CN109656419B - 触控面板的滚压制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种触控面板的滚压制作方法。该触控面板的滚压制作方法通过在待开设出线凹槽的第一膜层上的预设区域进行部分全切断处理和部分半切断处理，全切断的切痕的两端均延伸至预设的外形切割线所在的位置，且全切断的切痕与预设的外形切割线所围成的区域即待开设的出线凹槽所在的区域，这样在将其他膜层放在第一膜层上进行贴合时，待开设出线凹槽的位置有含有离型膜的部分第一膜层支撑，也即原本先形成出线凹槽的部分在滚压贴合时有第一膜层填充并提供支撑，这样在滚压贴合时，出线凹槽位置处就不会悬空，受力比较均匀，因而不会因悬空而受力不足和受力不均产生间隙气泡，有利于提高表面平整度，保证产品的质量。
Description
技术领域
本发明涉及触摸屏技术领域，尤其是涉及一种触控面板的滚压制作方法。
背景技术
如图1所示，传统的在使用滚压法制作触控面板时，如果在滚轮滚压区域的底部有出线凹槽的话，会因为有高度差，材料受力不足且受力不均匀而导致在出线凹槽上的贴合层之间出现气泡，进而引起因压合不平整而导致的产品质量问题，如外观不平整、触摸灵敏度受影响等。传统的通常通过调整不同膜层之间的贴合顺序来避免在有出线凹槽的情况下进行滚压贴合。然而，贴合顺序往往不是可以随意更换的，因而该方法灵活性不强。
发明内容
基于此，有必要提供一种灵活性强且可避免贴合层之间出现气泡的触控面板的滚压制作方法。
一种触控面板的滚压制作方法，包括如下步骤：
沿待开设出线凹槽的第一膜层上预设区域的部分边缘进行全切断处理，并沿所述预设区域的余下的边缘部分进行半切断处理，所述第一膜层包括膜底、位于所述膜底一侧的胶粘层以及覆盖在所述胶粘层上的离型膜，所述全切断是从所述离型膜的表面下切至所述膜底的另一侧，所述半切断是从所述离型膜的表面下切至离型膜整体切断且至少保留部分所述膜底不切断，所述全切断的切痕的两端均至少延伸至预设的外形切割线所在的位置，且所述全切断的切痕与所述预设的外形切割线所围成的区域即待开设的出线凹槽所在的区域；
撕去所述第一膜层上除所述预设区域之外的其他区域的离型膜，将其他膜层依次粘接在露出的胶粘层上；
对组合好的各膜层进行滚压贴合处理；
沿所述预设的外形切割线对贴合好的各膜层整体进行外形切割，除去外形切掉的部分以及残留的含有离型膜的部分第一膜层。
在其中一个实施例中，所述预设区域不小于待开设的出线凹槽所在的区域。
在其中一个实施例中，所述半切断的切痕位于所述外形切掉的部分，或与预设的外形切割线共线。
在其中一个实施例中，所述半切断是从所述离型膜的表面下切至所述胶粘层的表面，保留胶粘层及所述膜底不切断。
在其中一个实施例中，所述全切断和所述半切断是使用刀模切割或激光镭射切割的方式进行切断。
在其中一个实施例中，所述第一膜层是由所述离型膜覆盖的表面带胶的薄膜；或
所述第一膜层为两面都覆盖有离型膜的透明胶粘层，其中一侧的离型膜即所述膜底。
在其中一个实施例中，所述其他膜层包括与所述第一膜层中的胶粘层直接粘接的第二膜层，所述第二膜层是第一导电膜层或第一聚脂薄膜层。
在其中一个实施例中，所述其他膜层还包括与所述第二膜层直接粘接的第三膜层，所述第三膜层是透明胶粘层。
在其中一个实施例中，所述透明胶粘层为OCA光学胶层。
在其中一个实施例中，所述其他膜层还包括与所述第三膜层直接粘接的第四膜层，所述第四膜层是第二导电膜层或第二聚脂薄膜层。
在其中一个实施例中，所述第一导电膜层及所述第二导电膜层为半导体氧化物导电膜层、纳米银层或导电网层。
上述触控面板的滚压制作方法通过在待开设出线凹槽的第一膜层上的预设区域进行部分全切断处理和部分半切断处理，全切断是从第一膜层的离型膜的表面切至其膜底的另一侧，半切断是从离型膜的表面下切至离型膜整体切断且至少保留部分膜底不切断，全切断的切痕的两端均延伸至预设的外形切割线所在的位置，且全切断的切痕与预设的外形切割线所围成的区域即待开设的出线凹槽所在的区域，这样在将其他膜层放在第一膜层上进行贴合时，待开设出线凹槽的位置有含有离型膜的部分第一膜层支撑，也即原本先形成出线凹槽的部分在滚压贴合时有第一膜层填充并提供支撑，这样在滚压贴合时，出线凹槽位置处就不会悬空，受力比较均匀，因而不会因悬空而受力不足和受力不均产生间隙气泡，有利于提高表面平整度，保证产品的质量。后续只要沿预设的外形切割线进行切割，由于全切断的切痕的两端均延伸至预设的外形切割线所在的位置，待开设出线凹槽区域对应的第一膜层与其他膜层之间有离型膜隔开，可以自行脱落，无需其他处理。该触控面板的滚压制作方法过程简单易行，无需更换膜层的贴合顺序，可以适应各种场合的滚压贴合，灵活性强。
附图说明
图1为传统的使用滚压法制作触控面板的示意图；
图2为本发明一实施例的触控面板在滚压制作时第一膜层的预设区域的切断方式的侧视图；
图3为图2所示第一膜层的预设区域的切断方式的俯视图；
图4为图2所示第一膜层与其他膜层组合示意图；
图5为图4所示第一膜层与其他膜层整体外形切割后的侧视图；
图6为图5所示整体外形切割后的仰视图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本发明一实施例提供了一种触控面板的滚压制作方法，其包括如下步骤：
步骤一：沿待开设出线凹槽的第一膜层上预设区域的部分边缘进行全切断处理，并沿预设区域的余下的边缘部分进行半切断处理。
出线凹槽是由第一膜层切除部分区域后形成的。请结合图2和图3，本实施例所述的第一膜层100包括膜底110、位于膜底110一侧的胶粘层120以及覆盖在胶粘层120上的离型膜130。
上述全切断是从离型膜130的表面下切至膜底110的另一侧，也即将第一膜层100整体切断；半切断是从离型膜130的表面下切至离型膜130整体切断且至少保留部分膜底110不切断，也即至少要将离型膜130切断，且至少要保留部分膜底110不切断。全切断的切痕102与半切断的切痕103首尾连接构成完整的预设区域101的周缘。优选地，如图2所示，所述半切断是从离型膜130的表面下切至胶粘层120的表面，保留胶粘层120及膜底110都不切断，只将离型膜130切断。
无论是全切断还是半切断，都可以使用刀模切割或激光镭射切割的方式进行切断，只需要调整冲切深度或激光镭射能量就可以实现，工艺难度低，易于实现和制作。
在本实施例中，全切断的切痕102的两端均至少延伸至预设的外形切割线104所在的位置，且全切断的切痕102与预设的外形切割线104所围成的区域即待开设的出线凹槽所在的区域105。在将第一膜层100与其他膜层滚压贴合好之后，所述预设的外形切割线104用于指示整体(第一膜层100+其他膜层)全切断切割的位置，以切割去除多余的外形部分(即外形切掉的部分)。因而，本实施例所述预设区域101不小于待开设的出线凹槽所在的区域105，即预设区域101至少要完全包含待开设的出线凹槽所在的区域105，半切断的切痕103位于外形切掉的部分，或与预设的外形切割线104共线，只有这样，才能保证在外形切割后，全切断的切痕102与外形切割的切痕(即预设的外形切割线104)能够刚好围成待开设的出线凹槽所在的区域105。
在全切断的切痕102的两端均延伸至预设的外形切割线104所在的位置，且全切断的切痕102与预设的外形切割线104所围成的区域即待开设的出线凹槽所在的区域105的情况下，当沿预设的外形切割线104切割后，由全切断的切痕102与预设的外形切割线104所围成的区域即可自动脱落，在第一膜层100上形成出线凹槽。
如图3所示，图3所示的全切断的切痕102和半切断的切痕104为直线段状，全切断的切痕102与半切断的切痕104构成矩形的预设区域。在其他实施例中，可理解，预设区域的形状也不限如此，可以为根据具体的出线凹槽形状设置的任意形状，如预设区域的边缘可以是曲线状的，也可以是曲线状与直线段状相结合的等。
本实施例所述的第一膜层100是由离型膜130覆盖的表面带胶的薄膜，其中薄膜即膜底110，薄膜表面带有的胶即胶粘层120；或者第一膜层100为两面都覆盖有离型膜的透明胶粘层，其中一侧的离型膜即膜底110，中间的透明胶粘层即胶粘层120。透明胶粘层优选但不限于OCA光学胶层。
步骤二：撕去第一膜层上除预设区域之外的其他区域的离型膜，将其他膜层依次粘接在露出的胶粘层上。
如图4和图5所示，在一些具体的实例中，其他膜层包括与第一膜层100中的胶粘层120直接粘接的第二膜层200。第二膜层200是第一导电膜层或第一聚脂薄膜层。
在另一些具体的实例中，其他膜层还可以包括与第二膜层200直接粘接的第三膜层300。第三膜层300是透明胶粘层。透明胶粘层优选但不限于为OCA光学胶层。
进一步，其他膜层还可以包括与第三膜层300直接粘接的第四膜层400。第四膜层400是第二导电膜层或第二聚脂薄膜层。
上述第一导电膜层及第二导电膜层可以是半导体氧化物导电膜层(如ITO层)、纳米银层或导电网层等。
步骤三：对组合好的各膜层进行滚压贴合处理。
如图4所示，在本实施例中，使用滚轮500对组合好的各膜层(包括第一膜层100与其他膜层)进行滚压，使各膜层紧密贴合在一起。
步骤四：沿预设的外形切割线对贴合好的各膜层整体进行外形切割，除去外形切掉的部分以及残留的含有离型膜的部分第一膜层。
请结合图4、图5和图6，图示所示的预设的外形切割线104位于半切断的切痕103的内侧，全切断的切痕102的两端均延伸且穿过该预设的外形切割线104，这样在沿预设的外形切割线104对整体进行全切断的切割后，会与全切断的切痕102连通形成环绕一周的切痕，该环绕一周切痕的内部区域即待开设的出线凹槽所在的区域105，该区域105由于与其他膜层之间具有离型膜130，因而不会与其他膜层粘接，在外形切割后就可以自行脱落，形成出线凹槽。出线凹槽对应区域只有其他膜层，而其他区域是第一膜层100与其他膜层贴合构成的复合膜层结构。
上述触控面板的滚压制作方法通过在待开设出线凹槽的第一膜层100上的预设区域101进行部分全切断处理和部分半切断处理，全切断的切痕102的两端均延伸至预设的外形切割线104所在的位置，且全切断的切痕102与预设的外形切割线104所围成的区域即待开设的出线凹槽所在的区域105，这样在将其他膜层放在第一膜层100上进行贴合时，待开设出线凹槽的位置有含有离型膜130的部分第一膜层100支撑，也即原本先形成出线凹槽的部分在滚压贴合时有第一膜层100填充并提供支撑，这样在滚压贴合时，出线凹槽位置处就不会悬空，受力比较均匀，因而不会因悬空而受力不足和受力不均产生间隙气泡，有利于提高表面平整度，保证产品的质量。后续只要沿预设的外形切割线104进行切割，由于全切断的切痕102的两端均延伸至预设的外形切割线104所在的位置，待开设出线凹槽的区域105对应的第一膜层100与其他膜层之间有离型膜130隔开，可以自行脱落，无需其他处理。
该触控面板的滚压制作方法过程简单易行，无需更换膜层的贴合顺序，可以适应各种场合的滚压贴合，灵活性强。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (8)
1.一种触控面板的滚压制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
沿待开设出线凹槽的第一膜层上预设区域的部分边缘进行全切断处理，并沿所述预设区域的余下的边缘部分进行半切断处理，所述第一膜层包括膜底、位于所述膜底一侧的胶粘层以及覆盖在所述胶粘层上的离型膜，所述全切断是从所述离型膜的表面下切至所述膜底的另一侧，所述半切断是从所述离型膜的表面下切至离型膜整体切断且至少保留部分所述膜底不切断，所述全切断的切痕的两端均至少延伸至预设的外形切割线所在的位置，且所述全切断的切痕与所述预设的外形切割线所围成的区域即待开设的出线凹槽所在的区域，所述预设区域不小于待开设的出线凹槽所在的区域，所述半切断的切痕位于所述外形切掉的部分，或与预设的外形切割线共线；
撕去所述第一膜层上除所述预设区域之外的其他区域的离型膜，将其他膜层依次粘接在露出的胶粘层上；
对组合好的各膜层进行滚压贴合处理；
沿所述预设的外形切割线对贴合好的各膜层整体进行外形切割，除去外形切掉的部分以及残留的含有离型膜的部分第一膜层。
2.如权利要求1所述的触控面板的滚压制作方法，其特征在于，所述半切断是从所述离型膜的表面下切至所述胶粘层的表面，保留胶粘层及所述膜底不切断。
3.如权利要求1所述的触控面板的滚压制作方法，其特征在于，所述全切断和所述半切断是使用刀模切割或激光镭射切割的方式进行切断。
4.如权利要求1～3中任一项所述的触控面板的滚压制作方法，其特征在于，所述第一膜层是由所述离型膜覆盖的表面带胶的薄膜；或
所述第一膜层为两面都覆盖有离型膜的透明胶粘层，其中一侧的离型膜即所述膜底。
5.如权利要求4所述的触控面板的滚压制作方法，其特征在于，所述其他膜层包括与所述第一膜层中的胶粘层直接粘接的第二膜层，所述第二膜层是第一导电膜层或第一聚脂薄膜层。
6.如权利要求5所述的触控面板的滚压制作方法，其特征在于，所述其他膜层还包括与所述第二膜层直接粘接的第三膜层，所述第三膜层是透明胶粘层。
7.如权利要求6所述的触控面板的滚压制作方法，其特征在于，所述其他膜层还包括与所述第三膜层直接粘接的第四膜层，所述第四膜层是第二导电膜层或第二聚脂薄膜层。
8.如权利要求7所述的触控面板的滚压制作方法，其特征在于，所述第一导电膜层及所述第二导电膜层为半导体氧化物导电膜层、纳米银层或导电网层。
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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