JP7170603B2 - 磁気ディスク装置及びライト処理方法 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、磁気ディスク装置及びライト処理方法に関する。

近年、高記録密度を実現する技術を有する磁気ディスク装置が開発されている。高記録密度を実現する磁気ディスク装置として、ディスクの半径方向に複数のトラックを重ね書きする瓦記録型式（Shingled write Magnetic Recording：ＳＭＲ、又はShingled Write Recording：ＳＷＲ）の磁気ディスク装置がある。また、ディスクの半径方向に間隔に置いて複数のトラックをライトする通常記録型式と瓦記録型式とを選択して実行可能な磁気ディスク装置もある。

米国特許第８９２２９３６号明細書 米国特許第９１１１５７８号明細書 米国特許第１００９００１６号明細書

本発明の実施形態が解決しようとする課題は、記録密度を向上することが可能な磁気ディスク装置及びライト処理方法を提供することである。

本実施形態に係る磁気ディスク装置は、ディスクと、前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、前記ディスクの半径方向に区分された第１領域において、第１線記録密度で前記半径方向に間隔を置いて複数のトラックをライトする通常記録処理と前記第１領域において第１線記録密度以下の第２線記録密度で前記半径方向に複数のトラックを重ね書きする瓦記録処理との内の少なくとも一方を実行する、コントローラと、を備え、前記コントローラは、前記第１領域において、前記第２線記録密度と前記第２線記録密度との積が最大となるトラック密度とで前記瓦記録処理を実行する。

図１は、第１実施形態に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。 図２は、第１実施形態に係るディスクに対するヘッドの配置の一例を示す模式図である。 図３は、通常記録処理の一例を示す模式図である。 図４は、瓦記録処理の一例を示す模式図である。 図５は、所定の半径領域毎のＢＰＩに対するＴＰＩの変化の一例を示す図である。 図６は、所定の半径領域毎のＢＰＩに対するＡＤＣの変化の一例を示す図である。 図７は、瓦記録した場合の最大ＡＤＣ及び通常記録した場合の最大ＡＤＣの差分値に対する通常記録した場合の最大ＡＤＣの比率に対するＡＤＣを測定したヘッドの本数の関係の一例を示す図である。 図８は、瓦記録した場合の最大ＡＤＣに対する通常記録した場合の最大ＡＤＣの比率の面積平均値に対するＡＤＣを測定したヘッドの本数の関係の一例を示す図である。 図９は、所定の半径領域におけるＴＰＩに対するＢＥＲの変化の一例を示す図である。 図１０は、第１実施形態に係るライト処理の一例を示すフローチャートである。 図１１は、変形例１に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。 図１２は、変形例１に係るライト処理の一例を示すフローチャートである。 図１３は、変形例２に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。 図１４は、変形例２に係るライト処理の一例を示すフローチャートである。

以下、実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図面は、一例であって、発明の範囲を限定するものではない。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る磁気ディスク装置１の構成を示すブロック図である。
磁気ディスク装置１は、後述するヘッドディスクアセンブリ（ＨＤＡ）と、ドライバＩＣ２０と、ヘッドアンプ集積回路（以下、ヘッドアンプＩＣ、又はプリアンプ）３０と、揮発性メモリ７０と、不揮発性メモリ８０と、バッファメモリ（バッファ）９０と、１チップの集積回路であるシステムコントローラ１３０とを備える。また、磁気ディスク装置１は、ホストシステム（以下、単に、ホストと称する）１００と接続される。

ＨＤＡは、磁気ディスク（以下、ディスクと称する）１０と、スピンドルモータ（以下、ＳＰＭと称する）１２と、ヘッド１５を搭載しているアーム１３と、ボイスコイルモータ（以下、ＶＣＭと称する）１４とを有する。ディスク１０は、ＳＰＭ１２に取り付けられ、ＳＰＭ１２の駆動により回転する。アーム１３及びＶＣＭ１４は、アクチュエータを構成している。アクチュエータは、ＶＣＭ１４の駆動により、アーム１３に搭載されているヘッド１５をディスク１０の所定の位置まで移動制御する。ディスク１０およびヘッド１５は、２つ以上の数が設けられてもよい。

ディスク１０は、そのデータをライト可能な領域に、ユーザから利用可能なユーザデータ領域１０ａと、システム管理に必要な情報をライトするシステムエリア１０ｂとが割り当てられている。以下、ディスク１０の半径方向に直交する方向を円周方向と称する。円周方向は、ディスク１０の円周に沿った方向に相当する。半径方向において、ディスク１０の外周に向かう方向を外方向（外側）と称し、外方向と反対方向を内方向（内側）と称する。また、ディスク１０の半径方向の所定の位置を半径位置と称し、ディスク１０の円周方向の所定の位置を円周位置と称する場合もある。半径位置及び円周位置をまとめて単に位置と称する場合もある。ディスク１０は、半径方向に複数のトラックがライトされ得る。ディスク１０は、半径方向の所定の範囲毎に複数の領域（以下、ゾーンと称する場合もある）に区分されている。ゾーンは、複数のトラックを含む。トラックは、複数のセクタを含む。また、ディスク１０を半径方向に区分した領域を半径領域と称する場合もある。半径領域は、例えば、ゾーン、トラック、及びセクタ等を含む。なお、“トラック”は、ディスク１０の半径方向に区分した複数の領域の内の１つの領域、ディスク１０の円周方向に延長するデータ、トラックにライトされたデータや、その他の種々の意味で用いる。“セクタ”は、トラックを円周方向に区分した複数の領域の内の１つの領域、ディスク１０の所定の位置にライトされたデータ、セクタにライトされたデータや、その他の種々の意味で用いる。“ディスク１０にライトしたトラック”を“ライトトラック”と称し、“ディスク１０からリードするトラック”を“リードトラック”と称する場合もある。“ライトトラック”を単に“トラック”と称する場合もあるし、“リードトラック”を単に“トラック”と称す場合もあるし、“ライトトラック”及び“リードトラック”をまとめて“トラック”と称する場合もある。“トラックの半径方向の幅”を“トラック幅”と称する場合もある。“ライトトラックの半径方向の幅”を“ライトトラック幅”と称し、“リードトラックの半径方向の幅”を“リードトラック幅”と称する場合もある。“ライトトラック幅及びリードトラック幅”をまとめて単に“トラック幅”と称する場合もある。“トラックのトラック幅の中心位置を通る経路”を“トラックセンタ”と称する。“ライトトラックのライトトラック幅の中心位置を通る経路”を“ライトトラックセンタ”と称し、“リードトラックのリードトラック幅の中心位置を通る経路”を“リードトラックセンタ”と称する場合もある。“ライトトラックセンタ及びリードトラックセンタ”をまとめて単に“トラックセンタ”と称する場合もある。

ヘッド１５は、スライダを本体として、当該スライダに実装されているライトヘッド１５Ｗとリードヘッド１５Ｒとを備える。ライトヘッド１５Ｗは、ディスク１０にデータをライトする。リードヘッド１５Ｒは、ディスク１０にライトされたデータをリードする。なお、“ライトヘッド１５Ｗ”を単に“ヘッド１５”と称する場合もあるし、“リードヘッド１５Ｒ”を単に“ヘッド１５”と称する場合もあるし、“ライトヘッド１５Ｗ及びリードヘッド１５Ｒ”をまとめて“ヘッド１５”と称する場合もある。“ヘッド１５の中心部”を“ヘッド１５”と称し、“ライトヘッド１５Ｗの中心部”を“ライトヘッド１５Ｗ”と称し、“リードヘッド１５Ｒの中心部”を“リードヘッド１５Ｒ”と称する場合もある。“ライトヘッド１５Ｗの中心部”を単に“ヘッド１５”と称する場合もあるし、“リードヘッド１５Ｒの中心部”を単に“ヘッド１５”と称する場合もある。“ヘッド１５の中心部を所定のトラックのトラックセンタに位置決めする”ことを“ヘッド１５を所定のトラックに位置決めする”、“ヘッド１５を所定のトラックに配置する”、又は“ヘッド１５を所定のトラックに位置する”等で表現する場合もある。

図２は、本実施形態に係るディスク１０に対するヘッド１５の配置の一例を示す模式図である。図２に示すように、円周方向において、ディスク１０の回転する方向を回転方向と称する。なお、図２に示した例では、回転方向は、反時計回りで示しているが、逆向き（時計回り）であってもよい。図２において、ユーザデータ領域１０ａは、内方向に位置する内周領域ＩＲと、外方向に位置する外周領域ＯＲと、内周領域ＩＲと外周領域ＯＲとの間に位置する中周領域ＭＲとに区分されている。図２には、半径位置ＲＰｅを示している。半径位置ＲＰｅは、中周領域ＭＲに含まれている。なお、半径位置ＲＰｅは、内周領域ＩＲに含まれていてもよいし、外周領域ＯＲに含まれていてもよい。図２には、トラックセンタＴＲＣｅを示している。トラックセンタＴＲＣｅは、例えば、ディスク１０と同心円状に位置している。例えば、トラックセンタＴＲＣｅは、真円状に位置している。なお、トラックセンタＴＲＣｅは、円状に位置していなくてもよく、半径方向に変動しながら円周方向に延出する波状に位置していてもよい。図２において、半径位置ＲＰｅは、トラックセンタＴＲＣｅに相当する。
図２に示した例では、ヘッド１５は、半径位置ＲＰｅに位置決めされ、トラックセンタＴＲＣｅに沿って所定のトラックにデータをライトする、又はトラックセンタＴＲＣｅに沿って所定のトラックにライトされたデータをリードする。

ドライバＩＣ２０は、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するＭＰＵ６０）の制御に従って、ＳＰＭ１２およびＶＣＭ１４の駆動を制御する。
ヘッドアンプＩＣ（プリアンプ）３０は、リードアンプ及びライトドライバ等を備えている。リードアンプは、ディスク１０からリードしたリード信号を増幅して、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するリード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル５０）に出力する。ライトドライバは、Ｒ／Ｗチャネル５０から出力される信号に応じたライト電流をヘッド１５に出力する。

揮発性メモリ７０は、電力供給が断たれると保存しているデータが失われる半導体メモリである。揮発性メモリ７０は、磁気ディスク装置１の各部での処理に必要なデータ等を格納する。揮発性メモリ７０は、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、又はＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）である。

不揮発性メモリ８０は、電力供給が断たれても保存しているデータを記録する半導体メモリである。不揮発性メモリ８０は、例えば、ＮＯＲ型またはＮＡＮＤ型のフラッシュＲＯＭ（Flash Read Only Memory :ＦＲＯＭ）である。

バッファメモリ９０は、磁気ディスク装置１とホスト１００との間で送受信されるデータ等を一時的に記録する半導体メモリである。なお、バッファメモリ９０は、揮発性メモリ７０と一体に構成されていてもよい。バッファメモリ９０は、例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、ＳＤＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric Random Access memory）、又はＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）等である。

システムコントローラ（コントローラ）１３０は、例えば、複数の素子が単一チップに集積されたSystem-on-a-Chip(ＳｏＣ)と称される大規模集積回路（ＬＳＩ）を用いて実現される。システムコントローラ１３０は、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）４０と、リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル５０と、マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）６０と、を含む。ＨＤＣ４０、Ｒ／Ｗチャネル５０、及びＭＰＵ６０は、それぞれ、互いに電気的に接続されている。システムコントローラ１３０は、例えば、ドライバＩＣ２０、ヘッドアンプＩＣ６０、揮発性メモリ７０、不揮発性メモリ８０、バッファメモリ９０、及びホストシステム１００等に電気的に接続されている。

ＨＤＣ４０は、後述するＭＰＵ６０からの指示に応じて、ホスト１００とＲ／Ｗチャネル５０との間のデータ転送を制御する。ＨＤＣ４０は、例えば、揮発性メモリ７０、不揮発性メモリ８０、及びバッファメモリ９０等に電気的に接続されている。
Ｒ／Ｗチャネル５０は、ＭＰＵ６０からの指示に応じて、リードデータ及びライトデータの信号処理を実行する。Ｒ／Ｗチャネル５０は、ライトデータを変調する回路、又は機能を有している。また、Ｒ／Ｗチャネル５０は、リードデータの信号品質を測定する回路、又は機能を有している。Ｒ／Ｗチャネル５０は、例えば、ヘッドアンプＩＣ３０等に電気的に接続されている。

ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部を制御するメインコントローラである。ＭＰＵ６０は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５の位置決めを実行する。ＭＰＵ６０は、ディスク１０へのデータのライト動作を制御すると共に、ホスト１００から転送されるライトデータの保存先を選択する。また、ＭＰＵ６０は、ディスク１０からのデータのリード動作を制御すると共に、ディスク１０からホスト１００に転送されるリードデータの処理を制御する。ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部に接続されている。ＭＰＵ６０は、例えば、ドライバＩＣ２０、ＨＤＣ４０、及びＲ／Ｗチャネル５０等に電気的に接続されている。

ＭＰＵ６０は、リード／ライト制御部６１０、及び記録密度制御部６２０を備えている。ＭＰＵ６０は、各部、例えば、リード／ライト制御部６１０、及び記録密度制御部６２０等の処理をファームウェア上で実行する。なお、ＭＰＵ６０は、各部、例えば、リード／ライト制御部６１０、及び記録密度制御部６２０等を回路として備えていてもよい。
リード／ライト制御部６１０は、ホスト１００からのコマンド等に従って、データのリード処理及びライト処理を制御する。リード／ライト制御部６１０は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５をディスク１０上の所定の半径位置に位置決めし、リード処理又はライト処理を実行する。

例えば、リード／ライト制御部６１０は、所定のトラックから半径方向に所定の間隔（ギャップ）を空けてこの所定のトラックの半径方向に隣接する他のトラック（以下、隣接トラックと称する場合もある）にデータをライトする通常記録（Conventional Magnetic Recording:ＣＭＲ）型式でライト処理を実行する。ここで、“隣接”とは、データ、物体、領域、及び空間等が接して並んでいることはもちろん、所定の間隔を置いて並んでいることも含む。”隣接トラック”は、“所定のトラックの外方向に隣接するトラック”、“所定のトラックの内方向に隣接トラック”、及び“所定のトラックの外方向及び内方向に隣接する複数のトラック”を含む。以下、“通常記録型式でデータをライトする“ことを”通常記録する“、”通常記録処理を実行する“、又は単に”ライトする“と称する場合もある。また、リード／ライト制御部６１０は、所定のトラックの（以下、前のトラックと称する場合もある）半径方向の一部に次にライトするトラック（以下、次のトラックと称する場合もある）を重ね書きする瓦記録（Shingled write Magnetic Recording：ＳＭＲ、又はShingled Write Recording：ＳＷＲ）型式でライト処理を実行する。以下、”瓦記録型式でデータをライトする“ことを”瓦記録する“、又は”瓦記録処理を実行する“と称する場合もある。リード／ライト制御部６１０は、ホスト１００からのコマンド等に従って、通常記録処理を実行する、又は瓦記録処理を実行する。言い換えると、リード／ライト制御部６１０は、ホスト１００からのコマンド等に従って、通常記録処理及び瓦記録処理を選択的に実行する。なお、リード／ライト制御部６１０は、通常記録処理のみを実行するように構成されていてもよいし、瓦記録処理をのみを実行するように構成されていてもよい。

図３は、通常記録処理の一例を示す模式図である。図３には、トラックＴＲ１、ＴＲ２、及びＴＲ３を示している。図３には、トラックＴＲ１のトラックセンタＴＲＣ１、トラックＴＲ２のトラックセンタＴＲＣ２、及びトラックＴＲ２のトラックセンタＴＲＣ３を示している。通常記録において、トラックＴＲ１及びＴＲ２のトラックピッチＴＲＰ１は、トラックセンタＴＲＣ１及びＴＲＣ２の距離に相当し、トラックＴＲ２及びＴＲ３のトラックピッチＴＲＰ２は、トラックセンタＴＲＣ２及びＴＲＣ３の距離に相当する。トラックＴＲ１及びトラックＴＲ２は、ギャップＧＰ１で離間している。トラックＴＲ２及びトラックＴＲ３は、ギャップＧＰ２で離間している。図３では、説明の便宜上、各トラックを所定のトラック幅で円周方向に延出している直線の帯状で示しているが、実際には、円周方向に沿って湾曲している。また、各トラックは、半径方向に変動しながら円周方向に延出している波状であってもよい。

図３に示した例では、リード／ライト制御部６１０は、ディスク１０の所定の領域、例えば、ユーザデータ領域１０ａにおいて、トラックセンタＴＲＣ１にヘッド１５を位置決めしてトラックＴＲ１又はトラックＴＲ１の所定のセクタを通常記録する。リード／ライト制御部６１０は、ユーザデータ領域１０ａにおいて、トラックＴＲ１のトラックセンタＴＲＣ１から外方向にトラックピッチＴＲＰ１で離間しているトラックセンタＴＲＣ２にヘッド１５を位置決めしてトラックＴＲ２又はトラックＴＲ２の所定のセクタを通常記録する。リード／ライト制御部６１０は、ユーザデータ領域１０ａにおいて、トラックＴＲ２のトラックセンタＴＲＣ２から外方向にトラックピッチＴＲＰ２で離間しているトラックセンタＴＲＣ３にヘッド１５を位置決めしてトラックＴＲ３又はトラックＴＲ３の所定のセクタを通常記録する。リード／ライト制御部６１０は、ディスク１０の所定の領域、例えば、ユーザデータ領域１０ａにおいて、トラックＴＲ１、ＴＲ２、及びＴＲ３をシーケンシャルに通常記録してもよいし、トラックＴＲ１の所定のセクタ、トラックＴＲ２の所定のセクタ、及びトラックＴＲ３の所定のセクタにランダムに通常記録してもよい。

図４は、瓦記録処理の一例を示す模式図である。図４には、半径方向において一方向に連続的に重ね書きされた複数のトラック（トラック群又はバンド）を含むバンド領域ＢＡを示している。瓦記録では、ライトされたトラックをライトトラックと称し、所定のライトトラックにおいて次のライトトラックを重ね書きした領域を除いた残りの領域をリードトラックと称する。図４では、説明の便宜上、各トラックを所定のトラック幅で円周方向に延出している直線の帯状で示しているが、実際には、円周方向に沿って湾曲している。また、各トラックは、半径方向に変動しながら円周方向に延出している波状であってもよい。

図４には、ライトトラックＷｔ１、Ｗｔ２、及びＷｔ３を示している。ライトトラックＷｔ１は、トラックエッジｉｇ１１及びトラックエッジｉｇ１２を有している。図示した例では、トラックエッジｉｇ１１は、ライトトラックＷｔ１の内方向の端部であり、トラックエッジｉｇ１２は、ライトトラックＷｔ２の外方向の端部である。ライトトラックセンタＷＴＣ１は、トラックエッジｉｇ１１及びｉｇ１２の間の中心に相当する。ライトトラックＷｔ２は、トラックエッジｉｇ２１及びトラックエッジｉｇ２２を有している。図示した例では、トラックエッジｉｇ２１は、ライトトラックＷｔ１の内方向の端部であり、トラックエッジｉｇ２２は、ライトトラックＷｔ２の外方向の端部である。ライトトラックセンタＷＴＣ２は、トラックエッジｉｇ２１及びｉｇ２２の間の中心に相当する。ライトトラックピッチＷＴＰ１は、ライトトラックセンタＷＴＣ１及びＷＴＣ２の半径方向の距離に相当する。ライトトラックＷｔ３は、トラックエッジｉｇ３１及びトラックエッジｉｇ３２を有している。図示した例では、トラックエッジｉｇ３１は、ライトトラックＷｔ１の内方向の端部であり、トラックエッジｉｇ３２は、ライトトラックＷｔ２の外方向の端部である。ライトトラックセンタＷＴＣ３は、トラックエッジｉｇ３１及びｉｇ３２の間の中心に相当する。ライトトラックピッチＷＴＰ２は、ライトトラックセンタＷＴＣ２及びＷＴＣ３の半径方向の距離に相当する。

図４には、トラックエッジｉｇ１１からトラックエッジｉｇ２１までの半径方向の幅であるリードトラック幅Ｒｔｗ１１、及びトラックエッジｉｇ２１からトラックエッジｉｇ３１までの半径方向の幅であるリードトラック幅Ｒｔｗ２１を示している。瓦記録において、リードトラック幅Ｒｔｗ１１は、リードトラックＲｔ１及びリードトラックＲｔ２のトラックピッチに相当し、リードトラック幅Ｒｔｗ２１は、リードトラックＲｔ２及びリードトラックＲｔ３のトラックピッチに相当する。また、リードトラック幅Ｒｔｗ１１は、トラックピッチＷＴＰ１に相当し、リードトラック幅Ｒｔｗ２１は、トラックピッチＷＴＰ２に相当する。以下、リードトラック幅Ｒｔｗ１１をトラックピッチＲｔｗ１１と称し、リードトラック幅Ｒｔｗ２１をトラックピッチＲｔｗ２１と称する場合もある。なお、図４において、バンド領域ＢＡは、３つのトラックを含むように記載したが、３つ未満、又は３つよりも多くのトラックを含んでいてもよい。

図４に示した例では、リード／ライト制御部６１０は、ディスク１０の所定の領域、例えば、ユーザデータ領域１０ａのバンド領域ＢＡにおいて、ライトトラックＷｔ１をライトし、ライトトラックＷｔ１の外方向にトラックピッチＲｔｗ１１（ライトトラックピッチＷＴＰ１）でライトトラックＷｔ２を重ね書きし、ライトトラックＷｔ２の外方向にトラックピッチＲｔｗ２１（ライトトラックピッチＷＴＰ２）でライトトラックＷｔ３を重ね書きする。リード／ライト制御部６１０は、ディスク１０の所定の領域、例えば、ユーザデータ領域１０ａのバンド領域ＢＡにおいて、ライトトラックＷｔ１、Ｗｔ２、及びＷｔ３をシーケンシャルに瓦記録する。なお、リード／ライト制御部６１０は、バンド領域ＢＡの半径方向にバンド領域ＢＡと異なる他のバンド領域をライトする場合には、バンド領域ＢＡから半径方向に所定のギャップを空けて他のバンド領域をライトする。

記録密度制御部６２０は、ディスク１０にライトするデータの記録密度を制御する。例えば、記録密度制御部６２０は、ディスク１０にデータをライトする際のＴＰＩ（Tracks per inch）及びＢＰＩ（Bits per inch）を制御する。例えば、記録密度制御部６２０は、ヘッド１５にヘッドアンプＩＣ３０を介して印加する記録電流やon-trackのエラーレート等に基づいてＢＰＩを制御する。記録密度制御部６２０は、磁気ディスク装置１の各部、例えば、リード／ライト制御部６１０、ドライバＩＣ２０、ヘッドアンプＩＣ３０、ＨＤＣ４０、及びＲ／Ｗチャネル５０等を介して、ＴＰＩ及びＢＰＩを制御してディスク１０の所定の半径領域にデータをライトする。ＴＰＩは、半径方向の１インチ当たりに存在するトラック数（トラック密度、又は半径方向の記録密度）を示している。ＢＰＩは、円周方向の１インチ当たりのビット数（線記録密度、又は円周方向の記録密度）を示している。以下、“ＴＰＩ”、“トラック密度”、及び“半径方向の記録密度”を単に“記録密度”と称する場合もあるし、“ＢＰＩ”、“線記録密度”、及び“円周方向の記録密度”を単に“記録密度”と称する場合もあるし、“ＴＰＩ及びＢＰＩ”をまとめて“記録密度”と称する場合もあるし、後述する“ＴＰＩ及びＢＰＩの積に相当するＡＤＣ（areal density capability）”を“記録密度”と称する場合もあるし、他の種々の意味で“記録密度”と称する場合もある。

記録密度制御部６２０は、記録型式（通常記録及び瓦記録）に応じて記録密度、例えば、ＢＰＩ及びＴＰＩを制御する。例えば、記録密度制御部６２０は、隣接トラックをライトする際のヘッド１５からの磁束漏れ（Adjacent Track Interference:ATI）等による影響に応じて、所定の半径領域に通常記録するデータ又はトラック等の記録密度、例えば、ＢＰＩ及びＴＰＩを制御する。言い換えると、記録密度制御部６２０は、隣接トラックをライトする際のヘッド１５からのＡＴＩ等による影響に応じてＢＰＩ及びＴＰＩを制御して所定の半径領域にデータ又はトラック等を通常記録する。記録密度制御部６２０は、瓦記録では、前のトラックに次のトラックを重ね書きする際のヘッド１５のＡＴＩ等による影響に応じて、瓦記録するデータ又はトラック等の記録密度、例えば、ＢＰＩ及びＴＰＩを制御する。言い換えると、記録密度制御部６２０は、前のトラックに次のトラックを重ね書きする際のヘッド１５のＡＴＩ等による影響に応じてＢＰＩ及びＴＰＩを制御して所定の半径領域にデータ又はトラック等を瓦記録する。

図５は、所定の半径領域毎のＢＰＩに対するＴＰＩの変化の一例を示す図である。図５は、各半径領域において各ＢＰＩでリード可能なデータをライトできる各最大のＴＰＩ（以下、最大ＴＰＩと称する場合もある）を示している。言い換えると、図５は、所定の半径領域毎の各ＢＰＩに対する各最大ＴＰＩの依存性を示している。以下、“最大ＴＰＩ”を単に“ＴＰＩ”と称する場合もある。図５において、縦軸は、ＴＰＩを示し、横軸は、ＢＰＩを示している。図５の縦軸において、ＴＰＩは、大の矢印の先端の方向に進むに従って大きくなり、小の矢印の先端の方向に進むに従って小さくなる。図５の横軸において、ＢＰＩは、大の矢印の先端の方向に進むに従って大きくなり、小の矢印の先端の方向に進むに従って小さくなる。図５の横軸は、外周領域ＯＲのゾーンＺｎＯに対応する半径領域ＯＺＲと、中周領域ＭＲのゾーンＺｎＭに対応する半径領域ＭＺＲと、内周領域ＩＲのゾーンＺｎＩに対応する半径領域ＩＺＲとに区分されている。図５の半径領域ＯＺＲには、複数の異なるヘッド１５で半径領域ＯＺＲに瓦記録した場合のＢＰＩに対する最大ＴＰＩの変化群（以下、最大ＴＰＩの変化群と称する場合もある）ＯＳＴと、複数の異なるヘッド１５で半径領域ＯＺＲに通常記録した場合のＢＰＩに対する最大ＴＰＩの変化群ＯＣＴとを示している。図５の半径領域ＭＺＲには、複数の異なるヘッド１５で半径領域ＭＺＲに瓦記録した場合のＢＰＩに対する最大ＴＰＩの変化群ＭＳＴと、複数の異なるヘッド１５で半径領域ＭＺＲに通常記録した場合のＢＰＩに対する最大ＴＰＩの変化群ＭＣＴとを示している。図５の半径領域ＩＺＲには、複数の異なるヘッド１５で半径領域ＩＺＲに瓦記録した場合のＢＰＩに対する最大ＴＰＩの変化群ＩＳＴと、複数の異なるヘッド１５で半径領域ＩＺＲに通常記録した場合のＢＰＩに対する最大ＴＰＩの変化群ＩＣＴとを示している。

図５に示した例では、半径領域ＯＺＲにデータをライトした際の変更可能（制御可能）なＢＰＩの範囲において、最大ＴＰＩの変化群ＯＳＴは、最大ＴＰＩの変化群ＯＣＴよりも大きい。最大ＴＰＩの変化群ＯＣＴは、ＢＰＩが大きくなるに従って小さくなっている。ここで、“変更可能（制御可能）なＢＰＩの範囲”とは、所定のエラーレート、例えば、ビットエラーレート（bit error rate：ＢＥＲ）の基準を満たすＢＰＩの範囲に相当する。また、最大ＴＰＩの変化群ＯＳＴは、ＢＰＩが大きくなるに従って小さくなっている。ＢＰＩの変化に対する最大ＴＰＩの変化群ＯＳＴの変化率は、ＢＰＩの変化に対する最大ＴＰＩの変化群ＯＣＴの変化率よりも大きい。そのため、最大ＴＰＩの変化群ＯＳＴは、ＢＰＩが小さい場合には、最大ＴＰＩの変化群ＯＣＴよりも大きいが、ＢＰＩが大きい場合には、最大ＴＰＩの変化群ＯＣＴに近い値になっている。

図５に示した例では、半径領域ＭＺＲにデータをライトした際の変更可能なＢＰＩの範囲において、最大ＴＰＩの変化群ＭＳＴは、最大ＴＰＩの変化群ＭＣＴよりも大きい。最大ＴＰＩの変化群ＭＣＴは、ＢＰＩが大きくなるに従って小さくなっている。また、最大ＴＰＩの変化群ＭＳＴは、ＢＰＩが大きくなるに従って小さくなっている。ＢＰＩの変化に対する最大ＴＰＩの変化群ＭＳＴの変化率は、ＢＰＩの変化に対する最大ＴＰＩの変化群ＭＣＴの変化率よりも大きい。そのため、最大ＴＰＩの変化群ＭＳＴは、ＢＰＩが小さい場合には、最大ＴＰＩの変化群ＭＣＴよりも大きいが、ＢＰＩが大きい場合には、最大ＴＰＩの変化群ＭＣＴに近い値になっている。

図５に示した例では、半径領域ＩＺＲにデータをライトした際の変更可能なＢＰＩの範囲において、最大ＴＰＩの変化群ＩＳＴは、最大ＴＰＩの変化群ＩＣＴよりも大きい。最大ＴＰＩの変化群ＩＣＴは、ＢＰＩが大きくなるに従って小さくなっている。また、最大ＴＰＩの変化群ＩＳＴは、ＢＰＩが大きくなるに従って小さくなっている。ＢＰＩの変化に対する最大ＴＰＩの変化群ＩＳＴの変化率は、ＢＰＩの変化に対する最大ＴＰＩの変化群ＩＣＴの変化率よりも大きい。そのため、最大ＴＰＩの変化群ＩＳＴは、ＢＰＩが小さい場合には、最大ＴＰＩの変化群ＩＣＴよりも大きいが、ＢＰＩが大きい場合には、最大ＴＰＩの変化群ＩＣＴに近い値になっている。

図６は、所定の半径領域毎のＢＰＩに対するＡＤＣの変化の一例を示す図である。図６は、例えば、図５に対応している。図６において、縦軸は、記録密度、例えば、ＢＰＩ及びＴＰＩの積に相当するＡＤＣを示し、横軸は、ＢＰＩを示している。例えば、図６の横軸のＢＰＩは、図５の横軸のＢＰＩに対応し、図６の縦軸のＡＤＣは、図５のＢＰＩとこのＢＰＩに対応する最大ＴＰＩとの積に相当する。図６の縦軸において、ＡＤＣは、大の矢印の先端の方向に進むに従って大きくなり、小の矢印の先端の方向に進むに従って小さくなる。図６の横軸において、ＢＰＩは、大の矢印の先端の方向に進むに従って大きくなり、小の矢印の先端の方向に進むに従って小さくなる。図６の横軸は、外周領域ＯＲのゾーンＺｎＯに対応する半径領域ＯＺＲと、中周領域ＭＲのゾーンＺｎＭに対応する半径領域ＭＺＲと、内周領域ＩＲに対応する半径領域ＩＺＲとに区分されている。図６の半径領域ＯＺＲの横軸には、ＢＰＩ ＯＢＶ１とＢＰＩ ＯＢＶ２とを示している。ＢＰＩ ＯＢＶ２は、ＢＰＩ ＯＢＶ１よりも大きい。例えば、ＢＰＩ ＯＢＶ２は、半径領域ＯＺＲにデータをライトする際に変更可能なＢＰＩの範囲内で最大値に相当する。図６の半径領域ＭＺＲの横軸には、ＢＰＩ ＭＢＶ１とＢＰＩ ＭＢＶ２とを示している。ＢＰＩ ＭＢＶ２は、ＢＰＩ ＭＢＶ１よりも大きい。例えば、ＢＰＩ ＭＢＶ２は、半径領域ＭＺＲにデータをライトする際に変更可能なＢＰＩの範囲内で最大値に相当する。図６の半径領域ＩＺＲの横軸には、ＢＰＩ ＩＢＶ１とＢＰＩ ＩＢＶ２とを示している。ＢＰＩ ＩＢＶ２は、ＢＰＩ ＩＢＶ１よりも大きい。例えば、ＢＰＩ ＩＢＶ２は、半径領域ＩＺＲにデータをライトする際に変更可能なＢＰＩの範囲内で最大値に相当する。図６の半径領域ＯＺＲには、複数の異なるヘッド１５で半径領域ＯＺＲに瓦記録した場合のＢＰＩに対するＡＤＣの変化群（以下、ＡＤＣの変化群と称する場合もある）ＯＳＡと、複数の異なるヘッド１５で半径領域ＯＺＲに通常記録した場合のＢＰＩに対するＡＤＣの変化群ＯＣＡと、を示している。図６のＡＤＣの変化群ＯＳＡには、ＢＰＩ ＯＢＶ１に対応するＡＤＣ群ＯＳＰ１と、ＢＰＩ ＯＢＶ２に対応するＡＤＣ群ＯＳＰ２とを示している。図６のＡＤＣの変化群ＯＳＡにおいて、ＡＤＣ群ＯＳＰ１は、極大値に相当する。図６のＡＤＣの変化群ＯＣＡには、ＢＰＩ ＯＢＶ１に対応するＡＤＣ群ＯＣＰ１と、ＢＰＩ ＯＢＶ２に対応するＡＤＣ群ＯＣＰ２とを示している。図６のＡＤＣの変化群ＯＣＡにおいて、ＡＤＣ群ＯＣＰ２は、最大値に相当する。図６の半径領域ＭＺＲには、複数の異なるヘッド１５で半径領域ＭＺＲに瓦記録した場合のＢＰＩに対するＡＤＣの変化群ＭＳＡと、複数の異なるヘッド１５で半径領域ＭＺＲに通常記録した場合のＢＰＩに対するＡＤＣの変化群ＭＣＡとを示している。図６のＡＤＣの変化群ＭＳＡには、ＢＰＩ ＭＢＶ１に対応するＡＤＣ群ＭＳＰ１と、ＢＰＩ ＭＢＶ２に対応するＡＤＣ群ＭＳＰ２とを示している。図６のＡＤＣの変化群ＭＳＡにおいて、ＡＤＣ群ＭＳＰ１は、極大値に相当する。図６のＡＤＣの変化群ＭＣＡには、ＢＰＩ ＭＢＶ１に対応するＡＤＣ群ＭＣＰ１と、ＢＰＩ ＭＢＶ２に対応するＡＤＣ群ＭＣＰ２とを示している。図６のＡＤＣの変化群ＭＣＡにおいて、ＡＤＣ群ＭＣＰ２は、最大値に相当する。図６の半径領域ＩＺＲには、複数の異なるヘッド１５で半径領域ＩＺＲに瓦記録した場合のＢＰＩに対するＡＤＣの変化群ＩＳＡと、複数の異なるヘッド１５で半径領域ＩＺＲに通常記録した場合のＢＰＩに対するＡＤＣの変化群ＩＣＡとを示している。図６のＡＤＣの変化群ＩＳＡには、ＢＰＩ ＩＢＶ１に対応するＡＤＣ群ＩＳＰ１と、ＢＰＩ ＩＢＶ２に対応するＡＤＣ群ＩＳＰ２とを示している。図６のＡＤＣの変化群ＩＳＡにおいて、ＡＤＣ群ＩＳＰ１は、極大値に相当する。図６のＡＤＣの変化群ＩＣＡには、ＢＰＩ ＩＢＶ１に対応するＡＤＣ群ＩＣＰ１と、ＢＰＩ ＩＢＶ２に対応するＡＤＣ群ＩＣＰ２とを示している。図６のＡＤＣの変化群ＩＣＡにおいて、ＡＤＣ群ＩＣＰ２は、最大値に相当する。

図６に示した例では、半径領域ＯＺＲにデータをライトした際の変更可能なＢＰＩの範囲において、ＡＤＣの変化群ＯＳＡは、ＡＤＣの変化群ＯＣＡよりも大きい。ＡＤＣの変化群ＯＣＡは、ＢＰＩが大きくなるに従って大きくなっている。ＡＤＣの変化群ＯＣＡは、変更可能なＢＰＩの範囲の最大値ＯＢＶ２で最大値ＯＣＰ２となっている。ＡＤＣの変化群ＯＣＡは、変更可能なＢＰＩの範囲の最大値ＯＢＶ２において飽和傾向にある。ＡＤＣの変化群ＯＳＡは、ＢＰＩ ＯＢＶ１まで増大し、ＢＰＩ ＯＢＶ１からＢＰＩ ＯＢＶ２までは減少している。ＡＤＣの変化群ＯＳＡは、ＢＰＩ ＯＢＶ１で極大値ＯＳＰ１となっている。ＡＤＣ群ＯＳＰ１は、ＡＤＣ群ＯＣＰ１よりも大きい。ＡＤＣ群ＯＳＰ２とＡＤＣ群ＯＣＰ２は、近い値になっている。

例えば、記録密度制御部６２０は、ＢＰＩを最大値ＯＢＶ２に設定し、ＴＰＩを最大値ＯＢＶ２に対応する最大ＴＰＩに設定して半径領域ＯＺＲにデータを通常記録する。言い換えると、記録密度制御部６２０は、変更可能なＢＰＩの範囲内の最大値ＯＢＶ２と最大値ＯＢＶ２に対応する最大ＴＰＩとで半径領域ＯＺＲにデータを通常記録する。記録密度制御部６２０は、ＢＰＩをＢＰＩ ＯＢＶ１に設定し、ＴＰＩをＢＰＩ ＯＢＶ１との積がＡＤＣの変化群ＯＳＡの極大値ＯＳＰ１になるＴＰＩに設定して半径領域ＯＺＲにデータを瓦記録する。言い換えると、記録密度制御部６２０は、ＢＰＩ ＯＢＶ１とＢＰＩ ＯＢＶ１との積が極大値ＯＳＰ１になるＴＰＩとで半径領域ＯＺＲにデータを瓦記録する。つまり、記録密度制御部６２０は、変更可能なＢＰＩの範囲内で最大値ＯＢＶ２以下のＢＰＩとこの最大値ＯＢＶ２以下のＢＰＩに対応するＴＰＩとで半径領域ＯＺＲにデータを瓦記録する。なお、記録密度制御部６２０は、変更可能なＢＰＩの範囲内の最大値ＯＢＶ２と最大値ＯＢＶ２に対応する最大ＴＰＩとで半径領域ＯＺＲにデータを通常記録し、且つ変更可能なＢＰＩの範囲内で最大値ＯＢＶ２以下のＢＰＩとこの最大値ＯＢＶ２以下のＢＰＩに対応するＴＰＩとで半径領域ＯＺＲにデータを瓦記録してもよい。また、記録密度制御部６２０は、変更可能なＢＰＩの範囲内の最大値ＯＢＶ２の近傍のＢＰＩと最大値ＯＢＶ２の近傍のＢＰＩに対応する最大ＴＰＩとで半径領域ＯＺＲにデータを通常記録してもよい。

図６に示した例では、半径領域ＭＺＲにデータをライトした際の変更可能なＢＰＩの範囲において、ＡＤＣの変化群ＭＳＡは、ＡＤＣの変化群ＭＣＡよりも大きい。ＡＤＣの変化群ＭＣＡは、ＢＰＩが大きくなるに従って大きくなっている。ＡＤＣの変化群ＭＣＡは、変更可能なＢＰＩの範囲の最大値ＭＢＶ２で最大値ＭＣＰ２となっている。ＡＤＣの変化群ＭＣＡは、変更可能なＢＰＩの範囲の最大値ＭＢＶ２において飽和傾向にある。ＡＤＣの変化群ＭＳＡは、ＢＰＩ ＭＢＶ１まで増大し、ＢＰＩ ＭＢＶ１からＢＰＩ ＭＢＶ２までは減少している。ＡＤＣの変化群ＭＳＡは、ＢＰＩ ＭＢＶ１で極大値ＭＳＰ１となっている。ＡＤＣ群ＭＳＰ１は、ＡＤＣ群ＭＣＰ１よりも大きい。ＡＤＣ群ＭＳＰ２とＡＤＣ群ＭＣＰ２は、近い値になっている。

例えば、記録密度制御部６２０は、ＢＰＩを最大値ＭＢＶ２に設定し、ＴＰＩを最大値ＭＢＶ２に対応する最大ＴＰＩに設定して半径領域ＭＺＲにデータを通常記録する。言い換えると、記録密度制御部６２０は、変更可能なＢＰＩの範囲の最大値ＭＢＶ２と最大ＭＢＶ２に対応する最大ＴＰＩとで半径領域ＭＺＲにデータを通常記録する。記録密度制御部６２０は、ＢＰＩをＢＰＩ ＭＢＶ１に設定し、ＴＰＩをＢＰＩ ＭＢＶ１との積がＡＤＣの変化群ＭＳＡの極大値ＭＳＰ１になるＴＰＩに設定して半径領域ＭＺＲにデータを瓦記録する。言い換えると、記録密度制御部６２０は、ＢＰＩ ＭＢＶ１とＢＰＩ ＭＢＶ１との積が極大値ＭＳＰ１になるＴＰＩとで半径領域ＭＺＲにデータを瓦記録する。つまり、記録密度制御部６２０は、変更可能なＢＰＩの範囲内で最大値ＭＢＶ２以下のＢＰＩとこの最大値ＭＢＶ２以下のＢＰＩに対応するＴＰＩとで半径領域ＭＺＲにデータを瓦記録する。なお、記録密度制御部６２０は、変更可能なＢＰＩの範囲内の最大値ＭＢＶ２と最大値ＭＢＶ２に対応する最大ＴＰＩとで半径領域ＭＺＲにデータを通常記録し、且つ変更可能なＢＰＩの範囲内で最大値ＭＢＶ２以下のＢＰＩとこの最大値ＭＢＶ２以下のＢＰＩに対応するＴＰＩとで半径領域ＭＺＲにデータを瓦記録してもよい。また、記録密度制御部６２０は、変更可能なＢＰＩの範囲内の最大値ＭＢＶ２の近傍のＢＰＩと最大値ＭＢＶ２の近傍のＢＰＩに対応する最大ＴＰＩとで半径領域ＭＺＲにデータを通常記録してもよい。

図６に示した例では、半径領域ＩＺＲにデータをライトした際の変更可能なＢＰＩの範囲において、ＡＤＣの変化群ＩＳＡは、ＡＤＣの変化群ＩＣＡよりも大きい。ＡＤＣの変化群ＩＣＡは、ＢＰＩが大きくなるに従って大きくなっている。ＡＤＣの変化群ＩＣＡは、変更可能なＢＰＩの範囲の最大値ＩＢＶ２で最大値ＩＣＰ２となっている。ＡＤＣの変化群ＩＣＡは、変更可能なＢＰＩの範囲の最大値ＩＢＶ２において飽和傾向にある。ＡＤＣの変化群ＩＳＡは、ＢＰＩ ＩＢＶ１まで増大し、ＢＰＩ ＩＢＶ１からＢＰＩ ＩＢＶ２までは減少している。ＡＤＣの変化群ＩＳＡは、ＢＰＩ ＩＢＶ１で極大値ＩＳＰ１となっている。ＡＤＣ群ＩＳＰ１は、ＡＤＣ群ＩＣＰ１よりも大きい。ＡＤＣ群ＩＳＰ２とＡＤＣ群ＩＣＰ２は、近い値になっている。

例えば、記録密度制御部６２０は、ＢＰＩを最大値ＩＢＶ２に設定し、ＴＰＩを最大値ＩＢＶ２に対応する最大ＴＰＩに設定して半径領域ＩＺＲにデータを通常記録する。言い換えると、記録密度制御部６２０は、変更可能なＢＰＩの範囲の最大値ＩＢＶ２と最大ＭＢＶ２に対応する最大ＴＰＩとで半径領域ＩＺＲにデータを通常記録する。記録密度制御部６２０は、ＢＰＩをＢＰＩ ＩＢＶ１に設定し、ＴＰＩをＢＰＩ ＩＢＶ１との積がＡＤＣの変化群ＩＳＡの極大値ＩＳＰ１になるＴＰＩに設定して半径領域ＩＺＲにデータを瓦記録する。言い換えると、記録密度制御部６２０は、ＢＰＩ ＩＢＶ１とＢＰＩ ＩＢＶ１との積が極大値ＩＳＰ１になるＴＰＩとで半径領域ＩＺＲにデータを瓦記録する。つまり、記録密度制御部６２０は、変更可能なＢＰＩの範囲内で最大値ＩＢＶ２以下のＢＰＩとこの最大値ＩＢＶ２以下のＢＰＩに対応するＴＰＩとで半径領域ＩＺＲにデータを瓦記録する。なお、記録密度制御部６２０は、変更可能なＢＰＩの範囲内の最大値ＩＢＶ２と最大値ＩＢＶ２に対応する最大ＴＰＩとで半径領域ＩＺＲにデータを通常記録し、且つ変更可能なＢＰＩの範囲内で最大値ＩＢＶ２以下のＢＰＩとこの最大値ＩＢＶ２以下のＢＰＩに対応するＴＰＩとで半径領域ＩＺＲにデータを瓦記録してもよい。また、記録密度制御部６２０は、変更可能なＢＰＩの範囲内の最大値ＩＢＶ２の近傍のＢＰＩと最大値ＩＢＶ２の近傍のＢＰＩに対応する最大ＴＰＩとで半径領域ＩＺＲにデータを通常記録してもよい。

図６に示した例では、変更可能なＢＰＩの範囲で所定の半径領域に通常記録する場合、このＢＰＩの範囲内において、ＢＰＩが大きくなるにしたがって、ＡＤＣも大きくなっている。そのため、通常記録では、外方向及び内方向の複数の隣接トラックをライトする際のヘッド１５からのＡＴＩ等による影響により、ＴＰＩを大きくしてトラックピッチを狭くするよりも、ＢＰＩを大きくすることで記録密度（ＡＤＣ）を大きくすることができると考えられる。

図６に示した例では、変更可能なＢＰＩの範囲で所定の半径領域に瓦記録する場合、このＢＰＩの範囲内のＢＰＩが小さい範囲では、ＡＤＣは、増大し、このＢＰＩの範囲内のＢＰＩが大きい範囲では、ＡＤＣは、減少している。そのため、瓦記録では、前のトラックに重ね書きする次のトラックをライトする際のヘッド１５のＡＴＩ等による影響により、可能な限りＢＰＩを小さくして前のトラックの記録品質を高めて、可能な限りＴＰＩを大きくしてトラックピッチを狭くすることで記録密度（ＡＤＣ）を大きくすることができると考えられる。

図７は、瓦記録した場合の最大ＡＤＣ及び通常記録した場合の最大ＡＤＣの差分値に対する通常記録した場合の最大ＡＤＣの比率に対するＡＤＣを測定したヘッドの本数の関係の一例を示す図である。図７は、例えば、図６に対応している。図７において、縦軸は、ＡＤＣを測定したヘッドの本数を示している。図７において、横軸は、（瓦記録した場合の最大ＡＤＣ－通常記録した場合の最大ＡＤＣ）／通常記録した場合の最大ＡＤＣ（以下、瓦記録した場合の最大ＡＤＣに対する通常記録した場合の最大ＡＤＣの比率と称する場合もある）を示している。図７の横軸は、外周領域ＯＲのゾーンＺｎＯに対応する半径領域ＯＺＲと、中周領域ＭＲのゾーンＺｎＭに対応する半径領域ＭＺＲと、内周領域ＩＲに対応する半径領域ＩＺＲとに区分されている。

図７に示した例では、瓦記録した場合の最大ＡＤＣに対する通常記録した場合の最大ＡＤＣの比率は、半径領域ＯＺＲにおいて、１３％乃至２３％である。図６及び図７より、ＡＤＣ群ＯＳＰ１は、例えば、ＡＤＣ群ＯＣＰ２よりも１３％乃至２３％大きい。つまり、半径領域ＯＺＲにＢＰＩ ＯＢＶ１且つＢＰＩ ＯＢＶ１に対応する最大ＴＰＩで瓦記録した場合のＡＤＣ群ＯＳＰ１は、半径領域ＯＺＲに最大値ＯＢＶ２且つ最大値ＯＢＶ２に対応する最大ＴＰＩで通常記録した場合のＡＤＣ群ＯＣＰ２よりも１３％乃至２３％大きい。言い換えると、半径領域ＯＺＲに最大値ＯＢＶ２且つ最大値ＯＢＶ２に対応する最大ＴＰＩで通常記録した場合のＡＤＣ群ＯＣＰ２は、半径領域ＯＺＲにＢＰＩ ＯＢＶ１且つＢＰＩ ＯＢＶ１に対応する最大ＴＰＩで瓦記録した場合のＡＤＣ群ＯＳＰ１よりも１３％乃至２３％小さい。

図７に示した例では、瓦記録した場合の最大ＡＤＣに対する通常記録した場合の最大ＡＤＣの比率は、半径領域ＭＺＲにおいて、１０％乃至２０％である。図６及び図７より、ＡＤＣ群ＭＳＰ１は、例えば、ＡＤＣ群ＭＣＰ２よりも１０％乃至２０％大きい。つまり、半径領域ＭＺＲにＢＰＩ ＭＢＶ１且つＢＰＩ ＭＢＶ１に対応する最大ＴＰＩで瓦記録した場合のＡＤＣ群ＭＳＰ１は、半径領域ＭＺＲに最大値ＭＢＶ２且つ最大値ＭＢＶ２に対応する最大ＴＰＩで通常記録した場合のＡＤＣ群ＭＣＰ２よりも１０％乃至２０％大きい。言い換えると、半径領域ＭＺＲに最大値ＭＢＶ２且つ最大値ＭＢＶ２に対応する最大ＴＰＩで通常記録した場合のＡＤＣ群ＭＣＰ２は、半径領域ＭＺＲにＢＰＩ ＭＢＶ１且つＢＰＩ ＭＢＶ１に対応する最大ＴＰＩで瓦記録した場合のＡＤＣ群ＭＳＰ１よりも１０％乃至２０％小さい。

図７に示した例では、瓦記録した場合の最大ＡＤＣに対する通常記録した場合の最大ＡＤＣの比率は、半径領域ＩＺＲにおいて、１４％乃至２２％である。図６及び図７より、ＡＤＣ群ＩＳＰ１は、例えば、ＡＤＣ群ＩＣＰ２よりも１４％乃至２２％大きい。つまり、半径領域ＩＺＲにＢＰＩ ＩＢＶ１且つＢＰＩ ＩＢＶ１に対応する最大ＴＰＩで瓦記録した場合のＡＤＣ群ＩＳＰ１は、半径領域ＩＺＲに最大値ＩＢＶ２且つ最大値ＩＢＶ２に対応する最大ＴＰＩで通常記録した場合のＡＤＣ群ＩＣＰ２よりも１４％乃至２２％大きい。言い換えると、半径領域ＩＺＲに最大値ＩＢＶ２且つ最大値ＩＢＶ２に対応する最大ＴＰＩで通常記録した場合のＡＤＣ群ＩＣＰ２は、半径領域ＩＺＲにＢＰＩ ＩＢＶ１且つＢＰＩ ＩＢＶ１に対応する最大ＴＰＩで瓦記録した場合のＡＤＣ群ＩＳＰ１よりも１４％乃至２２％小さい。

図８は、瓦記録した場合の最大ＡＤＣに対する通常記録した場合の最大ＡＤＣの比率の面積平均値に対するＡＤＣを測定したヘッドの本数の関係の一例を示す図である。図８は、例えば、図６及び図７に対応している。図８において、縦軸は、ＡＤＣを測定したヘッドの本数を示している。図８において、横軸は、瓦記録した場合の最大ＡＤＣに対する通常記録した場合の最大ＡＤＣの比率の面積平均値を示している。
図８に示した例では、瓦記録した場合の最大ＡＤＣの面積平均値は通常記録した場合の最大ＡＤＣの面積平均値よりも１２％乃至２１％大きい。言い換えると、通常記録した場合の最大ＡＤＣの面積平均値は、瓦記録した場合の最大ＡＤＣの面積平均値よりも１２％乃至２１％小さい。

図９は、所定の半径領域におけるＴＰＩに対するＢＥＲの変化の一例を示す図である。図９には、所定の半径領域に所定のＢＰＩで通常記録した場合のＴＰＩに対するＢＥＲの変化（以下、ＢＥＲの変化と称する場合もある）ＣＥＬ１と、所定の半径領域に所定のＢＰＩで瓦記録した場合のＴＰＩに対するＢＥＲの変化ＳＥＬ１と、所定の半径領域にＢＰＩの変化ＣＥＬ１のＢＰＩよりも低いＢＰＩで通常記録した場合のＴＰＩに対するＢＥＲの変化ＣＥＬ２と、所定の半径領域にＢＰＩの変化ＳＥＬ１のＢＰＩよりも低いＢＰＩで瓦記録した場合のＴＰＩに対するＢＥＲの変化ＳＥＬ２と、を示している。ＢＥＲの変化ＣＥＬ１、ＳＥＬ１、ＣＥＬ２、及びＳＥＬ２において、丸い点や三角の点は、それぞれ、測定した測定値を示している。例えば、ＢＥＲの変化ＣＥＬ１のＢＰＩとＢＥＲの変化ＳＥＬ１のＢＰＩとは、同じである。ここで、“同じ”、“同一”、“一致”、及び“同等”等は、全く同じであることは、もちろん、実質的に同じであると見做せる程度に異なることも含む。また、例えば、ＢＥＲの変化ＣＥＬ２のＢＰＩとＢＥＲの変化ＳＥＬ２のＢＰＩとは、同じである。図９において、縦軸は、誤り率（エラーレート）、例えば、ＢＥＲを示し、横軸は、ＴＰＩを示している。図９の縦軸において、ＢＥＲは、大の矢印の先端の方向に進むに従って大きくなり、小の矢印の先端の方向に進むに従って小さくなる。図９の縦軸には、ＢＥＲ Ｅ１を示している。ＢＥＲ Ｅ１は、例えば、リードエラーを生じないＢＥＲの上限値に相当する。図９の横軸において、ＴＰＩは、大の矢印の先端の方向に進むに従って大きくなり、小の矢印の先端の方向に進むに従って小さくなる。図９の横軸には、ＴＰＩ ＣＴ１、ＴＰＩ ＣＴ２、ＴＰＩ ＳＴ１、ＴＰＩ ＳＴ２を示している。ＴＰＩ ＣＴ２は、ＴＰＩ ＣＴ１よりも大きく、ＴＰＩ ＳＴ１は、ＴＰＩ ＣＴ２よりも大きく、ＴＰＩ ＳＴ２は、ＴＰＩ ＳＴ１よりも大きい。ＴＰＩ ＣＴ１は、例えば、ＢＥＲの変化ＣＥＬ１においてＢＥＲ Ｅ１に対応する最大ＴＰＩに相当し、ＴＰＩ ＣＴ２は、例えば、ＢＥＲの変化ＣＥＬ２においてＢＥＲ Ｅ１に対応する最大ＴＰＩに相当する。ＴＰＩ ＳＴ１は、例えば、ＢＥＲの変化ＳＥＬ１においてＢＥＲ Ｅ１に対応する最大ＴＰＩに相当し、ＴＰＩ ＳＴ２は、例えば、ＢＥＲの変化ＳＥＬ２においてＢＥＲ Ｅ１に対応する最大ＴＰＩに相当する。

図９に示した例では、ＢＥＲの変化ＣＥＬ２においてＢＥＲ Ｅ１に対応するＴＰＩ ＣＴ２は、ＢＥＲの変化ＣＥＬ１においてＢＥＲ Ｅ１に対応するＴＰＩ ＣＴ１よりも大きい。所定の半径領域に通常記録する場合、ＢＰＩを小さくした方が、ＴＰＩが大きくなり、ＢＰＩを大きくした方が、ＴＰＩが小さくなる。両者をＢＰＩとＴＰＩの積のＡＤＣで比較すると、ＢＰＩを大きくした方のＡＤＣが大きくなるため、通常記録方式では一般的にＢＰＩが大きい方が選択される。

図９に示した例では、ＢＥＲの変化ＳＥＬ２においてＢＥＲ Ｅ１に対応するＴＰＩ ＳＴ２は、ＢＥＲの変化ＳＥＬ１においてＢＥＲ Ｅ１に対応するＴＰＩ ＳＴ１よりも大きい。図９に示した例では、ＴＰＩ ＳＴ２は、ＴＰＩ ＳＴ１の約２倍である。所定の半径領域に瓦記録する場合、ＢＰＩを小さくした方が、ＴＰＩが大きくなり、ＢＰＩを大きくした方が、ＴＰＩが小さくなる。両者をＢＰＩとＴＰＩの積のＡＤＣで比較すると、通常記録方式とは異なりＢＰＩを小さくした方のＡＤＣが大きくなるため、瓦記録方式では一般的にＢＰＩが小さい方が選択される。

図１０は、本実施形態に係るライト処理の一例を示すフローチャートである。
ＭＰＵ６０は、所定の半径領域にライト処理を開始し（Ｂ１００１）、通常記録であるか瓦記録であるかを判定する（Ｂ１００２）。通常記録であると判定した場合（Ｂ１００２の通常記録）、ＭＰＵ６０は、ＢＰＩを大きくして所定の半径領域にデータを通常記録し（Ｂ１００３）、処理を終了する。例えば、ＭＰＵ６０は、変更可能なＢＰＩの範囲内のＢＰＩの最大値とこのＢＰＩの最大値に対応するＴＰＩ（最大ＴＰＩ）とで所定の半径領域にデータを通常記録する。なお、ＭＰＵ６０は、変更可能なＢＰＩの範囲内のＢＰＩの最大値の近傍のＢＰＩとこのＢＰＩの最大値の近傍のＢＰＩに対応するＴＰＩ（最大ＴＰＩ）とで所定の半径領域にデータを通常記録してもよい。瓦記録であると判定した場合（Ｂ１００２の瓦記録）、ＭＰＵ６０は、ＡＤＣを最大化するＢＰＩ及びＴＰＩで所定の半径領域にデータを瓦記録し（Ｂ１００４）、処理を終了する。例えば、ＭＰＵ６０は、変更可能なＢＰＩの範囲内のＢＰＩの最大値以下のＢＰＩとこのＢＰＩの最大値以下のＢＰＩとの積（ＡＤＣ）が最大になるＴＰＩ（最大ＴＰＩ）とで所定の半径領域にデータを瓦記録する。

本実施形態によれば、磁気ディスク装置１は、ＢＰＩを大きくして所定の半径領域にデータを通常記録する。例えば、磁気ディスク装置１は、変更可能なＢＰＩの範囲内のＢＰＩの最大値とこのＢＰＩの最大値に対応するＴＰＩ（最大ＴＰＩ）とで所定の半径領域にデータを通常記録する。また、磁気ディスク装置１は、ＡＤＣを最大化するＢＰＩ及びＴＰＩで所定の半径領域にデータを瓦記録する。例えば、磁気ディスク装置１は、変更可能なＢＰＩの範囲内のＢＰＩの最大値以下のＢＰＩとこのＢＰＩの最大値以下のＢＰＩとの積（ＡＤＣ）が最大になるＴＰＩ（最大ＴＰＩ）とで所定の半径領域にデータを瓦記録する。そのため、磁気ディスク装置は、記録密度を向上することができる。なお、第１実施形態の磁気ディスク装置１は、通常記録及び瓦記録を選択して実行可能であるように記載したが、通常記録のみを実行する通常記録型式の磁気ディスク装置であってもよいし、瓦記録のみを実行する瓦記録型式の磁気ディスク装置であってもよい。

次に、第１実施形態の変形例に係る磁気ディスク装置について説明する。変形例において、前述の第１実施形態と同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
（変形例１）
変形例１に係る磁気ディスク装置１は、記録電流を制御することでＢＰＩを制御する点が前述の第１実施形態の磁気ディスク装置１と異なる。
図１１は、変形例１に係る磁気ディスク装置１の構成を示すブロック図である。
ヘッド１５は、記録コイル、主磁極、及び主磁極に対向しているライトシールド等を有している。記録コイルに電流（以下、記録電流と称する）が供給されることで、主磁極及びライトシールドに記録磁界が励起される。そのため、主磁極及びライトシールドが磁化される。この磁化された主磁極及びライトシールドを流れる磁束によりディスク１０の記録ビットの磁化方向を変化させることで、ディスク１０に記録電流に応じた磁化パターンを記録する。
ヘッドアンプＩＣ３０は、例えば、ＭＰＵ６０の制御に応じて磁気コイルに記録電流を供給する。

ＭＰＵ６０は、記録電流制御部６３０をさらに備えている。ＭＰＵ６０は、各部、例えば、リード／ライト制御部６１０、記録密度制御部６２０、及び記録電流制御部６３０等の処理をファームウェア上で実行する。なお、ＭＰＵ６０は、各部、例えば、リード／ライト制御部６１０、記録密度制御部６２０、及び記録電流制御部６３０等を回路として備えていてもよい。

記録電流制御部６３０は、記録電流を制御する。記録電流制御部６３０は、記録密度制御部６２０で制御された記録密度、例えば、ＢＰＩに基づいてヘッドアンプＩＣ３０を介して記録電流を制御する。例えば、記録電流制御部６３０は、記録密度制御部６２０で制御されたＢＰＩに基づいて、ＢＰＩを大きくする場合には記録電流を大きくし、ＢＰＩを小さくする場合には記録電流を小さくする。

図１２は、変形例１に係るライト処理の一例を示すフローチャートである。
ＭＰＵ６０は、所定の半径領域にライト処理を開始し（Ｂ１００１）、通常記録であるか瓦記録であるかを判定する（Ｂ１００２）。通常記録であると判定した場合（Ｂ１００２の通常記録）、ＭＰＵ６０は、ＢＰＩを大きくするために記録電流を大きくして所定の半径領域にデータを通常記録し（Ｂ１２０１）、処理を終了する。例えば、ＭＰＵ６０は、変更可能なＢＰＩの範囲内のＢＰＩの最大値に対応する記録電流とこのＢＰＩの最大値に対応するＴＰＩ（最大ＴＰＩ）とで所定の半径領域にデータを通常記録する。なお、ＭＰＵ６０は、変更可能なＢＰＩの範囲内のＢＰＩの最大値の近傍のＢＰＩに対応する記録電流とこのＢＰＩの最大値の近傍のＢＰＩに対応するＴＰＩ（最大ＴＰＩ）とで所定の半径領域にデータを通常記録してもよい。瓦記録であると判定した場合（Ｂ１００２の瓦記録）、ＭＰＵ６０は、ＡＤＣを最大化するＢＰＩに対応する記録電流とＡＤＣを最大化するＢＰＩに対応するＴＰＩとで所定の半径領域にデータを瓦記録し（Ｂ１２０２）、処理を終了する。例えば、ＭＰＵ６０は、変更可能なＢＰＩの範囲内のＢＰＩの最大値以下のＢＰＩに対応する記録電流とこのＢＰＩの最大値以下のＢＰＩとの積（ＡＤＣ）が最大になるＴＰＩ（最大ＴＰＩ）とで所定の半径領域にデータを瓦記録する。

変形例１によれば、磁気ディスク装置１は、ＢＰＩを大きくするために記録電流を大きくして所定の半径領域にデータを通常記録する。また、磁気ディスク装置１は、ＡＤＣを最大化するＢＰＩに対応する記録電流とＡＤＣを最大化するＢＰＩに対応するＴＰＩとで所定の半径領域にデータを瓦記録する。そのため、磁気ディスク装置１は、記録密度を向上することができる。

（変形例２）
変形例２に係る磁気ディスク装置１は、アシスト機能を有している点が前述の第１実施形態及び変形例１の磁気ディスク装置１と異なる。
図１３は、変形例２に係る磁気ディスク装置１の構成を示すブロック図である。
変形例２に係る磁気ディスク装置１は、例えば、高周波アシスト記録型式の磁気ディスク装置、又は熱アシスト磁気記録（Thermally Assisted Magnetic Recording : ＴＡＭＲ）型式の磁気ディスク装置である。

ヘッド１５は、アシスト素子２００を有している。磁気ディスク装置１が高周波アシスト記録型式の磁気ディスク装置である場合、アシスト素子２００は、例えば、ディスク１０に高周波磁界（マイクロ波）を印加するスピントルク発振子（spin torque osillator：ＳＴＯ）を有している。また、磁気ディスク装置１が熱アシスト磁気記録型式の磁気ディスク装置である場合、アシスト素子２００は、例えば、光発生素子（例えば、レーザダイオード）と、ディスク１０に近接場光を出射する近接場光照射素子（プラズモン・ジェネレータ、ニアフィールド・トランデューサ）と、光発生素子で発生した光を近接場光照射素子に伝播する導波路とを有している。
ヘッドアンプＩＣ３０は、例えば、ＭＰＵ６０の制御に応じてアシスト素子２００に電流及び電圧を供給する。

ＭＰＵ６０は、電流電圧制御部６４０をさらに備えている。ＭＰＵ６０は、各部、例えば、リード／ライト制御部６１０、記録密度制御部６２０、及び電流電圧制御部６４０等の処理をファームウェア上で実行する。なお、ＭＰＵ６０は、各部、例えば、リード／ライト制御部６１０、記録密度制御部６２０、及び電流電圧制御部６４０等を回路として備えていてもよい。

電流電圧制御部６４０は、アシスト素子２００に印加する電流及び電圧を制御する。電流電圧制御部６４０は、記録密度制御部６２０で制御された記録密度、例えば、ＢＰＩに基づいてヘッドアンプＩＣ３０を介してアシスト素子２００に印加する電流（又は電圧）を制御する。例えば、電流電圧制御部６４０は、記録密度制御部６２０で制御されたＢＰＩに基づいて、ＢＰＩを大きくする場合にはアシスト素子２００に印加する電流（又は電圧）を大きくし、ＢＰＩを小さくする場合にはアシスト素子２００に印加する電流（又は電圧）を小さくする。

図１４は、変形例２に係るライト処理の一例を示すフローチャートである。
ＭＰＵ６０は、所定の半径領域にライト処理を開始し（Ｂ１００１）、通常記録であるか瓦記録であるかを判定する（Ｂ１００２）。通常記録であると判定した場合（Ｂ１００２の通常記録）、ＭＰＵ６０は、ＢＰＩを大きくするためにアシスト素子２００に印加する電流（又は電圧）を大きくして所定の半径領域にデータを通常記録し（Ｂ１４０１）、処理を終了する。例えば、ＭＰＵ６０は、変更可能なＢＰＩの範囲内のＢＰＩの最大値に対応するアシスト素子２００に印加する電流（又は電圧）とこのＢＰＩの最大値に対応するＴＰＩ（最大ＴＰＩ）とで所定の半径領域にデータを通常記録する。なお、ＭＰＵ６０は、変更可能なＢＰＩの範囲内のＢＰＩの最大値の近傍のＢＰＩに対応するアシスト素子２００に印加する電流（又は電圧）とこのＢＰＩの最大値の近傍のＢＰＩに対応するＴＰＩ（最大ＴＰＩ）とで所定の半径領域にデータを通常記録してもよい。瓦記録であると判定した場合（Ｂ１００２の瓦記録）、ＭＰＵ６０は、ＡＤＣを最大化するＢＰＩに対応するアシスト素子２００に印加する電流（又は電圧）とＡＤＣを最大化するＢＰＩに対応するＴＰＩとで所定の半径領域にデータを瓦記録し（Ｂ１４０２）、処理を終了する。例えば、ＭＰＵ６０は、変更可能なＢＰＩの範囲内のＢＰＩの最大値以下のＢＰＩに対応するアシスト素子２００に印加する電流（又は電圧）とこのＢＰＩの最大値以下のＢＰＩとの積（ＡＤＣ）が最大になるＴＰＩ（最大ＴＰＩ）とで所定の半径領域にデータを瓦記録する。

変形例２によれば、磁気ディスク装置１は、ＢＰＩを大きくするためにアシスト素子２００に印加する電流（又は電圧）を大きくして所定の半径領域にデータを通常記録する。また、磁気ディスク装置１は、ＡＤＣを最大化するＢＰＩに対応するアシスト素子２００に印加する電流（又は電圧）とＡＤＣを最大化するＢＰＩに対応するＴＰＩとで所定の半径領域にデータを瓦記録する。そのため、磁気ディスク装置１は、記録密度を向上することができる。

いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］ディスクと、
前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、
前記ディスクの半径方向に区分された第１領域において、第１線記録密度で前記半径方向に間隔を置いて複数のトラックをライトする通常記録処理と前記第１領域において第１線記録密度以下の第２線記録密度で前記半径方向に複数のトラックを重ね書きする瓦記録処理との内の少なくとも一方を実行する、コントローラと、を備える磁気ディスク装置。
［２］前記コントローラは、前記第１領域において、前記第２線記録密度と前記第２線記録密度との積が最大となるトラック密度とで前記瓦記録処理を実行する、［１］に記載の磁気ディスク装置。
［３］前記第１領域において前記第１線記録密度で前記半径方向に間隔を置いて複数のトラックをライトした第１記録密度は、前記第１領域において前記第２線記録密度で前記半径方向に複数のトラックを重ね書きした第２記録密度よりも１０％乃至２３％小さい、［２］に記載の磁気ディスク装置。
［４］前記コントローラは、前記第１領域において前記第１線記録密度に対応する第１記録電流で前記通常記録処理を実行し、前記第１領域において前記第２線記録密度に対応する第２記録電流で前記瓦記録処理を実行する、［１］乃至［３］のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
［５］前記第１線記録密度は、変更可能な範囲において最大値に相当する、［１］乃至［４］のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
［６］前記ヘッドは、アシスト素子を有し、
前記コントローラは、前記第１領域において前記第１線記録密度に対応する第１電流を前記アシスト素子に印加して前記通常記録処理を実行し、前記第１領域において前記第２線記録密度に対応する第２電流を前記アシスト素子に印加して前記瓦記録処理を実行する、［１］乃至［４］のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
［７］半径方向に区分された第１領域において第１線記録密度で前記半径方向に間隔を置いてライトされた複数の第１トラックと、前記第１領域において第１線記録密度以下の第２線記録密度で前記半径方向に重ね書きされた複数の第２トラックとを有するディスクと、
前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、
前記半径方向に間隔を置いて複数のトラックをライトする通常記録処理と、前記半径方向に複数のトラックを重ね書きする瓦記録処理との少なくとも一方を実行する、コントローラと、を備える磁気ディスク装置。
［８］前記コントローラは、前記第１領域において、前記第２線記録密度と前記第２線記録密度との積が最大となるトラック密度とで前記瓦記録処理を実行する、［７］に記載の磁気ディスク装置。
［９］ディスクと、前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドとを備える磁気ディスク装置に適用されるライト処理方法であって、
前記ディスクの半径方向に区分された第１領域において、第１線記録密度で前記半径方向に間隔を置いて複数のトラックをライトする通常記録処理と前記第１領域において第１線記録密度以下の第２線記録密度で前記半径方向に複数のトラックを重ね書きする瓦記録処理との内の少なくとも一方を実行する、ライト処理方法。

１…磁気ディスク装置、１０…磁気ディスク、１０ａ…ユーザデータ領域、１０ｂ…システムエリア、１２…スピンドルモータ（ＳＰＭ）、１３…アーム、１４…ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、１５…ヘッド、１５Ｗ…ライトヘッド、１５Ｒ…リードヘッド、２０…ドライバＩＣ、３０…ヘッドアンプＩＣ、４０…ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）、５０…リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル、６０…マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、７０…揮発性メモリ、８０…不揮発性メモリ、９０…バッファメモリ、１００…ホストシステム（ホスト）、１３０…システムコントローラ。

Claims (7)

1. ディスクと、
   前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、
   前記ディスクの半径方向に区分された第１領域において、第１線記録密度で前記半径方向に間隔を置いて複数のトラックをライトする通常記録処理と前記第１領域において第１線記録密度以下の第２線記録密度で前記半径方向に複数のトラックを重ね書きする瓦記録処理との内の少なくとも一方を実行する、コントローラと、を備え、
   前記コントローラは、前記第１領域において、前記第２線記録密度と前記第２線記録密度との積が最大となるトラック密度とで前記瓦記録処理を実行する、磁気ディスク装置。
2. 前記第１領域において前記第１線記録密度で前記半径方向に間隔を置いて複数のトラックをライトした第１記録密度は、前記第１領域において前記第２線記録密度で前記半径方向に複数のトラックを重ね書きした第２記録密度よりも１０％乃至２３％小さい、請求項１に記載の磁気ディスク装置。
3. 前記コントローラは、前記第１領域において前記第１線記録密度に対応する第１記録電流で前記通常記録処理を実行し、前記第１領域において前記第２線記録密度に対応する第２記録電流で前記瓦記録処理を実行する、請求項１又は２に記載の磁気ディスク装置。
4. 前記第１線記録密度は、変更可能な範囲において最大値に相当する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
5. 前記ヘッドは、アシスト素子を有し、
   前記コントローラは、前記第１領域において前記第１線記録密度に対応する第１電流を前記アシスト素子に印加して前記通常記録処理を実行し、前記第１領域において前記第２線記録密度に対応する第２電流を前記アシスト素子に印加して前記瓦記録処理を実行する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
6. 半径方向に区分された第１領域において第１線記録密度で前記半径方向に間隔を置いてライトされた複数の第１トラックと、前記第１領域において第１線記録密度以下の第２線記録密度で前記半径方向に重ね書きされた複数の第２トラックとを有するディスクと、
   前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、
   前記半径方向に間隔を置いて複数のトラックをライトする通常記録処理と、前記半径方向に複数のトラックを重ね書きする瓦記録処理との少なくとも一方を実行する、コントローラと、を備え、
   前記コントローラは、前記第１領域において、前記第２線記録密度と前記第２線記録密度との積が最大となるトラック密度とで前記瓦記録処理を実行する、磁気ディスク装置。
7. ディスクと、前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドとを備える磁気ディスク装置に適用されるライト処理方法であって、
   前記ディスクの半径方向に区分された第１領域において、第１線記録密度で前記半径方向に間隔を置いて複数のトラックをライトする通常記録処理と前記第１領域において第１線記録密度以下の第２線記録密度で前記半径方向に複数のトラックを重ね書きする瓦記録処理との内の少なくとも一方を実行し、
   前記第１領域において、前記第２線記録密度と前記第２線記録密度との積が最大となるトラック密度とで前記瓦記録処理を実行する、ライト処理方法。

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