JP2023127528A - 磁気ディスク装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 ライト性能を向上させることのできる磁気ディスク装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、前記磁気ディスクのトラックにデータをライトする磁気ヘッドと、磁気ヘッドの位置決めを行い前記データがライトされたセクタのアドレスと前記アドレスでの前記ヘッドの位置決め誤差とを登録するコントローラと、を備え、前記コントローラは、前記データをライトする第１セクタの２トラック先の第２セクタの位置決め誤差が登録されているか否かを判断し、前記第２セクタの位置決め誤差が登録されている場合に、前記第２セクタの位置決め誤差を基に前記第１セクタの位置決め誤差についてライト動作を許容する第１閾値を設定し、前記第１セクタの位置決め誤差が前記第１閾値を超過しているか否かを判断し、前記第１セクタの位置決め誤差が前記第１閾値を超過している場合に前記ライト動作を停止する。
【選択図】 図１

Description

本発明の実施形態は、磁気ディスク装置に関する。

磁気ディスク装置は、磁気ディスク（以下、ディスクとも称する）、ディスクにデータをライトする磁気再生ヘッド（以下、ヘッドとも称する）、システムコントローラ（以下、コントローラとも称する）等を備えている。
コントローラは、ディスク上に概同心円状に形成された複数のトラックに対するヘッドの位置決め制御（以下、単に「位置決め」とも称する）を行う。ヘッドは、トラックに対してディスクの半径方向へオフトラックして位置決めされる場合がある。オフトラック量が大きいと隣接するトラックに記録されているデータを消去する危険性が高まるため、コントローラは、オフトラック量に一定の静的な閾値を設け、オフトラック量が上記の閾値を超過した場合にライト動作を停止する。データ消去の危険性を定量化するため、リードエラーレートが許容されるトラック幅狭窄量を定義し、これをＴＰＩマージンと称する。

米国特許第８５８７８８９号明細書

磁気ディスク装置の大容量化により隣接するトラック間隔であるトラックピッチが縮小する。このため、ＴＰＩマージンも連動して縮小し、オフトラック量が閾値を超過しやすくなり、ライトエラーが頻発し、リトライ動作によるオーバーヘッドのためライト性能が低下する問題が発生する。
本実施形態は、オフトラック量の閾値超過によるライトエラー、リトライ動作等を抑止し、ライト性能を向上させることのできる磁気ディスク装置を提供する。

一実施形態に係る磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、前記磁気ディスクの所定のトラックピッチを有するトラックに位置決めされて、前記磁気ディスクのトラックにデータをライトし、前記ディスクのトラックからデータをリードする磁気ヘッドと、磁気ヘッドの位置決めを行い、前記トラックの前記データがライトされたセクタのアドレスと前記アドレスでの前記ヘッドの前記トラックに対する位置決め誤差とを登録するコントローラと、を備え、前記コントローラは、前記データをライトする第１セクタの半径方向の２トラック先の第２セクタの位置決め誤差が登録されているか否かを判断し、前記第２セクタの位置決め誤差が登録されている場合に、前記第２セクタの位置決め誤差を基に前記第１セクタの位置決め誤差についてライト動作を許容する第１閾値を設定し、前記第１セクタの位置決め誤差が前記第１閾値を超過しているか否かを判断し、前記第１セクタの位置決め誤差が前記第１閾値を超過している場合に前記ライト動作を停止する。

図１は、一実施形態に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。 図２は、磁気ディスク装置の基本的なライト処理の一例を示す図である。 図３は、上記実施形態に係る磁気ディスク装置のライト処理の一例を示す図である。 図４は、上記実施形態に係る磁気ディスク装置のライト処理の一例を示す図である。 図５は、上記実施形態に係る磁気ディスク装置のライト処理の一例を示す図である。 図６は、上記実施形態に係る磁気ディスク装置のライト処理の一例を示す図である。 図７は、上記実施形態に係る磁気ディスク装置のライト処理の一例を示す図である。 図８は、上記実施形態に係る磁気ディスク装置の制御構成の一例を示すブロック図である。 図９は、上記実施形態に係る緊縮処理回路の示すブロック図である。 図１０は、上記実施形態に係る磁気ディスク装置の制御構成の一例を示すブロック図である。 図１１は、上記実施形態に係る磁気ディスク装置のライト処理を示すフローチャートである。 図１２は、図１１に続く、上記実施形態に係る磁気ディスク装置のライト処理を示すフローチャートである。 図１３は、図１２に続く、上記実施形態に係る磁気ディスク装置のライト処理を示すフローチャートである。 図１４は、図１２に続く、上記実施形態に係る磁気ディスク装置のライト処理を示すフローチャートである。 図１５は、図１３又は図１４に続く、上記実施形態に係る磁気ディスク装置のライト処理を示すフローチャートである。 図１６は、上記実施形態に係る磁気ディスク装置のオフトラックライトテーブルの一例を示す図である。 図１７は、図１３又は図１４に続く、上記実施形態に係る磁気ディスク装置のライト処理を示すフローチャートである。 図１８は、上記実施形態に係る磁気ディスク装置の効果を示すグラフである。 図１９は、他の実施形態に係る磁気ディスク装置の緊縮処理回路を示すブロック図である。 図２０は、他の実施形態に係る磁気ディスク装置のライト処理を示すフローチャートである。 図２１は、他の実施形態に係る磁気ディスク装置の変形例における緊縮処理回路を示すブロック図である。 図２２は、他の実施形態に係る磁気ディスク装置の変形例におけるライト処理を示すフローチャートである。

以下に、実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図面は一例であって、発明の範囲を限定するものではない。
図１は、実施形態に係る磁気ディスク装置１の構成を示すブロック図である。
磁気ディスク装置１は、後述するヘッドディスクアセンブリ（ＨＤＡ）と、ドライバＩＣ２０と、ヘッドアンプ集積回路（以下、ヘッドアンプＩＣ、又はプリアンプと称する場合もある）３０と、揮発性メモリ７０と、不揮発性メモリ８０と、バッファメモリ（バッファ）９０と、１チップの集積回路であるシステムコントローラ１３０とを備えている。また、磁気ディスク装置１は、ホストシステム（ホスト）１００と接続されている。

ＨＤＡは、磁気ディスク（以下、ディスクと称する）１０と、スピンドルモータ（ＳＰＭ）１２と、磁気ヘッド１５を搭載しているアーム１３と、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１４とを有している。ディスク１０は、スピンドルモータ１２に取り付けられ、スピンドルモータ１２の駆動により回転する。アーム１３及びボイスコイルモータ１４は、アクチュエータを構成している。アクチュエータは、ボイスコイルモータ１４の駆動により、アーム１３に搭載されている磁気ヘッド１５をディスク１０の所定の位置まで移動制御する。ディスク１０及び磁気ヘッド１５は、２つ以上設けられてもよい。
以下、磁気ディスク装置１の各部及び外部機器、例えば、ディスク１０にライトするデータをライトデータと称する場合もあるし、磁気ディスク装置１の各部及び外部機器、例えば、ディスク１０からリードされたデータをリードデータと称する場合もある。ライトデータを単にデータと称する場合もあるし、リードデータを単にデータと称する場合もあるし、ライトデータ及びリードデータをまとめてデータと称する場合もある。

ディスク１０は、データをライト可能な領域として、ユーザから利用可能なユーザデータ領域１０ａと、ホスト１００等から転送されたデータ（又はコマンド）をユーザデータ領域１０ａの所定の領域にライトする前に一時的に保持するメディアキャッシュ領域１０ｂと、システム管理に必要な情報を記録するシステムエリア１０ｃとが割り当てられている。以下、ディスク１０の半径方向に直交する方向を円周方向と称する。なお、メディアキャッシュ領域１０ｂは必ずしも割り当てられなくても良く、システムエリア１０ｃは不揮発性メモリ８０などに割り当てても良い。

磁気ヘッド（以下、ヘッドとも称する）１５は、スライダを本体として、当該スライダに実装されているライトヘッド１５Ｗとリードヘッド１５Ｒとを備えている。ライトヘッド１５Ｗは、ディスク１０のトラックにデータをライトする。リードヘッド１５Ｒは、ディスク１０のトラックに記録されているデータをリードする。なお、ライトヘッド１５Ｗを単にヘッド１５と称する場合もあるし、リードヘッド１５Ｒを単にヘッド１５と称する場合もあるし、ライトヘッド１５Ｗ及びリードヘッド１５Ｒをまとめてヘッド１５と称する場合もある。「トラック」は、ディスク１０を半径方向に区分した複数の領域のうちの１つの領域、ディスク１０の円周方向に区分した複数の領域の内の１つの領域、ディスク１０の所定の位置にライトされたデータ、セクタにライトされたデータや、その他の種々の意味で用いる。また、トラックの半径方向の幅をトラック幅と称し、トラック幅の中心位置をトラックセンタと称する。

ドライバＩＣ２０は、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するＭＰＵ６０）の制御に従ってスピンドルモータ１２及びＶＣＭ１４の駆動を制御する。
ヘッドアンプＩＣ（プリアンプ）３０は、リードアンプ及びライトドライバを備えている。リードアンプは、リードヘッド１５Ｒによってディスク１０からリードされたリード信号を増幅して、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するリード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル４０）に出力する。ライトドライバは、Ｒ／Ｗチャネル４０から出力される信号に応じたライト電流をライトヘッド１５Ｗに出力する。

揮発性メモリ７０は、電力供給が断たれると保存しているデータが失われる半導体メモリである。揮発性メモリ７０は、磁気ディスク装置１の各部での処理に必要なデータ等を格納する。揮発性メモリ７０は、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、
又はＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）である。
不揮発性メモリ８０は、電力供給が断たれても保存しているデータを記録する半導体メモリである。不揮発性メモリ８０は、例えば、ＮＯＲ型又はＮＡＮＤ型のフラッシュＲＯＭ（Flash Read Only Memory：ＦＲＯＭ）である。
バッファメモリ９０は、磁気ディスク装置１とホスト１００との間で送受信されるデータ等を一時的に記録する半導体メモリである。なお、バッファメモリ９０は、揮発性メモリ７０と一体に構成されていてもよい。バッファメモリ９０は、例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、ＳＤＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric Rando
m Access memory）、又はＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）等である。

システムコントローラ（コントローラ）１３０は、例えば、複数の素子が単一チップに集積されたSystem-on-a-Chip(ＳｏＣ)と称される大規模集積回路（ＬＳＩ）を用いて実現
される。システムコントローラ１３０は、リード／ライト（Ｒ/Ｗ）チャネル４０と、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）５０と、マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）６０とを含む。システムコントローラ１３０は、ドライバＩＣ２０、ヘッドアンプＩＣ３０、揮発性メモリ７０、不揮発性メモリ８０、バッファメモリ９０、及びホストシステム１００に電気的に接続されている。

Ｒ／Ｗチャネル４０は、後述するＭＰＵ６０からの指示に応じて、ディスク１０からホスト１００に転送されるリードデータ及びホストシステム１００から転送されるライトデータの信号処理を実行する。Ｒ／Ｗチャネル４０は、リードデータの信号品質を測定する回路、又は機能を有している。Ｒ／Ｗチャネル４０は、例えば、ヘッドアンプＩＣ、ＨＤＣ５０、及びＭＰＵ６０等に電気的に接続されている。

ＨＤＣ５０は、後述するＭＰＵ６０からの指示に応じて、ホストシステム１００とＲ／Ｗチャネル４０との間のデータ転送を制御する。ＨＤＣ５０は、例えば、Ｒ／Ｗチャネル４０、ＭＰＵ６０、揮発性メモリ７０、不揮発性メモリ８０、及びバッファメモリ９０等に電気的に接続されている。

ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部を制御するメインコントローラである。ＭＰＵ６０は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５の位置決めを行うサーボ制御を実行する。また、ＭＰＵ６０は、ドライバＩＣ２０を介してＳＰＭ１２を制御し、ディスク１０を回転させる。ＭＰＵ６０は、ディスク１０へのデータのライト動作を制御すると共に、ライトデータの保存先を選択する。また、ＭＰＵ６０は、ディスク１０からのデータのリード動作を制御すると共に、リードデータの処理を制御する。ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部に接続されている。ＭＰＵ６０は、例えば、ドライバＩＣ２０、Ｒ／Ｗチャネル４０、及びＨＤＣ５０等に電気的に接続されている。

ＭＰＵ６０は、ライト処理を制御するライト制御部６１０、及びリード処理を制御するリード制御部６２０等を含む。ＭＰＵ６０は、これら各部、例えば、ライト制御部６１０、及びリード制御部６２０等の処理をファームウェア上で実行する。なお、ＭＰＵ６０は、これら各部、例えば、ライト制御部６１０、及びリード制御部６２０を回路として備えていてもよい。

ライト制御部６１０は、ホスト１００等からコマンドに従って、データのライト処理を制御する。ライト制御部６１０は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５をディスク１０上の所定の位置に配置して、データをライトする。以下、「ヘッド１５（ライトヘッド１５Ｗ若しくはリードヘッド１５Ｒ）の中心部を所定の位置に位置決めする」又は「ヘッド１５（ライトヘッド１５Ｗ若しくはリードヘッド１５Ｒ）の中心部を所定の位置に配置する」ことを単に「ヘッド１５（ライトヘッド１５Ｗ若しくはリードヘッド１５Ｒ）を所定の位置に位置決めする」又は「ヘッド１５（ライトヘッド１５Ｗ若しくはリードヘッド１５Ｒ）を所定の位置に配置する」と称する場合もある。また、「ヘッド１５（ライトヘッド１５Ｗ若しくはリードヘッド１５Ｒ）を所定の位置に位置決めする」又は「ヘッド１５（ライトヘッド１５Ｗ若しくはリードヘッド１５Ｒ）を所定の位置に配置する」ことを単に「位置決めする」又は「配置する」と称する場合もある。

ライト制御部６１０は、ライト処理時の目標とする位置（以下、目標位置又は目標ライト位置と称する場合もある）にヘッド１５（ライトヘッド１５Ｗ）を配置してデータをライトする。ライト制御部６１０は、目標ライト位置にヘッド１５を配置してランダムライトする。言い換えると、ライト制御部６１０は、所定の円周位置でライト処理時の目標とする半径位置（以下、目標半径位置、又は目標ライト半径位置と称する場合もある）にヘッド１５を配置してデータをランダムライトする。例えば、ライト制御部６１０は、所定の円周位置で目標ライト半径位置に配置するようにヘッド１５を制御して所定のセクタをランダムライトする。

ライト制御部６１０は、目標ライト位置に配置するようにヘッド１５を制御して所定の位置（以下、実位置又は実ライト位置と称する場合もある）にデータをランダムライトし得る。実ライト位置は、目標ライト位置であってもよいし、目標ライト位置からずれた位置であってもよい。

以下、「ライトヘッド１５Ｗの中心部が所定の目標ライト位置から半径方向にずれること」を「ライトヘッド１５Ｗが所定のトラックからオフトラックする」と記載することもある。
また、ライト制御部６１０は、図８の説明で後述するライト処理回路Ｃ１を有している。なお、ライト処理回路Ｃ１は、ライト制御部６１０の外部に設けられていてもよい。

リード制御部６２０は、ホスト１００等からのコマンドに従って、データのリード処理を制御する。リード制御部６２０は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ディスク１０上の所定の位置にヘッド１５を配置して、データをリードする。リード制御部６２０は、データをランダムリードしてもよいし、シーケンシャルリードしてもよい。

リード制御部６２０は、目標リード位置にヘッド１５（リードヘッド１５Ｒ）を配置してデータをリードする。リード制御部６２０は、目標リード位置にヘッド１５を配置してリードする。言い換えると、リード制御部６２０は、所定の円周位置で目標リード半径位置に配置するようにヘッド１５を制御してデータをリードする。例えば、リード制御部６２０は、所定の円周位置で目標リード半径位置に配置するようにヘッド１５を制御して所定のセクタをリードする。なお、リード制御部６２０は、目標リード経路に沿ってヘッド１５を制御して所定のトラックをリードしてもよい。

ここで、実施形態の基本構想について説明する。
磁気ディスク装置１のヘッド（磁気記録再生ヘッド）１５は、磁気ディスク１０の周方向に形成されたトラック上に留まるように、ＶＣＭ１４などを含むアクチュエータによって半径方向における位置を制御される。上記制御は、位置決め制御とも称する。ヘッドを含めたアクチュエータ及び磁気ディスク１０を搭載した磁気ディスク装置１に外部から振動や衝撃などが加わると、ヘッド１５は目標位置とずれた実位置にライトすることがある。上記ずれの発生を防止するために、磁気ディスク装置１では、フィードバックループによってヘッド１５を位置決め制御している。以下、目標位置と実位置とのずれは、位置決め誤差とも称する。

位置決め制御による位置決め誤差が大きいと、隣接するトラックに記録されているデータを消去する危険性が高まるため、位置決め誤差に閾値（ＷＯＳ：Write Offtrack Slice）を設け、これを超過した場合にライト動作を停止し、隣接するトラックに記録されているデータの消去を防止する機能を有している。上記閾値は、以下、ライトオフトラック閾値とも称する。

以下、図面を参照してライト処理について説明する。
図２は、磁気ディスク装置１の基本的なライト処理の一例を示す図である。図２において、上段は、半径方向に沿って外周方向からトラックＴｒ０、トラックＴｒ１、トラックＴｒ２の順に並ぶ３本の連続するトラックにおいて、トラックＴｒ１、トラックＴｒ０、トラックＴｒ２の順にデータがライトされた際の一例を示している。下段は、トラックＴｒ１に記載されていたデータのデータ領域Ｄ１のトラック幅ＴＷが、リード限界トラック幅ＴＷ０となった場合の一例を示している。図２乃至図７において、保護対象のトラック幅ＴＷがリード限界トラック幅ＴＷ０となるようなデータのデータ領域を破線で記載する。

図２の上段に示すように、トラックＴｒ０、トラックＴｒ１、及びトラックＴｒ２にライトされたデータの各データ領域は、ライト幅ＷＷを有している。トラックＴｒ０に記載されたデータは、トラックＴｒ１に向かってずれて（以下、すれることを「オフセット」とも称する）ライトされている。詳細には、トラックＴｒ０にライトされたデータのデータ領域Ｄ０は、トラックＴｒ０のトラックセンタＴＣ０から内周方向に向かって誤差（以下、位置決め誤差、オフセット量、又はオフトラック量とも称する）ＰＥＩだけオフセットして位置している。
トラックＴｒ２に記載されたデータは、トラックＴｒ１に向かってオフセットしてライトされている。詳細には、トラックＴｒ２に記載されたデータのデータ領域Ｄ２は、トラックＴｒ２のトラックセンタＴＣ２から外周方向に向かって誤差（以下、位置決め誤差、オフセット量又はオフトラック量とも称する）ＰＥＯだけオフセットして位置している。

上記のように各トラックにデータがライトされると、トラックＴｒ１に記載されたデータにおけるデータ領域Ｄ１は、トラック幅ＴＷを有する。トラック幅ＴＷを、ライト幅ＷＷ、トラックピッチＴＰ、誤差ＰＥＩ、及び誤差ＰＥＯを用いて表すと下記の式（１）として表すことができる。なお、ＴＷはトラック幅、ＷＷはライト幅、ＴＰはトラックピッチ、ＰＥＩ及びＰＥＯは誤差を表している。
ＴＷ＝２ＴＰ－ＷＷ－（ＰＥＯ＋ＰＥＩ）・・・（１）
データ領域のトラック幅がリード限界トラック幅未満になるとデータがリードできなくなる。具体的には、トラック幅ＴＷが、下段に記載のリード限界トラック幅ＴＷ０未満になると、データ領域Ｄ１に記載のデータをリードできなくなる。これらを防止するために、データをライトする際において、トラックＴｒ１に隣接されている各トラック（トラックＴｒ０及びトラックＴｒ２）からオフセットできる量の合計には制限が設けられている。式（１）より誤差ＰＥＯと誤差ＰＥＩとの合計は下記の式で表すことができる。
ＰＥＯ＋ＰＥＩ＝２ＴＰ－ＷＷ－ＴＷ
ここで、トラックピッチＴＰを狭窄させてトラックＴｒ１のトラック幅が減少しリード限界に達した状態を考えると、トラックピッチＴＰの２倍からライト幅及びリード限界トラック幅ＴＷ０を減算した値をＴＰＩ（Track Per Inch）マージン（トラックピッチ狭窄（Track Squeeze）マージンとも称する）ＴＭと定義することができ、誤差ＰＥＯと誤差ＰＥＩとの合計が満たすべき条件は下記の式（２）で表すことができる。なお、ＴＷ０はリード限界トラック幅、ＴＭはＴＰＩマージンを表している。
ＰＥＯ＋ＰＥＩ≦２ＴＰ－ＷＷ－ＴＷ０＝ＴＭ・・・（２）
誤差ＰＥＩと誤差ＰＥＯとの合計が式（２）を満たすための十分条件として、従来は個々のオフトラック量ＰＥＩ，ＰＥＯに制限を設けていた。具体的には、オフトラック量ＰＥＯがＴＰＩマージンＴＭの半分以下であることと、オフトラック量ＰＥＩがＴＰＩマージンＴＭの半分以下であることである。つまりＴＰＩマージンＴＭの半分を、オフトラック量ＰＥＩ及びオフトラック量ＰＥＯの閾値としていた。

ところで、磁気ディスク装置１の大容量化のためトラックピッチＴＰを縮小すると、式（１）に示したようにＴＰＩマージンＴＭも連動して縮小するため、オフトラック量ＰＥＯ，ＰＥＩが閾値を超過しやすくなり、ライトエラーが頻発し、リトライ動作によるオーバーヘッドのためのライト性能が低下する問題が発生する。

ＳＭＲ（瓦磁気記録方式）の磁気ディスク装置１ではこの問題に対応するため、シーケンシャルライト時の位置決め誤差を記録しておき、隣接トラックライト時にこれを参照して動的にライトオフトラック閾値を設定することでライト性能の低下を防止する技術が開示されている。しかしながら、この先行技術はＳＭＲがシーケンシャルライト動作を行うことを前提としており、１トラック前の位置決め誤差を少ないメモリ容量で保存しておけることを利用しているので、ランダムライト動作に対してこの技術をそのまま適用することはできない。

そこで、本発明の実施形態においては、かかる問題を解決するものであり、ランダムライトに対しても動的にライトオフトラック閾値を設定することで、ライト性能の低下を抑制できる磁気ディスクを得られるものである。さらに、リード品質を保証しつつ高いトラック密度の磁気ディスクを得ることも可能である。

以下、本実施形態に係るライト処理について図面を参照して説明する。
図３は、上記実施形態に係る磁気ディスク装置１のライト処理の一例を示す図である。図３は、トラックＴｒ１、トラックＴｒ２、トラックＴｒ０の順にデータがライトされる場合を示している。図３に示すように、データ領域Ｄ２は、オフトラック量ＰＥＯだけオフセットして位置している。データ領域Ｄ２のオフトラック量ＰＥＯが既知であるとき、その後にトラックＴｒ０にデータをライトする際の第１閾値（第１オフトラック閾値とも称する）ＷＯＳ１を決定する。つまり、データ領域Ｄ２のオフトラック量ＰＥＯがわかった場合に、トラックＴｒ０にライトする際に第１閾値ＷＯＳ１を決定してもよい。第１閾値ＷＯＳ１は、トラックＴｒ０にデータをライトする際にライト動作を許容するか否かを決定するための閾値である。

第１閾値ＷＯＳ１は、ＴＰＩマージンＴＭからデータ領域Ｄ２のオフセット量ＰＥＯを減算した値であり、以下に記載する式（３）で表すことができる。なお、ＷＯＳ１は第１閾値である。
ＷＯＳ１＝ＴＭ－ＰＥＯ・・・（３）
データ領域Ｄ０がオフセット可能なオフトラック量ＰＥＩは、第１閾値ＷＯＳ１によって制限されるため、オフトラック量ＰＥＩと第１閾値ＷＯＳ１との関係は以下の式によって表される。
ＰＥＩ≦ＷＯＳ１＝ＴＭ－ＰＥＯ
上記の式をオフトラック量ＰＥＯ，ＰＥＩとＴＰＩマージンＴＭを用いて表すと、以下の式になる。
ＰＥＩ＋ＰＥＯ≦ＴＭ
上記の式からＴＰＩマージンＴＭは、トラックＴｒ２におけるオフトラック量ＰＥＩとトラックＴｒ０のオフトラック量ＰＥＯとの合計以上の値とする。
上記の式（ＰＥＩ＋ＰＥＯ≦ＴＭ）と式（１）と式（２）から、以下の式が成り立つ。
ＴＷ≧２ＴＰ－ＷＷ－ＴＭ＝ＴＷ０
つまり、第１閾値ＷＯＳ１を式（３）のようにＴＰＩマージンＴＭからデータ領域のオフトラック量ＰＥＯを減算した値にすることで、トラックＴｒ１にライトされたデータをリードするためのトラック幅ＴＷを確保することができる。言い換えると、トラックＴｒ１にライトされたデータのリード品質を保証することができる。

第１閾値ＷＯＳ１は、トラックＴｒ１、トラックＴｒ０、トラックＴｒ２の順にデータがライトされた場合でも決定可能である。図４を参照して、上記のようにデータがライトされた場合の第１閾値ＷＯＳ１の決定について説明する。

図４は、上記実施形態に係る磁気ディスク装置１のライト処理の一例を示す図である。図４は、トラックＴｒ１、トラックＴｒ０、トラックＴｒ２の順にデータがライトされる場合を示している。図４に示すように、データ領域Ｄ０は、オフトラック量ＰＥＩだけオフセットして位置している。データ領域Ｄ０のオフトラック量ＰＥＩが既知であるとき、図３の説明と同様に、その後にトラックＴｒ２にデータをライトする際の第１閾値ＷＯＳ１を決定する。つまり、データ領域Ｄ０のオフトラック量ＰＥＩがわかった場合に、トラックＴｒ２にライトする際の第１閾値ＷＯＳ１を決定してもよい。第１閾値ＷＯＳ１は、トラックＴｒ２にデータをライトする際にライト動作を許容するか否かを決定するための閾値である。

第１閾値ＷＯＳ１は、ＴＰＩマージンＴＭからデータ領域Ｄ０のオフセット量ＰＥＩを減算した値であり、以下に記載する式（４）で表すことができる。
ＷＯＳ１＝ＴＭ－ＰＥＩ・・・（４）
第１閾値ＷＯＳ１を式（４）のようにＴＰＩマージンＴＭからデータ領域Ｄ０のオフトラック量ＰＥＩを減算した値にすることで、図３の説明と同様に、トラックＴｒ１にライトされたデータをリードするためのトラック幅ＴＷを確保することができる。

以下、図５及び図６でトラックＴｒ１、トラックＴｒ２、トラックＴｒ０の順にデータがライトされる場合について説明するが、トラックＴｒ１、トラックＴｒ０、トラックＴｒ２の順にデータがライトされる場合も同様に考えることができる。
図３の説明では、トラックＴｒ０のオフトラック量ＰＥＩを、トラックＴｒ２にライトされたデータのデータ領域Ｄ２のオフセット量ＰＥＯから決まる第１閾値ＷＯＳ１によって制限するものとしたが（式（３）参照）、オフセット量ＰＥＯが極めて大きい値の時にオフセット量ＰＥＩが第１閾値ＷＯＳ１によって著しく制限されて、トラックＴｒ０でのライト性能が低下するのを防止するために、ライト時の位置誤差とは無関係な第３閾値ＷＯＳ３によってさらに制限してもよい。第３閾値ＷＯＳ３は静的な閾値である。図５を参照して、第３閾値ＷＯＳ３を設定した場合のライト処理について説明する。

図５は、上記実施形態に係る磁気ディスク装置１のライト処理の一例を示す図である。図５に示すように、トラックＴｒ０にライトされるデータのデータ領域Ｄ０のオフトラック量ＰＥＩは、先にトラックＴｒ２にライトされているデータのデータ領域Ｄ２のオフトラック量ＰＥＯと無関係な所定の第３閾値ＷＯＳ３で制限されている。一方で、データ領域Ｄ２のオフトラック量ＰＥＯも所定の第３閾値ＷＯＳ３で制限されている。

以下に、第３閾値ＷＯＳ３の設定可能な範囲について説明する。
オフトラック量ＰＥＯが第３閾値ＷＯＳ３で制限されているため、オフトラック量ＰＥＯと第３閾値ＷＯＳ３との関係は、以下に記載の式で表すことができる。なお、式に記載されているＷＯＳ３は第３閾値を示している。
ＰＥＯ≦ＷＯＳ３
式（３）と上記の式とを考慮すると、第１閾値ＷＯＳ１と第３閾値ＷＯＳ３との関係は、以下の式によって表される。
ＷＯＳ１＝ＴＭ－ＰＥＯ≧ＴＭ－ＷＯＳ３
さらに、第１閾値ＷＯＳ１は０以上であることと、上記の式（ＴＭ－ＷＯＳ３がＷＯＳ１の下限値であること）とを考慮すると、第３閾値ＷＯＳ３を以下の式で表すことができる。
ＷＯＳ３≦ＴＭ
上記の式からＴＰＩマージンＴＭを第３閾値ＷＯＳ３の上限とすることができる。

一方で、第３閾値ＷＯＳ３は第１閾値ＷＯＳ１以上である。さらに、第３閾値ＷＯＳ３はオフトラック量ＰＥＯ以上である。つまり、第３閾値ＷＯＳ３と第１閾値ＷＯＳ１とオフトラック量ＰＥＯとの関係を以下の式で表すことができる。
ＷＯＳ１＋ＰＥＯ≦２ＷＯＳ３
式（３）と上記の式を考慮すると、第３閾値ＷＯＳ３は以下の式で表すことができる。
ＴＭ／２≦ＷＯＳ３
上記の式からＴＰＩマージンＴＭの半分の値を第３閾値ＷＯＳ３の下限とすることができる。
つまり、第３閾値ＷＯＳ３の設定可能な範囲は、ＴＰＩマージンＴＭの半分の値からＴＰＩマージンＴＭまでである。第３閾値ＷＯＳ３の設定可能な範囲を式で表すと以下のようになる。
ＴＭ／２≦ＷＯＳ３≦ＴＭ
図５では、データ領域Ｄ２のオフトラック量ＰＥＯが極めて大きくなった場合を想定した処理を説明したが、オフトラック量ＰＥＯがある程度小さい値である場合、データ領域Ｄ０のオフトラック量ＰＥＩを制限する第１閾値ＷＯＳ１が静的な第３閾値ＷＯＳ３を超過してしまうことが考えられる（式（３）参照）。上記のような場合に、第１閾値ＷＯＳ１による制限を行わずにトラックＴｒ０にデータをライトしてもよい。第１閾値ＷＯＳ１による制御をするか否かを判断するための第２閾値ＷＯＳ２を用いて行うライト処理について図６を参照して説明する。

図６は、上記実施形態に係る磁気ディスク装置のライト処理の一例を示す図である。図６に示すように、データ領域Ｄ２のオフトラック量ＰＥＯは、第２閾値ＷＯＳ２を超えている。上記のような場合に、トラックＴｒ０にライトされるデータのデータ領域Ｄ０のオフトラック量ＰＥＩは、第１閾値ＷＯＳ１によって制限される。

以下、第２閾値ＷＯＳ２について詳細に説明する。
静的な閾値である第３閾値ＷＯＳ３に対するＴＰＩマージンＴＭの余裕分を第２閾値ＷＯＳ２と定義する。このとき、第２閾値ＷＯＳ２を以下の式（５）で表すことができる。なお、ＷＯＳ２は第２閾値である。
ＷＯＳ２＝ＴＭ－ＷＯＳ３・・・（５）
式（３）及び式（５）を考慮すると、第１閾値ＷＯＳ１は以下の式で表される。
ＷＯＳ１＝ＷＯＳ３－（ＰＥＯ－ＷＯＳ２）
ここで、第１閾値ＷＯＳ１が第３閾値ＷＯＳ３を超過しないための条件は、式（３）より以下のように示される。
ＷＯＳ１＝ＴＭ－ＰＥＯ≦ＷＯＳ３
上記の式と式（５）とを考慮すると、第２閾値ＷＯＳ２とオフトラック量ＰＥＯとの関係は以下の式で表される。
ＰＥＯ≧ＴＭ－ＷＯＳ３＝ＷＯＳ２
第２閾値ＷＯＳ２とオフトラック量ＰＥＯとの関係が、上記の式を満たす場合のみ、オフトラック量ＰＥＩを第１閾値ＷＯＳ１によって制限してもよい。また、後述するが、記憶領域の節約面で有利となるため、上記の式を満たす場合のみＰＥＯの値を保存するようにしてもよい。つまり第２閾値ＷＯＳ２を、位置決め誤差（オフトラック量）ＰＥＯを登録するか否か判断するための閾値としてもよい。

図５及び図６を用いて外周方向への誤差ＰＥＯに対応した実施形態に係るライト処理の一例を示したが、内周方向への誤差ＰＥＩに対しても適用可能であり、誤差ＰＥＯ及び誤差ＰＥＩの両方に対応している場合を図７に示す。

図７は、上記実施形態に係る磁気ディスク装置１のライト処理の一例を示す図である。図７に示すように、半径方向に沿って外周方向からトラックＴｒ－２、トラックＴｒ－１、トラックＴｒ０、トラックＴｒ１、トラックＴｒ２の順に５本のトラックが並んで位置している。図７には、トラックＴｒ－２及びトラックＴｒ２にデータがライトされており、トラックＴｒ０にデータがライトされる前の状況を記載している。トラックＴｒ－１及びトラックＴｒ１にライトされたデータの残り幅（トラック幅）がリード限界トラック幅ＴＷ０以上となるように、トラックＴｒ０にデータをオフトラックしてライトする。言い換えると、トラックＴｒ０をライトするときに、オフトラックライトによるデータ保護の対象となるのはトラックＴｒ－１及びトラックＴｒ１であり、トラックＴｒ０へのライト動作によってこれらのトラック上のデータの残り幅（トラック幅）がリード限界トラック幅ＴＷ０以上となるようにトラックＴｒ０へのライト時の位置決めを制限する。

トラックＴｒ２をライトした際に外周方向への位置決め誤差ＰＥＯが第２閾値ＷＯＳ２以下であった場合は（図７の上段参照）、外周方向への位置決め誤差ＰＥＯの情報は登録されていない。そのため、トラックＴｒ０へのライト時の内周方向のオフセット量は静的な第３閾値ＷＯＳ３によって制限される。
トラックＴｒ２をライトした際に外周方向への位置決め誤差ＰＥＯが第２閾値ＷＯＳ２を超過した場合は（図７の下段参照）、外周方向への位置決め誤差ＰＥＯの情報は登録されている。そのため、トラックＴｒ０へのライト時の内周方向のオフセット量は動的な第１閾値ＷＯＳ１によって制限される。なお、第１閾値ＷＯＳ１は、ＴＰＩマージンＴＭから登録された位置決め誤差ＰＥＯを減算した値である。

トラックＴｒ－２をライトした際に内周方向への位置決め誤差ＰＥＩが第２閾値ＷＯＳ２以下であった場合は（図７の下段参照）、内周方向への位置決め誤差ＰＥＩの情報は登録されていない。そのため、トラックＴｒ０へのライト時の外周方向のオフセット量は静的な第３閾値ＷＯＳ３によって制限される。
トラックＴｒ－２をライトした際に内周方向への位置決め誤差ＰＥＩが第２閾値ＷＯＳ２を超過した場合は（図７の上段参照）、外周方向への位置決め誤差ＰＥＩの情報は登録されている。そのため、トラックＴｒ０へのライト時の内周方向の外周方向のオフセット量は動的な第１閾値ＷＯＳ１によって制限される。なお、第１閾値ＷＯＳ１は、ＴＰＩマージンＴＭから登録されている位置決め誤差ＰＥＩを減算した値である。

以下に、閾値（静的な第３閾値ＷＯＳ３、又はこれを緊縮した動的な第１閾値ＷＯＳ１）を設定するオフトラックスライス緊縮処理と、ライト時の位置決め誤差が閾値を超過していた場合にライト動作を停止するライト禁止処置と、を実現するための制御構成について説明する。
図８は、上記実施形態に係る磁気ディスク装置１の制御構成の一例を示すブロック図である。図８では、目標セクタアドレス（Ｃ，Ｓ）はヘッド番号Ｈを省略し、シリンダ番号Ｃ及びセクタ番号Ｓのみを表記している。図８に示すように、ライト制御部６１０のライト処理回路Ｃ１は、オフトラックライトテーブル（Offtrack Write Table）６１１と、緊縮処理回路６１２と、オペアンプＯＰ１，ＯＰ２と、ＯＲゲート６１３と、物理目標位置変換器（Physical target transducer）６１４と、制御器６１５と、アクチュエータ６１６とを有している。

目標セクタアドレス（Ｃ，Ｓ）は、物理目標位置変換器６１４によって物理目標位置Ｒに変換される。磁気ヘッド１５が実際に位置している物理位置Ｙと物理目標位置Ｒとの差分がセクタアドレス（Ｃ，Ｓ）における位置決め誤差ＰＥ（Ｃ，Ｓ）となる。以下、「セクタアドレス」を単に「セクタ」とも称する。
位置決め誤差ＰＥ（Ｃ，Ｓ）は、制御器６１５に負帰還入力され、制御量ＵとしてアクチュエータＰに出力される。アクチュエータＰは制御量Ｕを入力とし、磁気ヘッド１５の物理位置Ｙを出力する。

一方、位置決め誤差ＰＥ（Ｃ，Ｓ）は、オペアンプＯＰ１，ＯＰ２に入力され、オペアンプＯＰ１において内周側のライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐ（以下、単に「閾値」とも称する）と比較され、オペアンプＯＰ２において外周側のライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｍ（以下、単に「閾値」とも称する）と比較され、ライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐ又はライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｍのいずれかを超過していた場合、ライト禁止フラグ（Write Inhibit Flag）ＷＩＮＨがＯＲゲート６１３から出力される。ＯＲゲート６１３からライト禁止フラグＷＩＮＨが出力されると、システムコントローラ１３０（より詳細にはライト制御部６１０）は、ライト動作を停止する。

また、目標セクタアドレス（Ｃ，Ｓ）から、オフトラックライトテーブル６１１が参照され、２トラック内周方向に位置しているセクタ（Ｃ＋２，Ｓ）でライトされたデータ領域の外周方向への位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋２，Ｓ）、及び、２トラック外周方向に位置しているセクタ（Ｃ－２，Ｓ）でライトされたデータのデータ領域の内周方向への位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ―２，Ｓ）が出力される。目標セクタアドレス（Ｃ，Ｓ）、セクタ（Ｃ＋２，Ｓ）及びセクタ（Ｃ－２，Ｓ）について図７を例に説明すると、目標セクタアドレス（Ｃ，Ｓ）はトラックＴｒ０上に位置するセクタとすると、セクタ（Ｃ－２，Ｓ）はトラックＴｒ－２上に位置するセクタであり、セクタ（Ｃ＋２，Ｓ）はトラックＴｒ２上に位置するセクタである。
位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋２，Ｓ）と、位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ－２，Ｓ）と、既定のＴＰＩマージンＴＭと、静的な値である第３閾値ＷＯＳ３とが緊縮処理回路６１２に入力され、これらに応じたライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐ，ＷＯＳ１ｍが出力される。

図９は、上記実施形態に係る緊縮処理回路６１２を示すブロック図である。図９に示すように、緊縮処理回路６１２は、オペアンプＯＰ３，ＯＰ４と、セレクタＳＥ１，ＳＥ２とを備えている。セレクタＳＥ１の端子Ｑには、位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋２，Ｓ）がゼロか否かが入力され、ゼロの場合は端子Ｗ３への入力が端子Ｗ１から出力され、ゼロ以外の場合は端子Ｗ２への入力が端子Ｗ１から出力される。セレクタＳＥ２の端子Ｑには、位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ－２，Ｓ）がゼロか否かが入力され、ゼロの場合は端子Ｗ３への入力が端子Ｗ１から出力され、ゼロ以外の場合は端子Ｗ２への入力が端子Ｗ１から出力される。

端子Ｗ３へは静的な第３閾値ＷＯＳ３が入力される。端子Ｗ２へは、ＴＰＩマージンＴＭから位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ－２，Ｓ）を減算した値、又はＴＰＩマージンＴＭから位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋２，Ｓ）を減算した値が入力される。
図１０は、上記実施形態に係る磁気ディスク装置１の制御構成の一例を示すブロック図である。図１０は、オフトラックライトテーブル６１１への位置決め誤差の登録及び更新を行うための構成を示している。

目標セクタアドレス（Ｃ，Ｓ）へのライト時における位置決め誤差ＰＥ（Ｃ，Ｓ）は、絶対値回路６１７に入力され、位置決め誤差ＰＥ（Ｃ，Ｓ）の絶対値ＰＥＡとして出力される。絶対値ＰＥＡは、オペアンプＯＰ５において、登録判定用の第２閾値ＷＯＳ２と比較される。オペアンプＯＰ５は、絶対値ＰＥＡが第２閾値ＷＯＳ２を超過している場合に登録フラグＲＦ１を１として出力し、絶対値ＰＥＡが第２閾値ＷＯＳ２を超過していない場合に登録フラグＲＦ１を０として出力する。

一方で、オフトラックライトテーブル参照更新ブロック（以下、ＯＷＴ参照更新ブロックとも称する）６１９は、対象となるセクタ（一例ではセクタ（Ｃ，Ｓ））の対象方向における過去の最大位置決め誤差ＰＥＰを出力する。ここで言う対象方向とは、位置決め誤差ＰＥ（Ｃ，Ｓ）と同じ方向のことを意味している。
オペアンプＯＰ６は、過去の最大位置決め誤差ＰＥＰと、現在の位置決め誤差ＰＥ（Ｃ，Ｓ）の絶対値ＰＥＡとを比較し、絶対値ＰＥＡが最大位置決め誤差ＰＥＰを超過している場合に更新フラグＲＦ２を１として出力し、絶対値ＰＥＡが最大位置決め誤差ＰＥＰを超過していな場合に更新フラグＲＦ２を０として出力する。なお、ＯＷＴ参照更新ブロック６１９にセクタ（Ｃ，Ｓ）のエントリー（図１６の説明で後述する）が存在しない場合において、最大位置決め誤差ＰＥＰは０として出力されるため、オペアンプＯＰ６は、更新フラグＲＦ２を１として出力する。
オペアンプＯＰ７は、位置決め誤差ＰＥ（Ｃ，Ｓ）が０より小さい場合にフラグＤＰＥを１として出力し、位置決め誤差ＰＥ（Ｃ，Ｓ）が０より小さくない場合にフラグＤＰＥを０として出力する。つまり、フラグＤＰＥによって位置決め誤差ＰＥ（Ｃ，Ｓ）の符号を特定することができる。
登録フラグＲＦ１が１として出力され、かつ、更新フラグＲＦ２が１として出力された場合に、ＡＮＤゲート６１８は、更新登録フラグＲＦを１として出力する。更新登録フラグＲＦが１として出力されると、オフトラックライトテーブル６１１において、位置決め誤差ＰＥ（Ｃ，Ｓ）の符号に応じた情報（詳細にはＰＥＩ（Ｃ，Ｓ）又はＰＥＯ（Ｃ，Ｓ））の更新又は新規登録が行われる。

以下、本発明のライト処理の手順について説明する。
まず、図８及び図９で説明した、ライト禁止フラグＷＩＮＨやライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐ，ＷＯＳ１ｍの決定について、図１１及び図１２を用いて説明する。図１１は、上記実施形態に係る磁気ディスク装置のライト処理を示すフローチャートである。図１２は、図１１に続く、上記実施形態に係る磁気ディスク装置のライト処理を示すフローチャートである。

図１１に示すように、ライト処理が開始すると、ステップＳ５において、システムコントローラ１３０は、目標セクタアドレス（Ｃ，Ｈ，Ｓ）へのシーク動作を行う。なお、シーク動作とは、目標位置（一例では、目標セクタアドレス（Ｃ，Ｈ，Ｓ））にヘッド１５Ｗを移動させる動作のことである。次に、ステップＳ１０において、システムコントローラ１３０は、内周側のライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐを初期値＋ＷＯＳ３に設定し、外周側のライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｍを初期値－ＷＯＳ３に設定する。

ステップＳ１０においてライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐ，ＷＯＳ１ｍを設定した後、ステップＳ１５において、システムコントローラ１３０は、目標位置の２トラック内周側のセクタ（Ｃ＋２，Ｈ，Ｓ）における位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋２，Ｈ，Ｓ）が登録されているか否かを判断する。ステップＳ１５において、位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋２，Ｈ，Ｓ）が登録されていないと判断した場合、ステップＳ２５に移行する。

一方、位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋２，Ｈ，Ｓ）が登録されていると判断した場合（ステップＳ１５）、ステップＳ２０に移行し、ステップＳ２０において、ライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐをＴＰＩマージンＴＭから位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋２，Ｈ，Ｓ）を減算した値に設定する。ライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐを式で表すと以下のようになる。なお、ＷＯＳ１ｐはライトオフトラック閾値であり、ＰＥＯはセクタ（Ｃ＋２，Ｈ，Ｓ）における位置決め誤差である。
ＷＯＳ１ｐ＝＋（ＴＭ－ＰＥＯ）
ステップＳ２０において、ライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐを設定した後、ステップＳ２５に移行する。

ステップＳ２５において、システムコントローラ１３０は、目標位置の２トラック外周側のセクタ（Ｃ－２，Ｈ，Ｓ）における位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ－２，Ｈ，Ｓ）が登録されているかを判断する。ステップＳ２５において、位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ－２，Ｈ，Ｓ）が登録されていないと判断した場合、ステップＳ３５に移行する。（図１２参照）
一方、位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ－２，Ｈ，Ｓ）が登録されていると判断した場合（ステップＳ２５）、ステップＳ３０に移行し、ステップＳ３０において、ライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｍをＴＰＩマージンＴＭから位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ－２，Ｈ，Ｓ）を減算した値に設定する。ライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｍを式で表すと以下のようになる。なお、ＷＯＳ１ｍはライトオフトラック閾値であり、ＰＥＩはセクタ（Ｃ－２，Ｈ，Ｓ）における位置決め誤差である。
ＷＯＳ１ｍ＝－（ＴＭ－ＰＥI）
ステップＳ３０において、ライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｍを設定した後、ステップＳ３５に移行する。

続いて、ステップＳ３５において、システムコントローラ１３０は、目標セクタ（Ｃ，Ｈ、Ｓ）における位置決め誤差ＰＥがライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐよりも大きいかどうかを判断する。位置決め誤差ＰＥがライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐよりも大きい場合、ステップＳ５０に移行し、システムコントローラ１３０は、ライト動作を禁止する。

位置決め誤差ＰＥがライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐよりも小さい場合（ステップＳ３５）、ステップＳ４０に移行し、ステップＳ４０において、システムコントローラ１３０は、位置決め誤差ＰＥがライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｍより小さいかどうかを判断する。位置決め誤差ＰＥがライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｍよりも小さい場合、ステップＳ５０に移行し、システムコントローラ１３０は、ライト動作を禁止する。
位置決め誤差ＰＥがライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｍより大きかった場合（ステップＳ４０）、ステップＳ４５に移行し、ライト動作を行う。

なお、ステップＳ１５及びステップＳ２０と、ステップＳ２５及びステップＳ３０とは、入れ替えが可能である。図１１を例に説明すると、ステップＳ１０でライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐ，ＷＯＳ１ｍの設定を行った後、ステップＳ２５を行い、位置決め誤差ＰＥＩが登録されていなかった場合に、ステップＳ１５を行ってもよい。同様に、ステップＳ３５とステップＳ４０とを入れ替えてもよい。

図１０で説明したオフトラックライトテーブル６１１への位置決め誤差の登録の手順について、図１３を用いて説明する。図１３は、図１２に続く、上記実施形態に係る磁気ディスク装置のライト処理を示すフローチャートである。
ステップＳ４５においてライト動作が行われた後（図１２参照）、ステップＳ５５に移行し、ステップＳ５５において、システムコントローラ１３０は、位置決め誤差ＰＥが０より小さいかどうかを判断し、位置決め誤差ＰＥが０より小さかった場合にステップＳ６０に移行する。

ステップＳ６０において、システムコントローラ１３０は、セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）における外周方向への位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）が登録済みかどうか判断し、位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）が登録済みでなかった場合、ステップＳ７０に移行し、ステップＳ７０において、位置決め誤差ＰＥの絶対値で位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）を登録する。

ステップＳ６０において、位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）が登録済みであった場合、ステップＳ６５に移行し、ステップＳ６５において、システムコントローラ１３０は、位置決め誤差ＰＥの絶対値が登録済の位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）よりも大きいかどうかを判断し、位置決め誤差ＰＥの絶対値が登録済の位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）よりも大きくなかった場合にステップＳ９５に移行する（ステップＳ９５は図１５参照）。

位置決め誤差ＰＥの絶対値が登録済の位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）よりも大きかった場合（ステップＳ６５）、ステップＳ７０に移行し、ステップＳ７０において、システムコントローラ１３０は、位置決め誤差ＰＥの絶対値で位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）を更新する。その後、ステップＳ９５に移行する。

一方、ステップＳ５５において、位置決め誤差ＰＥが０より大きかった場合、ステップＳ７５に移行し、ステップＳ７５において、システムコントローラ１３０は、セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）における内周方向への位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）が登録済みかどうかを判断する。位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）が登録済みでなかった場合、ステップＳ８５に移行し、ステップＳ８５において、位置決め誤差ＰＥの絶対値で位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）を登録する。

ステップＳ７５において、位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）が登録済みであった場合、ステップＳ８０に移行し、ステップＳ８０において、システムコントローラ１３０は、位置決め誤差ＰＥの絶対値が登録済の位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）より大きいかどうかを判断し、位置決め誤差ＰＥの絶対値が登録済の位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）よりもおおきくなかった場合にステップＳ９５に移行する。

位置決め誤差ＰＥの絶対値が登録済の位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）よりも大きかった場合（ステップＳ８０）、ステップＳ８５に移行し、ステップＳ８５において、システムコントローラ１３０は、位置決め誤差ＰＥの絶対値で位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）を更新する。その後、ステップＳ９５に移行する。

オフトラックライトテーブル６１１への、位置決め誤差の登録について説明したが、図６で説明した第２閾値ＷＯＳ２を追加して位置決め誤差の登録をするか否かを判断してもよい。具体的な例を図１４に示す。
図１４は、図１２に続く、上記実施形態に係る磁気ディスク装置のライト処理を示すフローチャートである。

図１４に示すように、ステップＳ４５においてライト動作が行われた後（図１２参照）、ステップＳ９０に移行し、ステップＳ９０において、システムコントローラ１３０は、位置決め誤差ＰＥの絶対値が第２閾値ＷＯＳ２より大きいかどうかを判断する。位置決め誤差ＰＥの絶対値が第２閾値ＷＯＳ２よりも大きかった場合、図１３で説明したステップＳ５５からステップＳ７０、又はステップＳ５５からステップＳ８５までの処理を行う。
位置決め誤差ＰＥの絶対値が第２閾値ＷＯＳ２よりも小さかった場合、ステップＳ９５に移行する。

次に、オフトラックライトテーブル６１１への登録情報を解除する手順について説明する。図１５は、図１３又は図１４に続く、上記実施形態に係る磁気ディスク装置のライト処理を示すフローチャートである。図１５には、オフトラックライトテーブル６１１に登録された情報を解除する手順が示されている。

図１５に示すように、ステップＳ９５において、システムコントローラ１３０は、ライト動作が行われたセクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）の１トラック内周側に位置しているセクタ（Ｃ＋１，Ｈ，Ｓ）の外周方向への位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋１，Ｈ，Ｓ）が登録済みであるかを判断し、位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋１，Ｈ，Ｓ）が登録済みであった場合、ステップＳ１０５に移行し、ステップＳ１０５において、位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋１，Ｈ，Ｓ）をクリアする。上記した「クリアする」とは、「位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋１，Ｈ，Ｓ）の値を０にする」ことを意味している。その後、ステップＳ１００に移行する。
位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋１，Ｈ，Ｓ）が登録済みでなかった場合（ステップＳ９５）、ステップＳ１００に移行する。

ステップＳ１００において、システムコントローラ１３０は、ライト動作が行われたセクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）の１トラック外周側に位置しているセクタ（Ｃ－１，Ｈ，Ｓ）の内周方向への位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ－１，Ｈ，Ｓ）が登録済みであるかを判断し、位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ－１，Ｈ，Ｓ）が登録済みであった場合、ステップＳ１１０に移行し、ステップＳ１１０において、位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ－１，Ｈ，Ｓ）をクリアする。その後、目標位置へのライト処理を終了する。
つまり、登録情報を解除する処理は、セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）にデータをライトした際に、セクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）に隣接するセクタ（Ｃ＋１，Ｈ，Ｓ）及びセクタ（Ｃ-１，Ｈ，Ｓ）のセクタ（Ｃ，Ｈ，Ｓ）への位置決め誤差の登録を解除する処理である。

ここで、オフトラックライトテーブル６１１のエントリーについて説明する。
図１６は、上記実施形態に係る磁気ディスク装置のオフトラックライトテーブル６１１の一例を示す図である。一つのエントリーには、トラックのシリンダ番号Ｃ、ヘッド番号Ｈ、セクタ番号Ｓ、内周方向への位置決め誤差ＰＥＩ、及び外周方向への位置決め誤差ＰＥＯが含まれている。一例では、エントリーにシリアル番号が付与されており、２４０１個のセクタがエントリーされている。ここで言う「エントリーされる」とは「情報が登録される」ことを意味している。さらに、一例では、エントリー可能な数（以下、エントリー数と称する）の上限として１００００が設定されているが、記憶容量が許容できれば全セクタの情報をオフトラックライトテーブル６１１に記憶してもよい。エントリー数に上限が設定されている場合、不要となったセクタの情報に対しては登録解除処理が行われる。

以下、登録解除処理について詳細に説明する。
具体的に登録解除処理は、登録済のセクタが隣接するトラックに対して影響を与えなくなった場合に行われ、隣接するトラックが上書きされた登録済セクタの情報に対して行われる。
登録済セクタの１トラック内周側に位置するセクタが上書きされた場合、登録済セクタの位置決め誤差ＰＥＩをクリアする。つまり、位置決め誤差ＰＥＩを０にする。登録済セクタの１トラック外周側に位置するセクタが上書きされた場合、登録済セクタの位置決め誤差ＰＥＯをクリアする。つまり、位置決め誤差ＰＥＯを０にする。
登録済セクタの位置決め誤差ＰＥＩと位置決め誤差ＰＥＯとの両方が０となった場合に、その登録済セクタの情報に対して登録解除処理を行う。これにより、その登録済セクタのエントリーは解除される。

以下、上記の登録解除処理の手順を説明する。
図１７は、図１３又は図１４に続く、上記実施形態に係る磁気ディスク装置のライト処理を示すフローチャートである。なお、ステップＳ９５、ステップＳ１００、ステップＳ１０５、及びステップＳ１１０は、図１５の説明と同様の処理であるため省略する。

図１７に示すように、ステップＳ１０５においてセクタ（Ｃ＋１，Ｈ，Ｓ）における外周方向への位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋１，Ｈ，Ｓ）をクリアした後、ステップＳ１１５に移行する。ステップＳ１１５において、システムコントローラ１３０は、セクタ（Ｃ＋１，Ｈ，Ｓ）における内周方向への位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ＋１，Ｈ，Ｓ）が０であるかを判断し、位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ＋１，Ｈ，Ｓ）が０でなかった場合、ステップＳ１００に移行する。

位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ＋１，Ｈ，Ｓ）が０であった場合（ステップＳ１１５）、ステップＳ１２０に移行し、ステップＳ１２０において、システムコントローラ１３０は、セクタ（Ｃ＋１，Ｈ，Ｓ）におけるエントリーを解除する。その後、ステップＳ１００に移行する。

ステップＳ１１０において、セクタ（Ｃ－１，Ｈ，Ｓ）における内周方向への位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ－１，Ｈ，Ｓ）をクリアした後、ステップＳ１２５に移行する。ステップＳ１２５において、システムコントローラ１３０は、セクタ（Ｃ－１，Ｈ，Ｓ）における外周方向への位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ－１，Ｈ，Ｓ）が０であるかを判断し、位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ－１，Ｈ，Ｓ）が０でなかった場合、目標位置へのライト処理を終了する。

位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ－１，Ｈ，Ｓ）が０であった場合（ステップＳ１２５）、ステップＳ１３０に移行し、ステップＳ１３０において、システムコントローラ１３０は、セクタ（Ｃ－１，Ｈ，Ｓ）におけるエントリーを解除する。その後、目標位置へのライト処理を終了する。

次に、上記のライト処理を適用した場合の効果について説明する。
図１８は、上記実施形態に係る磁気ディスク装置の効果を示すグラフである。図１８において、横軸はＴＰＩゲインを示しており、ＴＰＩマージンＴＭの所要値を削減してトラックピッチＴＰを狭めることで実現される、既定のトラック密度に対する比率を表している。縦軸は性能指標であり、机上環境に対する振動環境下（詳細には、位置決め誤差３σ値６．１ｎｍ）における時間当たりのランダムライト回数の比率を表している。破線は従来のようにライトオフトラック閾値を一律に狭めた場合を示しており、実線は２トラック先のライト位置決め情報を基にライトオフトラック閾値を動的に狭めた場合を示している。

図１８に示すように、ＴＰＩゲインが既定の１．２５倍までは性能改善効果が表れており、例えば、振動環境下における性能指標が０．９である場合に、破線のＴＰＩゲインは約１．１倍であり、実線のＴＰＩゲインは約１．２５倍であることから、１．２５から１．１を除することで１．１３倍のポテンシャルを有することがわかる。

上記のように構成された磁気ディスク装置１によれば、磁気ディスク装置１は、磁気ディスク１０と、磁気ヘッド１５と、コントローラ１３０と、を備えている。コントローラ１３０は、ライトするセクタの２トラック先のセクタに位置決め誤差ＰＥＩ，ＰＥＯが登録されているか否かを判断し、登録されている場合に位置決め誤差ＰＥＩ，ＰＥＯに基づいて第１閾値ＷＯＳ１を設定し、第１閾値ＷＯＳ１とライトされるセクタの位置決め誤差ＰＥとに基づいてライト動作を実施するかしないかを決定する。
コントローラ１３０は、内周方向への位置決め誤差ＰＥＩと外周方向への位置決め誤差ＰＥＯとの両方を登録する。
コントローラ１３０は、ライトするセクタの位置決め誤差ＰＥと登録を判断するための第２閾値ＷＯＳ２とを基に、位置決め誤差ＰＥＩ，ＰＥＯを登録するか否かを判断する。
第１閾値ＷＯＳ１は、所定のＴＰＩマージンからライトするセクタの２トラック先のセクタに登録されている位置決め誤差ＰＥＩ，ＰＥＯを減算した値である。
これにより、ライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐ，ＷＯＳ１ｍを一律に狭めなくても、トラック幅ＴＷをリード限界トラック幅ＴＷ０以上に維持することができ、リート品質を維持しつつ、位置決め誤差ＰＥの閾値超過によるライトエラー、リトライ動作等を抑止し、ライト性能を向上させることのできる磁気ディスク装置を得ることができる。

コントローラ１３０は、ライトしたセクタに隣接するセクタに登録済の位置決め誤差ＰＥＩ，ＰＥＯの登録を解除してもよい。これにより、エントリー数に上限があるオフトラックライトテーブル６１１に対応可能となる。

コントローラ１３０は、ライトするセクタの２トラック先のセクタに位置決め誤差ＰＥＩ，ＰＥＯが登録されていない場合に、ライトするセクタの位置決め誤差ＰＥと一定の静的な第３閾値ＷＯＳ３に基づいて、ライト動作を実施するかしないかを決定する。
第３閾値ＷＯＳ３は、ＴＰＩマージンの半分からＴＰＩマージンまでの間の大きさである。これにより、動的なライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐ，ＷＯＳ１ｍが極端に緩和されることを防止することができる。

（他の実施形態）
次に、他の実施形態に係る磁気ディスク装置１について説明する。なお、磁気ディスク装置１は、他の実施形態で説明すること以外、上記実施形態と同様である。
まず、磁気ディスク装置１のライト処理について説明する。上記実施形態と、他の実施形態では、第１閾値の定義が異なっており、ライトする手順などは同じである。そのため、他の実施形態における第１閾値ＷＯＳ１２について、詳細に説明する。

上記実施形態では、図３に示す第１閾値ＷＯＳ１は、式（３）で表され、図６に示す第２閾値ＷＯＳ２は、式（５）で表されている。上記実施形態における第１閾値ＷＯＳ１は、式（３）及び式（５）より以下の式で表すことができる。
ＷＯＳ１＝ＷＯＳ３－（ＰＥＯ－ＷＯＳ２）
他の実施形態における第１閾値ＷＯＳ１２は、上記の式に示す位置決め誤差ＰＥＯと第２閾値ＷＯＳ２との差分（ＰＥＯ－ＷＯＳ２）に所定のゲインＧＡＩＮを乗じた以下の式で表すことができる。なお、ＷＯＳ１２は他の実施形態における第１閾値、ＧＡＩＮは所定のゲインを示している。
ＷＯＳ１２＝ＷＯＳ３－ＧＡＩＮ×（ＰＥＯ－ＷＯＳ２）
ここで、第１閾値ＷＯＳ１２は、上記の式及び式（５）より、以下に記載する式（６）で表される。
ＷＯＳ１２＝ＴＭ＋Ｇ０－ＧＡＩＮ×ＰＥＯ・・・（６）
なお、Ｇ０は、以下の式で示される定数であり所定量である。
Ｇ０＝（ＧＡＩＮ－１）×ＷＯＳ２
さらに、式（３）を考慮すると式（６）は以下の式に変形できる。
ＷＯＳ１２＝ＷＯＳ１＋（１－ＧＡＩＮ）×（ＰＥＯ－ＷＯＳ２）
上記の式より、位置決め誤差ＰＥＯが第２閾値ＷＯＳ２より大きく、かつ、ゲインＧＡＩＮが１より大きい場合、これからライトされる位置決め誤差ＰＥＩに対しての第１閾値ＷＯＳ１２は、上記実施形態における第１閾値ＷＯＳ１よりも小さくなる。また、上記のことから、ゲインＧＡＩＮは、１以上の値であり、例えば、１．５や２などである。

一方、図４に示す上記実施形態における第１閾値ＷＯＳ１は、式（４）及び式（５）より以下の式で表すことができる。
ＷＯＳ１＝ＷＯＳ３－（ＰＥＩ－ＷＯＳ２）
他の実施形態における第１閾値ＷＯＳ１２は、上記の式に示す位置決め誤差ＰＥＩと第２閾値ＷＯＳ２との差分（ＰＥＩ－ＷＯＳ２）に所定のゲインＧＡＩＮを乗じた以下の式で表すことができる。
ＷＯＳ１２＝ＷＯＳ１＋ＧＡＩＮ（ＰＥＩ－ＷＯＳ２）
ここで、第１閾値ＷＯＳ１２は、上記の式及び式（５）より、以下に記載する式（７）で表される。
ＷＯＳ１２＝ＴＭ＋Ｇ０－ＧＡＩＮ×ＰＥＩ・・・（７）
さらに、式（３）を考慮すると式（７）は以下の式に変形できる。
ＷＯＳ１２＝ＷＯＳ１＋（１－ＧＡＩＮ）×（ＰＥＩ－ＷＯＳ２）
上記の式より、位置決め誤差ＰＥＩが第２閾値ＷＯＳ２より大きく、かつ、ゲインＧＡＩＮが１より大きい場合、これからライトされる位置決め誤差ＰＥＯに対しての第１閾値ＷＯＳ１２は、上記実施形態における第１閾値ＷＯＳ１よりも小さくなる。また、上記のことから、ゲインＧＡＩＮは、１以上の値であり、例えば、１．５や２などである。

次に、他の実施形態に係る磁気ディスク装置１の緊縮処理回路６１２について説明する。図１９は、他の実施形態に係る磁気ディスク装置１の緊縮処理回路６１２を示すブロック図である。図１９に示すように、緊縮処理回路６１２は、ゲインアンプＧＡ１，ＧＡ２，ＧＡ３と、オペアンプＯＰ８と、アンプＡＮとを更に備えている。

ゲインアンプＧＡ１は、入力された位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋２，Ｓ）にゲインＧＡＩＮを乗じた値（以下、「位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋２，Ｓ）とゲインＧＡＩＮとの積」とも称する）をオペアンプＯＰ３及びセレクタＳＥ１に出力する。ゲインアンプＧＡ２は、入力された位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ－２，Ｓ）にゲインＧＡＩＮを乗じた値（以下、「位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ－２，Ｓ）とゲインＧＡＩＮとの積」とも称する）をオペアンプＯＰ４及びセレクタＳＥ２に出力する。ゲインアンプＧＡ３は、入力された第２閾値ＷＯＳ２にゲインＧＡＩＮを乗じた値をオペアンプＯＰ８に出力する。オペアンプＯＰ８は、ゲインアンプＧＡ３から入力された値から第２閾値ＷＯＳ２を減算した値（所定量Ｇ０）をアンプＡＮに出力する。アンプＡＮは、ＴＰＩマージンＴＭに所定量Ｇ０を加算した値をオペアンプＯＰ３及びオペアンプＯＰ４に出力する。

セレクタＳＥ１の端子Ｑは、位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋２，Ｓ）とゲインＧＡＩＮとの積がゼロか否かが入力される。セレクタＳＥ１は、端子Ｑから入力された値がゼロの場合、端子Ｗ１に入力された値を出力し、端子Ｑから入力された値がゼロ以外の場合、端子Ｗ２に入力された値を出力する。
セレクタＳＥ２の端子Ｑは、位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ－２，Ｓ）とゲインＧＡＩＮとの積がゼロか否かが入力される、セレクタＳＥ２は、端子Ｑから入力された値がゼロの場合、端子Ｗ１に入力された値を出力し、端子Ｑから入力された値がゼロ以外の場合、端子Ｗ２に入力された値を出力する。

端子Ｗ３は、静的な第３閾値ＷＯＳ３が入力される。端子Ｗ２は、ＴＰＩマージンＴＭ及び所定量Ｇ０の和から位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋２，Ｓ）にゲインＧＡＩＮを乗じた値を減算した値、又はＴＰＩマージンＴＭ及び所定量Ｇ０の和から位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ－２，Ｓ）にゲインＧＡＩＮを乗じた値を減算した値が入力される。

次に、他の実施形態に係る磁気ディスク装置１のライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐ，ＷＯＳ１ｍの決定の手順について説明する。図２０は、他の実施形態に係る磁気ディスク装置１のライト処理を示すフローチャートである。なお、ステップ２１及びステップＳ３１以外は、上記実施形態と同様の処理のためステップＳ２１及びステップＳ３１についてのみ説明する。

図２０に示すように、ステップＳ１５において、位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋２，Ｈ，Ｓ）が登録されていると判断した場合、ステップＳ２１に移行し、システムコントローラ１３０は、ステップＳ２１においてライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐをＴＰＩマージンＴＭに所定量Ｇ０を加算し、位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋２，Ｈ，Ｓ）とゲインＧＡＩＮとの積を減算した値に設定する。ライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐを式で表すと以下のようになる。なお、ＷＯＳ１ｐは、ライトオフトラック閾値であり、ＰＥＯはセクタ（Ｃ＋２，Ｈ，Ｓ）における位置決め誤差である。
ＷＯＳ１ｐ＝＋（ＴＭ＋Ｇ０－ＧＡＩＮ×ＰＥＯ）
ステップＳ２１において、ライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐを設定した後、ステップＳ２５に移行する。

ステップＳ２５において、位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ－２，Ｈ，Ｓ）が登録されていると判断した場合、ステップＳ３１に移行し、システムコントローラ１３０は、ステップＳ３１においてライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｍをＴＰＩマージンＴＭに所定量Ｇ０を加算し、位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ－２，Ｈ，Ｓ）とゲインＧＡＩＮとの積を減算した値に設定する。ライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｍを式で表すと以下のようになる。なお、ＷＯＳ１ｍは、ライトオフトラック閾値であり、ＰＥＩはセクタ（Ｃ－２，Ｈ，Ｓ）における位置決め誤差である。
ＷＯＳ１ｍ＝－（ＴＭ＋Ｇ０－ＧＡＩＮ×ＰＥＩ）
ステップＳ３１において、ライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｍを設定した後、ステップＳ３５に移行する。

以下、他の実施形態に係る磁気ディスク装置１の効果について説明する。
上記のように構成された磁気ディスク装置１によれば、第１閾値ＷＯＳ１２は、所定のＴＰＩマージンＴＭに所定量Ｇ０を加算し、所定のゲインＧＡＩＮとライトするセクタの２トラック先のセクタに登録されている位置決め誤差ＰＥＩ，ＰＥＯとの積を減算した値である。このとき、ゲインＧＡＩＮは、１以上の値である。
また、所定量Ｇ０は、所定のゲインＧＡＩＮから１を減算した値と、第２閾値ＷＯＳ２との積である。これにより、位置決め誤差ＰＥＩ及び位置決め誤差ＰＥＯを小さくすることができるため、トラックピッチＴＰを小さくした場合でも、十分なトラック幅ＴＷを確保することができる（式（１）参照）。上記の理由により、記録密度が向上した磁気ディスク装置１を得ることができる。

（変形例）
他の実施形態に係る磁気ディスク装置１の変形例について説明する。なお、磁気ディスク装置１は、本変形例で説明すること以外、他の実施形態と同様である。
上記実施形態では、図３に示す第１閾値ＷＯＳ１は、式（３）で表されている。変形例における第１閾値ＷＯＳ１３は、式（３）の位置決め誤差ＰＥＯに所定のゲインＧＡＩＮを乗じた以下の式（８）で表すことができる。なお、ＷＯＳ１３は変形例における第１閾値を示している。
ＷＯＳ１３＝ＴＭ－ＧＡＩＮ×ＰＥＯ・・・（８）
式（８）は、式（３）を考慮すると、以下の式に変形できる。
ＷＯＳ１３＝ＷＯＳ１＋（１－ＧＡＩＮ）×ＰＥＯ
上記の式からゲインＧＡＩＮが１より大きい場合、これからライトされる位置決め誤差ＰＥＩに対しての第１閾値ＷＯＳ１２は、上記実施形態における第１閾値ＷＯＳ１よりも小さくなる。上記のことより、ゲインＧＡＩＮは、１以上の値である。

一方、上記実施形態では、図４に示す第１閾値ＷＯＳ１は、式（４）で表されている。変形例における第１閾値ＷＯＳ１３は、式（４）の位置決め誤差ＰＥＩに所定のゲインＧＡＩＮを乗じた以下の式（９）で表すことができる。
ＷＯＳ１３＝ＴＭ－ＧＡＩＮ×ＰＥＩ・・・（９）
式（９）は、式（３）を考慮すると、以下の式に変形できる。
ＷＯＳ１３＝ＷＯＳ１＋（１－ＧＡＩＮ）×ＰＥＩ
上記の式からゲインＧＡＩＮが１より大きい場合、これからライトされる位置決め誤差ＰＥＯに対しての第１閾値ＷＯＳ１３は、上記実施形態における第１閾値ＷＯＳ１よりも小さくなる。上記のことから、ゲインＧＡＩＮは、１以上の値である。

次に、他の実施形態に係る磁気ディスク装置１の変形例における緊縮処理回路６１２について説明する。図２１は、他の実施形態に係る磁気ディスク装置１の変形例における緊縮処理回路６１２を示すブロック図である。
図２１に示すように、緊縮処理回路６１２は、ゲインアンプＧＡ３、オペアンプＯＰ８、及びアンプＡＰ無しで構成されている。
端子Ｗ３は、静的な第３閾値ＷＯＳ３が入力される。端子Ｗ２は、ＴＰＩマージンＴＭから位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋２，Ｓ）とゲインＧＡＩＮとの積を減算した値、又はＴＰＩマージンＴＭから位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ－２，Ｓ）とゲインＧＡＩＮとの積を減算した値が入力される。

次に、他の実施形態に係る磁気ディスク装置１の変形例におけるライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐ，ＷＯＳ１ｍの決定の手順について説明する。図２２は、他の実施形態に係る磁気ディスク装置１の変形例におけるライト処理を示すフローチャートである。なお、ステップ２２及びステップＳ３２以外は、他の実施形態と同様の処理のためステップＳ２２及びステップＳ３２についてのみ説明する。

図２２に示すように、ステップＳ１５において、位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋２，Ｈ，Ｓ）が登録されていると判断した場合、ステップＳ２２に移行し、システムコントローラ１３０は、ステップＳ２２においてライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐをＴＰＩマージンＴＭから位置決め誤差ＰＥＯ（Ｃ＋２，Ｈ，Ｓ）とゲインＧＡＩＮとの積を減算した値に設定する。ライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐを式で表すと以下のようになる。なお、ＷＯＳ１ｐは、ライトオフトラック閾値であり、ＰＥＯはセクタ（Ｃ＋２，Ｈ，Ｓ）における位置決め誤差である。
ＷＯＳ１ｐ＝＋（ＴＭ－ＧＡＩＮ×ＰＥＯ）
ステップＳ２２において、ライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｐを設定した後、ステップＳ２５に移行する。

ステップＳ２５において、位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ－２，Ｈ，Ｓ）が登録されていると判断した場合、ステップＳ３２に移行し、システムコントローラ１３０は、ステップＳ３２においてライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｍをＴＰＩマージンＴＭから位置決め誤差ＰＥＩ（Ｃ－２，Ｈ，Ｓ）とゲインＧＡＩＮとの積を減算した値に設定する。ライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｍを式で表すと以下のようになる。なお、ＷＯＳ１ｍは、ライトオフトラック閾値であり、ＰＥＩはセクタ（Ｃ－２，Ｈ，Ｓ）における位置決め誤差である。
ＷＯＳ１ｍ＝－（ＴＭ－ＧＡＩＮ×ＰＥＩ）
ステップＳ３２において、ライトオフトラック閾値ＷＯＳ１ｍを設定した後、ステップＳ３５に移行する。

上記のように構成された磁気ディスク装置１によれば、第１閾値ＷＯＳ１３は、所定のＴＰＩマージンＴＭから所定のゲインＧＡＩＮとライトするセクタの２トラック先のセクタに登録されている位置決め誤差ＰＥＩ，ＰＥＯとの積を減算した値である。これにより、他の実施形態と同様の効果を得ることができる。

本発明の実施形態を説明したが、上記実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上記した新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。上記実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…磁気ディスク装置、１０…磁気ディスク、１５…磁気ヘッド、１５Ｗ…ライトヘッド、１３０…システムコントローラ、６１０…ライト制御部、６１１…オフトラックライトテーブル、６１２…緊縮処理回路、６１３…ＯＲゲート、６１７…絶対値回路、６１８…ＡＮＤゲート、６１９…ＯＷＴ参照更新ブロック、ＧＡＩＮ…ゲイン、所定量…Ｇ０、ＰＥＯ，ＰＥＩ…位置決め誤差、Ｔｒ－２，Ｔｒ－１，Ｔｒ０，Ｔｒ１，Ｔｒ２…トラック、ＷＯＳ１，ＷＯＳ１２，ＷＯＳ１３…第１閾値、ＷＯＳ２…第２閾値、ＷＯＳ３…第３閾値

Claims (13)

1. 磁気ディスクと、
   前記磁気ディスクの所定のトラックピッチを有するトラックに位置決めされて、前記磁気ディスクのトラックにデータをライトし、前記磁気ディスクのトラックからデータをリードする磁気ヘッドと、
   前記磁気ヘッドの位置決めを行い、前記トラックの前記データがライトされたセクタのアドレスと前記アドレスでの前記磁気ヘッドの前記トラックに対する位置決め誤差とを登録するコントローラと、を備え、
   前記コントローラは、
   前記データをライトする第１セクタの半径方向の２トラック先の第２セクタの位置決め誤差が登録されているか否かを判断し、前記第２セクタの位置決め誤差が登録されている場合に、前記第２セクタの位置決め誤差を基に前記第１セクタの位置決め誤差についてライト動作を許容する第１閾値を設定し、
   前記第１セクタの位置決め誤差が前記第１閾値を超過しているか否かを判断し、前記第１セクタの位置決め誤差が前記第１閾値を超過している場合に前記ライト動作を停止する、
   磁気ディスク装置。
2. 前記コントローラは、内周方向への位置決め誤差と外周方向への位置決め誤差との両方を登録する、
   請求項１に記載の磁気ディスク装置。
3. 前記コントローラは、
   前記第１セクタの位置決め誤差の登録を判断するための第２閾値を設定し、
   前記第１セクタの位置決め誤差が前記第２閾値を超過しているか否かを判断し、前記第１セクタの位置決め誤差が前記第２閾値を超過している場合に前記第１セクタの位置決め誤差を登録する、
   請求項１に記載の磁気ディスク装置。
4. 前記コントローラは、
   前記第１セクタの位置決め誤差の登録を判断するための第２閾値を設定し、
   前記第１セクタの位置決め誤差が前記第２閾値を超過しているか否かを判断し、
   前記第１セクタにおける登録済の位置決め誤差の有無を判断し、
   前記第１セクタの位置決め誤差と前記登録済の位置決め誤差との向きが前記内周方向、前記外周方向のいずれかで一致しているか否かを判断し、
   前記第１セクタの位置決め誤差の絶対値が前記登録済の位置決め誤差より大きいか否かを判断し、
   前記第１セクタの位置決め誤差が前記第２閾値を超過し、かつ、前記登録済の位置決め誤差が存在し、かつ、前記第１セクタの位置決め誤差と前記登録済の位置決め誤差との向きが一致し、かつ、前記第１セクタの位置決め誤差の絶対値が前記登録済の位置決め誤差よりも大きい場合に、前記第１セクタの位置決め誤差を登録する、
   請求項２に記載の磁気ディスク装置。
5. 前記コントローラは、
   前記第１セクタの半径方向に隣接する第３セクタの位置決め誤差が登録されているか否かを判断し、
   前記第３セクタの位置決め誤差の向きが前記第１セクタに向かう方向であるか否かを判断し、
   前記第３セクタの位置決め誤差が登録され、かつ、前記第３セクタの位置決め誤差の向きが前記第１セクタへ向かう方向であった場合に、前記第３セクタの位置決め誤差の登録を解除する、
   請求項１に記載の磁気ディスク装置。
6. 前記第１閾値は、所定のトラックピッチ狭窄マージンから前記第２セクタの位置決め誤差を減算した値である、
   請求項１に記載の磁気ディスク装置。
7. 前記第１閾値は、所定のトラックピッチ狭窄マージンから前記第２セクタの位置決め誤差を減算した値であり、
   前記所定のトラックピッチ狭窄マージンは、前記第１セクタ及び前記第２セクタをライトすることによりこれらに挟まれる前記第３セクタがリード限界トラック幅となる、前記第１セクタの位置決め誤差と前記第２セクタの位置決め誤差との合計である、
   請求項５に記載の磁気ディスク装置。
8. 前記コントローラは、
   前記第２セクタの位置決め誤差が登録されていない場合に、前記第１セクタの位置決め誤差について前記ライト動作を許容する第３閾値を設定し、
   前記第１セクタの位置決め誤差が前記第３閾値を超過しているか否かを判断し、
   前記第１セクタの位置決め誤差が前記第３閾値を超過している場合に前記ライト動作を停止する、
   請求項６に記載の磁気ディスク装置。
9. 前記第３閾値は、前記トラックピッチ狭窄マージンの半分から前記トラックピッチ狭窄マージンまでの間の大きさである、
   請求項８に記載の磁気ディスク装置。
10. 前記第１閾値は、所定のトラックピッチ狭窄マージンに所定量を加算し、所定のゲインと前記第２セクタの位置決め誤差との積を減算した値である、
    請求項３に記載の磁気ディスク装置。
11. 前記所定量は、前記所定のゲインから１を減算した値と、前記第２閾値との積である、
    請求項１０に記載の磁気ディスク装置。
12. 前記第１閾値は、所定のトラックピッチ狭窄マージンから所定のゲインと前記第２セクタの位置決め誤差との積を減算した値である、
    請求項１に記載の磁気ディスク装置。
13. 前記所定のゲインは、１以上の値である、
    請求項１０又は１２に記載の磁気ディスク装置。

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