CN109427347B - 磁盘装置及记录区域的设定方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施方式提供一种能够高效地写数据的磁盘装置及记录区域的设定方法。实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；向盘写入数据的头；以及控制器，其基于对从第1轨道离开了的第2轨道进行写入时的边缘现象，设定第1轨道与第2轨道之间的第1轨道间距，基于对从第1轨道离开了的第3轨道进行写入时的边缘现象，设定第1轨道与所述第3轨道之间的第2轨道间距，算出第1轨道间距与第2轨道间距的差值，在差值为基准值以下的情况下，将对第1轨道进行写入的区域设定为第1记录区域，在差值比基准值大的情况下，将对第1轨道进行写入的区域设定为将轨道的一部分与相邻的轨道重叠地进行写入的第2记录区域。

Description

磁盘装置及记录区域的设定方法
本申请享受将日本专利申请2017-167156号(申请日：2017年8月31日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及磁盘装置及记录区域的设定方法。
背景技术
近年来，开发了用于磁盘装置的高记录容量化的各种技术。作为这些技术之一，具有以瓦记录方式(Shingled write Magnetic Recording：SMR)写数据的磁盘装置。瓦记录方式是使当前的轨道的一部分与前一个写入的相邻的轨道(以下简称为相邻轨道)重叠地进行写入的记录方式。磁盘装置通过以瓦记录方式写数据，能够与通常的记录方式下进行写入相比提高盘的轨道密度(Track Per Inch：TRI)。
用于瓦记录方式的磁盘装置设定以瓦记录方式进行写入的记录区域和以通常的记录方式进行写入的记录区域。在写数据的情况下，磁盘装置可能会对相邻的轨道产生边缘现象(fringing)的影响。瓦记录方式的写数据的方向是确定的，因此，考虑来自于与作为对象的轨道相邻的两个轨道中的一个相邻轨道的边缘现象的影响即可，能够将作为对象的轨道与相邻的轨道之间的轨道间距(pitch)设定得窄。另一方面，对于通常的记录方式，需要考虑来自与作为对象的轨道相邻的两个轨道的边缘现象的影响，需要将作为对象的轨道与相邻的两个轨道之间的轨道间距设定得大。
发明内容
本发明的实施方式提供一种能够高效地写数据的磁盘装置及记录区域的设定方法。
实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；向所述盘写入数据的头；以及控制器，其基于对从所述盘的第1轨道向所述盘的半径方向的第1方向离开了的第2轨道进行写入时的边缘现象，设定所述第1轨道与所述第2轨道之间的第1轨道间距，基于对从所述第1轨道向与所述第1方向相反的第2方向离开了的第3轨道进行写入时的边缘现象，设定所述第1轨道与所述第3轨道之间的第2轨道间距，算出所述第1轨道间距与所述第2轨道间距的差值，在所述差值为基准值以下的情况下，将对所述第1轨道进行写入的区域设定为在从相邻的轨道离开了的位置对轨道进行写入的第1记录区域，在所述差值比所述基准值大的情况下，将对所述第1轨道进行写入的区域设定为将轨道的一部分与相邻的轨道重叠地进行写入的第2记录区域。
附图说明
图1是表示实施方式涉及的磁盘装置的构成的框图。
图2是表示实施方式涉及的头相对于盘的位置的一例的示意图。
图3是表示实施方式涉及的相对于头在盘上的位置的边缘现象宽度的一例的示意图。
图4是用于说明实施方式涉及的轨道间距的设定方法的一例的示意图。
图5是表示实施方式涉及的通常记录区域的表的一例的图。
图6是表示实施方式涉及的通常记录区域的表的一例的图。
图7是表示实施方式涉及的通常记录区域的表的一例的图。
图8是表示实施方式涉及的通常记录区域的表的一例的图。
图9是表示实施方式涉及的通常记录区域的表的一例的图。
图10是表示实施方式涉及的通常记录区域的表的一例的图。
图11是表示实施方式涉及的通常记录区域的表的一例的图。
图12是表示实施方式涉及的通常记录区域的表的一例的图。
图13是表示实施方式涉及的对象轨道与相邻轨道之间的轨道间距的设定方法的流程图。
图14是表示实施方式涉及的通常记录区域与瓦记录区域的设定方法的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，附图是一个例子，并不限定发明的范围。
(实施方式)
图1是表示实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。
磁盘装置1具备后述的头盘组件(Head Disk Assembly：HDA)、驱动器IC20、头放大集成电路(以下成为头放大器IC或者预放大器)30、易失性存储器70、缓冲存储器(缓冲器)80、非易失性存储器90、作为1个芯片的集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(主机)100连接。
HDA具有磁盘(以下称为盘)10、主轴马达(Spindle Motor：SPM)12、搭载有头15的臂13、音圈马达(Voice Coil Motor：VCM)14。盘10利用主轴马达12而旋转。臂13及VCM14构成致动器。致动器通过VCM14的驱动将搭载于臂13的头15移动控制到盘10上的目标位置。盘10以及头15也可以设有2个以上的数量。
在磁盘装置1中，作为向盘10写数据(或者轨道)的写方式，可应用瓦记录(Shingled Magnetic Recording：SMR)方式和通常的记录方式。瓦记录方式是使轨道的一部分重叠(覆盖)于相邻的轨道而进行写入的记录方式。另一方面，通常的记录方式是从相邻的轨道空开预定间隔而对轨道进行写入的记录方式。换言之，通常的记录方式是将轨道与相邻的轨道不重叠而进行写入的记录方式。在能够以瓦记录方式进行写入的磁盘装置例如作为固件而搭载有Device Managed(DM)、Host Aware(HA)、或者Host Managed(HM)。实施方式的磁盘装置1例如为搭载有HA或者HM的固件。在HA及HM的固件中，主机100能够通过专用的命令来对磁盘装置1的通常的记录区域的地址和/或记录容量进行确认。
盘10对其记录区域分配有能够由用户利用的数据区域10a、写入系统管理所需的信息的系统区10b。以下，将沿着盘10的圆周的方向称为圆周方向，将与圆周方向正交的方向称为半径方向。
头15将滑块作为主体，具备安装于该滑块的写头15W及读头15R。写头15W向盘10施加记录磁场，通过控制盘10的记录层的磁化方向来写数据。读头15R读取盘10的记录层的磁化方向、即数据。头15根据盘10上的位置而相对于盘10的圆周方向以歪斜(skew)角倾斜。歪斜角由将致动器的旋转中心和头15的中心点连结的线与轨道的切线之间的角度表示。头15在向盘10写入数据时，其记录磁场可能相对于轨道向半径方向泄露。将头15的记录磁场和/或盘10的磁化转变相对于轨道向半径方向泄露称为边缘现象(fringing)。边缘现象可能对周围的轨道带来使数据劣化等的影响。边缘现象的半径方向的距离(以下简称为边缘现象宽度)与头15的盘10上的位置、即歪斜角相应地变化。
图2是表示实施方式涉及的头15相对于盘10的位置的一例的示意图。以下，将在半径方向上朝向盘10的外侧的方向称为外方向(外侧)，将与外方向相反的方向称为内方向(内侧)。
数据区域10a被区分为位于盘10的内方向的内周区域IR、位于盘10的外方向的外周区域OR、位于内周区域IR与外周区域OR之间的中周区域MR。另外，数据区域10a包括以瓦记录方式写数据的瓦记录区域SR、以通常的记录方式写数据的通常记录区域CR。通常记录区域CR包含头15的歪斜角成为0的半径方向的位置ZL。在图2所示的例子中，通常记录区域CR位于中周区域MR。也即是，在图2所示的例子中，位置ZL位于中周区域MR。此外，通常记录区域CR也可以位于内周区域IR或者外周区域OR。换言之，位置ZL也可以位于内周区域IR或者外周区域OR。瓦记录区域SR是除了通常记录区域CR之外的数据区域10a。在图2所示的例子中，瓦记录区域SR位于从通常记录区域CR以外的外周区域OR到中周区域MR的区域、从内周区域IR到中周区域MR的区域。
在图2中，头15I、15M以及15O分别表示歪斜角不同的头15。头15I表示位于内周区域IR的以歪斜角倾斜的头15。头15M表示位于中周区域MR的以歪斜角倾斜的头15。头15O表示位于外周区域OR的以歪斜角倾斜的头15。在图2所示的例子中，头15M位于位置ZL上。因此，头15I及头15O以比头15M大的歪斜角倾斜。换言之，头15的随着从歪斜角为0的位置ZL离开而歪斜角变大。
图3是表示实施方式涉及的相对于头15在盘10上的位置的边缘现象宽度的一例的示意图。在图3示出轨道TR1、轨道TR10以及轨道TR100。轨道TR1位于内周区域IR，轨道TR10位于中周区域MR，轨道TR100位于外周区域OR。轨道TR1例如由图2所示的头15I来写入。轨道TR10例如由图2所示的头15M来写入。轨道TR100例如由图2所示的头15O来写入。在图3中示出轨道TR1的半径方向的宽度(以下称为轨道宽度)W1、轨道TR10的轨道宽度W10、轨道TR100的轨道宽度W100。在图3中，轨道宽度W1、W10以及W100相当于写头15W的宽度，大致为相同的大小。另外，在图3示出轨道TR1的轨道中心TC1、轨道TR10的轨道中心TC10、轨道TR100的轨道中心TC100。轨道中心TC1、TC10以及TC100分别是在轨道TR1、TR10以及TR100的圆周方向的各位置通过轨道宽度W1、W10以及W100的中心位置的轨迹。即，轨道中心TC1、TC10以及TC100是写头15W的轨迹。此外，在图3所示的例子中，为了方便起见，轨道中心TC1、TC10以及TC100表示为直线状，但实际上是沿着盘10的圆周方向的曲线。因此，轨道TR1、TR10以及TR100实际上也沿着盘10的圆周方向弯曲。
在图3所示的例子中，在通过图2所示的头15I而在内周区域IR对轨道TR1进行写入的情况下，可能会从轨道中心TC1向外侧产生宽度(以下有时也称为外侧的边缘现象宽度)FIa的边缘现象(以下有时也称为外侧的边缘现象)，可能会从轨道中心TC1向内侧产生宽度(以下有时也称为内侧的边缘现象宽度)FIb的边缘现象(以下有时也称为内侧的边缘现象)。在该情况下，外侧的边缘现象宽度FIa大于内侧的边缘现象宽度FIb(FIa＞FIb)。外侧的边缘现象宽度FIa包括从轨道TR1的轨道中心TC1到轨道TR1的外侧的端部Ea1为止的距离(以下称为外侧的轨道距离)WIa、和从轨道TR1的外侧的端部Ea1到边缘现象给予影响的外侧的位置EIa、即外侧的边缘现象的端部EIa为止的距离(以下称为外侧的边缘现象间隙)GIa。内侧的边缘现象宽度FIb包括从轨道TR1的轨道中心TC1到轨道TR1的内侧的端部Eb1为止的距离(以下称为内侧的轨道距离)WIb、和从轨道TR1的内侧的端部Eb1到边缘现象给予影响的内侧的位置EIb、即内侧的边缘现象的端部EIb为止的距离(以下称为内侧的边缘现象间隙)GIa。外侧的轨道距离WIa与内侧的轨道距离WIb之和相当于轨道宽度W1。在图3所示的例子中，外侧的轨道距离WIa与内侧的轨道距离WIb相同。因此，外侧的边缘现象间隙GIa大于内侧的边缘现象间隙GIb(GIa＞GIb)。
在图3所示的例子中，在通过图2所示的头15M而在中周区域MR对轨道TR10进行写入的情况下，可能会产出宽度FMa的外侧的边缘现象，可能会产生宽度FMb的内侧的边缘现象。在该情况下，外侧的边缘现象宽度FMa与内侧的边缘现象宽度FMb大致相同、或者为相同(FMa≈FMb、或者FMa＝FMb)。外侧的边缘现象宽度FMa包含从轨道TR10的轨道中心TC10到轨道TR10的外侧的端部Ea10为止的外侧的轨道距离WMa、和从轨道TR10的外侧的端部Ea10到外侧的边缘现象的端部EMa为止的外侧的边缘现象间隙GMa。内侧的边缘现象宽度FMb包括从轨道TR10的轨道中心TC10到轨道TR10的内侧的端部Eb10为止的内侧的轨道距离WMb、和从轨道TR10的外侧的端部Ea10到外侧的边缘现象的端部EMb为止的内侧的边缘现象间隙GMb。外侧的轨道距离WMa与内侧的轨道距离WMb之和相当于轨道宽度W10。在图3所示的例子中，外侧的轨道距离WMa与内侧的轨道距离WMb相同。因此，外侧的边缘现象间隙GMa与内侧的边缘现象间隙GMb大致相同、或为相同(GMa≈GMb、或者GMa＝GMb)。
在图3所示的例子中，在通过图2所示的头15O对轨道TR100进行写入的情况下，可能会产生宽度FOa的外侧的边缘现象，可能会产生宽度FOb的内侧的边缘现象。在该情况下，内侧的边缘现象宽度FOb大于外侧的边缘现象宽度FOa(FOa＜FOb)。外侧的边缘现象宽度FOa包括从轨道TR100的轨道中心TC100到轨道TR100的外侧的端部Ea100为止的外侧的轨道距离WOa、和从轨道TR100的外侧的端部Ea100到外侧的边缘现象的端部EOa为止的外侧的边缘现象间隙GOa。内侧的边缘现象宽度FOb包括从轨道TR100的轨道中心TC100到轨道TR100的内侧的端部Eb100为止的内侧的轨道距离WOb、和从轨道TR100的外侧的端部Ea100到外侧的边缘现象的端部EOa为止的内侧的边缘现象间隙GOa。外侧的轨道距离WOa与内侧的轨道距离WOb之和相当于轨道宽度W100。在图3所示的例子中，外侧的轨道距离WOa与内侧的轨道距离WOb相同。因此，内侧的边缘现象间隙GOb大于外侧的边缘现象间隙GOa(GOa＜GOb)。
驱动器IC20按照系统控制器130(详细而言，后述的(Micro Processing Unit(微处理单元):MPU60)))的控制，对SPM12以及VCM14的驱动进行控制。
头放大器IC(预放大器)30具备未图示的读放大器以及写驱动器。读放大器对从盘10读取的读信号进行放大，并向系统控制器130(详细而言，后述的读/写(R/W)通道40)进行输出。写驱动器将与从R/W通道40输出的写数据相应的写电流输出到头15。头放大器IC30与头15以及R/W通道40电连接。
易失性存储器70是当电力供给切断时所保存的数据会丢失的半导体存储器。易失性存储器70存储磁盘装置1的各部的处理所需的数据等。易失性存储器70例如是DRAM(Dynamic Random Access Memory)、或者SDRAM(Synchronous Dynamic Random AccessMemory)。
缓冲存储器80是暂时记录在磁盘装置1与主机100之间收发的数据等的半导体存储器。此外，缓冲存储器80也可以与易失性存储器70构成为一体。缓冲存储器80例如是DRAM、SRAM(Static Random Access Memory)、SDRAM、FERAM(Ferroelectric RandomAccess memory)、或者MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)等。
非易失性存储器90是即使电力供给切断也能记录其保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器90例如是NOR型或者NAND型的闪速ROM(Flash Read Only Memory：FROM)。
系统控制器(控制器)130例如可使用多个元件集成在单一芯片的被称为片上系统(System-on-a-Chip(SOC))的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器130包括读/写(R/W)通道40、硬盘控制器(Hard Disk Controller：HDC)50、微处理器(MPU)60。系统控制器130与驱动器IC20、头放大器IC30、易失性存储器70、缓冲存储器80、非易失性存储器90以及主机100电连接。
R/W通道40执行读数据以及写数据的信号处理。R/W通道40具有测定读数据的信号品质的电路或者功能。R/W通道40与头放大器IC30、HDC50以及MPU60电连接。
HDC50按照来自后述的MPU60的指示，对主机100与R/W通道40之间的数据传送进行控制。HDC50与R/W通道40、MPU60、易失性存储器70、缓冲存储器80、非易失性存储器90以及主机100电连接。
MPU60是控制磁盘装置1的各部的主控制器。MPU60经由驱动器IC20控制VCM14，执行进行头15的定位的伺服控制。MPU60控制向盘10的数据的写工作，并且，选择从主机100传送的写数据的保存目的地。另外，MPU60控制从盘10的数据的读工作，并且，控制从盘10向主机100传送的读数据的处理。以下，有时也将写数据及读数据简称为数据。MPU60与磁盘装置1的各部连接。例如，MPU60与R/W通道40以及HDC50电连接。
MPU60包括设定部61、管理部63、写控制部65。MPU60在固件上执行这些各部的处理。
设定部61设定作为通常的记录方式下的对象的轨道(以下称为对象轨道)和与对象轨道相邻的轨道(以下称为相邻轨道)之间的轨道间距。例如，设定部61基于在向对象轨道的外侧离开了的位置对相邻轨道(以下称为外侧的相邻轨道)进行写入时的内侧的边缘现象宽度，设定对象轨道与外侧的相邻轨道之间的轨道间距。同样地，设定部61基于在向对象轨道的内侧离开了的位置对相邻轨道(以下称为内侧的相邻轨道)进行写入时的外侧的边缘现象宽度，设定对象轨道与内侧的相邻轨道之间的轨道间距。设定部61将所设定的轨道间距例如记录在系统区10b或者非易失性存储器90等。
图4是用于说明实施方式涉及的轨道间距的设定方法的一例的示意图。在图4中，轨道TR(N+1)、T(N)以及TR(N－1)在半径方向上排列。在图4示出轨道TR(N+1)的轨道中心TC(N+1)、轨道TR(N)的轨道中心TC(N)、轨道TR(N－1)的轨道中心TC(N－1)。轨道TR(N)的轨道宽度相当于外侧的轨道距离WMa(N)与内侧的轨道距离WMb之和。轨道TR(N+1)在向轨道TR(N)的外侧以预定的轨道间距(以下称为外侧的轨道间距)离开了的位置被进行写入。轨道TR(N－1)在向轨道TR(N)的内侧以预定的轨道间距(以下称为内侧的轨道间距)离开了的位置被进行写入。另外，外侧的边缘现象宽度FMa1表示对轨道TR(N+1)进行写入时的从轨道中心TC(N+1)到在轨道TR(N+1)的外侧产生的边缘现象给予影响的位置为止的距离。内侧的边缘现象宽度FMb1表示对轨道TR(N+1)进行写入时的从轨道中心TC(N+1)到在轨道TR(N+1)的内侧产生的边缘现象给予影响的位置为止的距离。外侧的边缘现象宽度FMa2表示对轨道TR(N)进行写入时的从轨道中心TC(N)到在轨道TR(N)的外侧产生的边缘现象给予影响的位置为止的距离。内侧的边缘现象宽度FMb2表示对轨道TR(N)进行写入时的从轨道中心TC(N)到在轨道TR(N)的内侧产生的边缘现象给予影响的位置为止的距离。外侧的边缘现象宽度FMa3表示对轨道TR(N－1)进行写入时的从轨道中心TC(N－1)到在轨道TR(N－1)的外侧产生的边缘现象给予影响的位置为止的距离。内侧的边缘现象宽度FMb3表示对轨道TR(N－1)进行写入时的从轨道中心(N－1)到在轨道TR(N－1)的内侧产生的边缘现象给予影响的位置为止的距离。
例如，设定部61最初在盘10的预定位置向对象轨道TR(N)进行写入，对进行了写入的对象轨道TR(N)进行读取，测定对象轨道TR(N)的错误率(以下有时也称为初始错误率)。接着，设定部61对与对象轨道TR(N)相距预定的轨道间距(以下称为外侧的初始轨道间距)P(N)in的外侧的相邻轨道TR(N+1)进行写入，对进行了写入后的对象轨道TR(N)再次进行读取，再次测定对象轨道TR(N)的错误率。设定部61判定错误率是比阈值(以下称为外侧的阈值)小、还是为外侧的阈值以上。在判定为错误率为外侧的阈值以上的情况下，设定部61将外侧的初始轨道间距P(N)in变更为接下来的外侧的轨道间距。即，在判定为对象轨道TR(N)在对外侧的相邻轨道TR(N+1)进行写入时受到了边缘现象的影响的情况下，设定部61将外侧的初始轨道间距P(N)in变更为接下来的外侧的轨道间距。例如，设定部61变更为比外侧的初始轨道间距P(N)in小的接下来的外侧的轨道间距。另外，设定部61也可以变更为比外侧的初始轨道间距P(N)in大的接下来的外侧的轨道间距。设定部61再次判定错误率是比外侧的阈值小、还是为外侧的阈值以上。在判定为错误率为外侧的阈值以上的情况下，设定部61从当前的轨道间距变更为接下来的外侧的轨道间距。例如，设定部61变更为比当前的轨道间距小的接下来的外侧的轨道间距。另外，设定部61也可以变更为比当前的轨道间距大的接下来的外侧的轨道间距。设定部61反复进行将当前的外侧的轨道间距变更为接下来的轨道间距、在从对象轨道TR(N)离开了变更后的当前的外侧的轨道间距的位置对外侧的相邻轨道TR(N+1)进行写入、测定对象轨道TR(N)的错误率这一处理，直到错误率变为比外侧的阈值小。在判定为错误率小于外侧的阈值的情况下，设定部61将当前的外侧的轨道间距设定为对象轨道TR(N)与外侧的相邻轨道TR(N+1)之间的外侧的轨道间距。即，在判定为对象轨道TR(N)在对外侧的相邻轨道TR(N+1)进行写入时几乎不受边缘现象的影响的情况下，设定部61将当前的外侧的轨道间距设定为对象轨道TR(N)与外侧的相邻轨道TR(N+1)之间的外侧的轨道间距。设定部61将所设定的外侧的轨道间距例如记录到系统区10b或者非易失性存储器90等。
同样地，设定部61最初在盘10的预定位置对对象轨道TR(N)进行写入，读取所写的对象轨道TR(N)，测定对象轨道TR(N)的初始错误率。接着，设定部61对与对象轨道TR(N)相距预定的轨道间距(以下称为内侧的初始轨道间距)P(N－1)in的内侧的相邻轨道TR(N－1)进行写入，再次读取进行了写入后的对象轨道TR(N)，再次测定对象轨道TR(N)的错误率。内侧的初始轨道间距P(N－1)in被设定为内侧的相邻轨道TR(N－1)的外侧的边缘现象不对对象轨道TR(N)产生影响的距离。设定部61对错误率是比阈值(以下称为内侧的阈值)小、还是为内侧的阈值以上进行判定。在判定为错误率为内侧的阈值以上的情况下，设定部61将内侧的初始轨道间距P(N－1)in变更为接下来的内侧的轨道间距。即，在判定为对象轨道TR(N)在对内侧的相邻轨道TR(N－1)进行写入时受到边缘现象的影响的情况下，设定部61将内侧的初始轨道间距P(N－1)in变更为接下来的内侧的轨道间距。例如，设定部61变更为比内侧的初始轨道间距P(N－1)in小的接下来的内侧的轨道间距。另外，设定部61也可以变更为比内侧的初始轨道间距P(N－1)in大的接下来的内侧的轨道间距。设定部61对错误率是比内侧的阈值小、还是为内侧的阈值以上再次进行判定。在判定为错误率为内侧的阈值以上的情况下，设定部61从当前的轨道间距变更为接下来的内侧的轨道间距。例如，设定部61变更为比当前的轨道间距小的接下来的内侧的轨道间距。另外，设定部61也可以变更为比当前的轨道间距大的接下来的内侧的轨道间距。设定部61反复进行将当前的内侧的轨道间距变更为接下来的轨道间距、在从对象轨道TR(N)离开了变更后的当前的内侧的轨道间距的位置对内侧的相邻轨道TR(N－1)进行写入、测定对象轨道TR(N)的错误率这一处理，直到错误率变为小于内侧的阈值。在判定为错误率小于内侧的阈值的情况下，设定部61将当前的内侧的轨道间距设定为对象轨道TR(N)与内侧的相邻轨道TR(N－1)之间的内侧的轨道间距。即，在判定为对象轨道TR(N)在对内侧的相邻轨道TR(N－1)进行写入时几乎不受边缘现象的影响的情况下，设定部61将当前的内侧的轨道间距设定为对象轨道TR(N)与内侧的相邻轨道TR(N－1)之间的内侧的轨道间距。设定部61将所设定的内侧的轨道间距例如记录到系统区10b或者非易失性存储器90等。此外，外侧的阈值与内侧的阈值既可以相同，也可以不同。
设定部61对位于盘10的例如数据区域10a的预定区域的多个轨道执行前述的处理，设定位于预定区域的多个轨道的外侧及内侧的轨道间距。设定部61将所设定的位于预定区域的多个轨道的外侧及内侧的轨道间距记录到系统区10b或者非易失性存储器90等。预定区域例如是中周区域。此外，设定部61也可以对数据区域10a的全部轨道执行前述的处理，设定全部的轨道的外侧及内侧的轨道间距。
管理部63基于在设定部61设定的外侧及内侧的轨道间距，对盘10的例如数据区域10a设定通常记录区域CR和瓦记录区域SR，对所设定的通常记录区域CR和瓦记录区域SR进行管理。
例如，管理部63对数据区域10a的预定轨道的外侧的轨道间距与内侧的轨道间距进行比较，算出外侧的轨道间距与内侧的轨道间距的差值。管理部63对差值是为作为差值的阈值的基准值以下、还是比基准值大进行判定。在判定为差值为基准值以下的情况下，管理部63将向对象轨道进行写入的区域设定为通常记录区域CR，将设定为通常记录区域CR的向对象轨道进行写入的区域的信息记录于系统区10b或者非易失性存储器90等，以表对设定为通常记录区域CR的对象轨道区域的信息进行管理。对象轨道区域的信息例如包括轨道编号、以及将数据区域10a区分为了几个的区域(以下称为分区(zone))的编号等。在该情况下，管理部63判定差值是0、还是不是0。在判定为差值不是0的情况下，管理部63将外侧的轨道间距与内侧的轨道间距中的小的一方设定为对象轨道与相邻轨道(外侧的相邻轨道及内侧的相邻轨道)之间的轨道间距，将所设定的轨道间距记录到系统区10b或者非易失性存储器90等。在判定为差值是0的情况下，管理部63将外侧的轨道间距或者内侧的轨道间距中的任意一方设定为对象轨道与相邻轨道之间的轨道间距，将所设定的轨道间距记录到系统区10b或者非易失性存储器90等。在判定为差值大于基准值的情况下，管理部63将向对象轨道进行写入的区域设定为瓦记录区域SR，将设定为瓦记录区域SR的向对象轨道进行写入的区域的信息记录到系统区10b或者非易失性存储器90等。基准值既可以是固定值，也可以是变量。基准值也可以进行变更。另外，基准值也可以设定多个。例如，基准值既可以按各分区来设定，也可以按各头来设定。
管理部63对位于盘10的例如数据区域10a的预定区域的多个轨道执行前述的处理，将对多个轨道中的外侧的轨道间距与内侧的轨道间距的差值为基准值以下的几个轨道分别进行写入的几个区域设定为通常记录区域CR。管理部63将设定为通常记录区域CR的对几个轨道分别进行写入的几个区域的信息记录到系统区10b或者非易失性存储器90等，以表来对设定通常记录区域CR的对几个轨道分别进行写入的几个区域的信息进行管理。另外，管理部63将通常记录区域CR以外的盘10的例如数据区域10a设定为瓦记录区域SR。管理部63将设定为瓦记录区域SR的对几个轨道分别进行写入的几个区域的信息记录到系统区10b或者非易失性存储器90等。此外，管理部63也可以对数据区域10a的全部轨道执行前述的处置，将对全部的轨道中的外侧的轨道间距与内侧轨道间距的差值为基准值以下的几个轨道分别进行写入的几个区域设定为通常记录区域CR。另外，管理部63既可以设定多个通常记录区域CR，也可以按各头设定通常记录区域CR，还可以将数据区域10a的预定分区设定为通常记录区域CR。
以下，参照图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11以及图12对记录区域CR的表TB的几个例子进行表示。
图5至图12分别是表示实施方式涉及的通常记录区域CR的表TB的一例的图。图5至图12所示的表TB作为一个例子记录于非易失性存储器90。此外，图5至图12所示的表既可以记载于盘10的系统区10b，也可以记录于其他的存储器等。
图5是表示将盘10的预定区域设定为通常记录区域CR的情况下的表TB的一个例子的图。在图5中，开始轨道编号是对通常记录区域CR的开始的轨道进行写入的区域的编号，终止轨道编号是对通常记录区域CR的结束的轨道进行写入的区域的编号。也即是，通常记录区域CR是开始轨道编号的轨道与终止轨道编号的轨道之间的区域。
在图5所示的例子中，管理部63将从第150000号的区域到第160000号的区域为止的区域作为通常记录区域CR记录于表TB。管理部63将数据区域10a的通常记录区域CR以外的区域设定为瓦记录区域SR。
图6是表示设定了多个通常记录区域CR的情况下的表TB的一个例子的图。在图6中，通常记录区域编号表示所设定的通常记录区域CR的编号。另外，在图6所示的表TB中，按各通常记录区域编号而表示了开始轨道编号和终止轨道编号。
在图6所示的例子中，管理部63例如按设定为数据区域10a的预定范围的各区域而具有基准值。因此，管理部63按各区域设定通常记录区域CR。管理部63将从第150000号的区域到第160000号的区域为止的区域作为第0号的通常记录区域CR，将从165000号的区域到第170000号的区域为止的区域作为第1号的通常记录区域CR，将从第180000号的区域到第185000号的区域为止的区域作为第2号的通常记录区域CR，将从第FFFFFF号的区域到第GGGGGG号的区域为止的区域作为第Max号的通常记录区域CR而记录于表TB。管理部63将数据区域10a的通常记录区域CR以外的区域设定为瓦记录区域SR。
图7是表示按不同的各头15而设定了通常记录区域CR的情况下的表TB的一个例子的图。在图7中，头编号表示用于识别不同的头15的编号。另外，在图7所示的表TB中，按各头编号而表示了开始柱面(或者开始轨道)编号和终止柱面(或者终止轨道)编号。
在图7所示的例子中，管理部63例如按不同的各头15而具有基准值。因此，管理部63按不同的各头15而对不同的盘10设定通常记录区域CR。管理部63将从第150000号的区域到第160000号的区域为止的区域作为第0号的头15的通常记录区域CR，将从第165000号的区域到第170000号的区域为止的区域作为第1号的头15的通常记录区域CR，将从第180000号的区域到第185000号的区域为止的区域作为第2号的头15的通常记录区域CR，将从149000号的区域到第153000号的区域为止的区域作为第Max号的头15的通常记录区域CR而记录于表TB。管理部63将数据区域10a的通常记录区域CR以外的区域设定为瓦记录区域SR。
图8是表示按不同的各头15设定了至少一个通常记录区域CR的情况下的表TB的一个例子的图。
在图8所示的例子中，管理部63例如按不同的各头15、且按不同的盘10的设定为数据区域10a的预定范围的各区域而具有基准值。因此，管理部63按不同的各头15而至少设定了一个通常记录区域CR。管理部63将从第150000号的区域到第160000号的区域为止的区域作为第0(零)号的头15的通常记录区域CR，将从第155000号的区域到第160000号的区域为止的区域作为第1号的头15的通常记录区域CR，将从第170000号的区域到第175000号的区域为止的区域作为第1号的头15的通常记录区域CR，将从第160000号的区域到第170000号的区域为止的区域作为第2号的头15的通常记录区域CR，将从第149000号的区域到第153000号的区域为止的区域作为第Max号的头15的通常记录区域CR而记录于表TB。管理部63将数据区域10a的通常记录区域CR以外的区域设定为瓦记录区域SR。
图9是表示将分区(zone)设定为了通常记录区域CR的情况下的表TB的一个例子的图。
管理部63例如在作为对象的分区(以下称为对象分区)的特定轨道的外侧的轨道间距与内侧的轨道间距的差值为基准值以下的情况下，将对象分区设定为通常记录区域CR。此外，管理部63例如也可以构成为，在对象分区所包含的多个轨道的外侧的轨道间距与内侧的轨道间距的差值的平均值为基准值以下的情况下，将对象分区设定为通常记录区域CR。另外，管理部63例如也可以构成为，在对象分区所包含的全部轨道的外侧的轨道间距与内侧的轨道间距的差值为基准值以下的情况下，将对象分区设定为通常记录区域CR。在图9所示的例子中，管理部63将第21号的分区作为通常记录区域CR而记录于表TB。管理部63将数据区域10a的通常记录区域CR以外的区域设定为瓦记录区域SR。
图10是表示设定了多个通常记录区域CR的情况下的表TB的一个例子的图。在图10所示的表TB中按各通常记录区域编号而表示了分区编号。
在图10所示的例子中，管理部63例如按各分区而具有外侧的轨道间距与内侧的轨道间距的差值的基准值。因此，管理部63按各分区而设定了通常记录区域CR。管理部63将第21号的分区作为第0(零)号的通常记录区域CR，将第22号的分区作为第1号的通常记录区域CR，将第23号的分区作为第2号的通常记录区域CR，将第FF号的分区作为第Max号的通常记录区域CR而记录于表TB。管理部63将数据区域10a的通常记录区域CR以外的区域设定为瓦记录区域SR。
图11是表示按不同的各头15而设定了通常记录区域CR的情况下的表TB的一个例子的图。在图11所示的表TB中，按各头编号而表示了分区编号。
在图11所示的例子中，管理部63例如按不同的各头15而具有外侧的轨道间距与内侧的轨道间距的基准值。因此，管理部63按不同的各头15而对不同的盘10设定了通常记录区域CR。管理部63将第23号的分区作为第0(零)号的头15的通常记录区域CR，将第21号的分区作为第1号的头15的通常记录区域CR，将第22号的分区作为第2号的头15的通常记录区域CR，将第23号的分区作为第Max号的头15的通常记录区域CR而记录于表TB。管理部63将数据区域10a的通常记录区域CR以外的区域设定为瓦记录区域SR。
图12是按不同的各头15而至少设定了一个通常记录区域CR的情况下的表TB的一个例子的图。
在图12所示的例子中，管理部63例如按不同的各头15、且按不同的盘10的各分区而具有外侧的轨道间距与内侧的轨道间距的基准值。因此，管理部63按不同的各头而至少设定了一个通常记录区域CR。管理部63将第21号的分区作为第0(零)号的头15的通常记录区域CR，将第21号的分区作为第1号的头15的通常记录区域CR，将第22号的分区作为第1号的头15的通常记录区域CR，将第23号的分区作为第2号的头15的通常记录区域CR，将第22号的分区作为第Max号的头15的通常记录区域CR而记录于表TB。管理部63将数据区域10a的通常记录区域CR以外的区域设定为瓦记录区域SR。
写控制部65对由管理部63设定的盘10的通常记录区域CR，以通常的记录方式按在管理部63设定的轨道间距对轨道进行写入，对由管理部63设定的盘10的瓦记录区域SR，以瓦记录方式对轨道进行写入。
图13是表示实施方式涉及的对象轨道与相邻轨道之间的轨道间距的设定方法的流程图。
系统控制器130在盘10的预定位置向对象轨道进行写入(B1301)，测定对象轨道的初始错误率(B1302)。系统控制器130从对象轨道以当前的外侧的轨道间距对外侧的相邻轨道进行写入(B1303)，再次测定对象轨道的错误率(B1304)。系统控制器130判定错误率是为外侧的阈值以上、还是比外侧的阈值小(B1305)。在判定为错误率为外侧的阈值以上的情况下(B1305的“否”)，系统控制器130从当前的外侧的轨道间距变更为接下来的外侧的轨道间距(B1306)，进入B1301的处理。例如，系统控制器130变更为从当前的外侧的轨道间距减去了第1预定值而得到的接下来的外侧的轨道间距。另外，例如系统控制器130也可以变更为在当前的外侧的轨道间距加上第1预定值而得到的接下来的外侧的轨道间距。第1预定值既可以是固定值，也可以是变量。在判定为错误率小于外侧的阈值的情况下(B1305的“是”)，系统控制器130将当前的外侧的轨道间距设定为对象轨道与外侧的相邻轨道之间的外侧的轨道间距(B1307)。
系统控制器130在盘10的预定位置向对象轨道进行写入(B1308)，测定对象轨道的初始错误率(B1309)。系统控制器130从对象轨道以当前的内侧的轨道间距向内侧的相邻轨道进行写入(B1310)，再次测定对象轨道的错误率(B1311)。系统控制器130判定错误率是为内侧的阈值以上、还是比内侧的阈值小(B1312)。在判定为错误率为内侧的阈值以上的情况下(B1312的“否”)，系统控制器130从当前的内侧的轨道间距变更为接下来的内侧的轨道间距(B1313)，进入B1308的处理。例如，系统控制器130变更为从当前的内侧的轨道间距减去第2预定值而得到的接下来的内侧的轨道间距。另外，例如系统控制器130也可以变更为在当前的内侧的轨道间距加上第2预定值而得到的内侧的轨道间距。第2预定值既可以与第1预定值相同，也可以是不同的值。另外，第2预定值既可以是固定值，也可以是变量。在判定为错误率比内侧的阈值小的情况下(B1312的“是”)，系统控制器130将当前的内侧的轨道间距设定为对象轨道与内侧的相邻轨道之间的内侧的轨道间距(B1314)，进入A。
图14是表示实施方式涉及的通常记录区域和瓦记录区域的设定方法的流程图。
从图13的A开始，系统控制器130对外侧的轨道间距与内侧的轨道间距进行比较(B1401)，算出外侧的轨道间距与内侧的轨道间距的差值(B1402)。系统控制器130判定差值是为基准值以下、还是比基准值大(B1403)。在此，基准值是差值的阈值，图13所示的阈值(外侧的阈值及内侧的阈值)是不同的值。在判定为差值比基准值大的情况下(B1403的“否”)，系统控制器130将向对象轨道进行写入的区域作为瓦记录区域SR而记录于系统区10b或者非易失性存储器90等(B1404)，结束处理。此外，系统控制器130也可以将包含对象轨道的分区作为瓦记录区域SR而记录于系统区10b或者非易失性存储器90等。
在判定为差值为基准值以下的情况下(B1403的“是”)，系统控制器130将向对象轨道进行写入到区域作为通常记录区域CR而记录于系统区10b或者非易失性存储器90等(B1405)。此外，系统控制器130也可以将包含对象轨道的分区作为通常记录区域CR而记录于系统区10b或者非易失性存储器90等。系统控制器130对差值是为0(零)、还是不为0进行判定(B1406)。在判定为差值为0(零)的情况下(B1406的“是”)，系统控制器130将外侧的轨道间距或者内侧的轨道间距设定为对象轨道与外侧及内侧的相邻轨道之间的轨道间距(B1407)，结束处理。在判定为差值不为0(零)的情况下(B1406的“否”)，系统控制器130将外侧的轨道间距及内侧的轨道间距中的小的一方设定为对象轨道与外侧及内侧的相邻轨道之间的轨道间距(B1408)，结束处理。
根据本实施方式，磁盘装置1基于向对象轨道的外侧的相邻轨道进行了写入时的边缘现象来设定对象轨道与外侧的相邻轨道之间的轨道间距，基于向对象轨道的内侧的相邻轨道进行了写入时的边缘现象来设定对象轨道与内侧的相邻轨道之间的内侧的轨道间距。磁盘装置1对外侧的轨道间距与内侧的轨道间距进行比较，算出外侧的轨道间距与内侧的轨道间距的差值。磁盘装置1判定差值是为基准值以下、还是比基准值大。磁盘装置1在差值为基准值以下的情况下，将向对象轨道进行写入的区域作为通常记录区域CR而记录于系统区10b或者非易失性存储器90。磁盘装置1在外侧的轨道间距与内侧的轨道间距不同的情况下，将外侧的轨道间距与内侧的轨道间距中的小的一方设定为对象轨道与外侧及内侧的轨道之间的轨道间距。另外，磁盘装置1在差值比基准值大的情况下，将向对象轨道进行写入的区域作为瓦记录区域SR而记录于系统区10b或者非易失性存储器90。因此，能提供能够高效地写入数据的磁盘装置。
以上对几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，并不意在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他的各种方式来实施，在不脱离发明的主旨的范围内能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形均包含在发明的范围及主旨内，并且，包含在权利要求书记载的发明及其等同的范围内。

Claims (7)

1.一种磁盘装置，具备：
盘；
向所述盘写入数据的头；以及
控制器，其基于对从所述盘的第1轨道向所述盘的半径方向的第1方向离开了的第2轨道进行写入时的边缘现象，设定所述第1轨道与所述第2轨道之间的第1轨道间距，基于对从所述第1轨道向与所述第1方向相反的第2方向离开了的第3轨道进行写入时的边缘现象，设定所述第1轨道与所述第3轨道之间的第2轨道间距，算出所述第1轨道间距与所述第2轨道间距的差值，在所述差值为基准值以下的情况下，将对所述第1轨道进行写入的区域设定为在从相邻的轨道离开了的位置对轨道进行写入的第1记录区域，在所述差值比所述基准值大的情况下，将对所述第1轨道进行写入的区域设定为将轨道的一部分与相邻的轨道重叠地进行写入的第2记录区域。
2.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器对所述第1轨道间距与所述第2轨道间距是相同、还是不同进行判定，在判定为所述第1轨道间距与所述第2轨道间距不同的情况下，将所述第1轨道间距和所述第2轨道间距中小的一方设定为所述第1轨道与所述第2轨道及所述第3轨道之间的轨道间距。
3.根据权利要求1或者2所述的磁盘装置，
所述控制器，
通过所述头，对所述第1轨道进行写入，在从所述第1轨道向所述第1方向以第3轨道间距离开了的位置对所述第2轨道进行写入，在对所述第2轨道进行了写入之后测定所述第1轨道的第1错误率，在所述第1错误率为第1阈值以上的情况下，再次对所述第1轨道进行写入，在以比所述第3轨道间距小的第4轨道间距向所述第1方向离开了的位置对所述第2轨道进行写入，再次测定所述第1错误率，
通过所述头，对所述第1轨道进行写入，在从所述第1轨道向所述第2方向以第5轨道间距离开了的位置对所述第3轨道进行写入，在对所述第3轨道进行了写入之后测定所述第1轨道的第2错误率，在所述第2错误率为第2阈值以上的情况下，再次对所述第1轨道进行写入，在以比所述第5轨道间距小的第6轨道间距向所述第2方向离开了的位置对所述第3轨道进行写入，再次测定所述第2错误率。
4.根据权利要求3所述的磁盘装置，
所述控制器，
在从所述第1轨道向所述第1方向以所述第4轨道间距离开了的位置对所述第2轨道进行了写入之后测定所述第1错误率，在所述第1错误率比所述第1阈值小的情况下，将所述第4轨道间距设定为所述第1轨道间距，
再次对所述第1轨道进行写入，在从所述第1轨道向所述第2方向以第6轨道间距离开了的位置对所述第3轨道进行了写入之后测定所述第2错误率，在所述第2错误率比所述第2阈值小的情况下，将所述第6轨道间距设定为所述第2轨道间距。
5.一种磁盘装置，具备：
盘；
向所述盘写入数据的头；
非易失性存储器；以及
控制器，其对于所述盘的多个轨道，分别设定基于对在所述盘的半径方向的第1方向上离开了的相邻的轨道进行了写入时的边缘现象设定的第1轨道间距、和基于对在与所述第1方向相反的第2方向上离开了的相邻的轨道进行了写入时的边缘现象设定的第2轨道间距，将从对所述第1轨道间距与所述第2轨道间距的差值为基准值以下的所述多个轨道中的第1轨道进行写入的区域到对第2轨道进行写入的区域为止的第1区域作为在从相邻的轨道离开了的位置对轨道进行写入的第1记录区域而记录于所述非易失性存储器，将所述第1记录区域以外的所述盘的区域作为将轨道的一部分与相邻的轨道重叠地进行写入的第2记录区域而记录于所述非易失性存储器。
6.根据权利要求5所述的磁盘装置，
所述控制器，将从对所述差值为基准值以下的所述多个轨道中的第3轨道进行写入的区域到对第4轨道进行写入的区域为止的第2区域，作为所述第1记录区域，而记录于所述非易失性存储器。
7.一种记录区域的设定方法，是在具备盘和向所述盘写入数据的头的磁盘装置中应用的记录区域的设定方法，包括：
基于对从所述盘的第1轨道向所述盘的半径方向的第1方向离开了的第2轨道进行写入时的边缘现象，设定所述第1轨道与所述第2轨道之间的第1轨道间距，
基于对从所述第1轨道向与所述第1方向相反的第2方向离开了的第3轨道进行写入时的边缘现象，设定所述第1轨道与所述第3轨道之间的第2轨道间距，
算出所述第1轨道间距与所述第2轨道间距的差值，在所述差值为基准值以下的情况下，将对所述第1轨道进行写入的区域设定为在从相邻的轨道离开了的位置对轨道进行写入的第1记录区域，
在所述差值比所述基准值大的情况下，将对所述第1轨道进行写入的区域设定为将轨道的一部分与相邻的轨道重叠地进行写入的第2记录区域。
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