JP2020149757A - 磁気ディスク装置及びライト処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ライト処理の性能を向上可能な磁気ディスク装置及びライト処理方法を提供する。【解決手段】磁気ディスク装置１は、磁気ディスク１０と、磁気ディスクに対してデータをライトし、磁気ディスクからデータをリードするヘッド１５と、第１トラック群において第１トラックに第２トラックを重ね書きし、第１トラックにおける第１トラックから第２トラックに向かう第１方向への最大の第１位置決め誤差を不揮発性の第１記録領域に記録するシステムコントローラ１３０とを備える。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、磁気ディスク装置及びライト処理方法に関する。
近年、磁気ディスク装置の高記録容量化を実現するための様々な技術が開発されている。これら技術の一つとして瓦記録方式（Shingled write Magnetic Recording（ＳＭＲ）、またはShingled Write Recording（ＳＷＲ））と称される記録技術がある。瓦記録方式の磁気ディスク装置は、磁気ディスクへデータをライトする際に、隣接するトラック（以下、隣接トラックと称する）の一部に重ねて次の記録トラックを書き込みする。瓦記録方式の磁気ディスク装置では、重ね書きしない通常の記録方式と比較してトラックピッチが狭くなり得る。
米国特許第９４９５９８８号明細書 米国特許出願公開第２０１７／０２２９１４１号明細書 米国特許出願公開第２０１８／０２１０６６８号明細書 特許第５７８７８３９号公報
本発明の実施形態が解決しようとする課題は、ライト処理の性能を向上可能な磁気ディスク装置及びライト処理方法を提供することである。
本実施形態に係る磁気ディスク装置は、ディスクと、前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、第１トラック群において第１トラックに第２トラックを重ね書きし、前記第１トラックにおける前記第１トラックから前記第２トラックに向かう第１方向への最大の第１位置決め誤差を不揮発性の第１記録領域に記録するコントローラと、を備える。
本実施形態に係るライト処理方法は、ディスクと、前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、を備える磁気ディスク装置に適用されるライト処理方法であって、１トラック群において第１トラックに第２トラックを重ね書きし、前記第１トラックにおける前記第１トラックから前記第２トラックに向かう第１方向への最大の第１位置決め誤差を不揮発性の第１記録領域に記録する。
図１は、第１実施形態に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。 図２は、データがライトされた瓦記録領域の一例を示す模式図である。 図３は、ＤＤＯＬの一例を示す模式図である。 図４は、第１実施形態に係る再開トラックにおけるＤＯＬの一例を示す図である。 図５は、ライトリトライ回数の変化の一例を示す図である。 図６は、第１実施形態に係る所定のバンド領域の最大位置決め誤差の記録方法の一例を示すフローチャートである。 図７は、第１実施形態に係るライト処理方法の一例を示すフローチャートである。 図８は、第２実施形態に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。 図９は、第２実施形態に係る変更経路の一例を示す図である。 図１０は、第２実施形態に係るライト処理方法の一例を示すフローチャートである。 図１１は、変形例１に係る目標経路の補正方法の一例を示す図である。 図１２は、変形例１に係るライト処理方法の一例を示すフローチャートである。
以下、実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図面は、一例であって、発明の範囲を限定するものではない。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る磁気ディスク装置１の構成を示すブロック図である。
磁気ディスク装置１は、後述するヘッドディスクアセンブリ（ＨＤＡ）と、ドライバＩＣ２０と、ヘッドアンプ集積回路（以下、ヘッドアンプＩＣ、又はプリアンプ）３０と、揮発性メモリ７０と、バッファメモリ（バッファ）８０と、不揮発性メモリ９０と、１チップの集積回路であるシステムコントローラ１３０とを備える。また、磁気ディスク装置１は、ホストシステム（以下、単に、ホストと称する）１００と接続される。
ＨＤＡは、磁気ディスク（以下、ディスクと称する）１０と、スピンドルモータ（以下、ＳＰＭと称する）１２と、ヘッド１５を搭載しているアーム１３と、ボイスコイルモータ（以下、ＶＣＭと称する）１４とを有する。ディスク１０は、ＳＰＭ１２に取り付けられ、ＳＰＭ１２の駆動により回転する。アーム１３及びＶＣＭ１４は、アクチュエータを構成している。アクチュエータは、ＶＣＭ１４の駆動により、アーム１３に搭載されているヘッド１５をディスク１０上の所定の位置まで移動制御する。ディスク１０およびヘッド１５は、２つ以上の数が設けられてもよい。
ディスク１０は、データ領域に、瓦記録（Shingled Magnetic Recording：ＳＭＲ）領域１０ａと、システムエリア１０ｂと、が割り当てられている。以下、ディスク１０の半径方向に直交する方向を円周方向と称する。
瓦記録領域１０ａは、ホスト１００からライト要求されたユーザデータ等が記録される。システムエリア１０ｂは、システム管理に必要な情報等が記録される。なお、システムエリア１０ｂは、瓦記録領域１０ａのメディアキャッシュ（media cache）しても利用され得る。瓦記録領域１０ａでは、次にライトするトラックが現在ライトしたトラックの一部に重ね書きされる。そのため、瓦記録領域１０ａのトラック密度（Track Per Inch：ＴＰＩ）は、重ね書きされていない通常の記録方式でデータをライトされた領域のトラック密度よりも高くなる。瓦記録領域１０ａでは、重ね書きされた複数のトラックをそれぞれ含む複数のトラック群が互いに間隔（ギャップ）を空けて配置される。以下で、重ね書きされた複数のトラックを含むトラック群をバンド領域と称する。バンド領域は、半径方向に隣接するトラック（以下、隣接トラックと称する）が一部に重ね書きされた少なくとも１つのトラックと、最後に重ね書きされたトラック（最終トラック）とを含む。最終トラックは、他のトラックが一部に重ね書きされていないため、他のトラックが一部に重ね書きされているトラックよりも半径方向の幅が広い。以下で、ディスク１０にライトされたトラックをライトトラックと称する。隣接トラックが重ね書きされた領域を除いた残りのライトトラックの領域をリードトラックと称する。また、ライトトラックを単にトラックと称する場合もあるし、リードトラックを単にトラックと称する場合もあるし、ライトトラック及びリードトラックをまとめて単にトラックと称する場合もある。トラックは、複数のセクタを含んでいる。なお、”トラック”は、ディスク１０の円周方向に延長するデータ、ディスク１０の円周方向に延長する領域、ヘッド１５の軌跡又は経路（動作経路）や、その他の種々の意味で用いる。”セクタ”は、トラックの所定の領域、例えば、セクタにライトされたデータ、トラックの所定の領域や、その他の種々の意味で用いる。また、ライトトラックの半径方向の幅をライトトラック幅と称し、リードトラックの半径方向の幅をリードトラック幅と称する場合もある。ライトトラック幅を単にトラック幅と称する場合もあるし、リードトラック幅を単にトラック幅と称し、ライトトラック幅及びリードトラック幅をまとめて単にトラック幅と称する場合もある。リードトラック幅の中心位置をリードトラックセンタと称し、ライトトラック幅の中心位置をライトトラックセンタと称し、ライトトラックセンタ及びリードトラックセンタをまとめて単にトラックセンタと称する場合もある。
図２は、データがライトされた瓦記録領域１０ａの一例を示す模式図である。図２において、縦軸は、ディスク１０の半径方向を示し、横軸は、ディスク１０の円周方向を示している。半径方向において、ディスク１０の中心に向かう方向を内方向（内側）と称し、内方向と反対方向を外方向（外側）と称する。ディスク１０の半径方向の所定の位置を半径位置と称し、ディスク１０の円周方向の所定の位置を円周位置と称する場合もある。半径位置は、例えば、トラックに相当し、円周位置は、例えば、セクタに相当する。また、半径方向において、データをライト及びリードする方向を順方向と称する。図２に示した例では、順方向は、内方向と同じ方向である。なお、順方向は、外方向と同じ方向であってもよい。円周方向において、一方向を右方向とし、右方向と反対方向を左方向とする。また、円周方向において、データをライト及びリードする方向を進行方向と称する。例えば、進行方向は、ディスク１０の回転方向と反対方向である。図２に示した例では、進行方向は、右方向と同じ方向である。なお、進行方向は、左方向と同じ方向であってもよい。
図２に示した例では、瓦記録領域１０ａは、バンド領域ＴＧｎを含む。図２では、バンド領域ＴＧｎにおける各トラックは、説明の便宜上、直線状に延長している。実際には、バンド領域ＴＧｎにおける各トラックは、ディスク１０の形状に沿って湾曲している同心円状である。つまり、実際には、バンド領域ＴＧｎにおける各トラックの左方向の端部と右方向の端部とは、一致している。また、バンド領域ＴＧｎにおける各トラックは、実際には外乱やその他の構造等の影響によるずれ等が生じている。なお、瓦記録領域１０ａは、２つ以上のバンド領域を含んでいてもよい。
図２に示した例では、バンド領域ＴＧｎは、ライトトラックＷＴｎ、ＷＴｎ＋１、ＷＴｎ＋２、ＷＴｎ＋３、及びＷＴｎ＋４を含む。ライトトラックＷＴｎ及びＷＴｎ＋１は、互いに一部が重なっている。ライトトラックＷＴｎ＋１及びＷＴｎ＋２は、互いに一部が重なっている。ライトトラックＷＴｎ＋２及びＷＴｎ＋３は、互いに一部が重なっている。ライトトラックＷＴｎ＋３及びＷＴｎ＋４は、互いに一部が重なっている。バンド領域ＴＧｎでは、ライトトラックＷＴｎ乃至ＷＴｎ＋４が半径方向にこの順番で重ね書きされている。なお、バンド領域ＴＧｎは、５つのトラックを含むとしたが、５つよりも少ない数のトラックを含んでいてもよいし、５つよりも多い数のトラックを含んでいてもよい。
ライトトラックＷＴｎは、トラックエッジＥｎＡとトラックエッジＥｎＢとを有している。図２に示した例では、トラックエッジＥｎＡは、ライトトラックＷＴｎの外方向の端部であり、トラックエッジＥｎＢは、ライトトラックＷＴｎの内方向（順方向）の端部である。ライトトラックＷＴｎ＋１は、トラックエッジＥｎ＋１ＡとトラックエッジＥｎ＋１Ｂとを有している。図２に示した例では、トラックエッジＥｎ＋１Ａは、ライトトラックＷＴｎ＋１の外方向の端部であり、トラックエッジＥｎ＋１Ｂは、ライトトラックＷＴｎ＋１の内方向（順方向）の端部である。ライトトラックＷＴｎ＋２は、トラックエッジＥｎ＋２ＡとトラックエッジＥｎ＋２Ｂとを有している。図２に示した例では、トラックエッジＥｎ＋２Ａは、ライトトラックＷＴｎ＋２の外方向の端部であり、トラックエッジＥｎ＋２Ｂは、ライトトラックＷＴｎ＋２の内方向（順方向）の端部である。ライトトラックＷＴｎ＋３は、トラックエッジＥｎ＋３ＡとトラックエッジＥｎ＋３Ｂとを有している。図２に示した例では、トラックエッジＥｎ＋３Ａは、ライトトラックＷＴｎ＋３の外方向の端部であり、トラックエッジＥｎ＋３Ｂは、ライトトラックＷＴｎ＋３の内方向ＩＤ（順方向）の端部である。ライトトラック（最終トラック）ＷＴｎ＋４は、トラックエッジＥｎ＋４ＡとトラックエッジＥｎ＋４Ｂとを有している。図２に示した例では、トラックエッジＥｎ＋４Ａは、ライトトラックＷＴｎ＋４の外方向の端部であり、トラックエッジＥｎ＋４Ｂは、ライトトラックＷＴｎ＋４の内方向（順方向）の端部である。
ライトトラックＷＴｎのライトトラック幅ＷＷｎは、トラックエッジＥｎＡ及びＥｎＢの間の半径方向の長さである。ライトトラックＷＴｎ＋１のライトトラック幅ＷＷｎ＋１は、トラックエッジＥｎ＋１Ａ及びＥｎ＋１Ｂの間の半径方向の長さである。ライトトラックＷＴｎ＋２のライトトラック幅ＷＷｎ＋２は、トラックエッジＥｎ＋２Ａ及びＥｎ＋２Ｂの間の半径方向の長さである。ライトトラックＷＴｎ＋３のライトトラック幅ＷＷｎ＋３は、トラックエッジＥｎ＋３Ａ及びＥｎ＋３Ｂの間の半径方向の長さである。ライトトラックＷＴｎ＋４のライトトラック幅ＷＷｎ＋４は、トラックエッジＥｎ＋４Ａ及びＥｎ＋４Ｂの間の半径方向の長さである。ライトトラック幅ＷＷｎ乃至ＷＷｎ＋４は、例えば、同等である。なお、ライトトラック幅ＷＷｎ乃至ＷＷｎ＋４は、異なっていてもよい。
リードトラックＲＴｎは、ライトトラックＷＴｎ＋１が重ね書きされたライトトラックＷＴｎの一部を除いた残りの領域である。リードトラックＲＴｎ＋１は、ライトトラックＷＴｎ＋２が重ね書きされたライトトラックＷＴｎ＋１の一部を除いた残りの領域である。リードトラックＲＴｎ＋２は、ライトトラックＷＴｎ＋３が重ね書きされたライトトラックＷＴｎ＋２の一部を除いた残りの領域である。リードトラックＲＴｎ＋３は、ライトトラックＷＴｎ＋４が重ね書きされたライトトラックＷＴｎ＋３の一部を除いた残りの領域である。リードトラックＲＴｎ＋４は、ライトトラックＷＴｎ＋４に対応している。リードトラックＲＴｎ＋４は、バンド領域ＴＧｎにおける最終トラックに相当する。
リードトラックＲＴｎのリードトラック幅ＲＷｎは、トラックエッジＥｎＡ及びＥｎ＋１Ａの間の半径方向の長さである。リードトラックＲＴｎ＋１のリードトラック幅ＲＷｎ＋１は、トラックエッジＥｎ＋１Ａ及びＥｎ＋２Ａの間の半径方向の長さである。リードトラックＲＴｎ＋２のリードトラック幅ＲＷｎ＋２は、トラックエッジＥｎ＋２Ａ及びＥｎ＋３Ａの間の半径方向の長さである。リードトラックＲＴｎ＋３のリードトラック幅ＲＷｎ＋３は、トラックエッジＥｎ＋３Ａ及びＥｎ＋４Ａの間の半径方向の長さである。リードトラックＲＴｎ＋４のリードトラック幅ＲＷｎ＋４は、トラックエッジＥｎ＋４Ａ及びＥｎ＋４Ｂの間の半径方向の長さである。つまり、リードトラック幅ＲＷｎ＋４は、ライトトラック幅ＷＷｎ＋４と同等である。
ヘッド１５は、スライダを本体として、当該スライダに実装されているライトヘッド１５Ｗとリードヘッド１５Ｒとを備える。ライトヘッド１５Ｗは、ディスク１０上にデータをライトする。リードヘッド１５Ｒは、ディスク１０に記録されているデータをリードする。なお、ライトヘッド１５Ｗを単にヘッド１５と称する場合もあるし、リードヘッド１５Ｒを単にヘッド１５と称する場合もあるし、ライトヘッド１５Ｗ及びリードヘッド１５Ｒをまとめてヘッド１５と称する場合もある。
ドライバＩＣ２０は、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するＭＰＵ６０）の制御に従って、ＳＰＭ１２およびＶＣＭ１４の駆動を制御する。なお、ドライバＩＣ２０は、バックアップ電源であるPower Loss Protection（ＰＬＰ）電源（補助電源）を有していてもよい。ＰＬＰ電源は、磁気ディスク装置１の電源（以下、単に、電源と称する）から供給される電力が遮断、又は電源から供給される電力が低下した場合に、磁気ディスク装置１の必要最小限の動作を維持するために必要な電力を供給する。ＰＬＰ電源から供給される電力により、揮発性メモリ等にキャッシュされている未だディスク１０にライトされていないデータを不揮発性メモリ等に退避する機能をＰＬＰ機能と称する場合もある
ヘッドアンプＩＣ（プリアンプ）３０は、リードアンプ及びライトドライバを備えている。リードアンプは、ディスク１０からリードされたリード信号を増幅して、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するリード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル４０）に出力する。ライトドライバは、Ｒ／Ｗチャネル４０から出力される信号に応じたライト電流をヘッド１５に出力する。
揮発性メモリ７０は、電力供給が断たれると保存しているデータが失われる半導体メモリである。揮発性メモリ７０は、磁気ディスク装置１の各部での処理に必要なデータ等を格納する。揮発性メモリ７０は、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、又はＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）である。
バッファメモリ８０は、磁気ディスク装置１とホスト１００との間で送受信されるデータ等を一時的に記録する半導体メモリである。なお、バッファメモリ８０は、揮発性メモリ７０と一体に構成されていてもよい。バッファメモリ８０は、例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、ＳＤＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric Random Access memory）、又はＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）等である。
不揮発性メモリ９０は、電力供給が断たれても保存しているデータを記録する半導体メモリである。不揮発性メモリ９０は、例えば、ＮＯＲ型またはＮＡＮＤ型のフラッシュＲＯＭ（Flash Read Only Memory :ＦＲＯＭ）である。
システムコントローラ（コントローラ）１３０は、例えば、複数の素子が単一チップに集積されたSystem-on-a-Chip(ＳｏＣ)と称される大規模集積回路（ＬＳＩ）を用いて実現される。システムコントローラ１３０は、リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル４０、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）５０、及びマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）６０等を含む。システムコントローラ１３０は、例えば、ドライバＩＣ２０、ヘッドアンプＩＣ３０、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０、不揮発性メモリ９０、及びホストシステム１００等に電気的に接続されている。
Ｒ／Ｗチャネル４０は、後述するＭＰＵ６０からの指示に応じて、ディスク１０からホスト１００に転送されるリードデータ及びホスト１００から転送されるライトデータの信号処理を実行する。Ｒ／Ｗチャネル４０は、リードデータの信号品質を測定する回路、又は機能を有している。Ｒ／Ｗチャネル４０は、例えば、ヘッドアンプＩＣ３０、ＨＤＣ５０、及びＭＰＵ６０等に電気的に接続されている。
ＨＤＣ５０は、後述するＭＰＵ６０からの指示に応じて、ホスト１００とＲ／Ｗチャネル４０との間のデータ転送を制御する。ＨＤＣ５０は、例えば、Ｒ／Ｗチャネル４０、ＭＰＵ６０、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０、及び不揮発性メモリ９０等に電気的に接続されている。
ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部を制御するメインコントローラである。ＭＰＵ６０は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５の位置決めを行なうサーボ制御を実行する。ＭＰＵ６０は、ディスク１０へのデータのライト動作を制御すると共に、ライトデータの保存先を選択する。また、ＭＰＵ６０は、ディスク１０からのデータのリード動作を制御すると共に、リードデータの処理を制御する。ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部に接続されている。ＭＰＵ６０は、例えば、ドライバＩＣ２０、Ｒ／Ｗチャネル４０、及びＨＤＣ５０等に電気的に接続されている。
ＭＰＵ６０は、リード／ライト制御部６１と、位置決め誤差管理部６２と、ＤＯＬ（Drift-Off Level）管理部６３とを備えている。ＭＰＵ６０は、これら各部、例えば、リード／ライト制御部６１、位置決め誤差管理部６２、及びＤＯＬ管理部６３等の処理をファームウェア上で実行する。なお、ＭＰＵ６０は、これら各部、例えば、リード／ライト制御部６１、位置決め誤差管理部６２、及びＤＯＬ管理部６３等を回路として備えていてもよい。
リード／ライト制御部６１は、ホスト１００からのコマンドに従って、データのリード処理及びライト処理を制御する。リード／ライト制御部６１は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５をディスク１０上の所定の位置に位置決めし、データをリード又はライトする。例えば、リード／ライト制御部６１は、ヘッド１５を目標とする所定の半径位置（以下、目標位置と称する）に位置決めし、所定のセクタにデータをライトする、又は所定のセクタからデータをリードする。リード／ライト制御部６１は、各円周位置で各目標位置にヘッド１５を位置決めして所定のトラックをライトする。以下、各円周位置における各目標位置を接続して示されるヘッド１５の経路を目標経路と称する。目標経路は、例えば、ディスク１０と同心円状に設定されている。瓦記録を実行する場合、リード／ライト制御部６１は、所定のバンド領域の所定のセクタからシーケンシャルにデータをライトする。所定のバンド領域をリードする場合、リード／ライト制御部６１は、このバンド領域の所定のセクタからシーケンシャルにデータをリードする。以下、”ヘッド１５（ライトヘッド１５Ｗ又はリードヘッド１５Ｒ）の中心部を所定の位置に位置決め、又は配置する”ことを単に”ヘッド１５（ライトヘッド１５Ｗ又はリードヘッド１５Ｒ）を所定の位置に位置決め、又は配置する”と表現する場合もある。なお、リード／ライト制御部６１は、瓦記録方式ではなく、通常の記録方式でデータをライトしてもよい。
リード／ライト制御部６１は、目標位置とヘッド１５の実際の半径位置（以下、実位置と称する）との誤差（以下、位置決め誤差又は位置誤差（Position Error）と称する）に基づいて、ライト処理を制御する。例えば、リード／ライト制御部６１は、１つ前にライトしたトラック（以下、前のトラックと称する）に対応する位置決め誤差（以下、前の位置決め誤差と称する）に基づいて、現在ライトするトラック（以下、現在のトラックと称する）に対応する位置決め誤差の閾値（以下、ＤＯＬ（Drift-Off Level）と称する）を設定し、設定したＤＯＬで現在のトラックをライトする。現在のトラックをライトしている際に現在のトラックに対応する位置決め誤差（以下、現在の位置決め誤差と称する）がＤＯＬを超えた場合、リード／ライト制御部６１は、ライト処理を禁止（又は中断）し、ライト処理が中断した円周位置からデータを再度ライトする（ライトリトライ）。このように、前の位置決め誤差と現在の位置決め誤差とに基づいてライト処理を制御する機能をＤＤＯＬ（Dynamic Drift-Off Level）機能、又は単にＤＤＯＬと称する場合もある。
図３は、ＤＤＯＬの一例を示す模式図である。
図３に示した例では、バンド領域ＴＧｍは、ライトトラックＷＴｍと、ライトトラックＷＴｍ＋１と、ライトトラックＷＴｍ＋２とを示す。バンド領域ＴＧｍでは、ライトトラックＷＴｍ乃至ＷＴｍ＋２が順方向にこの順番で重ね書きされている。図３には、ライトトラックＷＴｍにおける目標経路ＴＷＴｍ及び各円周位置における各実位置で示されるヘッド１５の経路（以下、実経路と称する）ＳＷＴｍを示している。ライトトラックＷＴｍは、実経路ＳＷＴｍにヘッド１５を位置決めしてライトされている。ライトトラックＷＴｍは、トラックエッジＥｍＡを有している。トラックエッジＥｍＡは、ライトトラックＷＴｍの外方向の端部である。図３には、ライトトラックＷＴｍ＋１における目標経路ＴＷＴｍ＋１及び実経路ＳＷＴｍ＋１を示している。ライトトラックＷＴｍ＋１は、実経路ＳＷＴｍ＋１にヘッド１５を位置決めしてライトされている。ライトトラックＷＴｍ＋１は、トラックエッジＥｍ＋１Ａを有している。トラックエッジＥｍ＋１Ａは、ライトトラックＷＴｍ＋１の外方向の端部である。リードトラックＲＴｍは、トラックエッジＥｍＡ及びＥｍ＋１Ａの間に配置されている。図３には、ライトトラックＷＴｍ＋２における目標経路ＴＷＴｍ＋２及び実経路ＳＷＴｍ＋２を示している。ライトトラックＷＴｍ＋２は、実経路ＳＷＴｍ＋２にヘッド１５を位置決めしてライトされている。ライトトラックＷＴｍ＋２は、トラックエッジＥｍ＋２Ａを有している。トラックエッジＥｍ＋２Ａは、ライトトラックＷＴｍ＋１の外方向の端部である。リードトラックＲＴｍ＋１は、トラックエッジＥｍ＋１Ａ及びＥｍ＋２Ａの間に配置されている。リードトラック幅ＲＷｃは、円周位置Ｐ０におけるリードトラックＲＴｍ＋１の半径方向の長さである。リードトラック幅ＲＷｃは、例えば、リードトラックＲＴｍ＋１をリード可能なリードトラック幅の下限値である。図３において、目標経路ＴＷＴｍ、ＴＷＴｍ＋２、及びＴＷＴｍ＋２は、例えば、ディスク１０と同心円状の経路である。
リード／ライト制御部６１は、目標経路ＴＷＴｍを追従するようにヘッド１５、例えば、ライトヘッド１５Ｗを位置決めしてライトトラックＷＴｍをライトする。実際には、ライトトラックＷＴｍをライトする場合、ライトヘッド１５Ｗは、実経路ＳＷＴｍ上を走行する。そのため、リード／ライト制御部６１は、実経路ＳＷＴｍに基づいてライトトラックＷＴｍをライトする。
リード／ライト制御部６１は、目標経路ＴＷＴｍ＋１を追従するようにライトヘッド１５Ｗを位置決めしてライトトラックＷＴｍ＋１をライトする。実際には、ライトトラックＷＴｍ＋１をライトする場合、ライトヘッド１５Ｗは、実経路ＳＷＴｍ＋１上を走行する。そのため、リード／ライト制御部６１は、実経路ＳＷＴｍ＋１に基づいてライトトラックＷＴｍ＋１をライトする。ライトトラックＷＴｍ＋１をライトした際に、リード／ライト制御部６１は、円周位置Ｐ０で順方向に位置決め誤差Ｄｍ＋１でずれてライトしている。
リード／ライト制御部６１は、目標経路ＴＷＴｍ＋２を追従するようにヘッド１５、例えば、ライトヘッド１５Ｗを位置決めしてライトトラックＷＴｍ＋２をライトする。実際には、ライトトラックＷＴｍ＋２をライトする場合、ライトヘッド１５Ｗは、実経路ＳＷＴｍ＋２上を走行する。そのため、リード／ライト制御部６１は、実経路ＳＷＴｍ＋２に基づいてライトトラックＷＴｍ＋２をライトする。ライトトラックＷＴｍ＋２をライトした際に、リード／ライト制御部６１は、円周位置Ｐ０で順方向と反対方向（外方向）に位置決め誤差Ｄｍ＋２でずれてライトしている。位置決め誤差Ｄｍ＋２がライトトラックＷＴｍ＋２の円周位置Ｐ０におけるＤＯＬを超えていると判定した場合、リード／ライト制御部６１は、ライト処理を中断する。言い換えると、リードトラック幅ＲＷｃがリードトラック幅の閾値よりも小さいと判定した場合、リード／ライト制御部６１は、ライト処理を中断（又は禁止）する。
位置決め誤差管理部６２は、バンド領域毎に位置決め誤差を管理している。位置決め誤差管理部６２は、例えば、ディスク１０の全バンド領域の内の幾つかのバンド領域に管理番号を付与してテーブル（以下、管理テーブルと称する場合もある）で管理し、各管理番号に紐づけて各バンド領域において現在データをライトする対象となるトラック（以下、ライト対象トラックと称する場合もある）の前のトラックにおいて順方向に最大の位置決め誤差（以下、ＤＯＬ対象誤差と称する）を一時的に所定の記録領域、例えば、揮発性の記録領域等に記録している。以下、“順方向に最大の位置決め誤差”を単に“最大位置決め誤差”と称する場合もある。揮発性の記録領域は、例えば、揮発性メモリ７０又はバッファメモリ８０等である。位置決め誤差管理部６２は、以下、管理番号で管理しているバンド領域、つまり、管理テーブルで管理しているバンド領域を管理バンド領域と称し、管理番号で管理されていない、つまり、管理テーブルで管理していないバンド領域を非管理バンド領域と称し、管理バンド領域又は非管理バンド領域を単にバンド領域と称する場合もある。管理バンド領域は、非管理バンド領域よりも優先度の高い、又はホスト１００等からのコマンドでライト処理を指示された全バンド領域の内の幾つかのバンド領域に相当する。つまり、管理テーブルは、全バンド領域の内のライト処理を実行する優先度の高い幾つかのバンド領域を管理バンド領域として管理している。位置決め誤差管理部６２は、管理バンド領域を管理テーブルによる管理から外して非管理バンド領域に変更する際に、管理テーブルによる管理から外す管理バンド領域に対応するＤＯＬ対象誤差を管理テーブルによる管理から外す管理バンド領域に紐づけて所定の記録領域、例えば、不揮発性の記録領域等にライトする。不揮発性の記録領域は、例えば、システムエリア１０ｂ、及び不揮発性メモリ９０等である。言い換えると、所定の管理バンド領域の所定のトラックにおけるライト処理を中断して他の非管理バンド領域の所定のトラックをライトする際にこの管理バンド領域を管理テーブルによる管理から外して非管理バンド領域に変更する場合、位置決め誤差管理部６２は、管理テーブルによる管理から外す管理バンド領域に対応するＤＯ対象誤差を管理テーブルによる管理から外す管理バンド領域に紐づけて所定の記録領域、例えば、不揮発性の記録領域等にライトする。また、所定の管理バンド領域の所定のライト対象トラックにおけるライト処理を所定の位置で中断して他の非管理バンド領域の所定のトラックをライトした後にこの管理バンド領域に対応する非管理バンド領域（以下、再開バンド領域と称する場合もある）の所定のライト対象トラック（以下、再開トラックと称する場合もある）のライト処理を中断した所定の円周位置（以下、再開位置と称する場合もある）からライト処理を再開する場合、位置決め誤差管理部６２は、再開トラックの再開位置より前の位置決め誤差を再度リードする。なお、電源が遮断される等により現在データをライトしている管理バンド領域（以下、現在の管理バンド領域と称する場合もある）が管理テーブルによる管理から外れて非管理バンド領域になった場合であっても、位置決め誤差管理部６２は、前述したＰＬＰ電源から電力を供給されている間に管理から外す管理バンド領域に対応するＤＯＬ対象誤差を管理から外す管理バンド領域に紐づけて所定の記録領域、例えば、不揮発性の記録領域等にライトする。
ＤＯＬ管理部６３は、ＤＯＬを管理している。例えば、所定の非管理バンド領域のライト対象トラック（再開トラック）においてライト処理が中断していた所定の円周位置（再開位置）からライト処理を再開する場合、ＤＯＬ管理部６３は、ライト処理を再開する非管理バンド領域（再開バンド領域）に対応するＤＯＬ対象誤差（以下、再開バンド誤差と称する）を所定の記録領域から取得し、再開バンド誤差に基づいてこの再開トラックに対応するＤＯＬを算出する。言い換えると、所定の非管理バンド領域の再開トラックの再開位置からライト処理を再開することでこの非管理バンド領域に管理番号を付与して管理バンド領域として管理テーブルにより管理する場合、ＤＯＬ管理部６３は、再開バンド誤差を所定の記録領域から取得し、再開バンド誤差に基づいてこの再開トラックに対応するＤＯＬを算出し、算出したＤＯＬを再開トラックのＤＯＬとして設定する。例えば、再開トラックの再開位置からライト処理を再開する場合、ＤＯＬ管理部６３は、再開バンド誤差を所定の記録領域から取得し、再開バンド誤差が閾値（以下、オフセット閾値と称する）以下であるかオフセット閾値よりも大きいかを判定する。オフセット閾値は、例えば、前のトラックと現在のトラックとの間隔（リードトラック幅）が許容可能な範囲内になる位置決め誤差に相当する。言い換えると、オフセット閾値は、次のトラックにデータをライトする際のライト処理のリトライ回数が許容できる回数になる現在のトラックの位置決め誤差に相当する。再開バンド誤差がオフセット閾値以下である場合、ＤＯＬ管理部６３は、再開バンド誤差に基づいてこの再開トラックに対応する実際のＤＯＬ（以下、実ＤＯＬと称する）を算出し、算出した実ＤＯＬを再開トラックのＤＯＬとして設定する。再開バンド誤差が閾値よりも大きいと判定した場合、ＤＯＬ管理部６３は、再開トラックの前のトラックに対応する理論的な最大位置決め誤差に基づいてこの再開トラックに対応する理論的なＤＯＬ（以下、理論ＤＯＬと称する）を算出し、算出した理論ＤＯＬを再開トラックのＤＯＬとして設定する。理論ＤＯＬは、例えば、実ＤＯＬよりも小さい半径方向の範囲である。なお、例えば、所定の非管理バンド領域の最初のトラックの最初の円周位置からライト処理を開始する場合、ＤＯＬ管理部６３は、この最初のトラックに対応する理論的な最大位置決め誤差に基づいてこの最初のトラックに対応する理論的なＤＯＬを算出し、算出した理論的なＤＯＬを再開トラックのＤＯＬとして設定する。
図４は、本実施形態に係る再開トラックにおけるＤＯＬの一例を示す図である。図４には、トラックＴＲｌ、ＴＲｌ＋１、及びＴＲｌ＋２の順に重ね書きされているバンド領域（非管理バンド領域、又は再開バンド領域）ＴＧｌを示している。トラックＴＲｌ＋２は、再開トラックに相当する。図４には、トラックＴＲｌの目標経路ＴＴＲｌと、トラックＴＲｌの実経路ＳＴＲｌと、トラックＴＲｌ＋１の目標経路ＴＴＲｌ＋１と、トラックＴＲｌ＋１の実経路ＳＴＲｌ＋１と、トラックＴＲｌ＋２の目標経路ＴＴＲｌ＋２とを示している。図４において、トラックＴＲｌの目標経路ＴＴＲｌとトラックＴＲｌの実経路ＳＴＲｌとは、同じである。図４には、再開位置ＲＰ４１と、円周位置ＷＰ４１とを示している。図４には、円周位置ＷＰ４１に対応する再開バンド誤差（ＤＯＬ対象誤差）ＷＰＥ１を示している。図４には、再開バンド領域ＴＧｌの再開トラックＴＲｌ＋２の前のトラックＴＲｌ＋１に対応する理論的な最大位置決め誤差に基づいて算出された再開トラックＴＲｌ＋２の理論ＤＯＬ１０１と、再開バンド誤差ＷＰＥ１に基づいて算出された再開トラックＴＲｌ＋２の実ＤＯＬ１０２とを示している。
図４に示した例では、再開バンド領域ＴＧｌの再開トラックＴＲｌ＋２の再開位置ＲＰ４１からデータのライト処理を再開する場合、ＤＯＬ管理部６３は、再開バンド誤差ＷＰＥ１を不揮発性の記録領域、例えば、システムエリア１０ｂ、又は不揮発性メモリ９０等から取得し、取得した再開バンド誤差ＷＰＥ１がオフセット閾値以下であるかオフセット閾値よりも大きいかを判定する。再開バンド誤差がオフセット閾値以下であると判定した場合、ＤＯＬ管理部６３は、再開バンド誤差ＷＰＥ１に基づいて実ＤＯＬ１０２を算出し、算出した実ＤＯＬ１０２を再開トラックＴＲｌ＋２のＤＯＬとして設定する。言い換えると、再開バンド誤差がオフセット閾値以下であると判定した場合、ＤＯＬ管理部６３は、再開バンド誤差を不揮発性の記録領域、例えば、システムエリア１０ｂ、又は不揮発性メモリ９０等から取得し、取得した再開バンド誤差ＷＰＥ１に基づいて理論ＤＯＬ１０１から実ＤＯＬ１０２に補正し、算出した実ＤＯＬ１０２を再開トラックＴＲｌ＋２のＤＯＬとして設定する。実ＤＯＬ１０２をＤＯＬに設定して再開トラックＴＲｌ＋２の再開位置ＲＰ４１からデータのライトを再開した場合、リード／ライト制御部６１は、実ＤＯＬ１０２でライト処理を実行する。再開バンド誤差がオフセット閾値よりも大きいと判定した場合、ＤＯＬ管理部６３は、トラックＴＲｌ＋１に対応する理論的な最大位置決め誤差に基づいて再開トラックＴＲｌ＋２に対応する理論ＤＯＬ１０１を算出し、算出した理論ＤＯＬ１０１を再開トラックＴＲｌ＋２のＤＯＬとして設定する。理論ＤＯＬ１０１をＤＯＬに設定して再開トラックＴＲｌ＋２の再開位置ＲＰ４１からデータのライトを再開した場合、リード／ライト制御部６１は、理論ＤＯＬ１０１でライト処理を実行する。理論ＤＯＬでライト処理を実行することよりも実ＤＯＬでライト処理した方が、理論ＤＯＬと比較して実ＤＯＬが大きいため、ライト処理が中断することで発生するライトリトライが減少する。
図５は、ライトリトライ回数の変化の一例を示す図である。図５において、縦軸は、ライトリトライ回数を示し、横軸は、ＤＯＬを示している。図５の縦軸において、ライトリトライ回数は、大の矢印の方向に進むに従って大きくなり、小の矢印の方向に進むに従って小さくなる。図５の横軸において、ＤＯＬは、大の矢印の方向に進むに従って大きくなり、小の矢印の方向に進むに従って小さくなる。図５には、ＤＯＬに対する理論的なライトリトライ回数の変化ＴＲＣと、ＤＯＬに対する実際のライトリトライ回数の変化ＳＲＣとを示している。図５には、図４に示した理論ＤＯＬ１０１で実行したライト処理に対応する実際のライトリトライ回数ＴＷＶと、図４に示した実ＤＯＬ１０２で実行したライト処理に対応する実際のライトリトライ回数ＳＷＶとを示している。
図５に示した例では、実際のライトリトライ回数ＳＷＶは、実際のライトリトライ回数ＴＷＶよりも小さい。そのため、実ＤＯＬ１０２でライト処理を実行することにより理論ＤＯＬ１０１でライト処理を実行するよりもライトリトライ回数を低減することができる。
図６は、本実施形態に係る所定のバンド領域の最大位置決め誤差の記録方法の一例を示すフローチャートである。
ＭＰＵ６０は、所定の管理バンド領域の所定のトラックにデータをライトし（Ｂ６０１）、この所定のトラックに対応する最大位置決め誤差を一時的に記録する（Ｂ６０２）。例えば、ＭＰＵ６０は、所定の管理バンド領域の所定のトラックにデータをライトし、このトラックの最大位置決め誤差を所定の記録領域、例えば、揮発性メモリ７０又はバッファメモリ８０等に一時的に記録する。ＭＰＵ６０は、ホスト１００等から所定の管理バンド領域と異なる他のバンド領域、例えば、非管理バンド領域へのデータのライトを指示するライトコマンドを受信する（Ｂ６０３）。ＭＰＵ６０は、所定の管理バンド領域を管理テーブルによる管理から外すか外さないかを判定する（Ｂ６０４）。管理テーブルによる管理から外さないと判定した場合（Ｂ６０４のＮｏ）、ＭＰＵ６０は、Ｂ６０６の処理へ進む。管理テーブルによる管理から外すと判定した場合（Ｂ６０４のＹｅｓ）、ＭＰＵ６０は、所定の管理バンド領域のＤＯＬ対象誤差を所定の記録領域、例えば、システムエリア１０ｂ、又は不揮発性メモリ９０等に記録する（Ｂ６０５）。ＭＰＵ６０は、他のバンド領域にデータをライトし（Ｂ６０６）、処理を終了する。
図７は、本実施形態に係るライト処理方法の一例を示すフローチャートである。
ＭＰＵ６０は、再開バンド領域の再開トラックの再開位置からライト再開を指示するライトコマンドを受信する（Ｂ７０１）。ＭＰＵ６０は、所定の記録領域、例えば、システムエリア１０ｂ、又は不揮発性メモリ９０から再開バンドに対応する再開バンド誤差を取得する（Ｂ７０２）。ＭＰＵ６０は、再開バンド誤差がオフセット閾値以下であるか再開バンド誤差がオフセット閾値よりも大きいかを判定する（Ｂ７０３）。再開バンド誤差がオフセット閾値以下であると判定した場合（Ｂ７０３のＹｅｓ）、ＭＰＵ６０は、実ＤＯＬを再開バンド領域の再開トラックのＤＯＬとして設定し（Ｂ７０４）、Ｂ７０５の処理へ進む。再開バンド誤差がオフセット閾値よりも大きいと判定した場合（Ｂ７０３のＮｏ）、ＭＰＵ６０は、理論ＤＯＬを再開バンド領域の再開トラックに対応するＤＯＬとして設定する（Ｂ７０５）。ＭＰＵ６０は、再開バンド領域の再開トラックの再開位置からデータのライト処理を開始し（Ｂ７０６）、処理を終了する。
本実施形態によれば、磁気ディスク装置１は、所定の管理バンド領域の所定のトラックにデータをライトし、この所定のトラックに対応する最大位置決め誤差を一時的に所定の記録領域、例えば、揮発性メモリ７０又はバッファメモリ８０等に記録する。磁気ディスク装置１は、所定の管理バンド領域を管理テーブルによる管理から外して非管理バンド領域にする場合、管理テーブルによる管理から外す管理バンド領域に対応するＤＯＬ対象誤差を所定の記録領域、例えば、システムエリア１０ｂ、又は不揮発性メモリ９０等に記録する。再開バンド領域の再開トラックの再開位置からライトを再開する場合、磁気ディスク装置１は、所定の記録領域、例えば、システムエリア１０ｂ、又は不揮発性メモリ９０から再開バンドに対応する再開バンド誤差を取得する。再開バンド誤差がオフセット閾値以下である場合、磁気ディスク装置１は、再開バンド誤差に基づいて実ＤＯＬを算出し、算出した実ＤＯＬをこの再開トラックに対応するＤＯＬとして設定する。実ＤＯＬに応じて再開トラックの再開位置からライト処理を再開することで、磁気ディスク装置１は、前のトラックと現在のトラックとのトラックピッチの狭窄を防止するとともにライトリトライ回数を低減できる。従って、磁気ディスク装置１は、ライト処理の性能を向上できる。
次に、他の実施形態及び変形例に係る磁気ディスク装置について説明する。他の実施形態及び変形例において、前述の実施形態と同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
（第２実施形態）
第２実施形態の磁気ディスク装置１は、ライト処理を実行する構成が第１実施形態の磁気ディスク装置１と異なる。
図８は、第２実施形態に係る磁気ディスク装置１の構成を示すブロック図である。
ＭＰＵ６０は、リード／ライト制御部６１と、位置決め誤差管理部６２と、ＤＯＬ管理部６３と、目標経路管理部６４とを備えている。ＭＰＵ６０は、これら各部、例えば、リード／ライト制御部６１、位置決め誤差管理部６２、ＤＯＬ管理部６３、及び目標経路管理部６４等の処理をファームウェア上で実行する。なお、ＭＰＵ６０は、これら各部、例えば、リード／ライト制御部６１、位置決め誤差管理部６２、ＤＯＬ管理部６３、及び目標経路管理部６４等を回路として備えていてもよい。
目標経路管理部６４は、所定のバンド領域の各トラックの目標経路を管理している。例えば、再開バンド領域の再開トラックの再開位置からライト処理を再開する場合、目標経路管理部６４は、再開バンド誤差を所定の記録領域、例えば、システムエリア１０ｂ又は不揮発性メモリ９０から取得し、再開バンド誤差に基づいてこの再開バンド領域の再開トラックに対応する目標経路（以下、再開トラック目標経路と称する）を変更する。言い換えると、再開バンド領域の再開トラックの再開位置からライト処理を再開することでこの再開バンド領域（非管理バンド領域）に管理番号を付与して管理バンド領域として管理テーブルで管理する場合、目標経路管理部６４は、再開バンド誤差を所定の記録領域から取得し、再開バンド誤差に基づいて再開トラック目標経路を変更する。例えば、再開バンド領域の再開トラックの再開位置からライト処理を再開する場合、目標経路管理部６４は、再開バンド誤差を所定の記録領域から取得し、再開バンド誤差がオフセット閾値よりも大きいかオフセット閾値以下であるかを判定する。再開バンド誤差が閾値よりも大きいと判定した場合、目標経路管理部６４は、再開バンド誤差とオフセット閾値との差分値に相当するシフト量（以下、拡大量と称する）で順方向に再開トラック目標経路をシフトした目標経路（以下、変更経路と称する）に変更する。再開バンド誤差がオフセット閾値以下であると判定した場合、目標経路管理部６４は、例えば、再開トラック目標経路を維持する。
図９は、第２実施形態に係る変更経路ＣＴＲｌ＋２の一例を示す図である。図９には、トラックＴＲｌ＋２の目標経路ＴＴＲｌ＋２と、トラックＴＲｌ＋２の変更経路ＣＴＲｌ＋２と、実ＤＯＬ１０２とを示している。トラックＴＲｌ＋２の目標経路ＴＴＲｌ＋２は、再開トラック目標経路に相当する。図９には、目標経路ＴＴＲｌ＋２に対する変更経路ＣＴＲｌ＋２の拡大量ＳＦＴを示している。
図９に示した例では、所定の非管理バンド領域ＴＧｌの再開トラックＴＲｌ＋２の再開位置ＲＰ４１からライト処理を再開する場合、目標経路管理部６４は、再開バンド誤差ＷＰＥ１を所定の記録領域から取得し、再開バンド誤差ＷＰＥ１がオフセット閾値よりも大きいかオフセット閾値以下であるかを判定する。再開バンド誤差ＷＰＥ１がオフセット閾値よりも大きいと判定した場合、目標経路管理部６４は、取得した再開バンド誤差ＷＰＥ１とオフセット閾値との差分から拡大量ＳＦＴを算出し、算出した拡大量ＳＦＴで順方向に再開トラック目標経路ＴＴＲｌ＋２をシフトした変更経路ＣＴＲｌ＋２を再開トラックＴＲｌ＋２の目標経路として設定する。再開トラックＴＲｌ＋２の再開位置ＲＰ４１からデータのライトを再開した場合、リード／ライト制御部６１は、実ＤＯＬ１０２で変更経路ＣＴＲｌ＋２に沿ってライト処理を実行する。再開バンド誤差ＷＰＥ１がオフセット閾値以下であると判定した場合、目標経路管理部６４は、再開トラック目標経路ＴＴＲｌ＋２を再開トラックＴＲｌ＋２の目標経路として設定する。再開トラックＴＲｌ＋２の再開位置ＲＰ４１からデータのライトを再開した場合、リード／ライト制御部６１は、実ＤＯＬ１０２で再開トラック目標経路ＴＴＲｌ＋２に沿ってライト処理を実行する。再開トラック目標経路ＴＴＲｌ＋２に沿ってライト処理を実行することよりも変更経路ＣＴＲｌ＋２に沿ってライト処理を実行した方が、再開トラック目標経路ＴＴＲｌ＋２と比較して変更経路ＣＴＲｌ＋２の方がトラックＴＲｌ＋１の実経路ＳＴＲｌ＋１よりも順方向に離間しているため、ライト処理が中断することで発生するライトリトライが減少する。
図１０は、第２実施形態に係るライト処理方法の一例を示すフローチャートである。
ＭＰＵ６０は、再開バンド領域の再開トラックの再開位置からライト再開を指示するライトコマンドを受信し（Ｂ７０１）、所定の記録領域、例えば、システムエリア１０ｂ又は不揮発性メモリ９０から再開バンドに対応する再開バンド誤差を取得し（Ｂ７０２）、再開バンド誤差がオフセット閾値以下であるか再開バンド誤差がオフセット閾値よりも大きいかを判定する（Ｂ７０３）。再開バンド誤差がオフセット閾値以下であると判定した場合（Ｂ７０３のＹｅｓ）、ＭＰＵ６０は、Ｂ７０４の処理へ進む。再開バンド誤差がオフセット閾値よりも大きいと判定した場合（Ｂ７０３のＮｏ）、ＭＰＵ６０は、再開バンド誤差とオフセット閾値との差分から算出した拡大量に基づいて再開トラック目標経路を変更経路に変更し（Ｂ１００１）、実ＤＯＬを再開バンド領域の再開トラックのＤＯＬとして設定する（Ｂ７０４）。例えば、ＭＰＵ６０は、再開バンド誤差とオフトラック閾値との差分から拡大量を算出し、ＭＰＵ６０は、再開バンド領域の再開トラックの再開位置からデータのライト処理を開始し（Ｂ７０６）、処理を終了する。
第２実施形態によれば、磁気ディスク装置１は、再開バンド誤差が閾値よりも大きい場合、再開バンド誤差とオフセット閾値との差分から算出した拡大量に基づいて再開トラック目標経路を変更経路に変更し、変更経路を再開トラックの目標経路として設定する。磁気ディスク装置１は、変更経路に沿って再開トラックの再開位置からライト処理を再開する。変更経路に沿ってライト処理を再開することで、磁気ディスク装置１は、前のトラックと現在のトラックとのトラックピッチの狭窄を防止するとともにライトリトライ回数を低減できる。従って、磁気ディスク装置１は、ライト処理の性能を向上できる。
（変形例１）
変形例１の磁気ディスク装置１は、目標経路をずらした拡大量を補正する点が第２実施形態の磁気ディスク装置１と異なる。
再開バンド領域の再開トラックを変更経路でライトした後にこの再開バンド領域と異なる所定のバンド領域でライト処理を実行する場合、目標経路管理部６４は、再開バンド領域の再開トラックに重ね書きする次のトラック以降の少なくとも１つのトラックの目標経路の順方向への拡大量に相当するずれ（以下、目標経路ずれと称する）を所定の記録領域、例えば、システムエリア１０ｂ及び不揮発性メモリ９０に記録することが困難である。そのため、再開バンド領域において拡大量で順方向に再開トラック目標経路をシフトした変更経路に沿って再開トラックをライトした場合、目標経路管理部６４は、再開トラックに重ね書きする次のトラック以降の少なくとも１つのトラックの目標経路を順方向と反対方向にずらすことにより目標経路ずれを解消する。例えば、拡大量で順方向に再開トラック目標経路をシフトした変更経路に沿ってライトした再開トラックに次のトラックを重ね書きする場合、目標経路管理部６４は、次のトラックに対応するＤＯＬ対象誤差がオフセット閾値以下であるかオフセット閾値よりも大きいかを判定する。ＤＯＬ対象誤差がオフセット閾値以下であると判定した場合、目標経路管理部６４は、ＤＯＬ対象誤差及びオフセット閾値に基づいて再開トラックに重ね書きする次のトラックの目標経路を順方向と反対方向へのずらす距離（以下、補正量と称する）を算出し、算出した補正量に応じて再開トラックに重ね書きする次のトラックの目標経路を順方向と反対方向にずらした（補正した）目標経路（以下、補正経路と称する場合もある）をこの次のトラックの目標経路に設定する。目標経路管理部６４は、再開トラックに重ね書きする次のトラック以降の少なくとも１つのトラックのライト処理において、目標経路ずれが解消されるまでこれらの処理を繰り返す。
図１１は、変形例１に係る目標経路の補正方法の一例を示す図である。図１１には、トラックＴＲｌ＋１、ＴＲｌ＋２、及びＴＲｌ＋３の順に重ね書きされているバンド領域ＴＧｌを示している。トラックＴＲｌ＋２は、再開トラックに相当する。図１１には、トラックＴＲｌ＋３の目標経路ＴＴＲｌ＋３と、変更経路ＣＴＲｌ＋２の拡大量ＳＦＴを補正するために順方向と反対方向にずらした補正経路ＣＴＲｌ＋３とを示している。目標経路ＴＴＲｌ＋３は、例えば、目標経路ＴＴＲｌ＋１及び目標経路ＴＴＲｌ＋２と同じ間隔で変更経路ＣＴＲｌ＋２から半径方向に離間している。図１１には、目標経路ＴＴＲｌ＋３に対する補正経路ＣＴＲｌ＋３の補正量ＣＶを示している。
図１１に示した例では、拡大量ＳＦＴで順方向に再開トラック目標経路ＴＴＲｌ＋２をシフトした変更経路ＣＴＲｌ＋２に変更して再開トラックＴＲｌ＋２をライトした後に次のトラックＴＲｌ＋３を再開トラックＴＲｌ＋２に重ね書きする場合、目標経路管理部６４は、次のトラックＴＲｌ＋３に対応するＤＯＬ対象誤差ＷＰＥ２がオフセット閾値以下であるかオフセット閾値よりも大きいかを判定する。ＤＯＬ対象誤差ＷＰＥ２がオフセット閾値以下であると判定した場合、目標経路管理部６４は、オフセット閾値及びＤＯＬ対象誤差ＷＰＥ２の差分値に相当する補正量ＣＶを算出し、補正量ＣＶ分を次のトラックＴＲｌ＋３の目標経路ＴＴＲｌ＋３を順方向と反対方向にずらした補正経路ＣＴＲｌ＋３を次のトラックＴＲｌ＋３の目標経路として設定する。再開トラックＴＲｌ＋２に次のトラックＴＲｌ＋３を重ね書きする場合、リード／ライト制御部６１は、補正経路ＣＴＲｌ＋３に沿ってライト処理を実行する。ＤＯＬ対象誤差ＷＰＥ２がオフセット閾値よりも大きい判定した場合、目標経路管理部６４は、補正量＝０として次のトラックＴＲｌ＋３の目標経路ＴＴＲｌ＋３を次のトラックＴＲｌ＋３の目標経路として設定する。再開トラックＴＲｌ＋２に次のトラックＴＲｌ＋３を重ね書きする場合、リード／ライト制御部６１は、目標経路ＴＴＲｌ＋３に沿ってライト処理を実行する。また、次のトラックＴＲｌ＋３に重ね書きするトラック以降のトラックでも、目標経路管理部６４は、次のトラックＴＲｌ＋３以降に重ね書きされる各トラックで再開トラックを変更経路ＣＴＲｌ＋２に沿ってライトした際に順方向にずれた拡大量ＳＦＴ分を解消するまでトラックＴＲｌ＋３をライトした場合と同様の処理を繰り返す。
図１２は、変形例１に係るライト処理方法の一例を示すフローチャートである。
ＭＰＵ６０は、再開トラックの再開位置からライトを開始し（Ｂ１２０１）、変更経路に沿って再開トラックをライトし（Ｂ１２０２）、再開トラックに対応する最大位置決め誤差を一時的に記録する（Ｂ１２０３）。ＭＰＵ６０は、所定のトラック、例えば、再開トラックの次のトラックがあるかないかを判定する（Ｂ１２０４）。次のトラックがないと判定した場合（Ｂ１２０４のＮｏ）、ＭＰＵ６０は、処理を終了する。次のトラックがあると判定した場合（Ｂ１２０４のＹｅｓ）、ＭＰＵ６０は、再開トラックをライトした際の再開トラック目標経路に対する変更経路の拡大量が０より大きいか、０であるかを判定する（Ｂ１２０５）。言い換えると、ＭＰＵ６０は、再開トラックを再開トラック目標経路に沿ってライトしたか再開トラック目標経路を拡大量分だけシフトした変更経路でライトしたかを判定する。拡大量が０あると判定した場合（Ｂ１２０５のＮｏ）、ＭＰＵ６０は、補正量＝０を設定し（Ｂ１２０６）、Ｂ１２１１の処理へ進む。拡大量が０よりも大きいと判定した場合（Ｂ１２０５のＹｅｓ）、ＭＰＵ６０は、ＤＯＬ対象誤差がオフセット閾値以下であるかＤＯＬ対象誤差がオフセット閾値よりも大きいかを判定する（Ｂ１２０７）。ＤＯＬ対象誤差がオフセット閾値よりも大きいと判定した場合（Ｂ１２０７のＮｏ）、ＭＰＵ６０は、Ｂ１２０６の処理へ進む。ＤＯＬ対象誤差がオフセット閾値以下であると判定した場合（Ｂ１２０７のＹｅｓ）、ＭＰＵ６０は、次のトラックの補正量を設定する（Ｂ１２０８）。例えば、ＭＰＵ６０は、オフセット閾値及びＤＯＬ対象誤差の差分値を次のトラックの補正量として設定する。ＭＰＵ６０は、再開トラックをライトした際に再開トラック目標経路を順方向にシフトした拡大量が解消されたか解消されていないかを判定する（Ｂ１２０９）。拡大量が解消されていないと判定した場合（Ｂ１２０９のＮｏ）、ＭＰＵ６０は、残りの拡大量を記録し（Ｂ１２１０）、Ｂ１２１１の処理へ進む。拡大量が解消されたと判定した場合（Ｂ１２０９のＹｅｓ）、ＭＰＵ６０は、補正量に基づいて次のトラックの目標経路を設定する（Ｂ１２１１）。例えば、ＭＰＵ６０は、次のトラックの目標経路を補正量分で順方向と反対方向にずらした補正経路を次のトラックの目標経路として設定する。ＭＰＵ６０は、次のトラックを目標経路に沿ってライトし（Ｂ１２１２）、Ｂ１２０３の処理へ進む。例えば、ＭＰＵ６０は、次のトラックをＢ１２１１で設定した補正経路に沿ってライトし、Ｂ１２０３の処理へ進む。
変形例１によれば、磁気ディスク装置１は、拡大量で順方向に再開トラック目標経路をシフトした変更経路に沿って再開トラックをライトした場合、所定の管理バンド領域において、再開トラックに重ね書きする次のトラック以降の少なくとも１つのトラックの目標経路を順方向と反対方向にずらして重ね書きすることで、このバンド領域の再開トラックに重ね書きする次のトラック以降の各トラックに生じる順方向への拡大量に相当するずれを解消する。そのため、目標経路ずれが解消されることで再開バンド領域が管理テーブルによる管理から外れて非管理バンド領域になった後にこの再開バンド領域を再度管理バンド領域として管理テーブルにより管理する場合でも、目標経路管理部６４は、前述したよう再開バンド誤差及びオフセット閾値に基づいて再開トラック目標経路を変更経路に変更し、変更経路に沿ってライト処理を再開できる。したがって、磁気ディスク装置１は、ライト処理の性能を向上できる。
いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１…磁気ディスク装置、１０…磁気ディスク、１０ａ…瓦記録領域、１０ｂ…システムエリア、１２…スピンドルモータ（ＳＰＭ）、１３…アーム、１４…ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、１５…ヘッド、１５Ｗ…ライトヘッド、１５Ｒ１、１５Ｒ２…リードヘッド、２０…ドライバＩＣ、３０…ヘッドアンプＩＣ、４０…ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）、５０…リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル、６０…マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、７０…揮発性メモリ、８０…バッファメモリ、９０…不揮発性メモリ、１００…ホストシステム（ホスト）、１３０…システムコントローラ。

Claims (11)

  1. ディスクと、
    前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、
    第１トラック群において第１トラックに第２トラックを重ね書きし、前記第１トラックにおける前記第１トラックから前記第２トラックに向かう第１方向への最大の第１位置決め誤差を不揮発性の第１記録領域に記録するコントローラと、を備える磁気ディスク装置。
  2. 前記コントローラは、前記第１トラック群と異なる第２トラック群にデータをライトする際に前記第１位置決め誤差を前記第１記録領域に記録する、請求項１に記載の磁気ディスク装置。
  3. 前記コントローラは、前記第１トラック群と異なる前記第２トラック群にデータをライトする際にライト処理を実行するバンド領域を管理する管理テーブルから前記第１トラック群を外す場合に、前記第１位置決め誤差を前記第１記録領域に記録する、請求項２に記載の磁気ディスク装置。
  4. 前記コントローラは、前記ディスクの円周方向の第１位置で前記第２トラックのライト処理を中断して前記第２トラック群でライト処理を実行した後に前記第１位置からライト処理を再開する場合、前記第１位置決め誤差に基づいて前記第１方向と反対方向の第２方向でライト処理を禁止する第１範囲を設定する、請求項２又は請求項３に記載の磁気ディスク装置。
  5. 前記コントローラは、前記第１位置決め誤差が許容できるライト処理のリトライ回数に対応する第１閾値以下であると判定した場合に、前記第１位置決め誤差に基づいて前記第１範囲を設定する、請求項４に記載の磁気ディスク装置。
  6. 前記コントローラは、前記ディスクの円周方向の第１位置で前記第２トラックのライト処理を中断して前記第２トラック群でライト処理を実行した後に前記第１位置から前記第２トラックの残りの第３トラックをライトする場合、前記第３トラックをライトする際に前記ヘッドの目標とする第１経路を前記第１方向にずらす、請求項２又は請求項３のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
  7. 前記コントローラは、前記第１位置決め誤差に基づいて前記第１経路を前記第１方向にずらす、請求項６に記載の磁気ディスク装置。
  8. 前記コントローラは、前記第１位置決め誤差が許容できるライト処理のリトライ回数に対応する第１閾値より大きいと判定した場合に、前記第１経路を前記第１方向に前記第１位置決め誤差及び前記第１閾値の差分値分をずらした第２経路に変更する、請求項６又は７に記載の磁気ディスク装置。
  9. 前記コントローラは、前記第２トラックの前記第１方向に第４トラックを重ね書きする場合、前記第１方向と反対方向の第２方向に前記第４トラックをずらす、請求項６乃至８のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
  10. 前記ディスクは、前記第１記録領域を有する、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
  11. ディスクと、前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、を備える磁気ディスク装置に適用されるライト処理方法であって、
    １トラック群において第１トラックに第２トラックを重ね書きし、前記第１トラックにおける前記第１トラックから前記第２トラックに向かう第１方向への最大の第１位置決め誤差を不揮発性の第１記録領域に記録する、ライト処理方法。
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