JP6921792B2 - 磁気ディスク装置及びライト処理方法 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、磁気ディスク装置及びライト処理方法に関する。

近年、磁気ディスク装置の高記録容量化を実現するための様々な技術が開発されている。これら技術の一つとして瓦記録方式（Shingled write Magnetic Recording（ＳＭＲ）、またはShingled Write Recording（ＳＷＲ））と称される記録技術がある。瓦記録方式の磁気ディスク装置は、磁気ディスクへデータをライトする際に、ディスクの半径方向に隣接するトラックの一部に重ねて次の記録トラックを書き込みする。瓦記録方式の磁気ディスク装置では、重ね書きされたトラックの幅が重ね書きされていないトラックの幅と比較して狭くなり得る。

米国特許第９４２４８７０号明細書 米国特許第６６３６３７６号明細書 米国特許第８８８５２８４号明細書

本発明の実施形態が解決しようとする課題は、ライト処理性能を向上することが可能な磁気ディスク装置及びライト処理方法を提供することである。

本実施形態に係る磁気ディスク装置は、ディスクと、前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、前記ヘッドの第１位置情報に基づいて算出した第１値に応じて変更されるゲインと前記ディスクに第１トラックをライトした際の前記ヘッドの第２位置情報とに基づいて算出した前記ヘッドの第３位置情報に応じて、前記第１トラックの半径方向に隣接する第２トラックをライトするコントローラと、を備える。

本実施形態に係るライト処理方法は、ディスクと、前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、を備える磁気ディスクに適用されるライト処理方法であって、前記ヘッドの第１位置情報のパワースペクトラムに基づいて算出した第１値に応じて変更されるゲインと前記ディスクに第１トラックをライトした際の前記ヘッドの第２位置情報とに基づいて算出した前記ヘッドの第３位置情報に応じて、前記第１トラックの半径方向に隣接する第２トラックをライトする。

図１は、実施形態に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。 図２は、データがライトされた瓦記録領域の一例を示す模式図である。 図３は、ライトＡＴＣ制御の一例を示す模式図である。 図４は、実施形態に係るライト処理時のヘッドの位置決め制御系の一例を示すブロック図である。 図５は、実施形態に係る調整器の一例を示すブロック図である。 図６は、実施形態に係るパワー比率γに対するゲインβの変化の一例を示す図である。 図７は、ライトＡＴＣ制御の処理方法の一例を示す模式図である。 図８は、フィードバックシステムの伝達特性における入出力信号のゲイン及び位相を示すボード線図である。 図９は、フィードバック残差のパワースペクトラム及びパワー累積和の一例を示す図である。 図１０は、ゲインに対するライトＡＴＣ制御を実行した場合のオフセット値の増幅率の変化の一例を示す図である。 図１１は、ゲインに対するライトＡＴＣ制御を実行した場合のリードトラック幅の変動の圧縮率の変化の一例を示す図である。 図１２は、実施形態に係るライト処理方法の一例を示すフローチャートである。 図１３は、変形例１に係るライト処理時のヘッドの位置決め制御系ＳＹ１の一例を示すブロック図である。 図１４は、変形例１に係る調整器の一例を示すブロック図である。 図１５は、変形例２に係るパワー比率に対するゲインの変化の一例を示す図である。

以下、実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図面は、一例であって、発明の範囲を限定するものではない。
（実施形態）
図１は、実施形態に係る磁気ディスク装置１の構成を示すブロック図である。
磁気ディスク装置１は、後述するヘッドディスクアセンブリ（ＨＤＡ）と、ドライバＩＣ２０と、ヘッドアンプ集積回路（以下、ヘッドアンプＩＣ、又はプリアンプ）３０と、揮発性メモリ７０と、バッファメモリ（バッファ）８０と、不揮発性メモリ９０と、１チップの集積回路であるシステムコントローラ１３０とを備える。また、磁気ディスク装置１は、ホストシステム（以下、単に、ホストと称する）１００と接続される。

ＨＤＡは、磁気ディスク（以下、ディスクと称する）１０と、スピンドルモータ（以下、ＳＰＭと称する）１２と、ヘッド１５を搭載しているアーム１３と、ボイスコイルモータ（以下、ＶＣＭと称する）１４とを有する。ディスク１０は、ＳＰＭ１２に取り付けられ、ＳＰＭ１２の駆動により回転する。アーム１３及びＶＣＭ１４は、アクチュエータＡＣを構成している。アクチュエータＡＣは、ＶＣＭ１４の駆動により、アーム１３に搭載されているヘッド１５をディスク１０上の所定の位置まで移動制御する。ディスク１０およびヘッド１５は、２つ以上の数が設けられてもよい。
ディスク１０は、データ領域に、瓦記録（Shingled Magnetic Recording：ＳＭＲ）領域１０ａと、メディアキャッシュ（media cache）領域１０ｂと、が割り当てられている。以下、ディスク１０の半径方向に直交する方向を円周方向と称する。ディスク１０は、サーボデータ等をそれぞれ含む複数のサーボ領域ＳＶを有している。複数のサーボ領域ＳＶは、ディスク１０の半径方向に放射状に延出して円周方向に所定の間隔を空けて離散的に配置されている。つまり、複数のサーボ領域ＳＶは、ディスク１０にライトされる各トラックに亘って配置されている。以下、各トラックにおけるサーボ領域ＳＶをサーボセクタと称する場合もある。

瓦記録領域１０ａは、ホスト１００からライト要求されたユーザデータ等が記録される。メディアキャッシュ領域１０ｂは、瓦記録領域１０ａのキャッシュとして利用され得る。瓦記録領域１０ａでは、トラックの一部に次にライトするトラックが重ね書きされる。そのため、瓦記録領域１０ａのトラック密度（Track Per Inch：ＴＰＩ）は、重ね書きされていない記録領域のトラック密度よりも高くなる。瓦記録領域１０ａでは、半径方向において一方向に連続的に重ね書きされた複数のトラックをそれぞれ含む複数のトラック群が互いに間隔（ギャップ）を空けて配置される。以下で、半径方向において一方向に連続的に重ね書きされた複数のトラックを含むトラック群をバンド領域と称する。バンド領域は、一部に半径方向に隣接するトラック（以下、隣接トラックと称する）が重ね書きされた少なくとも１つのトラックと、最後に重ね書きされたトラック（最終トラック）とを含む。最終トラックは、一部に他のトラックが重ね書きされていないため、一部に重ね書きされているトラックよりもトラック幅が広い。以下で、ディスク１０にライトされたトラックをライトトラックと称する。隣接トラックが重ね書きされた領域を除いた残りのライトトラックの領域をリードトラックと称する。また、ライトトラックを単にトラックと称する場合もあるし、リードトラックを単にトラックと称する場合もあるし、ライトトラック及びリードトラックをまとめて単にトラックと称する場合もある。トラックは、複数のセクタを含んでいる。なお、”トラック”は、ディスク１０の円周方向に延長するデータ、ディスク１０の円周方向に延長する領域、その他の種々の意味で用いる。”セクタ”は、トラックの所定の領域、例えば、セクタにライトされたデータ、トラックの所定の領域や、その他の種々の意味で用いる。また、ライトトラックの半径方向の幅をライトトラック幅と称し、リードトラックの半径方向の幅をリードトラック幅と称する場合もある。ライトトラック幅及びリードトラック幅をまとめてトラック幅と称する場合もある。

図２は、データがライトされた瓦記録領域１０ａの一例を示す模式図である。図２において、縦軸は、ディスク１０の半径方向を示し、横軸は、ディスク１０の円周方向を示している。半径方向において、ディスク１０の中心に向かう方向を内方向と称し、内方向と反対方向を外方向と称する。半径方向において、ディスク１０の内周から外周へ向かう方向を外方向（外側）とし、外方向と反対方向を内方向（内側）とする。また、半径方向において、データをライト及びリードする方向を順方向と称する。図２に示した例では、順方向は、内方向と同じ方向である。なお、順方向は、外方向と同じ方向であってもよい。円周方向において、一方向を右方向とし、右方向と反対方向を左方向とする。また、円周方向において、データをライト及びリードする方向を進行方向と称する。例えば、進行方向は、ディスク１０の回転方向と反対方向である。図２に示した例では、進行方向は、右方向と同じ方向である。なお、進行方向は、左方向と同じ方向であってもよい。

図２に示した例では、瓦記録領域１０ａは、バンド領域ＴＧ１と、バンド領域ＴＧ２とを含む。図２では、バンド領域ＴＧ１及びＴＧ２の各トラックは、説明の便宜上、一方向に延長する帯状に示している。実際には、バンド領域ＴＧ１及びＴＧ２の各トラックは、ディスク１０と同心円状に配置されている。つまり、実際には、図２に示したバンド領域ＴＧ１及びＴＧ２の各トラックの左方向の端部と右方向の端部とは、一致している。また、図２に示した例では、各トラックは、外乱やその他の構造等の影響によるずれが生じている。なお、瓦記録領域１０ａは、２つより多くの数のバンド領域を含んでいてもよいし、２つよりも少ない数のバンド領域を含んでいてもよい。

バンド領域ＴＧ１及びバンド領域ＴＧ２は、半径方向で互いにギャップ（又は、ガード領域と称する場合もある）ＧＰを空けて並んでいる。以下で、バンド領域ＴＧ１を用いてバンド領域の構成について説明するが、バンド領域ＴＧ２の構成もバンド領域ＴＧ１と同等である。そのため、バンド領域ＴＧ２の構成について詳細な説明を省略する。

図２に示した例では、バンド領域ＴＧ１は、ライトトラックＷＴ１０、ＷＴ１１、ＷＴ１２、ＷＴ１３、及びＷＴ１４を含む。ライトトラックＷＴ１０及びＷＴ１１は、互いに一部が重なっている。ライトトラックＷＴ１１及びＷＴ１２は、互いに一部が重なっている。ライトトラックＷＴ１２及びＷＴ１３は、互いに一部が重なっている。ライトトラックＷＴ１３及びＷＴ１４は、互いに一部が重なっている。バンド領域ＴＧ１では、ライトトラックＷＴ１０乃至ＷＴ１４がこの順番で半径方向に重ね書きされている。図示していないが、ライトトラックＷＴ１０、ＷＴ１１、ＷＴ１２、ＷＴ１３、及びＷＴ１４は、それぞれ、複数のサーボセクタ及び複数のデータセクタを含む。なお、バンド領域ＴＧ１は、５つのトラックを含むとしたが、５つよりも少ない数のトラックを含んでいてもよいし、５つよりも多い数のトラックを含んでいてもよい。サーボセクタを単にセクタと称する場合もある。データセクタを単にセクタと称する場合もある。また、サーボセクタ及びデータセクタをまとめてセクタと称する場合もある。

ライトトラックＷＴ１０は、トラックエッジＥ１０ＡとトラックエッジＥ１０Ｂとを有している。図２に示した例では、トラックエッジＥ１０Ａは、ライトトラックＷＴ１０の外側の端部であり、トラックエッジＥ１０Ｂは、ライトトラックＷＴ１０の内側（順方向）の端部である。ライトトラックＷＴ１１は、トラックエッジＥ１１ＡとトラックエッジＥ１１Ｂとを有している。図２に示した例では、トラックエッジＥ１１Ａは、ライトトラックＷＴ１１の外側の端部であり、トラックエッジＥ１１Ｂは、ライトトラックＷＴ１１の内側（順方向）の端部である。ライトトラックＷＴ１２は、トラックエッジＥ１２ＡとトラックエッジＥ１２Ｂとを有している。図２に示した例では、トラックエッジＥ１２Ａは、ライトトラックＷＴ１２の外側の端部であり、トラックエッジＥ１２Ｂは、ライトトラックＷＴ１２の内側（順方向）の端部である。ライトトラックＷＴ１３は、トラックエッジＥ１３ＡとトラックエッジＥ１３Ｂとを有している。図２に示した例では、トラックエッジＥ１３Ａは、ライトトラックＷＴ１３の外側の端部であり、トラックエッジＥ１３Ｂは、ライトトラックＷＴ１３の内側（順方向）の端部である。ライトトラック（最終トラック）ＷＴ１４は、トラックエッジＥ１４ＡとトラックエッジＥ１４Ｂとを有している。図２に示した例では、トラックエッジＥ１４Ａは、ライトトラックＷＴ１４の外側の端部であり、トラックエッジＥ１４Ｂは、ライトトラックＷＴ１４の内側（順方向）の端部である。

ライトトラックＷＴ１０のライトトラック幅ＷＷ１０は、トラックエッジＥ１０Ａ及びＥ１０Ｂの間の半径方向の長さである。ライトトラックＷＴ１１のライトトラック幅ＷＷ１１は、トラックエッジＥ１１Ａ及びＥ１１Ｂの間の半径方向の長さである。ライトトラックＷＴ１２のライトトラック幅ＷＷ１２は、トラックエッジＥ１２Ａ及びＥ１２Ｂの間の半径方向の長さである。ライトトラックＷＴ１３のライトトラック幅ＷＷ１３は、トラックエッジＥ１３Ａ及びＥ１３Ｂの間の半径方向の長さである。ライトトラックＷＴ１４のライトトラック幅ＷＷ１４は、トラックエッジＥ１４Ａ及びＥ１４Ｂの間の半径方向の長さである。ライトトラック幅ＷＷ１０乃至ＷＷ１４は、例えば、同等である。なお、ライトトラック幅ＷＷ１０乃至ＷＷ１４は、異なっていてもよい。

リードトラックＲＴ１０は、ライトトラックＷＴ１１が重ね書きされたライトトラックＷＴ１０の一部を除いた残りの領域である。リードトラックＲＴ１１は、ライトトラックＷＴ１２が重ね書きされたライトトラックＷＴ１１の一部を除いた残りの領域である。リードトラックＲＴ１２は、ライトトラックＷＴ１３が重ね書きされたライトトラックＷＴ１２の一部を除いた残りの領域である。リードトラックＲＴ１３は、ライトトラックＷＴ１４が重ね書きされたライトトラックＷＴ１３の一部を除いた残りの領域である。リードトラックＲＴ１４は、ライトトラックＷＴ１４に対応している。リードトラックＲＴ１４は、バンド領域ＴＧ１における最終トラックに相当する。

リードトラックＲＴ１０のリードトラック幅ＲＷ１０は、トラックエッジＥ１０Ａ及びＥ１１Ａの間の半径方向の長さである。リードトラックＲＴ１１のリードトラック幅ＲＷ１１は、トラックエッジＥ１１Ａ及びＥ１２Ａの間の半径方向の長さである。リードトラックＲＴ１２のリードトラック幅ＲＷ１２は、トラックエッジＥ１２Ａ及びＥ１３Ａの間の半径方向の長さである。リードトラックＲＴ１３のリードトラック幅ＲＷ１３は、トラックエッジＥ１３Ａ及びＥ１４Ａの間の半径方向の長さである。リードトラックＲＴ１４のリードトラック幅ＲＷ１４は、トラックエッジＥ１４Ａ及びＥ１４Ｂの間の半径方向の長さである。つまり、リードトラック幅ＲＷ１４は、ライトトラック幅ＷＷ１４と同等である。

図２に示した例では、バンド領域ＴＧ２は、ライトトラックＷＴ２０、ＷＴ２１、ＷＴ２２、ＷＴ２３、及びＷＴ２４を含む。バンド領域ＴＧ２では、ライトトラックＷＴ２０乃至ＷＴ２４が、半径方向にこの順番で重ね書きされている。ライトトラックＷＴ２０乃至ＷＴ２４は、それぞれ、バンド領域ＴＧ１におけるライトトラックＷＴ１０乃至ＷＴ１４に相当する。

ライトトラックＷＴ２０のライトトラック幅ＷＷ２０は、トラックエッジＥ２０Ａ及びＥ２０Ｂの間の半径方向の長さである。ライトトラックＷＴ２１のライトトラック幅ＷＷ２１は、トラックエッジＥ２１Ａ及びＥ２１Ｂの間の半径方向の長さである。ライトトラックＷＴ２２のライトトラック幅ＷＷ２２は、トラックエッジＥ２２Ａ及びＥ２２Ｂの間の半径方向の長さである。ライトトラックＷＴ２３のライトトラック幅ＷＷ２３は、トラックエッジＥ２３Ａ及びＥ２３Ｂの間の半径方向の長さである。ライトトラックＷＴ２４のライトトラック幅ＷＷ２４は、トラックエッジＥ２４Ａ及びＥ２４Ｂの間の半径方向の長さである。

リードトラックＲＴ２０は、ライトトラックＷＴ２１が重ね書きされたライトトラックＷＴ２０の一部を除いた残りの領域である。リードトラックＲＴ２１は、ライトトラックＷＴ２２が重ね書きされたライトトラックＷＴ２１の一部を除いた残りの領域である。リードトラックＲＴ２２は、ライトトラックＷＴ２３が重ね書きされたライトトラックＷＴ２２の一部を除いた残りの領域である。リードトラックＲＴ２３は、ライトトラックＷＴ２４が重ね書きされたライトトラックＷＴ２３の一部を除いた残りの領域である。リードトラックＲＴ２４は、ライトトラックＷＴ２４に対応している。リードトラックＲＴ２０乃至ＲＴ２４は、それぞれ、バンド領域ＴＧ１におけるリードトラックＲＴ１０乃至ＲＴ１４に対応している。

リードトラックＲＴ２０のリードトラック幅ＲＷ２０は、トラックエッジＥ２０Ａ及びＥ２１Ａの間の半径方向の長さである。リードトラックＲＴ２１のリードトラック幅ＲＷ２１は、トラックエッジＥ２１Ａ及びＥ２２Ａの間の半径方向の長さである。リードトラックＲＴ２２のリードトラック幅ＲＷ２２は、トラックエッジＥ２２Ａ及びＥ２３Ａの間の半径方向の長さである。リードトラックＲＴ２３のリードトラック幅ＲＷ２３は、トラックエッジＥ２３Ａ及びＥ２４Ａの間の半径方向の長さである。リードトラックＲＴ２４のリードトラック幅ＲＷ２４は、トラックエッジＥ２４Ａ及びＥ２４Ｂの間の半径方向の長さである。

ヘッド１５は、スライダを本体として、当該スライダに実装されているライトヘッド１５Ｗとリードヘッド１５Ｒとを備える。ライトヘッド１５Ｗは、ディスク１０上にデータをライトする。リードヘッド１５Ｒは、ディスク１０に記録されているデータをリードする。なお、ライトヘッド１５Ｗを単にヘッド１５と称する場合もあるし、リードヘッド１５Ｒを単にヘッド１５と称する場合もあるし、ライトヘッド１５Ｗ及びリードヘッド１５Ｒをまとめてヘッド１５と称する場合もある。
ドライバＩＣ２０は、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するＭＰＵ６０）の制御に従って、ＳＰＭ１２およびＶＣＭ１４の駆動を制御する。
ヘッドアンプＩＣ（プリアンプ）３０は、リードアンプ及びライトドライバを備えている。リードアンプは、リードヘッド１５Ｒによってディスク１０からリードされたリード信号を増幅して、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するリード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル４０）に出力する。ライトドライバは、Ｒ／Ｗチャネル４０から出力される信号に応じたライト電流をライトヘッド１５Ｗに出力する。

揮発性メモリ７０は、電力供給が断たれると保存しているデータが失われる半導体メモリである。揮発性メモリ７０は、磁気ディスク装置１の各部での処理に必要なデータ等を格納する。揮発性メモリ７０は、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、又はＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）である。
バッファメモリ８０は、磁気ディスク装置１とホスト１００との間で送受信されるデータ等を一時的に記録する半導体メモリである。なお、バッファメモリ８０は、揮発性メモリ７０と一体に構成されていてもよい。バッファメモリ８０は、例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、ＳＤＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric Random Access memory）、又はＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）等である。
不揮発性メモリ９０は、電力供給が断たれても保存しているデータを記録する半導体メモリである。不揮発性メモリ９０は、例えば、ＮＯＲ型またはＮＡＮＤ型のフラッシュＲＯＭ（Flash Read Only Memory :ＦＲＯＭ）である。

システムコントローラ（コントローラ）１３０は、例えば、複数の素子が単一チップに集積されたSystem-on-a-Chip(ＳｏＣ)と称される大規模集積回路（ＬＳＩ）を用いて実現される。システムコントローラ１３０は、リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル４０、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）５０、及びマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）６０等を含む。システムコントローラ１３０は、例えば、ドライバＩＣ２０、ヘッドアンプＩＣ３０、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０、不揮発性メモリ９０、及びホストシステム１００等に電気的に接続されている。
Ｒ／Ｗチャネル４０は、後述するＭＰＵ６０からの指示に応じて、ディスク１０からホスト１００に転送されるリードデータ及びホスト１００から転送されるライトデータの信号処理を実行する。Ｒ／Ｗチャネル４０は、リードデータの信号品質を測定する回路、又は機能を有している。Ｒ／Ｗチャネル４０は、例えば、ヘッドアンプＩＣ３０、ＨＤＣ５０、及びＭＰＵ６０等に電気的に接続されている。
ＨＤＣ５０は、後述するＭＰＵ６０からの指示に応じて、ホスト１００とＲ／Ｗチャネル４０との間のデータ転送を制御する。ＨＤＣ５０は、例えば、Ｒ／Ｗチャネル４０、ＭＰＵ６０、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０、及び不揮発性メモリ９０等に電気的に接続されている。

ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部を制御するメインコントローラである。ＭＰＵ６０は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５の位置決めを行なうサーボ制御を実行する。ＭＰＵ６０はまた、ドライバＩＣ２０を介してＳＰＭ１２を制御し、ディスク１０を回転させる。ＭＰＵ６０は、ディスク１０へのデータのライト動作を制御すると共に、ライトデータの保存先を選択する。また、ＭＰＵ６０は、ディスク１０からのデータのリード動作を制御すると共に、リードデータの処理を制御する。ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部に接続されている。ＭＰＵ６０は、例えば、ドライバＩＣ２０、Ｒ／Ｗチャネル４０、及びＨＤＣ５０等に電気的に接続されている。
ＭＰＵ６０は、リード／ライト制御部６１を備えている。ＭＰＵ６０は、各部、例えば、リード／ライト制御部６１等の処理をファームウェア上で実行する。なお、ＭＰＵ６０は、各部、例えば、リード／ライト制御部６１を回路として備えていてもよい。

リード／ライト制御部６１は、ホスト１００からのコマンドに従って、データのリード処理及びライト処理を制御する。リード／ライト制御部６１は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５をディスク１０上の所定の位置に位置決めし、データをリード又はライトする。瓦記録を実行する場合、リード／ライト制御部６１は、例えば、所定のバンド領域においてシーケンシャルにデータをライトする。所定のバンド領域をリードする場合、リード／ライト制御部６１は、例えば、シーケンシャルにデータをリードする。リード／ライト制御部６１は、シーク制御部６１１と、位置決め制御部６１２とを備えている。以下、”ヘッド１５（ライトヘッド１５Ｗ又はリードヘッド１５Ｒ）を所定の位置に位置決め、又は配置する”ことは、”ヘッド１５（ライトヘッド１５Ｗ又はリードヘッド１５Ｒ）の中心部を所定の位置に位置決め、又は配置する”ことを示す場合もある。

シーク制御部６１１は、ディスク１０上の所定の位置、例えば、所定の円周方向の位置（以下、円周位置と称する）の所定の半径方向の位置（以下、半径位置と称する）にヘッド１５をシークする。一例では、シーク制御部６１１は、ディスク１０上の所定のトラックの所定のセクタにヘッド１５をシークする。

位置決め制御部６１２は、各トラックにおいて、リード処理及びライト処理時に目標とする半径位置（以下、目標位置と称する）にヘッド１５を位置決め制御する。位置決め制御部６１２は、サーボセクタ単位でサンプリング割り込み制御によりヘッド１５の位置決め制御を実行する。位置決め制御部６１２は、例えば、各トラックにおいて、リード処理及びライト処理時に目標とする経路（以下、目標経路と称する）を追従するようにヘッド１５を制御する。ここで、ヘッド１５の経路は、例えば、所定のトラックの各円周位置におけるヘッド１５の半径位置に相当する。なお、半径位置を経路という意味で用いる場合もあるし、経路を半径位置という意味で用いる場合もある。以下、ライト処理時のヘッド１５、例えば、ライトヘッド１５Ｗ又はリードヘッド１５Ｒの半径位置をライト位置と称し、リード処理時のヘッド１５、例えば、リードヘッド１５Ｒの半径位置をリード位置と称する。ライト処理時のヘッド１５の経路をライト経路と称し、リード処理時のヘッド１５の経路をリード経路と称する。ライト処理時のヘッド１５の目標位置を目標ライト位置と称し、リード処理時のヘッド１５の目標位置を目標リード位置と称する。また、ライト処理時のヘッド１５の目標経路を目標ライト経路と称し、リード処理時のヘッド１５の目標経路を目標リード経路と称する。

一例では、位置決め制御部６１２は、ライト処理時に、ディスク１０と同心円状にライトされたライトトラック（以下、初期ライトトラックと称する）の中心部の半径位置に対応する目標ライト位置（以下、初期ライト位置と称する）にヘッド１５、例えば、ライトヘッド１５Ｗを位置決めする。換言すると、位置決め制御部６１２は、ライト処理時に、初期ライトトラックの半径方向の中心部を通る目標ライト経路（以下、初期ライト経路と称する）を追従するようにヘッド１５、例えば、ライトヘッド１５Ｗを制御する。

また、位置決め制御部６１２は、例えば、リード処理時に、初期ライト位置（初期ライト経路）にライトされた順方向に隣接するライトトラックが重ね書きされた一部除いた初期ライト位置（初期ライト経路）にライトされたライトトラックの残りのリードトラック（以下、初期リードトラックと称する）の中心部の半径位置に対応する通常の目標リード位置（以下、初期リード位置と称する）にヘッド１５、例えば、リードヘッド１５Ｒを位置決めする。換言すると、位置決め制御部６１２は、リード処理時に、初期リードトラックの半径方向の中心部を通る目標リード経路（以下、初期リード経路と称する）を追従するようにヘッド１５、例えば、リードヘッド１５Ｒを制御する。

位置決め制御部６１２は、ライト処理時にヘッド１５、例えば、ライトヘッド１５Ｗ（又はリードヘッド１５Ｒ）の位置に関連する情報（以下、単に、位置情報と称する）を取得する。以下、ライト処理時のヘッド１５の位置情報をライト位置情報と称する。ライト位置情報は、ライト処理時の各円周位置におけるヘッド１５の半径位置に関連する情報、つまり、ライト処理時のヘッド１５の経路に関連する情報（以下、ライト経路情報と称する）、各円周位置における初期ライト位置と現在の（又は実際の）ライト位置（以下、実ライト位置と称する）との差分値（以下、オフセット値と称する場合もある）や、各円周位置における目標ライト位置と実ライト位置との差分値（以下、ライト誤差と称する場合もある）等を含む。オフセット値は、例えば、ヘッド１５の中心の位置と所定のトラックの中心の位置との相対変位である位置誤差（position error）に相当する。初期ライト経路と実ライト経路との差分値をオフセット値と称する場合もある。また、目標ライト経路と実ライト経路との差分値をライト誤差と称する場合もある。以下、目標リード位置と現在のリード位置（以下、実リード位置と称する）との差分値をリード誤差と称する場合もある。目標リード経路と実リード経路との差分値をリード誤差と称する場合もある。位置決め制御部６１２は、取得したライト位置情報を所定の記録領域、例えば、ディスク１０、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０や、不揮発性メモリ９０等に記録する。

位置決め制御部６１２は、位置情報に基づいて、位置決め制御を実行できる。以下、位置情報に基づいて生成した現在の目標位置及び現在の目標経路を追従するようにヘッド１５を制御することをＡＴＣ（Adaptive Track Center、又はAutomatic Track width Control）制御と称する場合もある。例えば、位置決め制御部６１２は、現在ライトするライトトラック（以下、現在のライトトラック又は現在のトラックと称する）の１つ前にライトしたライトトラック（以下、前のライトトラック又は前のトラックと称する）に対応するライト位置情報（以下、前のライト位置情報と称する）に基づいて、現在のライトトラックにおける目標ライト位置（以下、現在の目標ライト位置と称する）及び目標ライト経路（以下、現在の目標ライト経路と称する）を生成し、生成した現在の目標ライト位置及び現在の目標ライト経路に基づいてライトヘッド１５Ｗを制御する。以下、前のライト位置情報に基づいて生成した現在の目標ライト位置及び現在の目標ライト経路に基づいてヘッド１５、例えば、ライトヘッド１５Ｗを制御することをライトＡＴＣ制御と称する場合もある。また、位置決め制御部６１２は、例えば、現在リードするリードトラック（以下、現在のリードトラック又は現在のトラックと称する）の順方向で１つ先に位置する（隣接する）リードトラック（以下、次のリードトラックと称する）又はライトトラック（以下、次のライトトラックと称する）に対応するライト位置情報（以下、次のライト位置情報と称する）と現在のリードトラック（現在のライトトラック）に対応するライト位置情報（以下、現在のライト位置情報と称する）とに基づいて、現在のリードトラックにおける目標リード位置（以下、現在の目標リード位置と称する）及び目標リード経路（以下、現在の目標リード経路）を生成し、生成した現在の目標リード位置及び現在の目標リード経路に基づいてリードヘッド１５Ｒを制御する。以下、例えば、次のライト位置情報及び現在のライト位置情報に基づいて生成した現在の目標リード位置及び現在の目標リード経路に基づいてヘッド１５、例えば、リードヘッド１５Ｒを制御することをリードＡＴＣ制御と称する場合もある。以下、現在ライト又はリードするセクタを現在のセクタと称し、現在のセクタの進行方向に位置する、例えば、１つ先に位置するセクタを次のセクタと称する。

図３は、ライトＡＴＣ制御の一例を示す模式図である。図３に示した例では、バンド領域ＴＧｊは、ライトトラックＷＴｊ−１、ＷＴｊ、及びＷＴｊ＋１を含む。バンド領域ＴＧｊでは、ライトトラックＷＴｊ−１乃至ＷＴｊ＋１が順方向にこの順番で重ね書きされている。ライトトラックＷＴｊ−１は、トラックエッジＥｊ−１Ａを有している。図３に示した例では、トラックエッジＥｊ−１Ａは、ライトトラックＷＴｊ−１の外方向の端部である。図３には、ライトトラックＷＴｊ−１に対応する初期ライト経路ＷＴＴｊ−１を示している。ライトトラックＷＴｊは、トラックエッジＥｊを有している。図３に示した例では、トラックエッジＥｊＡは、ライトトラックＷＴｊの外方向の端部である。図３には、ライトトラックＷＴｊに対応する初期ライト経路ＷＴＴｊを示している。ライトトラックＷＴｊ＋１は、トラックエッジＥｊ＋１Ａを有している。図３に示した例では、トラックエッジＥｊ＋１Ａは、ライトトラックＷＴｊ＋１の外方向の端部である。図３には、ライトトラックＷＴｊ＋１に対応する初期ライト経路ＷＴＴｊ＋１を示している。

位置決め制御部６１２は、ライトトラックＷＴｊ−１をライトする際の目標ライト経路ＴＷＴｊ−１を追従するようにライトヘッド１５Ｗを位置決め制御する。目標ライト経路ＴＷＴｊ−１は、初期ライト経路ＷＴＴｊ−１に相当する。実際には、ライトトラックＷＴｊ−１をライトする場合、ライトヘッド１５Ｗは、ライト誤差を含む実際のライト経路（以下、実ライト経路と称する）ＳＷＴｊ−１上を走行する。位置決め制御部６１２は、実ライト経路ＳＷＴｊ−１に対応するライト処理時のヘッド１５、例えば、ライトヘッド１５Ｗのライト経路情報を取得し、取得したライト経路情報を所定の記録領域、例えば、ディスク１０、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０や、不揮発性メモリ９０等に記録する。

位置決め制御部６１２は、実ライト経路ＳＷＴｊ−１に対応するライト経路情報に基づいて、ライトトラックＷＴｊをライトする際の目標ライト経路ＴＷＴｊを生成し、目標ライト経路ＴＷＴｊを追従するようにライトヘッド１５Ｗを位置決め制御する。実際には、ライトトラックＷＴｊをライトする場合、ライトヘッド１５Ｗは、実ライト経路ＳＷＴｊ上を走行する。位置決め制御部６１２は、実ライト経路ＳＷＴｊに対応するライト経路情報を取得し、取得したライト経路情報を所定の記録領域、例えば、ディスク１０、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０や、不揮発性メモリ９０等に記録する。

位置決め制御部６１２は、実ライト経路ＳＷＴｊに対応するライト経路情報に基づいて、ライトトラックＷＴｊ＋１をライトする際の目標ライト経路ＴＷＴｊ＋１を生成し、目標ライト経路ＴＷＴｊ＋１を追従するようにライトヘッド１５Ｗを位置決め制御する。実際には、ライトトラックＷＴｊ＋１をライトする場合、ライトヘッド１５Ｗは、実ライト経路ＳＷＴｊ＋１上を走行する。位置決め制御部６１２は、実ライト経路ＳＷＴｊ＋１に対応するライト経路情報を取得し、取得したライト経路情報を所定の記録領域、例えば、ディスク１０、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０や、不揮発性メモリ９０等に記録する。

図４は、実施形態に係るライト処理時のヘッド１５の位置決め制御系ＳＹ１の一例を示すブロック図である。
磁気ディスク装置１は、ライト処理時のヘッド１５の位置決め制御系（以下、ライト制御系と称する）ＳＹ１を有している。ライト制御系ＳＹ１は、変換器Ｓ１と、制御器Ｓ２と、アクチュエータＳ３と、メモリＳ４と、保存領域Ｓ５と、調整器Ｓ６と、可変利得ゲインアンプリファ（Variable gain amplifier : VGA）Ｓ７と、遅延器Ｓ８と、演算部ＣＬ１、ＣＬ２、及びＣＬ３とを有している。以下、可変利得ゲインアンプリファ（Variable gain amplifier : VGA）Ｓ７を単に可変ゲインＳ７と称する。変換器Ｓ１、制御器Ｓ２、調整器Ｓ６、可変ゲインＳ７、遅延器Ｓ８、演算部ＣＬ１、演算部ＣＬ２、及び演算部ＣＬ３は、例えば、システムコントローラ１３０に含まれている。アクチュエータＳ３は、例えば、アクチュエータＡＣに含まれている。メモリＳ４は、例えば、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０、又は不揮発性メモリ９０に含まれている。保存領域Ｓ５は、例えば、ディスク１０、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０、又は不揮発性メモリ９０に含まれている。演算部ＣＬ２、制御器Ｓ２、及びアクチュエータＳ３は、フィードバックシステムＦＳを構成している。図４において、ディスク１０の所定のトラック（シリンダ）における所定のヘッド、例えば、ヘッド１５の半径方向の位置（Ｃ，Ｈ）、ディスク１０の所定のトラックのセクタ（Ｃ，Ｓ）、初期ライト位置Ｘ１ｗ、目標ライト位置Ｘｗ、ライト誤差ｅｗ、ライト駆動量Ｕｗ、ライト補正値Ｘ２ｗ、オフセット値Ｘ３ｗ、及びオフセット値Ｘ３ｗの全周波数帯域のパワースペクトラム、例えば、全周波数帯域のパワースペクトラムの累積二乗和（以下、単に、パワー累積和と称する）に対するオフセット値Ｘ３ｗの所定の周波数帯域のパワースペクトラム、例えば、所定の周波数帯域のパワー累積和の比率（以下、パワー比率と称する）γは、それぞれ、ライト制御系ＳＹ１内で信号(又は、情報)として処理される。オフセット値Ｘ３ｗは、位置誤差信号（position error signal : PES）に相当する。パワー比率γは、例えば、オフセット値（ＰＥＳ）Ｘ３ｗの全周波数帯域のパワー累積和に対する、ライトＡＴＣ制御により前のライト位置情報に基づいて生成した現在のライト位置及び現在の目標ライト経路を追従可能なオフセット値（ＰＥＳ）Ｘ３ｗの周波数帯域（以下、ＡＴＣ帯域と称する場合もある）のパワー累積和の比率である。パワー比率γをＰＥＳパワー比率γと称する場合もある。なお、パワー比率γは、オフセット値Ｘ３ｗの所定の周波数帯域のパワースペクトラムの累積二乗和に対するオフセット値Ｘ３ｗのこの所定の周波数帯域よりも狭い周波数帯域のパワースペクトラムの累積二乗和の比率であってもよい。

変換器Ｓ１は、上位装置、例えば、ホスト１００から指定されたディスク１０の論理的な位置（以下、論理位置と称する）に対応する物理的な位置（以下、物理位置と称する）をディスク１０の半径位置に変換する。論理位置は、例えば、論理ブロックアドレス（ＬＢＡ）であってもよいし、物理位置は、例えば、ディスク１０の物理位置を示すサーボ情報配列であってもよい。変換器Ｓ１は、例えば、ホスト１００から指定されたＬＢＡに対応するサーボ情報配列（Ｃ：トラック又はシリンダ，Ｈ：ヘッド，Ｓ：セクタ）から所定のヘッドＨ、例えば、ヘッド１５と、ヘッドＨを位置決めするディスク１０の同心円状の複数のトラックの内のトラックＣとの組み合わせ（Ｃ，Ｈ）（ヘッド１５の半径方向の位置）を初期ライト位置Ｘ１ｗに変換する。
制御器Ｓ２は、アクチュエータＳ３を制御する。制御器Ｓ２は、例えば、目標ライト位置Ｘｗ及び実ライト位置Ｙｗの差分値であるライト誤差ｅｗに基づいて、アクチュエータＳ３のライト処理時のヘッド１５の駆動量（以下、ライト駆動量と称する）Ｕｗを生成する。なお、制御器Ｓ２は、ライト誤差ｅｗ以外の値に基づいて、ライト駆動量Ｕｗを生成してもよい。
アクチュエータＳ３は、制御器Ｓ２の出力に応じて駆動する。アクチュエータＳ３は、例えば、ライト駆動量Ｕｗに基づいて駆動し、ヘッド１５を実ライト位置Ｙｗに移動する。
メモリＳ４は、テーブルＴＢを有している。テーブルＴＢは、ライト位置情報等を含む。

調整器Ｓ６は、可変ゲインＳ７を調整する。調整器Ｓ６は、例えば、初期ライト位置Ｘ１ｗ及び実ライト位置Ｙｗの差分値であるオフセット値Ｘ３ｗに基づいて可変ゲインＳ７を調整するパワー比率γを生成する。

可変ゲインＳ７は、最適な値に変更可能なゲインβに基づいてライト補正値Ｘ２ｗを生成する。ゲインβは、例えば、ＡＴＣ制御において前のトラックに対する現在のトラックの追従性を調整するための係数である。可変ゲインＳ７は、例えば、パワー比率γに応じて設定したゲインβと現在のライトトラックの現在のセクタ（Ｃ，Ｓ）に隣接する前のライトトラックのセクタ（Ｃ−１，Ｓ）の進行方向に位置する次のセクタ（Ｃ−１，Ｓ＋１）に対応するオフセット値Ｘ３ｗとに基づいて現在のセクタ（Ｃ，Ｓ）の進行方向に位置する次のセクタ（Ｃ，Ｓ＋１）に対応するライト補正値Ｘ２ｗ（Ｃ，Ｓ＋１）を生成する。
遅延器Ｓ８は、所定の周期分を遅延させる。遅延器Ｓ８は、例えば、ライト補正値Ｘ２ｗ（Ｃ，Ｓ＋１）を１サンプリング周期分遅延させる。

データをライトするディスク１０の論理位置、例えば、ＬＢＡが上位装置、例えば、ホスト１００により指定された場合、ライト制御系ＳＹ１は、ＬＢＡを物理位置（Ｃ，Ｈ，Ｓ）に予め変換し、ヘッド１５の半径方向の位置（Ｃ，Ｈ）を変換器Ｓ１に出力し、現在のセクタ（Ｃ，Ｓ）をメモリＳ４に出力する。変換器Ｓ１は、位置（Ｃ，Ｈ）が入力される。変換器Ｓ１は、位置（Ｃ，Ｈ）を初期ライト位置Ｘ１ｗに変換し、演算部ＣＬ１及びＣＬ３に出力する。演算部ＣＬ１は、初期ライト位置Ｘ１ｗ及びライト補正値Ｘ２ｗ（Ｃ，Ｓ）が入力される。演算部ＣＬ１は、初期ライト位置Ｘ１ｗにライト補正値Ｘ２ｗ（Ｃ，Ｓ）を加算した目標ライト位置Ｘｗを生成し、生成した目標ライト位置Ｘｗを演算部ＣＬ２に出力する。換言すると、演算部ＣＬ１は、生成した目標ライト位置ＸｗをフィードバックシステムＦＳに出力する。

演算部ＣＬ２は、目標ライト位置Ｘｗ及び実ライト位置Ｙｗの差分値であるライト誤差ｅｗを制御器Ｓ２に出力する。ライト誤差ｅｗは、フィードバックシステムＦＳの入力（目標ライト位置Ｘｗ）に対する出力（実ライト位置Ｙｗ）の追従精度に相当する。ライト誤差ｅｗをフィードバック残差ε（＝Ｙｗ−Ｘｗ＝ｅｗ）と称する場合もある。所定のトラックの円周方向におけるフィードバック残差εの分布は、フィードバックシステムＦＳの特性や、ライト制御系ＳＹ１に入力される外乱等により影響を受ける。制御器Ｓ２は、ライト誤差ｅｗが入力される。制御器Ｓ２は、ライト駆動量ＵｗをアクチュエータＳ３に出力する。アクチュエータＳ３は、ライト駆動量Ｕｗが入力される。アクチュエータＳ３は、ライト駆動量Ｕｗに応じて駆動し、ライト駆動量Ｕｗに対応する実ライト位置Ｙｗにヘッド１５、例えば、ライトヘッド１５Ｗを移動する。アクチュエータＳ３は、実ライト位置Ｙｗを演算部ＣＬ２及びＣＬ３に出力する。換言すると、フィードバックシステムＦＳは、実ライト位置Ｙｗを演算部ＣＬ２及びＣＬ３に出力する。フィードバックシステムＦＳは、実ライト位置Ｙｗを目標ライト位置Ｘｗに安定的に追従させる。

ライト制御系ＳＹ１は、ライト誤差ｅｗに基づいてアクチュエータＳ３を駆動してヘッド１５をディスク１０の目標とするトラック（Ｃ，Ｈ）に位置決めし、ディスク１０に記録されたサーボ情報をリードして実ライト位置Ｙｗを検出する。ライト制御系ＳＹ１は、セクタＳを検出し、目標とするセクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）にヘッド１５が位置決めされていることを確認する。目標とするセクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）に位置決めされていると判定した場合、ライト制御系ＳＹ１は、このセクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）にデータをライトする。ライト制御系ＳＹ１は、ホスト１００から指定されたディスク１０の所定の位置に対応するＬＢＡを受けて、このＬＢＡに対応するヘッドＨ、例えば、ヘッド１５をトラックＣに位置決めし、ディスク１０の回転に従ってヘッド１５により進行方向に沿ってセクタＳにデータを順次ライトする。このような処理を繰り返すことで、ライト制御系ＳＹ１は、シーケンシャルにデータをライトする。

演算部ＣＬ３は、実ライト位置Ｙｗ及び初期ライト位置Ｘ１ｗの差分値であるオフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ，Ｓ）をメモリＳ４及び調整器Ｓ６に出力する。メモリＳ４は、論理位置（Ｃ，Ｓ）及びオフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ，Ｓ）が入力される。メモリＳ４では、論理位置（Ｃ，Ｓ）と関連付けられたオフセット値Ｘ３ｗを含むライト位置情報がテーブルとして記録される。所定のバンド領域の全てのトラックにおけるライト位置情報が記録された場合、メモリＳ４は、所定のバンド領域の全てのトラックにおけるライト位置情報をこの所定のバンド領域に関連付けて保存領域Ｓ５にライトする。メモリＳ４は、位置（Ｃ，Ｓ）に対応するセクタ（Ｃ，Ｓ）の進行方向に位置する次のセクタ（Ｃ，Ｓ＋１）の順方向と反対方向に隣接するセクタ（Ｃ−１，Ｓ＋１）のオフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ−１，Ｓ＋１）を可変ゲインＳ７に出力する。調整器Ｓ６は、オフセット値Ｘ３ｗが入力される。調整器Ｓ６は、オフセット値Ｘ３ｗに基づいて生成したパワー比率γを可変ゲインＳ７に出力する。可変ゲインＳ７は、オフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ−１，Ｓ＋１）及びパワー比率γが入力される。可変ゲインＳ７は、オフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ−１，Ｓ＋１）にパワー比率γに応じて設定したゲインβを乗算したライト補正値Ｘ２ｗ（Ｃ，Ｓ＋１）を遅延器Ｓ８に出力する。遅延器Ｓ８は、ライト補正値Ｘ２ｗ（Ｃ，Ｓ＋１）が入力される。遅延器Ｓ８は、ライト補正値Ｘ２ｗを１サンプリング周期分遅延させたライト補正値Ｘ２ｗ（Ｃ，Ｓ）を演算部ＣＬ１に出力する。

ライトＡＴＣ制御を実行する場合、ライト制御系ＳＹ１は、半径方向で隣接する２つのトラックの間のトラック幅、例えば、リードトラック幅を一定にするために、前のライト位置情報に基づいてヘッド１５の位置を補正する。例えば、セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）にデータをライトする場合、ライト制御系ＳＹ１は、セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）の半径方向に隣接する前のライトトラックのセクタ（Ｃ−１，Ｈ，Ｓ）にデータライトした際の前のライト位置情報に基づいて、セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）におけるヘッド１５の位置を補正する。このようにヘッド１５の位置を補正することで、ライト制御系ＳＹ１は、セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）とセクタ（Ｃ−１，Ｈ，Ｓ）との間のトラック幅を一定に保つことができる。前のライトトラックにおけるライト位置情報を参照するために、ライト制御系ＳＹ１は、初期ライト位置Ｘ１ｗに対する実ライト位置Ｙｗの相対値であるオフセット値（ＰＥＳ）Ｘ３ｗをメモリＳ４にテーブルＴＢとして記録している。ライト制御系ＳＹ１は、テーブルＴＢに記録された前のライトトラックのオフセット値Ｘ３ｗを参照して、この前のライトトラックのオフセット値Ｘ３ｗにゲインβを乗算してライト補正値Ｘ２ｗを生成する。例えば、セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）にデータをライトする場合、ライト制御系ＳＹ１は、前のライトトラックのオフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ−１，Ｓ）をテーブルＴＢから参照して、前のライトトラックのオフセット値Ｘ３ｗにゲインβを乗算してライト補正値Ｘ２ｗを算出し、算出したライト補正値Ｘ２ｗに基づいて初期ライト位置Ｘ１ｗを補正する。このとき、ライト制御系ＳＹ１は、オフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ，Ｓ）をテーブルＴＢに記録してもよい。また、ライト制御系ＳＹ１は、次のセクタ（Ｓ＋１）におけるオフセット値Ｘ３ｗをテーブルＴＢに記録していてもよい。この場合、ライト制御系ＳＹ１は、オフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ−１，Ｓ＋１）を参照して、次のセクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ＋１）におけるライト補正値Ｘ２ｗを算出し、１サンプリング分を遅延させてセクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）のライト補正値Ｘ２ｗを算出する。

図５は、本実施形態に係る調整器Ｓ６の一例を示すブロック図である。
調整器Ｓ６は、累積和算出器Ｓ６１、Ｓ６３と、フィルタＳ６２と、ディバイダ（divider）Ｓ６４とを有している。
累積和算出器Ｓ６１、Ｓ６３は、所定の時間における累積二乗和（例えば、パワー累積和）を算出する。累積和算出器Ｓ６１は、例えば、オフセット値Ｘ３ｗ（ＰＥＳ）に基づいて所定の時間内における累積二乗和Ａを算出する。一例では、累積和算出器Ｓ６１は、所定のトラックにおける所定のセクタのオフセット値Ｘ３ｗ（の信号）が入力される度にパワー累積和を算出する。累積和算出器Ｓ６１は、オフセット値Ｘ３ｗが入力される度にカウント値をカウントする。例えば、累積和算出器Ｓ６１は、パワー累積和を算出する度にカウント値を１ずつインクリメントする。カウント値が閾値（以下、カウント閾値と称する）に達した場合、累積和算出器Ｓ６１は、算出したパワー累積和を出力する。カウント閾値は、例えば、ディスク１０の所定のトラックの１周分のサーボサンプル数である。なお、カウント閾値は、例えば、ディスク１０の所定のトラックの半周分、２周分、又は３周分のサーボサンプル数であってもよい。累積和算出器Ｓ６３は、例えば、フィルタＳ６２により特定の周波数成分を抑制されたオフセット値Ｘ３ｗ（ＰＥＳ）に基づいて所定の時間内における累積二乗和Ｂを算出する。一例では、累積和算出器Ｓ６３は、所定のセクタにおける特定の周波数成分を抑制したオフセット値Ｘ３ｗ（の信号）が入力される度にパワー累積和を算出する。累積和算出器Ｓ６３は、パワー累積和を算出する度にカウント値をカウントする。例えば、累積和算出器Ｓ６３は、パワー累積和を算出する度にカウント値を１ずつインクリメントする。カウント値がカウント閾値に達した場合、累積和算出器Ｓ６３は、算出したパワー累積和を出力する。

フィルタＳ６２は、入力された信号の特定の周波数成分を抑制する。フィルタＳ６２は、例えば、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）であり、所定の周波数以下の周波数の周波数成分、例えば、周波数の低い周波数成分(以下、低周波成分と称する)を通過させ、所定の周波数より大きい周波数の周波数成分、例えば、周波数の高い周波数成分（以下、高周波成分と称する）を抑制する。高周波成分は、例えば、低周波成分の周波数よりも高い周波数の周波数成分である。
ディバイダＳ６４は、パワー比率γを算出する。ディバイダＳ６４は、例えば、累積二乗和Ｂを累積二乗和Ａで除算してパワー比率γを算出する。

累積和算出器Ｓ６１は、オフセット値Ｘ３ｗが入力される。累積和算出器Ｓ６１は、オフセット値Ｘ３ｗに基づいて算出した累積二乗和ＡをディバイダＳ６４に出力する。フィルタＳ６２は、オフセット値Ｘ３ｗが入力される。フィルタＳ６２は、所定の周波数より大きい周波数の周波数成分を抑制したオフセット値Ｘ３ｗを累積和算出器Ｓ６３に出力する。累積和算出器Ｓ６３は、所定の周波数より大きい周波数の周波数成分を抑制したオフセット値Ｘ３ｗが入力される。累積和算出器Ｓ６３は、所定の周波数より大きい周波数の周波数成分を抑制したオフセット値Ｘ３ｗに基づいて算出した累積二乗和ＢをディバイダＳ６４に出力する。ディバイダＳ６４は、累積二乗和Ａ及び累積二乗和Ｂに基づいて算出したパワー比率γを出力する。

図６は、本実施形態に係るパワー比率γに対するゲインβの変化の一例を示す図である。図６において、縦軸は、ゲインβを示し、横軸は、パワー比率γを示している。図６には、閾値βｔｈ１、γｔｈ１、及びγｔｈ２を示している。以下、閾値βｔｈ１をゲイン閾値と称し、閾値γｔｈ１及びγｔｈ２をパワー比率閾値と称する場合もある。図６には、実線Ｌ６１、１点鎖線Ｌ６２、２点鎖線Ｌ６３、及び破線Ｌ６４を示している。実線Ｌ６１は、パワー比率γに比例するゲインβを示している。１点鎖線Ｌ６２は、パワー比率γに対して指数関数的に変化するゲインβを示している。２点鎖線Ｌ６３は、パワー比率閾値γｔｈ１未満のパワー比率γで０であり、且つパワー比率閾値γｔｈ１以上のパワー比率γに比例するゲインβを示している。破線Ｌ６４は、パワー比率閾値γｔｈ２未満のパワー比率γで指数関数的に増加し、且つパワー比率閾値γｔｈ２以上のパワー比率γでゲイン閾値βｔｈ１であるゲインβを示している。
磁気ディスク装置１は、例えば、実線Ｌ６１、１点鎖線Ｌ６２、２点鎖線Ｌ６３、又は破線Ｌ６４に示すように、パワー比率γに対してゲインβを連続的に変更する。なお、磁気ディスク装置１は、図６に示した例以外でパワー比率γに対してゲインβを連続的に変更してもよい。

図７は、ライトＡＴＣ制御の処理方法の一例を示す模式図である。図７に示した例では、バンド領域ＴＧ［０］は、ライトトラックＷＴ［０］、ＷＴ［１］、ＷＴ［２］…ＷＴ［ｎ］を含む。ここで、ｎは、例えば、０以上の整数である。図７に示した例では、ｎは、例えば、２よりも大きい整数である。図７に示した例では、説明の便宜上、ライトトラックＷＴ［０］乃至ＷＴ［ｎ］を別々に示しているが、実際にはライトトラックＷＴ［０］乃至ＷＴ［ｎ］は、順方向にこの順番で重ね書きされている。

図７には、ライトトラックＷＴ［０］の初期ライト経路Ｘ１ｗ［０］と、初期ライト経路Ｘ１ｗ［０］に対するライト補正値Ｘ２ｗ［０］と、ライトトラックＷＴ［０］におけるオフセット値Ｘ３ｗ［０］と、ライトトラックＷＴ［０］をライトする際の目標ライト経路Ｘｗ［０］と、ライトトラックＷＴ［０］をライトした際の実ライト経路Ｙｗ［０］とを示している。図７に示した例では、目標ライト経路Ｘｗ［０］は、初期ライト経路Ｘ１ｗ［０］に相当する。図７には、ライトトラックＷＴ［１］の初期ライト経路Ｘ１ｗ［１］と、初期ライト経路Ｘ１ｗ［１］に対するライト補正値Ｘ２ｗ［１］と、ライトトラックＷＴ［１］におけるオフセット値Ｘ３ｗ［１］と、ライトトラックＷＴ［１］をライトする際の目標ライト経路Ｘｗ［１］と、ライトトラックＷＴ［１］をライトした際の実ライト経路Ｙｗ［１］とを示している。図７には、ライトトラックＷＴ［２］の初期ライト経路Ｘ１ｗ［２］と、初期ライト経路Ｘ１ｗ［２］に対するライト補正値Ｘ２ｗ［２］と、ライトトラックＷＴ［２］におけるオフセット値Ｘ３ｗ［２］と、ライトトラックＷＴ［２］をライトする際の目標ライト経路Ｘｗ［２］と、ライトトラックＷＴ［２］をライトした際の実ライト経路Ｙｗ［２］とを示している。図７には、ライトトラックＷＴ［ｎ］の初期ライト経路Ｘ１ｗ［ｎ］と、初期ライト経路Ｘ１ｗ［ｎ］に対するライト補正値Ｘ２ｗ［ｎ］と、ライトトラックＷＴ［ｎ］におけるオフセット値Ｘ３ｗ［ｎ］と、ライトトラックＷＴ［ｎ］をライトする際の目標ライト経路Ｘｗ［ｎ］と、ライトトラックＷＴ［ｎ］をライトした際の実ライト経路Ｙｗ［ｎ］とを示している。

図７に示した例では、磁気ディスク装置１は、ライトトラックＷＴ［０］をライトする際の目標ライト経路Ｘｗ［０］を追従するようにライトヘッド１５Ｗを位置決め制御する。実際には、ライトトラックＷＴ［０］をライトする場合、ライトヘッド１５Ｗは、実ライト経路Ｙｗ［０］上を走行する。実ライト経路Ｙｗ［０］は、以下の式で表される。

Ｙｗ［０］＝Ｘ１ｗ[０]＋Ｘ３ｗ［０］＝Ｘ１ｗ[０]＋Ｘ２ｗ［０］＋ε［０］ （１）
ここで、ε［０］は、ライトトラックＷＴ［０］におけるフィードバック残差εである。また、Ｘ２ｗ［０］は、前のトラックがライトされていないため０である。従って、式（１）は、以下の式で表される。

Ｙｗ［０］＝Ｘ１ｗ［０］＋ε［０］ （２）
磁気ディスク装置１は、ライトトラックＷＴ［１］をライトする際の目標ライト経路Ｘｗ［１］を追従するようにライトヘッド１５Ｗを位置決め制御する。実際には、ライトトラックＷＴ［１］をライトする場合、ライトヘッド１５Ｗは、実ライト経路Ｙｗ［１］上を走行する。実ライト経路Ｙｗ［１］は、以下の式で表される。

Ｙｗ［１］＝Ｘ１ｗ［１］＋Ｘ３ｗ［１］
＝Ｘ１ｗ［１］＋Ｘ２ｗ［１］＋ε［１］
＝Ｘ１ｗ［１］＋βＸ３ｗ［０］＋ε［１］
＝Ｘ１ｗ［１］＋βε［０］＋ε［１］ （３）
ここで、ε［１］は、ライトトラックＷＴ［１］におけるフィードバック残差εである。

磁気ディスク装置１は、ライトトラックＷＴ［２］をライトする際に目標ライト経路Ｘｗ［２］を追従するようにライトヘッド１５Ｗを位置決め制御する。実際には、ライトトラックＷＴ［２］をライトする場合、ライトヘッド１５Ｗは、実ライト経路Ｙｗ［２］上を走行する。実ライト経路Ｙｗ［２］は、以下の式で表される。

Ｙｗ［２］＝Ｘ１ｗ［２］＋Ｘ３ｗ［２］
＝Ｘ１ｗ［２］＋Ｘ２ｗ［２］＋ε［２］
＝Ｘ１ｗ［２］＋βＸ３ｗ［１］＋ε［２］
＝Ｘ１ｗ［２］＋β（Ｘ２ｗ［１］＋ε［１］）＋ε［２］
＝Ｘ１ｗ［２］＋β｛（βＸ２ｗ［０］＋ε［０］）＋ε［１］｝＋ε［２］
＝Ｘ１ｗ［２］＋β＾２×ε［０］＋βε［１］＋ε［２］ （４）
ここで、ε［２］は、ライトトラックＷＴ［２］におけるフィードバック残差εである。

磁気ディスク装置１は、ライトトラックＷＴ［ｎ］をライトする際に目標ライト経路Ｘｗ［ｎ］を追従するようにライトヘッド１５Ｗを位置決め制御する。実際には、ライトトラックＷＴ［ｎ］をライトする場合、ライトヘッド１５Ｗは、実ライト経路Ｙｗ［ｎ］上を走行する。実ライト経路Ｙｗ［ｎ］は、以下の式で表される。
Ｙｗ［ｎ］＝Ｘ１［ｎ］＋β＾ｎ×ε［０］＋β＾（ｎ−１）×ε［１］＋…＋β＾０×ε［ｎ］ （５）
ここで、ε［ｎ］は、ライトトラックＷＴ［ｎ］におけるフィードバック残差εである。

ライトトラックＷＴ［ｎ］の前のライトトラックＷＴ［ｎ―１］にライトトラックＷＴ［ｎ］が重ね書きされた場合のリードトラックＷＴ［ｎ−１］のリードトラック幅ＲＷ［ｎ−１］は、式（５）を用いて以下の式で表される。
ＲＷ［ｎ−１］＝Ｙｗ［ｎ−１］−Ｙｗ［ｎ］
＝｛Ｘ１ｗ［ｎ−１］＋β＾（ｎ−１）×ε［０］＋β＾（ｎ−２）×ε［１］＋…＋β＾０×ε［ｎ−１］｝−｛Ｘ１ｗ［ｎ］＋β＾ｎ×ε［０］＋β＾（ｎ−１）×ε［１］＋…＋β＾１×ε［ｎ−１］＋β＾０×ε［ｎ］｝
＝Ｘ１ｗ［ｎ−１］−Ｘ１ｗ［ｎ］＋（β−１）｛β＾（ｎ−１）×ε［０］＋β＾（ｎ−２）×ε［１］＋…＋ε［ｎ−１］｝＋ε［ｎ］ （６）
ここで、Ｘ１ｗ［ｎ−１］−Ｘ１ｗ［ｎ］は、初期ライト経路Ｘ１ｗ［ｎ−１］にライトヘッド１５Ｗを追従させてライトしたライトトラックＷＴ［ｎ−１］の半径方向の中心位置と初期ライト経路Ｘ１ｗ［ｎ］にライトヘッド１５Ｗを追従させてライトしたライトトラックＷＴ［ｎ］の半径方向の中心位置との距離（以下、初期トラックピッチと称する）ＴＰである。

そのため、リードトラック幅ＲＷ［ｎ−１］は、以下の式で表される。
ＲＷ［ｎ−１］＝ＴＰ＋（１−β）｛β＾（ｎ−１）×ε［０］＋β＾（ｎ−２）×ε［１］＋…＋ε［ｎ−１］｝＋ε［ｎ］ （７）
ここで、所定のバンド領域の全てのトラックにおいてフィードバック残差εの分散がσ＾２であるとする。

この場合、リードトラック幅ＲＷ［ｎ−１］の期待値Ｅ（ＲＷ）及びリードトラック幅ＲＷの分散Ｖ（ＲＷ）は、以下の式で表される。
Ｅ（ＲＷ）＝ＴＰ （８）
Ｖ（ＲＷ）＝２／（１＋β）×σ＾２ （９）
分散Ｖ（ＲＷ）は、式（９）により、ゲインβ＝０、すなわち、ＡＴＣにより前のライト位置情報に基づいて生成した現在のライト位置及び現在の目標ライト経路を追従しない場合、２σ＾２となり、半径方向で隣接する２つのライトトラックのそれぞれの位置決め精度（分散σ＾２）の２倍となる。分散Ｖ（ＲＷ）は、ゲインβが増加するに従って減少する。分散Ｖ（ＲＷ）は、ゲインβ＝１である場合に最小値σ＾２になる。そのため、ゲインβが大きいほど、リードトラックＲＴ［ｎ−１］のリードトラック幅ＲＷ［ｎ−１］が円周方向において一定になり得る。
つまり、ゲインβが大きいほど、ＡＴＣによる効果が高くなり得る。ＡＴＣによるリードトラック幅ＲＷ［ｎ−１］の圧縮率Ｃは、以下の式で表される。
Ｃ＝１／（１＋β） （１０）

図７に示した例では、ライトトラックＷＴ［０］において、オフセット値Ｘ３ｗ［０］は、ε［０］である。そのため、オフセット値Ｘ３ｗ［０］の分散は、フィードバック残差ε［０］の分散σ＾２となる。
ライトトラックＷＴ［１］において、ライト補正値Ｘ２ｗ［１］は、βＸ３ｗ［０］である。そのため、ライト補正値Ｘ２ｗ［１］の分散は、β＾２×σ＾２である。また、ライトトラックＷＴ［１］において、オフセット値Ｘ３ｗ［１］は、Ｘ３ｗ［１］＝Ｙｗ［１］−Ｘ１ｗ［１］＝Ｘ２ｗ［１］＋ε［１］である。ライト補正値Ｘ２ｗ［１］の分散β＾２×σ＾２とフィードバック残差ε［１］の分散σ＾２とが無相関であると仮定した場合、オフセット値Ｘ３ｗ［１］の分散は、（１＋β＾２）×σ＾２となる。

ライトトラックＷＴ［２］において、ライト補正値Ｘ２ｗ［２］は、βＸ３ｗ［１］である。そのため、ライト補正値Ｘ２ｗ［２］の分散は、β＾２（１×β＾２）σ＾２である。また、ライトトラックＷＴ［２］において、オフセット値Ｘ３ｗ［２］は、Ｘ３ｗ［２］＝Ｙｗ［２］−Ｘ１ｗ［２］＝Ｘ２ｗ［２］＋ε［２］である。ライト補正値Ｘ２ｗ［２］の分散β＾２（１＋β＾２）σ＾２とフィードバック残差ε［１］の分散σ＾２とが無相関であると仮定した場合、オフセット値Ｘ３ｗ［１］の分散は、（１＋β＾２＋β＾４）×σ＾２となる。
ライトトラックＷＴ［ｎ］において、ライト補正値Ｘ２ｗ［ｎ］の分散は、β＾２（１×β＾２＋β＾４＋…＋β＾２ｎ）σ＾２である。ｎ→∞である場合、ライト補正値Ｘ２ｗ［ｎ］の分散Ｖ（Ｘ２ｗ）は、β＾２／（１−β＾２）×σ＾２となる。また、ライトトラック［ｎ］において、オフセット値Ｘ３ｗ［ｎ］の分散は、（１＋β＾２＋β＾４＋…＋β＾２ｎ＋β＾２（ｎ＋１））となる。ｎ→∞である場合、オフセット値Ｘ３ｗ［ｎ］の分散Ｖ（Ｘ３ｗ）は、１／（１−β＾２）×σ＾２となる。

分散Ｖ（Ｘ３ｗ）は、ゲインβ＝０、すなわち、ＡＴＣにより前のライト位置情報に基づいて生成した現在のライト位置及び現在の目標ライト経路を追従しない場合、σ＾２である。分散Ｖ（Ｘ３ｗ）は、ゲインβが増加するに従ってオフセット値（ＰＥＳ）Ｘ３ｗが大きくなることを示している。オフセット値Ｘ３ｗは、分散Ｖ（Ｘ３ｗ）より、ゲインβ＝１の場合に発散する。
そのため、ゲインβ＜１でなければならない。ＡＴＣによるオフセット値（ＰＥＳ）Ｘ３ｗの増幅率Ｋは、以下の式で表される。
Ｋ＝１／√（１―β＾２） （１１）

図８は、フィードバックシステムＦＳの伝達特性における入出力信号のゲイン及び位相を示すボード線図（bode diagram）である。図８において、上段にはフィードバックシステムＦＳの伝達特性における入出力信号のゲイン線図を示し、下段にはフィードバックシステムＦＳの伝達特性における入出力信号の位相線図を示している。ゲイン線図において、縦軸は、フィードバックシステムＦＳの伝達特性における入出力信号のゲイン［ｄＢ］を示し、横軸は、フィードバックシステムＦＳにおける入出力の周波数［Ｈｚ］を示している。ゲイン線図において、線Ｌ８１は、周波数に対するゲインの変化を示している。位相線図において、縦軸は、位相［ｄｅｇ．］を示し、横軸は、周波数［Ｈｚ］を示している。位相線図において、線Ｌ８２は、周波数に対する位相の変化を示している。

図８に示した例では、約２０００［Ｈｚ］までゲインは１倍であり、位相の遅れがない。図８から、フィードバックシステムＦＳでは、目標ライト経路Ｘｗをライトヘッド１５Ｗで追従可能な周波数帯域（以下、追従帯域と称する場合もある）は、約２０００[Ｈｚ]までである。この場合、ＡＴＣ帯域も、約２０００［Ｈｚ］までである。一方で、２０００［Ｈｚ］以上の周波数帯域では、位相の遅れが発生している。約４５００[Ｈｚ]のゲインから、出力信号が入力信号に対して増幅されることがわかる。図８に示したフィードバックシステムＦＳの伝達特性によりオフセット値（ＰＥＳ）Ｘ３ｗがテーブルＴＢに記録された場合、前のライト位置情報に含まれる周波数成分の内の２０００［Ｈｚ］以上の周波数成分では、前のライト位置情報に基づいて現在のライト位置及び現在の目標ライト経路を正確に追従できない可能性がある。また、前のライト位置情報に４５００[Ｈｚ]の周波数成分が含まれている場合、ライト補正値Ｘ２ｗは、現在のライトトラックから次のライトトラックに移動する度に増大し、発散する可能性がある。ライトＡＴＣ制御では、ライト補正値Ｘ２ｗの発散を防止するために、位相やゲインを補償するためのフィルタが設置され得る。しかし、位相やゲインを補償するためのフィルタを設置した場合であっても、ライトＡＴＣ制御により前のライト位置情報に基づいて生成した現在のライト位置及び現在の目標ライト経路を追従可能な周波数帯域は、フィードバックシステムＦＳにより目標ライト経路Ｘｗをライトヘッド１５Ｗで追従可能な周波数帯域に従う。そのため、ライトＡＴＣ制御であっても、オフセット値Ｘ３ｗの全周波数帯域におけるリードトラック幅の変動を抑制できない。なお、目標ライト経路Ｘｗをライトヘッド１５Ｗで追従可能な周波数帯域は、約２０００［Ｈｚ］までとしたが２０００［Ｈｚ］以外の値であってもよい。また、前述したフィルタＳ６２の例として挙げたローパスフィルタを通過する低周波成分は、例えば、２０００[Ｈｚ]の周波数成分を含んでいる。

図９は、フィードバック残差εのパワースペクトラム及びパワー累積和の一例を示す図である。図９において、上段にはフィードバック残差εのパワースペクトラムの図を示し、下段にはフィードバック残差εのパワースペクトラムの累積和であるパワー累積和の図を示している。パワースペクトラムの図において、縦軸は、フィードバック残差εのパワースペクトラム［ｄＢμｍ］を示し、横軸は、フィードバック残差εの周波数［Ｈｚ］を示している。パワースペクトラムの図において、実線Ｌ９１は、ライト制御系ＳＹ１が外乱の影響を受けた場合のフィードバック残差εにおける周波数に対するパワースペクトラムの変化を示し、破線Ｌ９２は、ライト制御系ＳＹ１が外乱の影響を受けていない場合のフィードバック残差εにおける周波数に対するパワースペクトラムの変化を示している。パワー累積和の図において、縦軸は、フィードバック残差εのパワー累積和［ｎｍ＾２］を示し、横軸は、フィードバック残差εの周波数［Ｈｚ］を示している。パワー累積和の図において、実線Ｌ９３は、実線Ｌ９１のパワースペクトラムの累積和に相当し、破線Ｌ９４は、破線Ｌ９２のパワースペクトラムの累積和に相当する。パワー累積和の図には、実線Ｌ９３上の点Ｐ１１と、実線Ｌ９３上の点Ｐ１２と、破線Ｌ９４の点Ｐ２１と、破線Ｌ９４上の点Ｐ２２とを示している。点Ｐ１１は、周波数が２０００［Ｈｚ］におけるパワー累積和（約２３ｎｍ＾２）を示し、点Ｐ１２は、周波数が３００００［Ｈｚ］におけるパワー累積和（約３８ｎｍ＾２）を示し、点Ｐ２１は、周波数が２０００［Ｈｚ］におけるパワー累積和（約６ｎｍ＾２）を示し、点Ｐ２２は、周波数が３００００［Ｈｚ］におけるパワー累積和（約２１ｎｍ＾２）を示している。図９において、ＡＴＣ帯域は、追従帯域と同等であり、例えば、２０００［Ｈｚ］未満であるものとする。

図９に示した例では、ＡＴＣ帯域が２０００［Ｈｚ］未満であるため、周波数が２０００［Ｈｚ］未満のパワースペクトラムを抑制することでパワー累積和が抑制され、リードトラック幅ＲＷが圧縮され得る。一方、ＡＴＣ帯域が２０００［Ｈｚ］未満であるため、周波数が２０００［Ｈｚ］以上のパワースペクトラムを抑制することが出来ない、すなわち、リードトラック幅ＲＷが圧縮されない可能性がある。図９に示した例では、実線Ｌ９３で示すようにパワー累積和が変化する場合、パワー比率γは、例えば、γ＝２０００[Ｈｚ]未満のパワー累積和の総和（約２３ｎｍ＾２）／全周波数帯域のパワー累積和の総和（約３８ｎｍ＾２）＝０．６である。また、破線Ｌ９４で示すようにパワー累積和が変化する場合、パワー比率γは、例えば、γ＝２０００[Ｈｚ]未満のパワー累積和の総和（約６ｎｍ＾２）／全周波数帯域のパワー累積和の総和（約２１ｎｍ＾２）＝０．３である。

以下で、ライトＡＴＣ制御を実行した場合のオフセット値Ｘ３ｗの増幅率とライトＡＴＣ制御を実行した場合のリードトラック幅ＲＷの変動ΔＷＲの圧縮率とを導出する。
はじめに、ライトＡＴＣ制御を実行した場合のオフセット値Ｘ３ｗの増幅率を導出する。ライトＡＴＣ制御を実行しない場合のオフセット値Ｘ３ｗの分散Ｖ（ε）とした場合、ＡＴＣ帯域内のオフセット値Ｘ３ｗの分散Ｖ１（ε）とＡＴＣ帯域外のオフセット値Ｘ３ｗの分散Ｖ２（ε）とは、パワー比率γを用いて、それぞれ、以下の式で表される。
Ｖ１（ε）＝γＶ（ε） （１２）
Ｖ２（ε）＝（１−γ）×Ｖ（ε） （１３）

ライトＡＴＣ制御を実行した場合の全周波数帯域のオフセット値Ｘ３ｗの分散Ｖ３（ε）は、ＰＥＳ増幅率Ｋを用いて、以下の式で表される。
Ｖ３（ε）＝Ｋ＾２×Ｖ１（ε）＋Ｖ２（ε）
＝（１＋（Ｋ＾２−１）×γ）×Ｖ（ε）
＝（１＋γ×β＾２／（１−β＾２））×Ｖ（ε） （１４）

したがって、ライトＡＴＣ制御を実行した場合のオフセット値Ｘ３ｗの増幅率は、以下の式で表される。
√｛Ｖ３（ε）／Ｖ（ε）｝＝√（１＋γ×β＾２／（１−β＾２）） （１５）
次に、ライトＡＴＣ制御を実行した場合のリードトラック幅ＲＷの変動ΔＷＲの圧縮率を導出する。ライトＡＴＣ制御を実行しない場合のリードトラック幅ＲＷの変動ΔＷＲの分散Ｖ０（ΔＷＲ）は、オフセット値Ｘ３ｗの分散Ｖ（ε）を用いて以下の式で表される。
Ｖ０（ΔＷＲ）＝２Ｖ（ε） （１６）

ライトＡＴＣ制御を実行しない場合のＡＴＣ帯域内のリードトラック幅ＲＷの変動ΔＷＲの分散Ｖ４（ΔＷＲ）とライトＡＴＣ制御を実行しない場合のＡＴＣ帯域外のリードトラック幅ＲＷの変動ΔＷＲの分散Ｖ５（ΔＷＲ）とは、それぞれ、以下の式で表される。
Ｖ４（ΔＷＲ）＝２×γ×Ｖ（ε） （１７）
Ｖ５（ΔＷＲ）＝２×（１−γ）×Ｖ（ε） （１８）

ライトＡＴＣ制御を実行した場合のＡＴＣ帯域のリードトラック幅ＲＷの変動ΔＷＲの分散Ｖ６（ΔＷＲ）は、リードトラック幅ΔＷＲ圧縮率Ｃを用いて、以下の式で表される。
Ｖ６（ΔＷＲ）＝Ｃ×Ｖ４（ΔＷＲ）
＝２／（１＋β）×γ×Ｖ（ε） （１９）

ライトＡＴＣ制御を実行した場合の全集数帯域のリードトラック幅ＲＷの変動ΔＷＲの分散Ｖ７（ΔＷＲ）は、以下の式で表される。
Ｖ７（ΔＷＲ）＝Ｖ６（ΔＷＲ）＋Ｖ５（ΔＷＲ）
＝２×[γ／（１＋β）＋１−γ]×Ｖ（ε） （２０）

したがって、ライトＡＴＣ制御を実行した場合のリードトラック幅ＲＷの変動ΔＷＲの圧縮率は、以下の式で表される。
√｛Ｖ７（ΔＷＲ）／Ｖ０（ΔＷＲ）｝
＝√［γ／（１＋β）＋１−γ］ （２１）

図１０は、ゲインβに対するライトＡＴＣ制御を実行した場合のオフセット値Ｘ３ｗの増幅率の変化の一例を示す図である。図１０において、縦軸は、ライトＡＴＣ制御を実行した場合のオフセット値Ｘ３ｗの増幅率√｛Ｖ３（ε）／Ｖ（ε）｝を示し、横軸は、ゲインβを示している。図１０には、線Ｌ１０１、Ｌ１０２、Ｌ１０３、Ｌ１０４、及びＬ１０５を示している。線Ｌ１０１は、パワー比率γ＝０である場合のゲインβに対する増幅率√｛Ｖ３（ε）／Ｖ（ε）｝を示している。線Ｌ１０２は、パワー比率γ＝０．３である場合のゲインβに対する増幅率√｛Ｖ３（ε）／Ｖ（ε）｝を示している。線Ｌ１０３は、パワー比率γ＝０．６である場合のゲインβに対する増幅率√｛Ｖ３（ε）／Ｖ（ε）｝を示している。線Ｌ１０４は、パワー比率γ＝０．８である場合のゲインβに対する増幅率√｛Ｖ３（ε）／Ｖ（ε）｝を示している。線Ｌ１０５は、パワー比率γ＝１である場合のゲインβに対する増幅率√｛Ｖ３（ε）／Ｖ（ε）｝を示している。
図１０に示した例では、増幅率√｛Ｖ３（ε）／Ｖ（ε）｝は、ゲインβが大きくなるに従って大きくなり、ゲインβ＝１に付近で発散する。また、パワー比率γが大きい場合、ゲインβに対する増幅率√｛Ｖ３（ε）／Ｖ（ε）｝の増加率は、大きくなり得る。

図１１は、ゲインβに対するライトＡＴＣ制御を実行した場合のリードトラック幅ＲＷの変動ΔＷＲの圧縮率の変化の一例を示す図である。図１１において、縦軸は、ライトＡＴＣ制御を実行した場合のリードトラック幅ＲＷの変動ΔＷＲの圧縮率√｛Ｖ７（ΔＷＲ）／Ｖ０（ΔＷＲ）｝を示し、横軸は、ゲインβを示している。図１１には、線Ｌ１１１、Ｌ１１２、Ｌ１１３、Ｌ１１４、及びＬ１１５を示している。線Ｌ１１１は、パワー比率γ＝０である場合のゲインβに対する圧縮率√｛Ｖ７（ΔＷＲ）／Ｖ０（ΔＷＲ）｝を示している。線Ｌ１１２は、パワー比率γ＝０．３である場合のゲインβに対する圧縮率√｛Ｖ７（ΔＷＲ）／Ｖ０（ΔＷＲ）｝を示している。線Ｌ１１３は、パワー比率γ＝０．６である場合のゲインβに対する圧縮率√｛Ｖ７（ΔＷＲ）／Ｖ０（ΔＷＲ）｝を示している。線Ｌ１１４は、パワー比率γ＝０．８である場合のゲインβに対する圧縮率√｛Ｖ７（ΔＷＲ）／Ｖ０（ΔＷＲ）｝を示している。線Ｌ１１５は、パワー比率γ＝１である場合のゲインβに対する圧縮率√｛Ｖ７（ΔＷＲ）／Ｖ０（ΔＷＲ）｝を示している。

図１１に示した例では、圧縮率√｛Ｖ７（ΔＷＲ）／Ｖ０（ΔＷＲ）｝は、ゲインβが大きくなるに従って小さくなる。換言すると、圧縮率√｛Ｖ７（ΔＷＲ）／Ｖ０（ΔＷＲ）｝は、ゲインβが大きくなるに従って圧縮される。また、パワー比率γが大きい場合、ゲインβに対する圧縮率√｛Ｖ７（ΔＷＲ）／Ｖ０（ΔＷＲ）｝の減少率は、大きくなり得る。
図９の実線Ｌ９１に示したようにパワースペクトラムと図９の実線Ｌ９３に示したようにパワー累積和とで示されるような外乱がライト制御系ＳＹ１に入力された場合、パワー比率γは、例えば、０．６である。パワー比率γ＝０．６である場合、圧縮率√｛Ｖ７（ΔＷＲ）／Ｖ０（ΔＷＲ）｝は、例えば、図１１から約８４％まで小さくすることができる。例えば、パワー比率γ＝０．６で圧縮率√｛Ｖ７（ΔＷＲ）／Ｖ０（ΔＷＲ）｝を９０％以下にし、且つ増幅率√｛Ｖ３（ε）／Ｖ（ε）｝を１０％未満にする場合、ゲインβは、図１０及び図１１から０．４５以上０．５０以下の範囲である。この場合、圧縮率√｛Ｖ７（ΔＷＲ）／Ｖ０（ΔＷＲ）｝は、約８９％まで小さくできる。例えば、パワー比率γ＝０．８で増幅率√｛Ｖ３（ε）／Ｖ（ε）｝を１０％未満にする場合、ゲインβは、図１０から０．５０以下の範囲である。ゲインβが０．５０以下である場合、圧縮率√｛Ｖ７（ΔＷＲ）／Ｖ０（ΔＷＲ）｝は、約８７％まで小さくできる。

図９の破線Ｌ９２に示したようにパワースペクトラムと図９の破線Ｌ９４に示したようにパワー累積和とで示されるような外乱がライト制御系ＳＹ１に入力された場合、パワー比率γは、例えば、０．３である。パワー比率γ＝０．３である場合、圧縮率√｛Ｖ７（ΔＷＲ）／Ｖ０（ΔＷＲ）｝は、例えば、図１１から約９２％まで小さくすることができる。例えば、パワー比率γ＝０．８で増幅率√｛Ｖ３（ε）／Ｖ（ε）｝を１０％未満にする場合、ゲインβは、図１０から０．６５以下の範囲である。ゲインβが０．６５以下である場合、圧縮率√｛Ｖ７（ΔＷＲ）／Ｖ０（ΔＷＲ）｝は、約９４％まで小さくできる。このように、ライト制御系ＳＹ１に入力される外乱によりパワー比率γが変化するため、ライトＡＴＣ制御を実行するための最適なゲインβは、変化し得る。

ライト制御系ＳＹ１、例えば、調整器Ｓ６は、オフセット値Ｘ３ｗ、パワー比率γ、図１０に示したゲインβに対する増幅率√｛Ｖ３（ε）／Ｖ（ε）｝の変化や、図１１に示したゲインβに対する圧縮率√｛Ｖ７（ΔＷＲ）／Ｖ０（ΔＷＲ）｝の変化に基づいて、ゲインβを変更する。そのため、ライト制御系ＳＹ１（磁気ディスク装置１）は、オフセット値Ｘ３ｗの増大によるライト性能の低下を抑制し、リードトラック幅ＲＷの変動ΔＲＷを最適化することができる。なお、図１０に示したゲインβに対する増幅率√｛Ｖ３（ε）／Ｖ（ε）｝の変化や、図１１に示したゲインβに対する圧縮率√｛Ｖ７（ΔＷＲ）／Ｖ０（ΔＷＲ）｝の変化は、所定の記録領域、例えば、ディスク１０、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０や、不揮発性メモリ９０等に記録されていてもよい。

図１２は、実施形態に係るライト処理方法の一例を示すフローチャートである。
システムコントローラ１３０は、１サンプリング周期ごとにオフセット値Ｘ３ｗを算出する（Ｂ１２０１）。例えば、システムコントローラ１３０は、初期ライト位置Ｘ１ｗ及び実ライト位置Ｙｗに基づいてオフセット値Ｘ３ｗを算出する。システムコントローラ１３０は、パワー累積和を算出する（Ｂ１２０２）。例えば、システムコントローラ１３０は、全周波数帯域のパワースペクトラムの累積二乗和を算出する。システムコントローラ１３０は、パワー累積和を算出した場合にカウント値をインクリメントする（Ｂ１２０３）。システムコントローラ１３０は、カウント値がカウント閾値以下であるかカウント閾値より大きいかを判定する（Ｂ１２０４）。カウント値がカウント閾値以下であると判定した場合（Ｂ１２０４のＮＯ）、システムコントローラ１３０は、Ｂ１２０１の処理へ進む。カウント閾値がカウント閾値よりも大きいと判定した場合（Ｂ１２０４のＹＥＳ）、システムコントローラ１３０は、Ｂ１２０９の処理に進む。

システムコントローラ１３０は、所定の周波数成分をカットオフする（Ｂ１２０５）。例えば、システムコントローラ１３０は、ＡＴＣ帯域の周波数成分を通過させ、ＡＴＣ帯域よりも大きい周波数帯域の周波数成分を抑制する。システムコントローラ１３０は、パワー累積和を算出する（Ｂ１２０６）。例えば、システムコントローラ１３０は、ＡＴＣ帯域のパワースペクトラムの累積二乗和を算出する。システムコントローラ１３０は、パワー累積和を算出した場合にカウント値をインクリメントする（Ｂ１２０７）。システムコントローラ１３０は、カウント値がカウント閾値以下であるかカウント閾値より大きいかを判定する（Ｂ１２０８）。カウント値がカウント閾値以下であると判定した場合（Ｂ１２０８のＮＯ）、システムコントローラ１３０は、Ｂ１２０１の処理へ進む。カウント閾値がカウント閾値よりも大きいと判定した場合（Ｂ１２０８のＹＥＳ）、システムコントローラ１３０は、パワー比率γを算出する（Ｂ１２０９）。例えば、システムコントローラ１３０は、ＡＴＣ帯域のパワースペクトラムの累積二乗和に対する全周波数帯域のパワースペクトラムの累積二乗和の比としてパワー比率を算出する。システムコントローラ１３０は、パワー比率γに応じてゲインβを設定する（Ｂ１２１０）。システムコントローラ１３０は、カウント値をリセットする（Ｂ１２１１）。システムコントローラ１３０は、ゲインβ及びオフセット値Ｘ３ｗに基づいて算出したライト補正値Ｘ２ｗに基づいて目標ライト位置Ｘｗの算出およびライト処理を実行し（Ｂ１２１１）、処理を終了する。

本実施形態によれば、磁気ディスク装置１は、初期ライト位置Ｘ１ｗ及び実ライト位置Ｙｗに基づいて算出したオフセット値Ｘ３ｗに基づいてパワー比率γを算出する。磁気ディスク装置１は、パワー比率γに応じて最適なゲインβを設定する。磁気ディスク装置１は、オフセット値Ｘ３ｗ及びゲインβに基づいて算出したライト補正値Ｘ２ｗと初期ライト位置Ｘ１ｗとに基づいて目標ライト位置Ｘｗを算出する。磁気ディスク装置１は、目標ライト位置Ｘｗ及び実ライト位置Ｙｗに基づいてライト誤差ｅｗを算出する。磁気ディスク装置１は、ライト誤差に基づいて算出したライト駆動量Ｕｗに応じてアクチュエータＡＣを駆動し、ライトヘッド１５Ｗを実ライト位置Ｙｗに移動する。パワー比率γに応じて最適なゲインβを設定できるため、磁気ディスク装置１は、ヘッド１５（ライトヘッド１５Ｗ）を最適な半径方向の位置に位置決めすることができる。また、リードトラック幅の変動ΔＲＷを抑制することができる。そのため、磁気ディスク装置１は、ライト処理性能を向上することができる。また、リード性能を向上することが出来る。

次に、他の実施形態及び変形例に係る磁気ディスク装置について説明する。他の実施形態及び変形例において、前述の実施形態と同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
（変形例１）
変形例１の磁気ディスク装置１は、ライト制御系ＳＹ１の構成が前述した実施形態と異なる。
図１３は、変形例１に係るライト処理時のヘッド１５の位置決め制御系ＳＹ１の一例を示すブロック図である。

ライト制御系ＳＹ１は、補償器Ｓ９、遅延器Ｓ１０、及び演算部ＣＬ４をさらに有している。
補償器Ｓ９は、駆動量Ｕｗの補正値(以下、駆動補正値と称する)を生成する。例えば、補償器Ｓ９は、ライト補正位置Ｘ２ｗ（Ｃ，Ｓ＋１）に基づいて駆動補正値Ｕ１ｗ（Ｃ，Ｓ＋１）を生成する。
遅延器Ｓ１０は、所定の周期分を遅延させる。遅延器Ｓ８は、例えば、現在のセクタ（Ｃ、Ｓ）の進行方向に位置する次のセクタ（Ｃ、Ｓ＋１）のライト目標位置にヘッド１５Ｗを位置決めさせるための駆動補正値Ｕ１ｗ（Ｃ，Ｓ＋１）を１サンプリング周期分遅延させる。

制御器Ｓ２は、ライト駆動量Ｕｗを演算部ＣＬ４に出力する。演算部ＣＬ４は、ライト駆動量Ｕｗ及び駆動補正値Ｕ１ｗが入力される。演算部ＣＬ４は、駆動量Ｕｗに駆動補正値Ｕ１ｗ（Ｃ，Ｓ）を加算したライト駆動量（以下、実ライト駆動量と称する）Ｕ２ｗをアクチュエータＳ３に出力する。アクチュエータＳ３は、実ライト駆動量Ｕ２ｗが入力される。アクチュエータＳ３は、実ライト駆動量Ｕ２ｗに応じて駆動し、実ライト駆動量Ｕ２ｗに対応する実ライト位置Ｙｗにヘッド１５、例えば、ライトヘッド１５Ｗを移動する。

可変ゲインＳ７は、オフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ−１，Ｓ＋１）にパワー比率γに応じて設定したゲインβを乗算したライト補正値Ｘ２ｗ（Ｃ，Ｓ＋１）を遅延器Ｓ８及び補償器Ｓ９に出力する。補償器Ｓ９は、パワー比率γに応じて設定したゲインβを乗算したライト補正値Ｘ２ｗ（Ｃ，Ｓ＋１）が入力される。補償器Ｓ９は、駆動補正値Ｕ１ｗ（Ｃ，Ｓ＋１）を遅延器Ｓ１０に出力する。遅延器Ｓ１０は、パワー比率γに応じて設定したゲインβを乗算した駆動補正値Ｕ１ｗ（Ｃ，Ｓ＋１）を１サンプリング周期分遅延させた駆動補正値Ｕ１ｗ（Ｃ，Ｓ）を演算部ＣＬ４に出力する。
変形例１によれば、磁気ディスク装置１は、駆動補正値Ｕ１ｗに基づいて駆動量Ｕｗを補正する。これにより、図８に示すようなフィードバックシステムの伝達特性においてゲインの発散や位相遅れを改善することができる、すなわち、ＡＴＣ帯域を向上させることが出来るので、パワー比率γの大きい状態で動作させることが出来、ＡＴＣ追従ゲインβを向上させることができる。そのため、磁気ディスク装置１は、ライト処理性能を向上することができる。

（変形例２）
変形例１の磁気ディスク装置１は、調整器Ｓ６の構成が前述した実施形態と異なる。
図１４は、変形例１に係る調整器Ｓ６の一例を示すブロック図である。
調整器Ｓ６は、増幅器Ｓ６５と、比較器（コンパレータ）Ｓ６６とをさらに有している。
増幅器Ｓ６５は、所定の値を乗じる。増幅器Ｓ６５は、例えば、累積和算出器Ｓ６１から出力された累積二乗和Ａに所定の値を乗じた値を出力する。
比較器Ｓ６６は、入力信号に応じて出力信号を選択する。例えば、比較器Ｓ６６は、増幅器Ｓ６５からの出力と累積和算出器Ｓ６３とを比較して比較結果に応じたパワー比率γを出力する。一例では、比較器Ｓ６６は、全周波数帯域のパワー累積和に対する低周波帯域のパワー累積和の比率が所定の割合、例えば、７割以上である場合、パワー比率γをそのまま出力する。また、比較器Ｓ６６は、全周波数帯域のパワー累積和に対する低周波帯域のパワー累積和の比率が所定の割合、例えば、７割より小さい場合、パワー比率γ＝０として出力する。なお、比較器Ｓ６６は、全周波数帯域のパワー累積和に対する低周波帯域のパワー累積和の比率に応じて幾つかのパワー比率を出力可能に構成されていてもよい。

累積和算出器Ｓ６１は、増幅器Ｓ６５に累積二乗和Ａを出力する。増幅器Ｓ６５は、累積二乗和Ａが入力される。増幅器Ｓ６５は、累積二乗和Ａに所定の値を乗じた値を比較器Ｓ６６に出力する。累積和算出器Ｓ６３は、累積二乗和Ｂを比較器Ｓ６６に出力する。比較器Ｓ６６は、累積二乗和に所定の値を乗じた値と累積二乗和Ｂとが入力される。比較器Ｓ６６は、累積二乗和に所定の値を乗じた値と累積二乗和Ｂとに基づいてパワー比率γを出力する。

図１５は、変形例２に係るパワー比率γに対するゲインβの変化の一例を示す図である。図１５において、縦軸は、ゲインβを示し、横軸は、パワー比率γを示している。図１５には、閾値βｔｈ２、βｔｈ３、βｔｈ４、γｔｈ３、γｔｈ４、及びγｔｈ５を示している。以下、閾値βｔｈ２、βｔｈ３、及びβｔｈ４をゲイン閾値と称し、閾値γｔｈ３、γｔｈ４、及びγｔｈ５をパワー比率閾値と称する場合もある。図６には、実線Ｌ１５１及び破線Ｌ１５２を示している。実線Ｌ１５１は、パワー比率閾値γｔｈ３未満のパワー比率γで０であり、パワー比率閾値γｔｈ３以上のパワー比率γでゲイン閾値（ゲイン）βｔｈ２であるゲインβを示している。破線Ｌ１５２は、パワー比率閾値γｔｈ３未満のパワー比率γで０であり、パワー比率閾値γｔｈ３以上かつパワー比率閾値γｔｈ４未満のパワー比率γでゲイン閾値（ゲイン）βｔｈ３であり、パワー比率閾値γｔｈ４以上かつパワー比率閾値γｔｈ５未満のパワー比率γでゲイン閾値（ゲイン）βｔｈ４であり、パワー比率閾値γｔｈ５以上のパワー比率γでゲイン閾値（ゲイン）βｔｈ５であるゲインβを示している。

磁気ディスク装置１は、例えば、実線Ｌ１５１、又は破線Ｌ１５２に示すように、パワー比率γに対してゲインβを不連続的に変更する。なお、磁気ディスク装置１は、図１５に示した例以外でパワー比率γに対してゲインβを不連続的に変更してもよい。

変形例２によれば、磁気ディスク装置１は、パワー比率γに対してゲインβを不連続に変化させることができる。そのため、磁気ディスク装置１は、ライト処理能力を向上することができる。
なお、前述した実施形態及び変形例の磁気ディスク装置１は、瓦記録ではない通常の記録方式であっても適用することができる。例えば、前述した実施形態及び変形例の磁気ディスク装置１は、通常の記録方式でシーケンシャルにディスク１０にトラック(データ)をライトする際に適用され得る。

また、これまでの説明では、パワー比率γを、所望の周波数帯域における累積二乗和演算で求めていたが、別の実施の形態として、整流回路などを用いて、パワーを直流信号に変換した後に、その信号レベルの比率から求めても良い。

また、パワー比率γは、全周波数帯域における位置誤差信号強度に対する、ＡＴＣ帯域における位置誤差信号強度の比率で求めていたが、ＡＴＣ帯域を含む広周波数帯域における位置誤差信号強度に対する、ＡＴＣ帯域における位置誤差信号強度の比率で求めても構わない。

いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…磁気ディスク装置、１０…磁気ディスク、１０ａ…瓦記録領域、１０ｂ…メディアキャッシュ、１２…スピンドルモータ（ＳＰＭ）、１３…アーム、１４…ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、１５…ヘッド、１５Ｗ…ライトヘッド、１５Ｒ…リードヘッド、２０…ドライバＩＣ、３０…ヘッドアンプＩＣ、４０…リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル、５０…ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）、６０…マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、７０…揮発性メモリ、８０…バッファメモリ、９０…不揮発性メモリ、１００…ホストシステム（ホスト）、１３０…システムコントローラ。

Claims (12)

1. ディスクと、
   前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、
   前記ヘッドの第１位置情報に基づいて算出した第１値に応じて変更されるゲインと前記ディスクに第１トラックをライトした際の前記ヘッドの第２位置情報とに基づいて算出した前記ヘッドの第３位置情報に応じて、前記第１トラックの半径方向に隣接する第２トラックをライトするコントローラと、を備える磁気ディスク装置。
2. 前記コントローラは、前記第１位置情報の第１周波数帯域のパワースペクトラムの第１累積二乗和に対する前記第１位置情報の第１周波数帯域に含まれる第２周波数帯域のパワースペクトラムの第２累積二乗和との比率として前記第１値を算出する、請求項１に記載の磁気ディスク装置。
3. 前記コントローラは、前記第１値に対して前記ゲインを連続的に変更する、請求項２に記載の磁気ディスク装置。
4. 前記コントローラは、前記第１値に比例して前記ゲインを変更する、請求項３に記載の磁気ディスク装置。
5. 前記コントローラは、前記第１値に対して前記ゲインを不連続に変更する、請求項２に記載の磁気ディスク装置。
6. 前記コントローラは、前記第１値が第１閾値未満である場合に前記ゲインを０にし、前記第１値が第１閾値以上である場合に前記ゲインを第２値にする、請求項５に記載の磁気ディスク装置。
7. 前記コントローラは、前記第２周波数帯域における前記第１位置情報に基づいて生成した前記第２トラックをライトする際の前記ヘッドの経路を前記ヘッドにより追従できる、請求項２乃至６のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
8. 前記第１周波数帯域は、前記第１位置情報の全周波数帯域である、請求項２乃至７のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
9. 前記コントローラは、前記第１位置情報に対応する増幅率と前記第１値とに基づいて前記ゲインを変更する、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
10. 前記コントローラは、前記第１トラックと前記第２トラックとの半径方向の幅の変動の圧縮率と前記第１値とに基づいて、前記ゲインを変更する、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
11. 前記コントローラは、前記第１トラックに前記第２トラックをシーケンシャルに重ね書きをする、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
12. ディスクと、前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、を備える磁気ディスクに適用されるライト処理方法であって、
    前記ヘッドの第１位置情報のパワースペクトラムに基づいて算出した第１値に応じて変更されるゲインと前記ディスクに第１トラックをライトした際の前記ヘッドの第２位置情報とに基づいて算出した前記ヘッドの第３位置情報に応じて、前記第１トラックの半径方向に隣接する第２トラックをライトする、ライト処理方法。

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