，另一个可以形成为凸状壁。
<构造比较>
在固态图像传感器的图1至图3所示的构造中，通过使用具有框架形状的槽15包围底层填料14来防止流出。相反，在根据本实施例的固态图像传感器的基板31中，流入防止单元32和33设置在要被填充底层填料14的区域(在图4的情况下，在电子芯片13下方的部分)和不希望底层填料14流入的部分(在图4的情况下，光学层21和连接焊盘22)之间。通过这种布置，防止底层填料14流入底层填料14不希望流入的部分。
通过采用上述构造，不需要形成像固态图像传感器的图1至图3所示的构造那样，尺寸大于电子芯片13的尺寸的框架形状的槽15。因此，例如，基板31中的光学层21和电子芯片13可以布置成使得光学层21和电子芯片13之间的距离比固态图像传感器的图1至图3所示的构造中的距离短。因此，可以提高基板31的面积效率，并且可以减小基板31的尺寸。
此外，没有形成具有框架形状的槽15。因此，底层填料14不需要保持在框架内，可以用足够量的底层填料14执行填充，并且抑制底层填料14中产生空隙。因此，可以可靠地密封和保护基板31和电子芯片13之间的电极41。
注意，本技术不仅适用于构成固态图像传感器的基板，而且也适用于构成普通电子设备的基板。
然而，仅在诸如固态图像传感器的光学装置中，底层填料14流到光学层21的像素附近，并且根据形成光学层21的材料，可能发生诸如光斑或重影的图像劣化。作为对此的对策，可以应用通过选择材料、使涂层材料多层化等来降低这种风险的方法。例如，底层填料可用于第一层，并且遮光材料等可仅用于第二层的像素附近的部分。
<第一变型>
在图4所示的构造示例中，流入防止单元33被形成为围绕每个连接焊盘22。
图7是示出流入防止单元33被形成为围绕多个连接焊盘22的构造示例(第一变型)的俯视图。换句话说，在图7中，形成了包围两个连接焊盘22的流入防止单元331和包围五个连接焊盘22的流入防止单元332。
在该图的情况下，不需要形成具有框架形状的槽15。因此，可以提高基板51的面积效率，并且可以减小基板51的尺寸。此外，可以可靠地密封和保护基板51和电子芯片13之间的电极41。
此外，可以抑制底层填料14流入每个连接焊盘22。
<第二变型>
图8是示出构造示例(第二变型)的俯视图，其中多个电子芯片13被放置在基板61上方，并且多个电子芯片13和基板61之间的空间被底层填料14整体填充。换句话说，在图8中，三个电子芯片13-1至13-3与基板61之间的空间被底层填料14整体填充。
在该图的情况下，每个电子芯片13不需要被具有框架形状的槽15包围。因此，可以提高基板61的面积效率，并且可以减小基板61的尺寸。此外，可以可靠地密封和保护基板61和每个电子芯片13之间的电极41。
<第三变型>
图9是示出堆叠多个基板71的构造示例(第三构造示例)的情况的截面图。
换句话说，在图9中，基板71-1和71-2通过中继焊球72堆叠，基板71-2和71-3通过中继焊球72堆叠，电子芯片13放置在每个基板71上方，并且电子芯片13和基板71之间的空间填充有底层填料14。此外，流入防止单元32形成在每个基板71的要被填充底层填料14的区域(电子芯片13下方的部分)和不希望底层填料14流入的部分(在图9的情况下，是表面部件73和中继焊球72)之间。
在该图的情况下，可以实现与上述构造示例或变形中的效果类似的效果。
<底层填料和光学层之间的结构的第一构造示例>
参照图10描述底层填料14和光学层21之间的结构的第一构造示例。
图10的A示出了底层填料14和光学层21之间的部分被放大的俯视图，图10的B示出了对应于图10的A的截面图。
例如，如参照图4所述，防止底层填料14流入光学层21的流入防止单元32形成在底层填料14和光学层21之间。注意，为了抑制底层填料14的表面反射，可以在底层填料14的表面上堆叠未示出的黑色滤色器，并且黑色滤色器可以在下面描述的所有构造示例中堆叠。
如上所述，流入防止单元32可以具有由凹状槽(图5)或凸状壁(图6)形成的构造，或者可以采用包括两个或更多凹状槽或凸状壁的多重结构。
图10所示的流入防止单元32a具有形成五个凹状槽部分81-1至81-5的构造。此外，在图10所示的示例中，凹状槽部分81-1和81-2被底层填料14覆盖。换句话说，底层填料14进入凹状槽部分81-1和81-2，这防止底层填料14流入光学层21。
然后，为了抑制反射光和干涉光对未被底层填料14覆盖的部分的影响，希望流入防止单元32a形成为使得多个凹状槽部分81中的每一个被布置的间隔为不相同的间距。
例如，如图所示，多个凹状槽部分81以不相同的间距布置，使得凹状槽部分81之间的间隔在从底层填料14到光学层21的方向上减小。注意，多个凹状槽部分81可以以多个凹状槽部分81之间的间隔在从底层填料14到光学层21的方向上增加的不相同间距布置，或者以多个凹状槽部分81之间的间隔被随机设置的不相同间距布置。
此外，关于流入防止单元32a的尺寸，优选以这样的方式进行处理，使得相对于进入光学层21的入射光的中心波长λ，凹状槽部分81的宽度和凹状槽部分81之间的间隔(间距)在λ/8至30λ的范围内。例如，以凹状槽部分81的宽度和凹状槽部分81之间的间隔相对于550nm的中心波长在70nm至16,500nm的范围内的方式进行处理。具体而言，凹状槽部分81-1至81-5的每个宽度被处理为3,000nm，凹状槽部分81-1和81-2之间的间隔被处理为10,000nm，凹状槽部分81-2和81-3之间的间隔被处理为7,000nm，凹状槽部分81-3和81-4之间的间隔被处理为5,000nm，凹状槽部分81-4和81-4之间的间隔被处理为3,000nm。
此外，在流入防止单元32a和光学层21之间设置有平坦区域82，在平坦区域82上不执行诸如槽的处理。然后，为了抑制反射光或干涉光的影响，优选平坦区域82的宽度d，换句话说，从流入防止单元32a到光学层21的距离形成为相对于进入光学层21的入射光的中心波长λ在λ/8至30λ的范围内。例如，相对于550nm的中心波长，平坦区域82的宽度d优选在70nm至16,500nm的范围内。
如上所述，在底层填料14和光学层21之间采用这样的结构，其中流入防止单元32a包括以不相同的间距布置的多个凹状槽部分81，并且平坦区域82的宽度d落在规定范围内。通过这样做，可以防止底层填料14流入光学层21，可以在底层填料14和光学层21之间抑制反射光和干涉光的影响，并且可以避免由于例如光斑、重影等引起的图像质量的劣化。
<底层填料和光学层之间的结构的第二构造示例>
参照图11描述底层填料14和光学层21之间的结构的第二构造示例。注意，在图11所示的结构中，与图10所示的结构中的部分共同的部分由相同的附图标记表示，并且省略其详细描述。
图11的A示出了底层填料14和光学层21之间的部分被放大的俯视图，图11的B示出了对应于图11的A的截面图。
图11所示的流入防止单元32b具有形成有五个凹状槽部分81-1至81-5的构造。此外，在图11所示的示例中，凹状槽部分81-1和81-2被底层填料14覆盖。换句话说，底层填料14进入凹状槽部分81-1和81-2，这防止底层填料14流入光学层21。
然后，为了抑制反射光和干涉光对未被底层填料14覆盖的部分的影响，需要流入防止单元32b形成为使得多个凹状槽部分81具有彼此不相同的宽度，并且多个凹状槽部分81中的每一个被布置的间隔是不相同的间距。换句话说，流入防止单元32b被构造成使得多个凹状槽部分81的宽度彼此不同，并且多个凹状槽部分81之间的间隔彼此不同。
例如，如图所示，具有不同宽度的多个凹状槽部分81以不同的间距布置，使得凹状槽部分81的宽度减小，并且凹状槽部分81之间的间隔在从底层填料14到光学层21的方向上减小。注意，多个凹状槽部分81可以以凹状槽部分81的宽度增加并且凹状槽部分81之间的间隔在从底层填料14到光学层21的方向上增加的不相同的间距布置，或者以凹状槽部分81的宽度和凹状槽部分81之间的间隔被随机设置的不相同的间距布置。
此外，关于流入防止单元32b的尺寸，优选以这样的方式进行处理，使得相对于进入光学层21的入射光的中心波长λ，凹状槽部分81的宽度和凹状槽部分81之间的间隔(间距)在λ/8至30λ的范围内。例如，以凹状槽部分81的宽度和凹状槽部分81之间的间隔相对于550nm的中心波长在70nm至16,500nm的范围内的方式进行处理。具体地，凹状槽部分81-1的宽度被处理成10,000nm，凹状槽部分81-2的宽度被处理成7,000nm，凹状槽部分81-3的宽度被处理成5,000nm，凹状槽部分81-4的宽度被处理成3,000nm，凹状槽部分81-5的宽度被处理成1,000nm。此外，凹状槽部分81-1和81-2之间的间隔被处理成10,000nm，凹状槽部分81-2和81-3之间的间隔被处理成7,000nm，凹状槽部分81-3和81-4之间的间隔被处理成5,000nm，凹状槽部分81-4和81-5之间的间隔被处理成3,000nm。
此外，与上面参照图10给出的描述类似，优选地，设置在流入防止单元32b和光学层21之间的平坦区域82的宽度d相对于进入光学层21的入射光的中心波长λ形成在λ/8至30λ的范围内。
如上所述，在底层填料14和光学层21之间采用这样的结构，其中流入防止单元32b包括多个宽度不相同并且以不相同的间距布置的凹状槽部分81，并且平坦区域82的宽度d落在规定范围内。通过这样做，可以防止底层填料14流入光学层21，可以在底层填料14和光学层21之间抑制反射光和干涉光的影响，并且可以避免由于例如光斑、重影等引起的图像质量的劣化。
<底层填料和光学层之间的结构的第三和第四构造示例>
参考图12和图13描述底层填料14和光学层21之间的结构的第三和第四构造示例。注意，在图12和图13所示的结构中，与图10所示的结构中的部分共同的部分由相同的附图标记表示，并且省略其详细描述。
图12示出底层填料14和光学层21之间的结构的第三构造示例中的俯视图，图13示出底层填料14和光学层21之间的结构的第四构造示例中的俯视图。
图12所示的流入防止单元32c具有多个圆形凹部91以不连续布置形成的构造。此外，在图12所示的示例中，多个圆形凹部91中的一些被底层填料14覆盖。换句话说，底层填料14进入多个圆形槽91中的一些，这防止底层填料14流入光学层21。
然后，为了抑制反射光和干涉光对未被底层填料14覆盖的部分的影响，希望以这样的方式处理流入防止单元32c，使得多个圆形凹部91具有彼此不相同的尺寸并且以不相同的间距布置。换句话说，流入防止单元32c被处理成使得多个圆形凹部91的直径a彼此不同，并且多个圆形凹部91之间的间隔b彼此不同，并且被处理成使得各个直径a和各个间隔b被随机设置。
此外，关于流入防止单元32c的尺寸，优选以这样的方式进行处理，使得圆形凹部91的直径a和圆形凹部91之间的间隔b相对于进入光学层21的入射光的中心波长λ在λ/8至30λ的范围内。例如，以圆形凹部91的直径a和圆形凹部91之间的间隔b相对于550nm的中心波长在70nm至16,500nm的范围内的方式进行处理。具体地，多个圆形凹部91的直径a被随机处理成分别为10,000nm、7,000nm、5,000nm、3,000nm和1,000nm，并且圆形凹部91之间的间隔b被随机处理成分别为5,000nm、3,000nm和1,000nm。
此外，与上面参照图10给出的描述类似，优选地，设置在流入防止单元32c和光学层21之间的平坦区域82的宽度d相对于进入光学层21的入射光的中心波长λ形成在λ/8至30λ的范围内。
注意，图13所示的流入防止单元32d具有与图12所示的流入防止单元32c的圆形凹部91类似地随机形成多个矩形凹部92的构造，并且在其他方面具有类似的构造。注意，流入防止单元32可以具有这样的构造，其中具有非圆形或矩形形状的凹部被随机布置。
此外，希望总是采用形成在流入防止单元32c中的一些圆形槽91或形成在流入防止单元32d中的一些矩形槽92出现在底层填料14和光学层21之间的构造，而不是底层填料14和光学层21之间的整个部分是平坦的构造。
如上所述，在底层填料14和光学层21之间，采用了这样的结构，其中流入防止单元32c包括随机布置的圆形凹部91，或者流入防止单元32d包括矩形凹部92，并且平坦区域82的宽度d落在规定范围内。通过这样做，可以防止底层填料14流入光学层21，可以在底层填料14和光学层21之间抑制反射光和干涉光的影响，并且可以避免由于例如光斑、重影等引起的图像质量的劣化。
<应用示例>
本技术可以被实现为例如安装在任何类型的移动体上的设备，该移动体诸如是车辆、电动车辆、混合电动车辆、摩托车、自行车、个人移动设备、飞机、无人机、轮船、机器人、建筑机械或农业机械(拖拉机)。
图14是示出车辆控制系统7000的粗略构造示例的框图，该车辆控制系统7000是可应用根据本公开的技术的移动体控制系统的示例。车辆控制系统7000包括经由通信网络7010连接的多个电子控制单元。在图14所示的示例中，车辆控制系统7000包括驱动系统控制单元7100、车身系统控制单元7200、电池控制单元7300、车外信息检测单元7400、车内信息检测单元7500和集成控制单元7600。连接这些多个控制单元的通信网络7010可以是符合任意标准的车载通信网络，例如诸如控制器局域网(CAN)、局域互联网络(LIN)、局域网(LAN)或FlexRay(注册商标)。
每个控制单元包括根据各种程序执行算术处理的微型计算机、存储由微型计算机执行的程序、在各种算术运算中使用的参数等的存储设备、以及驱动要控制的各种设备的驱动电路。每个控制单元包括经由通信网络7010与另一控制单元进行通信的网络I/F，并且还包括通过有线通信或无线通信与车辆内外的设备、传感器等进行通信的通信I/F。在图14中，微型计算机7610、通用通信I/F 7620、专用通信I/F 7630、定位单元7640、信标接收器7650、车载设备I/F 7660、声音或图像输出单元7670、车载网络I/F 7680和存储设备7690被示为集成控制单元7600的功能构造。其它控制单元类似地包括微型计算机、通信I/F、存储设备等。
驱动系统控制单元7100根据各种程序控制与车辆的驱动系统相关的设备的操作。例如，驱动系统控制单元7100用作产生车辆驱动力的驱动力产生设备的控制设备，该驱动力产生设备诸如是内燃机或驱动电机、将驱动力传递到车轮的驱动力传递机构、调节车辆转向角度的转向机构、产生车辆制动力的制动设备等。驱动系统控制单元7100可以具有防抱死制动系统(ABS)、电子稳定性控制(ESC)等的控制设备的功能。
车辆状态检测器7110连接到驱动系统控制单元7100。车辆状态检测器7110包括例如检测车身的轴旋转运动的角速度的陀螺仪传感器、检测车辆加速度的加速度传感器、或者检测在加速踏板上执行的操作量、在制动踏板上执行的操作量、方向盘的转向角、发动机转速、车轮转速等的传感器中的至少一个。驱动系统控制单元7100使用从车辆状态检测器7110输入的信号执行算术处理，并且控制内燃机、驱动电机、电动转向设备、制动设备等。
车身系统控制单元7200根据各种程序控制安装在车身中的各种设备的操作。例如，车身系统控制单元7200用作无钥匙进入系统、智能钥匙系统、电动车窗设备或诸如前照灯、倒车灯、刹车灯、转向信号或雾灯各种灯的控制设备。在这种情况下，从代替钥匙的便携式机器发送的无线电波或各种开关的信号可以被输入到车身系统控制单元7200。车身系统控制单元7200接收这些无线电波或信号的输入，并控制车辆的门锁设备、电动车窗设备、灯等。
电池控制单元7300根据各种程序控制用作驱动电机的电源的二次电池7310。例如，与电池温度、电池输出电压、电池剩余电量等相关的信息从包括二次电池7310的电池设备输入到电池控制单元7300。电池控制单元7300使用这些信号执行算术处理，并且对二次电池7310执行温度调节控制，或者对包括在电池设备中的冷却设备等执行控制。
车外信息检测单元7400检测与安装有车辆控制系统7000的车辆的外部有关的信息。例如，成像单元7410或车外信息检测器7420中的至少一个连接到车外信息检测单元7400。成像单元7410包括飞行时间(ToF)相机、立体相机、单目相机、红外相机或其他相机中的至少一个。车外信息检测器7420包括例如检测当前天气或大气现象的环境传感器或检测安装有车辆控制系统7000的车辆周围的另一车辆、障碍物、行人等的周围信息检测传感器中的至少一个。
环境传感器可以是例如检测雨天的雨滴传感器、检测雾的雾传感器、检测日照水平的阳光传感器或检测降雪的雪传感器中的至少一个。周围信息检测传感器可以是超声波传感器、雷达设备或光检测和测距或激光成像检测和测距(LIDAR)设备中的至少一个。上述成像单元7410和车外信息检测器7420可以被包括为独立的传感器或设备，或者可以被包括为其中集成了多个传感器或设备的设备。
这里，图15示出了成像单元7410和车外信息检测器7420的安装位置的示例。成像单元7910、7912、7914、7916和7918例如设置在车辆7900的前鼻、侧视镜、后保险杠、后门或车厢中的挡风玻璃上部的至少一个位置。包括在前鼻中的成像单元7910和包括在车厢中的挡风玻璃上部的成像单元7918主要获得车辆7900的前侧的图像。侧视镜中包括的成像单元7912和7914主要获得车辆7900一侧的图像。包括在后保险杠或后门中的成像单元7916主要获得车辆7900后侧的图像。包括在车厢中的挡风玻璃上部的成像单元7918主要用于检测前方车辆或行人、障碍物、交通灯、交通标志、车道等。
注意，图15示出了每个成像单元7910、7912、7914和7916的拍摄范围的示例。成像范围a表示设置在前鼻中的成像单元7910的成像范围，成像范围b和c分别表示设置在侧视镜中的成像单元7912和7914的成像范围，成像范围d表示设置在后保险杠或后门中的成像单元7916的成像范围。例如，通过将成像单元7910、7912、7914和7916捕获的多条图像数据彼此叠加，获得从上方观看车辆7900的俯视图像。
车外信息检测器7920、7922、7924、7926、7928和7930可以是例如超声波传感器或雷达设备，它们设置在车辆7900的车厢中的挡风玻璃的前部、后部、侧部、拐角和上部。车外信息检测器7920、7926和7930可以是例如LIDAR设备，它们设置在车辆7900的车厢中的前鼻、后保险杠、后门和挡风玻璃上部。这些车外信息检测器7920至7930主要用于检测前方车辆、行人、障碍物等。
回到图14的描述。车外信息检测单元7400使成像单元7410捕获车外的图像，并接收捕获的图像数据。此外，车外信息检测单元7400从连接的车外信息检测器7420接收检测信息。在车外信息检测器7420是超声波传感器、雷达设备或LIDAR设备的情况下，车外信息检测单元7400使超声波、电磁波等被发送，并接收与接收到的反射波相关的信息。车外信息检测单元7400可以基于接收到的信息对人、汽车、障碍物、交通标志、路面上的字符等执行物体检测处理或距离检测处理。车外信息检测单元7400可以基于接收到的信息执行用于识别降雨、雾、路面状况等的环境识别处理。车外信息检测单元7400可以基于接收到的信息计算到车外物体的距离。
此外，车外信息检测单元7400可以基于接收到的图像数据执行图像识别处理或距离检测处理，用于识别人、汽车、障碍物、交通标志、路面上的字符等。车外信息检测单元7400可以对接收到的图像数据执行诸如失真校正或对准的处理，并且可以组合由成像单元7410捕获的多条彼此不同的图像数据，以生成俯视图像或全景图像。车外信息检测单元7400可以使用由彼此不同的成像单元7410捕获的图像数据来执行视点转换处理。
车内信息检测单元7500检测车内信息。检测驾驶员状态的驾驶员状态检测器7510连接到例如车内信息检测单元7500。驾驶员状态检测器7510可以包括捕获驾驶员图像的照相机、检测与驾驶员相关的生物信息的生物传感器、收集车厢内声音的麦克风等。生物传感器例如设置在座椅表面、方向盘等上，并检测与坐在座椅上的乘客或握着方向盘的驾驶员有关的生物信息。车内信息检测单元7500可以基于从驾驶员状态检测器7510输入的检测信息来计算驾驶员的疲劳程度或集中程度，或者可以确定驾驶员是否正在打瞌睡。车内信息检测单元7500可以对收集的声音信号执行诸如噪声消除处理的处理。
集成控制单元7600根据各种程序控制车辆控制系统7000内部的整个操作。输入单元7800连接到集成控制单元7600。输入单元7800例如通过诸如触摸面板、按钮、麦克风、开关或操纵杆的设备来实现，乘客可以对该设备执行输入操作。通过对从麦克风输入的声音执行声音识别而获得的数据可以输入到集成控制单元7600。输入单元7800可以是例如使用红外线或其他无线电波的遥控器，或者对应于在车辆控制系统7000上执行的操作的外部连接设备，诸如便携式电话或个人数字助理(PDA)。输入单元7800可以是例如照相机，并且在这种情况下，乘客可以通过使用手势输入信息。替代地，可以输入通过检测附连到乘客的可穿戴设备的移动而获得的数据。此外，输入单元7800可以包括例如输入控制电路等，其基于乘客等使用输入单元7800输入的上述信息生成输入信号，并将输入信号输出到集成控制单元7600。乘客等通过操作该输入单元7800向车辆控制系统7000输入各种类型的数据，或者向车辆控制系统7000发出与处理操作相关的指令。
存储设备7690可以包括存储由微型计算机执行的各种程序的只读存储器(ROM)和存储各种参数、算术结果、传感器值等的随机存取存储器(RAM)。此外，存储设备7690可以由诸如硬盘驱动器(HDD)、半导体存储装置、光存储装置、磁光存储装置等磁存储装置实现。
通用通信I/F 7620是通用通信I/F，其协调与外部环境7750中存在的各种设备的通信。通用通信I/F 7620可以实现蜂窝通信协议，诸如全球移动通信系统(GSM)、WiMAX、长期演进(LTE)或高级LTE(LTE-A)，或者其他无线通信协议，诸如无线LAN(也称为Wi-Fi(注册商标))或蓝牙(注册商标)。通用通信I/F 7620可以例如经由基站或接入点执行与外部网络(例如，互联网、云网络或公司专用网络)上存在的设备(例如，应用服务器或控制服务器)的连接。此外，通用通信I/F 7620可以通过使用例如对等(P2P)技术来执行与车辆附近存在的终端(例如，驾驶员、行人或商店的终端，或者机器类型通信(MTC)终端)的连接。
专用通信I/F 7630是支持为在车辆中使用而制定的通信协议的通信I/F。专用通信I/F 7630可以实现标准协议，诸如车辆环境中的无线接入(WAVE)，其是低级层的IEEE802.11p和高级层的IEEE 1609、专用短程通信(DSRC)或蜂窝通信协议的组合。专用通信I/F7630通常执行V2X通信，这是包括车辆到车辆通信、车辆到基础设施通信、车辆到家庭通信以及车辆到行人通信中的一个或多个的概念。
定位单元7640接收例如来自GNSS卫星的全球导航卫星系统(GNSS)信号(例如来自GPS卫星的全球定位系统(GPS)信号)，执行定位，并生成包括车辆的纬度、经度和高度的位置信息。注意，定位单元7640可以通过与无线接入点交换信号来指定当前位置，或者可以从具有定位功能的终端(诸如便携式电话、PHS或智能手机)获得位置信息。
信标接收器7650接收从例如设置在道路等上的无线站发射的无线电波或电磁波，并获得与当前位置、交通堵塞、道路封闭、所需时间等相关的信息。注意，信标接收器7650的功能可以包括在上述专用通信I/F 7630中。
车载设备I/F 7660是协调微型计算机7610和存在于车辆中的各种车载设备7760之间的连接的通信接口。车载设备I/F 7660可以通过使用诸如无线LAN、蓝牙(注册商标)、近场通信(NFC)或无线USB(WUSB)之类的无线通信协议来建立无线连接。此外，车载设备I/F7660可以经由未示出的连接终端(以及如果必要的话，经由电缆)建立有线连接，诸如通用串行总线(USB)、高清多媒体接口(HDMI)或移动高清链路(MHL)。车载设备7760可以包括，例如，乘客拥有的移动设备或可穿戴设备中的至少一个，或者车载或附接到车辆的信息设备。此外，车载设备7760可以包括搜索到任意目的地的路线的导航设备。车载设备I/F 7660与这些车载设备7760交换控制信号或数据信号。
车载网络I/F 7680是在微型计算机7610和通信网络7010之间协调通信的接口。车载网络I/F 7680根据通信网络7010支持的规定协议发送和接收信号等。
集成控制单元7600的微型计算机7610基于经由通用通信I/F 7620、专用通信I/F7630、定位单元7640、信标接收器7650、车载设备I/F 7660或车载网络I/F 7680中的至少一个获得的信息，根据各种程序控制车辆控制系统7000。例如，微型计算机7610可以基于获得的车内或车外信息计算驱动力发生器、转向机构或制动设备的控制目标值，并且可以向驱动系统控制单元7100输出控制命令。例如，微型计算机7610可以执行协作控制，旨在实现高级驾驶员辅助系统(ADAS)的功能，包括车辆碰撞避免或碰撞减轻、基于车辆之间的距离的跟随行驶、车辆速度保持行驶、车辆碰撞警告、车辆车道偏离警告等。此外，微型计算机7610可以基于获得的与车辆周边相关的信息，通过控制驱动力发生器、转向机构、制动设备等，针对独立于驾驶员的操作进行自主行驶的自动驾驶等进行协调控制。
微型计算机7610可以基于经由通用通信I/F 7620、专用通信I/F 7630、定位单元7640、信标接收器7650、车载设备I/F 7660或车载网络I/F 7680中的至少一个获得的信息，生成车辆和诸如结构或人的外围对象之间的三维距离信息，并且可以生成包括车辆当前位置的外围信息的本地地图信息。此外，微型计算机7610可以基于获得的信息预测诸如车辆碰撞、行人接近等或者进入封闭道路之类的危险，并且可以生成警告信号。警告信号可以是例如导致发出警告声音或导致警告灯发光的信号。
声音或图像输出单元7670将声音或图像中的至少一个的输出信号发送到输出设备，该输出设备可以可视地或可听地向车辆乘客或车辆外部报告信息。在图13的示例中，音频扬声器7710、显示器7720和仪表板7730被示出为输出设备。显示器7720可以包括例如车载显示器或平视显示器中的至少一个。显示器7720可以具有增强现实(AR)显示功能。输出设备可以是除了上述设备之外的设备，例如耳机、附接到乘客的诸如眼镜型显示器的可穿戴装置、投影仪、灯等。在输出设备是显示设备的情况下，显示设备以各种形式可视地显示由微型计算机7610执行的各种类型的处理中获得的结果或从另一控制单元接收的信息，诸如文本、图像、表格或图表。此外，在输出设备是声音输出设备的情况下，声音输出设备将包括声音数据、声学数据等的再现音频信号转换成模拟信号，并可听地输出模拟信号。
注意，在图14所示的示例中，经由通信网络7010连接的至少两个控制单元可以集成为单个控制单元。替代地，单独的控制单元可以包括多个控制单元。此外，车辆控制系统7000可以包括另一个未示出的控制单元。此外，在以上描述中，另一控制单元可以具有任何控制单元的一些或全部功能。也就是说，如果要经由通信网络7010发送/接收信息，则可以由任何控制单元执行规定的算术处理。类似地，连接到任何控制单元的传感器或设备可以连接到另一控制单元，并且多个控制单元可以经由通信网络7010相互发送/接收检测信息。
在上述车辆控制系统7000中，根据本实施例的固态图像传感器适用于图14所示的应用示例的集成控制单元7600。
此外，根据本实施例的固态图像传感器的至少一些部件可以在图14所示的集成控制单元7600的模块中实现(例如，包括单个管芯的集成电路模块)。替代地，根据本实施例的固态图像传感器可以由图14所示的车辆控制系统7000的多个控制单元实现。
注意，根据本技术的实施例不限于上述实施例，并且在不脱离本技术的范围的情况下，可以进行各种改变。
本技术也可以采用下面描述的构造。
(1)
一种电子基板，其包括：
电子芯片，其放置在基板上方；
电极，存在于所述基板和所述电子芯片之间，并且电连接所述基板和所述电子芯片；
底层填料，用其填充所述基板和所述电子芯片之间的空间，使得所述电极得到密封和保护；
保护目标，其需要受到保护以防止所述底层填料流入，所述保护目标形成在所述基板上；以及
底层填料流入防止单元，其形成在所述基板中以包围所述保护目标的整体或一部分。
(2)
上述段落(1)中描述的电子基板，
其中，所述底层填料流入防止单元具有多重结构。
(3)
上述段落(1)或(2)中描述的电子基板，
其中，所述底层填料流入防止单元是凹状槽。
(4)
上述段落(3)中描述的电子基板，
其中，所述凹状槽相对于所述基板的表面具有60°至90°的倾斜角。
(5)
上述段落(3)或(4)中描述的电子基板，
其中，所述凹状槽的深度/宽度在0.5至16000的范围内。
(6)
上述段落(1)或(2)中描述的电子基板，
其中，所述底层填料流入防止单元是凸状壁。
(7)
上述段落(1)至(6)中任一段落中描述的电子基板，
其中，所述保护目标是连接到外部设备的连接焊盘。
(8)
上述段落(1)至(7)中任一段落中描述的电子基板，
其中，所述保护目标是光接收层，
所述电子芯片是包括功能电路的半导体芯片，并且
所述电子基板是固态图像传感器的部件。
(9)
上述段落(1)至(8)中任一段落中描述的电子基板，
其中，所述底层填料流入防止单元形成在所述基板中，以包围一个或多个所述保护目标的全部或一些。
(10)
上述段落(8)中描述的电子基板，
其中，相对于进入所述光接收层的入射光的中心波长λ，设置在所述底层填料和所述光接收层之间的平坦部分的宽度在λ/8至30λ的范围内。
(11)
上述段落(10)中描述的电子基板，
其中，所述底层填料流入防止单元包括多个凹状槽部分，并且所述多个凹状槽部分中的每一个的间隔为非同一间距。
(12)
上述段落(11)中描述的电子基板，
其中，所述多个凹状槽部分之间的间隔相对于进入所述光接收层的入射光的中心波长λ在λ/8至30λ的范围内。
(13)
上述段落(11)或(12)中描述的电子基板，
其中，所述多个凹状槽部分形成为具有彼此不同的宽度。
(14)
上述段落(11)至(13)中任一段落中描述的电子基板，
其中，所述多个凹状槽部分中的每一个的宽度相对于进入所述光接收层的入射光的中心波长λ在λ/8至30λ的范围内。
(15)
一种采用电子基板的电子设备，
其中，所述电子基板包括：
电子芯片，其放置在基板上方；
电极，其存在于所述基板和所述电子芯片之间，并且电连接所述基板和所述电子芯片；
底层填料，用其填充所述基板和所述电子芯片之间的空间，使得所述电极受到密封和保护；
保护目标，其需要受到保护以防止所述底层填料流入，所述保护目标形成在所述基板上；以及
底层填料流入防止单元，其形成在所述基板中以包围所述保护目标的整体或一部分。
附图标记列表
11 基板
12 电极
13 电子芯片
14 底层填料
15 槽
21 光学层
22 连接焊盘
31 基板
32 流入防止单元
33 流入防止单元
41 电极
71 基板
72 中继焊球。

Claims (15)

1.一种电子基板，其包括：
电子芯片，其放置在基板上方；
电极，其存在于所述基板和所述电子芯片之间，并且电连接所述基板和所述电子芯片；
底层填料，用其填充所述基板和所述电子芯片之间的空间，使得所述电极受到密封和保护；
保护目标，所述保护目标受到保护以防止所述底层填料流入，所述保护目标形成在所述基板上；以及
底层填料流入防止单元，其形成在所述基板中以包围所述保护目标的整体或一部分。
2.根据权利要求1所述的电子基板，
其中，所述底层填料流入防止单元具有多重结构。
3.根据权利要求2所述的电子基板，
其中，所述底层填料流入防止单元是凹状槽。
4.根据权利要求3所述的电子基板，
其中，所述凹状槽相对于所述基板的表面具有60°至90°的倾斜角。
5.根据权利要求3所述的电子基板，
其中，所述凹状槽的深度/宽度在0.5至16000的范围内。
6.根据权利要求2所述的电子基板，
其中，所述底层填料流入防止单元是凸状壁。
7.根据权利要求2所述的电子基板，
其中，所述保护目标是连接到外部设备的连接焊盘。
8.根据权利要求2所述的电子基板，
其中，所述保护目标是光接收层，
所述电子芯片是包括功能电路的半导体芯片，并且
所述电子基板是固态图像传感器的部件。
9.根据权利要求2所述的电子基板，
其中，所述底层填料流入防止单元形成在所述基板中，以包围一个或多个所述保护目标的全部或一些。
10.根据权利要求8所述的电子基板，
其中，相对于进入所述光接收层的入射光的中心波长λ，设置在所述底层填料和所述光接收层之间的平坦部分的宽度在λ/8至30λ的范围内。
11.根据权利要求10所述的电子基板，
其中，所述底层填料流入防止单元包括多个凹状槽部分，并且所述多个凹状槽部分中的每个凹状槽部分的间隔为非同一间距。
12.根据权利要求11所述的电子基板，
其中，所述多个凹状槽部分之间的间隔相对于进入所述光接收层的所述入射光的中心波长λ在λ/8至30λ的范围内。
13.根据权利要求11所述的电子基板，
其中，所述多个凹状槽部分形成为具有彼此不同的宽度。
14.根据权利要求11所述的电子基板，
其中，所述多个凹状槽部分中的每一个的宽度相对于进入所述光接收层的入射光的中心波长λ在λ/8至30λ的范围内。
15.一种采用电子基板的电子设备，
其中，所述电子基板包括：
电子芯片，其放置在基板上方；
电极，其存在于所述基板和所述电子芯片之间，并且电连接所述基板和所述电子芯片；
底层填料，用其填充所述基板和所述电子芯片之间的空间，使得所述电极受到密封和保护；
保护目标，其需要受到保护以防止所述底层填料流入，所述保护目标形成在所述基板上；以及
底层填料流入防止单元，其形成在所述基板中以包围所述保护目标的整体或一部分。
CN201780063157.0A 2016-10-21 2017-10-20 电子基板和电子设备 Active CN109804464B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310811367.0A CN116960068A (zh) 2016-10-21 2017-10-20 电子基板和电子设备

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-206876 2016-10-21
JP2016206876 2016-10-21
PCT/JP2017/037968 WO2018074581A1 (ja) 2016-10-21 2017-10-20 電子基板、および電子装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310811367.0A Division CN116960068A (zh) 2016-10-21 2017-10-20 电子基板和电子设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109804464A true CN109804464A (zh) 2019-05-24
CN109804464B CN109804464B (zh) 2023-07-18

Family

ID=62019361

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780063157.0A Active CN109804464B (zh) 2016-10-21 2017-10-20 电子基板和电子设备
CN202310811367.0A Pending CN116960068A (zh) 2016-10-21 2017-10-20 电子基板和电子设备

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310811367.0A Pending CN116960068A (zh) 2016-10-21 2017-10-20 电子基板和电子设备

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10910289B2 (zh)
JP (2) JP6946316B2 (zh)
CN (2) CN109804464B (zh)
WO (1) WO2018074581A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6946316B2 (ja) * 2016-10-21 2021-10-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 電子基板、および電子装置
US11676929B2 (en) 2016-10-21 2023-06-13 Sony Semiconductor Solutions Corporation Electronic substrate and electronic apparatus
EP3869795B1 (en) * 2018-10-15 2022-11-30 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state image capturing device and electronic instrument
EP4092727A4 (en) * 2020-01-14 2023-06-21 Sony Semiconductor Solutions Corporation SOLID STATE IMAGING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
JP2021136426A (ja) * 2020-02-25 2021-09-13 甲神電機株式会社 プリント回路基板のコーティング構造

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09205103A (ja) * 1996-01-24 1997-08-05 Toshiba Corp 半導体装置
JP2002050642A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Hitachi Aic Inc プリント配線板の製造方法
JP2006294986A (ja) * 2005-04-13 2006-10-26 Fuji Photo Film Co Ltd 基板実装構造、及び、カメラモジュール
US20080237895A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device
TW201201343A (en) * 2010-05-14 2012-01-01 Sony Corp Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device
WO2016039173A1 (ja) * 2014-09-11 2016-03-17 ソニー株式会社 固体撮像素子、撮像装置、電子機器、および半導体装置
CN107533984A (zh) * 2015-07-01 2018-01-02 三菱电机株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3362249B2 (ja) * 1997-11-07 2003-01-07 ローム株式会社 半導体装置、およびその製造方法
JP2003234362A (ja) * 2002-02-12 2003-08-22 Yokogawa Electric Corp 半導体装置
JP4386765B2 (ja) * 2004-03-09 2009-12-16 パナソニック株式会社 配線基板および電子部品実装体
JP2006140327A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 配線基板およびこれを用いた電子部品の実装方法
WO2008078746A1 (ja) 2006-12-26 2008-07-03 Panasonic Corporation 半導体素子の実装構造体及び半導体素子の実装方法
US7883937B1 (en) * 2007-04-30 2011-02-08 Altera Corporation Electronic package and method of forming the same
JP2009177061A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Nec Electronics Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR101481577B1 (ko) * 2008-09-29 2015-01-13 삼성전자주식회사 잉크 젯 방식의 댐을 구비하는 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP2010087239A (ja) 2008-09-30 2010-04-15 Alps Electric Co Ltd 電子モジュール
US8441123B1 (en) * 2009-08-13 2013-05-14 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with metal dam and fabricating method
JP2011071381A (ja) * 2009-09-28 2011-04-07 Toshiba Corp 積層型半導体装置およびその製造方法
US8952552B2 (en) * 2009-11-19 2015-02-10 Qualcomm Incorporated Semiconductor package assembly systems and methods using DAM and trench structures
JP6125209B2 (ja) 2012-11-19 2017-05-10 株式会社ジェイデバイス 半導体装置及びその製造方法
JP6120075B2 (ja) * 2013-07-19 2017-04-26 ソニー株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法。
WO2015056430A1 (ja) * 2013-10-16 2015-04-23 パナソニック株式会社 半導体装置
JP6295983B2 (ja) 2015-03-05 2018-03-20 ソニー株式会社 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器
TWI556387B (zh) * 2015-04-27 2016-11-01 南茂科技股份有限公司 多晶片封裝結構、晶圓級晶片封裝結構及其製程
US20170179049A1 (en) * 2015-12-16 2017-06-22 Freescale Semiconductor, Inc. Power grid balancing apparatus, system and method
US9842788B2 (en) * 2015-12-31 2017-12-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Underfill control structures and method
JP6946316B2 (ja) * 2016-10-21 2021-10-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 電子基板、および電子装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09205103A (ja) * 1996-01-24 1997-08-05 Toshiba Corp 半導体装置
JP2002050642A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Hitachi Aic Inc プリント配線板の製造方法
JP2006294986A (ja) * 2005-04-13 2006-10-26 Fuji Photo Film Co Ltd 基板実装構造、及び、カメラモジュール
US20080237895A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device
TW201201343A (en) * 2010-05-14 2012-01-01 Sony Corp Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device
WO2016039173A1 (ja) * 2014-09-11 2016-03-17 ソニー株式会社 固体撮像素子、撮像装置、電子機器、および半導体装置
CN107533984A (zh) * 2015-07-01 2018-01-02 三菱电机株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109804464B (zh) 2023-07-18
JP6946316B2 (ja) 2021-10-06
US10910289B2 (en) 2021-02-02
WO2018074581A1 (ja) 2018-04-26
US20190259633A1 (en) 2019-08-22
CN116960068A (zh) 2023-10-27
JP2021192442A (ja) 2021-12-16
JP7379425B2 (ja) 2023-11-14
JPWO2018074581A1 (ja) 2019-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109804464A (zh) 电子基板和电子设备
CN107851656B (zh) 摄像装置和测距系统
US20200322585A1 (en) Image processing device, image processing method, and vehicle
EP3920242A1 (en) Light-receiving element, solid-state imaging device, and ranging device
US20230275058A1 (en) Electronic substrate and electronic apparatus
CN115520198A (zh) 图像处理方法、系统和车辆
CN110351455A (zh) 摄像装置
US20240120356A1 (en) Imaging device and electronic apparatus
CN116359943A (zh) 使用无源图像传感器和现有光源的飞行时间相机
US11605662B2 (en) Imaging element, imaging device, electronic device, and method of manufacturing imaging element
US20200219791A1 (en) Semiconductor device
US20240304646A1 (en) Imaging device and electronic apparatus
WO2024048671A1 (ja) レーダ装置および車載センシングシステム
KR102720249B1 (ko) 수광 소자, 고체 촬상 장치 및 거리 측정 장치
WO2022209377A1 (ja) 半導体装置、電子機器及び半導体装置の制御方法
WO2023248346A1 (ja) 撮像装置
JP2019080017A (ja) 撮像素子および撮像素子の製造方法、並びに、電子機器
WO2023067755A1 (ja) 光検出装置、撮像装置および測距装置
WO2020158321A1 (ja) 受光素子、固体撮像装置及び測距装置
JP2023174137A (ja) 光検出装置
JP2024073899A (ja) 撮像素子
JP2024085173A (ja) 固体撮像装置及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TG01 Patent term adjustment
TG01 Patent term adjustment