CN109429571A - 有机el设备的制造方法 - Google Patents

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Abstract

有机EL设备(100)的制造方法包含：在基板(1)上形成驱动电路层(2)的工序、在驱动电路层上形成无机保护层(Pa)的工序、在无机保护层上形成有机平坦化层(Pb)的工序、将有机平坦化层加热为200℃以上的温度的工序、以及在加热工序之后于有机平坦化层上形成有机EL元件层(3)的工序，并且，在形成有机平坦化层之后且加热有机平坦化层的工序之前，进而还包含形成将有机平坦化层覆盖的有机高分子膜的工序、以及除去有机高分子膜的工序。

Description

有机EL设备的制造方法
技术领域
本发明涉及有机EL设备(例如，有机EL显示装置和有机EL照明装置)及其制造方法。
背景技术
有机EL(Electro Luminescence：电致发光)显示装置已开始被实用化。有机EL显示装置的特征之一可以举出“能够获得柔性显示装置”这一点。有机EL显示装置对每个像素设有至少一个的有机EL元件(Organic Light Emitting Diode：OLED、有机发光二极管)、和至少一个的对供给至各OLED的电流进行控制的TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)。以下，将有机EL显示装置称作OLED显示装置。如此对每个OLED均具有TFT等开关元件的OLED显示装置，被称作“有源矩阵型OLED显示装置”。另外，将形成有TFT和OLED的基板称作元件基板。
OLED(尤其是有机发光层和阴极电极材料)容易受水分的影响而劣化，从而容易产生显示不匀(display unevenness)的情况。作为提供保护OLED不受水分影响且不损害柔性这一封装结构的技术，开发有薄膜封装(Thin Film Encapsulation：TFE)技术。薄膜封装技术是通过交替层叠无机阻挡层和有机阻挡层，从而利用薄膜获得充分的水蒸气阻隔性的技术。从OLED显示装置的耐湿可靠性的观点出发，作为薄膜封装结构的WVTR(Water VaporTransmission Rate：水蒸气透过率)，典型的要求为1×10-4g/m2/天以下。
目前市场上出售的OLED显示装置中所使用的薄膜封装结构具有厚度约5μm～约20μm的有机阻挡层(高分子阻挡层)。这种比较厚的有机阻挡层也担负着使元件基板的表面平坦化的作用。但是，有机阻挡层厚的话，存在OLED显示装置的可弯曲性受到限制这一问题。
另外，也存在量产性低的问题。上述比较厚的有机阻挡层使用喷墨法或微喷法等的印刷技术而形成。另外，无机阻挡层使用薄膜成膜技术在真空(例如1Pa以下)气氛下形成。由于使用印刷技术的有机阻挡层的形成是在大气或氮气气氛中进行、无机阻挡层的形成是在真空中进行，因此，在形成薄膜封装结构的过程中元件基板要出入真空腔室，从而量产性低。
因此，开发有例如专利文献1中所公开的那样能够连续制造无机阻挡层和有机阻挡层的成膜装置。
另外，在专利文献2中公开有下述薄膜封装结构：即，在从元件基板侧依次形成第一无机材料层、第一树脂材料以及第二无机材料层时，使第一树脂材料偏集中于第一无机材料层的凸部(覆盖了凸部的第一无机材料层)的周围这一薄膜封装结构。根据专利文献2，通过使第一树脂材料偏集中于可能未被第一无机材料层充分覆盖的凸部的周围，从而抑制水分或氧气从该部分侵入。另外，通过使第一树脂材料作为第二无机材料层的基底层发挥作用，第二无机材料层被恰当地成膜，从而能够以所期望的膜厚适当地覆盖第一无机材料层的侧面。第一树脂材料以如下方式形成。将加热汽化的雾状有机材料供给到被维持于室温以下的温度的元件基板上，使有机材料在基板上冷凝而滴状化。滴状化的有机材料通过毛细管现象或表面张力而在基板上移动，并偏集中于第一无机材料层的凸部的侧面与基板表面的边界部。然后，通过使有机材料固化而在边界部形成第一树脂材料。专利文献3中也公开了具有同样的薄膜封装结构的OLED显示装置。另外，专利文献4公开了OLED显示装置的制造中所使用的成膜装置。
【现有技术文献】
【专利文献】
专利文献1：日本专利公报、特开2013-186971号
专利文献2：国际公开公报第2014/196137号
专利文献3：日本专利公报、特开2016-39120号
专利文献4：日本专利公报、特开2013-64187号
发明内容
专利文献2或3中记载的薄膜封装结构由于不具有厚的有机阻挡层，因此可认为OLED显示装置的可弯曲性得到改善。另外，由于能够连续形成无机阻挡层和有机阻挡层，因此量产性也得到改善。
但是，根据本发明人的研究，在利用专利文献2或3中记载的方法形成有机阻挡层时，存在产生无法得到充分的耐湿可靠性这一问题的情况。
在使用喷墨法等的印刷法形成有机阻挡层时，有机阻挡层能够仅在元件基板上的有源区域(有时也称作“元件形成区域”或“显示区域”)中形成，而不在有源区域以外的区域中形成。因此，在有源区域的周边(外侧)存在第一无机材料层和第二无机材料层直接接触的区域，并且，有机阻挡层被第一无机材料层和第二无机材料层完全包围，从而与周围隔绝。
对此，在专利文献2或3所记载的有机阻挡层的形成方法中，将树脂(有机材料)供给至元件基板的整个面上，并利用液态树脂的表面张力使树脂偏集中于元件基板的表面的凸部的侧面与基板表面的边界部。因此，有时在有源区域外的区域(也存在称作“周边区域”的情况)、即配置有多个端子的端子区域以及从有源区域至端子区域的形成引出配线的引出配线区域也形成有机阻挡层。具体而言，例如树脂偏集中于引出配线及端子的侧面与基板表面的边界部。于是，沿着引出配线形成的有机阻挡层的部分的端部未被第一无机阻挡层和第二无机阻挡层包围，而暴露于空气(周围气氛)中。
由于有机阻挡层相比无机阻挡层而水蒸气阻隔性低，因此，沿着引出配线形成的有机阻挡层成为将空气中的水蒸气引入有源区域内的路径。
在此，对适宜用于柔性有机EL显示装置中的薄膜封装结构的问题进行了说明，但薄膜封装结构不限于用于有机EL显示装置中，也可以用于有机EL照明装置等的其他有机EL设备中。
本发明是为了解决上述问题而完成的，目的在于提供一种具备量产性和耐湿可靠性得到了改善且具有较薄有机阻挡层的薄膜封装结构的有机EL设备的制造方法。
本发明的一实施方式涉及的有机EL设备的制造方法是下述有机EL设备的制造方法，即，该有机EL设备具有：基板，驱动电路层，该驱动电路层具有：形成于所述基板上的多个TFT、分别与所述多个TFT中的任一个连接的多个栅极总线和多个源极总线、多个端子、以及将所述多个端子与所述多个栅极总线或所述多个源极总线的任一者连接的多根引出配线，无机保护层，其形成于所述驱动电路层上，并使至少所述多个端子露出，有机平坦化层，其形成于所述无机保护层上，有机EL元件层，其形成于所述有机平坦化层上，且具有分别与所述多个TFT中的任一个连接的多个有机EL元件，以及薄膜封装结构，其以将所述有机EL元件层覆盖的方式形成；所述制造方法包含：在所述基板上形成所述驱动电路层的工序A，在所述驱动电路层上形成所述无机保护层的工序B，在所述无机保护层上形成所述有机平坦化层的工序C，将所述有机平坦化层加热为200℃以上的温度的工序D，以及在所述加热工序之后于所述有机平坦化层上形成所述有机EL元件层的工序E；在所述工序C之后且所述工序D之前进而还包含：形成将所述有机平坦化层覆盖的有机高分子膜的工序C1、以及除去所述有机高分子膜的工序C2。
在一实施方式中，所述制造方法在所述工序C1和所述工序C2之间进而还包含保管或搬运形成有所述有机高分子膜的所述基板的工序。
在一实施方式中，所述工序C1包含将所述有机高分子的溶液赋予到所述有机平坦化层上的工序。
在一实施方式中，所述有机高分子膜由水溶性高分子形成。
在一实施方式中，所述工序C2包含利用水系溶剂使所述有机高分子膜溶解的工序。
在一实施方式中，所述水溶性高分子为聚乙烯醇。
在一实施方式中，所述有机平坦化层由具有感光性的树脂形成。
在一实施方式中，所述有机平坦化层由聚酰亚胺形成。
在一实施方式中，从所述基板的法线方向观察时，在形成有所述无机保护层的区域内，形成有所述有机平坦化层，在形成有所述有机平坦化层的区域内，配置有所述多个有机EL元件，所述薄膜封装结构的外缘与所述多根引出配线交差，并且存在于所述有机平坦化层的外缘与所述无机保护层的外缘之间；在所述多根引出配线上所述无机保护层与所述第一无机阻挡层之间直接接触的部分中，所述第一无机阻挡层的、与所述多根引出配线的线宽方向平行的剖面的形状中的侧面的锥角小于90°。
在一实施方式中，所述第一无机阻挡层的所述侧面的所述锥角小于70°。
在一实施方式中，所述制造方法包含：工序F，其在所述工序E之后，在形成有所述多个有机EL元件的有源区域内选择性地形成所述第一无机阻挡层；工序G，其在所述工序F之后，将所述基板配置在腔室内，并将蒸汽或雾状的光固化性树脂供给至所述腔室内；工序H，其是在所述第一无机阻挡层上使光固化性树脂冷凝，并且是以使所述光固化性树脂不存在于所述第一无机阻挡层的所述锥角小于90°的部分上的方式使所述光固化性树脂冷凝；以及工序I，其在所述工序H之后，通过对所述被冷凝的所述光固化性树脂照射光，从而形成由光固化树脂构成的所述有机阻挡层。
在一实施方式中，所述制造方法包含：工序F，其在所述工序E之后，在形成有所述多个有机EL元件的有源区域内选择性地形成所述第一无机阻挡层；工序G，其在所述工序F之后，将所述基板配置在腔室内，并将蒸汽或雾状的光固化性树脂供给至所述腔室内；工序H，其在所述第一无机阻挡层上使所述光固化性树脂冷凝并形成液态膜；工序I，其通过对所述光固化性树脂的所述液态膜照射光，从而形成光固化树脂层；以及工序J，其通过对所述光固化树脂层进行局部灰化，从而形成所述有机阻挡层。
(发明效果)
根据本发明的实施方式，提供了具备量产性和耐湿可靠性得到了改善且具有较薄有机阻挡层的薄膜封装结构的有机EL设备的制造方法。
附图说明
图1中的(a)是本发明实施方式涉及的OLED显示装置100的有源区域的示意性局部剖视图，(b)是形成于OLED3上的TFE结构10的局部剖视图。
图2是本发明实施方式涉及的OLED显示装置100的示意性俯视图。
图3中的(a)和(b)是OLED显示装置100的示意性剖视图，并且，(a)是沿图2中的3A-3A’线的剖视图，(b)是沿图2中的3B-3B’线的剖视图，(c)是表示各层的侧面的锥角θ的剖视图。
图4中的(a)～(d)是OLED显示装置100的示意性剖视图，并且，(a)是沿图2中的4A-4A’线的剖视图，(b)是沿图2中的4B-4B’线的剖视图，(c)是沿图2中的4C-4C’线的剖视图，(d)是沿图2中的4D-4D’线的剖视图。
图5中的(a)和(b)是比较例的OLED显示装置100B1及100B2的与图4中(b)对应的示意性剖视图。
图6是比较例的OLED显示装置100C的示意性俯视图。
图7中的(a)和(b)是OLED显示装置100C的示意性剖视图，并且，(a)是沿图6中的7A-7A’线的剖视图，(b)是沿图6中的7B-7B’线的剖视图。
图8中的(a)～(c)是OLED显示装置100C的示意性剖视图，并且，(a)是沿图6中的8A-8A’线的剖视图，(b)是沿图6中的8B-8B’线的剖视图，(c)是沿图6中的8C-8C’线的剖视图。
图9中的(a)和(b)分别是表示实施方式涉及的OLED显示装置可以具有的TFT的例子的示意性剖视图。
图10中的(a)～(c)是实施方式涉及的其他OLED显示装置的示意性剖面，且分别与图4中的(b)～(d)对应。
图11中的(a)和(b)是成膜装置200的构成的示意图，并且，(a)表示在第一无机阻挡层上使光固化性树脂冷凝的工序中的成膜装置200的状态，(b)表示使光固化性树脂固化的工序中的成膜装置200的状态。
(符号说明)
1：柔性基板
2：底板(电路)
3：有机EL元件
4：偏振片
10：薄膜封装结构(TFE结构)
12：第一无机阻挡层(SiNx层)
14：有机阻挡层(丙烯酸树脂层)
16：第二无机阻挡层(SiNx层)
20：元件基板
26：丙烯酸单体
26p：丙烯酸单体的蒸汽或雾状的丙烯酸单体
100、100C：有机EL显示装置
200：成膜装置
具体实施方式
以下，参照附图对本发明实施方式涉及的OLED显示装置及其制造方法进行说明。以下对具有柔性基板的OLED显示装置进行例示，但本发明的实施方式不限于有机EL显示装置，也可以为有机EL照明装置等的其他有机EL设备，且不限于以下例示的实施方式。
首先，参照图1中的(a)和(b)对本发明实施方式涉及的OLED显示装置100的基本构成进行说明。图1中的(a)是本发明实施方式涉及的OLED显示装置100的有源区域的示意性局部剖视图，图1中的(b)是形成于OLED3上的TFE结构10的局部剖视图。
OLED显示装置100具有多个像素，每个像素具有至少一个有机EL元件(OLED)。在此，为了简便化，对一个OLED所对应的结构进行说明。
如图1中的(a)所示，OLED显示装置100包括：柔性基板(以下有时仅称作“基板”)1、形成于基板1上的包含TFT(薄膜晶体管)的电路(有时称作“驱动电路”或“底板电路”)2、形成于电路2上的无机保护层2Pa、形成于无机保护层2Pa上的有机平坦化层2Pb、形成于有机平坦化层2Pb上的OLED3、以及形成于OLED3上的TFE结构10。OLED3例如为顶发射型。OLED3的最上部例如为上部电极或顶盖层(折射率调整层)。存在将排列有多个OLED3的层称作OLED层3的情况。TFE结构10上配置有任选的偏振片4。另外，电路2和OLED层3也可以共有一部分结构元件。另外，例如也可以在TFE结构10与偏振片4之间配置担负触摸面板功能的层。即，OLED显示装置100可以改变成带有外嵌(on cell)式触摸面板的显示装置。
基板1例如是厚度为15μm的聚酰亚胺薄膜。包含TFT的电路2的厚度例如为4μm。无机保护层2Pa例如为SiNx层(500nm)/SiO2层(100nm)(上层/下层)。无机保护层2Pa除此之外也可以为例如SiO2层/Si Nx层/SiO2层这种三层的结构，各层的厚度例如为200nm/300nm/100nm。有机平坦化层2Pb例如是厚度为4μm的感光性丙烯酸树脂层或感光性聚酰亚胺层。OLED3的厚度例如为1μm。TFE结构10的厚度例如为2.5μm以下。
图1中的(b)是形成于OLED3上的TFE结构10的局部剖视图。OLED3的正上方形成有第一无机阻挡层(例如SiNx层)12，第一无机阻挡层12上形成有有机阻挡层(例如丙烯酸树脂层)14，有机阻挡层14上形成有第二无机阻挡层(例如SiNx层)16。
例如，第一无机阻挡层12例如是厚度为1.5μm的SiNx层，第二无机阻挡层16例如是厚度为800nm的SiNx层，有机阻挡层14例如是厚度小于100nm的丙烯酸树脂层。第一无机阻挡层12和第二无机阻挡层16的厚度分别独立地为200nm以上且1500nm以下，有机阻挡层14的厚度为50nm以上且小于200nm。TFE结构10的厚度优选为400nm以上且小于3μm，更优选为400nm以上且2.5μm以下。
TFE结构10以保护OLED显示装置100的有源区域(参照图2中的有源区域R1)的方式形成，并且，至少在有源区域R1中如上述那样，从靠近OLED3的一侧起依次具有第一无机阻挡层12、有机阻挡层14、以及第二无机阻挡层16。另外，有机阻挡层14不是作为覆盖有源区域R1的整个面的膜存在的，而是具有开口部。将有机阻挡层14中除去开口部的、实际存在有机膜的部分称作“实心部”。有机阻挡层14能够使用例如专利文献1或2中记载的方法、或者后述的成膜装置200而形成。
另外，“开口部”(有时也称作“非实心部”)无需被实心部包围，且包含切口等，在开口部处，第一无机阻挡层12与第二无机阻挡层16直接接触。以下，将第一无机阻挡层12与第二无机阻挡层16之间直接接触的部分称作“无机阻挡层接合部”。
接着，参照图2和图3对本发明实施方式涉及的OLED显示装置100的结构及制造方法进行说明。
图2中示出了本发明实施方式涉及的OLED显示装置100的示意性俯视图。另外，参照图3中的(a)～(c)和图4中的(a)～(d)对OLED显示装置100的剖面结构进行说明。图3中的(a)和(b)是OLED显示装置100的示意性剖视图，并且，图3中的(a)是沿图2中的3A-3A’线的剖视图，图3中的(b)是沿图2中的3B-3B’线的剖视图。图3中的(c)是表示各层的侧面的锥角θ的剖视图。图4中的(a)～(d)是OLED显示装置100的示意性剖视图，并且，图4中的(a)是沿图2中的4A-4A’线的剖视图，图4中的(b)是沿图2中的4B-4B’线的剖视图，图4中的(c)是沿图2中的4C-4C’线的剖视图，图4中的(d)是沿图2中的4D-4D’线的剖视图。
首先，参照图2。形成于基板1上的电路2具有多个TFT(未图示)和分别与多个TFT(未图示)的任一个连接的多个栅极总线(未图示)及多个源极总线(未图示)。电路2也可以为用于驱动多个OLED3的公知的电路。多个OLED3与电路2所具有的多个TFT的任一个连接。OLED3也可以为公知的OLED。
电路2进而具有多个端子34和多根引出配线32，其中，多个端子34被配置在配置有多个OLED3的有源区域(图2中的以虚线包围的区域)R1的外侧的周边区域R2中，多根引出配线32将多个端子34与多个栅极总线或多个源极总线的任一者连接。有时将包含多个TFT、多个栅极总线、多个源极总线、多根引出配线32以及多个端子34的电路2的整体称作驱动电路层2。另外，将驱动电路层2中的形成于有源区域R1内的部分记载为驱动电路层2A。
另外，在图2等中，作为驱动电路层2的结构元件，有时仅图示了引出配线32和/或端子34，但是，驱动电路层2不仅具有包含引出配线32和端子34的导电层，进而还具有一个以上的导电层、一个以上的绝缘层以及一个以上的半导体层。驱动电路层2中所包含的导电层、绝缘层、半导体层的构成，例如能够根据后述图9中的(a)和(b)所例示的TFT的构成而进行变化。另外，在基板1上也可以形成有绝缘膜(底涂层)，作为驱动电路层2的底膜。
从基板1的法线方向观察时，在形成有无机保护层2Pa的区域内，形成有有机平坦化层2Pb，在形成有有机平坦化层2Pb的区域内，配置有有源区域R1(2A、3)。TFE结构10的外缘与多根引出配线32交差，并且存在于有机平坦化层2Pb的外缘与无机保护层2Pa的外缘之间。因此，有机平坦化层2Pb与OLED层3一同被无机保护层2Pa与第一无机阻挡层12之间直接接触的接合部所包围(参照图3中的(b)和图4中的(b))。无机保护层2Pa以至少露出多个端子34的方式形成。也可以暂时以覆盖端子34的方式形成无机保护膜，然后利用光刻工艺形成具有使端子34露出的开口部的无机保护层2Pa。
无机保护层2Pa保护驱动电路层2。有机平坦化层2Pb使形成OLED层3的基底的表面平坦化。与有机阻挡层14同样地，有机平坦化层2Pb的水蒸气阻隔性比无机保护层2Pa或无机阻挡层12、16的水蒸气阻隔性低。因此，如图6～图8所示的比较例的OLED显示装置100C的有机平坦化层2Pbc那样，当有机平坦化层的一部分暴露于空气(周围气氛)中时，会从该暴露处吸收水分。其结果是，有机平坦化层2Pbc成为将空气中的水蒸气引入有源区域R1内的路径。在实施方式涉及的OLED显示装置100中，如上所述，有机平坦化层2Pb被无机保护层2Pa与第一无机阻挡层12之间直接接触的接合部所包围，因此，防止了水分从有机平坦化层2Pb被引入有源区域R1内的情况。
有机平坦化层2Pb优选由具有感光性的树脂形成。有机平坦化层2Pb使用各种涂敷法或印刷法而形成。另外，当具有感光性时，能够利用光刻工艺容易地仅在规定的区域内形成有机平坦化层2Pb。感光树脂可以为正型也可以为负型。可以适当地使用具有感光性的丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂。当然，如果另外使用光刻胶，则也可以使用不具有感光性的树脂形成有机平坦化层2Pb。
优选在有机平坦化层2Pb上形成OLED层3之前，进行加热(烘干)以除去有机平坦化层2Pb中所含的水分。加热温度优选为例如200℃以上(例如1小时以上)，更优选为300℃以上(例如15分钟以上)。气氛优选为减压气氛下，但也可以为大气压。另外，优选露点温度为-50℃以下的干燥空气或干燥氮气气氛。为了在该加热(烘干)工序中不产生热劣化而优选耐热性强的树脂材料，例如优选聚酰亚胺。
另外，在形成有机平坦化层2Pb之后，直至形成OLED层3之前，制造过程中的元件基板有时会被临时保管或搬运。即，在制备了形成有驱动电路层2、无机保护层2Pa以及有机平坦化层2Pb的元件基板之后，直至形成OLED层3之前，存在经过一段时间(例如保管一日至数日)、或移动到别的工厂的情况。作为防止此期间有机平坦化层2Pb的表面被污染或防止移动时灰尘附着的方法，例如可以形成覆盖有机平坦化层2Pb的有机高分子膜。有机高分子膜优选形成为将有机平坦化层2Pb的整个面覆盖。
形成有机高分子膜的工序，包含例如将有机高分子的溶液赋予到有机平坦化层2Pb上的工序。有机高分子的溶液使用公知的涂敷法(例如旋涂法和狭缝涂敷法)进行赋予。另外，也能够使用干膜，但从成本等的观点出发，使用有机高分子的溶液的方法是有利的。
优选有机高分子膜由水溶性高分子形成。当有机高分子膜由水溶性高分子形成时，通过利用水系溶剂使有机高分子膜溶解，从而能够容易地除去有机高分子膜。水系溶剂能够抑制元件基板的污染，并且有利于保护环境，因此能够抑制处理成本于较低。
作为水溶性高分子，可以使用公知的水溶性高分子，例如聚乙烯醇(PVA)、聚丙烯酸类聚合物、聚乙二醇(PEG)、聚氧化乙烯(PEO)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚丙烯酰胺(PAM)、明胶和纤维素、以及这些的衍生物。其中，可优选使用聚乙烯醇。
在此，水系溶剂是指水、和水混合的有机溶剂、或者和水混合的有机溶剂与水的混合溶剂。作为和水混合的有机溶剂，例如可以举出醇类(alcohol)和酮。由于溶剂的沸点低是理想的，因此优选含碳数少的醇类，例如甲醇和乙醇(ethanol)。
在使用聚乙烯醇形成有机高分子膜时，例如可以使用相对于将纯水和甲醇以6：4的质量比混合后的溶剂溶解有3wt％(质量百分比)聚乙烯醇的溶液。
然后，在100℃以下、例如80℃下放置30分钟左右，从而使混合溶剂挥发、除去。优选以使有机高分子膜的表面不具有粘着性的程度将混合溶剂挥发、除去。另外，也可以通过在室温下放置而使混合溶剂挥发、除去。
当然，也能够使用有机溶剂中溶解的各种有机高分子而形成有机高分子膜。例如，也能够使用光刻胶。但是，不需要将光刻胶膜曝光。因此，正型和负型的任意一种均可。例如，在赋予了光刻胶溶液(例如，东京应化工业株式会社制、产品名：OFPR-800)后，通过进行预烘干(溶剂的挥发除去：例如在约90℃以上且约110℃以下的温度范围内加热约5分钟～约30分钟左右)，从而能够形成有机高分子膜。
有机高分子膜的厚度优选为例如1μm以上且5μm以下。当有机高分子膜的厚度小于1μm时，有可能无法充分保护基板表面。另一方面，当有机高分子膜的厚度超过5μm时，有可能因有机高分子膜的内部应力而对基底层产生不良影响，或者，有可能发生在有机高分子膜上产生裂纹从而保护功能受损这一不良情况。
另外，使用有机高分子膜临时保护有机平坦化膜的方法，适宜用于在此例示的OLED显示装置100的制造方法中，但不限于此。即，OLED显示装置的制造方法可以包含：在基板上形成驱动电路层的工序、在驱动电路层上形成无机保护层的工序、在无机保护层上形成有机平坦化层的工序、将有机平坦化层加热为200℃以上的温度的工序、以及加热工序后在有机平坦化层上形成有机EL元件层的工序，并且，在形成有机平坦化层后且加热有机平坦化层的工序之前，进而包含：形成将有机平坦化层覆盖的有机高分子膜的工序、以及除去有机高分子膜的工序。
接着，参照图3中的(a)～(c)和图4中的(a)～(d)对OLED显示装置100的剖面结构进一步详细地进行说明。
如图3中的(a)、(b)以及图4中的(a)、(b)所示，TFE结构10具有：形成于OLED3上的第一无机阻挡层12、与第一无机阻挡层12连接的有机阻挡层14、以及与有机阻挡层14连接的第二无机阻挡层16。第一无机阻挡层12和第二无机阻挡层16例如为SiNx层，且通过使用掩模的等离子体CVD(化学气相沉积)法以将有源区域R1覆盖的方式选择性地仅形成于规定的区域内。
有机阻挡层14可以利用例如上述专利文献2或3中记载的方法形成。例如，在腔室内，将蒸汽或雾状的有机材料(例如丙烯酸单体)供给至被维持于室温以下的温度的元件基板上，使有机材料在元件基板上冷凝，并通过变为液态的有机材料的毛细血管现象或表面张力而使有机材料偏集中于第一无机阻挡层12的凸部的侧面与平坦部的边界部。然后，通过对有机材料照射例如紫外线，从而在凸部的周围的边界部形成有机阻挡层(例如丙烯酸树脂层)14的实心部。通过该方法形成的有机阻挡层14，在平坦部处实际上不存在实心部。关于有机阻挡层的形成方法，将专利文献2和3的公开内容作为参考而引用于本说明书中。
另外，有机阻挡层14也能够通过对使用成膜装置200而形成的树脂层的最初厚度进行调整(例如，设定为小于100nm)、和/或对暂时形成的树脂层进行灰化处理而形成。灰化处理如后面详述的那样，例如能够通过使用了N2O、O2以及O3中的至少一种气体的等离子体灰化而进行。
图3中的(a)是沿图2中的3A-3A’线的剖视图，且示出了包含微粒P的部分。微粒P是在OLED显示装置的制造过程中产生的微小的垃圾，例如玻璃的微小碎片、金属的颗粒、有机物的颗粒。当使用掩模蒸镀法时，尤其容易产生微粒。
如图3中的(a)所示，有机阻挡层(实心部)14能够仅形成在微粒P的周围。这是因为：在形成第一无机阻挡层12之后被赋予的丙烯酸单体，在微粒P上的第一无机阻挡层12a的表面(锥角θ为90°以上)的周围被冷凝而偏集中于此。第一无机阻挡层12的平坦部上成为有机阻挡层14的开口部(非实心部)。
当存在微粒(例如直径为约1μm以上)P时，第一无机阻挡层12上有时会形成裂纹(缺陷)12c。可认为这是由于从微粒P的表面生长的SiNx层12a与从OLED3的表面的平坦部分生长的SiNx层12b撞击(impinge：冲击作用)而产生的。当存在如上的裂纹12c时，TFE结构10的阻隔性降低。
在OLED显示装置100的TFE结构10中，如图3中的(a)所示，有机阻挡层14以填充第一无机阻挡层12的裂纹12c的方式形成，并且，有机阻挡层14的表面将微粒P上的第一无机阻挡层12a的表面与OLED3的平坦部上的第一无机阻挡层12b的表面呈连续且平滑地连接。因此，在形成于微粒P上的第一无机阻挡层12以及有机阻挡层14上的第二无机阻挡层16上不会形成缺陷，而形成致密的薄膜。如此，利用有机阻挡层14，即使存在微粒P也能够保持TFE结构10的阻隔性。
接着，参照图3中的(b)和图4中的(a)～(d)对引出配线32和端子34上的剖面结构进行说明。
如图3中的(b)所示，在基板1上呈一体地形成引出配线32和端子34，并且，以使端子34露出的方式在引出配线32上形成无机保护层2Pa。在无机保护层2Pa上形成有有机平坦化层2Pb，在有机平坦化层2Pb上形成有OLED层3。TFE结构10以将OLED层3和有机平坦化层2Pb覆盖的方式形成，OLED层3和有机平坦化层2Pb被无机保护层2Pa与第一无机阻挡层12之间直接接触的接合部所包围。另外，由于TFE结构10的第一无机阻挡层12与第二无机阻挡层16之间的有机阻挡层(实心部)14仅形成于微粒等的凸部的周围，因此在此未图示。有机阻挡层(实心部)14被第一无机阻挡层12与第二无机阻挡层16之间直接接触的无机阻挡层接合部所包围。
如图4中的(a)所示，在靠近有源区域R1的区域(沿图2中的4A-4A’线的剖面)中，在引出配线32上形成有无机保护层2Pa、有机平坦化层2Pb以及TFE结构10。
如图4中的(b)所示，在沿图2中的4B-4B’线的剖面中，无机保护层2Pa与第一无机阻挡层12直接接触，并且，有机平坦化层2Pb被无机保护层2Pa与第一无机阻挡层12之间直接接触的接合部所包围(参照图2、图3中的(b))。
如图4中的(c)所示，在靠近端子34的区域中，引出配线32上仅形成有无机保护层2Pa。
如图4中的(d)所示，端子34从无机保护层2Pa中也露出，并被用于与外部电路(例如FPC(Flexible printed circuits：柔性印刷电路))的电连接。
含有图4中的(b)～(d)所示部分的区域，由于未被有机平坦化层2Pb覆盖，因此，在形成TFE结构10的有机阻挡层14的过程中有可能形成有机阻挡层(实心部)。例如，当引出配线32的与线宽方向平行的剖面形状中的侧面具有90°以上的锥角θ时，有可能沿着引出配线32的侧面形成有机阻挡层。但是，如图4中的(b)～(d)所示，在实施方式涉及的OLED显示装置100中，至少在这些区域中，引出配线32和端子34的剖面形状中的侧面的锥角θ设置成小于90°，从而不存在光固化性树脂偏集中存在的情况。因此，不存在沿着引出配线32和端子34的侧面形成有机阻挡层(实心部)的情况。
在此，参照图3中的(c)对各层的侧面的锥角θ进行说明。图3中的(c)是表示各层的侧面的锥角θ的剖视图，例如与图4中的(b)所示的剖视图对应。如图3中的(c)所示，将引出配线32的与宽度方向平行的剖面形状中的侧面的锥角θ表示为θ(32)，其他层的侧面的锥角θ也同样地以θ(结构元件的参考符号)进行表示。
于是，形成于引出配线32上的无机保护层2Pa、形成于无机保护层2Pa上的TFE结构10的第一无机阻挡层12及第二无机阻挡层16的各锥角θ满足如下关系，即：θ(32)≥θ(2Pa)≥θ(12)≥θ(16)。因此，只要引出配线32的侧面的锥角θ(32)小于90°，则无机保护层2Pa的侧面的锥角θ(2Pa)及第一无机阻挡层12的侧面的锥角θ(12)也小于90°。
当侧面的锥角θ为90°以上时，在专利文献2或3所记载的有机阻挡层的形成方法的情况下，蒸汽或雾状的有机材料(例如丙烯酸单体)沿着侧面与平坦的表面之间的边界(形成90°以下的角)冷凝，从而形成有机阻挡层(实心部)。于是，例如沿着引出配线形成的有机阻挡层(实心部)成为将空气中的水蒸气引入有源区域内的路径。
例如，如图5中(a)所示的比较例的OLED显示装置100B1的、与图4中(b)对应的示意性剖视图所示，当引出配线32B1的侧面的锥角θ(32B1)和第一无机阻挡层12B1的侧面的锥角θ(12B1)为90°以上时，沿着TFE结构10B1的第一无机阻挡层12B1的侧面，在第一无机阻挡层12B1与第二无机阻挡层16B1之间形成有机阻挡层(实心部)14B1。另外，OLED显示装置100B1可以为：例如省略实施方式涉及的OLED显示装置100中的无机保护层Pa，并且将引出配线32的侧面的锥角θ(32)和第一无机阻挡层12的侧面的锥角θ(12)改变为90°以上的OLED显示装置。
另外，如图5中(b)所示的比较例的OLED显示装置100B2的、与图4中(b)对应的示意性剖视图所示，当引出配线32B2、无机保护层2PaB2以及第一无机阻挡层12B2的侧面的锥角θ(32B2)、θ(2PaB2)以及θ(12B1)为90°以上时，沿着TFE结构10B2的第一无机阻挡层12B2的侧面，在第一无机阻挡层12B2与第二无机阻挡层16B2之间形成有机阻挡层(实心部)14B2。另外，OLED显示装置100B2可以为：例如将实施方式涉及的OLED显示装置100中的引出配线32的侧面的锥角θ(32)和第一无机阻挡层12的侧面的锥角θ(12)改变为90°以上的OLED显示装置。
OLED显示装置100B2与OLED显示装置100B1不同，由于具有无机保护层2PaB2，因此，第一无机阻挡层12B2的侧面的锥角θ(12B2)相比OLED显示装置100B1的第一无机阻挡层12B1的侧面的锥角θ(12B1)更容易变小。
图4中的(b)～(d)所示的本发明实施方式涉及的OLED显示装置100中的引出配线32、无机保护层2Pa以及第一无机阻挡层12的侧面的锥角θ(32)、θ(2Pa)以及θ(12)均小于90°，因而不存在沿着这些侧面形成有机阻挡层14的情况。因此，不存在空气中的水分经由有机阻挡层(实心部)14到达有源区域R1内的情况，从而能够具有出色的耐湿可靠性。在此，示出了锥角θ(32)、θ(2Pa)以及θ(12)均小于90°的例子，但不限于此，由于只要至少构成有机阻挡层14的正下表面的第一无机阻挡层12的侧面的锥角θ(12)小于90°，便形成图4中(b)所示的层叠结构(无机保护层2Pa与第一无机阻挡层12之间直接接触的部分(有机平坦化层2Pb不存在)、以及第一无机阻挡层12与第二无机阻挡层16之间直接接触的部分(有机阻挡层14不存在))，因此，能够抑制或防止空气中的水分经由有机平坦化层2Pa或有机阻挡层14侵入有源区域R1内。另外，由于通过具有无机保护层2Pa而能够减小第一无机阻挡层12的锥角θ(12)，因此，即便使引出配线32的锥角θ(32)变得比较大(例如90°)，也能够使第一无机阻挡层12的锥角θ(12)小于90°。即，由于能够使引出配线32的锥角θ(32)为90°或接近90°，因此可获得能够使引出配线32的L/S变小这一优点。
另外，在侧面的锥角θ处于70°以上且小于90°的范围内的情况下，有时会沿着侧面形成有机阻挡层(实心部)14。当然，只要进行灰化处理便能够除去沿着倾斜的侧面集中存在的树脂，但灰化处理所需的时间变长。例如，在除去形成于平坦的表面上的树脂后还需要进行长时间的灰化处理。或者，形成于微粒P的周围的有机阻挡层(实心部)被过度灰化(除去)，结果有时会发生形成有机阻挡层的效果未被充分发挥这一问题。为了抑制或防止上述问题，优选将第一无机阻挡层12的锥角θ(12)设为小于70°，更优选设为小于60°。
接着，参照图6～图8对比较例的OLED显示装置100C的结构进行说明。图6表示OLED显示装置100C的示意性俯视图。图7中的(a)和(b)是OLED显示装置100C的示意性剖视图，并且，图7中的(a)是沿图6中的7A-7A’线的剖视图，图7中的(b)是沿图6中的7B-7B’线的剖视图。图8中的(a)～(c)是OLED显示装置100C的示意性剖视图，并且，图8中的(a)是沿图6中的8A-8A’线的剖视图，图8中的(b)是沿图6中的8B-8B’线的剖视图，图8中的(c)是沿图6中的8C-8C’线的剖视图。
OLED显示装置100C在不具备无机保护层2Pa这一点、以及有机平坦化层2Pbc延伸设置至未被TFE结构10覆盖的区域这一点上，与实施方式涉及的OLED显示装置100不同。另外，对于与OLED显示装置100所具有的结构元件实质相同的结构元件赋予相同的参考符号，并省略说明。
例如，从图6、图7中的(b)以及图8中的(b)明确可知，有机平坦化层2Pbc的一部分暴露在空气(周围气氛)中。于是，有机平坦化层2Pbc从暴露于空气中的部分吸收水分，成为将空气中的水蒸气引入有源区域R1内的路径。相对于此，在实施方式涉及的OLED显示装置100中，如图3中的(b)和图4中的(b)所示，有机平坦化层2Pb与OLED层3一同被无机保护层2Pa与第一无机阻挡层12之间直接接触的接合部所包围。因此，能够解决比较例的OLED显示装置100C所具有的上述问题。
接着，参照图9和图10，对OLED显示装置100中所使用的TFT的例子、以及利用制备TFT时的栅极金属层和源极金属层而形成的引出配线和端子的例子进行说明。以下说明的TFT、引出配线以及端子的结构能够用于上述实施方式的OLED显示装置100中。
迁移率高的低温多晶硅(简称“LTPS”)TFT或氧化物TFT(例如，含有In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)、O(氧)的四元系(In-Ga-Zn-O系)氧化物TFT)适宜用于高清晰度的中小型用OLED显示装置中。LTPS-TFT和In-Ga-Zn-O系TFT的结构及制造方法已为众所知，因此以下仅作简单说明。
图9中的(a)是LTPS-TFT2PT的示意性剖视图，TFT2PT可以包含在OLED显示装置100的电路2中。LTPS-TFT2PT是顶栅极(Top Gate)型的TFT。
TFT2PT形成于基板(例如聚酰亚胺薄膜)1上的底涂层2Pp上。在上述说明中虽然省略了，但是优选在基板1上形成利用无机绝缘体而形成的底涂层。
TFT2PT具有：形成于底涂层2Pp上的多晶硅层2Pse、形成于多晶硅层2Pse上的栅极绝缘层2Pgi、形成于栅极绝缘层2Pgi上的栅极电极2Pg、形成于栅极电极2Pg上的层间绝缘层2Pi、以及形成于层间绝缘层2Pi上的源极电极2Pss和漏极电极2Psd。源极电极2Pss和漏极电极2Psd在形成于层间绝缘层2Pi和栅极绝缘层2Pgi上的接触孔内，分别与多晶硅层2Pse的源极区域和漏极区域连接。
栅极电极2Pg被包含在与栅极总线相同的栅极金属层中，源极电极2Pss和漏极电极2Psd被包含在与源极总线相同的源极金属层中。使用栅极金属层和源极金属层形成引出配线和端子(后面参照图10进行说明)。
TFT2PT例如通过以下方式制备。
作为基板1，例如准备厚度为15μm的聚酰亚胺薄膜。
通过等离子体CVD法成膜底涂层2Pp(SiO2膜：250nm/SiNx膜：50nm/SiO2膜：500nm(上层/中间层/下层)以及a-Si膜(40nm)。
进行a-Si膜的脱氢处理(例如450℃、180分钟退火)。
利用准分子激光晶化(ELA)法将a-Si膜进行多晶硅化。
通过在光刻工序中将a-Si膜进行图案化，从而形成活性层(半导体岛)。
利用等离子体CVD法成膜栅极绝缘膜(SiO2膜：50nm)。
在活性层的沟道区域进行掺杂(B+)。
利用溅射法使栅极金属(Mo：250nm)成膜，并通过光刻工序(包括干蚀刻工序)进行图案化(形成栅极电极2Pg和栅极总线等)。
在活性层的源极区域和漏极区域进行掺杂(P+)。
进行活化退火(例如450℃、45分钟退火)。如此进行而得到多晶硅层2Pse。
利用等离子体CVD法成膜层间绝缘膜(例如，SiO2膜：300nm/SiNx膜：300nm(上层/下层))。
在栅极绝缘膜和层间绝缘膜上通过干蚀刻形成接触孔。如此，得到层间绝缘层2Pi和栅极绝缘层2Pgi。
利用溅射法使源极金属(Ti膜：100nm/Al膜：300nm/Ti膜：30nm)成膜，并通过光刻工序(包括干蚀刻工序)进行图案化(形成源极电极2Pss、漏极电极2Psd以及源极总线等)。
然后，形成上述无机保护层2Pa(参照图2和图3)。
图9中的(b)是In-Ga-Zn-O系TFT2OT的示意性剖视图，TFT2OT可以包含在OLED显示装置100A的电路2中。TFT2OT是底栅极(Bottom Gate)型的TFT。
TFT2OT形成于基板(例如聚酰亚胺薄膜)1上的底涂层2Op上。TFT2OT具有：形成于底涂层2Op上的栅极电极2Og、形成于栅极电极2Og上的栅极绝缘层2Ogi、形成于栅极绝缘层2Ogi上的氧化物半导体层2Ose、以及分别连接于氧化物半导体层2Ose的源极区域上和漏极区域上的源极电极2Oss和漏极电极2Osd。源极电极2Oss和漏极电极2Osd被层间绝缘层2Oi覆盖。
栅极电极2Og被包含在与栅极总线相同的栅极金属层中，源极电极2Oss和漏极电极2Osd被包含在与源极总线相同的源极金属层中。使用栅极金属层和源极金属层形成引出配线和端子，从而能够具有后面参照图10进行叙述的结构。
TFT2OT例如通过以下方式制备。
作为基板1，例如准备厚度为15μm的聚酰亚胺薄膜。
利用等离子体CVD法成膜底涂层2Op(SiO2膜：250nm/SiNx膜：50nm/SiO2膜：500nm(上层/中间层/下层))。
利用溅射法使栅极金属(Cu膜：300nm/Ti膜：30nm(上层/下层))成膜，并通过光刻工序(包括干蚀刻工序)进行图案化(形成栅极电极2Og和栅极总线等)。
利用等离子体CVD法成膜栅极绝缘膜(SiO2膜：30nm/SiNx膜：350nm(上层/下层))。
利用溅射法成膜氧化物半导体膜(In-Ga-Zn-O系半导体膜：100nm)，并通过光刻工序(包括湿蚀刻工序)进行图案化，从而形成活性层(半导体岛)。
利用溅射法使源极金属(Ti膜：100nm/Al膜：300nm/Ti膜：30nm(上层/中间层/下层))成膜，并通过光刻工序(包括干蚀刻工序)进行图案化(形成源极电极2Oss、漏极电极2Osd以及源极总线等)。
进行活化退火(例如300℃、120分钟退火)。如此进行而得到氧化物半导体层2Ose。
然后，利用等离子体CVD法成膜层间绝缘层2Oi(例如，SiNx膜：300nm/SiO2膜：300nm(上层/下层))而作为保护膜。该层间绝缘层2Oi能够兼做上述的无机保护层2Pa(参照图2和图3)。当然，也可以在层间绝缘层2Oi上进一步形成无机保护层2Pa。
接着，参照图10中的(a)～(c)对实施方式涉及的其他OLED显示装置的结构进行说明。该OLED显示装置的电路(底板)2具有图9中(a)所示的TFT2PT或图9中(b)所示的TFT2OT，并使用制备TFT2PT或TFT2OT时的栅极金属层和源极金属层形成引出配线32A和端子34A。图10中的(a)～(c)分别与图4中的(b)～(d)对应，在对应的结构元件的参考符号上附加“A”。另外，图10中的底涂层2p与图9的(a)中的底涂层2Pp以及图9的(b)中的底涂层2Op对应，图10中的栅极绝缘层2gi与图9的(a)中的栅极绝缘层2Pgi以及图9的(b)中的栅极绝缘层2Ogi对应，图10中的层间绝缘层2i与图9的(a)中的层间绝缘层2Pi以及图9的(b)中的层间绝缘层2Oi分别对应。
如图10中的(a)～(c)所示，栅极金属层2g和源极金属层2s形成于基板1上所形成的底涂层2p上。在图3和图4中虽然进行了省略，但优选在基板1上形成利用无机绝缘体形成的底涂层2p。
如图10中的(a)～(c)所示，引出配线32A和端子34A以栅极金属层2g和源极金属层2s的层叠体的形式被形成。引出配线32A和端子34A的由栅极金属层2g形成的部分，具有例如与栅极总线相同的剖面形状，引出配线32A和端子34A的由源极金属层2s形成的部分，具有例如与源极总线相同的剖面形状。例如，在500ppi的5.7型的显示装置的情况下，由栅极金属层2g形成的部分的线宽例如为10μm，邻接间距为16μm(L/S＝10/16)，由源极金属层2s形成的部分的线宽例如为16μm，邻接间距为10μm(L/S＝16/10)。锥角θ均小于90°，优选为小于70°，更优选为60°以下。另外，形成于有机平坦化层Pb之下的部分的锥角也可以为90°以上。
接着，参照图11中的(a)和(b)对有机阻挡层的形成中所使用的成膜装置200以及使用该成膜装置200的成膜方法进行说明。图11中的(a)和(b)是成膜装置200的构成的示意图，并且，图11中的(a)表示在含有蒸汽或雾状的光固化性树脂的腔室内使光固化性树脂在第一无机阻挡层上冷凝的工序中的成膜装置200的状态，图11中的(b)表示在照射光固化性树脂感光的光并使光固化性树脂固化的工序中的成膜装置200的状态。
成膜装置200具有腔室210、以及将腔室210的内部分割成两个空间的间隔壁234。在腔室210的内部中被间隔壁234隔开的一侧空间中，配置有工作台212和喷淋板(showerplate)220。在被间隔壁234隔开的另一侧空间中，配置有紫外线照射装置230。腔室210的内部空间被控制于规定的压力(真空度)和温度下。工作台212具有容纳元件基板20的顶面，且能够将顶面冷却至例如-20℃，其中，元件基板20具有多个形成有第一无机阻挡层的OLED3。
喷淋板220以与间隔壁234之间形成有间隙部224的方式配置，且具有多个贯通孔222。间隙部224的竖直方向尺寸例如可以为100mm以上且1000mm以下。供给至间隙部224的丙烯酸单体(蒸汽或雾状)从喷淋板220的多个贯通孔222被供给至腔室210内的工作台212侧的空间中。根据需要加热丙烯酸单体。蒸汽或雾状的丙烯酸单体26p附着在元件基板20的第一无机阻挡层上或与元件基板20的第一无机阻挡层接触。丙烯酸单体26从容器202以规定的流量被供给至腔室210内。经由配管206向容器202供给丙烯酸单体26，并且从配管204向容器202供给氮气。朝向容器202的丙烯酸单体的流量通过质量流量控制器208进行控制。利用喷淋板220、容器202、配管204、206以及质量流量控制器208等构成原料供给装置。
紫外线照射装置230具有紫外线光源和任选的光学元件。紫外线光源例如也可以为紫外线灯(例如水银灯(包括高压、超高压)、水银疝气灯或金属卤化物灯)。光学元件例如为反射镜、棱镜、透镜以及衍射元件。
紫外线照射装置230在被配置于规定位置上时，朝向工作台212的顶面射出具有规定波长和强度的光。间隔壁234和喷淋板220优选利用紫外线透射率高的材料、例如石英而形成。
能够使用成膜装置200以例如以下的方式形成有机阻挡层14。在此，对使用丙烯酸单体作为光固化性树脂的例子进行说明。
向腔室210内供给丙烯酸单体26p。元件基板20在工作台212上被冷却至例如-15℃。丙烯酸单体26p在元件基板20的第一无机阻挡层12上被冷凝。通过控制此时的条件，能够使液态的丙烯酸单体仅偏集中于第一无机阻挡层12所具有的凸部的周围。或者，以使在第一无机阻挡层12上被冷凝的丙烯酸单体形成液膜的方式控制条件。
通过调整液态的光固化性树脂的粘度和/或表面张力，能够控制液膜的厚度或与第一无机阻挡层12的凸部接触的部分的形状(凹形状)。例如，由于粘度和表面张力依存于温度，因此能够通过调节元件基板的温度而进行控制。例如，平坦部上所存在的实心部的大小能够通过液膜的与第一无机阻挡层12D的凸部接触的部分的形状(凹形状)以及之后进行的灰化处理的条件而进行控制。
接下来，使用紫外线照射装置230U典型性地对元件基板20的整个顶面照射紫外线232，从而使第一无机阻挡层12上的丙烯酸单体固化。使用例如主波峰为365nm的高压水银灯作为紫外线光源，并以例如12mW/cm2的紫外线强度照射大约10秒。
如上所述而形成由丙烯酸树脂构成的有机阻挡层14。该有机阻挡层14的形成工序的生产节拍时间例如约小于30秒，量产性非常高。
也可以在使液膜状的光固化性树脂固化后，经过灰化处理而仅在凸部的周围形成有机阻挡层14。另外，也可以在通过使偏集中存在的光固化性树脂固化而形成有机阻挡层14时实施灰化处理。通过灰化处理，能够提高有机阻挡层14与第二无机阻挡层16的粘着性。即，灰化处理不仅用于除去暂时形成的有机阻挡层的多余部分，而且也可以用于使有机阻挡层14的表面改性(亲水化)。
灰化可以使用公知的等离子体灰化装置、光激发灰化装置、UV臭氧灰化装置而进行。例如，可以通过使用了N2O、O2以及O3中的至少一种气体的等离子体灰化而进行，或者在上述基础上进一步组合紫外线照射而进行。在利用CVD法成膜SiNx膜作为第一无机阻挡层12和第二无机阻挡层16时，使用N2O作为原料气体，因此，在将N2O用于灰化时，可获得能够简化装置这一优点。
当进行灰化时，有机阻挡层14的表面被氧化，从而被改性为亲水性。另外，有机阻挡层14的表面被大致相同地磨削，并且形成极其微小的凹凸，表面积增大。实施了灰化时的表面积增大效果，相比对作为无机材料的第一无机阻挡层12实施时，对有机阻挡层14的表面实施时的效果更大。因此，由于有机阻挡层14的表面被改性为亲水性且表面积增大，因此与第二无机阻挡层16的紧贴性被提高。
然后，输送至用于形成第二无机阻挡层16的CVD腔室中，以例如与第一无机阻挡层12相同的条件形成第二无机阻挡层16。由于第二无机阻挡层16在已经形成有第一无机阻挡层12的区域内被形成，因此，在有机阻挡层14的非实心部，形成第一无机阻挡层12与第二无机阻挡层16之间直接接触的无机阻挡层接合部。因此，如上所述，空气中的水蒸气经由有机阻挡层到达有源区域内的情况被抑制或防止。
另外，第一无机阻挡层12和第二无机阻挡层16例如通过以下的方式形成。通过使用了SiH4和N2O气体的等离子体CVD法，在例如将成膜对象的基板(OLED3)的温度控制于80℃以下的状态下以400nm/min的成膜速度，能够形成厚度为400nm的无机阻挡层。如此得到的无机阻挡层的折射率为1.84，400nm的可见光的透射率为90％(厚度400nm)。另外，薄膜应力的绝对值为50MPa。
另外，作为无机阻挡层，除SiNx层之外，也能够使用SiO2层、Si OxNy(x＞y)层、SiNxOy(x＞y)层、AL2O3层等。光固化性树脂例如包含含有乙烯基的单体。其中，优选使用丙烯酸单体。可以根据需要在丙烯酸单体中混合光聚合引发剂。可使用公知的各种丙烯酸单体。也可以将多种丙烯酸单体混合。例如，也可以将双官能单体和三官能以上的多官能单体混合。另外，也可以混合低聚体。光固化性树脂的固化前的室温(例如25℃)下的粘度，优选不超过10Pa·s，特别优选为1mPa·s～100mPa·s。当粘度高时，有时难以形成厚度为500nm以下的薄的液膜。
以上对具有柔性基板的OLED显示装置及其制造方法的实施方式进行了说明，但本发明的实施方式不限于所例示的情况，能够广泛适用于具有形成于不具备柔性的基板(例如玻璃基板)上的有机EL元件、和形成于有机EL元件上的薄膜封装结构的有机EL设备(例如，有机EL照明装置)中。
(工业上的可利用性)
本发明的实施方式能够用于有机EL设备及其制造方法中。本发明的实施方式尤其适用于柔性有机EL显示装置及其制造方法中。

Claims (12)

1.一种制造方法，是有机EL设备的制造方法，该制造方法的特征在于，
所述有机EL设备具有：
基板，
驱动电路层，该驱动电路层具有：形成于所述基板上的多个TFT、分别与所述多个TFT中的任一个连接的多个栅极总线和多个源极总线、多个端子、以及将所述多个端子与所述多个栅极总线或所述多个源极总线的任一者连接的多根引出配线，
无机保护层，其形成于所述驱动电路层上，并使至少所述多个端子露出，
有机平坦化层，其形成于所述无机保护层上，
有机EL元件层，其形成于所述有机平坦化层上，且具有分别与所述多个TFT中的任一个连接的多个有机EL元件，以及
薄膜封装结构，其以将所述有机EL元件层覆盖的方式形成；
所述制造方法包含：
在所述基板上形成所述驱动电路层的工序A，
在所述驱动电路层上形成所述无机保护层的工序B，
在所述无机保护层上形成所述有机平坦化层的工序C，
将所述有机平坦化层加热为200℃以上的温度的工序D，以及
在所述加热工序之后于所述有机平坦化层上形成所述有机EL元件层的工序E；
在所述工序C之后且所述工序D之前进而还包含：形成将所述有机平坦化层覆盖的有机高分子膜的工序C1、以及除去所述有机高分子膜的工序C2。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，
在所述工序C1和所述工序C2之间，进而还包含保管或搬运形成有所述有机高分子膜的所述基板的工序。
3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，
所述工序C1包含将所述有机高分子的溶液赋予到所述有机平坦化层上的工序。
4.如权利要求1～3中的任一项所述的制造方法，其特征在于，所述有机高分子膜由水溶性高分子形成。
5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述工序C2包含利用水系溶剂使所述有机高分子膜溶解的工序。
6.如权利要求4或5所述的制造方法，其特征在于，所述水溶性高分子为聚乙烯醇。
7.如权利要求1～6中的任一项所述的制造方法，其特征在于，所述有机平坦化层由具有感光性的树脂形成。
8.如权利要求1～7中的任一项所述的制造方法，其特征在于，所述有机平坦化层由聚酰亚胺形成。
9.如权利要求1～8中的任一项所述的制造方法，其特征在于，
从所述基板的法线方向观察时，在形成有所述无机保护层的区域内，形成有所述有机平坦化层，在形成有所述有机平坦化层的区域内，配置有所述多个有机EL元件，所述薄膜封装结构的外缘与所述多根引出配线交差，并且存在于所述有机平坦化层的外缘与所述无机保护层的外缘之间；
在所述多根引出配线上所述无机保护层与所述第一无机阻挡层之间直接接触的部分中，所述第一无机阻挡层的、与所述多根引出配线的线宽方向平行的剖面的形状中的侧面的锥角小于90°。
10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，
所述第一无机阻挡层的所述侧面的所述锥角小于70°。
11.如权利要求9或10所述的制造方法，其特征在于，
所述制造方法包含：工序F，其在所述工序E之后，在形成有所述多个有机EL元件的有源区域内选择性地形成所述第一无机阻挡层；
工序G，其在所述工序F之后，将所述基板配置在腔室内，并将蒸汽或雾状的光固化性树脂供给至所述腔室内；
工序H，其是在所述第一无机阻挡层上使光固化性树脂冷凝，并且是以使所述光固化性树脂不存在于所述第一无机阻挡层的所述锥角小于90°的部分上的方式使所述光固化性树脂冷凝；以及
工序I，其在所述工序H之后，通过对所述被冷凝的所述光固化性树脂照射光，从而形成由光固化树脂构成的所述有机阻挡层。
12.如权利要求9或10所述的制造方法，其特征在于，
所述制造方法包含：工序F，其在所述工序E之后，在形成有所述多个有机EL元件的有源区域内选择性地形成所述第一无机阻挡层；
工序G，其在所述工序F之后，将所述基板配置在腔室内，并将蒸汽或雾状的光固化性树脂供给至所述腔室内；
工序H，其在所述第一无机阻挡层上使所述光固化性树脂冷凝并形成液态膜；
工序I，其通过对所述光固化性树脂的所述液态膜照射光，从而形成光固化树脂层；以及
工序J，其通过对所述光固化树脂层进行局部灰化，从而形成所述有机阻挡层。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021237734A1 (zh) * 2020-05-29 2021-12-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6054763B2 (ja) * 2013-02-12 2016-12-27 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
JP6560452B2 (ja) * 2016-06-30 2019-08-14 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司Ｈｏｎ Ｈａｉ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP6321310B1 (ja) 2017-06-13 2018-05-09 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法
WO2019064534A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 シャープ株式会社 可撓性表示装置及び可撓性表示装置の製造方法
JP6345905B1 (ja) * 2017-11-29 2018-06-20 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
CN111886927A (zh) * 2018-03-28 2020-11-03 堺显示器制品株式会社 有机el显示装置及其制造方法
WO2019186824A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP6942208B2 (ja) * 2018-04-20 2021-09-29 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法
CN116669498A (zh) * 2018-04-20 2023-08-29 堺显示器制品株式会社 有机el装置及其制造方法
US11950488B2 (en) 2018-04-20 2024-04-02 Sakai Display Products Corporation Organic electroluminescent device and method for producing same
WO2019207736A1 (ja) * 2018-04-26 2019-10-31 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法
CN109920330B (zh) * 2019-02-22 2021-03-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种基板和显示装置
US11341925B2 (en) 2019-05-02 2022-05-24 Dell Products L.P. Information handling system adapting multiple display visual image presentations
US11017742B2 (en) * 2019-05-02 2021-05-25 Dell Products L.P. Information handling system multiple display viewing angle brightness adjustment
CN110875369A (zh) * 2019-11-27 2020-03-10 京东方科技集团股份有限公司 显示背板、显示面板及其制作方法和显示装置
JP7109492B2 (ja) * 2020-02-18 2022-07-29 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌデバイスの製造方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101425533A (zh) * 2007-11-02 2009-05-06 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置及其制造方法、电子设备
CN102299166A (zh) * 2010-06-25 2011-12-28 乐金显示有限公司 带有内置触摸面板的有机发光二极管显示器
JP2015079618A (ja) * 2013-10-16 2015-04-23 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法、薄膜トランジスタ基板を用いた有機ｅｌ素子及びその製造方法
US20150200113A1 (en) * 2014-01-10 2015-07-16 Panasonic Corporation Method of manufacturing thin-film transistor substrate
JP2016003384A (ja) * 2014-06-19 2016-01-12 株式会社Ｊｏｌｅｄ マスク及び有機発光デバイスの製造方法
CN105284186A (zh) * 2013-06-07 2016-01-27 株式会社爱发科 元件结构体及其制造方法
US20160043346A1 (en) * 2014-08-11 2016-02-11 Japan Display Inc. Organic el display device
CN105590848A (zh) * 2014-11-17 2016-05-18 上海和辉光电有限公司 显示器件制备方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4185341B2 (ja) * 2002-09-25 2008-11-26 パイオニア株式会社 多層バリア膜構造、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法
JP2004119317A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Toshiba Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4792717B2 (ja) * 2004-07-07 2011-10-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP4950673B2 (ja) * 2007-01-10 2012-06-13 キヤノン株式会社 有機ｅｌ表示装置
EP2562738A4 (en) * 2010-04-19 2014-01-01 Sharp Kk DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE DEVICE
JP4975137B2 (ja) * 2010-04-19 2012-07-11 キヤノン株式会社 有機ｅｌ素子および表示装置
JP5981115B2 (ja) 2011-09-20 2016-08-31 株式会社アルバック 成膜装置
JP5988619B2 (ja) 2012-03-06 2016-09-07 株式会社アルバック 成膜装置、成膜方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101425533A (zh) * 2007-11-02 2009-05-06 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置及其制造方法、电子设备
CN102299166A (zh) * 2010-06-25 2011-12-28 乐金显示有限公司 带有内置触摸面板的有机发光二极管显示器
CN105284186A (zh) * 2013-06-07 2016-01-27 株式会社爱发科 元件结构体及其制造方法
JP2015079618A (ja) * 2013-10-16 2015-04-23 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法、薄膜トランジスタ基板を用いた有機ｅｌ素子及びその製造方法
US20150200113A1 (en) * 2014-01-10 2015-07-16 Panasonic Corporation Method of manufacturing thin-film transistor substrate
JP2016003384A (ja) * 2014-06-19 2016-01-12 株式会社Ｊｏｌｅｄ マスク及び有機発光デバイスの製造方法
US20160043346A1 (en) * 2014-08-11 2016-02-11 Japan Display Inc. Organic el display device
CN105590848A (zh) * 2014-11-17 2016-05-18 上海和辉光电有限公司 显示器件制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021237734A1 (zh) * 2020-05-29 2021-12-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN114207860A (zh) * 2020-05-29 2022-03-18 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN114207860B (zh) * 2020-05-29 2022-11-25 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

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