JP2016122486A - 磁気ディスク装置及びライト制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】瓦記録方式の磁気ディスク装置において、ライト禁止によるパフォーマンスの低下を抑える。
【解決手段】実施形態に係る磁気ディスク装置のプロセッサは、磁気ディスクに磁気ヘッドにより瓦記録でデータを記録する際に、前記磁気ヘッドの前記磁気ディスク上の現在の位置決め誤差を検出し、前記現在の位置決め誤差を検出した現サーボ領域に対する次サーボ領域での予測位置決め誤差を計算し、前記現在の位置決め誤差と第１閾値との比較に基づいてライト禁止判定を行い、前記現在の位置決め誤差が前記第１閾値以下、且つ、前記予測位置決め誤差が前記第１閾値とは異なる第２閾値より大きくその方向が瓦記録の方向と同一である場合、前記第１閾値を所定量だけ小さい値に設定する。この所定量だけ小さい値は、次サーボ領域でのライト禁止判定における第１閾値として用いられる。
【選択図】図７

Description

本発明の実施形態は、磁気ディスク装置及びライト制御方法に関する。

近年、磁気ディスクにトラックを高密度に書き込むための技術が開発されている。この技術の一つに、例えばトラックを部分的に重ねて書き込む瓦記録(shingled write recording)技術がある。瓦記録技術を用いることで、高密度にトラックを書き込むことが可能となることから、記録容量を増加することができる。

この瓦記録技術を用いた際に、例えば、第１トラック及び第１トラックの一部に重ねて記録する第２トラックそれぞれの互いに隣接する記録領域において、第１トラックの位置決め誤差が第２トラック方向に発生し、第２トラックの位置決め誤差が第１トラック方向に発生すると、第１トラックの幅は狭窄する。この狭窄量が大きいと、狭窄部における第２トラックのデータにより、第１トラックの書き込み済のデータが上書きあるいは破壊される可能性が高い。

このように、第１トラックの書き込み済のデータが上書きあるいは破壊される可能性がある場合、ライト禁止が判定され、データライトは停止される。この場合、磁気ディスクが１周するのを待って、ライトを停止した位置から再びライト動作を開始する。

ヘッドの位置決め誤差はサーボセクタ間隔でしか検出されず、かつ現在の位置決め誤差の検出から実際にライトを禁止するまでには遅れがある。従って、現サーボセクタで検出された位置決め誤差のみに基づくライト禁止判定では、現在書き込んだデータが既に書き込まれている隣接データを部分的に破壊してしまう可能性がある。瓦記録方式のＨＤＤは従来方式のＨＤＤと比較して、トラックピッチを狭くすることができるので、面記録密度の向上を実現できる。そのため瓦記録方式のＨＤＤは、従来方式のＨＤＤよりもドリフトオフ（所定許容値を超える位置決め誤差の発生）の検出に基づく、ライト禁止判定の重要性が高い。

米国特許出願公開２００８／０２６６６９２号明細書

瓦記録方式を用いて面記録密度を上げると共に、ライト禁止の条件を厳しくする（許容値を小さくする）と、ライト禁止の判定が多発し、当該ＨＤＤのパフォーマンスが低下してしまう。

実施形態の目的は、瓦記録方式のＨＤＤにおいて、ライト禁止によるパフォーマンスの低下を抑えることにある。

実施形態に係る磁気ディスク装置は、位置決め誤差を検出するためのサーボ領域を複数有する磁気ディスクと、前記磁気ディスクに対してデータの記録及び再生を行う磁気ヘッドと、プロセッサと、を具備する。前記プロセッサは、前記磁気ディスクに前記磁気ヘッドにより瓦記録でデータを記録する際に、前記磁気ヘッドの前記磁気ディスク上の現在の位置決め誤差を検出し、前記現在の位置決め誤差を検出した現サーボ領域に対する次サーボ領域での予測位置決め誤差を計算し、前記現在の位置決め誤差と第１閾値との比較に基づいてライト禁止判定を行い、前記現在の位置決め誤差が前記第１閾値以下、且つ、前記予測位置決め誤差が前記第１閾値とは異なる第２閾値より大きくその方向が瓦記録の方向と同一である場合、前記第１閾値を所定量だけ小さい値に設定する。この所定量だけ小さい値は、次サーボ領域でのライト禁止判定における第１閾値として用いられる。

実施形態に係る磁気ディスク装置の要部を示すブロック図である。 第１のライト禁止判定方式、及び瓦記録方式の磁気ディスク装置特有のライトリードオフセットの発生メカニズムを説明するための模式図である。 第２のライト禁止判定方式を説明するための模式図である。 実施形態に係る第３のライト禁止判定方式を説明するための模式図である。 実施形態に係る第３のライト禁止判定方式を説明するための模式図である。 実施形態において、瓦書き逆方向へのオフトラック発生時の動作を説明するための模式図である。 実施形態に係るライト禁止判定処理を示すフローチャートである。

以下、実施形態に係る磁気ディスク装置及びライト制御方法について、図面を参照して説明する。

図１は、本実施形態に係る磁気ディスク装置の要部を示すブロック図である。

本実施形態の磁気ディスク装置は、ヘッド・ディスクアセンブリ（head-disk assembly：ＨＤＡ）５、ヘッドアンプ集積回路（以下、ヘッドアンプＩＣ）１１と、システムコントローラ１５と、ドライバＩＣ１８等を備えている。

ＨＤＡ５は、記憶媒体である磁気ディスク１と、スピンドルモータ（ＳＰＭ）２と、ヘッド１０と、ヘッド１０を搭載しているアーム３と、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）４とを有する。磁気ディスク１はＳＰＭ２により回転する。磁気ディスク１上には複数のトラック２００が定義され、各トラックは位置決め誤差を検出するためのバースト情報を含むサーボセクタとデータ領域とを交互に且つ複数有する。各サーボセクタは磁気ディスク１に予め記録されている。アーム３とＶＣＭ４は、アクチュエータを構成している。アクチュエータはＶＣＭ４の駆動により、アーム３に搭載されているヘッド１０を磁気ディスク１上の指定の位置まで移動制御する。ＶＣＭ４は、ドライバＩＣ１８からの駆動電流（または電圧）により駆動制御される。

ヘッド１０は、リードヘッド１０Ｒ及びライトヘッド１０Ｗを有する。リードヘッド１０Ｒは、磁気ディスク１上のサーボセクタに記録されているサーボパターンを読み出す。またリードヘッド１０Ｒは、磁気ディスク１上のデータ領域に記録されているデータを読み出す。ライトヘッド１０Ｗは、磁気ディスク１上のデータ領域にデータを書き込む。

ヘッドアンプＩＣ１１は、リードヘッド１０Ｒにより読み出されたリード信号を増幅して、リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル１２に伝送する。また、ヘッドアンプＩＣ１１は、Ｒ／Ｗチャネル１２から出力されるライトデータに応じたライト電流をライトヘッド１０Ｗに伝送する。

システムコントローラ１５は１チップの集積回路として構成されており、Ｒ／Ｗチャネル１２と、インターフェースコントローラ１３と、マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）１４とを含む。Ｒ／Ｗチャネル１２は、リードチャネル１２Ｒとライトチャネル１２Ｗとを含む。リードチャネル１２Ｒは、リードヘッド１０Ｒにより読み出されたリード信号（ヘッドアンプＩＣ１１の出力）の復調処理を実行する。ライトチャネル１２Ｗはライトデータの信号処理を実行する。

インターフェースコントローラ１３は、ホスト１９とＲ／Ｗチャネル１２との間のデータ転送を制御する。またインターフェースコントローラ１３は、バッファメモリ（ＤＲＡＭ）１６及びフラッシュメモリ１７を制御し、データのリードまたはライトを行なう。

ＭＰＵ１４はマイクロコントローラであり、ドライバＩＣ１８を介してＶＣＭ４を制御してヘッド１０の位置決め制御（サーボ制御）を実行するサーボシステムを構成する。さらにＭＰＵ１４は、Ｒ／Ｗチャネル１２及びインターフェースコントローラ１３を制御して、磁気ディスク１に対するデータのリード動作またはライト動作を実行する。

次に、ライト制御方式、特にライト禁止判定方式について説明する。

図２は、第１のライト禁止判定方式、及び瓦記録方式の磁気ディスク装置特有のライトリードオフセットの発生メカニズムを説明するための模式図である。また図２は、トラック（Ｔｒａｃｋ）（ｋ−１）を書いた後にトラック（ｋ）を瓦書きしている様子を示す。Ｓ０〜Ｓ２は各サーボセクタの位置を示し、Ｔｓはサーボセクタ通過時間間隔を示す。

図２（ａ）において、１０１はトラック（ｋ−１）のトラックエッジを示し、１０２はライトヘッド１０Ｗを示す。２０１はトラック（ｋ）のトラックエッジを示す。１０３はトラック（ｋ−１）の目標トラックエッジ、２０２はトラック（ｋ）の目標トラックエッジを示す。αは外乱を示し、この外乱がサーボ系に加わりトラック（ｋ）において、ライトヘッド１０Ｗの軌跡に目標トラックエッジ２０２からのずれが図中右方向（瓦書きとは逆方向）に発生したことを示している。

２０３はトラック（ｋ）において、サーボセクタＳ１をサンプル（復調して位置決め誤差を検出）したときのライトヘッド１０Ｗの位置を示し、サーボセクタＳ１のサンプル位置とする。このように、サーボセクタをサンプルして得られる位置決め誤差は、ライトヘッド１０Ｗすなわちサンプル位置２０３の目標トラックエッジ２０２からのずれ量βとして表される。以下、このずれ量βを位置決め誤差βとして示す。

ＤＯＬ（ＰＯＳ）はライト禁止の第１の閾値を示し、ライトヘッド１０Ｗの位置決め誤差βがこの閾値を超えた場合、ライトは禁止される。図中右側の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）はトラック（ｋ−１）に対する閾値であり、図中左側の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）はトラック（ｋ）に対する閾値である。３００はトラック（ｋ−１）のデータをリードするときのリードヘッド１０Ｒの相対的な位置を示す。ＴＰはトラックピッチを示す。通常記録の場合、トラックピッチはトラックの径方向中心間距離を示すが、瓦記録の場合はトラックエッジ間距離を示す。

サーボセクタＳ１のサンプル位置２０３では、ライトヘッド１０Ｗの位置決め誤差βは第１の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）以下であるから、ライトは禁止されない。すなわち、ＷＦ(write fault)未検出である。

次に図２（ｂ）は、ライトヘッド１０Ｗの磁気ディスク１に対する相対的な位置が、図２（ａ）のサンプル位置２０３からサーボセクタＳ２のサンプル位置２０４に移行した場合を示す。この場合、サンプル位置２０４の位置決め誤差βが第１の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）を超えている。従って、ライト禁止が判定されデータライトは停止される（ＷＦ検出）。この場合、磁気ディスク１が１周するのを待って、ライトを停止した位置の前のサーボセクタから再びデータライトが開始される。

図２（ｂ）のようにデータライトが停止された時、トラック（ｋ）からトラック（ｋ−１）への最大の寄せ書き量は、
ＤＯＬ（ＰＯＳ）＋ＯＶＲ-
となる。

ここで、ＯＶＲ-はサーボセクタＳ１でライトヘッド位置が、第１の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）ぎりぎりであった状態から、サーボセクタＳ２で位置決め誤差を検出してライトを停止するまでの間に、ライトヘッド１０Ｗが第１の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）を超えて行き過ぎた量（オーバーラン量）である。ここでＯＶＲ-の「-」はマイナス方向（瓦書き方向とは逆方向）に生じたオーバーラン量であることを示す。

一方、トラック（ｋ−１）のプラス方向（瓦書き方向）の寄せ量は図２（ａ）のように、
ＤＯＬ（ＰＯＳ）＋ＯＶＲ+
となる。仮にライト中のある時点でライトヘッドが第１の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）を超えてライトしたことが検出された場合は、磁気ディスク１が１周するのを待って１サーボセクタ前からデータを書き直すことができる。従ってＯＶＲ+の最大値は、サーボセクタＳ１及びＳ２において位置決め誤差が第１の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）ぎりぎりだったときに、サンプル点間でライトヘッドがはみだす量であり、ＯＶＲ-に対して小さな値となる。

従って、トラック（ｋ−１）のデータが正常に読みとることができるためにＴＰＩＭ（トラックピッチの寄せ書きに対するマージン）が満足すべき不等式は下記のように表される。

ＴＰＩＭ ≧ ２×ＤＯＬ（ＰＯＳ）＋ＯＶＲ …（１）
ここで、
ＯＶＲ＝ＯＶＲ- ＋ＯＶＲ+ …（２）
次に、第２のライト禁止判定方式を説明する。

図３は第２のライト禁止判定方式を説明するための模式図である。図３は図２と同様に、トラック（ｋ−１）を書いた後にトラック（ｋ）を瓦書きしている様子を示す。トラック（ｋ）は、図中右方向（瓦書きとは逆方向）に位置決め誤差βが生じている。

３０１はトラック（ｋ）において、サーボセクタＳ１のサンプル位置である。ＤＯＬ（ＰＯＳ＿ＮＥＸＴ）はライト禁止の第２の閾値を示し、次のサーボセクタで検出されると予測される予測位置決め誤差３０２に対する閾値である。この予測位置決め誤差３０２は、現在の位置決め誤差と前サーボセクタにおける位置決め誤差から例えば次式のように求められる。

ｘｈａｔ（ｋ＋１）＝ｘ（ｋ）＋ｖｈａｔ（ｋ）＊Ｔｓ …（３）
ｖｈａｔ（ｋ）＝（ｘ（ｋ）−ｘ（ｋ−１））／Ｔｓ …（４）
ここで、
ｘｈａｔ（ｋ＋１）：予測位置決め誤差
ｘ（ｋ）：現在の位置決め誤差
ｘ（ｋ−１）：前サーボセクタで検出された位置決め誤差
ｖｈａｔ（ｋ）：現在の径方向推定速度
図３においてサンプル位置３０１の位置決め誤差βは、第１の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）以下である。しかし、予測位置決め誤差３０２は第２の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ＿ＮＥＸＴ）を超えているので、ライト禁止と判定される（ＷＦ検出）。このように第２のライト禁止判定方式では、次サーボセクタＳ２における位置決め誤差が予測される。この予測位置決め誤差３０２と第２の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ＿ＮＥＸＴ）との比較に基づいてライト禁止か否かが判断される。

次に、実施形態に係る第３のライト禁止判定方式を説明する。

図４及び図５は、実施形態に係る第３のライト禁止判定方式を説明するための模式図である。

図４（ａ）において、４００は現在の記録対象トラックを示し、４０１はこのトラック４００のトラックエッジを示す。４０２はトラック４００の目標トラックエッジ、４０３はトラック４００の次に記録されるトラックの目標トラックエッジを示す。４０４はトラック４００において、サーボセクタＳ１のサンプル位置である。このようにトラック４００は、図中左方向（瓦書き方向と同一方向）に位置決め誤差βが生じている。

ライトヘッド１０Ｗの位置がサンプル位置４０４であるとき、ライトヘッド１０Ｗの位置決め誤差βは第１の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）を超えていない。しかし、１サーボセクタ先のサーボセクタＳ２における予測位置決め誤差４０５は、第２の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ＿ＮＥＸＴ）を超えている。更に、図３の場合とは異なり、予測位置決め誤差の方向が瓦書き方向と同一方向である。この場合本実施形態では、ライトを禁止とはせずに１サーボセクタ先のサーボセクタＳ２において適用される第１の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）を閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）４０６のように厳格化（所定量だけ小さな値に設定）する。この厳格化された閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）４０６は、厳格化前の第１の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）に対して、例えば２０％程度小さい値に設定される。

図４（ｂ）はライトヘッド１０Ｗの磁気ディスク１に対する相対的な位置が、図４（ａ）に示すサンプル位置４０４からサーボセクタＳ２のサンプル位置４０７に移行した場合を示す。この時点で、ライトヘッド１０Ｗの位置決め誤差βは厳格化された閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）４０６以下の値である。従って、ライトは禁止されず（ＷＦ未検出）、そのままデータライトが続行される。この場合、ライトヘッド１０Ｗの軌跡（トラックエッジ）はサーボセクタＳ１及びＳ２のサンプル位置間において、元の第１の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）内を通る。このようにして、ライト禁止によるＨＤＤのパフォーマンスの低下を抑えると共に、ライトヘッド１０Ｗの軌跡が元の第１の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）内を通ることを保証する。これにより、図２（ａ）に示した瓦書きと同一方向のオーバーラン量ＯＶＲ+が０となる。オーバーラン量ＯＶＲ+を０とすることは必要条件ではないが、オーバーラン量ＯＶＲ+を小さくすることにより、後述するように当該ＨＤＤの性能を改善または容量を拡大することができる。

図５（ａ）は図５（ｂ）を理解しやすくするために参照される図であって、図４（ａ）と同様な図であるので、図５（ａ）の詳細説明は省略する。

図５（ｂ）はライトヘッド１０Ｗの位置が図５（ａ）に示すサンプル位置４０４からサーボセクタＳ２のサンプル位置４０８に移行した場合を示す。この時点で、ライトヘッド１０Ｗの位置決め誤差βは厳格化された閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）４０６を超えている。従って、ライトは禁止され（ＷＦ検出）、データライトは停止される。この場合、ライト停止までにライトヘッド軌跡が厳格化前の第１の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）以内に収まっている保証がない。従って、磁気ディスク１が１周するのを待ってサーボセクタＳ１以降のデータ領域からデータを書き直す。図５の例では、サーボセクタＳ１及びＳ２におけるサンプル位置はいずれも厳格化前の第１の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）内に収まっているが、サーボセクタＳ１及びＳ２のサンプル位置間のライトヘッド軌跡は、厳格化前の第１の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）を超えている。

瓦記録方式の場合、記録対象トラック４００の瓦書きと同一方向側（これから記録するデータ領域側）には消されて問題の生じる近隣のデータは存在しない。従って、このようにライトヘッド軌跡が、厳格化前の第１の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）を超えた場合でも、書き込み済みのデータが破壊されるような問題は生じない。

本実施形態によれば、予測位置決め誤差が瓦書きと同一方向に生じた場合のライト禁止判定が緩和されるため、ライト禁止によるパフォーマンスの低下を抑えることができる。また、ライト禁止の判定緩和による隣接データ破壊のリスク増大は無い。

図６は本実施形態において、瓦書き逆方向へのオフトラック発生時の動作を説明するための模式図である。図６は、トラック（ｋ−１）を書いた後にトラック（ｋ）を瓦書きしている様子を示す。

図６（ａ）において、５０１はトラック（ｋ）におけるサーボセクタＳ１のサンプル位置である。トラック（ｋ）にデータライト中、サーボセクタＳ１のサンプル時点において、ヘッドの位置決め誤差は第１の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）内で、かつ１サンプル先の予測位置決め誤差５０２はＤＯＬ（ＰＯＳ＿ＮＥＸＴ）内であるためＷＦ未検出である。

図６（ｂ）において、５０３はトラック（ｋ）におけるサーボセクタＳ２のサンプル位置である。サーボセクタＳ２のサンプル時点で、ヘッドの位置決め誤差βは第１の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）を超えているため、ＷＦ検出されてライトを停止する。

この時、データトラックｋからデータトラックｋ−１への最大の寄せ書き量は、
ＤＯＬ（ＰＯＳ）＋ＯＶＲ-
となる。

一方、トラック（ｋ−１）の＋方向（瓦書きと同一方向）への寄せ量は、本実施形態によりＯＶＲ+＝０であるから、
ＤＯＬ（ＰＯＳ）
となる。従って、トラック（ｋ−１）のデータが正常に読みとることができるためにＴＰＩＭ（トラックピッチの寄せ書きに対するマージン）が満足すべき不等式は下記のように表される。

ＴＰＩＭ ≧ ２×ＤＯＬ（ＰＯＳ）＋ＯＶＲ- …（５）
上式（５）は上式（１）及び（２）に比べ、瓦書きと同一方向のオーバーラン量ＯＶＲ+の項がない。すなわち本実施形態によれば従来に比べ、ＴＰＩＭが同一であれば、第１の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）を大きな値に設定できる。従って、ライト禁止を判定する確率が下がるので、ＨＤＤの性能改善が図れる。また本実施形態によれば従来に比べ、第１の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）が同一であれば、必要なＴＰＩＭを減らせられるため、トラック密度を上げることができる。

図７は、本実施形態に係るライト禁止判定処理を示すフローチャートである。この判定処理は、前述した第１〜第３のライト禁止判定方式を用いて実施される。また、この判定処理はデータライト時において、磁気ヘッド１０が各サーボセクタを通過するごとに行われる。

先ずＭＰＵ１４は、現在のヘッド位置決め誤差（ＰＯＳ＿ＣＵＲＲＥＮＴ）を計算する（Ｂ１）。次にＭＰＵ１４は、次サーボセクタでの予測位置決め誤差（ＰＯＳ＿ＮＥＸＴ）を、図３を参照して前述したように計算する（Ｂ２）。

ＭＰＵ１４は、現在のヘッド位置決め誤差の絶対値│ＰＯＳ＿ＣＵＲＲＥＮＴ│が、第１の閾値Ｔｈ１より大きいか判断する（Ｂ３）。この第１の閾値Ｔｈ１は前述の第１の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ）に対応する。現在のヘッド位置決め誤差の絶対値│ＰＯＳ＿ＣＵＲＲＥＮＴ│が、第１の閾値Ｔｈ１より大きい場合（Ｂ３のｙｅｓ）、ＭＰＵ１４はライトを禁止する（Ｂ４）。すなわちＭＰＵ１４は、ライトチャネル１２Ｗに対してライト禁止コマンドを送信し、ライト動作を禁止する。

現在のヘッド位置決め誤差の絶対値│ＰＯＳ＿ＣＵＲＲＥＮＴ│が、第１の閾値Ｔｈ１以下の場合（Ｂ３のｎｏ）、ＭＰＵ１４は、次サーボセクタでの予測位置決め誤差の絶対値│ＰＯＳ＿ＮＥＸＴ│が、第２の閾値Ｔｈ２より大きいか否か判断する（Ｂ５）。尚、この第２の閾値Ｔｈ２は前述の第２の閾値ＤＯＬ（ＰＯＳ＿ＮＥＸＴ）に対応する。また、この第２の閾値Ｔｈ２は一般に、第１の閾値Ｔｈ１より大きな値である。

次サーボセクタでの予測位置決め誤差の絶対値│ＰＯＳ＿ＮＥＸＴ│が、第２の閾値Ｔｈ２より大きい場合（Ｂ５のｙｅｓ）、ＭＰＵ１４は、予測位置決め誤差の方向ｓｉｇｎ（ＰＯＳ）と瓦書きの方向ｓｉｇｎ（Ｗｒｉｔｅ＿Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）が、同一か否か判断する（Ｂ６）。

予測位置決め誤差の方向ｓｉｇｎ（ＰＯＳ）と瓦書きの方向ｓｉｇｎ（Ｗｒｉｔｅ＿Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）が同一の場合（Ｂ６のｙｅｓ）、ＭＰＵ１４は、Ｂ３で参照される第１の閾値Ｔｈ１を厳格化（所定量だけ小さな値に設定）する（Ｂ７）。この厳格化された閾値は、次サーボセクタでのライト禁止判定処理における第１の閾値Ｔｈ１としてＢ３で用いられる。予測位置決め誤差の方向ｓｉｇｎ（ＰＯＳ）と瓦書きの方向ｓｉｇｎ（Ｗｒｉｔｅ＿Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）が異なる場合（Ｂ６のｎｏ）、ＭＰＵ１４はライトを禁止する（Ｂ４）。

Ｂ５において、次サーボセクタでの予測位置決め誤差の絶対値│ＰＯＳ＿ＮＥＸＴ│が、第２の閾値Ｔｈ２以下の場合（Ｂ５のｎｏ）、ＭＰＵ１４は第１の閾値Ｔｈ１を元の値に戻す（Ｂ８）。尚このとき、第１の閾値Ｔｈ１がＢ７のように厳格化されていなかった場合、第１の閾値Ｔｈ１に変更はない。

以上説明したように本実施形態によれば、瓦記録方式のＨＤＤにおいて、ライト禁止によるパフォーマンスの低下を抑えることができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…磁気ディスク、２…スピンドルモータ、３…アーム、４…ボイスコイルモータ、５…ヘッド・ディスクアセンブリ

Claims (6)

1. 位置決め誤差を検出するためのサーボ領域を複数有する磁気ディスクと、
   前記磁気ディスクに対してデータの記録及び再生を行う磁気ヘッドと、
   プロセッサと、を具備し、
   前記プロセッサは、
   前記磁気ディスクに前記磁気ヘッドにより瓦記録でデータを記録する際に、前記磁気ヘッドの前記磁気ディスク上の現在の位置決め誤差を検出し、
   前記現在の位置決め誤差を検出した現サーボ領域に対する次サーボ領域での予測位置決め誤差を計算し、
   前記現在の位置決め誤差と第１閾値との比較に基づいてライト禁止判定を行い、
   前記現在の位置決め誤差が前記第１閾値以下、且つ、前記予測位置決め誤差が前記第１閾値とは異なる第２閾値より大きくその方向が瓦記録の方向と同一である場合、前記第１閾値を所定量だけ小さい値に設定し、この所定量だけ小さい値は、次サーボ領域でのライト禁止判定における第１閾値として用いられる、
   磁気ディスク装置。
2. 前記プロセッサは、前記現在の位置決め誤差が前記第１閾値以下、且つ、前記予測位置決め誤差が前記第２閾値以下であって、前記第１閾値が元の値より所定量だけ小さい値に設定されている場合、前記第１閾値を元の値に戻す請求項１記載の磁気ディスク装置。
3. 前記プロセッサは、前記ライト禁止判定において、前記現在の位置決め誤差が前記第１閾値より大きい場合、ライト禁止と判定する請求項１記載の磁気ディスク装置。
4. 前記プロセッサは、前記現在の位置決め誤差が前記第１閾値以下、且つ、前記予測位置決め誤差が前記第２閾値より大きくその方向と瓦記録の方向が逆であった場合、ライト禁止と判定する請求項１記載の磁気ディスク装置。
5. 前記第２閾値は、前記第１閾値より大きな値である請求項１乃至４のいずれか１項記載の磁気ディスク装置。
6. 位置決め誤差を検出するためのサーボ領域を複数有する磁気ディスクと、前記磁気ディスクに対してデータの記録及び再生を行う磁気ヘッドとを具備する磁気ディスク装置におけるライト制御方法であって、
   前記磁気ディスクに前記磁気ヘッドにより瓦記録でデータを記録する際に、前記磁気ヘッドの前記磁気ディスク上の現在の位置決め誤差を検出し、
   前記現在の位置決め誤差を検出した現サーボ領域に対する次サーボ領域での予測位置決め誤差を計算し、
   前記現在の位置決め誤差と第１閾値との比較に基づいてライト禁止判定を行い、
   前記現在の位置決め誤差が前記第１閾値以下、且つ、前記予測位置決め誤差が前記第１閾値とは異なる第２閾値より大きくその方向が瓦記録の方向と同一である場合、前記第１閾値を所定量だけ小さい値に設定し、この所定量だけ小さい値は、次サーボ領域でのライト禁止判定における第１閾値として用いられる、
   ライト制御方法。

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