CN110910915B - 磁盘装置以及写入处理方法 - Google Patents

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Abstract

实施方式提供能够提高数据的记录容量的磁盘装置以及写入处理方法。实施方式所涉及的磁盘装置具备：盘；头，其向所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其基于第1错误率来控制所述头从而对第1磁道进行写入，所述第1错误率是对在所述盘的半径方向上与所述第1磁道相邻的第2磁道进行写入后立刻进行读取所得到的错误率。

Description

磁盘装置以及写入处理方法
本申请享受以日本专利申请2018-173567号(申请日：2018年9月18日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及磁盘装置以及写入(write)处理方法。
背景技术
磁盘装置在向预定磁道(track)写入数据时，利用在超过了向盘半径方向(径向)的离轨(off track，偏离磁道)的容许值(DOL：Drift-Off Level)的情况下禁止进行写入处理的功能等来控制头(head)的半径方向的位置，并控制该预定磁道在半径方向相邻的磁道(以下称为相邻磁道)的磁道宽度。向预定磁道的半径方向的离轨的容许值例如根据在写入后立刻进行读取的情况下的相邻磁道的各扇区(sector)的误码率(Bit Error Rate)中的最大的误码率来设定。因此，有可能难以使磁盘装置的磁道密度(TPI：Track Per Inch)提高。
发明内容
本发明的实施方式提供能够提高数据的记录容量的磁盘装置以及写入处理方法。
实施方式所涉及的磁盘装置具备：盘；头，其向所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其基于第1错误率(error rate)来控制所述头从而对第1磁道进行写入，所述第1错误率是对在所述盘的半径方向上与所述第1磁道相邻的第2磁道进行写入后立刻进行读取所得到的错误率。
其他实施方式所涉及的磁盘装置具备：盘；头，其向所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其基于第1错误率，使第2上限值比第1上限值大，所述第1错误率是对在所述盘的半径方向上与第1磁道相邻的第2磁道进行写入后立刻进行读取所得到的错误率，所述第1上限值是能够在所述第2磁道侧对所述第1磁道的第1扇区进行写入的上限值，所述第2上限值是能够在所述第2磁道侧对所述第1磁道的不同于所述第1扇区的第2扇区进行写入的上限值。
其他实施方式所涉及的写入处理方法是用于磁盘装置的写入处理方法，所述磁盘装置具备盘和头，所述头向所述盘写入数据、从所述盘读取数据，所述写入处理方法包括：基于第1错误率来控制所述头从而对第1磁道进行写入，所述第1错误率是对在所述盘的半径方向上与所述第1磁道相邻的第2磁道进行写入后立刻进行读取所得到的错误率。
附图说明
图1是表示实施方式所涉及的磁盘装置的构成的框图。
图2是表示实施方式所涉及的写入处理的一例的图。
图3是表示实施方式所涉及的写入处理系统WSY的一例的框图。
图4是表示实施方式所涉及的写入处理方法的一例的流程图。
图5是表示变形例1所涉及的写入处理的一例的图。
图6是表示变形例1所涉及的写入处理系统的一例的框图。
图7是表示变形例1所涉及的写入处理方法的一例的流程图。
图8是表示变形例2所涉及的写入处理的一例的图。
图9是表示变形例2所涉及的写入处理系统的一例的框图。
图10是表示变形例2所涉及的写入处理方法的一例的流程图。
图11是表示变形例3所涉及的写入处理的一例的图。
图12是表示变形例3所涉及的写入处理方法的一例的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，附图仅为一例，并非限定发明的范围。
(实施方式)
图1是表示实施方式所涉及的磁盘装置1的构成的框图。
磁盘装置1具备后述的头盘组件(HDA：head disk assembly)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下，头放大器IC或者前置放大器)30、易失性存储器70、缓冲存储器(缓冲)80、非易失性存储器90以及作为单芯片集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(以下简称为主机)100连接。
HDA具有磁盘(以下称为盘)10、主轴马达(以下称为SPM)12、装载着头15的臂13、以及音圈马达(以下称为VCM)14。盘10安装于SPM12，通过主轴马达12的驱动而旋转。臂13以及VCM14构成致动器。致动器利用VCM14的驱动，控制装载于臂13的头15移动到盘10上的预定位置。也可以设置两个或更多数量的盘10以及头15。
盘10在其能够写入数据的区域分配有能够由用户利用的用户数据区域10a和写入系统管理所需的信息的系统域10b。以下，将与盘10的半径方向正交的方向称为圆周方向。
头15将滑块作为主体，具备安装于该滑块的写入头15W和读取头15R。写入头15W向盘10写入数据。读取头15R读取记录于盘10的磁道的数据。此外，既存在将写入头15W简称为头15的情况，也存在将读取头15R简称为头15的情况，还存在将写入头15W以及读取头15R统称为头15的情况。“磁道”以将盘10在半径方向上划分出的多个区域中的一个区域、在盘10的圆周方向延长的数据、被写入磁道的数据、和其他各种含义来使用。“扇区”以将磁道在圆周方向上划分出的多个区域中的一个区域、被写入盘10的预定位置的数据、被写入扇区的数据、和其他各种含义来使用。另外，将磁道的半径方向的宽度称为磁道宽度，将磁道宽度的中心位置称为磁道中心。另外，也存在将磁道中心简称为磁道的情况。磁道中心例如是与盘10配置成同心圆状的近似正圆。
驱动器IC20按照系统控制器130(详细而言是后述的MPU60)的控制，控制SPM12以及VCM14的驱动。
头放大器IC(前置放大器)30具备读取放大器以及写入驱动器。读取放大器将由读取头15R从盘10读取到的读取信号进行放大，输出到系统控制器130(详细而言是后述的读取/写入(R/W)通道40)。写入驱动器将与从R/W通道40输出的信号相应的写入电流输出到写入头15W。
易失性存储器70是在电力供给切断时所保存的数据会丢失的半导体存储器。易失性存储器70存储在磁盘装置1的各部分的处理所需的数据等。易失性存储器70例如是DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)或者SDRAM(SynchronousDynamic Random Access Memory，同步动态随机存取存储器)。
缓冲存储器80是暂时地记录在磁盘装置1与主机100之间收发的数据等的半导体存储器。此外，缓冲存储器80也可以与易失性存储器70一体地构成。缓冲存储器80例如是DRAM、SRAM(Static Random Access Memory，静态随机存取存储器)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric Random Access memory，铁电随机存取存储器)或者MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻式随机存取存储器)等。
非易失性存储器90是即使电力供给断开也记录所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器90例如是NOR型或者NAND型的闪速存储器(Flash Read Only Memory：FROM，闪速只读存储器)。
系统控制器(控制器)130例如使用多个元件集成于单一芯片的被称作片上系统(System-on-a-Chip：Soc)的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器130包括读取/写入(R/W)通道40、硬盘控制器(HDC)50以及微处理器(MPU)60。系统控制器130与驱动器IC20、头放大器IC30、易失性存储器70、缓冲存储器80、非易失性存储器90以及主机系统100电连接。
R/W通道40根据来自后述的MPU60的指示，执行从盘10传送到主机100的读取数据以及从主机100传送的写入数据的信号处理。R/W通道40具有测定读取数据的信号品质的电路或者功能。R/W通道40例如与头放大器IC30、HDC50以及MPU60等电连接。
HDC50根据来自后述的MPU60的指示，控制主机100与R/W通道40之间的数据传送。HDC50例如与R/W通道40、MPU60、易失性存储器70、缓冲存储器80以及非易失性存储器90等电连接。
MPU60是控制磁盘装置1的各部分的主控制器。MPU60经由驱动器IC20控制VCM14，执行进行头15的定位的伺服控制。另外，MPU60经由驱动器IC20控制SPM12，使盘10旋转。MPU60控制向盘10的数据的写入工作(动作)，并且选择写入数据的保存目的地。另外，MPU60控制从盘10的数据的读取工作，并且控制读取数据的处理。MPU60与磁盘装置1的各部分连接。MPU60例如与驱动器IC20、R/W通道40以及HDC50等电连接。
MPU60具备读取/写入控制部610、错误率检测部620以及位置控制部630。MPU60在固件上执行它们各部分、例如读取/写入控制部610、错误率检测部620以及位置控制部630等的处理。此外，MPU60也可以具备它们各部分、例如读取/写入控制部610、错误率检测部620以及位置控制部630作为电路。
读取/写入控制部610按照来自主机100的指令，控制数据的读取处理以及写入处理。读取/写入控制部610经由驱动器IC20控制VCM14，将头15定位在盘10上的预定位置，读取或者写入数据。以下，也存在将“将头15(写入头15W以及读取头15R)的中心部定位或者配置在预定位置”简单记载为“将头15(写入头15W以及读取头15R)定位或者配置在预定位置”的情况。也存在将“将头15(写入头15W以及读取头15R)的中心部定位或者配置在设为预定磁道的目标的位置(以下称为目标位置)”记载为“将头15(写入头15W以及读取头15R)定位或者配置在预定磁道”的情况。另外，也存在将“头15(写入头15W以及读取头15R)的中心部从预定磁道的目标位置在半径方向上偏移”记载为“头15(写入头15W以及读取头15R)从预定磁道离轨”的情况。也存在将头15(写入头15W以及读取头15R)离轨的半径方向的距离称为离轨量的情况。读取/写入控制部610例如当在向预定磁道写入数据时写入头15W的半径位置超过了向半径方向的离轨量的上限值(DOL：Drift-Off Level)(以下称为容许值)的情况下，停止(或者禁止)向预定磁道的写入处理，并在写入头15W的半径位置变为容许值以下的情况下，恢复(再开始)向预定磁道的写入处理。读取/写入控制部610既可以在盘10的半径方向上沿一个方向(单侧)顺序地(sequential)写入数据，也可以将数据随机地(random)写入盘10。读取/写入控制部610既可以沿一个方向(单侧)顺序地读取在盘10上沿半径方向排列的多个磁道，也可以随机地读取被写入盘10的数据。以下，也存在将“向盘10写入数据”和“从盘10读取数据”统称为“进行访问”的情况。另外，也存在将“向盘10顺序地写入数据”和“从盘10顺序地读取数据”称为“顺序访问”的情况。
错误率检测部620检测将盘10在半径方向上划分出的多个记录区域中的至少一个预定记录区域、例如预定磁道的误码率(Bit Error Rate)。以下，将误码率称为错误率。错误率检测部620在对预定磁道进行写入后立刻对该磁道进行读取来检测错误率。以下，也存在将“在对预定磁道进行写入后立刻对该磁道进行读取所检测出的错误率”称为“在轨(ontrack)错误率”、将“相对于预定磁道的各圆周位置的在轨错误率的变化”称为“错误率的变化”或者简称为“错误率”的情况。在轨错误率例如是在没有受到以下影响的状态下检测出的该磁道的错误率，所述影响是在对预定磁道进行写入后在周围其他磁道写入时头15的记录磁场和/或盘10的磁化转变在半径方向上泄漏的边缘现象(fringing)等引起的。错误率检测部620计算错误率的阈值(以下称为错误率阈值)与预定磁道的在轨错误率的差量值。在此，错误率阈值例如相当于无法对已写入盘10中的数据进行读取的错误率或者能够对已写入盘10中的数据进行读取的最大的错误率。以下，也存在将“预定磁道的在轨错误率与错误率阈值的差量值”称为“余裕度”、将“预定磁道的各圆周位置的余裕度的变化”称为“余裕度的变化”或者简称为“余裕度”的情况。例如，错误率检测部620也可以在对预定磁道进行了写入时检测预定磁道的圆周方向的各位置、例如各扇区的在轨错误率。以下，也存在将预定磁道的圆周方向的位置称为圆周位置的情况。错误率检测部620也可以在对与预定磁道相邻的磁道(以下称为相邻磁道)进行了写入后对预定磁道写入数据时，检测相邻磁道的各圆周位置、例如各扇区的在轨错误率。在该情况下，错误率检测部620计算对应于和相邻磁道对应的错误率阈值与相邻磁道的在轨错误率的差量值的余裕度。另外，错误率检测部620也可以在预定的定时(timing)检测按盘10的每个预定记录区域设定的特定磁道的各扇区的在轨错误率。错误率检测部620也可以将检测出的预定磁道的各扇区的在轨错误率和/或余裕度记录于预定记录区域、例如盘10或者非易失性存储器90等。
位置控制部630在将盘10在半径方向上划分出的多个记录区域中的至少一个预定记录区域、例如预定磁道上，控制头15的半径方向的位置(以下称为半径位置)。例如，位置控制部630基于预定磁道的相邻磁道的在轨错误率，控制头15(写入头15W以及读取头15R)的半径位置。换言之，位置控制部630基于预定磁道的相邻磁道的余裕度，控制头15(写入头15W以及读取头15R)的半径位置。位置控制部630基于预定磁道的圆周方向的预定位置、例如预定扇区的在半径方向上相邻的相邻磁道的预定扇区(以下称为相邻扇区)的在轨错误率(余裕度)，控制预定扇区中的容许值。在预定扇区的相邻扇区的在轨错误率高的情况下，位置控制部630由于预定扇区的相邻扇区的数据会因对预定扇区写入数据时的边缘现象等而变得无法读取的可能性高，因而使预定扇区中的容许值减小、使预定扇区中的容许值稍稍增大、或者将预定扇区中的容许值维持不变。换言之，在预定扇区的相邻扇区的余裕度小的情况下，位置控制部630由于预定扇区的相邻扇区的数据会因对预定扇区写入数据时的边缘现象等而变得无法读取的可能性高，因而使预定扇区中的容许值减小、使预定扇区中的容许值稍稍增大、或者将预定扇区中的容许值维持不变。在预定扇区的相邻扇区的在轨错误率低的情况下，位置控制部630由于预定扇区的相邻扇区的数据会因对预定扇区写入数据时的边缘现象等而变得无法读取的可能性低，因而使预定扇区中的容许值增大。换言之，在预定扇区的相邻扇区的余裕度大的情况下，位置控制部630由于预定扇区的相邻扇区的数据会因对预定扇区写入数据时的边缘现象等而变得无法读取的可能性低，因而使预定扇区中的容许值增大。此外，在向预定磁道的预定扇区写入数据的情况下，位置控制部630也可以基于位于预定扇区的半径方向的磁道的预定扇区的在轨错误率(余裕度)，控制预定扇区中的容许值。在向预定磁道的预定扇区写入数据的情况下，位置控制部630也可以基于预定磁道的预定扇区的在半径方向上相邻的相邻扇区的在轨错误率(余裕度)，控制预定扇区中的目标位置。
图2是表示本实施方式所涉及的写入处理的一例的图。在图2中，在上段示出了表示相对于磁道TRn-1的各圆周位置的在轨错误率的变化E(n-1)的一例的图，在下段示出了表示盘10的磁道TRn上的写入处理的一例的图。
图2中表示了在半径方向上相邻的磁道TRn-1以及TRn。图2中表示了磁道TRn-1的磁道中心TRCn-1。在图2中，磁道TRn-1以磁道中心TRCn-1为目标位置进行写入。在图2中，磁道TRn-1位于磁道TRn的外方向。在图2中，为便于说明，磁道TRn-1以直线状延伸，但实际为沿着盘10的形状而弯曲。另外，磁道TRn-1也可以在半径方向上以波状变动并且在圆周方向上延伸。磁道TRn-1以磁道宽度Tw(n-1)进行写入。磁道TRn-1具有扇区S(n-1)A和不同于扇区S(n-1)A的扇区S(n-1)B。在此，扇区S(n-1)A的“A”和扇区S(n-1)B的“B”分别表示扇区的号码。扇区号相同的扇区例如在盘10中位于相同的圆周位置。磁道TRn-1在扇区S(n-1)A中的磁道宽度为Tw(n-1)A1，在扇区S(n-1)B中的磁道宽度为Tw(n-1)B1。磁道宽度Tw(n-1)A1比磁道宽度Tw(n-1)小。磁道宽度Tw(n-1)A1例如相当于能够用读取头15R进行读取的下限值。也就是说，若磁道宽度小于磁道宽度Tw(n-1)A1，则会变得无法由读取头15R读取数据。磁道宽度Tw(n-1)B1例如与磁道宽度Tw(n-1)等同。图2中表示了磁道TRn的磁道中心TRCn。在图2中，磁道TRn以磁道中心TRCn为目标位置进行写入。图2中表示了最初设定的磁道TRn上的外方向的各圆周位置的容许值的变化FDnO、和基于磁道TRn-1的错误率的变化E(n-1)所变更出的磁道TRn上的外方向的各圆周位置的容许值的变化SDnO。以下，也存在将“最初设定的预定磁道的各圆周位置的容许值的变化”称为“初始容许值的变化”或者简称为“初始容许值”的情况。另外，也存在将“基于位于预定磁道的半径方向上的磁道的错误率的变化所变更出的预定磁道的各圆周位置的容许值的变化”称为“修正容许值的变化”或者简称为“修正容许值”的情况。在图2所示的例子中，初始容许值的变化FDnO在磁道TRn的圆周方向上是固定的。例如，初始容许值的变化FDnO基于磁道TRn-1的错误率的变化E(n-1)内的最大的错误率来设定。磁道TRn具有在扇区S(n-1)A的内方向上相邻的扇区SnA、和在扇区S(n-1)B的内方向上相邻并且不同于扇区SnA的扇区SnB。在此，扇区SnA的“A”和扇区SnB的“B”分别表示扇区的号码。图2中表示了最初设定的磁道TRn的扇区SnA中的外方向的容许值FDnOA、基于磁道TRn-1的扇区S(n-1)A的错误率所变更出的磁道TRn的扇区SnA中的外方向的容许值SDnOA、最初设定的磁道TRn的扇区SnB中的外方向的容许值FDnOB、和基于磁道TRn-1的扇区S(n-1)B的错误率所变更出的磁道TRn的扇区SnB中的外方向的容许值SDnOB。以下，也存在将“最初设定的预定磁道的预定扇区中的容许值”简称为“初始容许值”的情况。另外，也存在将“基于位于预定磁道的扇区的半径方向上的扇区的错误率所变更出的预定磁道的扇区中的容许值”简称为“修正容许值”的情况。在图2所示的例子中，初始容许值FDnOA以及FDnOB从磁道中心TRCn在外方向上为相同的值。修正容许值SDnOA从磁道中心TRCn在外方向上比初始容许值FDnOA大。修正容许值SDnOA从磁道中心TRCn在外方向上比修正容许值SDnOB大。另外，初始容许值FDnOB以及修正容许值SDnOB从磁道中心TRCn在外方向上为相同的值。图2中表示了在对扇区SnA进行写入时的写入头15W和在对扇区SnB进行写入的情况下的写入头15W。另外，图2中表示了磁道TRn-1的磁道中心TRCn-1与磁道TRn的磁道中心TRCn的间隔(磁道间距)TPn-1。
在图2的表示错误率的变化E(n-1)的图中，横轴表示扇区号，纵轴表示错误率。在纵轴上，随着向“大”的箭头方向推移，错误率增大，随着向“小”的箭头方向推移，错误率减小。图2中表示了错误率阈值Eth。在图2中，表示了与磁道TRn-1的扇区号A对应的扇区S(n-1)A中的在轨错误率E(n-1)A、和与磁道TRn-1的扇区号B对应的扇区S(n-1)B中的在轨错误率E(n-1)B。在图2所示的例子中，在轨错误率E(n-1)A比在轨错误率E(n-1)B小。例如，在轨错误率E(n-1)B是错误率的变化E(n-1)内最大的错误率。另外，图2中表示了与在轨错误率E(n-1)A和错误率阈值Eth的差量值对应的余裕度M(n-1)A以及与在轨错误率E(n-1)B和错误率阈值Eth的差量值对应的余裕度M(n-1)B。在图2所示的例子中，余裕度M(n-1)A比余裕度M(n-1)B大。也就是说，扇区SnA中的写入头15W的向外方向的离轨量可以比扇区SnB中的写入头15W的向外方向的离轨量大。
在图2所示的例子中，在向磁道TRn写入数据的情况下，错误率检测部620检测磁道TRn-1的各圆周位置的错误率，从而检测磁道TRn-1的错误率的变化E(n-1)。错误率检测部620例如计算与错误率阈值Eth和错误率的变化E(n-1)的差量值对应的余裕度的变化。例如，错误率检测部620基于与扇区S(n-1)A对应的在轨错误率E(n-1)A和错误率阈值Eth来计算与扇区S(n-1)A对应的余裕度M(n-1)A。错误率检测部620基于与扇区S(n-1)B对应的在轨错误率E(n-1)B和错误率阈值Eth来计算与扇区S(n-1)B对应的余裕度M(n-1)B。
在图2所示的例子中，在向磁道TRn写入数据的情况下，位置控制部630基于余裕度的变化(错误率的变化E(n-1))，将磁道TRn的外方向的初始容许值的变化FDnO变更为外方向的修正容许值的变化SDnO。例如，位置控制部630在扇区SnA中基于余裕度M(n-1)A将外方向的初始容许值FDnOA变更为外方向的修正容许值SDnOA。另外，位置控制部630在扇区SnB中基于余裕度M(n-1)B将外方向的初始容许值FDnOB变更为外方向的修正容许值SDnOB。
在图2所示的例子中，读取/写入控制部610基于外方向的修正容许值的变化SDnO向磁道TRn进行写入。读取/写入控制部610在扇区SnA中在比外方向的修正容许值SDnOA靠外方向的半径位置处停止写入处理。换言之，读取/写入控制部610在比外方向的初始容许值FDnOA大的修正容许值SDnOA的范围内向扇区SnA进行写入。因此，在磁道TRn-1的扇区S(n-1)A中，磁道TRn-1的磁道宽度成为磁道宽度Tw(n-1)A1以上。也就是说，通过在磁道TRn的扇区SnA中控制写入头15W的半径位置以使得磁道TRn-1的扇区S(n-1)A中的磁道TRn-1的磁道宽度成为磁道宽度Tw(n-1)A1以上，由此能够切实地读取磁道TRn-1的扇区SnA。另外，读取/写入控制部610在扇区SnB中在比外方向的修正容许值SDnOB靠外方向的半径位置处停止写入处理。换言之，读取/写入控制部610在与初始容许值FDnOB大致等同的修正容许值SDnOA的范围内向扇区SnB进行写入。因此，在磁道TRn-1的扇区S(n-1)B中，磁道TRn-1的磁道宽度成为磁道宽度Tw(n-1)B1(＝Tw(n-1))。读取/写入控制部610能够在到扇区SnA比扇区SnB更靠近磁道中心TRCn-1的半径位置处为止写入数据。此外，当在对位于磁道TRn的内方向的磁道进行了写入后再对磁道TRn进行写入的情况下，也能够与图2所示的在对磁道TRn-1进行了写入后再对磁道TRn进行写入的情况同样地执行写入处理。在本实施方式中，例如在对磁道TRn-1进行了写入后顺序访问磁道TRn，由写入头15W基于修正容许值的变化SDnO对磁道TRn进行写入。
图3是表示本实施方式所涉及的写入处理系统WSY的一例的框图。
MPU60具有用于执行写入处理的写入处理系统WSY。写入处理系统WSY具备读取/写入控制部610、错误率检测部620、位置控制部630、余裕度计算器6110以及修正容许值计算器6120。读取/写入控制部610具有访问控制部612。位置控制部630具有初始容许值表632、头位置解调器634、初始目标位置变换器636、运算部C1以及运算部C2。
余裕度计算器6110计算错误率阈值与错误率的差量值作为余裕度。修正容许值计算器6120基于余裕度来计算容许值的修正量(以下称为容许值修正量)。初始容许值表632保持有与盘10的各磁道对应的初始容许值。头位置解调器634将自R/W通道40输入的从盘10读取到的伺服信息进行解调从而检测盘10中的当前(或者实际)的头15的半径位置(以下称为实际位置)。初始目标位置变换器636将所指定的地址变换为初始目标位置。比较器638对相对于初始目标位置的实际位置的偏离(以下称为定位误差)与修正容许值进行比较，根据比较结果输出允许写入的信号(以下称为写入允许信号)或者禁止写入的信号(以下称为写入禁止信号)。例如，比较器638在定位误差比修正容许值大的情况下，输出写入禁止信号，在定位误差小于等于修正容许值的情况下，输出写入允许信号。读取/写入控制部610在收到写入允许信号的情况下执行写入处理，在收到写入禁止信号的情况下禁止(或者停止)进行写入处理。访问控制部612例如输出使头15访问从主机100指定的地址的信号(以下简称为地址)。
错误率检测部620对余裕度计算器6110输出错误率。余裕度计算器6110被输入错误率。余裕度计算器6110将余裕度输出给修正容许值计算器6120。修正容许值计算器6120被输入余裕度。修正容许值计算器6120将容许值修正量输出给运算部C1。初始容许值表632将初始容许值输出给运算部C1。运算部C1被输入初始容许值以及容许值修正量。运算部C1将对初始容许值加上容许值修正量而得到的修正容许值输出给比较器638。头位置解调器634由R/W通道40输入伺服信息。头位置解调器634将实际位置输出给运算部C2。访问控制部612将所指定的地址输出给初始目标位置变换器636。初始目标位置变换器636被输入所指定的地址。初始目标位置变换器636将初始目标位置输出给运算部C2。运算部C2被输入实际位置以及初始目标位置。运算部C2将从实际位置减去初始目标位置而得到的定位误差输出给比较器638。比较器638被输入修正容许值以及定位误差。比较器638对修正容许值以及定位误差进行比较，根据比较结果将写入允许信号或者写入禁止信号输出给读取/写入控制部610。
图4是表示本实施方式所涉及的写入处理方法的一例的流程图。
MPU60检测预定磁道的相邻磁道的错误率(B401)。例如，MPU60检测预定磁道的相邻磁道的错误率的变化。MPU60基于预定磁道的相邻磁道的错误率和错误率阈值，计算该相邻磁道上的余裕度(B402)。例如，MPU60基于预定相邻磁道的错误率的变化和错误率阈值，计算该相邻磁道上的余裕度的变化。MPU60基于与预定磁道的相邻磁道对应的余裕度(余裕度的变化)，变更预定磁道的容许值(容许值的变化)(B403)。例如，MPU60基于与预定磁道的相邻磁道对应的余裕度的变化，变更预定磁道的容许值的变化。MPU60在与预定磁道的预定扇区的相邻扇区对应的余裕度大的情况下，使预定扇区的容许值增大。MPU60在与预定磁道的预定扇区的相邻扇区对应的余裕度小的情况下，使预定扇区的容许值减小、稍微增大或者维持不变。MPU60基于修正容许值(修正容许值的变化)，对预定磁道执行写入处理(B404)，并结束处理。例如，MPU60基于修正容许值的变化，以预定磁道的磁道中心为目标位置执行写入处理。
根据本实施方式，磁盘装置1检测预定磁道的相邻磁道的错误率(错误率的变化)，基于检测出的相邻磁道的错误率(错误率的变化)和错误率阈值来计算与相邻磁道对应的余裕度(余裕度的变化)，基于与相邻磁道对应的余裕度来变更预定磁道的容许值(容许值的变化)，并基于修正容许值(修正容许值的变化)向预定磁道写入数据。因此，磁盘装置1能够抑制写入头15W超过容许值从而停止写入处理这一情况。因此，能够照样维持使写入处理停止的频度并缩小磁道间距。因此，磁盘装置1能够提高数据的记录容量。
接着，对变形例所涉及的磁盘装置进行说明。在变形例中，对与前述的实施方式相同的部分赋予相同的标号并省略其详细的说明。
(变形例1)
变形例1的磁盘装置1与前述的实施方式的不同之处在于，其向与预定磁道的半径方向的两边相邻的相邻磁道进行写入。
图5是表示变形例1所涉及的写入处理的一例的图。在图5中，在下段示出表示盘10的磁道TRn-2以及TRn上的写入处理的一例的图。
图5中表示了沿半径方向连续排列的磁道TRn-2、TRn-1以及TRn。也就是说，磁道TRn-2以及TRn-1在半径方向上相邻。磁道TRn-1以及TRn在半径方向上相邻。
图5中表示了将基于磁道TRn-1的错误率的变化E(n-1)所变更出的磁道TRn上的外方向的修正容许值的变化SDnO进行调整而得到的容许值的变化TDnO。以下，将“将修正容许值的变化进行调整而得到的容许值的变化”称为“调整容许值的变化”或者简称为“调整容许值”。图5中表示了磁道TRn-2的磁道中心TRCn-2。在图5中，磁道TRn-2以磁道中心TRCn-2为目标位置进行写入。图5中表示了磁道TRn-2上的内方向的初始容许值的变化FD(n-2)I、基于磁道TRn-1的错误率的变化E(n-1)所变更出的磁道TRn-2上的内方向的修正容许值的变化SD(n-2)I、和将修正容许值的变化SD(n-2)I进行调整而得到的调整容许值的变化TD(n-2)I。在图5所示的例子中，初始容许值的变化FD(n-2)I在磁道TRn-2的圆周方向上是固定的。例如，初始容许值的变化FD(n-2)I基于磁道TRn-1的错误率的变化E(n-1)内的最大的错误率来设定。例如，初始容许值的变化FD(n-2)I与初始容许值的变化FDnO以磁道中心TRCn-1为对称轴相对称。例如，修正容许值的变化SD(n-2)I与修正容许值的变化SDnO以磁道中心TRCn-1为对称轴相对称。例如，调整容许值的变化TD(n-2)I与调整容许值的变化TDnO以磁道中心TRCn-1为对称轴相对称。
图5中表示了将外方向的修正容许值SDnOA进行调整而得到的外方向的容许值TDnOA、和将外方向的修正容许值SDnOB进行调整而得到的外方向的容许值TDnOB。以下，也存在将“将修正容许值进行调整而得到的容许值”简称为“调整容许值”的情况。在图5所示的例子中，调整容许值TDnOA从磁道中心TRCn在外方向上比修正容许值SDnOA小而比初始容许值FDnOA大。例如，调整容许值TDnOA从磁道中心TRCn在外方向上大约为修正容许值SDnOA的一半以下。调整容许值TDnOB从磁道中心TRCn在外方向上与初始容许值FDnOB为相同的值。
磁道TRn-2具有在扇区S(n-1)A的外方向上相邻的扇区S(n-2)A、和在扇区S(n-1)B的外方向上相邻并且不同于扇区S(n-2)A的扇区S(n-2)B。在此，扇区S(n-2)A的“A”和扇区S(n-2)B的“B”分别表示扇区的号码。
图5中表示了磁道TRn-2的扇区S(n-2)A中的内方向的初始容许值FD(n-2)IA、基于磁道TRn-1的扇区S(n-1)A的错误率E(n-1)A所变更出的磁道TRn-2的扇区S(n-2)A中的内方向的修正容许值SD(n-2)IA、将内方向的修正容许值SD(n-2)IA进行调整而得到的内方向的调整容许值TD(n-2)IA、磁道TRn-2的扇区S(n-2)B中的内方向的容许值FD(n-2)IB、基于磁道TRn-1的扇区S(n-1)B的错误率E(n-1)B所变更出的磁道TRn-2的扇区S(n-2)B中的内方向的修正容许值SD(n-2)IB、和将内方向的修正容许值SD(n-2)IB进行调整而得到的内方向的调整容许值TD(n-2)IB。在图5所示的例子中，初始容许值FD(n-2)IA以及FD(n-2)IB从磁道中心TRCn-2在内方向上为相同的值。修正容许值SD(n-2)IA从磁道中心TRCn-2在内方向上比初始容许值FD(n-2)IA大。修正容许值SD(n-2)IA从磁道中心TRCn-2在内方向上比修正容许值SD(n-2)IB大。初始容许值FD(n-2)IB以及修正容许值SD(n-2)IB从磁道中心TRCn-2在内方向上为相同的值。调整容许值TD(n-2)IA从磁道中心TRCn-2在内方向上比修正容许值SD(n-2)IA小而比初始容许值FD(n-2)IA大。例如，调整容许值TD(n-1)IA从磁道中心TRCn-2在内方向上大约为修正容许值SD(n-2)IA的一半以下。调整容许值TD(n-2)IB从磁道中心TRCn-2在内方向上与初始容许值FD(n-2)IB为相同的值。图5中表示了在对扇区S(n-2)A进行写入时的写入头15W和在对扇区S(n-2)B进行写入的情况下的写入头15W。另外，图5中表示了磁道TRn-1的磁道中心TRCn-1与磁道TRn-2的磁道中心TRCn-2的间隔(磁道间距)TPn-2。
在图5所示的例子中，当在向磁道TRn-1进行了写入后向磁道TRn以及磁道TRn-2写入数据的情况下，位置控制部630将基于余裕度的变化(错误率的变化E(n+1))和磁道TRn-2的内方向的初始容许值的变化FD(n-2)I所计算出的内方向的修正容许值的变化SD(n-2)I调整为内方向的调整容许值的变化TD(n-2)I。另外，当在向磁道TRn-1进行了写入后向磁道TRn以及磁道TRn-2写入数据的情况下，将基于余裕度的变化和磁道TRn的外方向的初始容许值的变化FDnO所计算出的外方向的修正容许值的变化SDnO调整为外方向的调整容许值的变化TDnO。例如，位置控制部630在扇区S(n-2)A中将基于余裕度M(n-1)A以及内方向的初始容许值FD(n-2)IA所计算出的内方向的修正容许值SD(n-2)IA调整为调整容许值TD(n-2)IA。位置控制部630在扇区S(n-2)B中将基于余裕度M(n-1)B以及内方向的初始容许值FD(n-2)IB所计算出的内方向的修正容许值SD(n-2)IB调整为调整容许值TD(n-2)IB。另外，位置控制部630在扇区SnA中将基于余裕度M(n-1)A以及外方向的初始容许值FDnOA所计算出的外方向的修正容许值SDnOA调整为调整容许值TDnOA。位置控制部630在扇区SnB中将基于余裕度M(n-1)B以及外方向的初始容许值FDnOB所计算出的外方向的修正容许值SDnOB调整为调整容许值TDnOB。
在图5所示的例子中，读取/写入控制部610基于外方向的调整容许值的变化TDnO向磁道TRn进行写入，基于内方向的调整容许值的变化TD(n-2)I向磁道TRn-2进行写入。
读取/写入控制部610在扇区SnA中在比外方向的调整容许值TDnOA靠外方向的半径位置处停止写入处理，在扇区S(n-2)A中在比内方向的调整容许值TD(n-2)IA靠内方向的半径位置处停止写入处理。换言之，读取/写入控制部610能够在比外方向的初始容许值FDnOA大而比外方向的修正容许值SDnOA小的外方向的调整容许值TDnOA的范围内向扇区SnA进行写入。读取/写入控制部610能够在比内方向的初始容许值FD(n-2)IA大而比内方向的修正容许值SD(n-2)IA小的内方向的调整容许值TD(n-2)IA的范围内向扇区S(n-2)A进行写入。例如，有可能对扇区S(n-1)A的半径方向的两边的相邻扇区进行随机访问，从而在扇区SnA中写入头15W位于修正容许值SDnOA来写入数据，在扇区S(n-2)A中写入头15W位于修正容许值SD(n-2)IA来写入数据。在该情况下，磁道TRn-1的磁道宽度成为磁道宽度Tw(n-1)A2。因此，在该情况下有可能无法读取数据。在变形例1中，例如能够对扇区S(n-1)A的半径方向的两边的相邻扇区进行随机访问，从而在扇区SnA中写入头15W位于调整容许值TDnOA来写入数据，在扇区S(n-2)A中写入头15W位于调整容许值TD(n-2)IA来写入数据。在该情况下，磁道TRn-1的磁道宽度成为磁道宽度Tw(n-1)A1。因此，在变形例1中能够读取数据。
读取/写入控制部610在扇区SnB中在比外方向的调整容许值TDnOB靠外方向的半径位置处停止写入处理。换言之，读取/写入控制部610在与外方向的初始容许值FDnOB大致等同的外方向的调整容许值TDnOB的范围内向扇区SnB进行写入。读取/写入控制部610在扇区S(n-2)B中在比内方向的调整容许值TD(n-2)IB靠内方向的半径位置处停止写入处理。换言之，读取/写入控制部610在与内方向的初始容许值FD(n-2)IB大致等同的内方向的调整容许值TD(n-2)IB的范围内向扇区S(n-2)B进行写入。
图6是表示变形例1所涉及的写入处理系统WSY的一例的框图。
写入处理系统WSY具备增益(或者开关)6130。读取/写入控制部610具有访问模式指示部614。
访问模式指示部614输出指示向预定地址的访问模式、例如是对预定地址进行顺序访问还是进行随机访问的信号(以下称为访问模式信号)。增益(开关)6130基于访问模式信号来调整容许值修正量。例如，增益6130在收到对预定地址的两侧进行随机访问的信号的情况下，将容许值修正量减半。
修正容许值计算器6120将容许值修正量输出给增益6130。访问模式指示部614将访问模式信号输出给增益6130。增益6130将基于访问模式信号调整出的容许值修正量输出给运算部C1。
图7是表示变形例1所涉及的写入处理方法的一例的流程图。
MPU60检测在半径方向的两边写入数据的预定磁道的错误率(B701)。MPU60计算预定磁道的余裕度(B702)。MPU60变更预定磁道的外方向的相邻磁道的容许值(B703)。例如，MPU60将基于余裕度和预定磁道的外方向的相邻磁道的初始容许值计算出的外方向的相邻磁道的内方向的修正容许值变更为比内方向的修正容许值小的内方向的调整容许值。MPU60变更预定磁道的内方向的相邻磁道的容许值(B704)。例如，MPU60将基于余裕度和预定磁道的内方向的相邻磁道的初始容许值计算出的内方向的相邻磁道的外方向的修正容许值变更为比外方向的修正容许值小的外方向的调整容许值。MPU60基于变更出的外方向的磁道的容许值和内方向的磁道的容许值，以预定磁道的磁道中心为目标位置执行写入处理(B705)，并结束处理。
根据变形例1，磁盘装置1检测在半径方向的两边的相邻磁道写入数据的预定磁道的错误率，基于预定磁道的错误率和错误率阈值来计算与预定磁道对应的余裕度。磁盘装置1将基于余裕度和预定磁道的外方向的相邻磁道的初始容许值计算出的外方向的相邻磁道的内方向的修正容许值变更为比内方向的修正容许值小的内方向的调整容许值。磁盘装置1将基于余裕度和预定磁道的内方向的相邻磁道的初始容许值计算出的内方向的相邻磁道的外方向的修正容许值变更为比外方向的修正容许值小的外方向的调整容许值。磁盘装置1基于变更出的与外方向的相邻磁道对应的调整容许值和与内方向的相邻磁道对应的调整容许值来向预定磁道写入数据。因此，磁盘装置1在向预定磁道的半径方向的两边的相邻磁道写入数据的情况下也能够将预定磁道宽度维持在能够读取的宽度。因此，能够照样维持使写入处理停止的频度并缩小磁道间距。因此，磁盘装置1能够提高数据的记录容量。
(变形例2)
变形例2的磁盘装置1与前述的实施方式以及变形例1的不同之处在于，其基于预定磁道的相邻磁道的余裕度来变更预定磁道上的头15的各圆周位置的目标位置。以下，也存在将“头15(写入头15W以及读取头15R)的各圆周位置的目标位置”称为“目标位置的变化”、“目标路径”或者简称为“目标位置”的情况。
MPU60基于在半径方向上与预定磁道相邻的相邻磁道的在轨错误率的变化(余裕度的变化)，控制预定磁道上的头15(写入头15W以及读取头15R)的目标路径。例如，位置控制部630基于预定磁道的预定扇区的在半径方向上相邻的相邻磁道的相邻扇区的在轨错误率(余裕度)，控制预定扇区中的头15的目标位置。在预定扇区的相邻扇区的在轨错误率高的情况下，位置控制部630将预定扇区中的目标位置移向与相邻扇区相反侧、将预定扇区中的目标位置稍稍移向相邻扇区侧、或者将预定扇区中的目标位置维持不变。换言之，在预定扇区的相邻扇区的余裕度小的情况下，位置控制部630将预定扇区中的目标位置移向与相邻扇区相反侧、将预定扇区中的目标位置稍稍移向相邻扇区侧、或者将预定扇区中的目标位置维持不变。在预定扇区的相邻扇区的在轨错误率低的情况下，位置控制部630将预定扇区中的目标位置移向相邻扇区侧。换言之，在预定扇区的相邻扇区的余裕度大的情况下，位置控制部630将预定扇区中的目标位置移向相邻扇区侧。
图8是表示变形例2所涉及的写入处理的一例的图。图8中表示了最初设定的磁道TRn上的头15(写入头15W以及读取头15R)的目标路径FTGn、和基于磁道TRn-1的错误率的变化E(n-1)所变更出的磁道TRn上的头15(写入头15W以及读取头15R)的目标路径STGn1。以下，也存在将“最初设定的预定磁道的各圆周位置的目标路径”称为“初始目标位置的变化”、“初始目标路径”或者简称为“初始目标位置”的情况。另外，也存在将“基于位于预定磁道的半径方向上的磁道的错误率的变化所变更出的预定磁道的各圆周位置的目标路径”称为“修正目标位置的变化”、“修正目标路径”或者简称为“修正目标位置”的情况。在图8所示的例子中，初始目标路径FTGn对应于磁道TRn的磁道中心TRCn。图8中表示了最初设定的磁道TRn的扇区SnA中的目标位置FTGnA、基于磁道TRn-1的错误率的变化E(n-1)所变更出的磁道TRn的扇区SnA中的目标位置STGn1A、所预测的磁道TRn的扇区SnA中的外方向的最大的离轨量OnOA、最初设定的磁道TRn的扇区SnB中的目标位置FTGnB、基于磁道TRn-1的错误率的变化E(n-1)所变更出的磁道TRn的扇区SnB中的目标位置STGn1B、和所预测的磁道TRn的扇区SnB中的外方向的最大的离轨量OnOB。以下，也存在将“最初设定的预定磁道的预定扇区中的目标位置”简称为“初始目标位置”的情况。也存在将“基于位于预定磁道的半径方向上的磁道的错误率的变化所变更出的预定磁道的扇区中的目标位置”简称为“修正目标位置”的情况。另外，将“所预测的预定磁道的预定扇区中的外方向的最大的离轨量”简称为“外方向的最大离轨量”。在图8所示的例子中，初始目标位置FTGnA以及FTGnB为相同的半径位置，对应于磁道TRn的磁道中心TRCn。修正目标位置STGn1A相对于初始目标位置FTGnA而位于外方向。修正目标位置STGn1B相对于初始目标位置FTGnB而位于内方向。图8中表示了在扇区SnA中相对于修正目标位置STGn1A而以外方向的最大离轨量OnOA向外方向离轨的写入头15W、和在扇区SnB中相对于修正目标位置STGn1B而以外方向的最大离轨量OnOB向外方向离轨的写入头15W。例如，外方向的最大离轨量OnOA与外方向的最大离轨量OnOB为相同的值。此外，外方向的最大离轨量OnOA与外方向的最大离轨量OnOB也可以分别为不同的值。
在图8所示的例子中，在向磁道TRn写入数据的情况下，MPU60基于与磁道TRn-1对应的余裕度的变化(错误率的变化E(n-1))，将磁道TRn的初始目标路径FTGn变更为修正目标路径STGn1。例如，MPU60在扇区SnA中基于余裕度M(n-1)A将初始目标位置FTGnA变更为修正目标位置STGn1A。另外，MPU60在扇区SnB中基于余裕度M(n-1)B将初始目标位置FTGnB变更为修正目标位置STGn1B。
在图8所示的例子中，MPU60基于修正目标路径STGn1向磁道TRn进行写入。MPU60在扇区SnA中基于修正目标位置STGn1A来写入数据。MPU60有可能相对于修正目标位置STGn1A而以外方向的最大离轨量OnOA离轨地写入数据。因此，在磁道TRn-1的扇区S(n-1)A中，磁道TRn-1的磁道宽度成为磁道宽度Tw(n-1)A1以上。另外，读取/写入控制部610在扇区SnB中基于修正目标位置STGn1B来写入数据。MPU60有可能相对于修正目标位置STGn1B而以外方向的最大离轨量OnOB离轨地写入数据。因此，在磁道TRn-1的扇区S(n-1)B中，磁道TRn-1的磁道宽度成为磁道宽度Tw(n-1)B1(＝Tw(n-1))。也就是说，在磁道TRn-1的扇区S(n-1)B中，磁道TRn-1的磁道宽度Tw(n-1)B1成为磁道宽度Tw(n-1)A1以上。此外，当在对位于磁道TRn的内方向的磁道进行了写入后再对磁道TRn进行写入的情况下，也能够与图8所示的在对磁道TRn-1进行了写入后再对磁道TRn进行写入的情况同样地执行写入处理。
图9是表示变形例2所涉及的写入处理系统WSY的一例的框图。
写入处理系统WSY具备读取/写入控制部610、错误率检测部620、位置控制部630、修正目标位置计算器6140以及运算部C3、运算部C4。
修正目标位置计算器6140基于余裕度来计算目标位置的修正量(以下称为目标位置修正量)。
余裕度计算器6110将余裕度输出给修正目标位置计算器6140。修正目标位置计算器6140被输入余裕度。修正目标位置计算器6140将目标位置修正量输出给运算部C3。初始目标位置变换器636将初始目标位置输出给运算部C3。运算部C3被输入目标位置修正量以及初始目标位置。运算部C3将对初始目标位置加上目标位置修正量而得到的修正目标位置输出给运算部C4。头位置解调器634将实际位置输出给运算部C4。运算部C4被输入修正目标位置以及实际位置。运算部C4将从实际位置减去修正目标位置而得到的定位误差输出给比较器638。初始容许值表632将初始容许值输出给比较器638。比较器638被输入初始容许值以及定位误差。比较器638对初始容许值以及定位误差进行比较，根据比较结果将写入允许信号或者写入禁止信号输出给读取/写入控制部610。例如，比较器638在定位误差比初始容许值大的情况下，将写入禁止信号输出给读取/写入控制部610。另外例如，比较器638在定位误差小于等于初始容许值的情况下，将写入允许信号输出给读取/写入控制部610。
图10是表示变形例2所涉及的写入处理方法的一例的流程图。
MPU60检测预定磁道的相邻磁道的错误率(B401)，基于预定磁道的相邻磁道的错误率和错误率阈值，计算该相邻磁道上的余裕度(B402)。MPU60基于与预定磁道的相邻磁道对应的余裕度(余裕度的变化)，变更预定磁道的目标位置(目标路径)(B1001)。例如，MPU60基于与预定磁道的相邻磁道对应的余裕度的变化，变更预定磁道的目标路径。MPU60在与预定磁道的预定扇区的相邻扇区对应的余裕度大的情况下，将预定扇区的目标位置移向相邻扇区侧。MPU60在与预定磁道的预定扇区的相邻扇区对应的余裕度小的情况下，将预定扇区的目标位置移向与相邻扇区相反侧。MPU60基于修正目标位置(修正目标路径)，对预定磁道执行写入处理(B1002)，并结束处理。例如，MPU60基于修正目标路径，对预定磁道执行写入处理。
根据变形例2，磁盘装置1检测预定磁道的相邻磁道的错误率(错误率的变化)，基于检测出的相邻磁道的错误率(错误率的变化)和错误率阈值来计算与相邻磁道对应的余裕度(余裕度的变化)，基于与相邻磁道对应的余裕度(余裕度的变化)来变更预定磁道的目标位置(目标路径)，并基于修正目标位置(修正目标路径)向预定磁道写入数据。因此，磁盘装置1在相邻磁道的余裕度大的圆周位置处将目标位置移向相邻磁道侧，在相邻磁道的余裕度小的圆周位置处将目标位置移向与相邻磁道相反侧。因此，能够缩小相对于相邻磁道的平均的目标位置的间隔、即磁道间距。因此，磁盘装置1能够提高数据的记录容量。
此外，变形例2的磁盘装置1具有容许值，也可以如前述的实施方式所示的那样基于余裕度来变更容许值。
(变形例3)
变形例3的磁盘装置1与前述的变形例2的不同之处在于，其对在半径方向上磁道在两边相邻的预定磁道进行写入。
图11是表示变形例3所涉及的写入处理的一例的图。在图11中，在上段示出表示相对于磁道TRn-1的各圆周位置的在轨错误率的变化E(n-1)和相对于磁道TRn+1的各圆周位置的在轨错误率的变化E(n+1)的一例的图。
图11中还表示了磁道TRn的在内方向相邻的磁道TRn+1。图11中表示了磁道TRn+1的磁道中心TRCn+1。在图11中，磁道TRn+1以磁道中心TRCn+1为目标位置进行写入。在图11中，为便于说明，磁道TRn+1以直线状延伸，但实际为沿着盘10的形状而弯曲。另外，磁道TRn+1也可以在半径方向上以波状变动并且在圆周方向上延伸。磁道TRn+1以磁道宽度Tw(n+1)进行写入。磁道TRn+1具有在扇区SnA的内方向上相邻的扇区S(n+1)A、和在扇区SnB的内方向上相邻并且不同于扇区S(n+1)A的扇区S(n+1)B。在此，扇区S(n+1)A的“A”和扇区S(n+1)B的“B”分别表示扇区的号码。在图11中，磁道TRn-1在扇区S(n-1)B中的磁道宽度为Tw(n-1)B2。磁道宽度Tw(n-1)B2比磁道宽度Tw(n-1)A1大。磁道TRn+1在扇区S(n+1)A中的磁道宽度为Tw(n+1)A，在扇区S(n+1)B中的磁道宽度为Tw(n+1)B2。磁道宽度Tw(n+1)例如与磁道宽度Tw(n-1)等同。磁道宽度Tw(n+1)A例如与磁道宽度Tw(n+1)等同。磁道宽度Tw(n+1)B2比磁道宽度Tw(n+1)A小。磁道宽度Tw(n+1)A以及Tw(n+1)B2比磁道宽度Tw(n-1)A1大。磁道宽度Tw(n+1)B2比磁道宽度Tw(n-1)B2大。图11中表示了修正目标路径STGn2。另外，图11中表示了与磁道TRn+1的磁道中心TRCn+1和磁道TRn的磁道中心TRCn的间隔对应的磁道间距TPn。
在图11中，表示了与磁道TRn+1的扇区号A对应的扇区S(n+1)A中的在轨错误率E(n+1)A、和与磁道TRn+1的扇区号B对应的扇区S(n+1)B中的在轨错误率E(n+1)B。在图11所示的例子中，在轨错误率E(n+1)A比在轨错误率E(n+1)B小。在轨错误率E(n+1)A比在轨错误率E(n-1)A以及E(n-1)B大。例如，在轨错误率E(n+1)B是错误率的变化E(n+1)内最大的错误率。在轨错误率E(n+1)B比在轨错误率E(n-1)A以及E(n-1)B大。另外，图11中表示了与在轨错误率E(n+1)A和错误率阈值Eth的差量值对应的余裕度M(n+1)A以及与在轨错误率E(n+1)B和错误率阈值Eth的差量值对应的余裕度M(n+1)B。在图11所示的例子中，余裕度M(n+1)A比余裕度M(n+1)B大。也就是说，扇区SnA中的写入头15W的向内方向的离轨量可以比扇区SnB中的写入头15W的向内方向的离轨量大。
图11中表示了所预测的磁道TRn的扇区SnA中的内方向的最大的离轨量OnIA以及所预测的磁道TRn的扇区SnB中的内方向的最大的离轨量OnIB。以下，将“所预测的预定磁道的预定扇区中的内方向的最大的离轨量”简称为“内方向的最大离轨量”。修正目标位置STGn2B相对于初始目标位置FTGnB而位于外方向。在图11中，表示了在扇区SnA中相对于修正目标位置STGn2A而以内方向的最大离轨量OnIA向内方向离轨的写入头15W、在扇区SnB中相对于修正目标位置STGn2B而以外方向的最大离轨量OnOB向外方向离轨的写入头15W、和在扇区SnB中相对于修正目标位置STGn2B而以内方向的最大离轨量OnIB向外方向离轨的写入头15W。例如，外方向的最大离轨量OnOA以及OnOB与内方向的最大离轨量OnIA以及OnIB为相同的值。此外，外方向的最大离轨量OnOA以及OnOB与内方向的最大离轨量OnIA以及OnIB也可以分别为不同的值。
在图11所示的例子中，在向磁道TRn写入数据的情况下，MPU60基于与磁道TRn-1对应的余裕度的变化(错误率的变化E(n-1))和与磁道TRn+1对应的余裕度的变化(错误率的变化E(n+1))，将磁道TRn的初始目标路径FTGn变更为修正目标路径STGn2。例如，MPU60在扇区SnA中基于余裕度M(n-1)A以及M(n+1)A将初始目标位置FTGnA变更为修正目标位置STGn2A。MPU60对余裕度M(n-1)A与余裕度M(n+1)A进行比较，由于余裕度M(n-1)A比余裕度M(n+1)A大，因而将初始目标位置FTGnA移向磁道TRn-1侧。换言之，MPU60对在轨错误率E(n-1)A与在轨错误率E(n+1)A进行比较，由于在轨错误率E(n-1)A比在轨错误率E(n+1)A小，因而将初始目标位置FTGnA移向磁道TRn-1侧。另外，MPU60在扇区SnB中基于余裕度M(n-1)B以及M(n+1)B将初始目标位置FTGnB变更为修正目标位置STGn2B。MPU60对余裕度M(n-1)B与余裕度M(n+1)B进行比较，由于余裕度M(n-1)B略微比余裕度M(n+1)B大，因而将初始目标位置FTGnB稍稍移向磁道TRn-1侧。换言之，MPU60对在轨错误率E(n-1)B与在轨错误率E(n+1)B进行比较，由于在轨错误率E(n-1)B略微比在轨错误率E(n+1)B小，因而将初始目标位置FTGnB稍稍移向磁道TRn-1侧。
在图11所示的例子中，MPU60基于修正目标路径STGn2向磁道TRn进行写入。MPU60在扇区SnA中基于修正目标位置STGn2A来写入数据。MPU60有可能相对于修正目标位置STGn2A而以外方向的最大离轨量OnOA离轨地写入数据。另外，MPU60有可能相对于修正目标位置STGn2A而以内方向的最大离轨量OnIA离轨地写入数据。因此，在磁道TRn-1的扇区S(n-1)A中，磁道TRn-1的磁道宽度成为磁道宽度Tw(n-1)A1以上。另外，在磁道TRn+1的扇区S(n+1)A中，磁道TRn+1的磁道宽度Tw(n+1)A成为磁道宽度Tw(n-1)A1以上。
MPU60在扇区SnB中基于修正目标位置STGn2B来写入数据。MPU60有可能相对于修正目标位置STGn2B而以外方向的最大离轨量OnOB离轨地写入数据。另外，MPU60有可能相对于修正目标位置STGn2B而以内方向的最大离轨量OnIB离轨地写入数据。因此，在磁道TRn-1的扇区S(n-1)B中，磁道TRn-1的磁道宽度Tw(n-1)B2成为磁道宽度Tw(n-1)A1以上。另外，在磁道TRn+1的扇区S(n+1)B中，磁道TRn+1的磁道宽度Tw(n+1)B2成为磁道宽度Tw(n-1)B2以上。
图12是表示变形例3所涉及的写入处理方法的一例的流程图。
MPU60检测预定磁道的在外方向相邻的相邻磁道的错误率(B1201)。MPU60计算与预定磁道的在外方向相邻的相邻磁道对应的余裕度(B1202)。MPU60检测预定磁道的在内方向相邻的相邻磁道的错误率(B1203)。MPU60计算与预定磁道的在内方向相邻的相邻磁道对应的余裕度(B1204)。MPU60基于与预定磁道的在外方向相邻的相邻磁道对应的余裕度和与预定磁道的在内方向相邻的相邻磁道对应的余裕度，变更预定磁道的目标位置(B1205)。MPU60基于修正目标位置，对预定磁道执行写入处理(B1206)，并结束处理。
根据变形例3，磁盘装置1检测预定磁道的相邻磁道的错误率(错误率的变化)，基于检测出的相邻磁道的错误率(错误率的变化)和错误率阈值来计算与相邻磁道对应的余裕度(余裕度的变化)，基于与相邻磁道对应的余裕度(余裕度的变化)来变更预定磁道的目标位置(目标路径)，并基于修正目标位置(修正目标路径)向预定磁道写入数据。因此，磁盘装置1将目标位置移向在半径方向上相邻的两个相邻磁道中的余裕度较大的一方相邻磁道侧。因此，磁盘装置1能够提高数据的可靠性。
此外，前述的实施方式以及变形例的构成不仅适用于以通常的记录方式写入数据的磁盘装置1，而且也能够适用于以瓦记录方式写入数据的磁盘装置。
说明了几个实施方式，但是这些实施方式是作为例子而提示的，没有限定发明范围的意图。这些新的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，在不脱离发明要旨的范围内能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围或要旨内，并且包含于权利要求书中记载的发明及其等同的范围内。

Claims (10)

1.一种磁盘装置，具备：
盘；
头，其向所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及
控制器，其基于第1错误率来控制所述头从而对第1磁道进行写入，所述第1错误率是对在所述盘的半径方向上与所述第1磁道相邻的第2磁道进行写入后立刻进行读取所得到的错误率，
所述控制器基于第1差量值来控制所述头从而对所述第1磁道进行写入，所述第1差量值是所述第1错误率与能够对已写入所述盘的数据进行读取的最大错误率的差量值。
2.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器基于所述第1差量值来变更能够在所述第1磁道的半径方向的所述第2磁道侧进行写入的第1上限值。
3.根据权利要求2所述的磁盘装置，
所述控制器在所述第1磁道上的所述第1差量值中的与第1扇区对应的第2差量值比所述第1磁道上的所述第1差量值中的与不同于第1扇区的第2扇区对应的第3差量值大的情况下，使与所述第1扇区对应的所述第1上限值中的第2上限值比与所述第2扇区对应的所述第1上限值中的第3上限值大。
4.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器基于所述第1差量值来变更对所述第1磁道进行写入时的所述半径方向的第1目标位置。
5.根据权利要求4所述的磁盘装置，
所述控制器在所述第1磁道上的所述第1差量值中的与第1扇区对应的第2差量值比所述第1磁道上的所述第1差量值中的与不同于第1扇区的第2扇区对应的第3差量值大的情况下，将与所述第1扇区对应的所述第1目标位置中的第2目标位置配置在比与所述第2扇区对应的所述第1目标位置中的第3目标位置靠所述第1磁道侧。
6.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器基于所述第1错误率和第2错误率来控制所述头从而对所述第1磁道进行写入，所述第2错误率是对在所述盘的半径方向上与所述第1磁道在与所述第2磁道相反侧相邻的第3磁道进行写入后立刻进行读取所得到的错误率。
7.根据权利要求6所述的磁盘装置，
所述控制器基于第1差量值和第2差量值来控制所述头从而对所述第1磁道进行写入，所述第1差量值是所述第1错误率与能够对已写入所述盘的数据进行读取的最大错误率的差量值，所述第2差量值是所述第2错误率与所述最大错误率的差量值。
8.根据权利要求7所述的磁盘装置，
所述控制器在所述第1磁道的与第1扇区对应的所述第1差量值中的第2差量值比与所述第1扇区对应的所述第2差量值中的第3差量值大的情况下，使与所述第1扇区对应的第1目标位置向所述第1磁道侧偏移。
9.一种磁盘装置，具备：
盘；
头，其向所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及
控制器，其基于第1错误率，使第2上限值比第1上限值大，所述第1错误率是对在所述盘的半径方向上与第1磁道相邻的第2磁道进行写入后立刻进行读取所得到的错误率，所述第1上限值是能够在所述第2磁道侧对所述第1磁道的第1扇区进行写入的上限值，所述第2上限值是能够在所述第2磁道侧对所述第1磁道的不同于所述第1扇区的第2扇区进行写入的上限值。
10.一种写入处理方法，是用于磁盘装置的写入处理方法，所述磁盘装置具备盘和头，所述头向所述盘写入数据、从所述盘读取数据，所述写入处理方法包括：
基于第1错误率来控制所述头从而对第1磁道进行写入，所述第1错误率是对在所述盘的半径方向上与所述第1磁道相邻的第2磁道进行写入后立刻进行读取所得到的错误率，
基于第1差量值来控制所述头从而对所述第1磁道进行写入，所述第1差量值是所述第1错误率与能够对已写入所述盘的数据进行读取的最大错误率的差量值。
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