CN110600061B - 磁盘装置和写入处理方法 - Google Patents

磁盘装置和写入处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110600061B
CN110600061B CN201811449589.8A CN201811449589A CN110600061B CN 110600061 B CN110600061 B CN 110600061B CN 201811449589 A CN201811449589 A CN 201811449589A CN 110600061 B CN110600061 B CN 110600061B
Authority
CN
China
Prior art keywords
value
track
dol
sum
exceeds
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811449589.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110600061A (zh
Inventor
前东信宏
竹尾昭彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Electronic Devices and Storage Corp filed Critical Toshiba Corp
Publication of CN110600061A publication Critical patent/CN110600061A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110600061B publication Critical patent/CN110600061B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B21/00—Head arrangements not specific to the method of recording or reproducing
    • G11B21/02—Driving or moving of heads
    • G11B21/08—Track changing or selecting during transducing operation
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/012—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic disks
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
    • G11B5/58—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
    • G11B5/596—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following for track following on disks
    • G11B5/59633—Servo formatting
    • G11B5/59672—Servo re-writing, e.g. for the correction of offsets or 'fading' of servo marks
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B21/00—Head arrangements not specific to the method of recording or reproducing
    • G11B21/02—Driving or moving of heads
    • G11B21/08—Track changing or selecting during transducing operation
    • G11B21/081—Access to indexed tracks or parts of continuous track
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B21/00—Head arrangements not specific to the method of recording or reproducing
    • G11B21/02—Driving or moving of heads
    • G11B21/08—Track changing or selecting during transducing operation
    • G11B21/081—Access to indexed tracks or parts of continuous track
    • G11B21/083—Access to indexed tracks or parts of continuous track on discs
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B21/00—Head arrangements not specific to the method of recording or reproducing
    • G11B21/02—Driving or moving of heads
    • G11B21/10—Track finding or aligning by moving the head ; Provisions for maintaining alignment of the head relative to the track during transducing operation, i.e. track following
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
    • G11B5/58—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
    • G11B5/596—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following for track following on disks
    • G11B5/59627—Aligning for runout, eccentricity or offset compensation
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
    • G11B5/58—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
    • G11B5/596—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following for track following on disks
    • G11B5/59694—System adaptation for working during or after external perturbation, e.g. in the presence of a mechanical oscillation caused by a shock

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Digital Magnetic Recording (AREA)
  • Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)

Abstract

本发明的实施方式提供一种能够提高写入处理的性能的磁盘装置和写入处理方法。实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，根据评价值变更第一阈值，所述评价值是表示能够纠正在所述盘的第一磁道中发生了读取错误的错误数据的可能性的值，所述第一阈值是在正对所述第一磁道进行写入的所述头的定位误差超过该第一阈值的情况下中断写入处理的阈值。

Description

磁盘装置和写入处理方法
关联申请
本申请享受以日本专利申请2018-111882号(申请日：2018年6月12日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及磁盘装置和写入处理方法。
背景技术
近年来，开发了用于实现磁盘装置的高记录容量化的各种技术。作为这些技术中的一种，有称为瓦记录方式(Shingled write Magnetic Recording(SMR)或ShingledWrite Recording(SWR))的记录技术。瓦记录方式的磁盘装置在向磁盘写入数据时，与相邻的磁道(以下称为相邻磁道)的一部分重叠地对下一个记录磁道进行写入。在瓦记录方式的磁盘装置中，进行了重叠写入的磁道的宽度与没有进行重叠写入的磁道的宽度相比，可能会变窄。
发明内容
本发明的实施方式提供一种能够提高写入处理的性能的磁盘装置和写入处理方法。
本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，根据评价值变更第一阈值，所述评价值是表示能够纠正在所述盘的第一磁道中发生了读取错误的错误数据的可能性的值，所述第一阈值是在正对所述第一磁道进行写入的所述头的定位误差超过了该第一阈值的情况下中断写入处理的阈值。
附图说明
图1是示出第一实施方式涉及的磁盘装置的结构的框图。
图2是示出写入有数据的瓦记录区域的一例的示意图。
图3是示出第一实施方式涉及的以磁道为单位的纠错方法的一例的示意图。
图4是示出DDOL的一例的示意图。
图5是用于示出第一实施方式涉及的DOL的管理方法的一例的示意图。
图6是示出第一实施方式涉及的写入处理的控制系统的一例的框图。
图7是示出第一实施方式涉及的写入处理方法的一例的流程图。
图8是用于示出变形例1涉及的DOL的管理方法的一例的示意图。
图9是示出变形例1涉及的写入处理方法的一例的流程图。
图10是示出变形例2涉及的写入处理方法的一例的流程图。
图11是用于示出变形例3涉及的DOL的管理方法的一例的示意图。
图12是示出变形例3涉及的写入处理方法的一例的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图说明实施方式。此外，附图为一例，并不限定发明的范围。
(第一实施方式)
图1是示出第一实施方式涉及的磁盘装置1的结构的框图。
磁盘装置1具备后述的头盘组件(HDA)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下，称为头放大器IC或前置放大器)30、易失性存储器70、缓冲存储器(缓冲器)80、非易失性存储器90及作为单芯片的集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(以下仅称为主机)100连接。
HDA具有磁盘(以下称为盘)10、主轴马达(以下称为SPM)12、搭载有头15的臂13及音圈马达(以下称为VCM)14。盘10安装于SPM12，并通过SPM12的驱动而旋转。臂13和VCM14构成致动器。致动器通过VCM14的驱动将搭载于臂13的头15移动控制到盘10上的预定位置。盘10和头15可以设置两个以上的数量。
盘10中，对数据区域分配有瓦记录(Shingled Magnetic Recording：SMR)区域10a和媒体高速缓存(media cache)区域10b。以下，将与盘10的半径方向正交的方向称为圆周方向。此外，盘10中也可以分配有以并非瓦记录方式的通常记录方式写入的用户数据区域、写入系统管理所需的信息的系统区域等。
瓦记录区域10a记录有从主机100请求写入的用户数据等。媒体高速缓存区域10b能够作为瓦记录区域10a的高速缓存而被利用。在瓦记录区域10a中，对接下来将写入的磁道进行与当前进行了写入的磁道的一部分重叠的重叠写入。因此，瓦记录区域10a的磁道密度(Track Per Inch：TPI)比以没有被重叠写入的通常记录方式写入了数据的区域的磁道密度高。在瓦记录区域10a中，分别包含进行了重叠写入的多个磁道的多个磁道组相互隔开间隔(间隙)地配置。以下，将包含进行了重叠写入的多个磁道的磁道组称为带区域。带区域包含进行了与在半径方向上相邻的磁道(以下称为相邻磁道)的一部分重叠的重叠写入的至少一个磁道、和最后进行了重叠写入的磁道(最终磁道)。由于最终磁道没有被重叠写入有其他磁道，所以磁道宽度比一部分被重叠写入有其他磁道的磁道宽。以下，将在盘10中进行了写入的磁道称为写入磁道。将除去了被重叠写入有相邻磁道的区域的、剩余的写入磁道的区域称为读取磁道。另外，有时将写入磁道仅称为磁道，有时将读取磁道仅称为磁道，有时将写入磁道和读取磁道仅称为磁道。磁道包含多个扇区。例如，多个扇区分别包含纠错码(Error Correction Code)。纠错码例如包含LDPC(Low Density Parity Check：低密度校验码)码等。此外，“磁道”在沿盘10的圆周方向延长的数据、沿盘10的圆周方向延长的区域、头15的轨迹或路径(工作路径)或其他各种含义下使用。“扇区”在写入到磁道的预定区域例如扇区的数据、磁道的预定区域或其他各种含义下使用。另外，有时将写入磁道的半径方向上的宽度称为写入磁道宽度，将读取磁道的半径方向上的宽度称为读取磁道宽度。有时将写入磁道宽度仅称为磁道宽度，有时将读取磁道宽度仅称为磁道宽度，有时将写入磁道宽度和读取磁道宽度仅称为磁道宽度。
图2是示出写入有数据的瓦记录区域10a的一例的示意图。在图2中，纵轴示出盘10的半径方向，横轴示出盘10的圆周方向。在半径方向上，将朝向盘10的中心的方向称为内方向(内侧)ID，将内方向的相反方向称为外方向(外侧)OD。另外，在半径方向上，将写入和读取数据的方向称为正向。在图2所示的例子中，正向(顺方向)是与内方向ID相同的方向。此外，正向也可以是与外方向OD相同的方向。在圆周方向上，将一个方向设为右方向，将右方向的相反方向设为左方向。另外，在圆周方向上，将写入和读取数据的方向称为行进方向。例如，行进方向是盘10的旋转方向的相反方向。在图2所示的例子中，行进方向是与右方向相同的方向。此外，行进方向也可以是与左方向相同的方向。
在图2所示的例子中，瓦记录区域10a包含带区域TGn。在图2中，为了便于说明，带区域TGn中的各磁道呈直线状延长。实际上，带区域TGn中的各磁道是沿着盘10的形状弯曲的同心圆状。也就是说，实际上，带区域TGn中的各磁道的左方向的端部和右方向的端部一致。另外，带区域TGn中的各磁道实际上会产生由干扰、其他构造等的影响导致的偏移等。此外，瓦记录区域10a也可以包含两个以上的带区域。
在图2所示的例子中，带区域TGn包含写入磁道WTn、WTn+1、WTn+2、WTn+3以及WTn+4。写入磁道WTn和WTn+1相互一部分重叠。写入磁道WTn+1和WTn+2相互一部分重叠。写入磁道WTn+2和WTn+3相互一部分重叠。写入磁道WTn+3和WTn+4相互一部分重叠。在带区域TGn中，写入磁道WTn至WTn+4在半径方向上按该顺序被重叠写入。此外，带区域TGn设为包含5个磁道，但也可以包含比5少的数量的磁道，也可以包含比5多的数量的磁道。
写入磁道WTn具有磁道边缘EnA和磁道边缘EnB。在图2所示的例子中，磁道边缘EnA是写入磁道WTn的外方向OD的端部，磁道边缘EnB是写入磁道WTn的内方向ID(正向)的端部。写入磁道WTn+1具有磁道边缘En+1A和磁道边缘En+1B。在图2所示的例子中，磁道边缘En+1A是写入磁道WTn+1的外方向OD的端部，磁道边缘En+1B是写入磁道WTn+1的内方向ID(正向)的端部。写入磁道WTn+2具有磁道边缘En+2A和磁道边缘En+2B。在图2所示的例子中，磁道边缘En+2A是写入磁道WTn+2的外方向OD的端部，磁道边缘En+2B是写入磁道WTn+2的内方向ID(正向)的端部。写入磁道WTn+3具有磁道边缘En+3A和磁道边缘En+3B。在图2所示的例子中，磁道边缘En+3A是写入磁道WTn+3的外方向OD的端部，磁道边缘En+3B是写入磁道WTn+3的内方向ID(正向)的端部。写入磁道(最终磁道)WTn+4具有磁道边缘En+4A和磁道边缘En+4B。在图2所示的例子中，磁道边缘En+4A是写入磁道WTn+4的外方向OD的端部，磁道边缘En+4B是写入磁道WTn+4的内方向ID(正向)的端部。
写入磁道WTn的写入磁道宽度WWn是磁道边缘EnA与EnB之间的半径方向上的长度。写入磁道WTn+1的写入磁道宽度WWn+1是磁道边缘En+1A与En+1B之间的半径方向上的长度。写入磁道WTn+2的写入磁道宽度WWn+2是磁道边缘En+2A与En+2B之间的半径方向上的长度。写入磁道WTn+3的写入磁道宽度WWn+3是磁道边缘En+3A与En+3B之间的半径方向上的长度。写入磁道WTn+4的写入磁道宽度WWn+4是磁道边缘En+4A与En+4B之间的半径方向上的长度。写入磁道宽度WWn至WWn+4例如相同。此外，写入磁道宽度WWn至WWn+4也可以不同。
读取磁道RTn是除去了被重叠写入有写入磁道WTn+1的写入磁道WTn的一部分得到的剩余区域。读取磁道RTn+1是除去被重叠写入有写入磁道WTn+2的写入磁道WTn+1的一部分得到的剩余区域。读取磁道RTn+2是除去被重叠写入有写入磁道WTn+3的写入磁道WTn+2的一部分得到的剩余区域。读取磁道RTn+3是除去被重叠写入有写入磁道WTn+4的写入磁道WTn+3的一部分得到的剩余区域。读取磁道RTn+4与写入磁道WTn+4对应。读取磁道RTn+4相当于带区域TGn中的最终磁道。
读取磁道RTn的读取磁道宽度RWn是磁道边缘EnA与En+1A之间的半径方向上的长度。读取磁道RTn+1的读取磁道宽度RWn+1是磁道边缘En+1A与En+2A之间的半径方向上的长度。读取磁道RTn+2的读取磁道宽度RWn+2是磁道边缘En+2A与En+3A之间的半径方向上的长度。读取磁道RTn+3的读取磁道宽度RWn+3是磁道边缘En+3A与En+4A之间的半径方向上的长度。读取磁道RTn+4的读取磁道宽度RWn+4是磁道边缘En+4A与En+4B之间的半径方向上的长度。也就是说，读取磁道宽度RWn+4与写入磁道宽度WWn+4相同。
头15以滑块为本体，具备安装于该滑块的写入头15W和读取头15R。写入头15W在盘10上写入数据。读取头15R读取记录于盘10的数据。此外，有时将写入头15W仅称为头15，有时将读取头15R仅称为头15，有时将写入头15W和读取头15R仅称为头15。
驱动器IC20按照系统控制器130(详细而言为后述的MPU60)的控制，控制SPM12和VCM14的驱动。
头放大器IC(前置放大器)30具备读取放大器和写入驱动器。读取放大器将从盘10读取的读取信号放大，并向系统控制器130(详细而言为后述的读/写(R/W)通道40)输出。写入驱动器向头15输出与从R/W通道40输出的信号相应的写入电流。
易失性存储器70是当切断电力供给时所保存的数据会丢失的半导体存储器。易失性存储器70存储磁盘装置1的各部中的处理所需的数据等。易失性存储器70例如是DRAM(Dynamic Random Access Memory：动态随机存取存储器)或SDRAM(Synchronous DynamicRandom Access Memory：同步动态存储器)。
缓冲存储器80是暂时记录在磁盘装置1与主机100之间收发的数据等的半导体存储器。此外，缓冲存储器80可以与易失性存储器70一体地构成。缓冲存储器80例如是DRAM、SRAM(Static Random Access Memory：静态随机存取存储器)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric Random Access memory：铁电随机存取存储器)或MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory：磁阻式随机存取记忆体)等。
非易失性存储器90是记录即使切断电力供给也会记录所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器90例如是NOR型或NAND型的闪存ROM(Flash Read Only Memory：FROM，闪存只读存储器)。
系统控制器(控制器)130例如使用多个元件集成于单一芯片而成的被称为System-on-a-Chip(SoC：片上系统)的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器130包含读/写(R/W)通道40、硬盘控制器(HDC)50以及微处理器(MPU)60等。系统控制器130例如与驱动器IC20、头放大器IC30、易失性存储器70、缓冲存储器80、非易失性存储器90以及主机系统100等电连接。
R/W通道40响应于来自后述的MPU60的指示，执行从盘10向主机100传送的读取数据和从主机100传送的写入数据的信号处理。R/W通道40具有测定读取数据的信号质量的电路或功能。R/W通道40例如与头放大器IC30、HDC50以及MPU60等电连接。
HDC50响应于来自后述的MPU60的指示，控制主机100与R/W通道40之间的数据传送。HDC50例如与R/W通道40、MPU60、易失性存储器70、缓冲存储器80以及非易失性存储器90等电连接。
MPU60是控制磁盘装置1的各部的主控制器。MPU60经由驱动器IC20控制VCM14，执行进行头15的定位的伺服控制。MPU60控制向盘10的数据的写入工作，并且选择写入数据的保存目的地。另外，MPU60控制从盘10读取数据的读取工作，并且控制读取数据的处理。MPU60与磁盘装置1的各部连接。MPU60例如与驱动器IC20、R/W通道40以及HDC50等电连接。
MPU60具备读/写控制部61、奇偶校验数据管理部62、纠错部63以及DOL(Drift-OffLevel)管理部64。MPU60在固件上执行这些各部例如读/写控制部61、奇偶校验数据管理部62、纠错部63以及DOL管理部64等的处理。此外，MPU60也可以将这些各部作为电路而具备。另外，奇偶校验数据管理部62和纠错部63也可以由R/W通道40所具备。
读/写控制部61按照来自主机100的命令，控制数据的读取处理和写入处理。读/写控制部61经由驱动器IC20控制VCM14，将头15定位在盘10上的预定位置，读取或写入数据。例如，读/写控制部61在盘10上将头15寻道至预定的圆周方向上的位置(以下称为圆周位置)的预定的半径方向上的位置(以下称为半径位置)。读/写控制部61将头15定位在作为目标的预定的半径位置(以下称为目标位置)，在预定扇区写入数据或从预定扇区读取数据。读/写控制部61将头15分别定位在与盘10呈同心圆状排列的多个圆周位置所分别所对应的多个目标位置并对预定磁道进行写入。以下，将用预定磁道的各圆周位置中的各目标位置表示的头15的路径称为目标路径。在执行瓦记录的情况下，读/写控制部61从预定带区域的预定扇区起按顺序地(sequential)写入数据。在对预定带区域进行读取的情况下，读/写控制部61从该带区域的预定扇区起按顺序地读取数据。以下，有时将“将头15(写入头15W或读取头15R)的中心部定位或配置在预定位置”仅表达为“将头15(写入头15W或读取头15R)定位或配置在预定位置”。此外，读/写控制部61也可以不用瓦记录方式而用通常记录方式写入数据。
读/写控制部61基于目标位置与头15的实际的半径位置(以下，称为实际位置)的误差(以下，称为偏移量或定位误差)控制写入处理。例如，读/写控制部61基于前一个进行了写入的磁道(以下，称为之前的磁道)所对应的偏移量(以下，称为之前的偏移量)，取得当前将写入的磁道(以下，称为当前的磁道)所对应的偏移量的阈值(以下，称为DOL(Drift-Off Level))。在当前的磁道所对应的偏移量(以下，称为当前的偏移量)超过了DOL的情况下，读/写控制部61禁止(或中断)写入处理。这样，有时将基于之前的偏移量和当前的偏移量控制写入处理的功能称为DDOL(Dynamic Drift-Off Level)功能或DDOL。
奇偶校验数据管理部62管理通过异或(Exclusive OR：XOR)运算取得的XOR运算值(以下，称为奇偶校验数据或运算值)。例如，奇偶校验数据管理部62对从主机100传送的数据或从盘10读取的数据执行XOR运算，作为XOR运算的结果而取得奇偶校验数据。奇偶校验数据管理部62经由读/写控制部61，将奇偶校验数据写入到盘10的预定磁道的预定扇区。以下，将写入奇偶校验数据的扇区称为奇偶校验扇区。在一例中，奇偶校验数据管理部62对从预定磁道读取的或写入预定磁道的全部扇区的数据执行XOR运算，将作为对全部扇区的数据进行的XOR运算的结果而取得的奇偶校验数据写入该磁道的奇偶校验扇区。奇偶校验数据管理部62将与盘10的各磁道对应的各奇偶校验数据写入与各磁道对应的各奇偶校验扇区。此外，奇偶校验数据管理部62也可以用表格等管理奇偶校验数据是有效还是无效。另外，也可以是，奇偶校验数据管理部62对预定磁道的全部扇区中的每几个扇区的数据执行XOR运算，将作为对几个扇区的数据进行的XOR运算的结果而取得的奇偶校验数据记录于存储器，例如瓦记录区域10a、媒体高速缓存区域10b、易失性存储器70或缓冲存储器80。
纠错部63检测写入到无法读取的或即使读取预定次数以上也无法读取的扇区(以下，称为读取错误扇区)的数据(以下，称为读取错误数据)，对检测出的读取错误数据进行纠正(以下，称为纠错或纠正)。纠错部63例如以磁道为单位执行纠错。在预定磁道检测出读取错误扇区的情况下，纠错部63基于与该磁道对应的奇偶校验数据，对写入到所检测出的读取错误扇区中的读取错误数据进行纠正。在一例中，纠错部63能够基于与预定磁道对应的奇偶校验数据，对分别写入到该磁道的全部扇区中的两个读取错误扇区中的读取错误数据进行纠正。此外，纠错部63既能够基于与预定磁道对应的奇偶校验数据仅对一个读取错误数据进行纠正，也能够对三个以上的读取错误数据进行纠正。此外，纠错部63也可以基于纠错码进行纠错。
图3是示出本实施方式涉及的以磁道为单位的纠错的方法的一例的示意图。
在图3中示出磁道Trk。磁道Trk既可以是预定带区域的一个写入磁道或读取磁道，也可以是以通常记录方式进行了写入的磁道。在图3中，磁道Trk是与盘10同心的圆形，但也可以是圆形以外的形状。磁道Trk包含扇区Sk0、Sk1、Sk2、Sk3、Sk4、Sk5、Sk6、Sk7、Sk8、Sk9、Sk10、Sk11、Sk12、Sk13、Sk14和奇偶校验扇区PSk。此外，磁道Trk既可以进一步包含其他扇区，也可以不包含扇区Sk0至Sk14中的几个扇区。在图3中，扇区Sk10是读取错误扇区。
读/写控制部61例如在磁道Trk中最初向扇区Sk0写入用户数据。读/写控制部61沿着行进方向从扇区Sk0到扇区Sk14写入用户数据。
奇偶校验数据管理部62对与扇区Sk0至Sk14分别对应的多个用户数据执行XOR运算，作为对与扇区Sk0至Sk14分别对应的多个用户数据执行的XOR运算的结果而取得奇偶校验数据。
读/写控制部61向奇偶校验扇区PSk写入与扇区Sk0至Sk14所分别对应的多个数据对应的奇偶校验数据，所述奇偶校验扇区PSk是在磁道Trk中位于最后写入了用户数据的扇区Sk14的行进方向上的下一个(相邻的)位置的扇区。
读/写控制部61沿着行进方向从扇区Sk0到扇区Sk14读取数据。
纠错部63检测无法读取的读取错误扇区Sk10的读取错误数据，基于写入到奇偶校验扇区PSk中的奇偶校验数据，对写入到读取错误扇区Sk10中的读取错误数据进行纠正。
DOL管理部64管理与预定磁道的DOL对应的多个偏移量的值(以下，称为DOL设定值)、在当前的磁道(或相邻磁道)中基于奇偶校验数据、纠错码等能够纠正读取错误数据的可能性所对应的指标(以下，称为纠错指标或评价值)等。在此，纠错指标包含偏移量超过了DOL或多个DOL设定值中的一个DOL设定值的量(以下，称为超过量)的总和(以下，仅称为总和)、次数(以下，称为超过次数)等。在向预定磁道写入数据的情况下，DOL管理部64基于之前的偏移量、纠错指标，生成与预定磁道对应的多个DOL设定值。此外，DOL管理部64既可以基于之前的偏移量调整预先设定的多个DOL设定值，也可以预先具有多个DOL设定值。在向预定磁道写入数据的情况下，DOL管理部64基于之前的偏移量、纠错指标，将多个DOL设定值中的一个DOL设定值设定为DOL。在正对预定磁道写入数据的情况下，DOL管理部64基于纠错指标变更DOL。在偏移量超过了DOL的情况下，DOL管理部64经由读/写控制部61禁止(或中断)写入处理。
在判定为纠错指标例如总和以及超过次数比预定阈值小的情况下，DOL管理部64判定为基于奇偶校验数据、纠错码能够纠正读取错误数据的可能性大或能够纠正读取错误数据，将与该磁道对应的多个DOL设定值中的绝对值最大的DOL设定值(以下，称为最大设定值)设定为DOL。换句话说，在判定为总和比预定阈值(以下，称为总和阈值)小且超过次数比预定阈值(以下，称为超过次数的阈值)小的情况下，DOL管理部64将最大设定值设定为DOL。
在判定为纠错指标例如总和及超过次数中的至少一方比预定阈值大的情况下，DOL管理部64判定为基于奇偶校验数据、纠错码能够纠正读取错误数据的可能性小或不能纠正读取错误数据，将DOL从最大设定值变更为与预定磁道对应的多个DOL设定值中的绝对值比最大设定值小的预定DOL设定值。换句话说，在判定为总和比总和阈值大的情况下，DOL管理部64将DOL从最大设定值变更为比最大设定值小的预定DOL设定值。在判定为超过次数比超过次数的阈值大的情况下，DOL管理部64将DOL从最大设定值变更为比最大设定值小的预定DOL设定值。在判定为总和比总和阈值大且超过次数比超过次数的阈值大的情况下，DOL管理部64将DOL从最大设定值变更为比最大设定值小的预定DOL设定值。
在一例中，在预定磁道中，预定的偏移量超过了多个DOL设定值中的绝对值最小的DOL设定值(以下，称为最小设定值)的量的总和(以下，有时称为最小超过量的总和)、以及预定的偏移量超过了最小设定值的超过次数(以下，有时称为最小超过次数)比预定阈值小的情况下，DOL管理部64将该磁道的DOL设定为最大设定值。换句话说，在预定磁道中，最小超过量的总和比总和阈值小且最小超过次数比超过次数的阈值小的情况下，DOL管理部64将该磁道的DOL设定为最大设定值。另外，在预定磁道中，最小超过量的总和以及最小超过次数中的至少一方比预定阈值大的情况下，DOL管理部64将与该磁道对应的DOL从最大设定值变更为最小设定值。换句话说，在预定磁道中，最小超过量的总和比总和阈值大的情况下，DOL管理部64将与该磁道对应的DOL从最大设定值变更为最小设定值。在预定磁道中，最小超过次数比超过次数的阈值大的情况下，DOL管理部64将与该磁道对应的DOL从最大设定值变更为最小设定值。在预定磁道中，最小超过量的总和比总和阈值大且最小超过次数比超过次数的阈值大的情况下，DOL管理部64将与该磁道对应的DOL从最大设定值变更为最小设定值。
此外，也可以是，每当在预定磁道中总和及超过次数中的至少一方超过预定值时，DOL管理部64阶梯地减小DOL。换句话说，每当在预定磁道中总和超过比总和阈值小的预定值(以下，称为总和的DOL变更值)时，DOL管理部64阶梯地减小DOL。总和的DOL变更值例如包含多个值。在总和超过了总和阈值的情况下，DOL管理部64将最小设定值设定为DOL。每当在预定磁道中超过次数超过比超过次数的阈值小的预定值(以下，称为超过次数的DOL变更值)时，DOL管理部64阶梯地减小DOL。超过次数的DOL变更值例如包含多个值。在超过次数超过了超过次数的阈值的情况下，DOL管理部64将最小设定值设定为DOL。每当在预定磁道中总和超过总和的DOL变更值且超过次数超过了超过次数的DOL变更值时，DOL管理部64阶梯地减小DOL。
图4是示出DDOL的一例的示意图。
在图4所示的例子中，带区域TGm示出写入磁道WTm、写入磁道WTm+1以及写入磁道WTm+2。在带区域TGm中，写入磁道WTm至WTm+2在正向上按该顺序被重叠写入。在图4中示出写入磁道WTm中的目标路径TWTm和用各圆周位置中的各实际位置表示的头15的路径(以下，称为实际路径)SWTm。将头15定位在实际路径SWTm，并对写入磁道WTm进行写入。写入磁道WTm具有磁道边缘EmA。磁道边缘EmA是写入磁道WTm的外方向OD的端部。在图4中示出写入磁道WTm+1中的目标路径TWTm+1和实际路径SWTm+1。将头15定位在实际路径SWTm+1，并对写入磁道WTm+1进行写入。写入磁道WTm+1具有磁道边缘Em+1A。磁道边缘Em+1A是写入磁道WTm+1的外方向OD的端部。读取磁道RTm配置在磁道边缘EmA与Em+1A之间。在图4中示出写入磁道WTm+2中的目标路径TWTm+2和实际路径SWTm+2。将头15定位在实际路径SWTm+2，并对写入磁道WTm+2进行写入。写入磁道WTm+2具有磁道边缘Em+2A。磁道边缘Em+2A是写入磁道WTm+1的外方向OD的端部。读取磁道RTm+1配置在磁道边缘Em+1A与Em+2A之间。读取磁道宽度RWc是圆周位置P0处的读取磁道RTm+1的半径方向上的长度。读取磁道宽度RWc例如是能够对读取磁道RTm+1进行读取的读取磁道宽度的下限值。在图4中，目标路径TWTm、TWTm+1以及TWTm+2例如是与盘10同心圆状的路径。
读/写控制部61以追随目标路径TWTm的方式对头15例如写入头15W进行定位并对写入磁道WTm进行写入。实际上，在对写入磁道WTm进行写入的情况下，写入头15W在实际路径SWTm上行进。因此，读/写控制部61基于实际路径SWTm，对写入磁道WTm进行写入。
读/写控制部61以追随目标路径TWTm+1的方式对写入头15W进行定位并对写入磁道WTm+1进行写入。实际上，在对写入磁道WTm+1进行写入的情况下，写入头15W在实际路径SWTm+1上行进。因此，读/写控制部61基于实际路径SWTm+1，对写入磁道WTm+1进行写入。在对写入磁道WTm+1进行写入时，读/写控制部61在圆周位置P0向正向以偏移量Dm+1偏移并写入。
读/写控制部61以追随目标路径TWTm+2的方式对头15例如写入头15W进行定位并对写入磁道WTm+2进行写入。实际上，在对写入磁道WTm+2进行写入的情况下，写入头15W在实际路径SWTm+2上行进。因此，读/写控制部61基于实际路径SWTm+2，对写入磁道WTm+2进行写入。在对写入磁道WTm+2进行写入时，读/写控制部61在圆周位置P0向正向的相反方向(外方向)以偏移量Dm+2偏移并写入。DOL管理部64例如基于写入磁道WTm+1的圆周位置P0的偏移量Dm+1、纠错指标，设定写入磁道WTm+2的圆周位置P0的DOL。在偏移量Dm+2超过写入磁道WTm+2的圆周位置P0的DOL的情况下，DOL管理部64中断写入处理。
图5是用于示出本实施方式涉及的DOL的管理方法的一例的示意图。
在图5中示出图3所示的磁道Trk的一部分。在图5中，示出磁道Trk中的目标路径TWTk和实际路径SWTk。目标路径TWTk例如是与盘10同心圆状的路径。在图5中，将相对于目标路径TWTk向外方向的偏移量设为正的值，将相对于目标路径TWTk向内方向的偏移量设为负的值。此外，也可以将相对于目标路径TWTk向外方向的偏移量设为负的值，将相对于目标路径TWTk向内方向的偏移量设为正的值。
另外，在图5中示出最小设定值DP1和DM1、最大设定值DP2和DM2。最大设定值DP2和DM2例如在判定为纠错指标比预定阈值小的情况下被设定为DOL。最小设定值DP1和DM1例如在判定为纠错指标比预定阈值大的情况下被设定为DOL。最小设定值DP1和最大设定值DP2相对于目标路径TWTk位于外方向。以下，将最小设定值DP1称为外侧的最小设定值DP1，将最大设定值DP2称为外侧的最大设定值DP2。最小设定值DM1和最大设定值DM2相对于目标路径TWTk位于内方向。以下，将最小设定值DM1称为内侧的最小设定值DM1，将最大设定值DM2称为内侧的最大设定值DM2。此外，也可以在最小设定值DP1和DM1与最大设定值DP2和DM2之间设定其他DOL设定值。
在图5所示的例子中，外侧的最小设定值DP1和内侧的最小设定值DM1为相同的形状。外侧的最小设定值DP1和内侧的最小设定值DM1例如一边在半径方向上以相同的间隔分离一边在圆周方向上延伸。在图5所示的例子中，外侧的最大设定值DP2和内侧的最大设定值DM2在圆周方向上为相同的形状。外侧的最大设定值DP2和内侧的最大设定值DM2例如一边在半径方向上以相同的间隔分离一边在圆周方向上延伸。外侧的最大设定值DP2和外侧的最小设定值DP1例如一边在半径方向上以相同的间隔分离一边在圆周方向上延伸。内侧的最大设定值DM2和内侧的最小设定值DM1例如一边在半径方向上以相同的间隔分离一边在圆周方向上延伸。此外，外侧的最小设定值DP1和内侧的最小设定值DM1也可以一边在半径方向上以不同的间隔分离一边在圆周方向上延伸。外侧的最大设定值DP2和内侧的最大设定值DM2也可以一边在半径方向上以不同的间隔分离一边在圆周方向上延伸。外侧的最大设定值DP2和外侧的最小设定值DP1也可以一边在半径方向上以不同的间隔分离一边在圆周方向上延伸。内侧的最大设定值DM2和内侧的最小设定值DM1也可以一边在半径方向上以不同的间隔分离一边在圆周方向上延伸。
在图5中示出扇区Sk0至Sk7(写入至扇区Sk0至Sk7的数据)。扇区Sk0至Sk7(写入至扇区Sk0至Sk7的数据)的中心部位于实际路径SWTk上。扇区Sk1从外侧的最小设定值DP1向外方向以超过量EAk1偏移。扇区Sk4从内侧的最小设定值DM1向内方向以超过量EAk4偏移。
读/写控制部61以追随目标路径TWTk的方式对头15例如写入头15W进行定位并对磁道Trk进行写入。实际上，在对磁道Trk进行写入的情况下，写入头15W在实际路径SWTk上行进。因此，读/写控制部61基于实际路径SWTk对磁道Trk进行写入。
在开始了磁道Trk的写入处理的情况下，DOL管理部64将与之前的磁道对应的总和及超过次数初始化，例如设为0。另外，DOL管理部64将与磁道Trk之前的磁道对应的总和阈值、超过次数的阈值以及DOL等变更为与磁道Trk对应的总和阈值、超过次数的阈值以及DOL等。例如，DOL管理部64基于磁道Trk之前的磁道的偏移量、纠错指标，将最大设定值DP2和DM2设定为DOL。在向扇区Sk1写入数据时，DOL管理部64检测出头15比外侧的最小设定值DP1向外方向偏移了这一情况。换句话说，在向扇区Sk1写入数据时，DOL管理部64检测出偏移量超过了外侧的最小设定值DP1这一情况。在扇区Sk1中检测出偏移量超过了外侧的最小设定值DP1的情况下，DOL管理部64取得扇区Sk1的超过量EAk1，将超过量EAk1与总和(0)相加。另外，在检测出偏移量超过了外侧的最小设定值DP1的情况下，DOL管理部64使超过次数增加例如增加1。DOL管理部64判定总和(最小超过量的总和)是否超过总和阈值。另外，DOL管理部64判定超过次数(最小超过次数)是否超过了超过次数的阈值。在判定为总和没有超过总和阈值且超过次数没有超过超过次数的阈值的情况下，DOL管理部64不变更DOL。
在向扇区Sk4写入数据时，DOL管理部64检测出头15比内侧的最小设定值DM1向内方向偏移了这一情况。换句话说，在向扇区Sk4写入数据时，DOL管理部64检测出偏移量超过了内侧的最小设定值DM1这一情况。在扇区Sk4中检测出偏移量超过了内侧的最小设定值DM1的情况下，DOL管理部64取得扇区Sk4的超过量EAk4，将超过量EAk4与总和(EAk1)相加。另外，在检测出偏移量超过了内侧的最小设定值DM1的情况下，DOL管理部64使超过次数增加例如增加1。DOL管理部64判定总和(EAk1+EAk4)是否超过总和阈值。另外，DOL管理部64判定超过次数是否超过了超过次数的阈值。在判定为总和及超过次数中的至少一方超过阈值(总和阈值和超过次数的阈值)的情况下，DOL管理部64将DOL从最大设定值DP2和DM2变更为最小设定值DP1和DM1。也就是说，在判定为总和超过总和阈值的情况下，DOL管理部64将DOL从最大设定值DP2和DM2变更为最小设定值DP1和DM1。在判定为超过次数超过了超过次数的阈值的情况下，DOL管理部64将DOL从最大设定值DP2和DM2变更为最小设定值DP1和DM1。在判定为总和超过总和阈值且超过次数超过了超过次数的阈值的情况下，DOL管理部64将DOL从最大设定值DP2和DM2变更为最小设定值DP1和DM1。
图6是示出本实施方式涉及的写入处理的控制系统的一例的框图。
磁盘装置1具有写入处理时的头15的控制系统(以下，称为写入控制系统)WSY。写入控制系统WSY包含VCM14、头15、驱动器IC20、头放大器IC30、R/W通道40、HDC50、MPU60以及易失性存储器70。此外，写入控制系统WSY也可以包含缓冲器80或非易失性存储器90。R/W通道40具有解调电路41。此外，R/W通道40也可以具有调制电路。易失性存储器70具有展开区域DA。此外，在写入控制系统WSY包含缓冲器80或非易失性存储器90的情况下，缓冲器80或非易失性存储器90可以具有展开区域DA。写入控制系统WSY例如由MPU60控制。在图6中，使用图5图示的例子说明写入控制系统的处理。
在图6所示的例子中，在对当前的磁道例如磁道Trk进行写入的情况下，写入控制系统WSY将与磁道Trk对应的磁道编号、总和、超过次数、DOL设定值、DOL等信息(以下，称为写入控制信息)记录于易失性存储器70的展开区域DA。在向扇区Sk4写入数据的情况下，写入控制系统WSY从头15向头放大器IC30输入与半径位置关联的信息(以下，称为半径位置信息)例如伺服信号。写入控制系统WSY从头放大器IC30向R/W通道40的解调电路41输入半径位置信息。写入控制系统WSY在解调电路41中基于半径位置信息算出偏移量。
写入控制系统WSY在HDC50或MPU60中判定偏移量是否超过预定DOL设定值例如最小设定值DP1和DM1。在判定为超过最小设定值DP1和DM1的情况下，写入控制系统WSY在HDC50或MPU60中基于最小设定值DP1和DM1以及偏移量算出超过量EAk4，将算出的超过量EAk4与总和EAk1相加。写入控制系统WSY将算出的总和(EAk1+EAk4)记录于展开区域DA。写入控制系统WSY在HDC50或MPU60中使超过次数1增加并设为2。写入控制系统WSY将算出的超过次数2记录于展开区域DA。写入控制系统WSY判定总和(EAk1+EAk4)是否超过总和阈值，并判定超过次数2是否超过超过次数的阈值。在判定为总和(EAk1+EAk4)以及超过次数2中的至少一方超过阈值(总和阈值和超过次数的阈值)的情况下，写入控制系统WSY将DOL从最大设定值DP2和DM2变更为最小设定值DP1和DM1，并将变更后的DOL(DP1和DM1)记录于展开区域DA。
另外，在向扇区Sk4写入了数据之后，写入控制系统WSY判定偏移量是否超过DOL(DP1和DM1)。在判定为偏移量超过DOL(DP1和DM1)的情况下，写入控制系统WSY经由头放大器IC30、R/W通道40、HDC50以及MPU60中断写入处理。另外，在判定为偏移量超过DOL的情况下，写入控制系统WSY经由VCM14、驱动器IC20以及MPU60中断写入处理，并将头15移动到例如不超过DOL的半径位置。在中断写入处理后将头15移动到不超过DOL的半径位置的情况下，写入控制系统WSY再次开始写入处理。
在磁道Trk的写入处理完成后对在磁道Trk的正向上相邻的下一个磁道进行写入的情况下，写入控制系统WSY将记录于展开区域DA的与磁道Trk对应的写入控制信息变更为与下一个磁道对应的写入控制信息。例如，写入控制系统WSY从与磁道Trk对应的磁道编号Trk变更为与下一个磁道对应的磁道编号，将总和及超过次数设为0，将与磁道Trk对应的多个DOL设定值和DOL变更为与下一个磁道对应的多个DOL设定值和DOL。
图7是示出本实施方式涉及的写入处理方法的一例的流程图。
在开始了预定磁道的写入处理的情况下，MPU60将与之前的磁道对应的总和及超过次数初始化(B701)。例如，MPU60将与之前的磁道对应的总和及超过次数设为0。MPU60设定DOL(B702)。例如，MPU60基于之前的偏移量和纠错指标，生成与预定磁道对应的多个DOL设定值，并将多个DOL设定值中的最大设定值设定为DOL。MPU60将数据写入预定磁道的预定扇区(B703)，并判定偏移量是否超过预定DOL设定值(B704)。例如，MPU60判定偏移量是否超过最小设定值。在判定为没有超过预定DOL设定值的情况下(B704为否)，MPU60进入B708的处理。在判定为超过预定DOL设定值的情况下(B704为是)，MPU60算出超过量(B705)。MPU60基于超过量算出总和，并使超过次数增加(B706)。MPU60判定总和及超过次数中的至少一方是否超过阈值(总和阈值和超过次数的阈值)(B707)。在判定为总和及超过次数中的至少一方没有超过阈值的情况下(B707为否)，MPU60进入B709的处理。在判定为总和及超过次数中的至少一方超过阈值的情况下(B707为是)，MPU60变更DOL(B708)。例如，MPU60将DOL从最大设定值变更为最小设定值。MPU60判定是否是预定磁道的最后的扇区(B709)。在判定为不是最后的扇区的情况下(B709为否)，MPU60进入B702的处理。在判定为是最后的扇区的情况下(B709为是)，MPU60结束处理。
根据本实施方式，磁盘装置1基于之前的偏移量和纠错指标，将与当前的磁道对应的多个DOL设定值中的一个DOL设定值例如最大设定值设定为DOL。在由于总和及超过次数中的至少一方超过了阈值(总和阈值和超过次数的阈值)所以判定为基于奇偶校验数据、纠错码能够纠正读取错误数据的可能性小或不能纠正读取错误数据的情况下，磁盘装置1将DOL从最大设定值变更为比最大设定值小的DOL设定值例如最小设定值。也就是说，磁盘装置1能够在通过DDOL向预定磁道写入数据的中途变更DOL。因此，磁盘装置1能够提高写入处理的性能。另外，磁盘装置1能够提高读取处理的性能。
接着，说明变形例涉及的磁盘装置。在变形例中，向与上述实施方式相同的部分赋予同一参照标号并省略其详细说明。
(变形例1)
变形例1的磁盘装置1的DOL的管理方法与第一实施方式的磁盘装置1不同。
图8是用于示出变形例1涉及的DOL的管理方法的一例的示意图。
在图8中示出DOL设定值DP3和DM3。例如，在偏移量超过了最大设定值DP2的情况下或者总和及超过次数中的至少一方超过预定值(总和的DOL变更值和超过次数的DOL变更值)的情况下，DOL设定值DP3和DM3被设定为DOL。DOL设定值DP3相对于目标路径TWTk位于外方向。以下，将DOP设定值DP3称为外侧的DOL设定值DP3。DOL设定值DM3相对于目标路径TWTk位于内方向。以下，将DOL设定值DM3称为内侧的DOL设定值DM3。此外，也可以在外侧的最小设定值DP1与外侧的DOL设定值DP3之间设定其他DOL设定值，也可以在外侧的最大设定值DP2与外侧的DOL设定值DP3之间设定其他DOL设定值。另外，也可以在内侧的最小设定值DM1与内侧的DOL设定值DM3之间设定其他DOL设定值，也可以在内侧的最大设定值DM2与内侧的DOL设定值DM3之间设定其他DOL设定值。
外侧的DOL设定值DP3和内侧的DOL设定值DM3是相同的形状。外侧的DOL设定值DP3和内侧的DOL设定值DM3例如一边在半径方向上以相同的间隔分离一边在圆周方向上延伸。外侧的最小设定值DP1和外侧的DOL设定值DP3例如一边在半径方向上以相同的间隔分离一边在圆周方向上延伸。外侧的最大设定值DP2和外侧的DOL设定值DP3例如一边在半径方向上以相同的间隔分离一边在圆周方向上延伸。内侧的最小设定值DM1和内侧的DOL设定值DM3例如一边在半径方向上以相同的间隔分离一边在圆周方向上延伸。内侧的最大设定值DM2和内侧的DOL设定值DM3例如一边在半径方向上以相同的间隔分离一边在圆周方向上延伸。此外，外侧的DOL设定值DP3和内侧的DOL设定值DM3例如一边在半径方向上以不同的间隔分离一边在圆周方向上延伸。外侧的最小设定值DP1和外侧的DOL设定值DP3例如一边在半径方向上以不同的间隔分离一边在圆周方向上延伸。外侧的最大设定值DP2和外侧的DOL设定值DP3例如一边在半径方向上以不同的间隔分离一边在圆周方向上延伸。内侧的最小设定值DM1和内侧的DOL设定值DM3例如一边在半径方向上以不同的间隔分离一边在圆周方向上延伸。内侧的最大设定值DM2和内侧的DOL设定值DM3例如一边在半径方向上以不同的间隔分离一边在圆周方向上延伸。
在开始了磁道Trk的写入处理的情况下，DOL管理部64将与之前的磁道对应的总和及超过次数初始化例如设为0。另外，DOL管理部64将与磁道Trk之前的磁道对应的总和阈值、超过次数的阈值以及DOL等变更为与磁道Trk对应的总和阈值、超过次数的阈值以及DOL等。例如，DOL管理部64基于磁道Trk之前的磁道的偏移量、纠错指标，将最大设定值DP2和DM2设定为DOL。在向扇区Sk1写入数据时，DOL管理部64检测出头15比外侧的最小设定值DP1向外方向超过了这一情况。换句话说，在向扇区Sk1写入数据时，DOL管理部64检测出偏移量超过了外侧的最小设定值DP1这一情况。在扇区Sk1中检测出偏移量超过了外侧的最小设定值DP1的情况下，DOL管理部64取得扇区Sk1的超过量EAk1，将超过量EAk1与总和(0)相加。另外，在检测出偏移量超过了外侧的最小设定值DP1的情况下，DOL管理部64使超过次数增加。DOL管理部64判定总和(最小超过量的总和)是否超过总和阈值。另外，DOL管理部64判定超过次数(最小超过次数)是否超过了超过次数的阈值。DOL管理部64判定总和是否超过总和的DOL变更值。另外，DOL管理部64判定超过次数是否超过超过次数的DOL变更值。在判定为总和及超过次数中的至少一方超过预定值(总和的DOL变更值和超过次数的DOL变更值)的情况下，DOL管理部64将DOL从最大设定值DP2和DM2变更为DOL设定值DP3和DM3。也就是说，在判定为总和超过总和的DOL变更值的情况下，DOL管理部64将DOL从最大设定值DP2和DM2变更为DOL设定值DP3和DM3。在判定为超过次数超过了超过次数的DOL变更值的情况下，DOL管理部64将DOL从最大设定值DP2和DM2变更为DOL设定值DP3和DM3。在判定为总和超过总和的DOL变更值且超过次数超过了超过次数的DOL变更值的情况下，DOL管理部64将DOL从最大设定值DP2和DM2变更为DOL设定值DP3和DM3。
在向扇区Sk4写入数据时，DOL管理部64检测出头15比内侧的最小设定值DM1向内方向偏移了这一情况。换句话说，在向扇区Sk4写入数据时，DOL管理部64检测出偏移量超过了内侧的最小设定值DM1这一情况。在扇区Sk4中检测出偏移量超过了内侧的最小设定值DM1的情况下，DOL管理部64取得扇区Sk4的超过量EAk4，将超过量EAk4与总和(EAk1)相加。另外，在检测出偏移量超过了内侧的最小设定值DM1的情况下，DOL管理部64使超过次数增加。DOL管理部64判定总和(EAk1+EAk4)是否超过总和阈值。另外，DOL管理部64判定超过次数是否超过了超过次数的阈值。在判定为总和及超过次数中的至少一方超过阈值(总和阈值和超过次数的阈值)的情况下，DOL管理部64将DOL从DOL设定值DP3和DM3变更为最小设定值DP1和DM1。
图9是示出变形例1涉及的写入处理方法的一例的流程图。
在开始了预定磁道的写入处理的情况下，MPU60将与之前的磁道对应的总和及超过次数初始化(B701)，并设定DOL(B702)，将数据写入预定磁道的预定扇区(B703)，并判定偏移量是否超过预定DOL设定值(B704)。在判定为超过预定DOL设定值的情况下(B704为是)，MPU60算出超过量(B705)，基于超过量算出总和，并使超过次数增加(B706)。MPU60判定总和及超过次数中的至少一方是否超过阈值(总和阈值和超过次数的阈值)(B707)。在判定为总和及超过次数中的至少一方没有超过阈值的情况下(B707为否)，MPU60判定总和及超过次数中的至少一方是否超过预定值(总和的DOL变更值和超过次数的DOL变更值)(B901)。在判定为总和及超过次数中的至少一方没有超过预定值的情况下(B901为否)，MPU60进入B709的处理。在判定为总和及超过次数中的至少一方超过预定值的情况下(B901为是)，MPU60变更DOL(B902)，进入B709的处理。例如，MPU60将DOL从最大设定值变更为比最大设定值小且比最小设定值大的DOL设定值。
根据变形例1，每当总和及超过次数中的至少一方超过预定值(总和的DOL变更值和超过次数的DOL变更值)，磁盘装置1阶梯地减小DOL。因此，磁盘装置1能够提高写入处理和读取处理的性能。
(变形例2)
变形例2的磁盘装置1的DOL的管理方法与上述实施方式和变形例的磁盘装置1不同。
MPU60例如分开管理在预定磁道中相对于目标路径向外方向的多个DOL设定值(以下，称为外侧的DOL设定值)和相对于目标路径向内方向的多个DOL设定值(以下，称为内侧的DOL设定值)。另外，MPU60分开管理表示在当前的磁道(或当前的磁道的外侧的相邻磁道)中基于奇偶校验数据、纠错码能够纠正读取错误数据的可能性的指标(以下，称为外侧的纠错指标)和表示在当前的磁道(或当前的磁道的内侧的相邻磁道)中基于奇偶校验数据、纠错码能够纠正读取错误数据的可能性的指标(以下，称为内侧的纠错指标)。在此，外侧的纠错指标包含偏移量超过了外侧的DOL或多个外侧的DOL设定值中的一个外侧的DOL设定值的量(以下，称为外侧的超过量)的总和(以下，仅称为外侧的总和)、次数(以下，称为外侧的超过次数)等。内侧的纠错指标包含偏移量超过了内侧的DOL或多个内侧的DOL设定值中的一个内侧的DOL设定值的量(以下，称为内侧的超过量)的总和(以下，仅称为内侧的总和)、次数(以下，称为内侧的超过次数)等。
在向预定磁道写入数据的情况下，MPU60基于之前的偏移量、外侧的纠错指标，生成与预定磁道对应的多个外侧的DOL设定值。在向预定磁道写入数据的情况下，MPU60基于之前的偏移量、外侧的纠错指标，将与预定磁道对应的多个外侧的DOL设定值中的一个外侧的DOL设定值设定为相对于目标路径向外方向的DOL(以下，称为外侧的DOL)。在向预定磁道写入数据的情况下，DOL管理部64基于外侧的纠错指标变更外侧的DOL。在偏移量超过了外侧的DOL的情况下，MPU60经由读/写控制部61中断写入处理。
在判定为外侧的纠错指标例如外侧的总和及外侧的超过次数比预定阈值小的情况下，MPU60将与该磁道对应的多个外侧的DOL设定值中的绝对值最大的外侧的DOL设定值(以下，称为外侧的最大设定值)设定为外侧的DOL。换句话说，在判定为外侧的总和比预定阈值(以下，称为外侧的总和阈值)小且外侧的超过次数比预定阈值(以下，称为外侧的超过次数的阈值)小的情况下，MPU60将外侧的最大设定值设定为外侧的DOL。
在判定为外侧的纠错指标例如外侧的总和及外侧的超过次数中的至少一方比预定阈值大的情况下，MPU60将外侧的DOL从外侧的最大设定值变更为与预定磁道对应的多个外侧的DOL设定值中的绝对值比外侧的最大设定值小的预定外侧的DOL设定值。换句话说，在判定为外侧的总和比外侧的总和阈值大的情况下，MPU60将外侧的DOL从外侧的最大设定值变更为比外侧的最大设定值小的预定外侧的DOL设定值。在判定为外侧的超过次数比外侧的超过次数的阈值大的情况下，MPU60将外侧的DOL从外侧的最大设定值变更为比外侧的最大设定值小的预定外侧的DOL设定值。在判定为外侧的总和比外侧的总和阈值大且外侧的超过次数比外侧的超过次数的阈值大的情况下，MPU60将外侧的DOL从外侧的最大设定值变更为比外侧的最大设定值小的预定外侧的DOL设定值。
在一例中，在预定磁道中，预定的偏移量超过了多个外侧的DOL设定值中的绝对值最小的外侧的DOL设定值(以下，称为外侧的最小设定值)的量的外侧的总和(以下，有时称为外侧的最小超过量的总和)、以及预定的偏移量超过了外侧的最小设定值的外侧的超过次数(以下，有时称为外侧的最小超过次数)比预定阈值小的情况下，MPU60将该磁道的DOL设定为外侧的最大设定值。换句话说，在预定磁道中，外侧的最小超过量的总和比外侧的总和阈值小且外侧的最小超过次数比外侧的超过次数的阈值小的情况下，MPU60将该磁道的外侧的DOL设定为外侧的最大设定值。另外，在预定磁道中，外侧的最小超过量的总和以及外侧的最小超过次数中的至少一方比预定阈值大的情况下，MPU60将与该磁道对应的DOL从最大设定值变更为最小设定值。换句话说，在预定磁道中，外侧的最小超过量的总和比外侧的总和阈值大的情况下，MPU60将与该磁道对应的DOL从外侧的最大设定值变更为外侧的最小设定值。在预定磁道中，外侧的最小超过次数比外侧的超过次数的阈值大的情况下，MPU60将与该磁道对应的DOL从外侧的最大设定值变更为外侧的最小设定值。在预定磁道中，外侧的最小超过量的总和比外侧的总和阈值大且外侧的最小超过次数比外侧的超过次数的阈值大的情况下，MPU60将与该磁道对应的DOL从外侧的最大设定值变更为外侧的最小设定值。
此外，也可以是，每当在预定磁道中外侧的总和及外侧的超过次数中的至少一方超过预定值时，MPU60阶梯地减小外侧的DOL。换句话说，每当在预定磁道中外侧的总和超过比外侧的总和阈值小的预定值(以下，称为外侧的总和的DOL变更值)时，MPU60阶梯地减小外侧的DOL。外侧的总和的DOL变更值例如包含多个值。在外侧的总和超过了外侧的总和阈值的情况下，MPU60将外侧的最小设定值设定为外侧的DOL。每当在预定磁道中外侧的超过次数超过比外侧的超过次数的阈值小的预定值(以下，称为外侧的超过次数的DOL变更值)时，MPU60阶梯地减小外侧的DOL。外侧的超过次数的DOL变更值例如包含多个值。在外侧的超过次数超过外侧的超过次数的阈值的情况下，MPU60将外侧的最小设定值设定为外侧的DOL。每当在预定磁道中外侧的总和超过外侧的总和的DOL变更值且外侧的超过次数超过外侧的超过次数的DOL变更值时，MPU60阶梯地减小外侧的DOL。
在向预定磁道写入数据的情况下，MPU60基于之前的偏移量、内侧的纠错指标，生成与预定磁道对应的多个内侧的DOL设定值。在向预定磁道写入数据的情况下，MPU60基于之前的偏移量、内侧的纠错指标，将与预定磁道对应的多个内侧的DOL设定值中的一个内侧的DOL设定值设定为相对于目标路径内方向的DOL(以下，称为内侧的DOL)。在向预定磁道写入数据的情况下，MPU60根据内侧的纠错指标变更内侧的DOL。在偏移量超过内侧的DOL的情况下，MPU60经由读/写控制部61中断写入处理。
在向预定磁道写入数据的情况下，MPU60基于之前的偏移量、内侧的纠错指标，将与当前的磁道对应的多个内侧的DOL设定值中的一个内侧的DOL设定值设定为内侧的DOL。在判定为内侧的纠错指标例如内侧的总和及内侧的超过次数比预定阈值小的情况下，MPU60将与该磁道对应的多个内侧的DOL设定值中的绝对值最大的内侧的DOL设定值(以下，称为内侧的最大设定值)设定为内侧的DOL。换句话说，在判定为内侧的总和比预定阈值(以下，称为内侧的总和阈值)小且内侧的超过次数比预定阈值(以下，称为内侧的超过次数的阈值)小的情况下，MPU60将内侧的最大设定值设定为内侧的DOL。
在判定为内侧的纠错指标例如内侧的总和及内侧的超过次数中的至少一方比预定阈值大的情况下，MPU60将内侧的DOL从内侧的最大设定值变更为与预定磁道对应的多个内侧的DOL设定值中的绝对值比内侧的最大设定值小的预定内侧的DOL设定值。
换句话说，在判定为内侧的总和比内侧的总和阈值大的情况下，MPU60将内侧的DOL从内侧的最大设定值变更为比内侧的最大设定值小的预定内侧的DOL设定值。在判定为内侧的超过次数比内侧的超过次数的阈值大的情况下，MPU60将内侧的DOL从内侧的最大设定值变更为比内侧的最大设定值小的预定内侧的DOL设定值。在判定为内侧的总和比内侧的总和阈值大且内侧的超过次数比内侧的超过次数的阈值大的情况下，MPU60将内侧的DOL从内侧的最大设定值变更为比内侧的最大设定值小的预定内侧的DOL设定值。
在一例中，在预定磁道中，预定的偏移量超过了多个内侧的DOL设定值中的绝对值最小的内侧的DOL设定值(以下，称为内侧的最小设定值)的量的内侧的总和(以下，有时称为内侧的最小超过量的总和)、以及预定的偏移量超过了内侧的最小设定值的内侧的超过次数(以下，有时称为内侧的最小超过次数)比预定阈值小的情况下，MPU60将该磁道的DOL设定为内侧的最大设定值。换句话说，在预定磁道中，内侧的最小超过量的总和比内侧的总和阈值小且内侧的最小超过次数比内侧的超过次数的阈值小的情况下，MPU60将该磁道的内侧的DOL设定为内侧的最大设定值。另外，在预定磁道中，内侧的最小超过量的总和以及内侧的最小超过次数中的至少一方比预定阈值大的情况下，MPU60将与该磁道对应的DOL从最大设定值变更为最小设定值。换句话说，在预定磁道中，内侧的最小超过量的总和比内侧的总和阈值大的情况下，MPU60将与该磁道对应的DOL从内侧的最大设定值变更为内侧的最小设定值。在预定磁道中，内侧的最小超过次数比内侧的超过次数的阈值大的情况下，MPU60将与该磁道对应的DOL从内侧的最大设定值变更为内侧的最小设定值。在预定磁道中，内侧的最小超过量的总和比内侧的总和阈值大且内侧的最小超过次数比内侧的超过次数的阈值大的情况下，MPU60将与该磁道对应的DOL从内侧的最大设定值变更为内侧的最小设定值。
此外，也可以是，每当在预定磁道中内侧的总和以及内侧的超过次数中的至少一方超过预定值时，MPU60阶梯地减小外侧的DOL。换句话说，每当在预定磁道中内侧的总和超过比内侧的总和阈值小的预定值(以下，称为内侧的总和的DOL变更值)时，MPU60阶梯地减小内侧的DOL。内侧的总和的DOL变更值例如包含多个值。在内侧的总和超过内侧的总和阈值的情况下，MPU60将内侧的最小设定值设定为内侧的DOL。每当在预定磁道中内侧的超过次数超过比内侧的超过次数的阈值小的预定值(以下，称为内侧的超过次数的DOL变更值)时，MPU60阶梯地减小内侧的DOL。内侧的超过次数的DOL变更值例如包含多个值。在内侧的超过次数超过内侧的超过次数的阈值的情况下，MPU60将内侧的最小设定值设定为内侧的DOL。每当在预定磁道中内侧的总和超过内侧的总和的DOL变更值且内侧的超过次数超过内侧的超过次数的DOL变更值时，MPU60阶梯地减小内侧的DOL。
图10是示出变形例2涉及的写入处理方法的一例的流程图。
在开始预定磁道的写入处理的情况下，MPU60将与之前的磁道对应的总和及超过次数初始化(B701)，并设定DOL(B702)，将数据写入预定磁道的预定扇区(B703)，并判定偏移量是否超过预定DOL设定值(B704)。在判定为超过预定DOL设定值的情况下(B704为是)，MPU60判定头15偏移了的方向(B1001)。在判定为头15向外方向偏移了的情况下(B1001的外方向)，MPU60算出外侧的超过量(B1002)，基于外侧的超过量算出外侧的总和，并使外侧的超过次数增加(B1003)。MPU60判定外侧的总和以及外侧的超过次数中的至少一方是否超过阈值(外侧的总和阈值和外侧的超过量的阈值)(B1004)。在判定为外侧的总和及外侧的超过次数中的至少一方没有超过阈值的情况下(B1004为否)，MPU60进入B709的处理。在判定为外侧的总和及外侧的超过次数中的至少一方超过阈值的情况下(B1004为是)，MPU60变更外侧的DOL(B1005)，进入B709的处理。例如，MPU60将外侧的DOL从外侧的最大设定值变更为外侧的最小设定值。在判定为头15向内方向偏移了的情况下(B1001的内方向)，MPU60算出内侧的超过量(B1006)，基于内侧的超过量算出内侧的总和，并使内侧的超过次数增加(B1007)。MPU60判定内侧的总和及内侧的超过次数中的至少一方是否超过阈值(内侧的总和阈值和内侧的超过次数的阈值)(B1008)。
在判定为内侧的总和及内侧的超过次数中的至少一方没有超过阈值的情况下(B1008为否)，MPU60进入B709的处理。在判定为内侧的总和及内侧的超过次数中的至少一方超过阈值的情况下(B1008为是)，MPU60变更内侧的DOL(B1009)，进入B709的处理。例如，MPU60将内侧的DOL从内侧的最大设定值变更为内侧的最小设定值。
根据变形例2，磁盘装置1分开管理外侧的DOL和内侧的DOL。磁盘装置1基于之前的偏移量和外侧的纠错指标将外侧的最大设定值设定为外侧的DOL，并基于之前的偏移量和内侧的纠错指标将内侧的最大设定值设定为内侧的DOL。在由于外侧的总和及外侧的超过次数中的至少一方超过了阈值(外侧的总和阈值和外侧的超过次数的阈值)所以判定为基于奇偶校验数据、纠错码能够纠正读取错误数据的可能性小或不能纠正读取错误数据的情况下，磁盘装置1将外侧的DOL从外侧的最大设定值变更为外侧的最小设定值。另外，在由于内侧的总和及内侧的超过次数中的至少一方超过了阈值(内侧的总和阈值和内侧的超过次数的阈值)所以判定为基于奇偶校验数据、纠错码能够纠正读取错误数据的可能性小或不能纠正读取错误数据的情况下，磁盘装置1将内侧的DOL从内侧的最大设定值变更为内侧的最小设定值。
因此，磁盘装置1能够提高写入处理和读取处理的性能。
(变形例3)
变形例3的磁盘装置1的DOL的管理方法与上述实施方式和变形例的磁盘装置1不同。
图11是用于示出变形例3涉及的DOL的管理方法的一例的示意图。
在图11中示出与扇区Sk1在半径方向上的外方向相邻的扇区S(k-1)1。扇区S(k-1)1例如作为包含损伤等缺陷(或缺点)的扇区(不良扇区)登记于P列表或G列表，所述P列表包含与在出厂前的盘10的缺陷检查中检测出的不良扇区关联的信息，所述G列表包含与在出厂后检测出的不良扇区关联的信息。
在向扇区Sk1写入数据时，MPU60检测出头15比外侧的最小设定值DP1向外方向偏移了这一情况。换句话说，在向扇区Sk1写入数据时，MPU60检测出偏移量超过了外侧的最小设定值DP1这一情况。在扇区Sk1中检测出偏移量超过了外侧的最小设定值DP1的情况下，MPU60判定与扇区Sk1在外方向上相邻的扇区S(k-1)1是否是不良扇区。例如，MPU60判定与扇区Sk1在外方向上相邻的扇区S(k-1)1是否登记于P列表和G列表中的至少一方。在由于扇区S(k-1)1登记于P列表和G列表中的至少一方所以判定为扇区S(k-1)1是不良扇区的情况下，MPU60不算出总和、超过次数而执行写入处理。换句话说，在由于扇区S(k-1)1登记于P列表和G列表中的至少一方所以判定为扇区S(k-1)1是不良扇区的情况下，MPU60维持总和、超过次数。在由于扇区S(k-1)1没有登记于P列表和G列表所以判定为扇区S(k-1)1不是不良扇区的情况下，MPU60取得扇区Sk1中的超过量EAk1，将超过量EAk1与总和(0)相加。另外，在检测出偏移量超过了外侧的最小设定值DP1的情况下，MPU60使超过次数增加。MPU60判定总和是否超过总和阈值。另外，MPU60判定超过次数是否超过了超过次数的阈值。
图12是示出变形例3涉及的写入处理方法的一例的流程图。
在开始了预定磁道的写入处理的情况下，MPU60将与之前的磁道对应的总和及超过次数初始化(B701)，并设定DOL(B702)，将数据写入预定磁道的预定扇区(B703)，并判定偏移量是否超过预定DOL设定值(B704)。在判定为超过预定DOL设定值的情况下(B704为是)，MPU60判定位于头15偏移了的方向的扇区是否是不良扇区(B1201)。例如，MPU60判定在头15于半径方向上偏移了的方向上相邻的扇区是否登记于P列表或G列表。在判定为位于头15偏移了的方向的扇区不是不良扇区的情况下(B1201为否)，MPU60进入B709的处理。例如，由于在头15于半径方向上偏移的方向上相邻的扇区没有登记于P列表和G列表，所以MPU60判定为在头15于半径方向上偏移的方向上相邻的扇区不是不良扇区。在判定为位于头15偏移的方向的扇区是不良扇区的情况下(B1201为是)，MPU60进入B708的处理。例如，由于在头15于半径方向上偏移的方向上相邻的扇区登记于P列表和G列表中的至少一方，所以MPU60判定为在头15于半径方向上偏移的方向上相邻的扇区是不良扇区。
根据变形例3，磁盘装置1判定位于头15偏移了的方向的扇区是否是不良扇区。在判定为位于头15偏移了的方向的扇区是不良扇区的情况下，磁盘装置1不算出总和、超过次数而执行写入处理。因此，磁盘装置1能够提高写入处理和读取处理的性能。
此外，上述实施方式和变形例的构成不仅能够应用于通过瓦记录写入数据的磁盘装置1，也能够应用于通过并非瓦记录的通常记录写入数据的磁盘装置。
以上说明了几个实施方式，但是这些实施方式只是作为例子而提出，并不是意在限定发明的范围。这些新颖的实施方式能以其他各种方式来实施，在不偏离发明的要旨的范围内，能够进行各种省略、置换以及变更。这些实施方式或其变形被包含在发明的范围或要旨内，并被包含在权利要求书所记载的发明及与之等同的范围内。

Claims (9)

1.一种磁盘装置，具备：
盘；
头，对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及
控制器，根据评价值变更第一阈值，所述评价值是对应于能够纠正在所述盘的第一磁道中发生了读取错误的错误数据的可能性的值，所述第一阈值是在正对所述第一磁道进行写入的所述头的定位误差超过了该第一阈值的情况下中断写入处理的阈值，
所述控制器基于所述评价值，将所述第一阈值从第一值变更为比所述第一值小的第二值，
所述控制器将所述定位误差超过了所述第二值的超过值的总和以及所述定位误差超过了所述第二值的次数作为所述评价值进行管理。
2.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器在所述总和超过了第二阈值的情况下，将所述第一阈值从所述第一值变更为所述第二值。
3.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器在所述次数超过了第三阈值的情况下，将所述第一阈值从所述第一值变更为所述第二值。
4.根据权利要求1所述的磁盘装置，
在所述定位误差超过了所述第二值时在所述头发生了偏移的第一方向上相邻的第一区域为无法读取的不良区域的情况下，所述控制器维持所述总和以及所述次数。
5.根据权利要求1所述的磁盘装置，
在对与所述第一磁道在所述盘的半径方向上相邻的第二磁道进行写入时，所述控制器将所述总和以及所述次数初始化。
6.根据权利要求5所述的磁盘装置，
所述控制器对所述第二磁道进行与所述第一磁道的一部分重叠的重叠写入。
7.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器将作为所述定位误差超过了比第一值小的第二值的超过值的总和的第一总和、作为所述定位误差超过了比第三值小的第四值的超过值的总和的第二总和、作为所述定位误差超过了所述第一值的次数的第一次数、以及作为所述定位误差超过了所述第二值的次数的第二次数作为所述评价值进行管理，所述第一值是相当于所述第一阈值中的所述盘的半径方向的第一方向所对应的第二阈值的值，所述第三值是相当于所述第一阈值中的与所述第一方向相反的第二方向所对应的第三阈值的值。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的磁盘装置，
所述控制器将与所述第一磁道对应的奇偶校验数据向所述第一磁道写入，并基于所述奇偶校验数据纠正所述错误数据。
9.一种写入处理方法，是应用于磁盘装置的写入处理方法，所述磁盘装置具备：盘；和头，对所述盘写入数据，从所述盘读取数据，
根据评价值变更第一阈值，所述评价值是表示能够纠正在所述盘的第一磁道中发生了读取错误的错误数据的可能性的值，所述第一阈值是在正对所述第一磁道进行写入的所述头的定位误差超过了该第一阈值的情况下中断写入处理的阈值，
基于所述评价值，将所述第一阈值从第一值变更为比所述第一值小的第二值，
将所述定位误差超过了所述第二值的超过值的总和以及所述定位误差超过了所述第二值的次数作为所述评价值进行管理。
CN201811449589.8A 2018-06-12 2018-11-30 磁盘装置和写入处理方法 Active CN110600061B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018111882A JP2019215943A (ja) 2018-06-12 2018-06-12 磁気ディスク装置及びライト処理方法
JP2018-111882 2018-06-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110600061A CN110600061A (zh) 2019-12-20
CN110600061B true CN110600061B (zh) 2021-02-26

Family

ID=68764177

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811449589.8A Active CN110600061B (zh) 2018-06-12 2018-11-30 磁盘装置和写入处理方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10650860B2 (zh)
JP (1) JP2019215943A (zh)
CN (1) CN110600061B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9536563B1 (en) * 2016-02-16 2017-01-03 Seagate Technology Llc Detecting shingled overwrite errors
JP2020149757A (ja) * 2019-03-15 2020-09-17 株式会社東芝 磁気ディスク装置及びライト処理方法
JP7134933B2 (ja) 2019-09-18 2022-09-12 株式会社東芝 磁気ディスク装置及びライト処理方法
JP2022029558A (ja) * 2020-08-05 2022-02-18 株式会社東芝 磁気ディスク装置及びエラー訂正方法
JP2022143899A (ja) * 2021-03-18 2022-10-03 株式会社東芝 磁気ディスク装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105096972A (zh) * 2014-05-08 2015-11-25 株式会社东芝 盘驱动装置及偏离磁道检测方法
CN106205643A (zh) * 2014-12-25 2016-12-07 株式会社东芝 磁盘装置及写入控制方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3344495B2 (ja) * 1993-03-04 2002-11-11 ソニー株式会社 磁気ディスク装置
US6975468B1 (en) 2001-02-16 2005-12-13 Maxtor Corporation Method to accurately predict hard error rates resulting from encroachment
JP4349294B2 (ja) * 2005-02-02 2009-10-21 船井電機株式会社 光ディスク装置
US9336073B1 (en) 2014-02-27 2016-05-10 Seagate Technology Llc Write fault modulation
US9099155B1 (en) * 2014-07-31 2015-08-04 Seagate Technology Llc Adaptive mitigation of adjacent track interference (ATI) on a recording medium
US9691418B1 (en) * 2015-12-21 2017-06-27 Seagate Technology Llc Adaptive write fault thresholds

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105096972A (zh) * 2014-05-08 2015-11-25 株式会社东芝 盘驱动装置及偏离磁道检测方法
CN106205643A (zh) * 2014-12-25 2016-12-07 株式会社东芝 磁盘装置及写入控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20190378543A1 (en) 2019-12-12
US10650860B2 (en) 2020-05-12
JP2019215943A (ja) 2019-12-19
CN110600061A (zh) 2019-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110600061B (zh) 磁盘装置和写入处理方法
US8885284B2 (en) Information write apparatus and information write method
JP5264630B2 (ja) 磁気ディスク・ドライブ及びそのデータの書き直し方法
CN111696587B (zh) 磁盘装置以及写处理方法
CN110289020B (zh) 磁盘装置及重复偏出修正数据的写入方法
US10910013B1 (en) Magnetic disk device and write processing method
US11335366B2 (en) Magnetic disk device and read processing method
US10475478B2 (en) Magnetic disk device and method for correcting positon of head
US20220301590A1 (en) Magnetic disk device
US11817123B2 (en) Magnetic disk device and DOL setting method
US20220293129A1 (en) Magnetic disk device and read/write processing method
CN114067902A (zh) 磁盘装置以及纠错方法
US8861108B1 (en) Magnetic disk drive and method for correcting defective location detected using head disk interference sensor
US11404085B1 (en) Magnetic disk device and error correction processing method
US11335374B2 (en) Magnetic disk device and sector processing method
US20230260540A1 (en) Magnetic disk device and write processing method
JP7490614B2 (ja) 磁気ディスク装置及びリード／ライト処理方法
CN114185709A (zh) 磁盘装置
US11545183B2 (en) Magnetic disk device and read processing method
JP2010146674A (ja) 磁気ディスク装置、制御装置、制御方法
CN114944172A (zh) 磁盘装置以及写处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant