KR100923423B1 - 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 52
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 98
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 4
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 10
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- -1 indium zinc oxide) Chemical class 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/88—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
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- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
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Abstract
본 발명은 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보호막을 유기 반도체를 형성하기 전에 미리 형성시키고, 이후에 유기 반도체를 채워 넣는 방법을 사용함으로써, 종래의 유기 반도체 상부에 보호막을 증착 또는 경화 공정으로 인가된 열에 의해 유기 반도체 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있어, 유기박막 트랜지스터의 신뢰성 특성을 높일 수 있는 장점이 있게 된다.
그리고, 본 발명은 보호막을 우수한 불순물 차단 특성을 가진 무기물로 대체함으로써 보다 용이하게 유기박막 트랜지스터의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.
유기, 트랜지스터, 희생층, 주입, 공간
Description
본 발명은 신뢰성을 향상시킬 수 있는 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 유연하고 구부릴 수 있고 깨지지 않는 플렉서블 디스플레이에 대한 관심이 고조되면서, 플렉서블 디스플레이에 적합한 스위칭 소자의 개발이 더욱 중요해지고 있다.
액정 디스플레이에 주로 사용되는 비정질 실리콘(Amorphous Si) 박막 트랜지스터(Thin-Film Transistor, TFT)의 경우 구성 물질이 모두 무기물이기 때문에 구부리거나 휘어질 경우 인가된 기계적 스트레스로 인하여 크랙이 발생하여 기존의 특성을 잃어버리게 된다.
근래에, 실리콘 기반의 박막 트랜지스터 대신 유기 반도체를 활용한 유기박막 트랜지스터(Organic Thin-Film Transistor, OTFT)가 따라서 많은 관심을 받고 있다.
유기박막 트랜지스터는 대부분의 구성 물질이 유기물로 이루어져 있기 때문에 구부리거나 휘어도 크랙이 발생하거나 깨질 가능성이 매우 적다.
그러므로, 향후 플렉서블 디스플레이에 있어서 대부분의 스위칭 소자는 유기 박막 트랜지스터로 구성될 것으로 예측되고 있다.
하지만 유기박막 트랜지스터의 가장 큰 단점은 대기 중에 존재하는 수분이나 산소 등의 가스에 매우 민감하다는 것이다.
수분이나 산소 가스가 유기박막 트랜지스터의 유기 반도체나 유기 절연막에 침투할 경우 흡착, 산화 등의 과정을 통해 유기박막 트랜지스터 본래의 전기적 특성을 변화시키게 되어 결과적으로 소자의 파손으로 이어지게 된다.
이와 같이, 유기박막 트랜지스터의 전기적 특성에 심각한 영향을 미치는 가스의 침투 방지를 위하여 보호막 또는 패시베이션막을 제작이 완성된 유기박막 트랜지스터 소자 상부에 형성시켜는 방법이 많이 연구가 되고 있다.
이러한, 보호막으로는 유기물이 주로 사용되는데 그 이유는 유기 반도체층 상부에 만약 무기물을 형성할 경우 무기물이 진공 증착 과정에서 유기 반도체층으로 상당 부분 침투하거나 유기 반도체 내부의 결합을 파괴시켜 유기박막 트랜지스터의 특성을 저하시키기 때문이다.
최근에는 유기 반도체층 상부에 폴리비닐알콜(Polyvinylalchol, PVA)와 같은 물에 녹는 고분자 물질을 덮고, 이후 무기물을 폴리비닐알콜 상부에 덮어 불순물 차단 특성을 향상시키는 방법도 제시되고 있다.
하지만, 이 경우에도 유기 반도체층 상부에 덮는 물질은 유기물로 한정될 뿐만 아니라 그 물질도 물에 녹는 물질들로 극히 제한이 되어 있어 특성 향상에 어려움이 뒤따르게 된다.
도 1은 종래 기술에 따른 단층 유기물 보호막을 구비한 유기 박막 트랜지스터의 개략적인 단면도로서, 기판(10) 상부에 버퍼층(20)을 형성하고, 상기 버퍼층(20) 상부에 게이트 전극(30)을 형성하고, 상기 게이트 전극(30)을 감싸며 상기 버퍼층(20) 상부에 게이트 절연막(40)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(40) 상부에 드레인 전극(51) 및 소스 전극(52)을 형성하고, 상기 드레인 전극(51) 및 소스 전극(52) 사이에 유기 반도체층(60)을 형성하고, 상기 드레인 전극(51), 소스 전극(52)과 유기 반도체층(60)을 감싸며 유기물 보호막(70)을 형성한다.
이러한, 유기 박막 트랜지스터는 단층의 유기물 보호막(70)을 스핀 코팅 등의 방법으로 형성한다.
여기서, 상기 유기물 보호막(70)은 폴리비닐알콜(Polyvinylalchol, PVA)와 같은 물에 녹는 고분자 물질로 형성한다.
이렇게, 상기 폴리비닐알콜을 유기물 보호막으로 사용하는 이유는 상기 폴리비닐알콜이 물에 잘 녹는 물질이기 때문이다.
이외에도 보호막으로 파릴렌(Parylene)을 사용할 수 있는데, 파릴렌은 상온에서 쉽게 진공 증착할 수 있어 유기 반도체에 큰 손상을 입히지 않고 보호막을 형성할 수 있다.
도 2는 종래 기술에 따른 다층 유기물 보호막을 구비한 유기 박막 트랜지스터의 개략적인 단면도로서, 이 유기 박막 트랜지스터는 유기물 보호막이 다층으로 형성된 것이다.
즉, 도 2에 도시된 바와 같이, 드레인 전극(51), 소스 전극(52)과 유기 반도체층(60)을 감싸는 제 1 유기물 보호막(81)이 형성되어 있고, 상기 제 1 유기물 보호막(81) 상부에 제 2 유기물 보호막(82)이 형성되어 있다.
이러한, 다층 유기물 보호막의 가장 큰 단점은 높은 가스 투과도이다.
즉, 수분이나 산소 등의 가스가 통과하는 정도가 무기물에 비해 상당히 높아 가스 등 불순물의 차단 특성이 낮다.
이뿐만 아니라 보호막으로 코팅된 유기물을 증착하거나 경화시킬 때 발생할 수 있는 열 등으로 인해 유기 반도체의 특성이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 유기 반도체의 특성이 저하되는 과제를 해결하는 것이다.
본 발명의 바람직한 양태(樣態)는,
기판과;
상기 기판 상부에 형성된 버퍼층과;
상기 버퍼층 상부에 형성된 게이트 전극과;
상기 게이트 전극을 감싸며 상기 버퍼층 상부에 형성된 게이트 절연막과;
상기 게이트 절연막 상부에 공간을 사이에 두고 상호 이격된 드레인 전극 및 소스 전극과;
상기 제 1 공간 및 상기 드레인 전극과 소스 전극 각각의 일부에 형성된 유기 반도체층과;
적어도 하나 이상의 유기 반도체층 영역을 노출시키고, 상기 드레인 및 소스 전극과 상기 희생층을 감싸며 상기 게이트 절연막 상부에 형성된 제 1 보호막과; 상기 유기 반도체를 감싸며 상기 제 1 보호막 상부에 형성된 제 2 보호막으로 구성된 유기 박막 트랜지스터가 제공된다.
본 발명의 바람직한 다른 양태(樣態)는,
기판 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계와;
상기 게이트 전극을 감싸며 상기 기판 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;
상기 게이트 절연막 상부에 제 1 공간을 사이에 두고 상호 이격된 드레인 전극 및 소스 전극을 형성하는 단계와;
상기 제 1 공간 및 상기 드레인 전극 및 소스 전극 각각의 일부에 희생층을 형성하는 단계와;
상기 희생층의 적어도 하나 이상의 영역을 노출시키고, 상기 드레인 및 소스 전극과 상기 희생층을 감싸며 상기 게이트 절연막 상부에 제 1 보호막을 형성하는 단계와;
상기 노출된 희생층 영역을 통해 상기 희생층을 식각하여 제 2 공간을 형성하는 단계와;
상기 제 2 공간에 유기 반도체를 채우는 단계와;
상기 유기 반도체를 감싸며 상기 제 1 보호막 상부에 제 2 보호막을 형성하는 단계로 구성된 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법이 제공된다.
본 발명은 보호막을 유기 반도체를 형성하기 전에 미리 형성시키고, 이후에 유기 반도체를 채워 넣는 방법을 사용함으로써, 종래의 유기 반도체 상부에 보호막을 증착 또는 경화 공정으로 인가된 열에 의해 유기 반도체 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있어, 유기박막 트랜지스터의 신뢰성 특성을 높일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 보호막을 우수한 불순물 차단 특성을 가진 무기물로 대체함으로써 보다 용이하게 유기박막 트랜지스터의 신뢰성을 향상시킬 수 있 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터의 개략적인 단면도로서, 기판(100)과; 상기 기판(100) 상부에 형성된 게이트 전극(110)과; 상기 게이트 전극(110)을 감싸며 상기 기판(100) 상부에 형성된 게이트 절연막(120)과; 상기 게이트 절연막(120) 상부에 공간(133)을 사이에 두고 상호 이격된 드레인 전극(131) 및 소스 전극(132)과; 상기 공간(133) 및 상기 드레인 전극(131) 및 소스 전극(132) 각각의 일부에 형성된 유기 반도체층(161)과; 적어도 하나 이상의 유기 반도체층(161) 영역을 노출시키고, 상기 드레인 및 소스 전극(131,132)과 상기 희생층(140)을 감싸며 상기 게이트 절연막(120) 상부에 형성된 제 1 보호막(150)과; 상기 유기 반도체(160)를 감싸며 상기 제 1 보호막(150) 상부에 형성된 제 2 보호막(170)으로 구성된다.
여기서, 상기 기판(100) 상부에 버퍼층(210)이 형성되어 있고, 상기 버퍼층(210) 상부에 게이트 전극(110)이 형성되어 있고, 상기 게이트 전극(110)을 감싸며 상기 버퍼층(210) 상부에 게이트 절연막(120)이 형성되어 있는 구조로 구현할 수 있다.
상기 제 1 보호막(150)은 무기물로 형성하고, 상기 제 2 보호막(170)은 유기물 또는 무기물로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 제 1 보호막(150)의 물질은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막, 실리콘 옥시나이트라이드(SiON; Silicon oxynitride) 등의 산화막 및 질화막 계열 등이 사용될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.
또, 상기 제 2 보호막(170) 물질은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막, 실리콘 옥시나이트라이드(SiON; Silicon oxynitride) 등의 산화막 및 질화막 계열, 폴리비닐알콜(Polyvinylalchol, PVA), PVP(Polyvinyl pyrrolidone), BCB(Benzo Cyclo Butene), 폴리이미드 등의 유기물이 사용될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
도 4a 내지 4f는 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도로서, 먼저, 기판(100) 상부에 게이트 전극(110)을 형성하고, 상기 게이트 전극(110)을 감싸며 상기 기판(100) 상부에 게이트 절연막(120)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(120) 상부에 제 1 공간(135)을 사이에 두고 상호 이격된 드레인 전극(131) 및 소스 전극(132)을 형성한다.(도 4a)
즉, 상기 게이트 절연막(120) 상부에 상기 드레인 전극(131) 및 소스 전극(132)을 상호 이격시켜 형성하면, 상기 드레인 전극(131) 및 소스 전극(132) 제 1 공간(135)이 형성된다.
그리고, 상기 드레인 전극(131) 및 소스 전극(132)은 상기 게이트 절연막(120) 상부에 전극을 형성하고 패터닝하여 형성하는 것이다.
또, 상기 드레인 전극(131) 및 소스 전극(132)과 게이트 절연막(120)은 스퍼터링, 전자빔 증착, 펄스 레이저 증착, 화학기상 증착, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스핀 코팅, 딥 코팅, 롤 코팅 등의 방법을 사용할 수 있다.
한편, 상기 게이트 전극(110) 물질로는 금, 은, 크롬, 탄탈륨, 티타늄, 구 리, 알루미늄, 몰리브데늄, 텅스텐, 니켈, 팔라듐, 백금 등의 금속 외에 ITO (Indium Tin Oxide), IZO(indium zinc oxide) 등의 금속 산화물, 전도성 고분자, CNT(Carbon nanotube) 등을 사용할 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.
그리고, 상기 게이트 절연막(120)의 물질은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막 등의 산화막과 폴리비닐페놀(Polyvinyl Phenol), 폴리비닐 알콜(Polyvinyl Alcohol), 폴리이미드(Polyimide) 등의 유기물, 또는 산화막과 유기물의 혼합 물질 등을 사용할 수 있으며, 이에 한정하지는 않는다.
또, 상기 드레인 전극(131) 및 소스 전극(132) 물질은 금, 은, 크롬, 칼슘, 바륨, 탄탈륨, 티타늄, 구리, 알루미늄, 몰리브데늄, 텅스텐, 니켈, 팔라듐, 백금 등의 금속 외에 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 등의 금속 산화물, 전도성 고분자, CNT(Carbon nanotube) 등이 사용되며, 이에 한정하지 않는다.
다음, 상기 제 1 공간(135) 및 상기 드레인 전극(131) 및 소스 전극(132) 각각의 일부에 희생층(140)을 형성한다.(도 4b)
이때, 상기 제 1 공간(135)에는 상기 게이트 절연막(120)이 노출되어 있으므로, 상기 노출된 게이트 절연막(120)에 희생층(140)을 형성하는 것이다.
그리고, 상기 희생층(140)의 물질은 금, 은, 크롬, 칼슘, 바륨, 탄탈륨, 티타늄, 구리, 알루미늄, 몰리브데늄, 텅스텐, 니켈, 팔라듐, 백금 등의 금속 외에 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 금속 산화물, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막 등의 산화막으로 사용하고, 이러한 물질로 한정하지 않는다.
다만, 상기 희생층(140)이 식각될 때, 소스 전극 및 드레인 전극이 손상되지 않도록 소스 전극 및 드레인 전극과는 상이한 물질을 사용해야 한다.
이어서, 상기 희생층(140)의 적어도 하나 이상의 영역을 노출시키고, 상기 드레인 및 소스 전극(131,132)과 상기 희생층(140)을 감싸며 상기 게이트 절연막(120) 상부에 제 1 보호막(150)을 형성한다.(도 4c)
여기서, 상기 노출된 희생층(140) 영역은 후 공정에서, 희생층의 식각 및 차후 유기 반도체의 주입구로 사용된다.
그리고, 상기 제 1 보호막(150)은 상기 희생층(140) 식각시 상기 제 1 보호막(150)이 손상되지 않도록 상기 희생층(140)과 서로 다른 물질을 사용해야 한다.
계속하여, 상기 노출된 희생층(140) 영역을 통해 상기 희생층(140)을 식각하여 제 2 공간(141)을 형성한다.(도 4d)
이때, 상기 희생층(140)은 습식 식각으로 제거한다.
여기서, 상기 노출된 희생층(140) 영역은 두 영역 이상인 것이 더 바람직하다.
즉, 노출된 희생층(140) 영역이 하나이면, 상기 희생층(140)을 식각하는데 시간이 오래 소모될 뿐만 아니라, 후술된 바와 같이, 유기 반도체를 주입할 때 내부에 있는 공기 때문에 유기 반도체가 제대로 주입되기가 어렵다.
그러므로, 상기 노출된 희생층(140) 영역은 두 영역 이상이어야 유기 반도체가 쉽게 제 2 공간(141)으로 주입될 수 있는 것이다.
그 후, 상기 제 2 공간(141)에 유기 반도체(160)를 채운다.(도 4e)
상기 유기 반도체로 사용할 수 있는 반도체 물질로는 펜타센(Pentacene) 계열, 폴리싸이오펜(Polythiophene) 계열, 테트라센(Tetracene) 계열 등의 유기물질을 이용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
연이어, 상기 유기 반도체(160)를 감싸며 상기 제 1 보호막(150) 상부에 제 2 보호막(170)을 형성한다.(도 4f)
여기서, 상기 제 2 보호막(170)은 적어도 둘 이상의 보호막이 적층된 적층 구조로도 형성할 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터의 개략적인 단면도로서, 기판(100) 상부에 버퍼층(210)을 형성하고, 이 버퍼층(210) 상부에 게이트 전극(110)을 형성하고, 상기 게이트 전극(110)을 감싸며 상기 버퍼층(210) 상부에 게이트 절연막(120)을 형성한다.
이때, 상기 버퍼층(210) 상부에 게이트 전극(110)과 게이트 절연막(120)을 형성하는 것이므로, 상기 기판(100)은 다양한 물질된 기판으로 사용할 수 있다.
즉, 상기 기판(100)의 물질은 유리, 석영, 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthal ate), 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리아크릴레이트(Polyacrylate), 폴리이미드(Polyimide), 및 폴리에테르설폰(Polyethersulfone), 종이, 스테인리스 스틸(Stainless Steel) 중 하나인 것이 바람직하고, 이의 물질로만 한정하는 것은 아니다.
도 6은 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터의 일부의 구성을 설명하기 위한 개략적인 평면도로서, 드레인 전극(131) 및 소스 전극(132) 사이에 유기 반도체층(160)이 형성되어 있고, 상기 유기 반도체층(160)은 상기 드레인 전극(131) 및 소스 전극(132) 각각의 일부에도 형성되어 있다.
그리고, 상기 드레인 및 소스 전극(131,132)과 상기 유기 반도체층(160)을 감싸며 제 1 보호막(150)이 형성되어 있는데, 적어도 하나 이상의 유기 반도체층(161) 영역이 상기 제 1 보호막(150)으로부터 노출된다.
즉, 도 6에는, 하나의 유기 반도체층(161) 영역(170)이 노출되어 있다.
그러므로, 상기 노출된 유기 반도체층(161) 영역(171)으로 전술된 바와 같이, 유기 반도체가 주입되어, 유기 반도체층(161)이 형성되는 것이다.
그리고, 유기 반도체가 주입을 원활하게 하기 위해, 노출된 유기 반도체층(161) 영역(170)에 인접된 영역(도 6의 체크 영역)에 제 1 보호막(150)을 형성하지 않을 수 있다.
상술된 바와 같이, 본 발명은 보호막을 유기 반도체를 형성하기 전에 미리 형성시키고, 이후에 유기 반도체를 채워 넣는 방법을 사용함으로써, 종래의 유기 반도체 상부에 보호막을 증착 또는 경화 공정으로 인가된 열에 의해 유기 반도체 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있어, 유기박막 트랜지스터의 신뢰성 특성을 높일 수 있는 장점이 있게 된다.
그러므로, 본 발명은 신뢰성이 매우 우수한 전기적 특성을 확보할 수 있는 유기박막 트랜지스터를 이용하여 액정 디스플레이, 유기 전계 발광 디스플레이, 전자종이, RF-ID, 센서 등 높은 신뢰성을 요구하는 제품에 용이하게 사용될 수 있는 것이다.
또한, 본 발명은 보호막을 우수한 불순물 차단 특성을 가진 무기물로 대체함으로써 보다 용이하게 유기박막 트랜지스터의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 단층 유기물 보호막을 구비한 유기 박막 트랜지스터의 개략적인 단면도
도 2는 종래 기술에 따른 다층 유기물 보호막을 구비한 유기 박막 트랜지스터의 개략적인 단면도
도 3은 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터의 개략적인 단면도
도 4a 내지 4f는 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도
도 5는 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터의 개략적인 단면도
도 6은 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터의 일부의 구성을 설명하기 위한 개략적인 평면도
Claims (5)
- 삭제
- 기판 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극을 감싸며 상기 기판 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막 상부에 제 1 공간을 사이에 두고 상호 이격된 드레인 전극 및 소스 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 공간 및 상기 드레인 전극 및 소스 전극 각각에, 상기 드레인 전극 및 소스 전극과 다른 물질인 희생층을 형성하는 단계와;상기 희생층과 다른 물질이고, 상기 희생층의 하나 이상의 영역을 노출시키고, 상기 드레인 및 소스 전극과 상기 희생층을 감싸며 상기 게이트 절연막 상부에 제 1 보호막을 형성하는 단계와;상기 노출된 희생층 영역을 통해 상기 희생층을 식각하여 제 2 공간을 형성하는 단계와;상기 제 2 공간에 유기 반도체를 채우는 단계와;상기 유기 반도체를 감싸며 상기 제 1 보호막 상부에 제 2 보호막을 형성하는 단계로 구성되며,상기 제 2 공간의 형상과 유기 반도체의 형상은 동일한 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 청구항 2에 있어서,상기 희생층의 물질은,금, 은, 크롬, 칼슘, 바륨, 탄탈륨, 티타늄, 구리, 알루미늄, 몰리브데늄, 텅스텐, 니켈, 팔라듐, 백금, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막 중 하나인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 청구항 2에 있어서,상기 기판 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계는,상기 기판 상부에 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상부에 게이트 전극을 형성하는 것이고,상기 게이트 전극을 감싸며 상기 기판 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계는,상기 게이트 전극을 감싸며 상기 버퍼층 상부에 게이트 절연막을 형성하는 것인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 청구항 2에 있어서,상기 제 1 보호막의 물질은,실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막, 실리콘 옥시나이트라이드(SiON; Silicon oxynitride) 중 하나이고,상기 제 2 보호막 물질은,실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막, 실리콘 옥시나이트라이드(SiON; Silicon oxynitride), 폴리비닐알콜(Polyvinylalchol, PVA), PVP(Polyvinyl pyrrolidone), BCB(Benzo Cyclo Butene), 폴리이미드 중 하나인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090103249A KR20090103249A (ko) | 2009-10-01 |
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| Country | Link |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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