CN109504379A - 无机卤化铅艳钙钛矿量子点制备方法及显示装置 - Google Patents
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 105
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 229910001502 inorganic halide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 33
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 claims abstract description 28
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 claims abstract description 27
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 64
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 43
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 42
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 41
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 18
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 claims description 17
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 claims description 11
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- -1 octadecylene Chemical group 0.000 claims description 10
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 9
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 9
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 7
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 6
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 6
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- SNRUBQQJIBEYMU-NJFSPNSNSA-N dodecane Chemical group CCCCCCCCCCC[14CH3] SNRUBQQJIBEYMU-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007634 remodeling Methods 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7715—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
- C09K11/7719—Halogenides
- C09K11/772—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
- C09K11/664—Halogenides
- C09K11/665—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一种无机卤化铅艳钙钛矿量子点制备方法及显示装置,包括制备第一配位溶液步骤、制备油酸铯溶液步骤、离心分离步骤、制备第二配位溶液步骤、第一离子交换步骤和第二次离子交换步骤;本发明还提供一种显示装置,包括一量子点层,所述量子点层的发光量子点为本发明的无机卤化铅艳钙钛矿量子点。
Description
技术领域
本发明设计无机发光材料领域,具体为一种无机卤化铅铯钙钛矿量子点制备方法及显示装置。
背景技术
钙钛矿量子点是近几年的热点材料,由于其电子迁移速率快,激子结合能大扩散距离长等优异的电学性能以及非常高的荧光量子效率等光学性质,近年来被广泛应用于太阳能电池、激光器、LED和平板显示等方面的研究,并且取得了非常大的技术突破
量子点由于其优秀的热稳定性,较高的量子效率,半峰宽窄,高色域特性,被人们认为是继LCD,OLED之后的又一大显示技术材料,目前各大公司均有量子点产品亮相市场。因制备量子点传统方法操作不易,不能迅速获得,且不能循环得到不同的量子点。
发明内容
本发明提出无机卤化铅铯钙钛矿量子点制备方法及显示装置。以解决反应条件,操作困难,不能循环的合成无机卤化铅铯钙钛矿量子点等问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种无机卤化铅艳钙钛矿量子点制备方法,其特征在于,包括如下步骤:制备第一配位溶液步骤,将第一卤化铅固体以及第一溶剂置于反应容器中混合加热至固体全部溶解得到第一配位溶液;制备油酸铯溶液步骤,将碳酸铯固体以及第二溶剂置于容器中混合加热至固体全部溶解;离心分离步骤,加热所述第一配位溶液并向其中加入所述油酸铯溶液,冷却至室温,得到第一混合液,离心分离所述第一混合液获得第一量子点;制备第二配位溶液步骤,将第二卤化铅固体以及第一溶剂置于反应容器中混合加热至固体全部溶解,得到所述第二配位溶液;第一离子交换步骤,将所述第一量子点重新分散于非极性有机溶剂中,再逐滴加入所述第二卤化铅溶液,进行离子交换反应得到第二混合液,离心分离所述第二混合液获得第二量子点。所述第一量子点、第二量子点均为所述无机卤化铅艳钙钛矿量子点。
进一步地,所述第一卤化铅固体与第二卤化铅固体的卤元素为Br、I或Cl的任意一种,并且所述第一卤化铅固体与第二卤化铅固体中的卤元素不相同。
进一步地,所述第一溶剂包括油酸、油胺和非极性有机溶剂。
进一步地,所述非极性有机溶剂为十二烷或十八烯。
进一步地,在所述第一溶剂中,所述油酸、所述油胺与所述非极性有机溶液体积比为1-2:1-2:4-8。
进一步地,在所述制备油酸铯步骤中,所述第二溶剂包括油酸和十八烯溶剂,所述加热温度120-150度;在所述离心分离步骤中,所述加热温度为 180-200度。
进一步地,所述第二量子点的结构、直径与所述第二量子点的结构、直径一致。
进一步地,在所述离子交换步骤中,还包括:制备第三配位溶液步骤,将第三卤化铅固体以及第一溶剂置于反应容器中混合加热至固体全部溶解,得到所述第三配位溶液;第二离子交换步骤,将所述第二量子点重新分散于非极性有机溶剂中,再逐滴加入第三卤化铅溶液,进行离子交换反应得到第三混合液,离心分离所述第三混合液获得第三量子点,所述第三量子点也为所述无机卤化铅艳钙钛矿量子点。
进一步地,所述第二卤化铅固体与第三卤化铅固体的卤元素为Br、I或 Cl的任意一种,并且所述第二卤化铅固体与第三卤化铅固体中的卤元素不相同。
进一步地,本发明提供一种显示装置,包括一量子点层,所述量子点层的发光量子点为所述的无机卤化铅艳钙钛矿量子点。
本发明的有益效果是:本发明的无机卤化铅铯钙钛矿量子点制备方法及显示装置,将合成好的第一量子点溶液中逐滴加入适量的提前准备好的第二卤化铅或第三卤化铅溶液,即可制备第二量子点溶液或第三量子点溶液。同样的,向合成好的第二量子点溶液或第三量子点溶液中加入第一卤化铅溶液,最终均可制备第一量子点溶液。离子反应过程循环可逆,反应条件温和,且离子交换后的量子点与交换前的量子点相比,结构和直径均不变。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述。
图1为本发明提供的制备无机卤化铅艳钙钛矿量子点方法流程图。
图2为应用例的显示装置的结构剖面图。
具体实施方式
以下是各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本发明可以用湿湿的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如上、下、前、后、左、右、内、外、侧等,仅是参考附图式的方向。本发明提到的元件名称,例如第一、第二等,仅是区分不同的元部件,可以更好的表达。在图中,结构相似的单元以相同标号表示。
本文将参照附图来详细描述本发明的实施例。本发明可以表现为许多不同形式,本发明不应仅被解释为本文阐述的具体实施例。本发明提供这些实施例是为了解释本发明的实际应用,从而使本领域其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改方案。
方法实施例1
本发明提供一种无机卤化铅艳钙钛矿量子点制备方法,包括如下步骤:
为解决上述技术问题,本发明提供一种无机卤化铅艳钙钛矿量子点制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
制备第一配位溶液步骤,将第一卤化铅(0.2mol)固体以及第一溶剂置于反应容器中混合加热至固体全部溶解得到第一配位溶液;所述第一卤化铅固体的卤元素为Br元素;所述第一溶剂包括油酸(0.5ml)、油胺(0.5ml) 和非极性有机溶剂(3ml);所述非极性有机溶剂为十二烷,在其它实施例当中可为十八烯溶剂;在所述第一溶剂中,所述油酸、所述油胺与所述非极性有机溶液体积比为1:1:6,在其它实施例当中可以为1:1:8或2:2:8。
制备油酸铯溶液步骤,将碳酸铯(Cs2CO3)固体以及第二溶剂置于容器中混合加热至固体全部溶解;所述第二溶剂包括油酸和十八烯溶剂;所述加热温度120度,在其它实施例中还可为140或150度。
离心分离步骤,加热所述第一配位溶液并向其中加入所述油酸铯溶液,冷却至室温,得到第一混合液,离心分离所述第一混合液获得第一量子点;所述加热温度为180度,在其它实施例中为190或200度。
制备第二配位溶液步骤,将第二卤化铅固体以及第一溶剂置于反应容器中混合加热至固体全部溶解,得到所述第二配位溶液;所述第二卤化铅固体的卤元素为I元素;。
第一离子交换步骤,将所述第一量子点重新分散于非极性有机溶剂中,再逐滴加入所述第二卤化铅溶液,进行离子交换反应得到第二混合液,离心分离所述第二混合液获得第二量子点;所述第二量子点的结构、直径与所述第二量子点的结构、直径一致;反应时,Br元素与I元素以离子形态进行置换,反应过程不可逆,无需催化条件,可快速制备。
在所述第一离子交换步骤中,还包括:制备第三配位溶液步骤,将第三卤化铅固体以及第一溶剂置于反应容器中混合加热至固体全部溶解,得到所述第三配位溶液;所述第三卤化铅固体的卤元素为Br或Cl的任意一种,本实施例中为Br元素。
第二离子交换步骤,将所述第二量子点重新分散于非极性有机溶剂中,再逐滴加入第三卤化铅溶液,进行离子交换反应得到第三混合液,离心分离所述第三混合液获得第三量子点;所述第三量子点的结构、直径与所述第二量子点的结构、直径一致;反应时,I元素与Br元素以离子形态进行置换,反应过程不可逆,无需催化条件,可快速制备
在方法实施例1中,制备无机卤化铅铯钙钛矿量子点的方法反应条件温和、操作简单并且循环可逆。
方法实施例2
本发明提供另一制备无机卤化铅艳钙钛矿量子点方法实施例2,包括如下步骤:
制备第一配位溶液步骤,将第一卤化铅(0.2mol)固体以及第一溶剂置于反应容器中混合加热至固体全部溶解得到第一配位溶液;所述第一卤化铅固体的卤元素为CI元素;所述第一溶剂包括油酸(0.5ml)、油胺(0.5ml)和非极性有机溶剂(3ml);所述非极性有机溶剂为十二烷,在其它实施例当中可为十八烯溶剂;在所述第一溶剂中,所述油酸、所述油胺与所述非极性有机溶液体积比为1:1:6,在其它实施例当中可以为1:1:8或2:2:8。
制备油酸铯溶液步骤,将碳酸铯固体以及第二溶剂置于容器中混合加热至固体全部溶解;所述第二溶剂包括油酸和十八烯溶剂;所述加热温度120度,在其它实施例中还可为140或150度。
离心分离步骤,加热所述第一配位溶液并向其中加入所述油酸铯溶液,冷却至室温,得到第一混合液,离心分离所述第一混合液获得第一量子点;
制备第二配位溶液步骤,将第二卤化铅固体以及第一溶剂置于反应容器中混合加热至固体全部溶解,得到所述第二配位溶液;所述第二卤化铅固体的卤元素为Br元素;所述加热温度为180-200度。
第一离子交换步骤,将所述第一量子点重新分散于非极性有机溶剂中,再逐滴加入所述第二卤化铅溶液,进行离子交换反应得到第二混合液,离心分离所述第二混合液获得第二量子点;所述第二量子点的结构、直径与所述第二量子点的结构、直径一致;反应时,Cl元素与Br元素以离子形态进行置换,反应过程不可逆,无需催化条件,可快速制备。
在所述第一离子交换步骤中,还包括:制备第三配位溶液步骤,将第三卤化铅固体以及第一溶剂置于反应容器中混合加热至固体全部溶解,得到所述第三配位溶液;所述第三卤化铅固体的卤元素为I或Cl的任意一种,本实施例中为I元素。
第二离子交换步骤,将所述第二量子点重新分散于非极性有机溶剂中,再逐滴加入第三卤化铅溶液,进行离子交换反应得到第三混合液,离心分离所述第三混合液获得第三量子点;所述第三量子点的结构、直径与所述第二量子点的结构、直径一致;反应时,Br元素与I元素以离子形态进行置换,反应过程不可逆,无需催化条件,可快速制备
在方法实施例2中,制备无机卤化铅铯钙钛矿量子点的方法反应条件温和、操作简单并且循环可逆。
方法实施例3
本发明提供另一制备无机卤化铅艳钙钛矿量子点实施例3,包括如下步骤:
制备第一配位溶液步骤,将第一卤化铅固体(0.2mol)以及第一溶剂置于反应容器中混合加热至固体全部溶解得到第一配位溶液;所述第一卤化铅固体的卤元素为I元素;所述第一溶剂包括油酸(0.5ml)、油胺(0.5ml)和非极性有机溶剂(3ml);所述非极性有机溶剂为十二烷,在其它实施例当中可为十八烯溶剂;在所述第一溶剂中,所述油酸、所述油胺与所述非极性有机溶液体积比为1:1:6,在其它实施例当中可以为1:1:8或2:2:8。
制备油酸铯溶液步骤,将碳酸铯固体以及第二溶剂置于容器中混合加热至固体全部溶解;所述第二溶剂包括油酸和十八烯溶剂;所述加热温度120度,在其它实施例中还可为140或150度。
离心分离步骤,加热所述第一配位溶液并向其中加入所述油酸铯溶液,冷却至室温,得到第一混合液,离心分离所述第一混合液获得第一量子点;
制备第二配位溶液步骤,将第二卤化铅固体以及第一溶剂置于反应容器中混合加热至固体全部溶解,得到所述第二配位溶液;所述第二卤化铅固体的卤元素为Br元素;所述加热温度为180-200度。
第一离子交换步骤,将所述第一量子点重新分散于非极性有机溶剂中,再逐滴加入所述第二卤化铅溶液,进行离子交换反应得到第二混合液,离心分离所述第二混合液获得第二量子点;所述第二量子点的结构、直径与所述第二量子点的结构、直径一致;反应时,Br元素与I元素以离子形态进行置换,反应过程不可逆,无需催化条件,可快速制备。
在所述第一离子交换步骤中,还包括:制备第三配位溶液步骤,将第三卤化铅固体以及第一溶剂置于反应容器中混合加热至固体全部溶解,得到所述第三配位溶液;所述第三卤化铅固体的卤元素为Cl或I的任意一种,本实施例中为Cl元素。
第二离子交换步骤,将所述第二量子点重新分散于非极性有机溶剂中,再逐滴加入第三卤化铅溶液,进行离子交换反应得到第三混合液,离心分离所述第三混合液获得第三量子点;所述第三量子点的结构、直径与所述第二量子点的结构、直径一致;反应时,Br元素与Cl元素以离子形态进行置换,反应过程不可逆,无需催化条件,可快速制备
在方法实施例3中,制备无机卤化铅铯钙钛矿量子点的方法反应条件温和、操作简单并且循环可逆。
应用例
本发明所研究的量子点由于其优秀的热稳定性,较高的量子效率,半峰宽窄,高色域特性,进一步将其应用在显示装置中。
本发明提供一种显示装置,主要包括一量子点层13,所述量子点层13的发光量子点为本发明所述实施例当中的无机卤化铅艳钙钛矿量子。
如图2所示,显示装置10包括衬底层11、第一功能层12、量子点层13、第二功能层14和阴极层15;所述衬底层11为导电玻璃;第一功能层12为空穴传输层,并且贴附于衬底11的一侧;量子点层13贴附于第一功能层12远离衬底11的一侧;第二功能层14为电子传输层,并且贴附于量子点层13远离第一功能层12的一侧;阴极层15贴附于第二功能层14远离量子点层13 的一侧。
应当指出,对于经充分说明的本发明来说,还可具有多种变换及改型的实施方案,并不局限于上述实施方式的具体实施例。上述实施例仅仅作为本发明的说明,而不是对发明的限制。总之,本发明的保护范围应包括那些对于本领域普通技术人员来说显而易见的变换或替代以及改型。
Claims (10)
1.一种无机卤化铅艳钙钛矿量子点制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
制备第一配位溶液步骤,将第一卤化铅固体以及第一溶剂置于反应容器中混合加热至固体全部溶解得到第一配位溶液;
制备油酸铯溶液步骤,将碳酸铯固体以及第二溶剂置于容器中混合加热至固体全部溶解;
离心分离步骤,加热所述第一配位溶液并向其中加入所述油酸铯溶液,
冷却至室温,得到第一混合液,离心分离所述第一混合液获得第一量子点;
制备第二配位溶液步骤,将第二卤化铅固体以及第一溶剂置于反应容器中混合加热至固体全部溶解,得到所述第二配位溶液;
第一离子交换步骤,将所述第一量子点重新分散于非极性有机溶剂中,
再逐滴加入所述第二卤化铅溶液,进行离子交换反应得到第二混合液,
离心分离所述第二混合液获得第二量子点;
所述第一量子点、第二量子点均为所述无机卤化铅艳钙钛矿量子点。
2.根据权利要求1所述的无机卤化铅艳钙钛矿量子点制备方法,其特征在于,所述第一卤化铅固体与第二卤化铅固体的卤元素为Br、I或Cl的任意一种,并且所述第一卤化铅固体与第二卤化铅固体中的卤元素不相同。
3.根据权利要求1所述的无机卤化铅艳钙钛矿量子点制备方法,其特征在于,所述第一溶剂包括油酸、油胺和非极性有机溶剂。
4.根据权利要求3所述的无机卤化铅艳钙钛矿量子点制备方法,其特征在于,所述非极性有机溶剂为十二烷或十八烯。
5.根据权利要求3所述的无机卤化铅艳钙钛矿量子点制备方法,其特征在于,在所述第一溶剂中,所述油酸、所述油胺与所述非极性有机溶液体积比为1-2:1-2:4-8。
6.根据权利要求1所述的无机卤化铅艳钙钛矿量子点制备方法,其特征在于,
在所述制备油酸铯步骤中,所述第二溶剂包括油酸和十八烯溶剂,所述加热温度120-150度;
在所述离心分离步骤中,所述加热温度为180-200度。
7.根据权利要求1所述的无机卤化铅艳钙钛矿量子点制备方法,其特征在于,所述第二量子点的结构、直径与所述第二量子点的结构、直径一致。
8.根据权利要求1所述的无机卤化铅艳钙钛矿量子点制备方法,其特征在于,在所述离子交换步骤中,还包括:
制备第三配位溶液步骤,将第三卤化铅固体以及第一溶剂置于反应容器中混合加热至固体全部溶解,得到所述第三配位溶液;
第二离子交换步骤,将所述第二量子点重新分散于非极性有机溶剂中,再逐滴加入第三卤化铅溶液,进行离子交换反应得到第三混合液,离心分离所述第三混合液获得第三量子点,所述第三量子点也为所述无机卤化铅艳钙钛矿量子点。
9.根据权利要求9所述的无机卤化铅艳钙钛矿量子点制备方法,其特征在于,所述第二卤化铅固体与第三卤化铅固体的卤元素为Br、I或Cl的任意一种,并且所述第二卤化铅固体与第三卤化铅固体中的卤元素不相同。
10.一种显示装置,包括一量子点层,其特征在于,所述量子点层的发光量子点为权利要求1-9中任意一项所述的无机卤化铅艳钙钛矿量子点。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811251131.1A CN109504379A (zh) | 2018-10-25 | 2018-10-25 | 无机卤化铅艳钙钛矿量子点制备方法及显示装置 |
US16/462,935 US11236268B2 (en) | 2018-10-25 | 2019-02-20 | Method for preparing inorganic halogenated lead cesium perovskite quantum dots and display device |
PCT/CN2019/075555 WO2020082646A1 (zh) | 2018-10-25 | 2019-02-20 | 无机卤化铅艳钙钛矿量子点制备方法及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811251131.1A CN109504379A (zh) | 2018-10-25 | 2018-10-25 | 无机卤化铅艳钙钛矿量子点制备方法及显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109504379A true CN109504379A (zh) | 2019-03-22 |
Family
ID=65745924
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811251131.1A Pending CN109504379A (zh) | 2018-10-25 | 2018-10-25 | 无机卤化铅艳钙钛矿量子点制备方法及显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11236268B2 (zh) |
CN (1) | CN109504379A (zh) |
WO (1) | WO2020082646A1 (zh) |
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CN111040513A (zh) * | 2019-12-03 | 2020-04-21 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 墨水及其制作方法、显示装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN113604220B (zh) * | 2021-08-17 | 2023-06-13 | 东北电力大学 | 一种钙钛矿量子点材料及其制备方法和应用 |
CN113856713B (zh) * | 2021-09-26 | 2024-04-12 | 武汉理工大学 | 用于co2光催化还原的无铅双钙钛矿量子点@二维材料复合光催化剂及其制备方法和应用 |
CN114751446B (zh) * | 2022-05-16 | 2023-03-21 | 浙江大学 | 一种阶梯式113型钙钛矿结构及其制备方法和应用 |
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CN108502918A (zh) * | 2018-04-25 | 2018-09-07 | 河北工业大学 | 一种无机钙钛矿纳米线的合成方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106816520A (zh) * | 2015-11-30 | 2017-06-09 | 隆达电子股份有限公司 | 波长转换材料及其应用 |
CN106753355A (zh) * | 2016-11-16 | 2017-05-31 | 合肥工业大学 | 一种应用于led的单色荧光钙钛矿材料及其制备方法 |
US10899964B2 (en) | 2018-05-14 | 2021-01-26 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Perovskite quantum dot preparation method and perovskite quantum dot solution |
-
2018
- 2018-10-25 CN CN201811251131.1A patent/CN109504379A/zh active Pending
-
2019
- 2019-02-20 WO PCT/CN2019/075555 patent/WO2020082646A1/zh active Application Filing
- 2019-02-20 US US16/462,935 patent/US11236268B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11236268B2 (en) | 2022-02-01 |
US20200407632A1 (en) | 2020-12-31 |
WO2020082646A1 (zh) | 2020-04-30 |
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