JP2022003599A - 磁気ディスク装置及びリード処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 リード性能を向上可能な磁気ディスク装置及びライト処理方法を提供することである。【解決手段】 本実施形態に係る磁気ディスク装置は、目標位置から第１閾値よりも大きい第１オフセット量で半径方向にずれた第１半径位置に配置された第１セクタを有するディスクと、前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、前記目標位置から前記第１オフセット量と異なる第２オフセット量でずれた第２半径位置に前記ヘッドを配置して前記第１セクタをリードするコントローラと、を備える。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、磁気ディスク装置及びリード処理方法に関する。

磁気ディスク装置において、ディスクにデータをライト処理時のヘッドの経路を記録し、このライト処理時のヘッドの経路に基づいて、データをリードすることによりエラーレートを改善する方法が提案されている。ライト処理時のヘッドの経路は、例えば、不揮発性データとしてメモリ等に記録され得る。ディスクの全てのトラックに対応する全てのライト処理時のヘッドの経路を記録するためには、膨大な記録容量が必要となる。

米国特許第８８８５２８４号明細書 米国特許第８８９６９６１号明細書 米国特許第９３７８７６３号明細書

本発明の実施形態が解決しようとする課題は、リード性能を向上可能な磁気ディスク装置及びリード処理方法を提供することである。

本実施形態に係る磁気ディスク装置は、目標位置から第１閾値よりも大きい第１オフセット量で半径方向にずれた第１半径位置に配置された第１セクタを有するディスクと、前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、前記目標位置から前記第１オフセット量と異なる第２オフセット量でずれた第２半径位置に前記ヘッドを配置して前記第１セクタをリードするコントローラと、を備える。

図１は、第１実施形態に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。 図２は、第１実施形態に係るディスクに対するヘッドの配置の一例を示す模式である。 図３は、バンド領域の一例を示す模式図である。 図４は、ＤＤＯＬの一例を示す模式図である。 図５は、ＡＴＣの一例を示す模式図である。 図６は、調整リードオフセット量の計算方法の一例を示す模式図である。 図７は、補正リードオフセット量の計算方法の一例を示す模式図である。 図８は、補正リードオフセット量を記録するテーブルの一例を示す図である。 図９は、第１実施形態に係るライト処理時のヘッドの位置決め制御系の一例を示すブロック図である。 図１０は、第１実施形態における補正リードオフセット量の記録機能系の一例を示すブロック図である。 図１１は、第１実施形態に係るリード処理時のヘッドの位置決め制御系の一例を示すブロック図である。 図１２は、第１実施形態に係るライト処理方法の一例を示すフローチャートである。 図１３は、図１２における調整リードオフセット量の計算方法の一例を示すフローチャートである。 図１４は、第１実施形態に係るリード処理方法の一例を示すフローチャートである。 図１５は、補正リードオフセット量の計算方法の一例を示す模式図である。 図１６は、変形例１に係るリード制御系の一例を示すブロック図である。 図１７は、変形例１に係るリード処理方法の一例を示すフローチャートである。 図１８は、補正リードオフセット量の計算方法の一例を示す模式図である。 図１９は、補正リードオフセット量の設定方法の一例を示す模式図である。 図２０は、平均補正リードオフセット量の計算方法の一例を示す模式図である。

以下、実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図面は、一例であって、発明の範囲を限定するものではない。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る磁気ディスク装置１の構成を示すブロック図である。
磁気ディスク装置１は、後述するヘッドディスクアセンブリ（ＨＤＡ）と、ドライバＩＣ２０と、ヘッドアンプ集積回路（以下、ヘッドアンプＩＣ、又はプリアンプと称する場合もある）３０と、揮発性メモリ７０と、不揮発性メモリ８０と、バッファメモリ（バッファ）９０と、１チップの集積回路であるシステムコントローラ１３０とを備える。また、磁気ディスク装置１は、ホストシステム（ホスト）１００と接続される。

ＨＤＡは、磁気ディスク（以下、ディスクと称する）１０と、スピンドルモータ（ＳＰＭ）１２と、ヘッド１５を搭載しているアーム１３と、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１４とを有する。ディスク１０は、スピンドルモータ１２に取り付けられ、スピンドルモータ１２の駆動により回転する。アーム１３及びＶＣＭ１４は、アクチュエータを構成している。アクチュエータは、ＶＣＭ１４の駆動により、アーム１３に搭載されているヘッド１５をディスク１０の所定の位置まで移動制御する。ディスク１０およびヘッド１５は、２つ以上の数が設けられてもよい。以下、磁気ディスク装置１の各部及び外部機器、例えば、ディスク１０にライトするデータをライトデータと称する場合もあるし、磁気ディスク装置１の各部及び外部機器、例えば、ディスク１０からリードされたデータをリードデータと称する場合もある。ライトデータを単にデータと称する場合もあるし、リードデータを単にデータと称する場合もあるし、ライトデータ及びリードデータをまとめてデータと称する場合もある。

ディスク１０は、データをライト可能な領域に、ユーザから利用可能なユーザデータ領域１０ａと、ホスト１００等から転送されたデータ（又はコマンド）をユーザデータ領域１０ａの所定の領域にライトする前に一時的に保持するメディアキャッシュ（メディアキャッシュ領域と称する場合もある）１０ｂと、システム管理に必要な情報を記録するシステムエリア１０ｃとが割り当てられている。以下、ディスク１０の内周から外周へ向かう方向、又はディスク１０の外周から内周に向かう方向を半径方向と称する。半径方向において、内周から外周へ向かう方向を外方向（又は、外側）と称し、外周から内周へ向かう方向、つまり、外方向と反対方向を内方向（又は、内側）と称する。ディスク１０の半径方向に直交する方向を円周方向と称する。すなわち、円周方向は、ディスク１０の円周に沿った方向に相当する。また、ディスク１０の半径方向の所定の位置を半径位置と称し、ディスク１０の円周方向の所定の位置を円周位置と称する場合もある。半径位置及び円周位置をまとめて単に位置と称する場合もある。ディスク１０は、半径方向の所定の範囲毎に複数の領域（以下、ゾーン、又はゾーン領域と称する場合もある）に区分される。ゾーンには、半径方向の所定の範囲毎にデータがライトされ得る。言い換えると、ゾーンには、複数のトラックがライトされ得る。トラックは、円周方向の所定の範囲毎にデータがライトされ得る。言い換えると、トラックは、複数のセクタを含む。なお、“トラック”は、ディスク１０を半径方向に所定の範囲毎に区分した複数の領域の内の１つの領域、ディスク１０の所定の半径位置におけるヘッド１５の経路、ディスク１０の所定の半径方向で円周方向に延出するデータ、ディスク１０の所定のトラックにライトされた１周分のデータ、ディスク１０の所定のトラックにライトされたデータや、その他の種々の意味で用いる。“セクタ”は、ディスク１０の所定のトラックを円周方向で区分した複数の領域の内の１つの領域、ディスク１０の所定の半径位置における所定の円周位置にライトされたデータ、ディスク１０の所定のセクタにライトされたデータや、その他の種々の意味で用いる。“トラックの半径方向の幅”を“トラック幅”と称する場合もある。また、“セクタの半径方向の幅”を“セクタ幅”と称する場合もある。

ユーザデータ領域１０ａは、ホスト１００等からのコマンドによりライト要求されたユーザデータ等がライトされ得る。例えば、ユーザデータ領域１０ａは、複数のトラックを重ねながら半径方向の一方向にライトする瓦記録（又は瓦記録処理）によりデータがライトされ得る。なお、ユーザデータ領域１０ａは、半径方向に所定の間隔を置いてトラックをライトする、つまり、重ね書きしない通常記録（又は通常記録処理）によりデータがライトされてもよい。瓦記録により複数のトラックをライトした領域のトラック密度（Track Per Inch：ＴＰＩ）は、通常記録により複数のトラックをライトした領域のトラック密度よりも大きくなる。ユーザデータ領域１０ａでは、所定の領域（以下、バンド、又はバンド領域と称する場合もある）毎に複数のトラック（トラック群）が瓦記録され得る。例えば、ゾーンは、複数のバンド領域に区分され得る。バンド領域において、瓦記録された複数のトラックは、半径方向に隣接するトラック（以下、隣接トラックと称する場合もある）が一部に重ね書きされた少なくとも１つのトラックと、重ね書きされた少なくとも１つのトラックに最後に重ね書きされるトラック（以下、最後トラックと称する場合もある）とを含む。ここで、”隣接“とは、データ、物体、領域、及び空間等が接して並んでいることはもちろん、所定の間隔を置いて並んでいることも含む。最後トラックは、一部に他のトラックが重ね書きされていないため、一部に重ね書きされているトラックよりもトラックの半径方向の幅（以下、トラック幅と称する場合もある）が広い。半径方向で隣接する２つのバンド領域は、互いに間隔（ギャップ）を空けて配置され得る。

ヘッド１５は、スライダを本体として、当該スライダに実装されているライトヘッド１５Ｗとリードヘッド１５Ｒとを備える。ライトヘッド１５Ｗは、ディスク１０にデータをライトする。例えば、ライトヘッド１５Ｗは、ディスク１０に所定のトラックをライトする。リードヘッド１５Ｒは、ディスク１０に記録されているデータをリードする。例えば、リードヘッド１５Ｒは、ディスク１０の所定のトラックをリードする。

図２は、本実施形態に係るディスク１０に対するヘッド１５の配置の一例を示す模式図である。図２に示すように、円周方向において、ディスク１０の回転する方向を回転方向と称する。なお、図２に示した例では、回転方向は、反時計回りの方向で示しているが、逆向き（時計回り）の方向であってもよい。

ヘッド１５は、ディスク１０に対してＶＣＭ１４の駆動により回転軸周りで回転して内方向から外方向に向かって所定の位置に移動する、又は外方向から内方向に向かって移動する。
図２に示した例では、ディスク１０において、メディアキャッシュ領域１０ｂは、ユーザデータ領域１０ａの外方向に配置されている。なお、メディアキャッシュ領域１０ｂは、図２に示した位置と異なる位置に配置されていてもよい。また、ディスク１０において、システムエリア１０ｃは、メディアキャッシュ領域１０ｂの外方向に配置されている。図２に示した例では、システムエリア１０ｃは、ディスク１０の最外周に配置されている。なお、システムエリア１０ｃは、図２に示した位置と異なる位置に配置されていてもよい。

図３は、バンド領域ＴＧｎの一例を示す模式図である。図３には、説明に必要な構成のみを示している。図３に示すように、半径方向において、シーケンシャルにデータをライト及びリードする方向を順方向と称する。順方向は、例えば、瓦記録において所定のトラックに他のトラックを重ね書きしていく方向に相当する。図３において、順方向は、内方向である。なお、順方向は、外方向であってもよい。図３に示すように、円周方向において、ヘッド１５が進行する方向を進行方向と称する。進行方向は、例えば、回転方向と反対方向である。

図３では、ユーザデータ領域１０ａに、バンド領域ＴＧｎが配置されている。図３において、バンド領域ＴＧｎには、トラックＴＲｎ、ＴＲｎ＋１、ＴＲｎ＋２、及びＴＲｎ＋３が記載の順番で順方向に重ね書きされている。例えば、トラックＴＲｎ乃至ＴＲｎ＋３は、ディスク１０と同心の円状である。例えば、トラックＴＲｎ乃至ＴＲｎ＋３の円周方向の両端部は、一致している。また、トラックＴＲｎ乃至ＴＲｎ＋３は、外乱やその他の影響によりずれ等が生じ得る。例えば、トラックＴＲｎ乃至ＴＲｎ＋３は、各円周位置で半径方向にずれている波状であってもよい。なお、バンド領域ＴＧｎには、４つのトラックＴＲｎ乃至ＴＲｎ＋３がライトされているとしたが、４つよりも少ない数のトラックがライトされていてもよいし、４つよりも多い数のトラックがライトされていてもよい。

トラックＴＲｎは、バンド領域ＴＧｎにおいて、外方向の端部ＥＯｎから内方向の端部ＥＩｎまでのトラック幅ＷＷｎでライトされている。トラックＴＲｎ＋１は、バンド領域ＴＧｎにおいて、外方向の端部ＥＯｎ＋１から内方向の端部ＥＩｎ＋１までのトラック幅ＷＷｎ＋１でトラックＴＲｎの内方向の一部に重ね書きされている。トラックＴＲｎ＋２
は、バンド領域ＴＧｎにおいて、外方向の端部ＥＯｎ＋２から内方向の端部ＥＩｎ＋２までのトラック幅ＷＷｎ＋２でトラックＴＲｎ＋１の内方向の一部に重ね書きされている。トラックＴＲｎ＋３は、バンド領域ＴＧｎにおいて、外方向の端部ＥＯｎ＋３から内方向の端部ＥＩｎ＋３までのトラック幅ＷＷｎ＋３でトラックＴＲｎ＋２の内方向の一部に重ね書きされている。

トラックＴＲｎでトラックＴＲｎ＋１が重ね書きされていない領域（以下、単に、トラックＴＲｎと称する場合もある）のトラック幅ＲＷｎは、端部ＥＯｎから端部ＥＯｎ＋１までの距離に相当する。トラック幅ＲＷｎは、トラック幅ＷＷｎよりも小さい。トラックＴＲｎ＋１でトラックＴＲｎ＋２が重ね書きされていない領域（以下、単に、トラックＴＲｎ＋１と称する場合もある）のトラック幅ＲＷｎ＋１は、端部ＥＯｎ＋１から端部ＥＯｎ＋２までの距離に相当する。トラック幅ＲＷｎ＋１は、トラック幅ＷＷｎ＋１よりも小さい。トラックＴＲｎ＋２でトラックＴＲｎ＋３が重ね書きされていない領域（以下、単に、トラックＴＲｎ＋２と称する場合もある）のトラック幅ＲＷｎ＋２は、端部ＥＯｎ＋２から端部ＥＯｎ＋３までの距離に相当する。トラック幅ＲＷｎ＋２は、トラック幅ＷＷｎ＋２よりも小さい。

ドライバＩＣ２０は、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するＭＰＵ６０）の制御に従って、ＳＰＭ１２およびＶＣＭ１４の駆動を制御する。
ヘッドアンプＩＣ（プリアンプ）３０は、リードアンプ及びライトドライバを備えている。リードアンプは、ディスク１０からリードしたリード信号を増幅して、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するリード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル４０）に出力する。ライトドライバは、Ｒ／Ｗチャネル４０から出力されるライトデータに応じたライト電流をヘッド１５に出力する。

揮発性メモリ７０は、電力供給が断たれると保存しているデータが失われる半導体メモリである。揮発性メモリ７０は、磁気ディスク装置１の各部での処理に必要なデータ等を格納する。揮発性メモリ７０は、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、又はＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）である。

不揮発性メモリ８０は、電力供給が断たれても保存しているデータを記録する半導体メモリである。不揮発性メモリ８０は、例えば、ＮＯＲ型またはＮＡＮＤ型のフラッシュＲＯＭ（Flash Read Only Memory :ＦＲＯＭ）である。

バッファメモリ９０は、磁気ディスク装置１とホスト１００との間で送受信されるデータ等を一時的に記録する半導体メモリである。なお、バッファメモリ９０は、揮発性メモリ７０と一体に構成されていてもよい。バッファメモリ９０は、例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、ＳＤＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric Random Access memory）、又はＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）等である。

システムコントローラ（コントローラ）１３０は、例えば、複数の素子が単一チップに集積されたSystem-on-a-Chip(ＳｏＣ)と称される大規模集積回路（ＬＳＩ）を用いて実現される。システムコントローラ１３０は、リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル４０、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）５０、及びマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）６０等を含む。Ｒ／Ｗチャネル４０、ＨＤＣ５０、及びＭＰＵ６０は、それぞれ、互いに電気的に接続されている。システムコントローラ１３０は、例えば、ドライバＩＣ２０、ヘッドアンプＩＣ３０、揮発性メモリ７０、不揮発性メモリ８０、バッファメモリ９０、及びホストシステム１００等に電気的に接続されている。

Ｒ／Ｗチャネル４０は、後述するＭＰＵ６０からの指示に応じて、ディスク１０からホスト１００に転送されるデータ、例えば、リードデータとホスト１００から転送されるデータ、例えば、ライトデータとの信号処理を実行する。Ｒ／Ｗチャネル４０は、リードデータの信号品質を測定する回路、又は機能を有している。Ｒ／Ｗチャネル４０は、例えば、ヘッドアンプＩＣ３０、ＨＤＣ５０、及びＭＰＵ６０等に電気的に接続されている。

ＨＤＣ５０は、データの転送を制御する。例えば、ＨＤＣ５０は、後述するＭＰＵ６０からの指示に応じて、ホスト１００とディスク１０との間のデータの転送を制御する。ＨＤＣ５０は、例えば、Ｒ／Ｗチャネル４０、ＭＰＵ６０、揮発性メモリ７０、不揮発性メモリ８０、及びバッファメモリ９０等に電気的に接続されている。

ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部を制御するメインコントローラである。ＭＰＵ６０は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５の位置決めを行うサーボ制御を実行する。ＭＰＵ６０は、ドライバＩＣ２０を介してＳＰＭ１２を制御し、ディスク１０を回転させる。ＭＰＵ６０は、ディスク１０へのデータのライト動作を制御すると共に、ホスト１００から転送されるデータ、例えば、ライトデータの保存先を選択する。また、ＭＰＵ６０は、ディスク１０からのデータのリード動作を制御すると共に、ディスク１０からホスト１００に転送されるデータ、例えば、リードデータの処理を制御する。ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部に接続されている。ＭＰＵ６０は、例えば、ドライバＩＣ２０、Ｒ／Ｗチャネル４０、及びＨＤＣ５０等に電気的に接続されている。

ＭＰＵ６０は、ライト処理を制御するライト制御部６１０、及びリード処理を制御するリード制御部６２０等を含む。ＭＰＵ６０は、これら各部、例えば、ライト制御部６１０、及びリード制御部６２０等の処理をファームウェア上で実行する。なお、ＭＰＵ６０は、これら各部、例えば、ライト制御部６１０、及びリード制御部６２０を回路として備えていてもよい。以下、“ライト”若しくは“ライト処理”と“リード”若しくは“リード処理”とをまとめて“アクセス”若しくは“アクセス処理”という用語で表現する場合もある。

ライト制御部６１０は、ホスト１００等からのコマンドに従って、データのライト処理を制御する。ライト制御部６１０は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５をディスク１０上の所定の位置に配置して、データをライトする。以下、”ヘッド１５（ライトヘッド１５Ｗ又はリードヘッド１５Ｒ）の中心部を所定の位置に位置決めする“、又は”ヘッド１５（ライトヘッド１５Ｗ若しくはリードヘッド１５Ｒ）の中心部を所定の位置に配置する”ことを単に”ヘッド１５（ライトヘッド１５Ｗ若しくはリードヘッド１５Ｒ）を所定の位置に位置決めする“、又は”ヘッド１５（ライトヘッド１５Ｗ若しくはリードヘッド１５Ｒ）の中心部を所定の位置に配置する”と称する場合もある。また、“ヘッド１５（ライトヘッド１５Ｗ若しくはリードヘッド１５Ｒ）を所定の位置に位置決めする”、又は“ヘッド１５（ライトヘッド１５Ｗ若しくはリードヘッド１５Ｒ）を所定の位置に配置する”ことを単に“位置決めする”又は“配置する”と称する場合もある。

ライト制御部６１０は、ライト処理時の目標とする位置（以下、目標位置又は目標ライト位置と称する場合もある）にヘッド１５（ライトヘッド１５Ｗ）を配置してデータをライトする。ライト制御部６１０は、目標ライト位置にヘッド１５を配置してランダムライトする。言い換えると、ライト制御部６１０は、所定の円周位置でライト処理時の目標とする半径位置（以下、目標半径位置、又は目標ライト半径位置と称する場合もある）にヘッド１５を配置してデータをランダムライトする。例えば、ライト制御部６１０は、所定の円周位置で目標ライト半径位置に配置するようにヘッド１５を制御して所定のセクタをランダムライトする。

ライト制御部６１０は、ライト処理時の最適な目標ライト位置（以下、最適位置又は最適ライト位置と称する場合もある）にヘッド１５を配置してデータをライトする。ライト制御部６１０は、最適ライト位置にヘッド１５を配置してランダムライトする。言い換えると、ライト制御部６１０は、所定の円周位置で最適な目標ライト半径位置（以下、最適半径位置又は最適ライト半径位置と称する場合もある）にヘッド１５を配置してデータをランダムライトする。例えば、ライト制御部６１０は、所定の円周位置で最適ライト半径位置に配置するようにヘッド1５を制御して所定のセクタをランダムライトする。例えば、最適位置、最適ライト位置、及び最適ライト半径位置は、ディスク１０と同心の真円上の半径位置に相当する。

ライト制御部６１０は、最適ライト位置に配置するようにヘッド１５を制御して所定の位置（以下、実位置又は実ライト位置と称する場合もある）にデータをランダムライトし得る。実ライト位置は、最適ライト位置であってもよいし、最適ライト位置からずれた位置であってもよい。例えば、ライト制御部６１０は、最適ライト位置に配置するようにヘッド１５を制御して所定の円周位置で所定の半径位置（以下、実半径位置又は実ライト半径位置と称する場合もある）にヘッド１５を配置して所定のセクタをランダムライトする。実ライト半径位置は、最適ライト半径位置であってもよいし、最適ライト半径位置から半径方向にずれた位置であってもよい。

ライト制御部６１０は、目標ライト位置にヘッド１５を配置してデータをシーケンシャルライトする。言い換えると、ライト制御部６１０は、各円周位置に対応する各目標ライト半径位置を通る経路（以下、目標経路又は目標ライト経路と称する場合もある）に沿ってヘッド１５を制御してデータをシーケンシャルライトする。例えば、ライト制御部６１０は、目標ライト経路に沿ってヘッド１５を制御して所定のトラックをシーケンシャルライトする。

ライト制御部６１０は、最適ライト位置にヘッド１５を配置してデータをシーケンシャルライトする。言い換えると、ライト制御部６１０は、各円周位置に対応する各最適ライト半径位置を通る経路（以下、最適経路又は最適ライト経路と称する場合もある）に沿ってヘッド１５を制御してデータをシーケンシャルライトする。例えば、ライト制御部６１０は、最適ライト経路に沿ってヘッド１５を制御して所定のトラックをシーケンシャルライトする。例えば、最適ライト経路は、ディスク１０と同心の真円状の経路に相当する。

ライト制御部６１０は、最適ライト経路に沿って移動するようにヘッド１５を制御して各円周位置に対応する各実ライト半径位置を通る経路（以下、実経路又は実ライト経路と称する場合もある）に沿ってデータをシーケンシャルライトし得る。実ライト経路は、最適ライト経路であってもよいし、少なくとも１つの円周位置で最適ライト半径位置から半径方向にずれている経路であってもよい。例えば、ライト制御部６１０は、最適ライト経路に沿って移動するようにヘッド１５を制御して実ライト経路に沿って所定のトラックをシーケンシャルライトする。

ライト制御部６１０は、最適ライト位置（最適ライト半径位置又は最適ライト経路）からの半径方向へのずれ量（以下、オフセット量、位置決め誤差、ライトオフセット量、又はライト位置決め誤差と称する場合もある）に基づいて、ライト処理を実行する。言い換えると、ライト制御部６１０は、ヘッド１５の実ライト位置（実ライト半径位置又は実ライト経路）に基づいて、ライト処理を実行する。

ライト制御部６１０は、ライトオフセット量に基づいて、ライト処理を停止（中断又は禁止）するか実行するかを決定する。例えば、ライト制御部６１０は、ライト処理の停止するためのライトオフセット量の閾値（以下、Drift-Off Level:ＤＯＬと称する場合もある）を有する。ＤＯＬは、所定の位置に対応するライトオフセット量の閾値であってもよいし、所定の経路に対応するライトオフセット量の閾値の変化であってもよい。ライトオフセット量がＤＯＬ以下であると判定した場合、ライト制御部６１０は、ライト処理を実行する。ライトオフセット量がＤＯＬを超えた（ＤＯＬよりも大きい）と判定した場合、ライト制御部６１０は、ライト処理を停止する。

なお、ライト制御部６１０は、ヘッド１５の実ライト位置に基づいて、ライト処理を停止するか実行するかを決定してもよい。ライト制御部６１０は、最適ライト位置（最適ライト半径位置又は最適ライト経路）からＤＯＬまでの範囲（以下、ＤＯＬ範囲と称する場合もある）を有していてもよい。ＤＯＬ範囲は、所定の位置に対応する許可可能なライトオフセット量の範囲であってもよいし、所定の経路に対応する許可可能なライトオフセット量の範囲であってもよい。ヘッド１５の実ライト位置（実ライト半径位置又は実ライト経路）がＤＯＬ範囲以内であると判定した場合、ライト制御部６１０は、ライト処理を実行する。ヘッド１５の実ライト位置（実ライト半径位置又は実ライト経路）がＤＯＬ範囲外であると判定した場合、ライト制御部６１０は、ライト処理を停止する。

ライト制御部６１０は、データを瓦記録する。ライト制御部６１０は、バンド領域において、一部を重ねながら順方向にシーケンシャルに複数のトラックをライトする瓦記録処理を実行する。例えば、ライト制御部６１０は、現在対象とするトラック（以下、対象トラックと称する場合もある）に対して半径方向で対象トラックに対して順方向と反対方向に隣接する隣接トラック（以下、前トラックと称する場合もある）の一部にこの対象トラックを重ね書きしてシーケンシャルに瓦記録する。なお、ライト制御部６１０は、瓦記録処理時に、前トラック及び対象トラックに対応するヘッド１５の半径位置、経路、オフセット量、及びＤＯＬ等をメモリ、例えば、ディスク１０の所定の領域、揮発性メモリ７０、不揮発性メモリ８０、又はバッファメモリ９０等に一時的に記録してもよい。また、ライト制御部６１０は、データを通常記録してもよい。

ライト制御部６１０は、前トラックに対応する前ライトオフセット量に基づいて、対象トラックに対応するＤＯＬを設定（又は変更）する。言い換えると、ライト制御部６１０は、前トラックに対応する実ライト経路（以下、前実経路又は前実ライト経路と称する場合もある）に基づいて、対象トラックに対応するＤＯＬを設定する。例えば、ライト制御部６１０は、瓦記録処理時に、対象トラックに対して順方向と反対方向に隣接する前トラックに対応する前ライトオフセット量に基づいて、対象トラックに対応する最適ライト経路に対して順方向と反対方向のＤＯＬ（以下、前方向ＤＯＬと称する場合もある）を設定する。言い換えると、ライト制御部６１０は、瓦記録処理時に、対象トラックに対して順方向と反対方向に隣接する前トラックに対応する前実ライト経路に基づいて、対象トラックに対応する前方向ＤＯＬを設定する。なお、ライト制御部６１０は、瓦記録処理時に、対象トラックに対して順方向と反対方向に隣接する前トラックに対応する前ライトオフセット量に基づいて、対象トラックに対応する前方向ＤＯＬと対象トラックに対応する最適ライト経路に対して順方向のＤＯＬ（以下、後方向ＤＯＬと称する場合もある）とを設定してもよい。言い換えると、ライト制御部６１０は、瓦記録処理時に、対象トラックに対して順方向と反対方向に隣接する前トラックに対応する前実ライト経路に基づいて、対象トラックに対応する前方向ＤＯＬと対象トラックに対応する後方向ＤＯＬとを設定してもよい。

ライト制御部６１０は、前トラックの各セクタ（以下、半径方向前セクタと称する場合もある）に対応する各前ライトオフセット量に基づいて、対象トラックの各セクタ（以下、対象セクタと称する場合もある）に対応する各ＤＯＬを設定する。言い換えると、ライト制御部６１０は、各半径方向前セクタに対応する各実ライト半径位置（以下、前実半径位置又は前実ライト半径位置と称する場合もある）に基づいて、各対象セクタに対応する各ＤＯＬを設定する。例えば、ライト制御部６１０は、瓦記録処理時に、各対象セクタに対して順方向と反対方向に隣接する各半径方向前セクタに対応する各前ライトオフセット量に基づいて、各対象セクタに対応する各前方向ＤＯＬを設定する。言い換えると、ライト制御部６１０は、瓦記録処理時に、各対象セクタに対して順方向と反対方向に隣接する各半径方向前セクタに対応する各前実ライト半径位置に基づいて、各対象セクタに対応する各前方向ＤＯＬを設定する。なお、ライト制御部６１０は、瓦記録処理時に、各対象セクタに対して順方向と反対方向に隣接する各半径方向前セクタに対応する各前ライトオフセット量に基づいて、各対象セクタに対応する各前方向ＤＯＬと各対象セクタに対応する各後方向ＤＯＬとを設定してもよい。言い換えると、ライト制御部６１０は、瓦記録処理時に、各対象セクタに対して順方向と反対方向に隣接する各半径方向前セクタに対応する各前実ライト半径位置に基づいて、各対象セクタに対応する各前方向ＤＯＬと各対象セクタに対応する各後方向ＤＯＬとを設定してもよい。以下、前述のように、前ライトオフセット量、前実ライト経路、又は前実ライト半径位置等に基づいてＤＯＬを設定してライト処理を制御する機能をＤＤＯＬ（Dynamic Drift-Off Level）機能、又はＤＤＯＬと称する場合もある。

図４は、ＤＤＯＬの一例を示す模式図である。図４に示した例では、バンド領域ＴＧｍにおいて、トラックＴＲｍ、ＴＲｍ＋１、及びＴＲｍ＋２は、記載の順番に順方向に重ね書きされている。トラックＴＲｍ乃至ＴＲｍ＋２は、説明の便宜上、円周方向に延出しているように示しているが、実際には、ディスク１０の形状に沿って湾曲している。図４には、トラックＴＲｍに対応する最適ライト経路ＴＷＴｍと、トラックＴＲｍ＋１に対応する最適ライト経路ＴＷＴｍ＋１と、トラックＴＲｍ＋２に対応する最適ライト経路ＴＷＴｍ＋２とを示している。最適ライト経路ＴＷＴｍ乃至ＴＷＴｍ＋２は、説明の便宜上、円周方向に直線状に延出しているように示しているが、実際には、ディスク１０の形状に従って湾曲している。例えば、最適ライト経路ＴＷＴｍ乃至ＴＷＴｍ＋２は、ディスク１０と同心の円状である。また、図４には、トラックＴＲｍに対応する実ライト経路ＳＷＴｍと、トラックＴＲｍ＋１に対応する実ライト経路ＳＷＴｍ＋１と、トラックＴＲｍ＋２に対応する実ライト経路ＳＷＴｍ＋２とを示している。実ライト経路ＳＷＴｍ乃至ＳＷＴｍ＋２は、それぞれ、半径方向に変動しながら円周方向に延出している。実ライト経路ＳＷＴｍ乃至ＳＷＴｍ＋２は、説明の便宜上、円周方向に延出しているように示しているが、実際には、ディスク１０の形状に沿って湾曲している。図４には、トラックＴＲｍの外方向の端部ＥＯｍと、トラックＴＲｍ＋１の端部ＥＯｍ＋１と、トラックＴＲｍ＋２の外方向の端部ＥＯｍ＋１と、トラックＴＲｍ＋２の端部ＥＯｍ＋２とを示している。端部ＥＯｍは、実ライト経路ＳＷＴｍに対応し、端部ＥＯｍ＋１は、実ライト経路ＳＷＴｍ＋１に対応し、端部ＥＯｍ＋２は、実ライト経路ＳＷＴｍ＋２に対応している。図４には、トラックＴＲｍ＋１に対応する前方向ＤＯＬ ＤＬｍ＋１と、トラックＴＲｍ＋２に対応する前方向ＤＯＬ ＤＬｍ＋２とを示している。図４には、トラックＴＲｍ＋２における円周位置Ｐ０での外方向（又は、順方向と反対方向）へのオフセット量ＯＦｘと、円周位置Ｐ０に対応する前方向ＤＯＬ ＤＬｍ＋２の前方向ＤＯＬ ＤＬｘとを示している。オフセット量ＯＦｘの絶対値は、ＤＯＬ ＤＬｘの絶対値よりも大きい。

ライト制御部６１０は、最適ライト経路ＴＷＴｍに沿って移動するようにヘッド１５を制御して実ライト経路ＳＷＴｍに沿ってトラックＴＲｍを進行方向にシーケンシャルに瓦記録する。ライト制御部６１０は、トラックＴＲｍに対応する実ライト経路ＳＷＴｍに基づいて、トラックＴＲｍ＋１に対応する前方向ＤＯＬ ＤＬｍ＋１を設定する。ライト制御部６１０は、最適ライト経路ＴＷＴｍ＋１に沿って移動するようにヘッド１５を制御して実ライト経路ＳＷＴｍ＋１に沿ってトラックＴＲｍの一部に重ねてトラックＴＲｍ＋１を進行方向にシーケンシャルに瓦記録する。

ライト制御部６１０は、トラックＴＲｍ＋１に対応する実ライト経路ＳＷＴｍ＋１に基づいて、トラックＴＲｍ＋２に対応する前方向ＤＯＬ ＤＬｍ＋２を設定する。ライト制御部６１０は、最適ライト経路ＴＷＴｍ＋２に沿って移動するようにヘッド１５を制御して実ライト経路ＳＷＴｍ＋２に沿ってトラックＴＲｍ＋１の一部に重ねてトラックＴＲｍ＋２を進行方向にシーケンシャルに瓦記録する。

トラックＴＲｍ＋２のライト処理時に円周位置Ｐ０で順方向の反対方向（例えば、外方向）へのオフセット量が前方向ＤＯＬ ＤＬｍ＋２よりも大きいと判定した場合、ライト制御部６１０は。円周位置Ｐ０においてライト処理を停止（中断、又は禁止）し、ディスク１０の回転待ちをし、円周位置Ｐ０から瓦記録を再開する。

ライト制御部６１０は、半径方向前セクタに対応する前ライトオフセット量に基づいて、この半径方向前セクタの順方向に隣接する対象セクタに対応する目標ライト半径位置（以下、対象目標半径位置、又は対象目標ライト半径位置と称する場合もある）を設定する。言い換えると、ライト制御部６１０は、半径方向前セクタに対応する前実ライト半径位置に基づいて、この半径方向前セクタの順方向に隣接する対象セクタに対応する対象目標ライト半径位置を設定する。例えば、対象セクタに対応する対象目標ライト半径位置を設定した場合、ライト制御部６１０は、対象目標ライト半径位置に配置するようにヘッド１５を制御して対象セクタをライトする。

ライト制御部６１０は、ライトオフセット量に基づいて、所定の目標ライト位置（以下、調整位置、又は調整ライト位置と称する場合もある）を設定（変更又は調整）する。ライト制御部６１０は、ライトオフセット量に基づいて、目標ライト半径位置（以下、調整半径位置、又は調整ライト半径位置と称する場合もある）を設定する。ライト制御部６１０は、半径方向前セクタに対応する前ライトオフセット量に基づいて、この半径方向前セクタの順方向に隣接する対象セクタに対応する目標ライト半径位置（以下、対象調整半径位置、又は対象調整ライト半径位置と称する場合もある）を設定する。つまり、ライト制御部６１０は、半径方向前セクタに対応する前ライトオフセット量に基づいて、この半径方向前セクタの順方向に隣接する対象セクタに対応する最適ライト半径位置（以下、対象最適半径位置、又は対象最適ライト半径位置と称する場合もある）から対象調整ライト半径位置に対象目標ライト半径位置を調整又は変更する。言い換えると、ライト制御部６１０は、半径方向前セクタに対応する前実ライト半径位置に基づいて、この半径方向前セクタの順方向に隣接する対象セクタに対応する対象最適ライト半径位置から対象調整ライト半径位置に対象目標ライト半径位置を調整又は変更する。例えば、対象セクタに対応する対象調整ライト半径位置を設定した場合、ライト制御部６１０は、対象調整ライト半径位置に配置するようにヘッド１５を制御して対象セクタをライトする。

ライト制御部６１０は、前トラックに対応する前ライトオフセット量に基づいて、この前トラックの順方向に隣接する対象トラックに対応する目標ライト経路（以下、対象目標経路、又は対象目標ライト経路と称する場合もある）を設定する。言い換えると、ライト制御部６１０は、前トラックに対応する前実ライト経路に基づいて、対象トラックに対応する対象目標ライト経路を設定する。例えば、対象トラックに対応する対象目標ライト経路を設定した場合、ライト制御部６１０は、対象目標ライト経路に沿って移動するようにヘッド１５を制御して対象トラックをライトする。

ライト制御部６１０は、ライトオフセット量に基づいて、所定の目標ライト経路（以下、調整経路、又は調整ライト経路）を設定（変更又は調整）する。ライト制御部６１０は、前トラックに対応する前ライトオフセット量に基づいて、この前トラックの順方向に隣接する対象トラックに対応する目標ライト経路（以下、対象調整経路、又は対象調整ライト経路）を設定する。つまり、ライト制御部６１０は、前トラックに対応する前ライトオフセット量に基づいて、この前トラックの順方向に隣接する対象トラックに対応する最適ライト経路（以下、対象最適経路、又は対象最適ライト経路と称する場合もある）から対象調整ライト経路に対象目標ライト経路を調整又は変更する。言い換えると、ライト制御部６１０は、前トラックに対応する前実ライト経路に基づいて、この前トラックの順方向に隣接する対象最適ライト経路から対象調整ライト経路に対象目標ライト経路を調整又は変更する。例えば、対象トラックに対応する対象調整ライト経路を設定した場合、ライト制御部６１０は、対象調整ライト経路に沿って移動するようにヘッド１５を制御して対象トラックをライトする。

以下、前ライトオフセット量、前実ライト半径位置、又は前実ライト経路等に基づいて調整ライト半径位置、又は調整ライト経路を設定してライト処理を制御する機能をＡＴＣ（Adaptive Track Center、又はAutomatic Track width Control）機能、又はＡＴＣと称する場合もある。

図５は、ＡＴＣの一例を示す模式図である。図５に示した例では、バンド領域ＴＧｊにおいて、トラックＴＲｊ、ＴＲｊ＋１、及びＴＲｊ＋２は、記載の順番に順方向に重ね書きされている。トラックＴＲｊ乃至ＴＲｊ＋２は、説明の便宜上、円周方向に延出しているように示しているが、実際には、ディスク１０の形状に沿って湾曲している。図５には、トラックＴＲｊに対応する最適ライト経路ＴＷＴｊと、トラックＴＲｊ＋１に対応する最適ライト経路ＴＷＴｊ＋１と、トラックＴＲｊ＋２に対応する最適ライト経路ＴＷＴｊ＋２とを示している。最適ライト経路ＴＷＴｊ乃至ＴＷＴｊ＋２は、説明の便宜上、円周方向に直線状に延出しているように示しているが、実際には、ディスク１０の形状に従って湾曲している。例えば、最適ライト経路ＴＷＴｊ乃至ＴＷＴｊ＋２は、ディスク１０と同心の円状である。図５には、トラックＴＲｊに対応する実ライト経路ＳＷＴｊと、トラックＴＲｊ＋１に対応する実ライト経路ＳＷＴｊ＋１と、トラックＴＲｊ＋２に対応する実ライト経路ＳＷＴｊ＋２とを示している。実ライト経路ＳＷＴｊ乃至ＳＷＴｊ＋２は、それぞれ、半径方向に変動しながら円周方向に延出している。実ライト経路ＳＷＴｊ乃至ＳＷＴｊ＋２は、説明の便宜上、円周方向に延出しているように示しているが、実際には、ディスク１０の形状に沿って湾曲している。図５には、トラックＴＲｊの外方向の端部ＥＯｊと、トラックＴＲｊ＋１の外方向の端部ＥＯｊ＋１と、トラックＴＲｊ＋２の外方向の端部ＥＯｊ＋２とを示している。端部ＥＯｊは、実ライト経路ＳＷＴｊに対応し、端部ＥＯｊ＋１は、実ライト経路ＳＷＴｊ＋１に対応し、端部ＥＯｊ＋２は、実ライト経路ＳＷＴｊ＋２に対応する。図５には、トラックＴＲｊに対応する調整ライト経路ＡＷＴｊと、トラックＴＲｊ＋１に対応する調整ライト経路ＡＷＴｊ＋１と、トラックＴＲｊ＋２に対応する調整ライト経路ＡＷＴｊ＋２とを示している。図４において、調整ライト経路ＡＷＴｊは、最適ライト経路ＴＷＴｊと同等である。図４では、調整ライト経路ＡＷＴｊ＋１は、実ライト経路ＳＷＴｊに対応し、調整ライト経路ＡＷＴｊ＋２は、実ライト経路ＳＷＴｊ＋１に対応している。

ライト制御部６１０は、最適ライト経路ＴＷＴｊ（調整ライト経路ＡＷＴｊ）に沿って移動するようにヘッド１５を制御して、実ライト経路ＳＷＴｊに沿ってトラックＴＲｊを進行方向にシーケンシャルに瓦記録する。ライト制御部６１０は、トラックＴＲｊに対応する実ライト経路ＳＷＴｊに基づいて、トラックＴＲｊ＋１において最適ライト経路ＴＷＴｊ＋１から調整ライト経路ＡＷＴｊ＋１に目標ライト経路を調整（変更又は設定）する。ライト制御部６１０は、調整ライト経路ＡＷＴｊ＋１に沿って移動するようにヘッド１５を制御して、実ライト経路ＳＷＴｊ＋１に沿ってトラックＴＲｊの一部に重ねてトラックＴＲｊ＋１を進行方向にシーケンシャルに瓦記録する。

ライト制御部６１０は、トラックＴＲｊ＋１に対応する実ライト経路ＳＷＴｊ＋１に基づいて、トラックＴＲｊ＋２において最適ライト経路ＴＷＴｊ＋２から調整ライト経路ＡＷＴｊ＋２に目標ライト経路を調整（変更又は変更）する。ライト制御部６１０は、調整ライト経路ＡＷＴｊ＋２に沿って移動するようにヘッド１５を制御して、実ライト経路ＳＷＴｊ＋２に沿ってトラックＴＲｊ＋１の一部に重ねてトラックＴＲｊ＋２を進行方向にシーケンシャルに瓦記録する。

ライト制御部６１０は、ライト処理時のヘッド１５の位置に関する情報（以下、ライト位置情報と称する場合もある）に基づいて、リード処理時の目標とする位置（以下、目標位置、又は目標リード位置）を計算する。ライト制御部６１０は、ライト位置情報に基づいて、リード処理時の目標とする半径位置（以下、目標半径位置、又は目標リード半径位置）を計算する。ライト位置情報は、例えば、前ライトオフセット量、前実ライト半径位置、前実ライト経路、前トラックに対応する目標ライト半径位置（以下、前目標ライト半径位置と称する場合もある）、前トラックに対応する目標ライト経路（以下、前目標ライト経路と称する場合もある）、前トラックに対応する最適ライト半径位置（以下、前最適ライト半径位置と称する場合もある）、前トラックに対応する最適ライト経路（以下、前最適ライト経路と称する場合もある）、前トラックに対応する調整ライト半径位置（以下、前調整ライト経路と称する場合もある）、及び前トラックに対応する調整ライト経路（以下、前調整ライト経路と称する場合もある）を含む。また、例えば、ライト位置情報は、対象トラックに対応するライトオフセット量（以下、対象ライトオフセット量と称する場合もある）、対象トラックに対応する実ライト半径位置（以下、対象実ライト半径位置と称する場合もある）、対象トラックに対応する実ライト経路（以下、対象実ライト経路と称する場合もある）、対象トラックに対応する目標ライト半径位置（以下、対象目標ライト半径位置と称する場合もある）、対象トラックに対応する目標ライト経路（以下、対象目標ライト経路と称する場合もある）、対象最適ライト半径位置、対象最適ライト経路、対象調整ライト半径位置、及び対象調整ライト経路等を含む。ライト制御部６１０は、前目標ライト半径位置と対象目標ライト半径位置とに基づいて、所定の半径方向前セクタに対応する目標リード半径位置を計算する。つまり、ライト制御部６１０は、ライト位置情報に基づいて、リード処理時の目標となる経路（以下、目標経路又は目標リード経路と称する場合もある）を計算する。ライト制御部６１０は、前目標ライト経路と対象目標ライト経路とに基づいて、前トラックに対応する目標リード経路を計算する。

ライト制御部６１０は、ライト位置情報に基づいて、最適な目標リード位置（以下、最適位置又は最適リード位置と称する場合もある）を計算する。ライト制御部６１０は、ライト位置情報に基づいて、最適な目標リード半径位置（以下、最適半径位置、又は最適リード半径位置と称する場合もある）を計算する。ライト制御部６１０は、前最適ライト半径位置と対象最適ライト半径位置とに基づいて、所定の半径方向前セクタに対応する所定の円周位置における最適リード半径位置を計算する。つまり、ライト制御部６１０は、ライト位置情報に基づいて、最適な目標リード経路（以下、最適経路又は最適リード経路と称する場合もある）を計算する。ライト制御部６１０は、前最適ライト経路と対象最適ライト経路とに基づいて、前トラックに対応する最適な目標リード経路を計算する。最適位置、最適リード位置、及び最適リード半径位置は、ディスク１０と同心の真円上の半径位置に相当する。また、最適リード経路は、ディスク１０と同心の真円状の経路に相当する。

ライト制御部６１０は、ライト位置情報に基づいて、調整した最適リード位置（以下、調整位置又は調整リード位置と称する場合もある）を計算する。ライト制御部６１０は、ライト位置情報に基づいて、調整した最適リード半径位置（以下、調整半径位置、又は調整リード半径位置と称する場合もある）を計算する。ライト制御部６１０は、前実ライト半径位置と対象実ライト半径位置とに基づいて、所定の半径方向前セクタに対応する調整リード半径位置を計算する。調整リード半径位置は、例えば、最適リード半径位置であってもよいし、最適リード半径位置から半径方向にずれた位置であってもよい。ライト制御部６１０は、ライト位置情報に基づいて、調整した最適リード経路（以下、調整経路又は調整リード経路と称する場合もある）を計算する。ライト制御部６１０は、前実ライト経路と対象実ライト経路とに基づいて、前トラックに対応する調整リード経路を計算する。調整リード経路は、例えば、最適リード経路であってもよいし、一部又は全部で最適リード経路から半径方向にずれている経路であってもよい。

ライト制御部６１０は、ライト位置情報に基づいて、補正した調整リード位置（以下、補正位置又は補正リード位置と称する場合もある）を計算する。ライト制御部６１０は、ライト位置情報に基づいて、補正した調整リード半径位置（以下、補正半径位置、又は補正リード半径位置と称する場合もある）を計算する。ライト制御部６１０は、前実ライト半径位置と対象実ライト半径位置とに基づいて、所定の半径方向前セクタに対応する補正リード半径位置を計算する。補正リード半径位置は、例えば、調整リード半径位置であってもよいし、調整リード半径位置と異なる半径位置であってもよい。補正リード半径位置は、例えば、ビットエラーレート（以下、単に、エラーレートと称する場合もある）が所定の閾値（以下、エラーレート閾値と称する場合もある）以下になる半径方向の範囲（以下、オフセットマージンと称する場合もある）内においてリードヘッド１５Ｒがリード処理時の位置決め誤差範囲（以下、リード位置決め誤差範囲と称する場合もある）で半径方向に揺動可能な半径位置に相当する。エラーレート閾値は、例えば、リード処理においてデータを適切にリード可能なエラーレートの閾値に相当する。言い換えると、エラーレート閾値は、例えば、リード処理においてリードエラーとならないエラーレートの閾値に相当する。つまり、ライト制御部６１０は、ライト位置情報に基づいて、補正した調整リード経路（以下、補正経路又は補正リード経路と称する場合もある）を計算する。ライト制御部６１０は、前実ライト経路と対象実ライト経路とに基づいて、前トラックに対応する補正リード経路を計算する。補正リード経路は、例えば、調整リード経路であってもよいし、一部又は全部で調整リード経路から半径方向にずれている経路であってもよい。補正リード経路は、オフセットマージン内においてリード位置決め誤差範囲で半径方向に揺動可能な経路に相当する。

ライト制御部６１０は、最適リード位置からの半径方向へのずれ量（以下、オフセット量、位置決め誤差、リードオフセット量、又はリード位置決め誤差と称する場合もある）を計算する。

ライト制御部６１０は、ライト位置情報に基づいて、最適リード半径位置から調整リード半径位置までのリードオフセット量（以下、調整オフセット量、又は調整リードオフセット量と称する場合もある）を計算する。ライト制御部６１０は、前ライトオフセット量と対象ライトオフセット量とに基づいて、所定の半径方向前セクタに対応する調整リードオフセット量を計算する。例えば、調整リードオフセット量は、前ライトオフセット量と対象ライトオフセット量との和を１／２にしたリードオフセット量に相当する。言い換えると、調整リードオフセット量は、半径方向に隣接するセクタ（以下、隣接セクタと称する場合もある）が重ね書きされたセクタにおいてこの隣接セクタが重ね書きされていない領域の半径方向の幅の半分の距離に相当する。

ライト制御部６１０は、ライト位置情報に基づいて、最適リード半径位置から補正リード半径位置までのリードオフセット量（以下、補正オフセット量、又は補正リードオフセット量と称する場合もある）を計算する。ライト制御部６１０は、前ライトオフセット量と対象ライトオフセット量とに基づいて、所定の半径方向前セクタに対応する補正リードオフセット量を計算する。補正リードオフセット量は、例えば、オフセットマージン内においてリードヘッド１５Ｒがリード位置決め誤差範囲で半径方向に揺動可能な所定のリードオフセット量に相当する。

ライト制御部６１０は、リードオフセット量を記録（計算又は設定）するか記録（計算又は設定）しないかを判定する。ライト制御部６１０は、所定の半径方向前セクタに対応する調整リードオフセット量と所定の値（以下、リードオフセット閾値と称する場合もある）とに基づいて、この半径方向前セクタに対応する補正リードオフセット量を記録（計算又は設定）するか記録（計算又は設定）しないかを判定する。リードオフセット閾値は、例えば、所定のセクタの最適リード半径位置に１５Ｒを配置した場合、オフセットマージン内においてリードヘッド１５Ｒがリード位置決め誤差範囲で半径方向に揺動可能な最大のこのセクタの半径方向へのずれ量（オフセット量）に相当する。半径方向前セクタに対応する補正リードオフセット量を記録（計算又は設定）すると判定した場合、ライト制御部６１０は、この半径方向前セクタに対応する補正リードオフセット量を計算し、この補正リードオフセット量を所定の記録領域、例えば、ディスク１０のシステムエリア１０ｃ、又は不揮発性メモリ８０等の不揮発性の記録領域に不揮発性データとして記録する。半径方向前セクタに対応する補正リードオフセット量を記録（計算又は設定）しないと判定した場合、ライト制御部６１０は、この半径方向前セクタに対応する補正リードオフセット量を計算しない。

所定の半径方向前セクタに対応する調整リードオフセット量がリードオフセット閾値よりも大きいと判定した場合、ライト制御部６１０は、この半径方向前セクタに対応する補正リードオフセット量を計算し、計算した補正リードオフセット量を所定の記録領域、例えば、ディスク１０のシステムエリア１０ｃ、又は不揮発性メモリ８０等の不揮発性の記録領域にテーブルとして記録する。所定の半径方向前セクタに対応する調整リードオフセット量がリードオフセット閾値以下であると判定した場合、ライト制御部６１０は、この半径方向前セクタに対応する補正リードオフセット量を計算しない。

図６は、調整リードオフセット量Ｘ２の計算方法の一例を示す模式図である。バンド領域ＴＧ１において、トラックＴＲ１及びＴＲ２は、記載の順番に順方向に重ね書きされている。図６には、トラックＴＲ１のセクタＳｃ１１と、トラックＴＲ１のセクタＳｃ１２とを示している。セクタＳｃ１２は、セクタＳｃ１１の円周方向に位置している。図６では、ライト処理時のセクタＳｃ１１の半径方向の幅（以下、セクタ幅と称する場合もある）ＷＷ１と、ライト処理時のセクタＳｃ１２のセクタ幅ＷＷ１とを示している。図６には、トラックＴＲ２のセクタＳｃ２１と、トラックＴＲ２のセクタＳｃ２２とを示している。セクタＳｃ２２は、セクタＳｃ２１の円周方向に位置している。セクタＳｃ２１は、セクタＳｃ１１の順方向に重ね書きされている。セクタＳｃ２２は、セクタＳｃ１２の順方向に重ね書きされている。図６では、ライト処理時のセクタＳｃ２１のセクタ幅ＷＷ１と、ライト処理時のセクタＳｃ２２のセクタ幅ＷＷ１とを示している。なお、セクタＳｃ１２は、セクタＳｃ１１の円周方向に隣接していてもよい。図６には、トラックＴＲ１に対応する最適ライト経路ＴＷＴ１と、トラックＴＲ２に対応する最適ライト経路ＴＷＴ２とを示している。最適ライト経路ＴＷＴ１及びＴＷＴ２は、説明の便宜上、円周方向に直線状に延出しているように示しているが、実際には、ディスク１０の形状に従って湾曲している。例えば、最適ライト経路ＴＷＴ１及びＴＷＴ２は、ディスク１０と同心の円状である。図６に示した例では、最適ライト経路ＴＷＴ１は、セクタＳｃ１１のセクタ幅ＷＷ１の半径方向の中心を通る。また、図６に示した例では、最適ライト経路ＴＷＴ２は、セクタＳｃ２１のセクタ幅ＷＷ１の半径方向の中心を通る。図６には、セクタＳｃ１２に対応する実ライト半径位置ＳＷＰ１と、セクタＳｃ２２に対応する実ライト半径位置ＳＷＰ２とを示している。図６に示した例では、実ライト半径位置ＳＷＰ１は、セクタＳｃ１２のセクタ幅ＷＷ１の半径方向の中心に位置する。また、図６に示した例では、実ライト半径位置ＳＷＰ２は、セクタＳｃ２２のセクタ幅ＷＷ１の半径方向の中心に位置する。図６には、セクタＳｃ１２におけるライトオフセット量Ｘ０と、セクタＳｃ２２に対応するライトオフセット量Ｘ１とを示している。ライトオフセット量Ｘ０は、セクタＳｃ１２における最適ライト経路ＴＷＴ１（例えば、セクタＳｃ１２における最適ライト半径位置）と実ライト半径位置ＳＷＰ１との距離に相当する。ライトオフセット量Ｘ１は、セクタＳｃ２２における最適ライト経路ＴＷＴ２（例えば、セクタＳｃ２２における実ライト半径位置）と実ライト半径位置ＳＷＰ２との距離に相当する。図６では、セクタＳｃ２１が重ね書きされていないセクタＳｃ１１のセクタ幅ＲＷ１と、セクタＳｃ２２が重ね書きされていないセクタＳｃ１２のセクタ幅ＲＷ２とを示している。図６には、トラックＴＲ１に対応する最適リード経路ＴＲＴ１を示している。図６に示した例では、最適リード経路ＴＲＴ１は、セクタＳｃ１１のセクタ幅ＲＷ１の半径方向の中心を通る。図６には、セクタＳｃ１２に対応する調整リード半径位置ＡＲＰ１を示している。図６には、セクタＳｃ１２に対応する調整リードオフセット量Ｘ２を示している。調整リードオフセット量Ｘ２は、セクタＳｃ１２にける最適リード経路ＴＲＴ１（例えば、セクタＳｃ１２における最適リード半径位置）と調整リード半径位置ＡＲＰ１との距離に相当する。図６に示した例では、調整リード半径位置ＡＲＰ１は、セクタＳｃ１２のセクタ幅ＲＷ２の半径方向の中心に位置する。図６には、説明の便宜上、リードヘッド１５Ｒを示している。また、図６では、リード位置決め誤差範囲ＰＲを示している。

ライト制御部６１０は、最適ライト経路ＴＷＴ１に沿ってトラックＴＲ１のセクタＳｃ１１を瓦記録する。ライト制御部６１０は、最適ライト経路ＴＷＴ１に沿ってヘッド１５を制御して、最適ライト経路ＴＷＴ１から順方向にライトオフセット量Ｘ０でずれた実ライト半径位置ＳＷＰ１にヘッド１５を配置してトラックＴＲ１のセクタＳｃ１２を瓦記録する。ライト制御部６１０は、最適ライト経路ＴＷＴ２に沿ってヘッド１５を制御して、トラックＴＲ２のセクタＳｃ２１をセクタＳｃ１１に重ね書きする。ライト制御部６１０は、最適ライト経路ＴＷＴ２に沿ってヘッド１５を制御して、最適ライト経路ＴＷＴ２から順方向に基づいてライトオフセット量Ｘ１でずれた実ライト半径位置ＳＷＰ２にヘッド１５を配置してトラックＴＲ２のセクタＳｃ２２をセクタＳｃ１２に重ね書きする。

ライト制御部６１０は、セクタＳｃ２１が重ね書きされていないセクタＳｃ１１のセクタ幅ＲＷ１に基づいて、最適リード経路ＴＲＴ１を計算する。例えば、ライト制御部６１０は、セクタＳｃ２１が重ね書きされていないセクタＳｃ１１のセクタ幅ＲＷ１の１／２の半径位置を通る最適リード経路ＴＲＴ１を計算する。リード処理において、リードヘッド１５Ｒを最適リード経路ＴＲＴ１に配置してリード位置決め誤差範囲ＰＲで揺動しながらセクタＳｃ１１がリードされる。

ライト制御部６１０は、セクタＳｃ２２が重ね書きされていないセクタＳｃ１２のセクタ幅ＲＷ２に基づいて、調整リード半径位置ＡＲＰ１を計算する。例えば、ライト制御部６１０は、セクタＳｃ２２が重ね書きされていないセクタＳｃ１２のセクタ幅ＲＷ２の１／２の調整リード半径位置ＡＲＰ１を計算する。また、例えば、ライト制御部６１０は、ライトオフセット量Ｘ０とライトオフセット量Ｘ１とに基づいて、調整リードオフセット量Ｘ２を計算する。ライト制御部６１０は、ライトオフセット量Ｘ０とライトオフセット量Ｘ１との和を１／２にして調整リードオフセット量Ｘ２を計算する。つまり、調整リードオフセット量Ｘ２は、式Ｘ２＝（Ｘ０＋Ｘ１）／２で求められる。ライト制御部６１０は、最適リード経路ＴＲＴ１から順方向に調整リードオフセット量Ｘ２でずれた調整リード半径位置ＡＲＰ１を計算する。リード処理において、リードヘッド１５Ｒを調整リード半径位置ＡＲＰ１に配置してリード位置決め誤差範囲ＰＲで揺動しながらセクタＳｃ１２がリードされる。

図７は、補正リードオフセット量Ｘ４の計算方法の一例を示す模式図である。図７は、図６に対応していてもよい。図７において、横軸は、半径位置を示している。図７において、半径位置は、原点０から横軸の矢印の先端に向かって進むに従って正の値が大きくなり、原点０から横軸の矢印の先端と反対に向かって進むに従って負の値が小さくなる。図７の横軸には、半径位置ＲＯ１と、半径位置ＲＯ２とを示している。図７において、半径位置ＲＯ１及びＲＯ２は、例えば、負の値である。半径位置ＲＯ１は、原点０から負の値の方向にオフセット量Ｘ２で離れている。半径位置ＲＯ２は、原点０から負の値の方向にオフセット量Ｘ４で離れている。半径位置ＲＯ２は、原点０と半径位置ＲＯ１との間に位置している。図７において、原点０は、例えば、最適リード経路ＴＲＴ１に相当する。図７において、半径位置ＲＯ１は、例えば、調整リード半径位置ＡＲＰ１に相当する。図７において、半径位置ＲＯ２は、例えば、補正リード半径位置に相当する。図７において、縦軸は、エラーレートを示している。図７において、エラーレートは、縦軸の矢印の先端に向かって進むに従って大きくなり、縦軸の矢印の先端と反対に向かって進むに従って小さくなる。図７の縦軸には、エラーレートＥＲ１を示している。エラーレートＥＲ１は、例えば、エラーレート閾値に相当する。

図７には、バンド領域ＴＧｋで瓦記録された複数のトラックの内の所定のトラックの所定のセクタにおける半径方向のエラーレートの変化（以下、エラーレートの変化と称する場合もある）ＥＲＬ１及びＥＲＬ２を示している。エラーレートの変化ＥＲＬ１は、半径位置ＴＷＴ１にライトヘッド１５Ｗを配置してライトしたセクタＳｃ１１を半径位置ＴＷＴ２にライトヘッド１５Ｗを配置してライトしたセクタＳｃ２１で瓦書きし形成されたセクタＳｃ１１を原点０（ＴＲＴ１）を中心にリードした場合の半径方向のエラーレートの変化に相当する。エラーレートの変化ＥＲＬ２は、半径位置ＳＷＰ１にライトヘッド１５Ｗを配置してライトしたセクタＳｃ１２を半径位置ＳＷＰ２にライトヘッド１５Ｗを配置してライトしたセクタＳｃ２２で瓦書きし形成されたセクタＳｃ１２を半径位置ＲＯ１（ＡＲＰ１）を中心にリードした場合の半径方向のエラーレートの変化に相当する。図７に示したエラーレートの変化ＥＲＬ１は、原点０で最小値になる曲線（又は、バスタブ曲線と称する場合もある）である。図７に示したエラーレートの変化ＥＲＬ２は、半径位置ＲＯ１で最小値になる曲線である。図７には、エラーレートの変化ＥＲＬ１及びＥＲＬ２に対応するオフセットマージンＯＦＳＭを示している。図７には、エラーレートの変化ＥＲＬ１及びＥＲＬ２に対応するリード位置決め誤差範囲ＰＲを示している。通常、リード位置決め誤差範囲ＰＲは、オフセットマージンＯＦＳＭよりも小さい。図７に示した例では、エラーレートの変化ＥＲＬ１におけるリード位置決め誤差範囲ＰＲは、原点０を中心としている。言い換えると、図７に示した例では、エラーレートの変化ＥＲＬ１におけるリード位置決め誤差範囲ＰＲは、原点０から半径位置の正の方向にＰＲ／２の範囲であり、且つ原点０から半径位置の負の方向にＰＲ／２の範囲である。ここで、ＰＲは、正の値である。図７に示した例では、エラーレートの変化ＥＲＬ２におけるリード位置決め誤差範囲ＰＲは、半径位置ＲＯ２を中心としている。言い換えると、図７に示した例では、エラーレートの変化ＥＲＬ２におけるリード位置決め誤差範囲ＰＲは、半径位置ＲＯ２から半径位置の正の方向にＰＲ／２の範囲であり、且つ半径位置ＲＯ２から半径位置の負の方向にＰＲ／２の範囲である。

ライト制御部６１０は、ライト処理時に最適ライト半径位置から半径方向にずれたライトした場合、最適リード半径位置０から調整リードオフセット量Ｘ２ずれた調整リード半径位置ＲＯ１を計算する。言い換えると、ライト制御部６１０は、調整リードオフセット量Ｘ２を計算する。ライト制御部６１０は、調整リードオフセット量Ｘ２がリードオフセット閾値以下であるかリードオフセット閾値よりも大きいかを判定する。図７において、リードオフセット閾値は、ＯＦＳＭ／２−ＰＲ／２で表される。なお、リード位置決め誤差を所定の値ＲＯＳで制限する場合、リードオフセット閾値は、ＯＦＳＭ／２−｜ＲＯＳ｜で表される。また、リードオフセット閾値は、ＯＦＳＭ／２−ＰＲ／２及びＯＦＳＭ／２−｜ＲＯＳ｜以外の値であってもよい。ライト制御部６１０は、調整リードオフセット量Ｘ２がリードオフセット閾値よりも大きいと判定した場合、補正リードオフセット量Ｘ４を計算する。ライト制御部６１０は、所定の半径位置にリードヘッド１５Ｒを配置してデータをリードする際にリード位置決め誤差範囲ＰＲがオフセットマージンＯＦＳＭに含まれるように補正リードオフセット量Ｘ４を計算する。図７に示した例では、ライト制御部６１０は、式Ｘ４＝Ｘ２＋ＰＲ／２−ＯＦＳＭ／２により補正リードオフセット量Ｘ４を計算する。つまり、図７に示した例では、ライト制御部６１０は、最小の補正リードオフセット量Ｘ４を計算する。ライト制御部６１０は、補正リードオフセット量Ｘ４を所定の記録領域、例えば、ディスク１０のシステムエリア１０ｃ、又は不揮発性メモリ８０等の不揮発性の記録領域にテーブルとして記録する。

図８は、補正リードオフセット量Ｘ４を記録するテーブルＴＢの一例を示す図である。図８に示したテーブルＴＢは、補正リードオフセット量に対応するヘッドの番号を示すヘッドと、補正リードオフセット量に対応するシリンダ（トラック）の番号を示すシリンダ（トラック）と、補正リードオフセット量に対応するセクタの番号を示すセクタ（以下、補正セクタと称する場合もある）と、補正リードオフセット量とを含む。補正セクタは、補正リードオフセット量が計算され、且つ補正リードオフセット量と配置された位置等の情報とが所定の記録領域に記録されたセクタに相当する。図８において、ヘッド１５は、ヘッドＨ０、Ｈ１、…、Ｈｎを含む。図８において、ディスク１０は、シリンダ（トラック）Ｃｙｌａ、Ｃｙｌｂ、…、Ｃｙｌｃ、…、Ｃｙｌｎを含む。図８において、ディスク１０は、補正セクタＳｃａ、Ｓｃｂ、…、Ｓｃｃ、…、Ｓｃｎを含む。

ライト制御部６１０は、ヘッドＨ０でシリンダＣｙｌａの補正セクタＳｃａに対応する補正リードオフセット量Ｏｆａを計算した場合、ヘッドＨ０、シリンダＣｙｌａ、補正セクタＳｃａ、及び補正リードオフセット量Ｏｆａを所定の記録領域、例えば、システムエリア１０ｃ、又は不揮発性メモリ８０等の不揮発性の記録領域に格納されたテーブルＴＢに記録する。

ライト制御部６１０は、ヘッドＨ０でシリンダＣｙｌｂの補正セクタＳｃｂに対応する補正リードオフセット量Ｏｆｂを計算した場合、ヘッドＨ０、シリンダＣｙｌｂ、補正セクタＳｃｂ、及び補正リードオフセット量Ｏｆｂを所定の記録領域、例えば、システムエリア１０ｃ、又は不揮発性メモリ８０等の不揮発性の記録領域に格納されたテーブルＴＢに記録する。

ライト制御部６１０は、ヘッドＨ１でシリンダＣｙｌｃの補正セクタＳｃｃに対応する補正リードオフセット量Ｏｆｃを計算した場合、ヘッドＨ１、シリンダＣｙｌｃ、補正セクタＳｃｃ、及び補正リードオフセット量Ｏｆｃを所定の記録領域、例えば、システムエリア１０ｃ、又は不揮発性メモリ８０等の不揮発性の記録領域に格納されたテーブルＴＢに記録する。

ライト制御部６１０は、ヘッドＨｎでシリンダＣｙｌｎの補正セクタＳｃｎに対応する補正リードオフセット量Ｏｆｎを計算した場合、ヘッドＨｎ、シリンダＣｙｌｎ、補正セクタＳｃｎ、及び補正リードオフセット量Ｏｆｎを所定の記録領域、例えば、システムエリア１０ｃ、又は不揮発性メモリ８０等の不揮発性の記録領域に格納されたテーブルＴＢに記録する。

リード制御部６２０は、ホスト１００等からのコマンドに従って、データのリード処理を制御する。リード制御部６２０は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ディスク１０上の所定の位置にヘッド１５を配置して、データをリードする。リード制御部６２０は、データをランダムリードしてもよいし、シーケンシャルリードしてもよい。

リード制御部６２０は、目標リード位置にヘッド１５（リードヘッド１５Ｒ）を配置してデータをリードする。リード制御部６２０は、目標リード位置にヘッド１５を配置してリードする。言い換えると、リード制御部６２０は、所定の円周位置で目標リード半径位置に配置するようにヘッド１５を制御してデータをリードする。例えば、リード制御部６２０は、所定の円周位置で目標リード半径位置に配置するようにヘッド１５を制御して所定のセクタをリードする。なお、リード制御部６２０は、目標リード経路に沿ってヘッド１５を制御して所定のトラックをリードしてもよい。

リード制御部６２０は、最適リード位置にヘッド１５を配置してデータをリードする。リード制御部６２０は、最適リード位置にヘッド１５を配置してリードする。言い換えると、リード制御部６２０は、所定の円周位置で最適リード半径位置に配置するようにヘッド１５を制御してデータをリードする。例えば、リード制御部６２０は、所定の円周位置で最適リード半径位置に配置するようにヘッド１５を制御して所定のセクタをリードする。なお、リード制御部６２０は、最適リード経路に沿ってヘッド１５を制御して所定のトラックをリードしてもよい。

リード制御部６２０は、補正リードオフセット量を記録したテーブルＴＢに基づいて、補正リード半径位置にヘッド１５を配置してデータをリードする。例えば、リード制御部６２０は、補正リードオフセット量を記録したテーブルＴＢに基づいて、補正セクタであるか補正リードオフセット量をテーブルＴＢに記録していない若しくは計算していないセクタ（以下、非補正セクタと称する場合もある）であるかを判定する。言い換えると、リード制御部６２０は、テーブルＴＢを参照して、補正セクタであるか非補正セクタであるとかを判定する。リード制御部６２０は、補正セクタであると判定した場合、補正リード半径位置に配置するようにヘッド１５を制御してこの補正セクタをリードする。リード制御部６２０は、非補正セクタであると判定した場合、最適リード半径位置に配置するようにヘッド１５を制御してこの非補正セクタをリードする。なお、リード制御部６２０は、補正セクタでは補正リード半径位置を通り、且つ非補正セクタでは最適リード半径位置を通る補正リード経路に沿ってヘッド１５を制御して所定のトラックをリードしてもよい。

リード制御部６２０は、最適リード位置又は補正リード位置に配置するようにヘッド１５を制御して、所定の位置（以下、実位置、又は実リード位置と称する場合もある）でデータをリードし得る。リード制御部６２０は、最適リード半径位置又は補正リード半径位置に配置するようにヘッド１５を制御して所定の半径位置（以下、実半径位置又は実リード半径位置と称する場合もある）でデータをリードし得る。実リード半径位置は、最適リード半径位置であってもよいし、補正リード半径位置であってもよいし、最適リード半径位置及び補正リード半径位置から半径方向にずれた位置であってもよい。なお、リード制御部６２０は、最適リード経路又は補正リード経路に沿って移動するようにヘッド１５を制御して各円周位置に対応する各実リード半径位置を通る経路（以下、実リード経路と称する場合もある）に沿ってデータをリードしてもよい。実リード経路は、最適リード経路であってもよいし、補正リード経路であってもよいし、少なくとも１つの円周位置で最適リード半径位置又は補正リード半径位置から半径方向にずれている経路であってもよい。

図９は、本実施形態に係るライト処理時のヘッド１５の位置決め制御系ＷＳＹの一例を示すブロック図である。
磁気ディスク装置１は、ライト処理時のヘッド１５の位置決め制御系（以下、ライト制御系と称する場合もある）ＷＳＹを有している。ライト制御系ＷＳＹは、変換器Ａ０と、制御器Ａ１と、アクチュエータＡ２と、メモリＡ３と、演算比較器Ａ４と、演算器ＣＬ１と、演算器ＣＬ２と、演算器ＣＬ３とを有している。変換器Ａ０、制御器Ａ１、アクチュエータＡ２、メモリＡ３、演算比較器Ａ４、演算器ＣＬ１、演算器ＣＬ２、及び演算器ＣＬ３は、例えば、システムコントローラ１３０、ディスク１０、揮発性メモリ７０、不揮発性メモリ８０、及びバッファメモリ９０に含まれている。アクチュエータＡ２は、例えば、アーム１３及びＶＣＭ１４等で構成されている。メモリＡ３は、例えば、ディスク１０、揮発性メモリ７０、不揮発性メモリ８０、又はバッファメモリ９０に含まれている。演算器ＣＬ１、制御器Ａ１、及びアクチュエータＡ２は、フィードバックシステムを構成している。

図９において、ヘッド番号Ｈのヘッド１５によりライトしているトラック番号Ｃの対象トラックのセクタ番号Ｓの対象セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）と、対象セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）における目標位置（最適位置）Ｘｗと、対象セクタ（Ｃ，Ｓ）に対応する対象ライトオフセット量Ｘ１（Ｃ，Ｓ）と、対象セクタ（Ｃ，Ｓ）の順方向と反対方向に隣接するトラック番号Ｃ−１の前トラックのセクタ番号Ｓの半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応する前ライトオフセット量Ｘ０（Ｃ−１，Ｓ）とは、いずれも、ライト制御系ＷＳＹ内で信号、又は情報として処理される。また、ディスク１０の全トラックのトラック幅の狭窄量Ｘ０−Ｘ１の上限値Ｄ０（Ｘ０−Ｘ１＜Ｄ０）と、対象セクタ（Ｃ，Ｓ）のＤＯＬ Ｄ１と、ライト処理を禁止するフラグ（以下、ライト禁止フラグと称する場合もある）Ｆ０と、対象ライトオフセット量の逆符号量ｅｗと、対象セクタにおけるアクチュエータＡ２の駆動量Ｕと、対象セクタにおけるヘッド１５の実位置Ｙｗとも、それぞれ、ライト制御系ＷＳＹ内で信号、又は情報として処理される。セクタ番号Ｓは、半径方向において隣接するセクタ同士で同じ番号になり得る。

変換器Ａ０は、上位装置、例えば、ホスト１００から指定されたディスク１０の論理的な位置（以下、論理位置と称する）に対応する物理的な位置（以下、物理位置と称する）をディスク１０の半径位置に変換する。論理位置は、例えば、論理ブロックアドレス（ＬＢＡ）であってもよいし、物理位置は、例えば、ディスク１０の物理位置を示すサーボ情報配列であってもよい。変換器Ａ０は、例えば、ホスト１００から指定されたＬＢＡに対応するサーボ情報配列（Ｃ：トラック又はシリンダ、Ｓ：セクタ、Ｈ：ヘッド）からヘッド１５の位置決めするディスク１０の同心円状の複数のトラックの内の所定のトラックのトラック番号Ｃとトラック番号Ｃのトラックの複数のセクタの内の所定のセクタのセクタ番号Ｓとの組み合わせ（Ｃ，Ｓ）をセクタ番号Ｓのセクタにおける目標位置（最適位置）Ｘｗに変換する。

制御器Ａ１は、アクチュエータＡ２を制御する。制御器Ａ１は、例えば、目標位置（最適位置）Ｘｗ及び実位置Ｙｗの差分値である対象ライトオフセット量の逆符号量ｅｗに基づいて、アクチュエータＡ２のヘッド１５の駆動量Ｕを生成する。なお、制御器Ａ１は、対象ライトオフセット量の逆符号量ｅｗ以外の値に基づいて、駆動量Ｕを生成してもよい。

アクチュエータＡ２は、制御器Ａ１の出力に応じて駆動する。アクチュエータＡ２は、例えば、駆動量Ｕに基づいて駆動し、対象セクタ（Ｃ，Ｓ）においてヘッド１５を実位置Ｙｗに移動する。

メモリＡ３は、前トラックＣ−１の各半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）の前ライトオフセット量Ｘ０（Ｃ−１，Ｓ）が格納されている。メモリＡ３は、対象トラックＣの対象セクタ（Ｃ，Ｓ）の対象ライトオフセット量Ｘ１（Ｃ，Ｓ）を格納する。メモリＡ３は、対象トラックＣの対象セクタ（Ｃ，Ｓ）の半径方向に隣接する半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）の前ライトオフセット量Ｘ０（Ｃ−１，Ｓ）を出力する。

演算比較器Ａ４は、対象セクタ（Ｃ，Ｓ）に対応するＤＯＬ Ｄ１と対象セクタ（Ｃ，Ｓ）に対応する対象ライトオフセット量Ｘ１（Ｃ，Ｓ）とを比較して対象ライトオフセット量Ｘ１（Ｃ，Ｓ）がＤＯＬ Ｄ１（Ｃ，Ｓ）を超えた場合にはフラグＦ０を生成する。

データをライトするディスク１０の論理位置、例えば、ＬＢＡが上位装置、例えば、ホスト１００により指定された場合、ライト制御系ＷＳＹは、ＬＢＡを物理位置（Ｃ，Ｓ）に予め変換し、対象セクタ（Ｃ，Ｓ）を変換器Ａ０及びメモリＡ３に出力する。変換器Ａ０は、位置（Ｃ，Ｓ）が入力される。変換器Ａ０は、位置（Ｃ，Ｓ）を目標位置（最適位置）Ｘｗに変換し、演算器ＣＬ１及びＣＬ２に出力する。演算器ＣＬ１は、目標位置（最適位置）Ｘｗ及び実位置Ｙｗが入力される。演算器ＣＬ１は、目標位置（最適位置）Ｘｗ及び実位置Ｙｗの差分から対象ライトオフセット量の逆符号量ｅｗを計算し、対象ライトオフセット量の逆符号量ｅｗを制御器Ａ１に出力する。制御器Ａ１は、対象ライトオフセット量ｅｗが入力される。制御器Ａ１は、駆動量ＵをアクチュエータＡ２に出力する。アクチュエータＡ２は、駆動量Ｕが入力される。アクチュエータＡ２は、駆動量Ｕに応じて駆動し、駆動量Ｕに対応する実位置Ｙｗにヘッド１５、例えば、ライトヘッド１５Ｗを移動する。アクチュエータＡ２は、実位置Ｙｗを演算器ＣＬ１及びＣＬ２に出力する。

演算器ＣＬ２は、目標位置（最適位置）Ｘｗ及び実位置Ｙｗが入力される。演算器ＣＬ２は、目標位置Ｘｗ及び実位置Ｙｗの差分から対象ライトオフセット量Ｘ１（Ｃ，Ｓ）を算出し、対象ライトオフセット量Ｘ１（Ｃ，Ｓ）をメモリＡ３及び演算比較器Ａ４に出力する。メモリＡ３は、対象セクタ（Ｃ，Ｓ）の対象ライトオフセット量Ｘ１（Ｃ，Ｓ）が入力される。メモリＡ３は、対象トラックＣの対象セクタ（Ｃ，Ｓ）の半径方向に隣接する半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）の前ライトオフセット量Ｘ０（Ｃ−１，Ｓ）を演算器ＣＬ３に出力する。演算器ＣＬ３は、前ライトオフセット量Ｘ０（Ｃ−１，Ｓ）及び上限値Ｄ０が入力される。演算器ＣＬ３は、前ライトオフセット量Ｘ０（Ｃ−１，Ｓ）から上限値Ｄ０を差分した対象セクタ（Ｃ，Ｓ）に対応するＤＯＬ Ｄ１を演算比較器Ａ４に出力する。演算比較器Ａ４は、対象ライトオフセット量Ｘ１（Ｃ，Ｓ）及び対象セクタ（Ｃ，Ｓ）におけるＤＯＬ Ｄ１が入力される。演算比較器Ａ４は、対象ライトオフセット量Ｘ１（Ｃ，Ｓ）と対象セクタ（Ｃ，Ｓ）におけるＤＯＬ Ｄ１とを比較して、対象ライトオフセット量Ｘ１（Ｃ，Ｓ）が対象セクタ（Ｃ，Ｓ）におけるＤＯＬ Ｄ１を超えている場合にフラグＦ０を出力又はアサートする。演算比較器Ａ４は、対象ライトオフセット量Ｘ１（Ｃ，Ｓ）と対象セクタ（Ｃ，Ｓ）におけるＤＯＬ Ｄ１とを比較して、対象ライトオフセット量Ｘ１（Ｃ，Ｓ）が対象セクタ（Ｃ，Ｓ）におけるＤＯＬ Ｄ１以下である場合にフラグＦ０を出力しない又はネゲートする。

図１０は、本実施形態における補正リードオフセット量Ｘ４の記録機能系ＲＣＳＹの一例を示すブロック図である。
磁気ディスク装置１は、ライト処理時における補正リードオフセット量Ｘ４の記録機能系（以下、記録機能系と称する場合もある）ＲＣＳＹを有している。例えば、ライト制御系ＷＳＹは、記録機能系ＲＣＳＹを含む。記録機能系ＲＣＳＹは、オフセット量計算器ＲＣと、セレクタＡ１１と、メモリＡ１２とを有している。オフセット量計算器ＲＣは、演算器ＣＬ４と、ゲインＡ１０とを有している。ゲインＡ１０、セレクタＡ１１、メモリＡ１２、及び演算器ＣＬ４は、例えば、システムコントローラ１３０、ディスク１０、揮発性メモリ７０、不揮発性メモリ８０、又はバッファメモリ９０に含まれている。

図１０において、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応する調整リードオフセット量Ｘ２（Ｃ−１，Ｓ）と、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応する補正リードオフセット量［Ｓ，Ｘ４］と、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応するヘッド番号（Ｃ−１，Ｈ）とは、いずれも、記録機能系ＲＣＳＹ内で信号、又は情報として処理される。

記録機能系ＲＣＳＹは、前ライトオフセット量Ｘ０（Ｃ−１，Ｓ）と対象ライトオフセット量Ｘ１（Ｃ，Ｓ）とに基づいて、調整リードオフセット量Ｘ２（Ｃ−１，Ｓ）を計算する。記録機能系ＲＣＳＹは、前ライトオフセット量Ｘ０（Ｃ−１，Ｓ）と対象ライトオフセット量Ｘ１（Ｃ，Ｓ）との和（Ｘ０＋Ｘ１）の１／２にして調整リードオフセット量Ｘ２（Ｃ−１，Ｓ）｛Ｘ２＝（Ｘ０＋Ｘ１）／２｝を計算する。ゲインＡ１０は、前ライトオフセット量Ｘ０と対象ライトオフセット量Ｘ１との和（Ｘ０＋Ｘ１）を１／２にする。

セレクタＡ１１は、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応する調整リードオフセット量Ｘ２に基づいて、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応する補正リードオフセット量［Ｓ，Ｘ４］を記録（計算又は設定）するか記録（計算又は設定）しないかを判定する。言い換えると、セレクタＡ１１は、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応する調整リードオフセット量Ｘ２に基づいて、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応する調整リードオフセット量Ｘ２を補正するか補正しないかを判定する。例えば、セレクタＡ１１は、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応する調整リードオフセット量Ｘ２がリードオフセット閾値よりも大きいかリードオフセット閾値以下であるかに基づいて、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応する補正リードオフセット量［Ｓ，Ｘ４］を記録するか記録しないかを判定する。セレクタＡ１１は、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応する調整リードオフセット量Ｘ２がリードオフセット閾値よりも大きいと判定した場合、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応する補正リードオフセット量［Ｓ，Ｘ４］を記録すると判定する。セレクタＡ１１は、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応する調整リードオフセット量Ｘ２がリードオフセット以下であると判定した場合、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応する補正リードオフセット量［Ｓ，Ｘ４］を記録しないと判定する。

メモリＡ１２は、前トラックＣ−１の所定の半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応する補正リードオフセット量［Ｓ，Ｘ４］とこの半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応するヘッド（Ｃ−１，Ｈ）とを記録する。

記録機能系ＲＣＳＹは、前ライトオフセット量Ｘ０（Ｃ−１，Ｓ）と対象ライトオフセット量Ｘ１（Ｃ，Ｓ）とが入力される。記録機能系ＲＣＳＹにおいて、オフセット量計算器ＲＣは、前ライトオフセット量Ｘ０（Ｃ−１，Ｓ）と対象ライトオフセット量Ｘ１（Ｃ，Ｓ）とが入力される。オフセット量計算器ＲＣにおいて、演算器ＣＬ４は、前ライトオフセット量Ｘ０（Ｃ−１，Ｓ）と対象ライトオフセット量Ｘ１（Ｃ，Ｓ）とが入力される。演算器ＣＬ４は、前ライトオフセット量Ｘ０（Ｃ−１，Ｓ）と対象ライトオフセット量Ｘ１（Ｃ，Ｓ）との和を計算し、前ライトオフセット量Ｘ０（Ｃ−１，Ｓ）と対象ライトオフセット量Ｘ１（Ｃ，Ｓ）との和をゲインＡ１０に出力する。ゲインＡ１０は、前ライトオフセット量Ｘ０（Ｃ−１，Ｓ）と対象ライトオフセット量Ｘ１（Ｃ，Ｓ）との和が入力される。ゲインＡ１０は、前ライトオフセット量Ｘ０（Ｃ−１，Ｓ）と対象ライトオフセット量Ｘ１（Ｃ，Ｓ）との和を１／２にした調整リードオフセット量Ｘ２（Ｃ−１，Ｓ）をセレクタＡ１１に出力する。

セレクタＡ１１は、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応する調整リードオフセット量Ｘ２（Ｃ−１，Ｓ）が入力される。セレクタＡ１１は、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応する調整リードオフセット量Ｘ２（Ｃ−１，Ｓ）がリードオフセット閾値よりも大きいと判定した場合、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応する補正リードオフセット量［Ｓ，Ｘ４］をメモリＡ１２に出力する。セレクタＡ１１は、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応する調整リードオフセット量Ｘ２（Ｃ−１，Ｓ）がリードオフセット閾値以下であると判定した場合、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応する補正リードオフセット量［Ｓ，Ｘ４］を出力しない。メモリＡ１２は、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応する補正リードオフセット量［Ｓ，Ｘ４］と半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応するヘッド（Ｃ−１，Ｈ）とが入力される。メモリＡ１２は、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応する補正リードオフセット量［Ｓ，Ｘ４］と半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｓ）に対応するヘッド（Ｃ−１，Ｈ）とを記録する。

図１１は、本実施形態に係るリード処理時のヘッド１５の位置決め制御系ＲＳＹの一例を示すブロック図である。
磁気ディスク装置１は、リード処理時のヘッド１５の位置決め制御系（以下、リード制御系と称する場合もある）ＲＳＹを有している。リード制御系ＲＳＹは、変換器Ａ０と、制御器Ａ１と、アクチュエータＡ２と、メモリＡ１２と、演算器ＣＬ１と、演算器ＣＬ５とを有している。変換器Ａ０、制御器Ａ１、アクチュエータＡ２、メモリＡ１２、演算器ＣＬ１、及び演算器ＣＬ５は、例えば、システムコントローラ１３０、ディスク１０、揮発性メモリ７０、不揮発性メモリ８０、及びバッファメモリ９０に含まれている。

図１１において、対象セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）と、対象セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）における目標位置（最適位置）Ｘｒと、対象セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）に対応する補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ）と、対象セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）に対応する補正リード半径位置Ｘ５と、対象リードオフセット量の逆符号量ｅｒと、対象セクタにおけるアクチュエータＡ２の駆動量Ｕと、対象セクタにおけるヘッド１５の実位置Ｙｒとは、いずれも、リード制御系ＲＳＹ内で信号、又は情報として処理される。

変換器Ａ０は、上位装置、例えば、ホスト１００から指定されたディスク１０の論理位置に対応する物理位置をディスク１０の半径位置に変換する。変換器Ａ０は、例えば、ホスト１００から指定されたＬＢＡに対応するサーボ情報配列（Ｃ：トラック又はシリンダ、Ｓ：セクタ）からヘッド１５の内にヘッド番号Ｈのヘッドを位置決めするディスク１０の同心円状の複数のトラックの内の所定のトラックのトラック番号Ｃと、複数のヘッドの内の所定のヘッドのヘッド番号Ｈと、トラック番号Ｃのトラックの複数のセクタの内の所定のセクタのセクタ番号Ｓとの組み合わせ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）をセクタ番号Ｓのセクタにおける目標位置（最適位置）Ｘｒに変換する。

制御器Ａ１は、アクチュエータＡ２を制御する。制御器Ａ１は、例えば、補正リード半径位置Ｘ５及び実位置Ｙｒの差分値である対象セクタに対応するリードオフセット量（以下、対象リードオフセット量と称する場合もある）の逆符号量ｅｒに基づいて、アクチュエータＡ２のヘッド１５の駆動量Ｕを生成する。なお、制御器Ａ１は、対象リードオフセット量の逆符号量ｅｒ以外の値に基づいて、駆動量Ｕを生成してもよい。

アクチュエータＡ２は、制御器Ａ１の出力に応じて駆動する。アクチュエータＡ２は、例えば、駆動量Ｕに基づいて駆動し、対象セクタ（Ｃ，Ｈ、Ｓ）においてヘッド１５を実位置Ｙｒに移動する。

メモリＡ１２は、幾つかのセクタに対応する補正リードオフセット量Ｘ４とこれらのセクタに対応するヘッドのヘッド番号とが格納されている。メモリＡ１２は、所定のセクタに対応する補正リードオフセット量Ｘ４を出力する。

データをリードするディスク１０の論理位置、例えば、ＬＢＡが上位装置、例えば、ホスト１００により指定された場合、リード制御系ＲＳＹは、ＬＢＡを物理位置（Ｃ，Ｈ，Ｓ）に予め変換し、対象セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）を変換器Ａ０及びメモリＡ１２に出力する。変換器Ａ０は、位置（Ｃ，Ｈ，Ｓ）が入力される。変換器Ａ０は、位置（Ｃ，Ｈ，Ｓ）を目標位置（最適位置）Ｘｒに変換し、演算器ＣＬ５に出力する。メモリＡ１２は、位置（Ｃ，Ｈ，Ｓ）が入力される。メモリＡ１２は、対象セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）に対応する補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ）を演算器ＣＬ５に出力する。演算器ＣＬ５は、目標位置（最適位置）Ｘｒ及び補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ）が入力される。演算器ＣＬ５は、目標位置（最適位置）Ｘｒ及び補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ）の和から補正リード半径位置Ｘ５を計算し、補正リード半径位置Ｘ５を演算器ＣＬ１に出力する。演算器ＣＬ１は、補正リード半径位置Ｘ５及び実位置Ｙｒが入力される。演算器ＣＬ１は、補正リード半径位置Ｘ５及び実位置Ｙｒの差分から対象リードオフセット量の逆符号量ｅｒを計算し、対象リードオフセット量の逆符号量ｅｒを制御器Ａ１に出力する。制御器Ａ１は、対象リードオフセット量の逆符号量ｅｒが入力される。制御器Ａ１は、駆動量ＵをアクチュエータＡ２に出力する。アクチュエータＡ２は、駆動量Ｕが入力される。アクチュエータＡ２は、駆動量Ｕに応じて駆動し、駆動量Ｕに対応する実位置Ｙｒにヘッド１５、例えば、リードヘッド１５Ｒを移動する。アクチュエータＡ２は、実位置Ｙｒを演算器ＣＬ１に出力する。

図１２は、本実施形態に係るライト処理方法の一例を示すフローチャートである。
ＭＰＵ６０は、対象セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）にデータをライトする（Ｂ１２０１）。ＭＰＵ６０は、対象セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）の半径方向に隣接する半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｈ，Ｓ）の調整リードオフセット量Ｘ２を計算する（Ｂ１２０２）。ＭＰＵ６０は、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｈ，Ｓ）に対応する補正リードオフセット量Ｘ４を記録するか記録しないかを判定する（Ｂ１２０３）。例えば、ＭＰＵ６０は、調整リードオフセット量Ｘ２及びリードオフセット閾値に基づいて、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｈ，Ｓ）に対応する補正リードオフセット量Ｘ４を記録するか記録しないかを判定する。言い換えると、ＭＰＵ６０は、調整リードオフセット量Ｘ２に基づいて、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｈ，Ｓ）に対応する目標リードオフセット量を調整リードオフセット量Ｘ２から補正リードオフセット量Ｘ４に補正するか補正しないかを判定する。補正リードオフセット量Ｘ４を記録しないと判定した場合（Ｂ１２０３のＮＯ）、ＭＰＵ６０は、補正リードオフセット量Ｘ４を記録せずに処理を終了する。言い換えると、目標リードオフセット量を調整リードオフセット量Ｘ２から補正リードオフセット量Ｘ４に補正しないと判定した場合、ＭＰＵ６０は、処理を終了する。例えば、調整リードオフセット量Ｘ２がリードオフセット閾値以下であると判定して補正リードオフセット量Ｘ４を記録しないと判定した場合、ＭＰＵ６０は、補正リードオフセット量Ｘ４を計算せずに、処理を終了する。言い換えると、調整リードオフセット量Ｘ２がリードオフセット閾値以下であると判定して目標リードオフセット量を調整リードオフセット量Ｘ２から補正リードオフセット量Ｘ４に補正しないと判定した場合、ＭＰＵ６０は、目標リードオフセット量を調整リードオフセット量Ｘ２から補正リードオフセット量Ｘ４に補正せずに、処理を終了する。

補正リードオフセット量Ｘ４を記録すると判定した場合（Ｂ１２０３のＹＥＳ）、ＭＰＵ６０は、補正リードオフセット量Ｘ４を計算（又は補正）する（Ｂ１２０４）。言い換えると、目標リードオフセット量を調整リードオフセット量Ｘ２から補正リードオフセット量Ｘ４に補正すると判定した場合、ＭＰＵ６０は、補正リードオフセット量Ｘ４を計算（又は補正）する。例えば、調整リードオフセット量Ｘ２がリードオフセット閾値よりも大きいと判定して補正リードオフセット量Ｘ４を記録すると判定した場合、ＭＰＵ６０は、ライト位置情報に基づいて、補正リードオフセット量Ｘ４を計算（又は補正）する。言い換えると、調整リードオフセット量Ｘ２がリードオフセット閾値よりも大きいと判定して目標リードオフセット量を調整リードオフセット量Ｘ２から補正リードオフセット量Ｘ４に補正すると判定した場合、ＭＰＵ６０は、ライト位置情報に基づいて、目標リードオフセット量を調整リードオフセット量Ｘ２から補正リードオフセット量Ｘ４に計算（又は補正）する。ＭＰＵ６０は、半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｈ，Ｓ）と半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｈ，Ｓ）に対応する補正リードオフセット量Ｘ４とを所定の記録領域、例えば、ディスク１０のシステムエリア１０ｃ、又は不揮発性メモリ８０等の不揮発性の記録領域にテーブルとして記録し（Ｂ１２０５）、処理を終了する。

図１３は、図１２における調整リードオフセット量Ｘ２の計算方法の一例を示すフローチャートである。
図１２に示したＢ１２０２において、ＭＰＵ６０は、対象セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）に対応する対象ライトオフセット量Ｘ１を取得する（Ｂ１３０１）。ＭＰＵ６０は、所定の記録領域、例えば、ディスク１０のシステムエリア１０ｃ、又は不揮発性メモリ８０等の不揮発性の記録領域に格納したテーブルから半径方向前セクタ（Ｃ−１，Ｈ，Ｓ）に対応する前ライトオフセット量Ｘ０を取得する（Ｂ１３０２）。ＭＰＵ６０は、前ライトオフセット量Ｘ０と対象ライトオフセット量Ｘ１とに基づいて、調整リードオフセット量Ｘ２を計算する（Ｂ１３０３）。例えば、ＭＰＵ６０は、前ライトオフセット量Ｘ０と対象ライトオフセット量Ｘ１との和を１／２にして調整リードオフセット量Ｘ２を計算する。

図１４は、本実施形態に係るリード処理方法の一例を示すフローチャートである。
ＭＰＵ６０は、所定の記録領域、例えば、ディスク１０のシステムエリア１０ｃ、又は不揮発性メモリ８０等の不揮発性の記録領域に格納したテーブルに対象セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）に対応する補正リードオフセット量Ｘ４が記録されているか記録されていないかを判定する（Ｂ１４０１）。所定の記録領域、例えば、ディスク１０のシステムエリア１０ｃ、又は不揮発性メモリ８０等の不揮発性の記録領域に格納したテーブルに対象セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）に対応する補正リードオフセット量Ｘ４が記録されていないと判定した場合（Ｂ１４０１のＮＯ）、ＭＰＵ６０は、最適リード半径位置を計算し（Ｂ１４０２）、Ｂ１４０４の処理に進む。所定の記録領域、例えば、ディスク１０のシステムエリア１０ｃ、又は不揮発性メモリ８０等の不揮発性の記録領域に格納したテーブルに対象セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）に対応する補正リードオフセット量Ｘ４が記録されていると判定した場合（Ｂ１４０１のＹＥＳ）、ＭＰＵ６０は、補正リード半径位置Ｘ５を計算する（Ｂ１４０３）。ＭＰＵ６０は、補正リード半径位置Ｘ５と実位置Ｙｒとの差分である対象リードオフセット量ｅｒに基づいて、ヘッド１５を制御して対象セクタ（のデータ）をリードし（Ｂ１４０４）、処理を終了する。

本実施形態によれば、磁気ディスク装置１は、対象セクタにデータをライトする場合、対象セクタの半径方向に隣接する半径方向前セクタの調整リードオフセット量Ｘ２を計算する。磁気ディスク装置１は、調整リードオフセット量Ｘ２がリードオフセット閾値よりも大きいかリードオフセット閾値以下であるかを判定する。調整リードオフセット量Ｘ２がリードオフセット閾値よりも大きいと判定した場合、磁気ディスク装置１は、半径方向前セクタの補正リードオフセット量Ｘ４を計算し、補正リードオフセット量Ｘ４を所定の記録領域、例えば、ディスク１０のシステムエリア１０ｃ、又は不揮発性メモリ８０の不揮発性の記録領域にテーブルとして記録する。磁気ディスク装置１は、対象セクタからデータをリードする場合、所定の記録領域、例えば、ディスク１０のシステムエリア１０ｃ、又は不揮発性メモリ８０の不揮発性の記録領域に格納されたテーブルに対象セクタに対応する補正リードオフセット量Ｘ４が記録されているか記録されていないかを判定する。所定の記録領域、例えば、ディスク１０のシステムエリア１０ｃ、又は不揮発性メモリ８０の不揮発性の記録領域に格納したテーブルに対象セクタに対応する補正リードオフセット量Ｘ４が記録されていると判定した場合、磁気ディスク装置１は、補正リード半径位置Ｘ５と実位置Ｙｒとの差分である対象リードオフセット量の逆符号量ｅｒに基づいて、ヘッド１５を制御して対象セクタ（のデータ）をリードする。磁気ディスク装置１は、補正リードオフセット量Ｘ４を選択的に所定の記録領域、例えば、ディスク１０のシステムエリア１０ｃ、又は不揮発性メモリ８０等の不揮発性の記録領域に記録するため、全てのセクタに対応する複数の補正リードオフセット量Ｘ４を記録する場合の記録領域の記録容量よりも選択したセクタに対応する幾つかの補正リードオフセット量Ｘ４を記録する場合の記録領域、例えば、不揮発性の記録領域の記録容量を小さくすることができる。また、磁気ディスク装置１は、所定の記録領域に記録した補正リードオフセット量Ｘ４に対応するセクタのみで目標リードオフセット量を最適リードオフセット量から補正リードオフセット量Ｘ４に補正してリードするために、リード処理におけるオーバーヘッドの発生を抑制できる。そのため、磁気ディスク装置１は、リード性能を向上することができる。

次に、前述の実施形態の変形例に係る磁気ディスク装置について説明する。変形例において、前述の実施形態と同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
（変形例１）
変形例１に係る磁気ディスク装置１は、リード処理方法が前述した第１実施形態の磁気ディスク装置１と異なる。
ＭＰＵ６０は、補正セクタをリードする際に、この補正セクタを含む円周方向の所定の区間（以下、補正区間と称する場合もある）又は期間（duration）（以下、補正期間と称する場合もある）を設定する。なお、ＭＰＵ６０は、ライト処理時に補正セクタに対応する補正ライトオフセット量を計算した際に、補正区間又は補正期間を設定してもよい。ＭＰＵ６０は、補正セクタをリードする際に、補正区間又は補正期間においてこの補正セクタの円周方向に連続して配置されている複数の非補正セクタ（以下、予備補正セクタと称する場合もある）にそれぞれ対応する複数の補正リードオフセット量を計算（設定又は生成）する。なお、ＭＰＵ６０は、ライト処理時に補正セクタに対応する補正ライトオフセット量を計算した際に、補正区間又は補正期間においてこの補正セクタの円周方向に連続して配置されている予備補正セクタにそれぞれ対応する複数の補正リードオフセット量を計算（設定又は生成）してもよい。補正セクタ及び予備補正セクタは、補正区間又は補正期間内に位置している。補正区間は、補正期間に対応する区間であり、補正期間は、補正区間に対応する期間である。例えば、ヘッド１５の位置決め制御系の追従帯域が３ｋＨｚ程度と仮定した場合、補正期間は、１５０μｓｅｃ程度に設定される。なお、補正期間は、１５０μｓｅｃ以外であってもよい。ＭＰＵ６０は、補正セクタをリードする際に、この補正セクタを滑らかにリードできるように、複数の予備補正セクタにそれぞれ対応する複数の補正リードオフセット量をそれぞれ生成する。言い換えると、ＭＰＵ６０は、補正セクタをリードする際に、この補正セクタに対応する補正リードオフセット量と複数の予備補正セクタにそれぞれ対応する複数の補正リードオフセット量とが連続となるように、複数の予備補正セクタにそれぞれ対応する複数の補正リードオフセット量を生成する。なお、ＭＰＵ６０は、補正セクタに対応する補正リードオフセット量を生成してもよい。例えば、ＭＰＵ６０は、補正セクタをリードする際に、補正セクタから進行方向に連続して並ぶ複数の予備補正セクタにそれぞれ対応する複数の補正リードオフセット量をこの補正セクタに対応する補正リードオフセット量から離れるように徐々に小さくなるように生成し、且つ補正セクタから進行方向と反対方向に並ぶ複数の予備補正セクタにそれぞれ対応する複数の補正リードオフセット量をこの補正セクタに対応する補正リードオフセット量に近づくように徐々に大きくなるように生成する。

なお、ＭＰＵ６０は、補正リードオフセット量が大きい場合、補正期間（又は補正区間）を大きくし、補正リードオフセット量が小さい場合、補正期間（又は補正区間）を小さくしてもよい。言い換えると、ＭＰＵ６０は、補正リードオフセット量が大きい場合、予備補正セクタの数を増やし、補正リードオフセット量が小さい場合、予備補正セクタの数を減らしてもよい。また、ＭＰＵ６０は、補正リードオフセット量が所定の値よりも小さい場合、補正期間（又は補正区間）を設定しなくともよい。言い換えると、ＭＰＵ６０は、補正リードオフセット量が所定の値よりも小さい場合、予備補正セクタに対応する補正リードオフセット量を計算せずに、補正セクタに対応する補正リードオフセット量のみを設定する。

ＭＰＵ６０は、複数の予備補正セクタにそれぞれ対応する複数の補正リードオフセット量を生成した場合、補正セクタに対応する補正リードオフセット量と複数の予備補正セクタに対応する複数の補正リードオフセット量とに基づいて、複数の予備補正セクタと補正セクタとを滑らかにリードする。

図１５は、補正リードオフセット量Ｘ６の計算方法の一例を示す模式図である。バンド領域ＴＧ１４において、トラックＴＲ１４１及びＴＲ１４２は、記載の順番に順方向に重ね書きされている。図１５には、トラックＴＲ１４１に対応する最適リード経路ＴＲＴ１４１と、トラックＴＲ１４２に対応する最適リード経路ＴＲＴ１４２とを示している。図１５には、補正セクタ（Ｃ，Ｓ）に対応する補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ）＝Ｘ４（Ｃ，Ｓ）と、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ−３）に対応する補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ−３）と、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ−２）に対応する補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ−２）と、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ−１）に対応する補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ−１）と、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋１）に対応する補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋１）と、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋２）に対応する補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋２）と、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋３）に対応する補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋３）と、を示している。予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋１）は、補正セクタ（Ｃ，Ｓ）の進行方向に隣接している。予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋２）は、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋１）の進行方向に隣接している。予備補正セクタ（Ｃ,Ｓ＋３）は、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋２）の進行方向に隣接している。予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ−１）は、補正セクタ（Ｃ，Ｓ）の進行方向の反対方向に隣接している。予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ−２）は、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ−１）の進行方向の反対方向に隣接している。予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ−３）は、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ−２）の進行方向の反対方向に隣接している。補正セクタ（Ｃ，Ｓ）、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ−１）、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ−２）、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ−３）、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋１）、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋２）、及び予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋３）は、補正期間内に位置している。

補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ−１）は、補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ）＝Ｘ４（Ｃ，Ｓ）よりも小さい。補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ−２）は、補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ−１）より小さい。補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ−３）は、０よりも大きく、補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ−２）より小さい。なお、補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ−３）は、０であってもよい。補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋１）は、補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ）＝Ｘ４（Ｃ，Ｓ）よりも小さい。補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋２）は、補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋１）よりも小さい。補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋３）は、０よりも大きく、補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋２）よりも小さい。なお、補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋３）は、０であってもよい。

ＭＰＵ６０は、補正セクタ（Ｃ，Ｓ）をリードする際に、補正セクタ（Ｃ，Ｓ）を含むように補正期間（又は補正区間）を設定する。ＭＰＵ６０は、補正セクタ（Ｃ，Ｓ）をリードする際に、補正期間（又は補正区間）に含まれる予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ−３）乃至（Ｃ，Ｓ−１）にそれぞれ対応する補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ−３）乃至Ｘ６（Ｃ，Ｓ−１）と、補正期間（又は補正区間）に含まれる予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋１）乃至（Ｃ,Ｓ＋３）にそれぞれ対応する補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋１）乃至Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋３）とをそれぞれ計算（設定又は生成）する。ＭＰＵ６０は、補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ−３）乃至Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋３）に基づいて、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ−３）乃至（Ｃ,Ｓ−１）、補正セクタ（Ｃ，Ｓ）、及び予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋１）乃至（Ｃ，Ｓ＋３）をリードする。

図１６は、変形例１に係るリード制御系ＲＳＹの一例を示すブロック図である。
リード制御系ＲＳＹは、生成器Ａ２１をさらに有している。生成器Ａ２１は、例えば、システムコントローラ１３０、ディスク１０、揮発性メモリ７０、不揮発性メモリ８０、及びバッファメモリ９０に含まれている。また、対象セクタ（Ｓ）が必ずしも補正セクタでなくとも補正が行われるので、ここではメモリＡ１２に記録されている補正セクタを（Ｓ０）と表記する。図１６において、補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ０−Ｎ），…，Ｘ６（Ｃ，Ｓ０），…，Ｘ６（Ｃ，Ｓ０＋Ｎ）は、リード制御系ＲＳＹ内で信号、又は情報として処理される。

生成器Ａ２１は、補正セクタ（Ｓ０）とこの補正セクタ（Ｓ０）に対応した補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ０）とに基づいて、複数の補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ０−Ｎ），…、Ｘ６（Ｃ，Ｓ０），…，Ｘ６（Ｃ，Ｓ０＋Ｎ）を生成し、対象セクタ（Ｓ）がセクタ（Ｓ０−Ｎ），…，（Ｓ０），…，（Ｓ０＋Ｎ）と一致したとき、それぞれ対応する補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ０−Ｎ），…，Ｘ６（Ｃ，Ｓ０），…，Ｘ６（Ｃ，Ｓ０＋Ｎ）をＸ６（Ｃ，Ｓ）として出力する。ここで、Ｎは、正の整数である。セクタ（Ｓ０−Ｎ）乃至（Ｓ０＋Ｎ）は、補正期間又は補正区間内の配置されたセクタに相当する。補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ０）は、補正セクタに対応する。補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ０−Ｎ）乃至（Ｃ，Ｓ０−１）と補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ０＋１）乃至（Ｃ，Ｓ０＋Ｎ）とは、予備補正セクタに対応する。生成器Ａ２１は、生成した補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ）を出力する。ここで補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ）は、対象セクタ（Ｓ）が（Ｓ０−Ｎ），…，（Ｓ０），…，（Ｓ０＋Ｎ）に一致したとき、それぞれ補正リードオフセット量Ｘ６（Ｓ０−Ｎ），…，Ｘ６（Ｓ０），…，Ｘ６（Ｓ０＋Ｎ）を出力する。

データをリードするディスク１０の論理位置、例えば、ＬＢＡが上位装置、例えば、ホスト１００により指定された場合、リード制御系ＲＳＹは、ＬＢＡを物理位置（Ｃ，Ｈ，Ｓ）に予め変換し、対象セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）を変換器Ａ０及びメモリＡ１２に出力する。また、リード制御系ＲＳＹは、対象セクタ（Ｓ）を生成器Ａ２１に出力する。変換器Ａ０は、位置（Ｃ，Ｈ，Ｓ）が入力される。変換器Ａ０は、位置（Ｃ，Ｈ，Ｓ）を目標位置（最適位置）Ｘｒに変換し、演算器ＣＬ５に出力する。メモリＡ１２は、位置（Ｃ，Ｈ，Ｓ）のうち、シリンダ（トラック）とヘッドの情報である（Ｃ，Ｈ）が入力される。メモリＡ１２は、対象セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）のシリンダ（トラック）とヘッドの情報である（Ｃ，Ｈ）に対応する補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ０）及び補正セクタ番号（Ｓ０）を生成器Ａ２１に出力する。生成器Ａ２１は、対象セクタ（Ｓ）と補正セクタ（Ｓ０）及びこの補正セクタ（Ｓ０）に対応する補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ０）とが入力される。生成器Ａ２１は、補正セクタ（Ｓ０）とこの補正セクタ（Ｓ０）に対応する補正リードオフセット量Ｘ４とに基づいて、この補正セクタ（Ｓ０）とこの補正セクタ（Ｓ０）の円周方向に並ぶ複数の予備補正セクタとにそれぞれ対応する複数の補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ０−Ｎ）乃至（Ｃ，Ｓ０＋Ｎ）を生成し、対象セクタ（Ｓ）が（Ｓ０−Ｎ），…，（Ｓ０），…，（Ｓ０＋Ｎ）に一致したとき、それぞれに対応する補正リードオフセット量Ｘ６（Ｓ０−Ｎ），…，Ｘ６（Ｓ０），…，Ｘ６（Ｓ０＋Ｎ）をＸ６（Ｃ，Ｓ）として演算器ＣＬ５に出力する。

演算器ＣＬ５は、目標位置（最適位置）Ｘｒ及び補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ）が入力される。演算器ＣＬ５は、目標位置（最適位置）Ｘｒと補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ）の和から補正リード半径位置Ｘ５を計算し、補正リード半径位置Ｘ５を演算器ＣＬ１に出力する。演算器ＣＬ１は、補正リード半径位置Ｘ５及び実位置Ｙｒが入力される。演算器ＣＬ１は、補正リード半径位置Ｘ５と実位置Ｙｒとのそれぞれ差分から対象リードオフセット量の逆符号量ｅｒを計算し、対象リードオフセット量の逆符号量ｅｒを制御器Ａ１に出力する。制御器Ａ１は、対象リードオフセット量ｅｒが入力される。制御器Ａ１は、駆動量ＵをアクチュエータＡ２に出力する。アクチュエータＡ２は、駆動量Ｕが入力される。アクチュエータＡ２は、駆動量Ｕに応じて駆動し、駆動量Ｕに対応する実位置Ｙｒにヘッド１５、例えば、リードヘッド１５Ｒを移動する。アクチュエータＡ２は、実位置Ｙｒを演算器ＣＬ１に出力する。

図１７は、変形例１に係るリード処理方法の一例を示すフローチャートである。
ＭＰＵ６０は、所定の記録領域、例えば、ディスク１０のシステムエリア１０ｃ、又は不揮発性メモリ８０に格納されたテーブルに対象セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）を含むシリンダ（Ｃ，Ｈ）に対応する補正リードオフセット量Ｘ４が記録されているか記録されていないかを判定する（Ｂ１４０１）。所定の記録領域に格納されたテーブルに対象セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）を含むシリンダ（Ｃ，Ｈ）に対応する補正リードオフセット量Ｘ４が記録されていると判定した場合（Ｂ１４０１のＹＥＳ）、ＭＰＵ６０は、補正期間（又は補正区間）内に配置され補正セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ０）を含む複数のセクタにそれぞれ対応する補正リードオフセット量を計算する（Ｂ１７０１）。言い換えると、ＭＰＵ６０は、補正セクタとこの補正セクタの円周方向に連続して配置された複数の予備補正セクタとにそれぞれ対応する複数の補正リードオフセット量を計算する。ＭＰＵ６０は、補正セクタに対応する補正リードオフセット量と複数の予備補正セクタにそれぞれ対応する複数の補正リードオフセット量、および対象セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）と複数の補正セクタとの一致性とに基づいて、補正リード半径位置Ｘ５を計算する（Ｂ１４０３）。ＭＰＵ６０は、補正リード半径位置Ｘ５と実位置Ｙｒとのそれぞれの差分である対象リードオフセット量の逆符号量ｅｒに基づいて、ヘッド１５を制御して対象セクタ（のデータ）をリードし（Ｂ１４０４）、処理を終了する。

変形例１によれば、磁気ディスク装置１は、補正セクタをリードする際に、補正セクタと補正セクタの円周方向に連続して配置された複数の予備補正セクタとにそれぞれ対応する複数の補正リードオフセット量をそれぞれ生成する。磁気ディスク装置１は、これら補正リードオフセット量が連続となるように生成する。磁気ディスク装置１は、これら補正リードオフセット量に基づいて、補正セクタと複数の予備補正セクタとをリードする。そのため、磁気ディスク装置１は、リード性能を向上することができる。なお、磁気ディスク装置１は、補正セクタに対応する補正リードオフセット量を計算する際に、補正セクタと補正セクタの円周方向に連続して配置された複数の予備補正セクタとにそれぞれ対応する複数の補正リードオフセット量をそれぞれ生成してもよい。

（変形例２）
変形例２に係る磁気ディスク装置１は、リード処理方法が前述した第１実施形態及び変形例１の磁気ディスク装置１と異なる。
ＭＰＵ６０は、対象セクタをリードする際にこの対象セクタの進行方向に補正セクタが配置されている場合、補正区間又は補正期間において補正セクタと複数の予備補正セクタとにそれぞれ対応する複数の補正リードオフセット量を計算（設定又は生成）する。なお、ＭＰＵ６０は、対象セクタをライトする際にこの対象セクタの進行方向に補正セクタが配置されている場合、補正区間又は補正期間において補正セクタと複数の予備補正セクタとにそれぞれ対応する複数の補正リードオフセット量を計算（設定又は生成）する。ＭＰＵ６０は、対象セクタをリードする際にこの対象セクタの進行方向が配置されている場合、この補正セクタを滑らかにリードできるように、補正セクタと複数の予備補正セクタとにそれぞれ対応する複数の補正リードオフセット量をそれぞれ生成する。言い換えると、ＭＰＵ６０は、対象セクタをリードする際にこの対象セクタの進行方向に補正セクタが配置されている場合、補正セクタと複数の予備補正セクタとにそれぞれ対応する複数の補正リードオフセット量が連続となるように、補正セクタと複数の予備補正セクタとにそれぞれ対応する複数の補正リードオフセット量を生成する。例えば、ＭＰＵ６０は、対象セクタから進行方向に補正セクタが位置している場合、対象セクタから進行方向に連続して並ぶ補正セクタと複数の予備補正セクタとにそれぞれ対応する複数の補正リードオフセット量を補正セクタに対応する補正リードオフセット量が最も大きくなるように生成する。一例では、ＭＰＵ６０は、対象セクタから進行方向に連続して並ぶ補正セクタと複数の予備補正セクタとにそれぞれ対応する複数の補正リードオフセット量を補正セクタに対応する補正リードオフセット量が頂点となるように三角形状又は正弦波状に生成する。なお、ＭＰＵ６０は、対象セクタから進行方向に連続して並ぶ補正セクタと複数の予備補正セクタとにそれぞれ対応する複数の補正リードオフセット量を補正セクタに対応する補正リードオフセット量が最も大きければ三角形状及び正弦波状に以外の形状に生成されていてもよい。

図１８は、補正リードオフセット量Ｘ６の計算方法の一例を示す模式図である。バンド領域ＴＧ１８において、トラックＴＲ１８１及びＴＲ１８２は、記載の順番に順方向に重ね書きされている。図１８には、トラックＴＲ１８１に対応する最適リード経路ＴＲＴ１８１と、トラックＴＲ１８２に対応する最適リード経路ＴＲＴ１８２とを示している。図１８には、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ）に対応する補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ）と、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋１）に対応する補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋１）と、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋ｄ−１）に対応する補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋ｄ−１）と、補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋ｄ）に対応する補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋ｄ）と、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋ｄ＋１）に対応する補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋ｄ＋１）と、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋２ｄ）に対応する補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋２ｄ）と、を示している。予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋１）は、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ）の進行方向に隣接している。予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋ｄ−１）は、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋１）の進行方向に位置している。補正セクタ（Ｃ,Ｓ＋ｄ）は、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋ｄ−１）の進行方向に隣接している。予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋ｄ＋１）は、補正セクタ（Ｃ，Ｓ）の進行方向に隣接している。予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋２ｄ）は、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋ｄ＋１）の進行方向に位置している。予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ）乃至（Ｃ，Ｓ＋ｄ−１）と、補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋ｄ）、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋ｄ＋１）乃至（Ｃ，Ｓ＋２ｄ）は、補正期間内に位置している。

補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋１）は、補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ）よりも大きい。補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ）は、０であってもよい。補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋ｄ−１）は、補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋１）よりも大きい。補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋ｄ）＝Ｘ４（Ｃ，Ｓ＋ｄ）は、補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋ｄ＋１）よりも大きい。補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋ｄ＋１）は、補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋ｄ）よりも小さい。補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋２ｄ）は、補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋ｄ＋１）よりも小さい。補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋２ｄ）は、０であってもよい。

ＭＰＵ６０は、対象セクタ（Ｃ，Ｓ）をリードする際に対象セクタ（Ｃ，Ｓ）の進行方向に補正セクタが配置されている場合、補正セクタ（Ｃ，Ｓ）を含むように補正期間（又は補正区間）を設定する。ＭＰＵ６０は、対象セクタ（Ｃ，Ｓ）をリードする際に、補正期間（又は補正区間）に含まれる予備補正セクタ（対象セクタ）（Ｃ，Ｓ）乃至（Ｃ，Ｓ＋ｄ−１）にそれぞれ対応する補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ）乃至Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋ｄ−１）と、補正期間（又は補正区間）に含まれる予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋ｄ＋１）乃至（Ｃ,Ｓ＋２ｄ）にそれぞれ対応する補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋ｄ＋１）乃至Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋２ｄ）とをそれぞれ計算（設定又は生成）する。ＭＰＵ６０は、補正リードオフセット量Ｘ６（Ｃ，Ｓ）乃至Ｘ６（Ｃ，Ｓ＋２ｄ）に基づいて、予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ）乃至（Ｃ,Ｓ＋ｄ−１）、補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋ｄ）、及び予備補正セクタ（Ｃ，Ｓ＋ｄ＋１）乃至（Ｃ，Ｓ＋２ｄ）をリードする。

変形例２によれば、磁気ディスク装置１は、対象セクタをリードする際に対象セクタの進行方向に補正セクタが配置されている場合、補正セクタと複数の予備補正セクタとにそれぞれ対応する複数のリードオフセット量をそれぞれ生成する。磁気ディスク装置１は、これら補正リードオフセット量が連続となるように生成する。磁気ディスク装置１は、これら補正リードオフセット量に基づいて、補正セクタと複数の予備補正セクタとをリードする。そのため、磁気ディスク装置１は、リード性能を向上することができる。なお、磁気ディスク装置１は、対象セクタをライトする際に対象セクタの進行方向に補正セクタが配置されている場合、補正セクタと複数の予備補正セクタとにそれぞれ対応する複数のリードオフセット量をそれぞれ生成してもよい。

（変形例３）
変形例２に係る磁気ディスク装置１は、リード処理方法が前述した第１実施形態、変形例１、及び変形例２と異なる。
ＭＰＵ６０は、２つの補正セクタが所定の範囲（以下、近接範囲と称する場合もある）内に配置されているか配置されていないかを判定する。近接範囲は、例えば、ヘッド１５が所定の半径位置に位置するセクタからこのセクタと最適ライト経路を挟んで反対側の所定の半径位置に位置するセクタへ移動（又は方向転換）ができない円周方向の範囲である。ＭＰＵ６０は、２つの補正セクタが近接範囲内に配置されていると判定した場合、所定の補正セクタに対応する補正リードオフセット量ともう一方の補正セクタに対応する補正リードオフセット量とが半径方向において逆向きであるか同じ向きであるかを判定する。所定の補正セクタに対応する補正リードオフセット量ともう一方の補正セクタに対応する補正リードオフセット量とが半径方向において互いに逆向きであると判定した場合、ＭＰＵ６０は、所定の補正セクタに対応する補正リードオフセット量の絶対値ともう一方の補正セクタに対応する補正リードオフセット量の絶対値とを比較する。ＭＰＵ６０は、所定の補正セクタに対応する補正リードオフセット量の絶対値ともう一方の補正セクタに対応する補正リードオフセット量の絶対値との内の大きい方の補正リードオフセット量のみを設定する。言い換えると、ＭＰＵ６０は、所定の補正セクタに対応する補正リードオフセット量ともう一方の補正セクタに対応する補正リードオフセット量とが半径方向において互いに逆向きである場合、所定の補正セクタに対応する補正リードオフセット量の絶対値ともう一方の補正セクタに対応する補正リードオフセット量の絶対値との内の小さい方の補正リードオフセット量を無視する。例えば、ＭＰＵ６０は、所定の補正セクタに対応する補正リードオフセット量が外方向のオフセット量であり、且つもう一方の補正セクタに対応する補正リードオフセット量が内方向のオフセット量である場合、所定の補正セクタに対応する補正リードオフセット量の絶対値ともう一方の補正セクタに対応する補正リードオフセット量の絶対値との内の大きい方の補正リードオフセット量のみを設定する。

ＭＰＵ６０は、２つの補正セクタが近接範囲内に配置されている場合、所定の補正セクタに対応する補正リードオフセット量の絶対値ともう一方の補正セクタに対応する補正リードオフセット量の絶対値との内の大きい方の補正リードオフセット量に基づいて、所定の補正セクタからもう一方の補正セクタまでの各セクタをリードする。

ＭＰＵ６０は、２つの補正セクタが近接範囲内に配置されているか配置されていないかを判定する。ＭＰＵ６０は、２つの補正セクタが近接範囲内に配置されていると判定した場合、所定の補正セクタに対応する補正リードオフセット量ともう一方の補正セクタに対応する補正リードオフセット量とが半径方向において逆向きであるか同じ向きであるかを判定する。所定の補正セクタに対応する補正リードオフセット量ともう一方の補正セクタに対応する補正リードオフセット量とが半径方向において互いに逆向きであると判定した場合、ＭＰＵ６０は、所定の補正セクタに対応する補正リードオフセット量ともう一方の補正セクタに対応する補正リードオフセット量とに基づいて、所定の補正セクタに対応する補正リードオフセット量ともう一方の補正セクタに対応する補正リードオフセット量との移動平均になるように所定の補正セクタに対応するリードオフセット量（以下、平均補正リードオフセット量と称する場合もある）ともう一方の補正セクタに対応する平均補正リードオフセット量とをそれぞれ計算（設定又は生成）する。例えば、ＭＰＵ６０は、所定の補正セクタに対応する補正リードオフセット量が外方向のオフセット量であり、且つもう一方の補正セクタに対応する補正リードオフセット量が内方向のオフセット量である場合、所定の補正セクタに対応する補正リードオフセット量ともう一方の補正セクタに対応する補正リードオフセット量との移動平均になるように所定の補正セクタに対応する平均補正リードオフセット量ともう一方の補正セクタに対応する平均補正リードオフセット量とを計算（設定又は生成）する。

ＭＰＵ６０は、２つの補正セクタが近接範囲内に配置されている場合、所定の補正セクタに対応する平均補正リードオフセット量ともう一方の補正セクタに対応する補正リードオフセット量とに基づいて、所定の補正セクタからもう一方の補正セクタまでの各セクタをリードする。

図１９は、補正リードオフセット量Ｘ４の設定方法の一例を示す模式図である。バンド領域ＴＧ１９において、トラックＴＲ１９１及びＴＲ１９２は、記載の順番に順方向に重ね書きされている。図１９には、トラックＴＲ１９１に対応する最適リード経路ＴＲＴ１９１と、トラックＴＲ１９２に対応する最適リード経路ＴＲＴ１９２とを示している。図１９には、補正セクタ（Ｃ，Ｓ−２）に対応する補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ―２）と、補正セクタ（Ｃ，Ｓに対応する補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ）と、を示している。補正セクタ（Ｃ，Ｓ）は、補正セクタ（Ｃ，Ｓ−２）の進行方向に位置している。補正セクタ（Ｃ，Ｓ−２）と補正セクタ（Ｃ，Ｓ）とは、近接範囲内に配置されている。補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ）は、補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ−２）よりも大きい。

ＭＰＵ６０は、補正セクタ（Ｃ，Ｓ−２）と補正セクタ（Ｃ，Ｓ）とが近接範囲内に配置されていると判定した場合、補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ−２）の絶対値と補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ）の絶対値とを比較する。ＭＰＵ６０は、補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ）の絶対値が補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ−２）の絶対値よりも大きいと判定した場合、補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ）のみを設定する。ＭＰＵ６０は、補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ）に基づいて、補正セクタ（Ｃ，Ｓ）をリードする。つまり、ＭＰＵ６０は、最適リード経路ＴＲＴ１に従って補正セクタ（Ｃ，Ｓ−２）をリードし、半径方向に補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ）でずらして補正セクタ（Ｃ，Ｓ）をリードする。

図２０は、平均補正リードオフセット量Ｘ４の計算方法の一例を示す模式図である。図２０には、補正セクタ（Ｃ，Ｓ−２）に対応する平均補正リードオフセット量Ｘ４´（Ｃ，Ｓ―２）と、補正セクタ（Ｃ，Ｓ）に対応する平均補正リードオフセット量Ｘ４´（Ｃ，Ｓ）と、を示している。例えば、平均補正リードオフセット量Ｘ４´（Ｃ，Ｓ―２）は、補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ−２）よりも小さく、平均補正リードオフセット量Ｘ４´（Ｃ，Ｓ）は、補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ）よりも小さい。

ＭＰＵ６０は、補正セクタ（Ｃ，Ｓ−２）と補正セクタ（Ｃ，２）とが近接範囲内に配置されている場合、補正セクタ（Ｃ，Ｓ−２）に対応する補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ−２）と補正セクタ（Ｃ，Ｓ）に対応する補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ）とに基づいて、補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ−２）と補正リードオフセット量Ｘ４（Ｃ，Ｓ）との移動平均となるように補正セクタ（Ｃ，Ｓ−２）に対応する平均補正リードオフセット量Ｘ４´（Ｃ，Ｓ−２）と補正セクタ（Ｃ，Ｓ）に対応する平均補正リードオフセット量Ｘ４´（Ｃ，Ｓ）とを計算する。ＭＰＵ６０は、平均補正リードオフセット量Ｘ４´（Ｃ，Ｓ−２）と平均補正リードオフセット量Ｘ４´（Ｃ，Ｓ）とに基づいて、補正セクタ（Ｃ，Ｓ−２）から補正セクタ（Ｃ，Ｓ）までの各セクタをリードする。つまり、ＭＰＵ６０は、平均補正リードオフセット量Ｘ４´（Ｃ，Ｓ−２）に基づいて補正セクタ（Ｃ，Ｓ−２）をリードし、平均補正リードオフセット量Ｘ４´（Ｃ，Ｓ）に基づいて補正セクタ（Ｃ，Ｓ）をリードする。

変形例３によれば、磁気ディスク装置１は、２つの補正セクタが近接範囲内に配置されていると判定した場合、所定の補正セクタに対応する補正リードオフセット量の絶対値ともう一方の補正セクタに対応する補正リードオフセット量の絶対値との内の大きい方の補正リードオフセット量に基づいて、所定の補正セクタからもう一方の補正セクタまでの各セクタをリードする。また、磁気ディスク装置１は、２つの補正セクタが近接範囲内に配置されている場合、所定の補正セクタに対応する平均補正リードオフセット量ともう一方の補正セクタに対応する補正リードオフセット量とに基づいて、所定の補正セクタからもう一方の補正セクタまでの各セクタをリードする。そのため、磁気ディスク装置１は、リード性能を向上することができる。

なお、前述した実施形態及び変形例において、瓦記録でトラックをライトした例を示したが、前述した実施形態及び変形例の構成は、通常記録でトラックをライトした場合にも適用することができる。

いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…磁気ディスク装置、１０…磁気ディスク、１０ａ…ユーザデータ領域、１０ｂ…メディアキャッシュ、１０ｃ…システムエリア、１２…スピンドルモータ（ＳＰＭ）、１３…アーム、１４…ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、１５…ヘッド、１５Ｗ…ライトヘッド、１５Ｒ…リードヘッド、２０…ドライバＩＣ、３０…ヘッドアンプＩＣ、４０…リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル、５０…ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）、６０…マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、７０…揮発性メモリ、８０…不揮発性メモリ、９０…バッファメモリ、１００…ホストシステム（ホスト）、１３０…システムコントローラ。

Claims (12)

1. 目標位置から第１閾値よりも大きい第１オフセット量で半径方向にずれた第１半径位置に配置された第１セクタを有するディスクと、
   前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、
   前記目標位置から前記第１オフセット量と異なる第２オフセット量でずれた第２半径位置に前記ヘッドを配置して前記第１セクタをリードするコントローラと、を備える磁気ディスク装置。
2. 前記ディスクは、前記目標位置から第１閾値以下の第３オフセット量で半径方向にずれた第３半径位置に配置された第２セクタを有し、
   前記コントローラは、前記目標位置に前記ヘッドを配置して前記第２セクタをリードする、請求項１に記載の磁気ディスク装置。
3. 前記第２オフセット量は、前記第１オフセット量よりも小さい、請求項２に記載の磁気ディスク装置。
4. 前記第１セクタ及び前記第２セクタは、前記第２半径位置に配置した前記ヘッドが前記第２半径位置から前記半径方向に位置決め誤差範囲内で揺動したとしても、リード可能な第１エラーレート以下のエラーレートでリード可能に配置されている、請求項３に記載の磁気ディスク装置。
5. 前記第１閾値は、前記目標位置から前記第１エラーレートに対応する第３半径位置までの第１範囲と、前記目標位置から前記位置決め誤差の内の一方向への最大値に相当する第４半径位置までの第２範囲との差分値に相当する、請求項４に記載の磁気ディスク装置。
6. 前記第２オフセット量は、前記第１オフセット量から前記第１閾値を引いた値に相当する、請求項４に記載の磁気ディスク装置。
7. 前記コントローラは、前記第１セクタの前記ディスクの円周方向に隣接する第３セクタを前記第２オフセット量よりも小さい第４オフセット量でずれた第４半径位置に前記ヘッドを配置してリードする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
8. 前記コントローラは、前記第１セクタの前記ディスクの円周方向に配置された第３セクタが前記第１閾値よりも大きく且つ前記第１オフセット量よりも小さい第４オフセット量で前記半径方向において前記第１セクタと反対方向にずれている第４半径位置に配置されている場合、前記第１半径位置に前記ヘッドを配置して前記第１セクタをリードし、前記目標位置に前記ヘッドを配置して前記第３セクタをリードする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
9. 前記コントローラは、前記第１セクタの前記ディスクの円周方向に配置された第３セクタが前記第１閾値よりも大きい第４オフセット量で前記半径方向において前記第１セクタと反対方向にずれている第４半径位置に配置されている場合、前記第１オフセット量と前記第４オフセット量との移動平均となる経路に従って前記第１セクタ及び前記第３セクタをリードする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
10. 前記コントローラは、前記第１オフセット量が前記第１閾値よりも大きいと判定した場合に、前記第２オフセット量を計算し、前記第２オフセット量を記録領域に記録する、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
11. 前記コントローラは、前記第１セクタをリードする際に前記記録領域に前記第２オフセット量が記録されているか記録されていないかを判定し、前記第２オフセット量が前記記録領域に記録されていると判定した場合に前記第２半径位置に前記ヘッドを配置して前記第１セクタをリードする、請求項１０に記載の磁気ディスク装置。
12. 目標位置から第１閾値よりも大きい第１オフセット量で半径方向にずれた第１半径位置に配置された第１セクタを有するディスクと、前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、を備える磁気ディスク装置に適用されるリード処理方法であって、
    前記目標位置から前記第１オフセット量と異なる第２オフセット量でずれた第２半径位置に前記ヘッドを配置して前記第１セクタをリードする、リード処理方法。

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