JP2023174137A

JP2023174137A - 光検出装置

Info

Publication number: JP2023174137A
Application number: JP2022086817A
Authority: JP
Inventors: 圭介佐藤; Keisuke Sato; 寿章岩渕; Toshiaki Iwabuchi
Original assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp
Current assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date: 2022-05-27
Filing date: 2022-05-27
Publication date: 2023-12-07
Also published as: WO2023229018A1

Abstract

【課題】画素領域よりも外周側に入射された光を起因とするフレアを抑制する。【解決手段】光検出装置は、光電変換を行う複数の画素が配置された画素領域を有する半導体基板を備える。前記半導体基板は、前記画素領域よりも外周側に配置され、前記画素領域よりも低い高さを有するとともに複数の辺に沿って延びる溝部と、前記溝部よりも外周側に配置され、前記溝部よりも高い高さを有するとともに前記複数の辺に沿って延びる凸部と、前記複数の辺のうち、少なくとも一つの辺における前記凸部の光入射面側の表面の全域を覆う被覆膜と、を有する。【選択図】図１

Description

本開示は、半導体装置に関する。

ウエハからダイシングされた個々の固体撮像装置のスクライブ領域と画素領域との間に、画素領域を取り囲む溝部を設けるとともに、溝部の側壁面に凹凸構造を設けて、溝部の側壁面からの反射光を抑制して、画素領域への不要光の入射によるフレアを防止する技術が開示されている（特許文献１参照）。

国際公開２０２０／０５４２７２Ａ１

特許文献１の場合、スクライブ領域は画素領域と同様の例えばシリコンで形成されており、反射率が高い。よって、スクライブ領域の上面に入射された光が反射されて迷光となり、レンズモジュール等でさらに反射されて画素領域に入射され、フレアが発生するおそれがある。

そこで、本開示では、画素領域よりも外周側に入射された光を起因とするフレアを抑制可能な光検出装置を提供するものである。

上記の課題を解決するために、本開示によれば、
光電変換を行う複数の画素が配置された画素領域を有する半導体基板を備え、
前記半導体基板は、
前記画素領域よりも外周側に配置され、前記画素領域よりも低い高さを有するとともに複数の辺に沿って延びる溝部と、
前記溝部よりも外周側に配置され、前記溝部よりも高い高さを有するとともに前記複数の辺に沿って延びる凸部と、
前記複数の辺のうち、少なくとも一つの辺における前記凸部の光入射面側の表面の全域を覆う被覆膜と、を有する、光検出装置が提供される。

前記被覆膜の反射率は、前記半導体基板の反射率より低くてもよい。

前記溝部は、前記画素領域を取り囲むように配置され、
前記凸部は、前記溝部を取り囲むように配置されてもよい。

前記凸部の外周側には、前記半導体基板のダイシングされた切断面が配置されてもよい。

前記半導体基板が有する複数の辺のうち、前記被覆膜で覆われる辺は、ワイヤボンディング用のパッドが配置されない辺であってもよい。

前記画素領域と前記溝部との間隔は、前記半導体基板における複数の辺のうち、少なくとも二つの辺で異なってもよい。

ワイヤボンディング用のパッドが配置される辺における前記間隔は、ワイヤボンディング用のパッドが配置されない辺における前記間隔よりも大きく、
前記被覆膜で覆われる辺は、ワイヤボンディング用のパッドが配置されない辺を含んでもよい。

前記凸部の高さは、前記画素領域の高さと同一であってもよい。

前記被覆膜で覆われる辺の一部に配置されるテスト端子を備え、
前記被覆膜は、前記テスト端子が配置された辺の表面を覆ってもよい。

前記溝部と接する箇所の前記凸部の側壁は、前記溝部の底面から前記凸部の上面まで延びる面であり、この面は凹凸構造を有してもよい。

前記溝部と接する箇所の前記凸部の側壁は、前記溝部の底面から前記凸部の上面まで延びる平坦面であってもよい。

前記溝部と接する箇所の前記凸部の側壁は、段差を有してもよい。

前記被覆膜は、前記半導体基板の反射率よりも低い反射率の酸化膜を有してもよい。

前記被覆膜は、
樹脂を含む平坦化膜と前記酸化膜とを積層させた積層体であってもよい。

前記平坦化膜は、前記画素領域の上に配置されるカラーフィルタ層の上面を平坦化する膜と同じ材料であってもよい。

前記被覆膜の膜厚は、５０ｎｍ以上で１２０ｎｍ以下であってもよい。

一実施形態に係る光検出装置の概略構成を示すブロック図。第１ウエハの一部分の模式的な平面図。切断された１個の第１チップの模式的な平面図。カメラモジュールの断面構造を示す図。第１チップのパッドが配置されていない辺のスクライブ領域を拡大した模式的な平面図。図５のＡ－Ａ線方向の断面図。凸部の側壁面に段差を設ける場合の断面図。テーパ状の溝部を設ける場合の断面図。テスト端子を設ける場合の断面図。被覆膜の膜厚と反射率の関係を示すグラフ。車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。

以下、図面を参照して、光検出装置の実施形態について説明する。以下では、光検出装置の主要な構成部分を中心に説明するが、光検出装置には、図示又は説明されていない構成部分や機能が存在しうる。以下の説明は、図示又は説明されていない構成部分や機能を除外するものではない。

図１は一実施形態に係る光検出装置１の概略構成を示すブロック図である。図１の光検出装置１は、裏面照射型のＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサである。

図１の光検出装置１は、画素領域２と、垂直駆動回路３と、カラム信号処理回路４と、水平駆動回路５と、出力回路６と、制御回路７とを備えている。図１の光検出装置１は、固体撮像装置とも呼ばれる。

画素領域２は、半導体基板上の二次元方向（行方向及び列方向）に配置された複数の画素８を有する。半導体基板は例えばシリコン基板である。画素８は、図１では不図示の光電変換素子と画素回路とを有する。画素回路は、転送トランジスタ、リセットトランジスタ、選択トランジスタ、増幅トランジスタなどを有し、光電変換素子で光電変換された電荷量に応じた電圧信号である画素信号を生成する。

垂直駆動回路３は、例えばシフトレジスタを有し、列方向に並ぶ複数の行選択線Ｌ１を順次に駆動する。このように、垂直駆動回路３は、画素領域２内の各画素８を行単位で選択する。

カラム信号処理回路４は、列方向に配置された画素列ごとに配置されている。具体的には、画素列ごとに垂直信号線Ｌ２が配置されていろ、カラム信号処理回路４は、対応する垂直信号線Ｌ２ごとに設けられている。カラム信号処理回路４は、各画素８のリセットレレベルと画素信号レベルとの電位差を検出して画素固有の固定パターンノイズを除去するＣＤＳ（Correlated Double Sampling）処理、及びアナログ－デジタル変換処理などの信号処理を行う。カラム信号処理回路４は、デジタル画素信号を出力する。

水平駆動回路５は、例えばシフトレジスタを有する。水平駆動回路５は、カラム信号処理回路４から出力されたデジタル画素信号を順次に水平信号線に転送する。水平信号線には出力回路６が接続されている。出力回路６は、水平信号線上のデジタル画素信号に対して種々の信号処理を行った上で出力する。出力回路６が行う信号処理は、例えば、バッファリング、黒レベル調整、列ばらつき補正などである。

制御回路７は、垂直同期信号、水平同期信号、及びマスタクロック信号に基づいて、垂直駆動回路３、カラム信号処理回路４、及び水平駆動回路５などの動作の基準となるクロック信号と制御信号を生成する。制御回路７は、生成されたクロック信号と制御信号を、垂直駆動回路３、カラム信号処理回路４、及び水平駆動回路５などに出力する。

図１の光検出装置１の全体は、一つの半導体基板上に形成されてもよいし、２以上の半導体基板上に形成されて、これら半導体基板が積層されてもよい。複数の半導体基板を積層する際には、Ｃｕ－Ｃｕ接合、バンプ、ビアなどで電気的な導通と基板間の接合が行われる。

積層構造の光検出装置１の一例は、画素領域２が配置される第１半導体基板と、垂直駆動回路３、カラム信号処理回路４、水平駆動回路５、出力回路６、及び制御回路７が配置される第２半導体基板とを積層することである。なお、垂直駆動回路３、カラム信号処理回路４、水平駆動回路５、出力回路６、及び制御回路７の少なくとも一部を第１半導体基板に配置してもよい。以下、第１半導体基板を第１チップ、第２半導体基板を第２チップと呼ぶことがある。

第１チップは、第１ウエハから切り出された１個のチップである。第１ウエハには、複数の第１チップが形成されており、ダイシングブレードで個々の第１チップに個片化される。同様に、第２チップは、第２ウエハから切り出された１個のチップである。第２ウエハには、複数の第２チップが形成されており、ダイシングブレードで個々の第２チップに個片化される。

図２は第１ウエハ１１の一部分の模式的な平面図である。第１ウエハ１１には、二次元方向に複数の第１チップ１２が一定間隔で配置されており、隣接する２つの第１チップ１２の間には、スクライブ領域１３が格子状に設けられている。スクライブ領域１３とは、不図示のダイシングブレードによりウエハを切断する領域である。より具体的には、スクライブ領域１３内の太線領域１３ａに沿って第１ウエハ１１が切断される。

スクライブ領域１３には、スクライブ領域１３の長手方向に沿って延びる溝部１３ｂが格子状に配置されている。溝部１３ｂは、切断面を示す太線領域１３ａよりも画素領域２側に配置されている。スクライブ領域１３内の太線領域１３ａに沿ってダイシングブレードでウエハを切断すると、ウエハの切断面付近に亀裂（クラック）が入ったり、一部の層が剥離するおそれがある。このようなクラックや剥離が画素領域２に到達しないように、スクライブ領域１３には、画素領域２と切断面の間に溝部１３ｂが設けられている。スクライブ領域１３に溝部１３ｂを設けることで、切断面のクラックや剥離が画素領域２まで及ばなくなる。

図２は、第１ウエハ１１の平面図を示しているが、第２ウエハも同様に、隣接する２つの第２チップの間に、溝部１３ｂを有するスクライブ領域１３が格子状に配置されている。

図３は、切断された１個の第１チップ１２の模式的な平面図である。図３に示す第１チップ１２は、矩形状であり、中央部に画素領域２が配置され、対向する２辺（以下、第１辺ＳＤ１及び第２辺ＳＤ２）に沿って、ワイヤボンディング用の複数のパッド１４が配置されている。また、９０度異なる方向の対向する２辺（以下、第３辺ＳＤ３及び第４辺ＳＤ４）には、パッド１４は配置されていない。

上述したスクライブ領域１３は、第１チップ１２の第１～第４辺ＳＤ１～ＳＤ４に設けられているが、スクライブ領域１３と画素領域２との間隔は、第１辺ＳＤ１及び第２辺ＳＤ２側と、第３辺ＳＤ３及び第４辺ＳＤ４側とでは異なっている。より具体的には、第１辺ＳＤ１及び第２辺ＳＤ２側におけるスクライブ領域１３と画素領域２との間隔は、第３辺ＳＤ３及び第４辺ＳＤ４側におけるスクライブ領域１３と画素領域２との間隔よりも大きい。

第１辺ＳＤ１及び第２辺ＳＤ２側におけるスクライブ領域１３と画素領域２との間隔を大きくする理由は、ボンディングワイヤに入射されて反射された光が画素領域２に入り込まないようにするためである。

このように、ワイヤボンディング用のパッド１４が配置される第１辺ＳＤ１及び第２辺ＳＤ２側と、パッド１４が配置されない第３辺ＳＤ３及び第４辺ＳＤ４側では、画素領域２とスクライブ領域１３との距離が異なるため、スクライブ領域１３で反射された光に起因とするフレアの発生状況が異なる。

具体的には、画素領域２とスクライブ領域１３との間隔が小さい場合には、スクライブ領域１３に入射されて反射された光は、カメラモジュール内の何らかの障害物に当たって反射されて画素領域２に入射されるおそれが高くなる。一方、画素領域２とスクライブ領域１３との間隔が離れている場合には、スクライブ領域１３で反射された光が何らかの障害物で反射されても、画素領域２に入り込むおそれは低くなる。

そこで、本実施形態では、スクライブ領域１３を構成する複数の辺のうち、ワイヤボンディング用のパッド１４が配置されていない辺ＳＤ３、ＳＤ４側についてフレア対策を施す。なお、スクライブ領域１３内のワイヤボンディング用のパッド１４が配置されている辺ＳＤ１、ＳＤ２側についても、パッド１４が配置されていない辺と同様にフレア対策を施してもよい。

後述するように、本実施形態が採用するフレア対策は、スクライブ領域１３の少なくともパッド１４が配置されていない辺ＳＤ３、ＳＤ４の上面の全域を被覆膜で覆うことである。被覆膜として、いわゆる反射防止膜を採用することにより、スクライブ領域１３に入射された光の反射を抑制でき、画素領域２内に光が入り込まなくなる。

図３では、矩形状の第１チップ１２が有する４辺のうち、２辺（第１辺ＳＤ１及び第２辺ＳＤ２）にパッド１４を配置しているが、パッド１４が配置される辺は必ずしも対向する２辺とは限らない。場合によっては、１辺だけにパッド１４が配置されたり、３辺にパッド１４が配置される場合もありうる。上述したように、本実施形態では、スクライブ領域１３内の少なくともパッド１４が配置されていない辺の全域を被覆膜で覆う。

第１チップ１２に積層される第２チップは、光入射方向の反対側に配置され、また画素領域２を持たない。よって、第２チップのスクライブ領域１３を被覆する必要はない。

積層された第１チップ１２及び第２チップは、例えばカメラモジュール２０に組み込まれる。図４はカメラモジュール２０の断面構造を示す図である。図４のカメラモジュール２０は、積層された第１チップ１２及び第２チップ１５の上方に、複数の撮影レンズ２１を配置した構造を備えている。複数の撮影レンズ２１は、レンズホルダ２２によって支持されている。図４では省略しているが、少なくとも一部の撮影レンズ２１を焦点調節のために光軸方向に移動させるレンズバレルを設けてもよい。レンズホルダ２２又はレンズバレルに撮影レンズ２１を固定する接着部材などの障害物に光が入射されると、反射される。その際の反射方向は、光の入射方向と障害物の表面形状に依存し、場合によっては画素領域２に入り込む。障害物で反射された光の進行方向を事前に把握して反射方向を制御するのは困難であり、画素領域２への光の入射を抑制するには、スクライブ領域１３での光の反射を抑制するのが効果的である。

図４において、第１チップ１２の周辺領域内のスクライブ領域１３に入射された光は反射されて、破線で示すように、カメラモジュール２０内のレンズホルダ２２等の障害物でさらに反射されて、画素領域２に入り込む可能性がありうる。画素領域２に入り込んだ光はフレアの要因になる。本実施形態による光検出装置１は、スクライブ領域１３に光が入射されても、スクライブ領域１３からの反射光を抑制するようなフレア対策を施すことを特徴とする。

図５は、第１チップ１２のパッド１４が配置されていない辺のスクライブ領域１３を拡大した模式的な平面図である。また、図６は図５のＡ－Ａ線方向の断面図である。図６は、第１チップ１２と第２チップ１５を積層した積層体での断面構造を示している。

本明細書では、図５に示すように、画素領域２の外周側を周辺領域１６と呼ぶ。周辺領域１６には、上述したようにスクライブ領域１３が設けられている。スクライブ領域１３は、図３に示すように第１チップ１２の各辺に沿って環状に配置されており、一定の幅を有する。また、スクライブ領域１３には、図６に示すように溝部１３ｂと凸部１３ｃとが設けられている。画素領域２には、第１半導体基板１２ａの上にカラーフィルタ層１７が配置され、その上にオンチップレンズ８ａが配置されている。このように、溝部１３ｂは画素領域２を取り囲むように配置され、凸部１３ｃは、溝部１３ｂを取り囲むように配置されている。凸部１３ｃの外周側に、第１チップ１２のダンシングされた切断面が配置されている。

図６に示すように、第１チップ１２は、第１半導体基板１２ａと第１配線層１２ｂとを積層した積層体である。また、第２チップ１５は、第２半導体基板１５ａと第２配線層１５ｂとを積層した積層体である。溝部１３ｂは、例えばシリコンからなる半導体基板を部分的に削ることで形成される。図６の例では、溝部１３ｂの底面が第１配線層１２ｂに達しており、溝部１３ｂでは第１半導体基板１２ａが全て除去されている。一変形例として、第１半導体基板１２ａの一部が残存するように溝部１３ｂを形成してもよい。

溝部１３ｂの高さは、画素領域２の高さよりも低い。凸部１３ｃは、第１半導体基板１２ａを有し、凸部１３ｃの高さは、溝部１３ｂの高さよりも高い。凸部１３ｃの高さは画素領域２の高さと同一である。なお、図６に示すように、凸部１３ｃの外周側の第１半導体基板１２ａは少なくとも一部が除去されており、凸部１３ｃよりも高さが低くなっている。

凸部１３ｃが溝部１３ｂに接する箇所の凸部１３ｃの側壁面１３ｄには、図５に示すように凹凸構造１３ｅが設けられている。図５では、平面形状が三角形の凹凸構造１３ｅを設ける例を示しているが、凹凸構造１３ｅの具体的な形状及びサイズは問わない。凹凸構造１３ｅを設けることで、側壁面１３ｄへの入射光を散乱させることができ、側壁面１３ｄからの反射光に基づく光が画素領域２に入りこむおそれを回避できる。

凸部１３ｃの側壁面１３ｄは、必ずしも凹凸構造１３ｅを有する必要はなく、平坦面でもよい。また、図７に示すように、凸部１３ｃの側壁面１３ｄに段差を設けてもよい。段差を設ける場合、段差状になった各面に凹凸構造１３ｅを設けてもよい。凸部１３ｃの側壁面１３ｄに段差を設けることで、凸部１３ｃの上面の面積を狭くすることができる。凸部１３ｃの上面の面積が狭くなるほど、凸部１３ｃの上面に光が入射されにくくなり、凸部１３ｃの上面からの反射光を抑制できる。

さらに、凸部１３ｃの側壁面１３ｄは、図８に示すように、光入射面の法線方向に対して斜め方向に延びるテーパ状であってもよい。側壁面１３ｄを斜め方向に延ばすことで、凸部１３ｃの上面の面積を狭くすることができる。なお、図８の場合も、凸部１３ｃの上面は被覆膜２３で覆われる。また、側壁面１３ｄには、図６と同様に、凹凸構造１３ｅを設けてもよい。

図６～図８に示すように、凸部１３ｃの上面は被覆膜２３で覆われている。被覆膜２３の反射率は、凸部１３ｃを構成する半導体基板の反射率より低い。被覆膜２３の反射率を半導体基板の反射率より低くすることで、被覆膜２３に入射された光の反射を抑制でき、被覆膜２３で反射された光を起因とする反射光が画素領域２に入り込まなくなり、フレアを抑制できる。

被覆膜２３は、例えば積層構造であってもよい。図６～図８の被覆膜２３は、二層構造の例を示している。図６の被覆膜２３は、平坦化膜２３ａの上に酸化膜２３ｂを積層した積層構造である。平坦化膜２３ａは、例えばアクリル系の熱硬化樹脂からなる膜である。この平坦化膜２３ａは、画素領域２の第１半導体基板１２ａ上のカラーフィルタ層１７の上面を平坦化する平坦化膜１８と同じ材料であり、カラーフィルタ層１７上に平坦化膜１８を配置する工程で、スクライブ領域１３の上面に平坦化膜２３ａが配置される。

酸化膜２３ｂは、例えば、低温工程で形成される酸化膜であり、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）とも呼ばれる。画素領域２の平坦化膜１８の上にＬＴＯ１９を形成する工程の中で、スクライブ領域１３内の平坦化膜２３ａの上にＬＴＯからなる酸化膜２３ｂが形成される。

このように、スクライブ領域１３に設けられる被覆膜２３は、画素領域２内の第１半導体基板１２ａ上のカラーフィルタ層１７の上に平坦化膜２３ａとＬＴＯを積層する工程にて形成されるため、追加の工程が不要であり、製造コストが増加するおそれがない。

スクライブ領域１３内の凸部１３ｃを覆う被覆膜２３を構成する酸化膜２３ｂの反射率は、シリコンからなる半導体基板の反射率の１／４～１／５程度である。例えば、シリコンからなる半導体基板の反射率が４０～５０％程度とすると、酸化膜２３ｂを有する被覆膜２３の反射率は０～１０％程度である。

このように、スクライブ領域１３内の凸部１３ｃの上面を反射率の低い被覆膜２３で覆うため、凸部１３ｃで反射された光を要因とするフレアの発生を抑制できる。

図９に示すように、スクライブ領域１３のパッド１４が配置されていない辺には、一つ又は複数のテスト端子２４が設けられている場合がある。テスト端子２４は、検査工程時に不図示のプローブを接触させて、光検出装置１内の対応する信号ノードの波形を検査するために設けられている。

テスト端子２４には、プローブが繰り返し着脱されるため、テスト端子２４の周囲を保護するために、被覆膜２３が形成される。本実施形態では、パッド１４が配置されていない辺の全域を被覆膜２３で覆うため、テスト端子２４の周囲も被覆膜２３で覆うことになり、テスト端子２４の周囲を被覆膜２３で覆うための別個の工程が不要となる。

図６～図８に示したように、スクライブ領域１３の断面構造には複数の候補があり、いずれを採用してもよい。凸部１３ｃの幅は１０μｍ以上が望ましい。あるいは、凸部１３ｃの幅は、第１チップの溝部１３ｂ側の端部から第１チップ１２の切断面までの距離の１／２以上にするのが望ましい。また、凹凸構造１３eを設ける場合、凹凸構造１３e上にも被覆膜２３が形成されていても良いが、設けていなくても良い。

また、被覆膜２３の膜厚が薄すぎると、光を吸収又は散乱できずに反射してしまうおそれがある。本発明者のシミュレーションによると、被覆膜２３の膜厚は１０ｎｍ以上が望ましい。特に、被覆膜２３の膜厚が５０ｎｍ以上あれば、被覆膜２３を構成する材料本来の反射率が得られ、半導体基板に比べて反射率を抑制できる。

図１０は被覆膜２３の膜厚と反射率の関係を示すグラフであり、被覆膜２３を構成するＬＴＯ２３ｂと平坦化膜２３ａの膜厚を種々に変化させた場合の被覆膜２３の反射率のシミュレーション結果を示している。図１０の横軸はＬＴＯ２３ｂの膜厚、縦軸は反射率である。図１０には、平坦化膜２３ａの基準の膜厚をｋ［ｎｍ］として、１．０ｋ～３．０ｋまで１１通りの膜厚の平坦化膜２３ａのそれぞれについて、ＬＴＯ２３ｂの膜厚を０～３００ｎｍ［ｎｍ］まで変化させたときの被覆膜２３の反射率が図示されている。反射率はＬＴＯ２３ｂの膜厚が変化するに従って周期的に変化する傾向にあるが、ＬＴＯ２３ｂの膜厚が５０～１２０［ｎｍ]の範囲のときに反射率が最も低くなる。この結果から、ＬＴＯ２３ｂの膜厚は５０～１２０［ｎｍ］が望ましいことがわかる。

このように、本実施形態では、スクライブ領域１３内の溝部１３ｂよりも外周側の凸部１３ｃの上面を被覆膜２３で覆い、被覆膜２３の反射率を半導体基板の反射率の１／４～１／５程度にするため、凸部１３ｃに入射された光がほとんど反射しなくなり、凸部１３ｃに入射された光が障害物で反射されて画素領域２に入射されるおそれを防止でき、フレアの発生を抑制できる。

（応用例）
本開示に係る技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット、建設機械、農業機械（トラクター）などのいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。

図１１は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システム７０００の概略的な構成例を示すブロック図である。車両制御システム７０００は、通信ネットワーク７０１０を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図１１に示した例では、車両制御システム７０００は、駆動系制御ユニット７１００、ボディ系制御ユニット７２００、バッテリ制御ユニット７３００、車外情報検出ユニット７４００、車内情報検出ユニット７５００、及び統合制御ユニット７６００を備える。これらの複数の制御ユニットを接続する通信ネットワーク７０１０は、例えば、ＣＡＮ（Controller Area Network）、ＬＩＮ（Local Interconnect Network）、ＬＡＮ（Local Area Network）又はＦｌｅｘＲａｙ（登録商標）等の任意の規格に準拠した車載通信ネットワークであってよい。

各制御ユニットは、各種プログラムにしたがって演算処理を行うマイクロコンピュータと、マイクロコンピュータにより実行されるプログラム又は各種演算に用いられるパラメータ等を記憶する記憶部と、各種制御対象の装置を駆動する駆動回路とを備える。各制御ユニットは、通信ネットワーク７０１０を介して他の制御ユニットとの間で通信を行うためのネットワークＩ／Ｆを備えるとともに、車内外の装置又はセンサ等との間で、有線通信又は無線通信により通信を行うための通信Ｉ／Ｆを備える。図１１では、統合制御ユニット７６００の機能構成として、マイクロコンピュータ７６１０、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０、音声画像出力部７６７０、車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０及び記憶部７６９０が図示されている。他の制御ユニットも同様に、マイクロコンピュータ、通信Ｉ／Ｆ及び記憶部等を備える。

駆動系制御ユニット７１００は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット７１００は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。駆動系制御ユニット７１００は、ＡＢＳ（Antilock Brake System）又はＥＳＣ（Electronic Stability Control）等の制御装置としての機能を有してもよい。

駆動系制御ユニット７１００には、車両状態検出部７１１０が接続される。車両状態検出部７１１０には、例えば、車体の軸回転運動の角速度を検出するジャイロセンサ、車両の加速度を検出する加速度センサ、あるいは、アクセルペダルの操作量、ブレーキペダルの操作量、ステアリングホイールの操舵角、エンジン回転数又は車輪の回転速度等を検出するためのセンサのうちの少なくとも一つが含まれる。駆動系制御ユニット７１００は、車両状態検出部７１１０から入力される信号を用いて演算処理を行い、内燃機関、駆動用モータ、電動パワーステアリング装置又はブレーキ装置等を制御する。

ボディ系制御ユニット７２００は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット７２００は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット７２００には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット７２００は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

バッテリ制御ユニット７３００は、各種プログラムにしたがって駆動用モータの電力供給源である二次電池７３１０を制御する。例えば、バッテリ制御ユニット７３００には、二次電池７３１０を備えたバッテリ装置から、バッテリ温度、バッテリ出力電圧又はバッテリの残存容量等の情報が入力される。バッテリ制御ユニット７３００は、これらの信号を用いて演算処理を行い、二次電池７３１０の温度調節制御又はバッテリ装置に備えられた冷却装置等の制御を行う。

車外情報検出ユニット７４００は、車両制御システム７０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット７４００には、撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０のうちの少なくとも一方が接続される。撮像部７４１０には、ＴｏＦ（Time Of Flight）カメラ、ステレオカメラ、単眼カメラ、赤外線カメラ及びその他のカメラのうちの少なくとも一つが含まれる。車外情報検出部７４２０には、例えば、現在の天候又は気象を検出するための環境センサ、あるいは、車両制御システム７０００を搭載した車両の周囲の他の車両、障害物又は歩行者等を検出するための周囲情報検出センサのうちの少なくとも一つが含まれる。

環境センサは、例えば、雨天を検出する雨滴センサ、霧を検出する霧センサ、日照度合いを検出する日照センサ、及び降雪を検出する雪センサのうちの少なくとも一つであってよい。周囲情報検出センサは、超音波センサ、レーダ装置及びＬＩＤＡＲ（Light Detection and Ranging、Laser Imaging Detection and Ranging）装置のうちの少なくとも一つであってよい。これらの撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０は、それぞれ独立したセンサないし装置として備えられてもよいし、複数のセンサないし装置が統合された装置として備えられてもよい。

ここで、図１２は、撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０の設置位置の例を示す。撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６，７９１８は、例えば、車両７９００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部のうちの少なくとも一つの位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部７９１０及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部７９１８は、主として車両７９００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部７９１２，７９１４は、主として車両７９００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部７９１６は、主として車両７９００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部７９１８は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。

なお、図１２には、それぞれの撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲ａは、フロントノーズに設けられた撮像部７９１０の撮像範囲を示し、撮像範囲ｂ，ｃは、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部７９１２，７９１４の撮像範囲を示し、撮像範囲ｄは、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部７９１６の撮像範囲を示す。例えば、撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両７９００を上方から見た俯瞰画像が得られる。

車両７９００のフロント、リア、サイド、コーナ及び車室内のフロントガラスの上部に設けられる車外情報検出部７９２０，７９２２，７９２４，７９２６，７９２８，７９３０は、例えば超音波センサ又はレーダ装置であってよい。車両７９００のフロントノーズ、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部に設けられる車外情報検出部７９２０，７９２６，７９３０は、例えばＬＩＤＡＲ装置であってよい。これらの車外情報検出部７９２０～７９３０は、主として先行車両、歩行者又は障害物等の検出に用いられる。

図１１に戻って説明を続ける。車外情報検出ユニット７４００は、撮像部７４１０に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像データを受信する。また、車外情報検出ユニット７４００は、接続されている車外情報検出部７４２０から検出情報を受信する。車外情報検出部７４２０が超音波センサ、レーダ装置又はＬＩＤＡＲ装置である場合には、車外情報検出ユニット７４００は、超音波又は電磁波等を発信させるとともに、受信された反射波の情報を受信する。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、降雨、霧又は路面状況等を認識する環境認識処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、車外の物体までの距離を算出してもよい。

また、車外情報検出ユニット７４００は、受信した画像データに基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等を認識する画像認識処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した画像データに対して歪補正又は位置合わせ等の処理を行うとともに、異なる撮像部７４１０により撮像された画像データを合成して、俯瞰画像又はパノラマ画像を生成してもよい。車外情報検出ユニット７４００は、異なる撮像部７４１０により撮像された画像データを用いて、視点変換処理を行ってもよい。

車内情報検出ユニット７５００は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット７５００には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部７５１０が接続される。運転者状態検出部７５１０は、運転者を撮像するカメラ、運転者の生体情報を検出する生体センサ又は車室内の音声を集音するマイク等を含んでもよい。生体センサは、例えば、座面又はステアリングホイール等に設けられ、座席に座った搭乗者又はステアリングホイールを握る運転者の生体情報を検出する。車内情報検出ユニット７５００は、運転者状態検出部７５１０から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。車内情報検出ユニット７５００は、集音された音声信号に対してノイズキャンセリング処理等の処理を行ってもよい。

統合制御ユニット７６００は、各種プログラムにしたがって車両制御システム７０００内の動作全般を制御する。統合制御ユニット７６００には、入力部７８００が接続されている。入力部７８００は、例えば、タッチパネル、ボタン、マイクロフォン、スイッチ又はレバー等、搭乗者によって入力操作され得る装置によって実現される。統合制御ユニット７６００には、マイクロフォンにより入力される音声を音声認識することにより得たデータが入力されてもよい。入力部７８００は、例えば、赤外線又はその他の電波を利用したリモートコントロール装置であってもよいし、車両制御システム７０００の操作に対応した携帯電話又はＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等の外部接続機器であってもよい。入力部７８００は、例えばカメラであってもよく、その場合搭乗者はジェスチャにより情報を入力することができる。あるいは、搭乗者が装着したウェアラブル装置の動きを検出することで得られたデータが入力されてもよい。さらに、入力部７８００は、例えば、上記の入力部７８００を用いて搭乗者等により入力された情報に基づいて入力信号を生成し、統合制御ユニット７６００に出力する入力制御回路などを含んでもよい。搭乗者等は、この入力部７８００を操作することにより、車両制御システム７０００に対して各種のデータを入力したり処理動作を指示したりする。

記憶部７６９０は、マイクロコンピュータにより実行される各種プログラムを記憶するＲＯＭ（Read Only Memory）、及び各種パラメータ、演算結果又はセンサ値等を記憶するＲＡＭ（Random Access Memory）を含んでいてもよい。また、記憶部７６９０は、ＨＤＤ（Hard Disc Drive）等の磁気記憶デバイス、半導体記憶デバイス、光記憶デバイス又は光磁気記憶デバイス等によって実現してもよい。

汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、外部環境７７５０に存在する様々な機器との間の通信を仲介する汎用的な通信Ｉ／Ｆである。汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、ＧＳＭ（登録商標）（Global System of Mobile communications）、ＷｉＭＡＸ（登録商標）、ＬＴＥ（登録商標）（Long Term Evolution）若しくはＬＴＥ－Ａ（LTE－Advanced）などのセルラー通信プロトコル、又は無線ＬＡＮ（Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標）ともいう）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）などのその他の無線通信プロトコルを実装してよい。汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、例えば、基地局又はアクセスポイントを介して、外部ネットワーク（例えば、インターネット、クラウドネットワーク又は事業者固有のネットワーク）上に存在する機器（例えば、アプリケーションサーバ又は制御サーバ）へ接続してもよい。また、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、例えばＰ２Ｐ（Peer To Peer）技術を用いて、車両の近傍に存在する端末（例えば、運転者、歩行者若しくは店舗の端末、又はＭＴＣ（Machine Type Communication）端末）と接続してもよい。

専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、車両における使用を目的として策定された通信プロトコルをサポートする通信Ｉ／Ｆである。専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、例えば、下位レイヤのＩＥＥＥ８０２．１１ｐと上位レイヤのＩＥＥＥ１６０９との組合せであるＷＡＶＥ（Wireless Access in Vehicle Environment）、ＤＳＲＣ（Dedicated Short Range Communications）、又はセルラー通信プロトコルといった標準プロトコルを実装してよい。専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、典型的には、車車間（Vehicle to Vehicle）通信、路車間（Vehicle to Infrastructure）通信、車両と家との間（Vehicle to Home）の通信及び歩車間（Vehicle to Pedestrian）通信のうちの１つ以上を含む概念であるＶ２Ｘ通信を遂行する。

測位部７６４０は、例えば、ＧＮＳＳ（Global Navigation Satellite System）衛星からのＧＮＳＳ信号（例えば、ＧＰＳ（Global Positioning System）衛星からのＧＰＳ信号）を受信して測位を実行し、車両の緯度、経度及び高度を含む位置情報を生成する。なお、測位部７６４０は、無線アクセスポイントとの信号の交換により現在位置を特定してもよく、又は測位機能を有する携帯電話、ＰＨＳ若しくはスマートフォンといった端末から位置情報を取得してもよい。

ビーコン受信部７６５０は、例えば、道路上に設置された無線局等から発信される電波あるいは電磁波を受信し、現在位置、渋滞、通行止め又は所要時間等の情報を取得する。なお、ビーコン受信部７６５０の機能は、上述した専用通信Ｉ／Ｆ７６３０に含まれてもよい。

車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、マイクロコンピュータ７６１０と車内に存在する様々な車内機器７７６０との間の接続を仲介する通信インタフェースである。車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、無線ＬＡＮ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＮＦＣ（Near Field Communication）又はＷＵＳＢ（Wireless USB）といった無線通信プロトコルを用いて無線接続を確立してもよい。また、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、図示しない接続端子（及び、必要であればケーブル）を介して、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）、ＨＤＭＩ（登録商標）（High-Definition Multimedia Interface、又はＭＨＬ（Mobile High-definition Link）等の有線接続を確立してもよい。車内機器７７６０は、例えば、搭乗者が有するモバイル機器若しくはウェアラブル機器、又は車両に搬入され若しくは取り付けられる情報機器のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。また、車内機器７７６０は、任意の目的地までの経路探索を行うナビゲーション装置を含んでいてもよい。車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、これらの車内機器７７６０との間で、制御信号又はデータ信号を交換する。

車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０は、マイクロコンピュータ７６１０と通信ネットワーク７０１０との間の通信を仲介するインタフェースである。車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０は、通信ネットワーク７０１０によりサポートされる所定のプロトコルに則して、信号等を送受信する。

統合制御ユニット７６００のマイクロコンピュータ７６１０は、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０及び車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０のうちの少なくとも一つを介して取得される情報に基づき、各種プログラムにしたがって、車両制御システム７０００を制御する。例えば、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット７１００に対して制御指令を出力してもよい。例えば、マイクロコンピュータ７６１０は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced Driver Assistance System）の機能実現を目的とした協調制御を行ってもよい。また、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行ってもよい。

マイクロコンピュータ７６１０は、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０及び車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０のうちの少なくとも一つを介して取得される情報に基づき、車両と周辺の構造物や人物等の物体との間の３次元距離情報を生成し、車両の現在位置の周辺情報を含むローカル地図情報を作成してもよい。また、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される情報に基づき、車両の衝突、歩行者等の近接又は通行止めの道路への進入等の危険を予測し、警告用信号を生成してもよい。警告用信号は、例えば、警告音を発生させたり、警告ランプを点灯させたりするための信号であってよい。

音声画像出力部７６７０は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１１の例では、出力装置として、オーディオスピーカ７７１０、表示部７７２０及びインストルメントパネル７７３０が例示されている。表示部７７２０は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。表示部７７２０は、ＡＲ（Augmented Reality）表示機能を有していてもよい。出力装置は、これらの装置以外の、ヘッドホン、搭乗者が装着する眼鏡型ディスプレイ等のウェアラブルデバイス、プロジェクタ又はランプ等の他の装置であってもよい。出力装置が表示装置の場合、表示装置は、マイクロコンピュータ７６１０が行った各種処理により得られた結果又は他の制御ユニットから受信された情報を、テキスト、イメージ、表、グラフ等、様々な形式で視覚的に表示する。また、出力装置が音声出力装置の場合、音声出力装置は、再生された音声データ又は音響データ等からなるオーディオ信号をアナログ信号に変換して聴覚的に出力する。

なお、図１１に示した例において、通信ネットワーク７０１０を介して接続された少なくとも二つの制御ユニットが一つの制御ユニットとして一体化されてもよい。あるいは、個々の制御ユニットが、複数の制御ユニットにより構成されてもよい。さらに、車両制御システム７０００が、図示されていない別の制御ユニットを備えてもよい。また、上記の説明において、いずれかの制御ユニットが担う機能の一部又は全部を、他の制御ユニットに持たせてもよい。つまり、通信ネットワーク７０１０を介して情報の送受信がされるようになっていれば、所定の演算処理が、いずれかの制御ユニットで行われるようになってもよい。同様に、いずれかの制御ユニットに接続されているセンサ又は装置が、他の制御ユニットに接続されるとともに、複数の制御ユニットが、通信ネットワーク７０１０を介して相互に検出情報を送受信してもよい。

なお、本技術は以下のような構成を取ることができる。
（１）光電変換を行う複数の画素が配置された画素領域を有する半導体基板を備え、
前記半導体基板は、
前記画素領域よりも外周側に配置され、前記画素領域よりも低い高さを有するとともに複数の辺に沿って延びる溝部と、
前記溝部よりも外周側に配置され、前記溝部よりも高い高さを有するとともに前記複数の辺に沿って延びる凸部と、
前記複数の辺のうち、少なくとも一つの辺における前記凸部の光入射面側の表面の全域を覆う被覆膜と、を有する、光検出装置。
（２）前記被覆膜の反射率は、前記半導体基板の反射率より低い、（１）に記載の光検出装置。
（３）前記溝部は、前記画素領域を取り囲むように配置され、
前記凸部は、前記溝部を取り囲むように配置される、（１）又は（２）に記載の光検出装置。
（４）前記凸部の外周側には、前記半導体基板のダイシングされた切断面が配置される、（１）乃至（３）のいずれか一項に記載の光検出装置。
（５）前記半導体基板が有する複数の辺のうち、前記被覆膜で覆われる辺は、ワイヤボンディング用のパッドが配置されない辺である、（１）乃至（４）のいずれか一項に記載の光検出装置。
（６）前記画素領域と前記溝部との間隔は、前記半導体基板における複数の辺のうち、少なくとも二つの辺で異なる、（１）乃至（５）のいずれか一項に記載の光検出装置。
（７）ワイヤボンディング用のパッドが配置される辺における前記間隔は、ワイヤボンディング用のパッドが配置されない辺における前記間隔よりも大きく、
前記被覆膜で覆われる辺は、ワイヤボンディング用のパッドが配置されない辺を含む、（６）に記載の光検出装置。
（８）前記凸部の高さは、前記画素領域の高さと同一である、（１）乃至（７）のいずれか一項に記載の光検出装置。
（９）前記被覆膜で覆われる辺の一部に配置されるテスト端子を備え、
前記被覆膜は、前記テスト端子が配置された辺の表面を覆う、（１）乃至（８）のいずれか一項に記載の光検出装置。
（１０）前記溝部と接する箇所の前記凸部の側壁は、前記溝部の底面から前記凸部の上面まで延びる面であり、この面は凹凸構造を有する、（１）乃至（９）のいずれか一項に記載の光検出装置。
（１１）前記溝部と接する箇所の前記凸部の側壁は、前記溝部の底面から前記凸部の上面まで延びる平坦面である、（１）乃至（９）のいずれか一項に記載の光検出装置。
（１２）前記溝部と接する箇所の前記凸部の側壁は、段差を有する、（１）乃至（９）のいずれか一項に記載の光検出装置。
（１３）前記被覆膜は、前記半導体基板の反射率よりも低い反射率の酸化膜を有する、（１）乃至（１２）のいずれか一項に記載の光検出装置。
（１４）前記被覆膜は、
樹脂を含む平坦化膜と前記酸化膜とを積層させた積層体である、（１３）に記載の光検出装置。
（１５）前記平坦化膜は、前記画素領域の上に配置されるカラーフィルタ層の上面を平坦化する膜と同じ材料である、（１４）に記載の光検出装置。
（１６）前記被覆膜の膜厚は、５０ｎｍ以上で１２０ｎｍ以下である、（１）乃至（１５）のいずれか一項に記載の光検出装置。

本開示の態様は、上述した個々の実施形態に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形も含むものであり、本開示の効果も上述した内容に限定されない。すなわち、特許請求の範囲に規定された内容およびその均等物から導き出される本開示の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更および部分的削除が可能である。

１光検出装置、２画素領域、３垂直駆動回路、４カラム信号処理回路、５水平駆動回路、６出力回路、７制御回路、８画素、８ａオンチップレンズ、１１第１ウエハ、１２第１チップ、１２ａ第１半導体基板、１２ｂ第１配線層、１３スクライブ領域、１３ａ太線領域、１３ｂ溝部、１３ｃ凸部、１３ｄ側壁面、１３ｅ凹凸構造、１４パッド、１５第２チップ、１５ａ第２半導体基板、１５ｂ第２配線層、１６周辺領域、１７カラーフィルタ層、１８平坦化膜、２０カメラモジュール、２１撮影レンズ、２２レンズホルダ、２３被覆膜、２３ａ平坦化膜、２３ｂ酸化膜、２４テスト端子

Claims

光電変換を行う複数の画素が配置された画素領域を有する半導体基板を備え、
前記半導体基板は、
前記画素領域よりも外周側に配置され、前記画素領域よりも低い高さを有するとともに複数の辺に沿って延びる溝部と、
前記溝部よりも外周側に配置され、前記溝部よりも高い高さを有するとともに前記複数の辺に沿って延びる凸部と、
前記複数の辺のうち、少なくとも一つの辺における前記凸部の光入射面側の表面の全域を覆う被覆膜と、を有する、光検出装置。
前記被覆膜の反射率は、前記半導体基板の反射率より低い、請求項１に記載の光検出装置。
前記溝部は、前記画素領域を取り囲むように配置され、
前記凸部は、前記溝部を取り囲むように配置される、請求項１に記載の光検出装置。
前記凸部の外周側には、前記半導体基板のダイシングされた切断面が配置される、請求項１に記載の光検出装置。
前記半導体基板が有する複数の辺のうち、前記被覆膜で覆われる辺は、ワイヤボンディング用のパッドが配置されない辺である、請求項１に記載の光検出装置。
前記画素領域と前記溝部との間隔は、前記半導体基板における複数の辺のうち、少なくとも二つの辺で異なる、請求項１に記載の光検出装置。
ワイヤボンディング用のパッドが配置される辺における前記間隔は、ワイヤボンディング用のパッドが配置されない辺における前記間隔よりも大きく、
前記被覆膜で覆われる辺は、ワイヤボンディング用のパッドが配置されない辺を含む、請求項６に記載の光検出装置。
前記凸部の高さは、前記画素領域の高さと同一である、請求項１に記載の光検出装置。
前記被覆膜で覆われる辺の一部に配置されるテスト端子を備え、
前記被覆膜は、前記テスト端子が配置された辺の表面を覆う、請求項１に記載の光検出装置。
前記溝部と接する箇所の前記凸部の側壁は、前記溝部の底面から前記凸部の上面まで延びる面であり、この面は凹凸構造を有する、請求項１に記載の光検出装置。
前記溝部と接する箇所の前記凸部の側壁は、前記溝部の底面から前記凸部の上面まで延びる平坦面である、請求項１に記載の光検出装置。
前記溝部と接する箇所の前記凸部の側壁は、段差を有する、請求項１に記載の光検出装置。
前記被覆膜は、前記半導体基板の反射率よりも低い反射率の酸化膜を有する、請求項１に記載の光検出装置。
前記被覆膜は、
樹脂を含む平坦化膜と前記酸化膜とを積層させた積層体である、請求項１３に記載の光検出装置。
前記平坦化膜は、前記画素領域の上に配置されるカラーフィルタ層の上面を平坦化する膜と同じ材料である、請求項１４に記載の光検出装置。
前記被覆膜の膜厚は、５０ｎｍ以上で１２０ｎｍ以下である、請求項１に記載の光検出装置。