CN109505010A - 一种氮化铝单晶晶须的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种氮化铝单晶晶须的制备方法,步骤如下:将高纯铝颗粒加入到刚玉舟中,与衬底一同放入氢化物气相外延设备的反应室,分别置于源区和生长区;抽真空后,控制源区温度为1400℃,生长区温度为1550℃,氩气为载气,氮气为氮源,在衬底上进行氮化铝晶须的制备,生长时间在40~90min;结束生长后,降至室温,取出样品,衬底表面有一层白色沉积物即为氮化铝单晶晶须。此方法生长氮化铝单晶晶须结晶质量高,且该方法具有操作简单,成本低,效率高,无危险气体等优点。
Description
技术领域
本发明涉及氮化铝的制备技术领域,尤其涉及一种氮化铝单晶晶须的制备方法。
背景技术
氮化铝具有高的热导率,优异的介电性能、声波传输特性,具有优良的压电性能以及较大的禁带宽度,可以作为新型高密度封装基板材料,大功率电路模块的基板材料。在对氮化铝的研究过程中,人们发现了氮化铝晶须的诸多优良特性,氮化铝晶须的晶体结构完整,内部缺陷较少,其强度和模量可接近完整晶体材料的理论值,可作为增韧补强剂用于制备新型复合结构材料,还可以利用其高导热性制成性能优异的功能型复合材料,具有良好的应用前景。氮化铝的制备方法有很多,主要有升华凝聚法、CVD法、碳热还原法,升华凝聚法需要较高的生长温度,对设备的要求高,碳热还原法反应所需温度高于1700℃,产率低,且晶须形态不完整,CVD法工艺相对成熟,设备较简单,成膜速率高。但直接采用HVPE法获得单晶氮化铝晶须的研究尚未见报道。
发明内容
本发明的目的是提供一种工艺简单、成本较低、且效率高的氮化铝单晶晶须的制备方法。
一种氮化铝单晶晶须的制备方法,步骤如下:
1)备料:称量高纯铝颗粒放入刚玉舟中备用;利用丙酮和异丙醇清洗衬底表面;2)装料:氢化物气相外延设备反应室中刚玉管的一端作为进气口,将步骤1)装有铝颗粒的刚玉舟从另一端推入刚玉管中,直至源区位置,再将衬底放入刚玉管内距离刚玉管端口5~10cm处;
3)生长:先将反应室内抽真空至真空度为30Pa以下,之后通入氮气,将源区温度升温至1400℃,衬底所处的生长区温度升温至1550℃,温度到达设定值后,通入氩气,调节氮气及氩气流量,使压力控制为10kPa,保温40~90min;
4)降温:循环冷却水冷却至室温,取出样品,在衬底上生长有白色沉积物即为氮化铝单晶晶须。
上述技术方案中,选用的铝颗粒纯度不低于99.999%。所述的衬底采用蓝宝石。
上述技术方案中,步骤3)中抽真空后,通入氮气流量为0.1L/min。控制的源区温度为1400℃,生长区温度为1550℃,通入氩气,调节氮气及氩气流量,使氮气路流量为1.1-4L/min,氩气路流量为500-600mL/min,压力控制为10kPa。
本发明的有益效果在于:
采用的反应源气体为氮气及铝蒸气来生长氮化铝晶须,反应过程中无需使用氨气作为氮源,提高了实验的安全性和可靠性,又减少了原料的使用,节约了能源,降低了成本。且制得的氮化铝晶须为单晶,结晶质量高,为高质量氮化铝材料的制备提供了新思路。
附图说明
图1是用本发明方法制备的氮化铝晶须的X射线衍射(XRD)图谱;
图2是用本发明方法制备的氮化铝晶须的扫描电镜(SEM)图谱;
图3是本发明方法制得的氮化铝晶须的TEM图谱;
具体实施方式
实施例1
1)称量1g的纯度为99.999%的铝颗粒放入刚玉舟中备用;利用丙酮和异丙醇各超声清洗蓝宝石表面10min,吹干备用;
2)氢化物气相外延设备反应室中刚玉管一端连接进气口,将步骤1)装有铝颗粒的刚玉舟从另一端推入刚玉管中,直至源区位置,衬底放置在距离刚玉管端口5~10cm处;
3)在氮化铝生长过程中,先将反应室内抽真空至8Pa,之后通入0.1L/min氮气,源区温度升温至1400℃,生长区温度升温至1550℃。温度到达设定值后调节氮气路流量为1.1L/min,氩气路流量为500mL/min,压力控制为10kPa,保温82min;4)循环冷却水冷却至室温,取出样品,在蓝宝石衬底上生长有白色沉积物。
对获得的白色沉积物进行检测,测试结果表明其为氮化铝单晶晶须。
实施例2
1)称量1g的纯度为99.999%的铝颗粒放入刚玉舟中备用;利用丙酮和异丙醇各超声清洗蓝宝石表面10min,吹干备用;
2)氢化物气相外延设备反应室中刚玉管一端连接进气口,将步骤1)装有铝颗粒的刚玉舟从另一端推入刚玉管中,直至源区位置,衬底放置在距离刚玉管端口5~10cm处;
3)在氮化铝纳米线生长过程中,先将反应室内抽真空至29Pa,之后通入0.1L/min氮气,源区温度升温至1400℃,生长区温度升温至1550℃。温度到达设定值后调节氮气路流量为1.1L/min,氩气路流量为500mL/min,压力控制为10kPa,保温42min;
4)循环冷却水冷却至室温,取出样品,在蓝宝石衬底上生长有白色沉积物。
对获得的白色沉积物进行检测,测试结果表明其为氮化铝单晶晶须。
实施例3
1)称量1g的纯度为99.999%的铝颗粒放入刚玉舟中备用;利用丙酮和异丙醇各超声清洗蓝宝石表面10min,吹干备用;
2)氢化物气相外延设备反应室中刚玉管一端连接氩气进气口,将步骤1)装有铝颗粒的刚玉舟从另一端推入刚玉管中,直至源区位置,衬底放置在距离刚玉管端口5~10cm处;
3)在氮化铝纳米线生长过程中,先将反应室内抽真空至23Pa,之后通入0.1L/min氮气,源区温度升温至1400℃,生长区温度升温至1550℃。温度到达设定值后调节氮气路流量为4L/min,氩气路流量为600mL/min,压力控制为10kPa,保温45min;
4)循环冷却水冷却至室温,取出样品,在蓝宝石衬底上生长有白色沉积物。
对获得的白色沉积物进行检测,测试结果表明其为氮化铝单晶晶须。本发明方法制备获得的氮化铝晶须为单晶,结晶质量高,其TEM及选区衍射图像见图3。
Claims (5)
1.一种氮化铝单晶晶须的制备方法,其特征在于,步骤如下:
1)备料:称量高纯铝颗粒放入刚玉舟中备用;利用丙酮和异丙醇清洗衬底表面;
2)装料:氢化物气相外延设备反应室中刚玉管的一端作为进气口,将步骤1)装有铝颗粒的刚玉舟从另一端推入刚玉管中,直至源区位置,再将衬底放入刚玉管内距离刚玉管端口5~10cm处;
3)生长:先将反应室内抽真空至真空度为30Pa以下,之后通入氮气,将源区温度升温至1400℃,衬底所处的生长区温度升温至1550℃,温度到达设定值后,通入氩气,调节氮气及氩气流量,使压力控制为10kPa,保温40~90min;
4)降温:循环冷却水冷却至室温,取出样品,在衬底上生长有白色沉积物即为氮化铝单晶晶须。
2.根据权利要求1所述的氮化铝单晶晶须的制备方法,其特征在于,步骤3)中抽真空后通入氮气,所述的氮气流量为0.1L/min。
3.根据权利要求1所述的氮化铝单晶晶须的制备方法,其特征在于,所述的衬底为蓝宝石。
4.根据权利要求1所述的氮化铝单晶晶须的制备方法,其特征在于,所述的高纯铝颗粒的纯度不低于99.999%。
5.根据权利要求1所述的氮化铝单晶晶须的制备方法,其特征在于,步骤3)中调节氮气及氩气流量,使氮气路流量为1.1-4L/min,氩气路流量为500-600mL/min。
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Citations (4)
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---|---|---|---|---|
JPS6465100A (en) * | 1987-04-01 | 1989-03-10 | Showa Aluminum Corp | Production of aluminum nitride whisker |
JP2002234711A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-23 | Ibaraki Kenkyusho:Kk | 窒化アルミニウムの製造方法および窒化アルミニウム |
CN1548365A (zh) * | 2003-05-09 | 2004-11-24 | 株式会社茨木研究所 | 生产氮化铝的方法以及氮化铝 |
WO2018169073A1 (ja) * | 2017-03-17 | 2018-09-20 | 国立大学法人名古屋大学 | AlNウィスカーの製造方法および製造装置およびAlNウィスカー構造体およびAlNウィスカーならびに樹脂成形体とその製造方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6465100A (en) * | 1987-04-01 | 1989-03-10 | Showa Aluminum Corp | Production of aluminum nitride whisker |
JP2002234711A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-23 | Ibaraki Kenkyusho:Kk | 窒化アルミニウムの製造方法および窒化アルミニウム |
CN1548365A (zh) * | 2003-05-09 | 2004-11-24 | 株式会社茨木研究所 | 生产氮化铝的方法以及氮化铝 |
WO2018169073A1 (ja) * | 2017-03-17 | 2018-09-20 | 国立大学法人名古屋大学 | AlNウィスカーの製造方法および製造装置およびAlNウィスカー構造体およびAlNウィスカーならびに樹脂成形体とその製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
姜珩: "铝粉直接氮化法制备氮化铝粉末", 《稀有金属》 * |
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