CN116612789A - 磁盘装置以及写处理方法 - Google Patents

Abstract

提供能够提高可靠性的磁盘装置以及写处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其在所述盘的第1磁道的写处理时，基于按超过次数而规定的与所述头向所述盘的半径方向的第1偏离量对应的第1判定值、和变更写处理的第2阈值，对写处理进行控制，所述超过次数是所述第1偏离量超过了使在所述半径方向上与所述第1磁道相邻的第2磁道产生读错误的第1阈值的次数。

Description

磁盘装置以及写处理方法

本申请享受以日本特许申请2022-022153号(申请日：2022年2月16日)和日本特许申请2022-113281号(申请日：2022年7月14日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及磁盘装置以及写处理方法。

背景技术

近年来，开发了具有实现高记录密度的技术的磁盘装置。作为实现高记录密度的磁盘装置，具有能够执行在盘的半径方向上进行多个磁道的重叠写入的瓦记录型式(Shingled write Magnetic Recording：SMR或者Shingled Write Recording：SWR)的磁盘装置。

磁盘装置具有包含对预定磁道的各扇区进行异或(Exclusive OR：XOR)运算而得到的奇偶校验扇区的磁道。磁盘装置在该磁道的预定扇区中检测到错误的情况下，执行基于与该磁道对应的奇偶校验扇区来通过纠错码(Error Correction Code)对错误进行纠正的纠错处理(以下有时也称为磁道ECC处理)。对于在磁道ECC处理中是否能够对产生了无法读取的读错误的错误扇区进行纠正，能够基于预定磁道中的有可能产生读错误的扇区数与从该预定磁道的作为目标的盘10的半径方向(以下有时也简称为半径方向)上的位置(以下有时也称为磁道目标位置)、例如磁道的半径方向上的中心位置起的距离或者与从该预定磁道的磁道目标位置到在半径方向上与该预定磁道相邻的磁道的磁道目标位置为止的接近量相当的靠拢(squeeze)量的关系来进行决定。

发明内容

本发明的实施方式在于提供能够提高可靠性的磁盘装置以及写处理方法。

本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其在所述盘的第1磁道的写处理时，基于按超过次数而规定的与所述头向所述盘的半径方向的第1偏离量对应的第1判定值、和变更写处理的第2阈值，对写处理进行控制，所述超过次数是所述第1偏离量超过了使在所述半径方向上与所述第1磁道相邻的第2磁道产生读错误的第1阈值的次数。

另外，本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其在所述盘的第1磁道的写处理时，在所述头向所述盘的半径方向的第1偏离量连续多次超过了使在所述半径方向上与所述第1磁道相邻的第2磁道产生读错误的第1阈值的情况下，对写处理进行控制。

附图说明

图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置的构成的框图。

图2是表示第1实施方式涉及的头相对于盘的配置的一个例子的示意图。

图3是表示瓦记录处理的一个例子的示意图。

图4是表示通常记录处理的一个例子的示意图。

图5表示磁道ECC Gain相对于靠拢次数的变化的一个例子的示意图。

图6是表示第1实施方式涉及的紧缩判定值相对于不可恢复(unrecoverable)超过阈值的变化的一个例子的示意图。

图7是表示第1实施方式涉及的DDOL紧缩处理的一个例子的示意图。

图8是表示第1实施方式涉及的DDOL相对于不可恢复超过次数的变化的一个例子的示意图。

图9是表示磁道的构成的一个例子的示意图。

图10是表示第1实施方式涉及的滑移(slip)处理的一个例子的示意图。

图11是表示第1实施方式涉及的DDOL紧缩处理方法的一个例子的流程图。

图12是表示第1实施方式涉及的滑移处理方法的一个例子的流程图。

图13是表示磁道的构成的一个例子的示意图。

图14是表示第2实施方式涉及的写处理方法的一个例子的流程图。

图15是表示第1实施方式涉及的滑移处理的一个例子的示意图。

标号说明

1磁盘装置、10磁盘、10a用户数据区域、10b媒体缓存、10c系统区、12主轴马达(SPM)、13臂、14音圈马达(VCM)、15头、15W写入头、15R读取头、16致动器、20驱动器IC、30头放大器IC、40读/写(R/W)通道、50硬盘控制器(HDC)、60微处理器(MPU)、70易失性存储器、80非易失性存储器、90缓冲存储器、100主机系统(主机)、130系统控制器。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，附图是一个例子，并不限定发明的范围。

(第1实施方式)

图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。

磁盘装置1具备后述的头盘组件(HDA)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下记载为头放大器IC或者前置放大器)30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器(缓存)90以及作为一个芯片的集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(以下简称为主机)100连接。

HAD具有磁盘(以下称为盘)10、主轴马达(以下称为SPM)12、搭载头15的臂13以及音圈马达(以下称为VCM)14。盘10安装于SPM12，通过SPM12的驱动进行旋转。臂13和VCM14构成致动器16。臂13包括至少一个臂13。例如，臂13具有多个臂13。头15至少包括一个头15。例如，头15具有多个头15。致动器16通过VCM14的驱动，将搭载于臂13的头15移动控制到盘10的预定位置。此外，致动器16也可以设置有两个以上。

盘10对其能够写入数据的区域分配有能由用户利用的用户数据区域10a、在将从主机等传送来的数据(或者命令)写入到用户数据区域10a的预定区域等之前暂时性地对其进行保持的媒体缓存(或者有时也称为媒体缓存区域)10b以及写入系统管理所需要的信息的系统区10c。此外，媒体缓存10b也可以不配置于盘10。以下，将从盘10的内周朝向外周的方向或者从盘10的外周朝向内周的方向称为半径方向。在半径方向上，将从内周朝向外周的方向称为外方向(或者外侧)，将从外周朝向内周的方向、也即是与外方向相反的方向称为内方向(或者内侧)。将与盘10的半径方向正交的方向称为圆周方向。圆周方向相当于沿着盘10的圆周的方向。另外，有时也将盘10的半径方向上的预定位置称为半径位置，将盘10的圆周方向上的预定位置称为圆周位置。有时也将半径位置和圆周位置一并简称为位置。此外，“磁道(或者柱面)”以盘10的在半径方向上区分而得到的多个区域中的一个区域、在盘10的在半径方向上区分而得到的多个区域中的一个区域所写入的数据、预定的半径位置处的头15的路径、在盘10的圆周方向上延长的数据、在预定的半径位置的磁道(或者柱面)所写入的1周量的数据、在盘10的预定磁道(或者柱面)所写入的数据、在盘10的预定磁道(或者柱面)所写入的数据的一部分、其他各种含义来使用。“扇区”以将盘10的预定磁道(或者柱面)在圆周方向上区分而得到的多个区域中的一个区域、在将盘10的预定磁道(或者柱面)在圆周方向上区分而得到的多个区域中的一个区域所写入的数据、在盘10的预定的半径位置处的预定的圆周位置所写入的数据、在盘10的预定磁道(或者柱面)的预定扇区所写入的数据、其他各种含义来使用。有时也将“磁道(或者柱面)的半径方向上的宽度”称为“磁道宽度(或者柱面宽度)”。将“通过预定磁道(或者柱面)中的磁道宽度(或者柱面宽度)的中心位置的路径”称为“磁道中央(或者柱面中央)”。以下，有时也将“预定磁道(或者柱面)的磁道中央(或者柱面中央)”简称为“磁道(或者柱面)”。

头15与盘10相对向。例如，一个头15与盘10的一个面相对向。头15将滑块作为主体，具备安装于该滑块的写入头15W和读取头15R。写入头15W向盘10写入数据。读取头15R对在盘10所写入的数据进行读取。此外，既有时将“写入头15W”简称为“头15”，也有时将“读取头15R”简称为“头15”，还有时将“写入头15W和读取头15R”一并称为“头15”。有时也将“头15的中心部”称为“头15”，将“写入头15W的中心部”称为“写入头15W”，将“读取头15R的中心部”称为“读取头15R”。既有时将“写入头15W的中心部”简称为“头15”，也有时将“读取头15R的中心部”简称为“头15”。有时也以“将头15定位于预定位置”、“将头15配置于预定位置”或者“使头15位于预定位置”等来表现“将头15的中心部定位于预定位置”。有时也以“将头15定位于预定区域”、“将头15配置于预定区域”、“使头15位于预定区域”、“定位于预定区域”、“配置于预定区域”或者“位于预定区域”等来表现“将头15的中心部定位于预定区域的作为目标的位置(以下有时也称为区域目标位置)、例如预定区域的半径方向上的中心”。有时也以“将头15定位于预定磁道(或者柱面)”、“将头15配置于预定磁道(或者柱面)”、“使头15位于预定磁道(或者柱面)”、“定位于磁道”、“配置于磁道(或者柱面)”或者“位于磁道(或者柱面)”等来表现“将头15的中心部定位于预定磁道(或者柱面)的作为目标的位置(以下有时也称为磁道目标位置(或者柱面目标位置))、例如磁道中央(或者柱面中央)”。

图2是表示本实施方式涉及的头15相对于盘10的配置的一个例子的示意图。如图2所示，在圆周方向上，将盘10旋转的方向称为旋转方向。此外，在图2所示的例子中，旋转方向由逆时针方向表示，但也可以相反方向(顺时针方向)。

在图2所示的例子中，盘10具有盘10－0、盘10－1、……、盘10－N。盘10－0～10－N以同轴的方式且在一个方向上空开间隔而重叠。盘10－0～10－N的直径相同。“相同”、“同一”、“一致”以及“同等”等的术语当然包括完全相同这一含义，也包括在可视为实质上相同的程度上不同这一含义。此外，盘10－0～10－N的直径也可以不同。在图2所示的例子中，盘10具有用户数据区域10a、媒体缓存10b以及系统区10c。用户数据区域10a、媒体缓存10b以及系统区10c在盘10中从内侧朝向外侧按记载的顺序而配置。换言之，媒体缓存10b在外方向上与用户数据区域10a相邻。系统区10c在外方向上与媒体缓存10b相邻。在此，“相邻”当然包括数据、物体、区域以及空间等相接地排列，也包括空开预定间隔而排列。此外，用户数据区域10a、媒体缓存10b以及系统区10c也可以在盘10中按图2所示的例子以外的顺序而排列。另外，用户数据区域10a、媒体缓存10b以及系统区10c也可以分别在盘10中分散地配置。

盘10－0具有表面10S0和表面10S0的相反侧的背面10S1。表面10S0具有用户数据区域10a0、媒体缓存10b0以及系统区10c0。媒体缓存10b0在外方向上与用户数据区域10a0相邻。系统区10c0在外方向上与媒体缓存10b0相邻。背面10S1具有用户数据区域10a1、媒体缓存10b1以及系统区10c1。媒体缓存10b1在外方向上与用户数据区域10a1相邻。系统区10c1在外方向上与媒体缓存10b1相邻。以下，有时也将盘的表面和背面称为记录面。

盘10－1具有表面10S2和表面10S2的相反侧的背面10S3。表面10S2具有用户数据区域10a2、媒体缓存10b2以及系统区10c2。媒体缓存10b2在外方向上与用户数据区域10a2相邻。系统区10c2在外方向上与媒体缓存10b2相邻。背面10S3具有用户数据区域10a3、媒体缓存10b3以及系统区10c3。媒体缓存10b3在外方向上与用户数据区域10a3相邻。系统区10c3在外方向上与媒体缓存10b3相邻。

盘10－N具有表面10S(N－1)和表面10S(N－1)的相反侧的背面10SN。表面10S(N－1)具有用户数据区域10a(N－1)、媒体缓存10b(N－1)以及系统区10c(N－1)。媒体缓存10b(N－1)在外方向上与用户数据区域10a(N－1)相邻。系统区10c(N－1)在外方向上与媒体缓存10b(N－1)相邻。背面10SN具有用户数据区域10aN、媒体缓存10bN以及系统区10cN。媒体缓存10bN在外方向上与用户数据区域10aN相邻。系统区10cN在外方向上与媒体缓存10bN相邻。

在图2中，头15具有头15－0、头15－1、头15－2、头15－3、……、头15－(N－1)以及头15－N。头15－0与表面10S0相对向。头15－0向表面10S0写入数据，从表面10S0读取数据。头15－1与背面10S1相对向。头15－1向背面10S1写入数据，从背面10S1读取数据。头15－2与表面10S2相对向。头15－2向表面10S2写入数据，从表面10S2读取数据。头15－3与背面10S3相对向。头15－3向背面10S3写入数据，从背面10S3读取数据。头15－(N－1)与表面10S(N－1)相对向。头15－(N－1)向表面10S(N－1)写入数据，从表面10S(N－1)读取数据。头15－N与背面10SN相对向。头15－N向背面10SN写入数据，从背面10SN读取数据。

驱动器IC20按照系统控制器130(详细而言为后述的MPU60)的控制，对SPM12和VCM14的驱动进行控制。

头放大器IC(前置放大器)30具备读放大器和写驱动器等。读放大器对从盘10读取到的读信号进行放大，并输出至系统控制器130(详细而言为后述的读/写(R/W)通道40)。写驱动器向头15输出与从R/W通道40输出的信号相应的写电流。

易失性存储器70是当电力供给被断开时所保存的数据会丢失的半导体存储器。易失性存储器70保存磁盘装置1的各部的处理所需要的数据等。易失性存储器70例如为DRAM(Dynamic RandomAccess Memory，动态随机访问存储器)或者SDRAM(Synchronous DynamicRandom Access Memory，同步动态随机访问存储器)。

非易失性存储器80是即使电力供给被断开也记录所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器80例如为NOR型或者NAND型的闪速ROM(Flash Read Only Memory(闪速只读存储器)：FROM)。

缓冲存储器90是暂时性地记录在磁盘装置1与主机系统100之间收发的数据等的半导体存储器。此外，缓冲存储器90也可以与易失性存储器70构成为一体。缓冲存储器90例如为DRAM、SRAM(Static Random Access Memory，静态随机访问存储器)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric Random Access memory，铁电随机访问存储器)或者MRAM(Magnetoresistive RandomAccess Memory，磁阻随机访问存储器)等。

系统控制器(控制器)130例如使用多个元件集成于单一芯片的被称为片上系统(System-on-a-Chip(SoC))的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器130包括读/写(R/W)通道40、硬盘控制器(HDC)50以及微处理器或微型处理单元(MPU)60。系统控制器130例如与驱动器IC20、头放大器IC30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器90以及主机系统100等电连接。

R/W通道40根据来自后述的MPU60的指示，执行从盘10传送至主机系统100的数据(以下有时也称为读数据)和从主机系统100传送的数据(以下有时也称为写数据)的信号处理。R/W通道40具有对写数据进行调制的电路或者功能。R/W通道40具有对读数据的信号品质进行测定以及解调的电路或者功能。R/W通道40例如与头放大器IC30、HDC50以及MPU60等电连接。

HDC50对数据的传送进行控制。例如，HDC50根据来自后述的MPU60的指示，对主机系统100与盘10之间的数据传送进行控制。HDC50例如与R/W通道40、MPU60、易失性存储器70、非易失性存储器80以及缓冲存储器90等电连接。

MPU60是对磁盘装置1的各部进行控制的主控制器。MPU60经由驱动器IC20对VCM14进行控制，执行进行头15的定位的伺服控制。MPU60经由驱动器IC20对SPM12进行控制，使盘10旋转。MPU60对向盘10写入数据的写动作进行控制，并且，对从主机系统100传送的数据、例如写数据的保存目的地进行选择。另外，MPU60对从盘10读取数据的读动作进行控制，并且，对从盘10传送至主机系统100的数据、例如读数据的处理进行控制。另外，MPU60对记录数据的区域进行管理。MPU60与磁盘装置1的各部连接。MPU60例如与驱动器IC20、R/W通道40以及HDC50等电连接。

MPU60具有读/写控制部610、奇偶校验数据管理部620、纠错部630、DDOL控制部640以及滑移处理部650等。MPU60在固件上执行各部、例如读/写控制部610、奇偶校验数据管理部620、纠错部630、DDOL控制部640以及滑移处理部650等的处理。此外，MPU60也可以作为电路而具备各部、例如读/写控制部610、奇偶校验数据管理部620、纠错部630、DDOL控制部640以及滑移处理部650等。此外，读/写控制部610、奇偶校验数据管理部620、纠错部630、DDOL控制部640以及滑移处理部650等也可以包含于R/W通道40或者HDC50。

读/写控制部610按照来自主机系统100的命令等，对从盘10读取数据的读处理和向盘10写入数据的写处理进行控制。读/写控制部610经由驱动器IC20对VCM14进行控制，将头15定位于盘10的预定位置，执行读处理或者写处理。以下，有时也以包括向预定区域记录或者写入数据(写处理)、从预定区域读出或者读取数据(读处理)、使头15等移动至预定区域的含义来使用“访问”这一术语。

读/写控制部610按照来自主机系统100的命令等，按盘10的预定区域而以瓦记录(Shingled Write Magnetic Recording：SMR或者Shingled Write Recording：SWR)型式写入数据，瓦记录型式为：与预定磁道的半径方向上的一部分重叠地进行接下来要写入的磁道的写入。以下，有时也将“以瓦记录型式写入数据”简称为“瓦记录”、“执行瓦记录处理”或者简称为“写入”。有时也将进行数据的瓦记录的区域的单位称为带(或者带区域)。读/写控制部610对带区域以有序的方式进行多个磁道的瓦记录。此外，读/写控制部610也可以按照来自主机系统100的命令等，按盘10的预定区域而以通常记录(Conventional MagneticRecording：CMR)型式写入数据，通常记录是能够从预定磁道或者预定扇区在半径方向上空开预定间隔(间隙)而对在半径方向上与该预定磁道相邻的磁道(以下有时也称为相邻磁道)或者在半径方向上与该预定扇区相邻的扇区(以下有时也称为相邻扇区)进行写入或者随机地写入数据的型式。以下，有时也将“以通常记录型式写入数据”简称为“通常记录”、“执行通常记录处理”或者简称为“写入”。

图3是表示瓦记录处理的一个例子的示意图。在图3中示出行进方向。有时也将在圆周方向上头15对于盘10以有序的方式写入数据以及读取数据的方向、也即是在圆周方向上头15相对于盘10行进的方向称为行进方向。例如，行进方向是与盘10的旋转方向相反的方向。此外，行进方向也可以是与盘10的旋转方向相同的方向。在圆周方向上，有时也将行进方向的箭头前端的方向称为后方向或者后。在圆周方向上，有时也将与后方向相反的方向称为前方向或者前。在图3中示出顺向。有时也将在半径方向上对多个磁道连续地进行瓦记录的方向、也即是在半径方向上对前一个进行了写入的磁道重叠接下来要写入的磁道的方向称为顺向。在图3中，在半径方向上，将内方向作为顺向，但也可以将外方向作为顺向。

在图3中示出带区域BAe。在图3的带区域BAe中，多个磁道TR(a－2)、TR(a－1)以及TRa按记载的顺序在顺向上被连续地进行重叠写入。在图3中示出磁道TR(a－2)的写入时的磁道TR(a－2)的磁道中央WTC(a－2)、磁道TR(a－1)的写入时的磁道TR(a－1)的磁道中央WTC(a－1)以及磁道TRa的写入时的磁道TRa的磁道中央WTCa。在图3所示的例子中，磁道TR(a－2)、TR(a－1)以及TRa被以磁道间距STP进行写入。磁道TR(a－2)的磁道中央WTC(a－2)和磁道TR(a－1)的磁道中央WTC(a－1)相距磁道间距STP。磁道TR(a－1)的磁道中央WTC(a－1)和磁道TRa的磁道中央WTCa相距磁道间距STP。磁道TR(a－2)～TRa也可以被以不同的磁道间距进行写入。在图3中，在磁道TR(a－2)中未重叠写入磁道TR(a－1)的区域的半径方向上的宽度和在磁道TR(a－1)中未重叠写入磁道TRa的区域的半径方向上的宽度相同。此外，在磁道TR(a－2)中未重叠写入磁道TR(a－1)的区域的半径方向上的宽度和在磁道TR(a－1)中未重叠写入磁道TRa的区域的半径方向上的宽度也可以不同。在图3中，为了便于说明，将各磁道表示为以预定的磁道宽度在圆周方向上延伸的长方形状，但实际上沿着圆周方向弯曲。另外，各磁道也可以是一边在半径方向上变动、一边在圆周方向上延伸的波状。此外，在图3中，在带区域BAe中，进行了3个磁道的重叠写入，但也可以进行少于3个或者多于3个的磁道的重叠写入。

在图3所示的例子中，读/写控制部610在带区域BAe中朝向内方向用磁道间距STP以有序的方式进行磁道TR(a－2)～TRa的瓦记录。此外，读/写控制部610也可以朝向外方向用磁道间距STP以有序的方式进行磁道TR(a－2)～TRa的瓦记录。读/写控制部610在磁道TR(a－2)的内方向上以磁道间距STP进行磁道TR(a－1)的写入，与磁道TR(a－2)的内方向上的一部分重叠地进行磁道TR(a－1)的写入。读/写控制部610在磁道TR(a－1)的内方向上以磁道间距STP进行磁道TRa的写入，与磁道TR(a－1)的内方向上的一部分重叠地进行磁道TRa的写入。

图4是表示通常记录处理的一个例子的示意图。在图4中示出磁道TR(a－2)、TR(a－1)以及TRa。在图4中，例如磁道TR(a－2)、TR(a－1)以及TRa的磁道宽度相同。此外，磁道TR(a－2)～TRa的磁道宽度也可以不同。在图4中示出磁道TR(a－2)的磁道中央TC(a－2)、磁道TR(a－1)的磁道中央TC(a－1)以及磁道TRa的磁道中央TCa。在图4所示的例子中，磁道TR(a－2)、TR(a－1)以及TRa被以磁道间距CTP进行写入。磁道TR(a－2)的磁道中央TC(a－2)和磁道TR(a－1)的磁道中央TC(a－1)相距磁道间距CTP。磁道TR(a－1)的磁道中央TC(a－1)和磁道TRa的磁道中央TCa相距磁道间距CTP。磁道TR(a－2)和磁道TR(a－1)以间隙GP而分离。磁道TR(a－1)和磁道TRa以间隙GP而分离。此外，磁道TR(a－2)～TRa也可以被以不同的磁道间距进行写入。在图4中，为了便于说明，将各磁道表示为以预定的磁道宽度在圆周方向上延伸的长方形状，但实际上沿着圆周方向弯曲。另外，各磁道也可以是一边在半径方向上变动、一边在圆周方向上延伸的波状。

在图4所示的例子中，读/写控制部610在盘10的预定区域、例如用户数据区域10a中，将头15定位于磁道中央TC(a－2)，对磁道TR(a－2)或者磁道TR(a－2)的预定扇区进行通常记录。读/写控制部610在用户数据区域10a中，将头15定位于从磁道TR(a－2)的磁道中央TC(a－2)向内方向远离了磁道间距CTP的磁道中央TC(a－1)，对磁道TR(a－1)或者磁道TR(a－1)的预定扇区进行通常记录。读/写控制部610在用户数据区域10a中，将头15定位于从磁道TR(a－1)的磁道中央TC(a－1)向内方向远离了磁道间距CTP的磁道中央TCa，对磁道TRa或者磁道TRa的预定扇区进行通常记录。读/写控制部610在盘10的预定区域、例如用户数据区域10a中，既可以以有序的方式对磁道TR(a－2)、TR(a－1)以及TRa进行通常记录，也可以随机地对磁道TR(a－2)的预定扇区、磁道TR(a－1)的预定扇区以及磁道TRa的预定扇区进行通常记录。

奇偶校验数据管理部620对通过异或(Exclusive OR：XOR)运算取得的XOR运算值(以下称为奇偶校验数据或者运算值)进行管理。例如，奇偶校验数据管理部620对从主机系统100传送的数据或者从盘10读取到的数据执行XOR运算，取得奇偶校验数据来作为XOR运算的结果。奇偶校验数据管理部620经由读/写控制部610将奇偶校验数据写入到盘10的预定磁道的预定扇区、例如奇偶校验扇区(奇偶校验区域PA)。

在一个例子中，奇偶校验数据管理部620对从预定磁道读取到的或者要向预定磁道写入的全部扇区的数据执行XOR运算，将作为对于全部扇区的数据的XOR运算的结果所取得的奇偶校验数据写入到该磁道的奇偶校验扇区。

此外，奇偶校验数据管理部620也可以对从预定磁道读取到的或者要写入到预定磁道的全部扇区的数据执行XOR运算，将作为对于全部扇区的数据的XOR运算的结果所取得的奇偶校验数据记录或者保存于与该磁道不同的预定的记录区域或者代替区域、例如盘10、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90。

奇偶校验数据管理部620也可以对预定磁道的全部扇区中的几个扇区各自的数据执行XOR运算，将作为对于几个扇区的数据的XOR运算的结果所取得的奇偶校验数据写入到该磁道的奇偶校验扇区。

另外，奇偶校验数据管理部620也可以对预定磁道的全部扇区中的几个扇区各自的数据执行XOR运算，将作为对于几个扇区的数据的XOR运算的结果所取得的奇偶校验数据记录或者保存于预定的记录区域或者代替区域、例如盘10、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90。

奇偶校验数据管理部620例如在预定磁道中进行整个1周的数据的写入时，将与位于紧接着最初写入数据的扇区(以下有时也称为开始扇区)之前的伺服扇区不同的扇区作为奇偶校验扇区来写入奇偶校验数据。换言之，奇偶校验数据管理部620例如在预定磁道中进行整个1周的数据的写入时，将与位于紧接着最后写入数据的扇区(以下有时也称为最后扇区)之后的伺服扇区不同的扇区作为奇偶校验扇区来写入奇偶校验数据。

奇偶校验数据管理部620将与盘10的各磁道对应的各奇偶校验数据写入到与各磁道对应的各奇偶校验扇区。此外，奇偶校验数据管理部620也可以用表等管理奇偶校验数据或者奇偶校验扇区是否有效。

纠错部630对无法读取的数据(以下有时也称为读错误数据或者错误数据)或者无法读取的扇区(以下有时也称为读错误扇区或者错误扇区)进行修复(纠正、拯救或者纠错)。纠错部630执行多次读取错误数据或者错误扇区的处理(读重试)。另外，纠错部630执行基于纠错码(Error Correction Code)来纠正数据或者扇区的错误(error)的处理(以下有时也称为ECC处理或者纠错处理)。纠错部630基于与预定磁道的错误数据或者错误扇区对应的ECC(以下有时也称为扇区ECC)，对该错误扇区执行ECC处理(以下有时也称为扇区ECC处理)。纠错部630基于与预定磁道的错误数据或者错误扇区对应的ECC(以下有时也称为磁道ECC)，对该错误扇区执行ECC处理(以下有时也称为磁道ECC处理)。例如，纠错部630基于与预定磁道对应的奇偶校验数据或者奇偶校验扇区，对该磁道的错误扇区进行磁道ECC处理。此外，纠错部630例如也可以将与错误扇区关联的信息(以下有时也称为错误扇区信息)作为表来记录于预定的记录区域、例如盘10、易失性存储器70或者非易失性存储器80。

DDOL控制部640对DOL(Drift oflevel，水平漂移)进行控制，该DOL是从盘10的作为对象的区域(以下有时也称为对象区域)的区域目标位置、例如预定区域的中心向半径方向的距离或偏离量、或者从区域目标位置到位于对象区域的半径方向上的区域(以下有时也称为半径区域)的作为目标的位置(以下有时也称为半径区域目标位置)为止的接近量的上限值。DDOL控制部640对作为从盘10的预定磁道的磁道目标位置、例如磁道中央向半径方向的偏离量(以下有时也称为位置误差(position error)、PES(Position Error Signal，位置误差信号)、偏离磁道量或者靠拢量)的上限值的DOL进行控制(或者设定)。以下，有时也将“从区域目标位置向半径方向的距离或者偏离量”、“从区域目标位置到半径区域目标位置为止的接近量”称为“靠拢(squeeze)量”。有时也将“从区域目标位置向半径方向偏离”、“从区域目标位置接近到半径区域目标位置”称为“靠拢”。有时也将“与预定磁道中的各扇区或者各圆周位置对应的各位置误差、各PES、各靠拢量或者各偏离磁道量”、“与预定磁道中的各扇区或者各圆周位置对应的各位置误差、各PES、各靠拢量或者各偏离磁道量的变化”或者“与预定磁道中的各扇区或者各圆周位置对应的各位置误差、各PES、各靠拢量或者各偏离磁道量的变化的轨迹”简称为“位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量”。有时也将“与预定磁道中的各扇区或者各圆周位置对应的各DOL”、“与预定磁道中的各扇区或者各圆周位置对应的各DOL的变化”或者“与预定磁道中的各扇区或者各圆周位置对应的各DOL的变化的轨迹”简称为DOL。

DDOL控制部640基于与预定磁道的相邻磁道对应的位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量，对与该磁道对应的DOL或者DDOL进行控制(或者设定)。有时也将基于与预定磁道的相邻磁道对应的位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量来对与该磁道对应的DOL进行控制的功能称为DDOL(Dynamic Drift-Off(动态漂移消除))功能或者DDOL。另外，有时也将根据与预定磁道的相邻磁道对应的位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量而控制或者设定的与该磁道对应的DOL称为DDOL。

DDOL控制部640基于与之前、例如前一个所写入的相邻磁道(以下有时也称为之前的磁道或者之前的相邻磁道)对应的位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量(以下有时也称为之前的位置误差、之前的PES、之前的靠拢量或者之前的偏离磁道量)，对当前写入的与之前的磁道(以下有时也称为当前的磁道)对应的DDOL(以下有时也称为当前DDOL)或者DOL(以下有时也称为当前DOL)进行控制(或者设定)。换言之，DDOL控制部640基于与之前的磁道的各扇区(以下有时也称为之前的扇区)对应的各之前的位置误差、之前的PES、之前的靠拢量或者之前的偏离磁道量，对与当前磁道的各扇区(以下有时也称为当前扇区)对应的各当前DOL(当前DDOL)进行控制(或者设定)。

另外，DDOL控制部640也可以基于与当前磁道对应的位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量(以下有时也称为当前位置误差、当前PES、当前靠拢量或者当前偏离磁道量)，对接下来写入的在半径方向、例如顺向上与当前磁道相邻的磁道(以下有时也称为接下来的磁道)所对应的DDOL(以下有时也称为接下来的DDOL)或者DOL(以下有时也称为接下来的DOL)进行控制(或者设定)。换言之，DDOL控制部640也可以基于与当前磁道的各当前扇区对应的各当前位置误差、各当前PES、各当前靠拢量或者各当前偏离磁道量，对与接下来的磁道的各扇区(以下有时也称为接下来的扇区)对应的各接下来的DOL(接下来的DDOL)进行控制(或者设定)。

在判定为了位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量超过了DDOL(或者为DDOL以上)的情况下，DDOL控制部640中断(停止或者禁止)写处理，进行旋转等待，从该预定的圆周位置重新开始写处理。有时也将“在位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量超过了DDOL的情况下停止写处理、进行旋转等待而重新开始写处理的处理”称为“重试处理”。

例如在当前磁道的预定的当前扇区中判定为了当前位置误差、当前PES、当前靠拢量或者当前偏离磁道量超过了当前DDOL(或者为DDOL以上)的情况下，DDOL控制部640中断(停止或者禁止)对于当前磁道的写处理，进行旋转等待，从该圆周位置执行重试处理。换言之，在预定的当前扇区中判定为了当前靠拢量超过了与该扇区对应的当前DOL的情况下，DDOL控制部640中断对配置在该当前扇区之后的当前扇区的写处理，进行旋转等待，从该当前扇区执行重试处理。

DDOL控制部640对在与对象区域对应的位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量超过了该阈值时会在该对象区域的半径区域中产生读错误或者错误扇区的阈值(以下有时也称为不可恢复阈值)进行控制或者设定。

DDOL控制部640基于DDOL，对不可恢复阈值进行控制或者设定。DDOL控制部640基于与预定磁道对应的DDOL，对与该磁道对应的不可恢复阈值进行控制或者设定。换言之，控制部640基于与预定磁道的各扇区对应的各DOL(DDOL)，对与该磁道的各扇区对应的各不可恢复阈值进行控制或者设定。以下，有时也将“与预定磁道中的各扇区或者各圆周位置对应的各不可恢复阈值”、“与预定磁道中的各扇区或者各圆周位置对应的各不可恢复阈值的变化”或者“与预定磁道中的各扇区或者各圆周位置对应的各不可恢复阈值的变化的轨迹”简称为“不可恢复阈值”。此外，DDOL控制部640也可以基于位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量，对不可恢复阈值进行控制或者设定。

DDOL控制部640基于与当前磁道对应的当前DDOL，对与当前磁道对应的不可恢复阈值(以下有时也称为当前不可恢复阈值)进行控制或者设定。换言之，DDOL控制部640基于与当前磁道的各当前扇区对应的各当前DOL(当前DDOL)，对与当前磁道的各当前扇区对应的各当前不可恢复阈值进行控制或者设定。

在对预定的带区域的数据进行瓦记录的情况下，当前不可恢复阈值相当于使在逆顺向上与当前磁道相邻的之前的磁道产生读错误或者错误扇区的阈值。

当前不可恢复阈值的形状也可以是与之前的磁道中的之前的位置误差、之前的PES、之前的靠拢量或者之前的偏离磁道量的形状相同的形状。当前不可恢复阈值的形状也可以是与之前的磁道中的之前的位置误差、之前的PES、之前的靠拢量或者之前的偏离磁道量的形状不同的形状。

与当前磁道对应的当前不可恢复阈值的形状也可以是与当前磁道所对应的当前DDOL的形状相同的形状。与当前磁道对应的当前不可恢复阈值的形状也可以是与当前磁道所对应的当前DDOL的形状不同的形状。

与当前磁道对应的当前不可恢复阈值比与当前磁道对应的当前DDOL小。换言之，与当前磁道对应的当前不可恢复阈值的从当前磁道的磁道目标位置、例如磁道中央的距离或者偏离量比与当前磁道对应的当前DDOL小。

DDOL控制部640也可以基于与接下来的磁道对应的接下来的DDOL，对与接下来的磁道对应的不可恢复阈值(以下有时也称为接下来的不可恢复阈值)对控制或者设定。换言之，DDOL控制部640也可以基于与接下来的磁道的各接下来的扇区对应的各接下来的DOL(接下来的DDOL)，对与接下来的磁道的各接下来的扇区对应的各接下来的不可恢复阈值进行控制或者设定。

在对预定的带区域的数据进行瓦记录的情况下，接下来的不可恢复阈值相当于使当前磁道产生读错误或者错误扇区的阈值。

接下来的不可恢复阈值的形状也可以是与当前磁道中的当前位置误差、当前PES、当前靠拢量或者当前偏离磁道量的形状相同的形状。接下来的不可恢复阈值的形状也可以是与当前磁道中的当前位置误差、当前PES、当前靠拢量或者当前偏离磁道量的形状不同的形状。

与接下来的磁道对应的接下来的不可恢复阈值的形状也可以是与接下来的磁道对应的接下来的DDOL的形状相同的形状。与接下来的磁道对应的接下来的不可恢复阈值的形状也可以是与接下来的磁道对应的接下来的DDOL的形状不同的形状。

与接下来的磁道对应的接下来的不可恢复阈值比与接下来的磁道对应的接下来的DDOL小。换言之，与接下来的磁道对应的接下来的不可恢复阈值的从接下来的磁道的磁道目标位置、例如磁道中央的距离或者偏离量比与接下来的磁道对应的接下来的DDOL小。

此外，DDOL控制部640也可以基于之前的位置误差、之前的PES、之前的靠拢量或者之前的偏离磁道量和接下来的位置误差、接下来的PES、接下来的靠拢量或者接下来的偏离磁道量，控制、设定或者算出当前不可恢复阈值。

DDOL控制部640对位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量超过了不可恢复阈值的次数或者成为不可恢复阈值以上的次数(以下有时也称为不可恢复超过次数)进行计数。例如，DDOL控制部640在位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量超过了不可恢复阈值或者成为了不可恢复阈值以上的情况下，使不可恢复超过次数增加1来进行计数。

DDOL控制部640对与预定磁道对应的不可恢复超过次数进行计数。例如，DDOL控制部640在与预定磁道对应的位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量超过了与预定磁道对应的不可恢复阈值或者成为了该不可恢复阈值以上的情况下，使与预定磁道对应的不可恢复超过次数增加1来进行计数。换言之，DDOL控制部640在与预定磁道的预定扇区对应的位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量超过了与该扇区对应的不可恢复阈值或者成为了该不可恢复阈值以上的情况下，使与预定磁道对应的不可恢复超过次数增加1来进行计数。

DDOL控制部640对与当前磁道对应的不可恢复超过次数(以下有时也称为当前不可恢复超过次数)进行计数。例如，DDOL控制部640在当前位置误差、当前PES、当前靠拢量或者当前偏离磁道量超过了当前不可恢复阈值或者成为了当前不可恢复阈值以上的情况下，使当前不可恢复超过次数增加1来进行计数。换言之，DDOL控制部640在与当前磁道的预定的当前扇区对应的当前位置误差、当前PES、当前靠拢量或者当前偏离磁道量超过了与该当前扇区对应的当前不可恢复阈值或者成为了该当前不可恢复阈值以上的情况下，使与该磁道对应的当前不可恢复超过次数增加1来进行计数。

DDOL控制部640按伺服扇区而对不可恢复超过次数进行计数。例如，DDOL控制部640也可以在圆周方向上连续地排列的两个伺服扇区之间的写入用户数据的扇区中位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量多次超过了不可恢复阈值的情况下，使不可恢复超过次数仅增加1来进行计数。

DDOL控制部640每当在预定磁道中不可恢复超过次数增加时，对与该磁道对应的DDOL(以下有时也称为紧缩前DDOL)进行调整。DDOL控制部640为了从预定磁道的相邻磁道离开与该磁道对应的DDOL，每当在预定磁道中不可恢复超过次数增加时，阶段性地减小与该磁道对应的紧缩前DDOL。换言之，DDOL控制部640每当在预定磁道中位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量超过与该磁道对应的不可恢复阈值时，阶段性地减小与该磁道对应的紧缩前DDOL。

DDOL控制部640每当在当前磁道中当前不可恢复超过次数增加时，对与当前磁道对应的紧缩前DDOL(以下有时也称为当前紧缩前DDOL)进行调整。DDOL控制部640为了从当前磁道的相邻磁道、例如之前的磁道或者接下来的磁道离开与该当前磁道对应的DDOL，每当在当前磁道中当前不可恢复超过次数增加时，阶段性地减小与该磁道对应的当前紧缩前DDOL。换言之，DDOL控制部640每当在当前磁道中当前位置误差、当前PES、当前靠拢量或者当前偏离磁道量超过与该磁道对应的不可恢复阈值时，阶段性地减小与该磁道对应的紧缩前DDOL。

紧缩前DDOL在预定磁道的多个扇区中位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量超过了与该磁道对应的不可恢复阈值的情况下，相对于不可恢复超过次数成反比例地变化。例如，在预定磁道的预定扇区中位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量超过了与该磁道对应的不可恢复阈值的情况下的紧缩前DDOL的变化量大于在比该磁道的该扇区靠后的扇区中位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量超过了与该磁道对应的不可恢复阈值的情况下的紧缩前DDOL的变化量。

DDOL控制部640也可以每当在预定磁道中不可恢复超过次数被计数(或者增加)时，取得与各不可恢复超过次数对应的各位置误差、各PES、各靠拢量或者各偏离磁道量中的最大值或者最小值，将其记录或者保持于预定的记录区域、例如盘10、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90。

DDOL控制部640也可以每当不可恢复超过次数被计数(或者增加)时，算出与全部不可恢复超过次数分别对应的全部位置误差、全部PES、全部靠拢量或者全部偏离磁道量的平均值，将其记录或者保持于预定的记录区域、例如盘10、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90。

DDOL控制部640也可以每当不可恢复超过次数被计数(或者增加)时，取得与全部不可恢复超过次数分别对应的全部位置误差、全部PES、全部靠拢量或者全部偏离磁道量中的最大值或者最小值，将其记录或者保持于预定的记录区域、例如盘10、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90。

以下，有时也将“与按不可恢复超过次数而规定的各不可恢复超过次数对应的各位置误差、各PES、各靠拢量或者各偏离磁道量的平均值、最大值或者最小值”称为“紧缩判定值”。

此外，DDOL控制部640也可以在圆周方向上连续地排列的两个伺服扇区之间的写入用户数据的扇区中位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量多次超过了不可恢复阈值的情况下，取得超过了预定的不可恢复阈值的多个位置误差、多个PES、多个靠拢量或者多个偏离磁道量中的最差(Worst)值、例如最大的值或者最小的值来自作为与这些两个伺服扇区之间的扇区对应的位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量。

DDOL控制部640基于与在预定磁道中按不可恢复超过次数而规定的各不可恢复超过次数对应的各紧缩判定值、和比无法进行与该磁道对应的纠错的磁道无法ECC阈值小的对写处理、例如DDOL进行变更的阈值(以下有时也称为紧缩阈值)，对写处理进行控制。换言之，DDOL控制部640基于与在预定磁道中按位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量超过了不可恢复阈值的扇区(以下有时也称为超过扇区)而规定的各超过扇区对应的各紧缩判定值和与该磁道对应的紧缩阈值，对写处理进行控制。

DDOL控制部640判定与在预定磁道中按不可恢复超过次数而规定的各不可恢复超过次数对应的各紧缩判定值是为与该磁道对应的紧缩阈值以上、还是比紧缩阈值小(或者是比紧缩阈值大、还是为紧缩阈值以下)。换言之，DDOL控制部640判定在预定磁道中按超过扇区而规定的与各超过扇区对应的各紧缩判定值是为与该磁道对应的紧缩阈值以上、还是比紧缩阈值小(或者是比紧缩阈值大、还是为紧缩阈值以下)。

在判定为了在预定磁道中与预定的不可恢复超过次数对应的紧缩判定值比紧缩阈值大或者为紧缩阈值以上的情况下，DDOL控制部640停止写处理，将与该磁道中的比预定的不可恢复超过次数所对应的圆周位置靠后的位置对应的紧缩前DDOL调整、变更、设定或者转变为比紧缩前DDOL小、且比不可恢复阈值小的DDOL(以下有时也称为紧缩后DDOL)，以使得不再产生错误扇区而不变为无法执行磁道ECC处理。换言之，在判定为了在预定磁道中与预定的超过扇区对应的紧缩判定值比紧缩阈值大或者为紧缩阈值以上的情况下，DDOL控制部640停止写处理，将与该磁道中的比预定的超过扇区靠后的扇区对应的紧缩前DDOL变更为紧缩后DDOL。

从预定磁道的磁道目标位置到与该磁道对应的紧缩后DDOL为止的半径方向上的距离比从该磁道的磁道目标位置到与该磁道对应的紧缩前DDOL为止的半径方向的距离小。另外，从预定磁道的磁道目标位置到与该磁道对应的紧缩后DDOL为止的半径方向上的距离比从该磁道的磁道目标位置到与该磁道对应的不可恢复阈值为止的半径方向上的距离小。

以下，有时也将“从紧缩前DDOL调整、变更、设定或者转变为紧缩后DDOL”表现为“将紧缩前DDOL紧缩为紧缩后DDOL”或者“将紧缩前DDOL缩小为紧缩后DDOL”。另外，有时也将“紧缩DDOL”称为“DDOL紧缩处理”或者“紧缩处理”。紧缩前DDOL可以被与紧缩后DDOL不连续地进行设定。此外，紧缩前DDOL和紧缩后DDOL也可以被连续地进行设定。在判定为了纠正判定值为纠正判定阈值以下或者比纠正判定阈值小的情况下，DDOL控制部640继续进行写处理。

滑移处理部650执行挪移(或者滑移)预定磁道的至少一个扇区来进行写入的滑移处理。

滑移处理部650对从预定的带区域的预定磁道的预定扇区到该磁道的最后扇区为止的至少一个扇区进行挪移(或者滑移)，从顺向上的相邻磁道的开始扇区起在行进方向上按顺序进行写入。

滑移处理部650也可以在挪移从预定的带区域的预定磁道的预定扇区到该磁道的最后扇区为止的至少一个扇区来从顺向上的相邻磁道的开始扇区起在行进方向上按顺序进行了写入的情况下，将对从预定磁道的开始扇区到在与行进方向相反一侧与该预定扇区相邻的扇区为止的至少一个扇区进行XOR运算而得到的奇偶校验数据写入到该磁道的奇偶校验扇区。

另外，滑移处理部650也可以在挪移从预定带区域的预定磁道的预定扇区到该磁道的最后扇区为止的至少一个扇区来从顺向上的相邻磁道的开始扇区起在行进方向上按顺序进行了写入的情况下，将从预定磁道的开始扇区到在与行进方向相反一侧与该预定扇区相邻的扇区为止的至少一个扇区保存到其他记录区域、例如盘10、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90。

滑移处理部650对从预定的带区域的当前磁道的当前扇区到该当前磁道的最后扇区为止的至少一个扇区进行挪移(或者滑移)，从接下来的磁道的开始扇区起在行进方向上按顺序进行写入。

滑移处理部650也可以在挪移从预定的带区域的当前磁道的当前扇区到该当前磁道的最后扇区为止的至少一个扇区来从顺向上的接下来的磁道的开始扇区起在行进方向上按顺序进行了写入的情况下，将对从当前磁道的开始扇区到在与行进方向相反一侧与当前扇区相邻的扇区为止的至少一个扇区进行XOR运算而得到的奇偶校验数据写入到该当前磁道的奇偶校验扇区。

另外，滑移处理部650也可以在挪移从预定的带区域的当前磁道的当前扇区到该当前磁道的最后扇区为止的至少一个扇区来从顺向上的接下来的磁道的开始扇区起在行进方向上按顺序进行了写入的情况下，将从当前磁道的开始扇区到在与行进方向相反一侧与当前扇区相邻的扇区为止的至少一个扇区保存到其他记录区域、例如盘10、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90。

滑移处理部650也可以仅挪移(或者滑移)与预定的带区域的预定磁道对应的紧缩后DDOL比从该磁道到该紧缩后DDOL的距离的阈值(以下有时也称为DDOL接近阈值)小(或者为DDOL接近阈值以下)的至少一个扇区，从顺向上的相邻磁道的开始扇区起在行进方向上按顺序进行写入。换言之，滑移处理部650也可以仅挪移(滑移)与预定的带区域的预定磁道对应的紧缩后DDOL比DDOL接近阈值更接近的至少一个扇区，从顺向上的相邻磁道的开始扇区起在行进方向上按顺序进行写入。

滑移处理部650也可以在仅挪移与预定的带区域的预定磁道对应的紧缩后DDOL比DDOL接近阈值小或者为DDOL接近阈值以下的至少一个扇区、从顺向上的相邻磁道的开始扇区起在行进方向上按顺序进行了写入的情况下，将在该预定磁道中对与预定的带区域的预定磁道对应的紧缩后DDOL比DDOL接近阈值小(或者为DDOL接近阈值以下)的至少一个扇区以外的其他扇区进行XOR运算而得到的奇偶校验数据写入到该磁道的奇偶校验扇区。

滑移处理部650也可以仅挪移(或者滑移)与预定的带区域的当前磁道对应的当前紧缩后DDOL比与当前磁道对应的DDOL接近阈值(以下有时也称为当前DDOL接近阈值)小(或者为当前DDOL接近阈值以下)的至少一个扇区，从顺向上的接下来的磁道的开始扇区起在行进方向上按顺序进行写入。

滑移处理部650也可以在仅挪移与预定的带区域的当前磁道对应的当前紧缩后DDOL比当前DDOL接近阈值小(或者为当前DDOL接近阈值以下)的至少一个扇区、从顺向上的接下来的磁道的开始扇区起在行进方向上按顺序进行了写入的情况下，将在该当前磁道对与预定的带区域的当前磁道对应的当前紧缩后DDOL比当前DDOL接近阈值小(或者为当前DDOL接近阈值以下)的至少一个扇区以外的其他扇区进行XOR运算而得到的奇偶校验数据写入到该当前磁道的奇偶校验扇区。

滑移处理部650对与预定磁道对应的位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量超过了与该磁道对应的紧缩后DDOL的次数、或者成为紧缩后DDOL以上的次数(以下有时也称为紧缩后超过次数)进行计数。

滑移处理部650对与当前磁道对应的当前位置误差、当前PES、当前靠拢量或者偏离磁道量超过了与该磁道对应的紧缩后DDOL、或者成为紧缩后DDOL以上的紧缩后超过次数(以下有时也称为当前的紧缩后超过次数)进行计数。

滑移处理部650在判定为了与预定磁道对应的紧缩后超过次数比与该磁道对应的预定次数(以下有时也称为紧缩后超过阈值)大或者为紧缩后超过阈值以上的情况下，判断为写性能恶化而难以进行写处理，对该磁道执行滑移处理。

滑移处理部650在判定为了与当前磁道对应的当前紧缩后超过次数比与该磁道对应的紧缩后超过阈值(以下有时也称为当前紧缩后超过阈值)大或者为当前紧缩后超过阈值以上的情况下，对该磁道执行滑移处理。

滑移处理部650在判定为了与预定磁道对应的紧缩后超过次数为与该磁道对应的紧缩后超过阈值以下或者比紧缩后超过阈值小的情况下，继续进行对于该磁道的写处理。

滑移处理部650在判定为了与当前磁道对应的当前紧缩后超过次数为与该磁道对应的当前紧缩后超过阈值以下或者比当前紧缩后超过阈值小的情况下，继续进行对于该磁道的写处理。

滑移处理部650在判定为了在预定的带区域的预定磁道的预定扇区中紧缩后超过次数比与该预定磁道对应的紧缩后超过阈值大或者为紧缩后超过阈值以上的情况下，挪移(或者滑移)从该预定扇区到该预定磁道的最后扇区为止的至少一个扇区，从顺向上的相邻磁道的开始扇区起在行进方向上按顺序进行写入。

滑移处理部650在判定为了在预定的带区域的当前磁道的预定的当前扇区中当前的紧缩后超过次数比与该当前磁道对应的当前紧缩后超过阈值大或者为当前紧缩后超过阈值以上的情况下，挪移(或者滑移)从该当前扇区到该当前磁道的最后扇区为止的至少一个扇区，从接下来的磁道的开始扇区起在行进方向上按顺序进行写入。

滑移处理部650也可以在判定为了在预定的带区域的预定磁道的预定扇区中紧缩后超过次数比与该预定磁道对应的紧缩后超过阈值大或者为紧缩后超过阈值以上的情况下，仅挪移(或者滑移)与紧缩后DDOL比与预定磁道对应的预定的DDOL接近阈值小(或者为预定的DDOL接近阈值以下)的至少一个扇区，从顺向上的相邻磁道的开始扇区起在行进方向上按顺序进行写入。

滑移处理部650也可以在判定为了在预定的带区域的当前磁道的预定的当前扇区中当前紧缩后超过次数比与该当前磁道对应的当前紧缩后超过阈值大或者为当前紧缩后超过阈值以上的情况下，仅挪移(或者滑移)当前紧缩后DDOL比与当前磁道对应的当前DDOL接近阈值小(或者为当前DDOL接近阈值以下)的至少一个扇区，从顺向上的接下来的磁道的开始扇区起在行进方向上按顺序进行写入。

此外，滑移处理部650也可以在判定为了紧缩判定值比紧缩阈值大或者为紧缩阈值以上的情况下，停止写处理，选择紧缩处理或者滑移处理来进行处理。

图5是表示磁道ECC Gain(增益)相对于靠拢次数的变化的一个例子的示意图。在图5中，横轴表示在预定磁道中进行了靠拢的扇区的数量(以下有时也称为靠拢次数)，纵轴表示与在预定磁道中能够通过磁道ECC进行纠正的从磁道目标位置向半径方向的偏离量相当的磁道ECC Gain。此外，横轴也可以是不可恢复超过次数。也即是，靠拢次数也可以与不可恢复超过次数对应。另外，纵轴也可以是紧缩判定值。也即是，磁道ECC Gain也可以与紧缩判定值对应。在图5的纵轴上，磁道ECC Gain随着向大的箭头的前端侧前进而变大，随着向小的箭头的前端侧前进而变小。在图5中示出与多个头15分别对应的磁道ECC Gain相对于靠拢次数的变化(以下有时也简称为磁道ECC Gain的变化)GC1、GC2、GC3、GC4、GC5、GC6、GC7以及GC8。另外，在图5中示出与磁道ECC Gain相对于各靠拢次数的变化GC1～GC8的磁道ECC Gain的各平均值相当的磁道ECC Gain的变化GCave、和对各靠拢次数下的磁道ECCGain的变化GC1～GC8的磁道ECC Gain的各平均值进行线性插值而得到的磁道ECC Gain的变化LCave。例如，在预定磁道中预定的靠拢次数下的靠拢量比磁道ECC Gain的变化GCave小或者为磁道ECC Gain的变化GCave以下的情况下，能够通过磁道ECC对在该磁道中所产生的错误扇区进行纠正。

在图5所示的例子中，磁道ECC Gain的变化GCave随着靠拢次数变大而变小。磁道ECC Gain的变化GCave能够用随着靠拢次数变大而磁道ECC Gain变小那样的直线进行近似。也即是，随着靠拢次数、例如不可恢复超过次数变大，可能产生无法通过磁道ECC处理进行纠正的读错误的纠正判定值变小。

图6示出表示本实施方式涉及的紧缩判定值相对于不可恢复超过阈值的变化的一个例子的示意图。在图6中，横轴表示预定盘的预定磁道中的不可恢复超过次数，纵轴表示预定盘的预定磁道中的紧缩判定值。在图6的横轴上，不可恢复超过次数随着向箭头的前端侧前进而变大，随着向与箭头的前端侧相反一侧前进而变小。在图6的横轴上示出不可恢复超过次数1、2、3、4、5以及6。在图6的纵轴上，紧缩判定值随着向大的箭头的前端侧前进而变大，随着向小的箭头的前端侧前进而变小。在图6中示出磁道无法ECC阈值相对于不可恢复超过次数的变化(以下有时也简称为磁道无法ECC阈值)CLL、和紧缩阈值相对于不可恢复超过次数的变化(以下有时也简称为紧缩阈值)UCTL。磁道无法ECC阈值CLL比紧缩阈值UCTL大。也即是，紧缩阈值UCTL比磁道无法ECC阈值CLL小。在图6中示出作为对象的盘(以下有时也称为对象盘)10的预定磁道中的紧缩判定值相对于不可恢复超过次数的变化(以下有时也简称为对象的紧缩判定值的变化)SL、具有比该对象盘10高的TPI的盘(以下有时也称为高TPI盘)10的预定磁道(以下有时也称为高TPI磁道)中的紧缩判定值的变化(以下有时也称为与高TPI对应的紧缩判定值的变化)HTSL以及具有比该对象盘10低的TPI的盘(有时也称为低TPI盘)10的预定磁道(以下有时也称为低TPI磁道)中的紧缩判定值的变化(以下有时也称为与低TPI对应的紧缩判定值的变化)LTSL。对象的紧缩判定值的变化SL比与高TPI对应的紧缩判定值的变化HTSL小。对象的紧缩判定值的变化SL比与低TPI对应的紧缩判定值的变化LTSL大。

在图6所示的例子中，对象的紧缩判定值的变化SL在不可恢复超过次数为6次时达到紧缩阈值UCTL。

在图6所示的例子中，与高TPI对应的紧缩判定值的变化HTSL在不可恢复超过次数为3次时达到紧缩阈值UCTL。也即是，在具有高TPI的盘10中，各不可恢复超过次数的紧缩判定值比对象盘10大，能够以比对象盘10少的不可恢复超过次数达到紧缩阈值。

在图6所示的例子中，即使不可恢复超过次数为比6次大的次数，与低TPI对应的紧缩判定值的变化LTSL也未达到紧缩阈值。也即是，在具有低TPI的盘10中，各不可恢复超过次数的紧缩判定值比对象盘10小，能够以比对象盘10大的不可恢复超过次数达到紧缩阈值。

图7是表示本实施方式涉及的DDOL紧缩处理的一个例子的示意图。在图7中，紧缩判定值与图6的对象的紧缩判定值的变化SL对应。在图7中示出磁道TR(k－1)和TR(k)。磁道TR(k－1)和TR(k)相互在半径方向上相邻。磁道TR(k－1)和TR(k)也可以配置在预定的带区域。在图7中示出磁道TR(k－1)的磁道中央TC(k－1)和磁道TR(k)的磁道中央TC(k)。在图7中示出与磁道TR(k－1)对应的PES PEC(k－1)和与磁道TR(k)对应的PES PEC(k)。在图7中示出与磁道TR(k)对应的紧缩前DDOL DDC(k)和与磁道TR(k)对应的紧缩后DDOL DDC′(k)。在图7中示出与磁道TR(k)对应的不可恢复阈值UT(k)。在图7中示出圆周位置CP61和CP62。圆周位置CP61例如相当于预定扇区，圆周位置CP62例如相当于在行进方向上与圆周位置CP61所对应的扇区相邻的扇区。圆周位置CP61相当于PES PEC(k)第5次超过了不可恢复阈值UT(k)的圆周位置。换言之，不可恢复超过次数在圆周位置CP61达到5次。圆周位置CP62相当于PES PEC(k)第6次超过了不可恢复阈值UT(k)的圆周位置。换言之，与磁道TR(k)对应的不可恢复超过次数在圆周位置CP62达到6次。例如，在圆周位置CP62中，与磁道TR(k)的圆周位置CP62对应的紧缩判定值为与磁道TR(k)对应的紧缩阈值以上(或者比紧缩阈值大)。

在图7所述的例子中，MPU60对磁道TR(k－1)进行写入。MPU60在正在对磁道TR(k－1)进行写入时，基于与磁道TR(k－1)对应的PES PEC(k－1)，设定与磁道TR(k)对应的DDOLDDC(k)。MPU60基于与磁道TR(k)对应的DDOL DDC(k)，对与磁道TR(k)对应的不可恢复阈值UT(k)进行设定。

在图7所示的例子中，MPU60接着磁道TR(k－1)对磁道TR(k)进行写入。此外，MPU60也可以在磁道TR(k－1)的半径方向上的顺向的一部分进行磁道TR(k)的瓦写入。MPU60按照PES PEC(k)进行磁道TR(k)的写入。MPU60在正在对磁道TR(k)进行写入时，在圆周位置CP61将不可恢复超过次数计数为5次。MPU60在正在对磁道TR(k)进行写入时，在圆周位置CP62将不可恢复超过次数计数为6次。MPU60在磁道TR(k)的写入时，判定在不可恢复次数在圆周位置CP62达到了6次时紧缩判定值是比紧缩阈值大、还是为紧缩阈值以下。在磁道TR(k)的写入时不可恢复超过次数达到6次而判定为了紧缩判定为紧缩阈值以上的情况下，MPU60停止磁道(k)中的写处理，使紧缩前DDOL DDC(k)比不可恢复阈值UT(k)更接近磁道中央TC(k)、也即是紧缩到比不可恢复阈值UT(k)小的紧缩后DDOL DDC’(k)，以使得在磁道(k)中不再产生错误扇区。紧缩后DDOL DDC′(k)与紧缩前DDOL DDC(k)不连续。MPU60从圆周位置CP62起重试磁道TR(k)的写处理。

图8是表示本实施方式涉及的DDOL相对于不可恢复超过次数的变化的一个例子的示意图。图8与图6和图7对应。在图8中，横轴表示预定磁道中的不可恢复超过次数，纵轴表示预定磁道中的DDOL。在图8的横轴上，不可恢复超过次数随着向箭头的前端侧前进而变大，随着向与箭头的前端侧相反一侧前进而变小。在图8的横轴上示出不可恢复超过次数1、2、3、4、5以及6。在图8的纵轴上，DDOL随着向大的箭头的前端侧前进而变大，随着向小的箭头的前端侧前进而变小。在图8中示出DDOL相对于不可恢复超过次数的变化(以下有时也称为DDOL的变化)DC。DDOL的变化DC包括紧缩前DDOL相对于不可恢复超过次数的变化(以下有时也简称为紧缩前DDOL)BDC和相对于不可恢复超过次数的紧缩后DDOL(以下有时也简称为紧缩后DDOL)ADC。

如图8所示，MPU60在预定磁道中，每当不可恢复超过次数增加时，逐渐减小紧缩前DDOL BDC。例如，MPU60可以在预定磁道中，每当不可恢复超过次数增加时，使紧缩前DDOLBDC为反比例。也即是，在紧缩前DDOL上，预定磁道的开始扇区的DDOL的变化量比与该磁道的开始扇区相比而配置在了行进方向上的扇区的DDOL的变化量大。在预定磁道中在不可恢复超过次数达到了6次时判定为了紧缩判定值为紧缩阈值以上的情况下，MPU60停止对于该磁道的写处理，将紧缩前DDOL BDC紧缩为紧缩后DDOLADC，以使得在该磁道中不再产生错误扇区。MPU60也可以将紧缩后DDOLADC维持为一定。此外，MPU60也可以使紧缩后DDOLADC变动。

图9是表示磁道的构成的一个例子的示意图。在图9中示出磁道TR(k)和TR(k+1)。磁道TR(k)与图7所示的磁道TR(k)对应。磁道TR(k)和TR(k+1)从外方向向内方向按记载的顺序而排列。磁道TR(k+1)在顺向上与磁道TR(k)相邻。在预定的带区域中，磁道TR(k+1)也可以瓦记录于磁道TR(k)的顺向上的一部分。磁道TR(k)具有扇区Sck0、Sck1、Sck2、Sck3、Sck4、Sck5、Sck6、Sck7、Sck8、Sck9、Sck10、Sck11以及奇偶校验扇区Pk。扇区Sck0、Sck1、Sck2、Sck3、Sck4、Sck5、Sck6、Sck7、Sck8、Sck9、Sck10、Sck11以及奇偶校验扇区Pk在行进方向上按记载的顺序连续地配置。奇偶校验扇区Pk相当于对扇区Sck0～Sc11进行XOR运算而得到的结果。奇偶校验扇区Pk是有效的奇偶校验扇区。磁道TR(k+1)具有扇区Sc(k+1)0、Sc(k+1)1、Sc(k+1)2、Sc(k+1)3、Sc(k+1)4、Sc(k+1)5、Sc(k+1)6、Sc(k+1)7、Sc(k+1)8、Sc(k+1)9、Sc(k+1)10、Sc(k+1)11以及奇偶校验扇区Pk+1。扇区Sc(k+1)0、Sc(k+1)1、Sc(k+1)2、Sc(k+1)3、Sc(k+1)4、Sc(k+1)5、Sc(k+1)6、Sc(k+1)7、Sc(k+1)8、Sc(k+1)9、Sc(k+1)10、Sc(k+1)11以及奇偶校验扇区Pk+1在行进方向上按记载的顺序连续地配置。奇偶校验扇区Pk+1相当于对扇区Sc(k+1)0～Sc(k+1)11进行XOR运算而得到的结果。

在图9所示的例子中，MPU60对扇区Sck0～Sck11进行写入，在行进方向上与扇区Sck11相邻地进行对扇区Sck0～Sck11进行XOR运算而算出的奇偶校验扇区Pk的写入。

在图9所示的例子中，MPU60对扇区Sc(k+1)0～Sc(k+1)11进行写入，在行进方向上与扇区Sc(k+1)11相邻地进行对扇区Sc(k+1)0～Sc(k+1)11进行XOR运算而算出的奇偶校验扇区Pk的写入。

图10是表示本实施方式涉及的滑移处理的一个例子的示意图。图10所示的磁道TR(k)和TR(k+1)的一部分与图9所示的磁道TR(k)和TR(k+1)对应。在图10的磁道TR(k)中，在行进方向上与扇区Sck7相邻的圆周位置、例如在图9中配置了扇区Sck8的位置，与磁道TR(k)对应的紧缩后超过次数比与磁道TR(k)对应的紧缩后超过阈值大。

在图10所示的例子中，MPU60在从紧缩前DDOL紧缩为紧缩后DDOL之后对磁道TR(k)进行写入时，对与磁道TR(k)对应的位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量超过了紧缩后DDOL的紧缩后超过次数进行计数。MPU60在磁道TR(k)中判定为了在行进方向上与扇区Sck7相邻的扇区Sck8中紧缩后超过次数比紧缩后超过阈值大的情况下，将扇区Sck8～Sck11挪移(或者滑移)到磁道TR(k+1)，作为磁道TR(k+1)的开始扇区而进行扇区Sck8的写入，从扇区Sck8起在行进方向上按记载的顺序进行扇区Sck9、Sck10、Sck11、Sc(k+1)0、Sc(k+1)1、Sc(k+1)2、Sc(k+1)3、Sc(k+1)4、Sc(k+1)5、Sc(k+1)6以及Sc(k+1)7的写入。

在图10所示的例子中，MPU60在行进方向上与扇区Sc(k+1)7相邻地进行对扇区Sck8～Sck(k+1)7进行XOR运算而算出的奇偶校验扇区Pk+1的写入。此外，MPU60也可以在行进方向上与磁道TR(k)的最后扇区相邻地进行对扇区Sck0～Sck7进行XOR运算而算出的奇偶校验扇区Pk的写入。

如图15所示，MPU60也可以在磁道TR(k)中判定为在与扇区Sck7在行进方向上相邻的扇区Sck8中紧缩后超过次数比紧缩后超过阈值大的情况下，将扇区Sck8在行进方向上仅挪移(或者滑移)一个扇区的量，将扇区Sck8写入到扇区Sck7的下下个扇区。扇区Sck7与扇区Sck8之间的区域(扇区Scd1)成为不使用的区域。

另外，MPU60也可以在磁道TR(k)中判定为在与扇区Sck8在行进方向上相邻的扇区Sck9中紧缩后超过次数比紧缩后超过阈值大的情况下，将扇区Sck9在行进方向上仅挪移(或者滑移)一个扇区的量，将扇区Sck9写入到扇区Sck8的下下个扇区。扇区Sck8与扇区Sck9之间的区域(扇区Scd2)成为不使用的区域。

关于磁道TR(k+1)，作为开始扇区，进行扇区Sck10的写入，对于扇区Sck11、Sc(k+1)0、Sc(k+1)1、Sc(k+1)2、Sc(k+1)3、Sc(k+1)4、Sc(k+1)5、Sc(k+1)6、Sc(k+1)7、Sc(k+1)8以及Sc(k+1)9，从扇区Sck10开始在行进方向上按记载的顺序进行写入即可。

在图15所示的例子中，与图10所示的例子相比，能够减少设为不使用的区域(数据区域)，因此，能够实现各磁道的多个数据区域(多个数据扇区)的使用效率的提高。

接着，对在向磁道写入数据时挪移(或者滑移)至少一个扇区时的判断基准和实施紧缩处理时的判断基准的例子进行说明。

如图7和图15所示，MPU60在实施紧缩处理之前对磁道TR(k)进行写入时，判断与磁道TR(k)对应的偏离量是否超过了不可恢复阈值UT(k)，并且，判断上述偏离量是否超过了紧缩前DDOL DDC(k)。

MPU60在判断为不满足用于实施紧缩处理的条件的期间，在磁道TR(k)的扇区Sck8的写入时判断为上述偏离量超过了紧缩前DDOL DDC(k)的情况下，中断对当前扇区(扇区Sck7的下一扇区)的写处理，进行旋转等待，从该当前扇区执行重试处理。MPU60在该当前扇区中对上述偏离量超过了紧缩前DDOL DDC(k)的次数(以下有时也称为紧缩前超过次数)进行计数。

MPU60(滑移处理部650)在判断为紧缩前超过次数达到了紧缩前超过阈值(第1规定次数)的情况下，从该当前扇区挪移至少一个扇区。在图15的例子中，通过挪移一个扇区，将扇区Scd1设为不使用的区域。

接着，MPU60在判断为不满足用于实施紧缩处理的条件、且判断为紧缩前超过次数未达到紧缩前超过阈值的情况下，在扇区Scd1的旁边进行扇区Sck8的写入。

然后，MPU60在扇区Sck9的写入时判断为满足了用于实施紧缩处理的条件的情况下，将紧缩前DDOL DDC(k)紧缩为紧缩后DDOL DDC’(k)。此外，紧缩前DDOL DDC(k)为第1DDOL，紧缩后DDOL DDC’(k)为第2DDOL。

MPU60在实施了紧缩处理的情况下，中断对当前扇区(扇区Sck8的下一扇区)的写处理，进行旋转等待，从该当前扇区执行写处理。

MPU60在磁道TR(k)的扇区Sck9的写入时判断为上述偏离量超过了紧缩后DDOLDDC’(k)的情况下，中断对当前扇区(扇区Sck8的下一扇区)的写处理，进行旋转等待，从该当前扇区执行写处理。MPU60在该当前扇区中对上述偏离量超过了紧缩后DDOL DDC’(k)的次数(紧缩后超过次数)进行计数。

MPU60(滑移处理部650)在判断为紧缩后超过次数达到了紧缩后超过阈值(第2规定次数)的情况下，从该当前扇区挪移至少一个扇区。在图15的例子中，通过挪移一个扇区，将扇区Scd2设为不使用的区域。此外，扇区Sck8与扇区Scd2的边界相当于图7的圆周位置CP62。

接着，MPU60在判断为紧缩后超过次数未达到紧缩后超过阈值的情况下，在扇区Scd2的旁边进行扇区Sck9的写入。

如上所述，磁道TR(k)包括考虑第1DDOL(紧缩前DDOL DDC(k))的第1组的多个扇区Sck0、Sck1、Sck2、Sck3、Sck4、Sck5、Sck6、Sck7、Scd1、Sck8和考虑第2DDOL(紧缩后DDOLDDC’(k))的第2组的多个扇区Scd2、Sck9。

MPU60(滑移处理部650)能够在第1组的多个扇区中的第1扇区(扇区Scd1)中判断为偏离量超过了第1DDOL的次数达到了第1规定次数(紧缩前超过阈值)的情况下，从上述第1扇区挪移至少一个扇区。

另外，MPU60(滑移处理部650)能够在第2组的多个扇区中的第2扇区(扇区Scd2)中判断为偏离量超过了第2DDOL的次数达到了第2规定次数(紧缩后超过阈值)的情况下，从上述第2扇区挪移至少一个扇区。例如，第2规定次数与第1规定次数相同。

但是，第2规定次数也可以与第1规定次数不同。即，滑移处理部650也可以在紧缩处理的前后改变挪移(或者滑移)至少一个扇区时的判断基准。

例如，第2规定次数也可以小于第1规定次数。当例示时，第1规定次数为“5”，第2规定次数为“1”。能够减轻考虑第2DDOL和第2规定次数的条件下的写性能的劣化。

图11是表示本实施方式涉及的DDOL紧缩处理方法的一个例子的流程图。

MPU60开始预定磁道的写处理，判定在预定磁道的预定扇区中不可恢复超过次数是已增加、还是未增加(B1101)。在判定为了不可恢复超过次数未增加的情况下(B1101：否)，MPU60进入B1105的处理。在判定为了不可恢复超过次数已增加的情况下(B1101：是)，MPU60判定与不可恢复超过次数对应的紧缩判定值是比紧缩阈值大、还是为紧缩阈值以下(B1102)。

在判定为了紧缩判定值为紧缩阈值以下的情况下(B1102：否)，MPU60减少紧缩前DDOL，进入B1105的处理。在判定为了紧缩判定值比紧缩阈值大的情况下(B1102：是)，MPU60将紧缩前DDOL紧缩为紧缩后DDOL(B1104)，判定预定扇区是否为预定磁道的最后扇区(B1105)。在判定为了预定扇区不为最后扇区的情况下(B1105：否)，MPU60进入B1101的处理。在判定为了预定扇区为最后扇区的情况下(B1105：是)，MPU60结束处理。

图12是表示本实施方式涉及的滑移处理方法的一个例子的流程图。

MPU60在将紧缩前DDOL紧缩为了紧缩后DDOL之后，判定在预定磁道的预定扇区中紧缩后超过次数是已增加、还是未增加(B1201)。在判定为了紧缩后超过次数未增加的情况下(B1201：否)，MPU60进入B1204的处理。在判定为了紧缩后超过次数已增加的情况下(B1201：是)，MPU60判定紧缩后超过次数是比紧缩后超过阈值大、还是为紧缩后超过阈值以下(B1202)。

在判定为了紧缩后超过次数为紧缩后超过阈值以下的情况下(B1202：否)，MPU60进入B1204的处理。在判定为了紧缩后超过次数比紧缩后超过阈值大的情况下(B1202：是)，MPU60对预定磁道执行滑移处理(B1203)。例如，在判定为了紧缩后超过次数比紧缩后超过阈值大的情况下，MPU60挪移(或者滑移)从预定扇区到预定磁道的最后扇区为止的至少一个扇区，从顺向上的相邻磁道的开始扇区起在行进方向上按顺序进行写入。MPU60判定预定扇区是否为最后扇区(B1204)。在判定为了预定扇区不为最后扇区的情况下(B1204：否)，MPU60进入B1201的处理。在判定为了预定扇区为最后扇区的情况下(B1204：是)，MPU60结束处理。

根据本实施方式，磁盘装置1在判定为了在预定磁道的预定扇区中不可恢复超过次数已增加的情况下，判定与不可恢复超过次数对应的紧缩判定值是比紧缩阈值大、还是为紧缩阈值以下。在判定为了紧缩判定值比紧缩阈值大的情况下，磁盘装置1在预定磁道的预定扇区之后将各扇区的紧缩前DDOL紧缩为紧缩后DDOL。在将紧缩前DDOL紧缩为了紧缩后DDOL之后，在判定为了紧缩后超过次数比紧缩后超过阈值大的情况下，磁盘装置1对预定磁道执行滑移处理。因此，磁盘装置1能够提高记录密度。因此，磁盘装置1能够提高可靠性。

接着，对其他实施方式以及变形例涉及的磁盘装置进行说明。在其他实施方式和变形例中，对与前述的第1实施方式相同的部分赋予同一参照标号，省略其详细的说明。

(变形例1)

变形例1涉及的磁盘装置1的写处理方法与前述的实施方式涉及的磁盘装置1不同。

MPU60也可以对预定磁道的全部扇区中的几个扇区各自的数据执行XOR运算，将作为对于几个扇区后的各数据的XOR运算的结果而取得的各奇偶校验数据写入到该磁道的各奇偶校验扇区。

例如，MPU60在预定磁道中，对从开始扇区到最后扇区按顺序数的第奇数个的至少一个扇区(以下有时也称为奇数扇区)的数据执行XOR运算，将作为对于奇数扇区的数据的XOR运算的结果而取得的奇偶校验数据(以下有时也称为奇数奇偶校验数据)写入到该磁道的奇偶校验扇区(以下有时也称为奇数奇偶校验扇区)。

例如，MPU60在预定磁道中，对从开始扇区到最后扇区按顺序数的第偶数个的至少一个扇区(以下有时也称为偶数扇区)的数据执行XOR运算，将作为对于偶数扇区的数据的XOR运算的结果而取得的奇偶校验数据(以下有时也称为偶数奇偶校验数据)写入到该磁道的奇偶校验扇区(以下有时也称为偶数奇偶校验扇区)。

MPU60在预定磁道中，基于各奇偶校验数据，对与各奇偶校验数据对应的该磁道的各错误扇区执行磁道ECC处理。

MPU60在预定磁道中基于奇数奇偶校验数据对该磁道的奇数扇区中的错误扇区执行磁道ECC处理。MPU60在预定磁道中基于偶数奇偶校验数据对该磁道的偶数扇区中的错误扇区执行磁道ECC处理。

MPU60在预定磁道中，按执行磁道ECC的单位而对位置误差、PES、靠拢量、偏离磁道量、紧缩判定值以及紧缩阈值进行管理。另外，MPU60在预定磁道中，按执行磁道ECC的单位而对超过了不可恢复阈值的位置误差、PES、靠拢量以及偏离磁道量、紧缩判定值、紧缩阈值进行管理。

图13是表示磁道的构成的一个例子的示意图。图13所示的磁道TR(k)和TR(k+1)分别在一部分上与图9的磁道TR(k)和TR(k+1)对应。磁道TR(k)具有扇区Sck0、Sck1、Sck2、Sck3、Sck4、Sck5、Sck6、Sck7、Sck8、Sck9、Sck10、奇偶校验扇区Pk1以及Pk2。扇区Sck0、Sck1、Sck2、Sck3、Sck4、Sck5、Sck6、Sck7、Sck8、Sck9、Sck10、奇偶校验扇区Pk1以及Pk2在行进方向上按记载的顺序连续地配置。奇偶校验扇区Pk1相当于对扇区Sck0、Sck2、Sck4、Sck6、Sck8以及Sck10进行XOR运算而得到的结果。奇偶校验扇区Pk2相当于对扇区Sck1、Sck3、Sck5、Sck7以及Sck9进行XOR运算而得到的结果。奇偶校验扇区Pk1和Pk2是有效的奇偶校验扇区。磁道TR(k+1)具有扇区Sc(k+1)0、Sc(k+1)1、Sc(k+1)2、Sc(k+1)3、Sc(k+1)4、Sc(k+1)5、Sc(k+1)6、Sc(k+1)7、Sc(k+1)8、Sc(k+1)9、Sc(k+1)10、奇偶校验扇区P(k+1)1以及P(k+1)2。扇区Sc(k+1)0、Sc(k+1)1、Sc(k+1)2、Sc(k+1)3、Sc(k+1)4、Sc(k+1)5、Sc(k+1)6、Sc(k+1)7、Sc(k+1)8、Sc(k+1)9、Sc(k+1)10、奇偶校验扇区P(k+1)1以及P(k+1)2在行进方向上按记载的顺序连续地配置。奇偶校验扇区P(k+1)1相当于对扇区Sc(k+1)0、Sc(k+1)2、Sc(k+1)4、Sc(k+1)6、Sc(k+1)8以及Sc(k+1)10进行XOR运算而得到的结果。奇偶校验扇区P(k+1)2相当于对扇区Sc(k+1)1、Sc(k+1)3、Sc(k+1)5、Sc(k+1)7以及Sc(k+1)9进行XOR运算而得到的结果。奇偶校验扇区(Pk+1)1和P(k+1)2奇偶校验扇区Pk为有效的奇偶校验扇区。

在图13所示的例子中，MPU60对扇区Sck0～Sck10进行写入，在行进方向上与扇区Sck10相邻地进行对扇区Sck0、Sck2、Sck4、Sck6、Sck8以及Sck10进行XOR运算而得到的奇偶校验扇区Pk1的写入，在行进方向上与奇偶校验扇区Pk1相邻地进行对扇区Sck1、Sck3、Sck5、Sck7以及Sck9进行XOR运算而得到的奇偶校验扇区Pk2的写入。

在图13所示的例子中，MPU60在磁道TR(k)中，分别对与扇区Sck0、Sck2、Sck4、Sck6、Sck8以及Sck10对应的位置误差、PES、靠拢量、偏离磁道量、紧缩判定值以及紧缩阈值和扇区Sck1、Sck3、Sck5、Sck7、以及Sck9位置误差、PES、靠拢量、偏离磁道量、紧缩判定值以及紧缩阈值进行管理。

在图13所示的例子中，MPU60对扇区Sc(k+1)0～Sc(k+1)10进行写入，在行进方向上与扇区Sc(k+1)10相邻地进行对扇区Sc(k+1)0、Sc(k+1)2、Sc(k+1)4、Sc(k+1)6、Sc(k+1)8以及Sc(k+1)10进行XOR运算而得到的奇偶校验扇区P(k+1)1的写入，在行进方向上与奇偶校验扇区P(k+1)1相邻地进行对扇区Sc(k+1)1、Sc(k+1)3、Sc(k+1)5、Sc(k+1)7以及Sc(k+1)9进行XOR运算而得到的奇偶校验扇区P(k+1)2的写入。

在图13所示的例子中，MPU60在磁道TR(k+1)中，分别对与扇区Sc(k+1)0、Sc(k+1)2、Sc(k+1)4、Sc(k+1)6、Sc(k+1)8以及Sc(k+1)10对应的位置误差、PES、靠拢量、偏离磁道量、紧缩判定值以及紧缩阈值和扇区Sc(k+1)1、Sc(k+1)3、Sc(k+1)5、Sc(k+1)7以及Sc(k+1)9的位置误差、PES、靠拢量、偏离磁道量、紧缩判定值以及紧缩阈值进行管理。

根据变形例1，磁盘装置1在预定磁道中，按执行磁道ECC的单位而对位置误差、PES、靠拢量、偏离磁道量、紧缩判定值以及紧缩阈值进行管理。磁盘装置1能够提高可靠性。

(第2实施方式)

第2实施方式涉及的磁盘装置1的写处理方法与前述的实施方式和前述的变形例涉及的磁盘装置1不同。

MPU60在判定为了位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量连续预定次数(以下有时也称为停止阈值)以上超过了不可恢复阈值的情况下，停止写处理。

MPU60在判定为了在预定磁道的在圆周方向上连续地排列的多个扇区中位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量连续停止阈值以上超过了不可恢复阈值的情况下，停止该磁道的写处理。

例如在停止阈值为2的情况下，MPU60在预定磁道的在圆周方向上连续地排列的两个扇区中位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量连续2次超过了不可恢复阈值的情况下，停止该磁道的写处理。

MPU60在预定的带区域中连续的多个扇区中判定为了位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量连续停止阈值以上超过了不可恢复阈值的情况下，停止该带区域中的写处理。MPU60在预定的带区域中遍及多个磁道而连续的扇区中判定为了位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量连续停止阈值以上超过了不可恢复阈值的情况下，停止该带区域中的写处理。

例如在停止阈值为2的情况下，MPU60在预定的带区域中连续的两个扇区中判定为了位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量连续2次超过了不可恢复阈值的情况下，停止该带区域中的写处理。在停止阈值为2的情况下，MPU60在预定的带区域中在顺向上连续的两个磁道的最后扇区和开始扇区中判定为了位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量连续2次超过了不可恢复阈值的情况下，停止该带区域中的写处理。

例如含义与如下相同：在预定磁道中在圆周方向上连续的10扇区左右连续地超过不可恢复阈值的情况下，接近磁道ECC的纠正能力的极限，但在这样的伺服的异常状态下，通过在两个扇区连续地超过了不可恢复阈值的情况下停止写动作，从而对8个扇区量的磁道ECC的纠正能力进行保护。

图14是表示第2实施方式涉及的写处理方法的一个例子的流程图。

MPU60在预定磁道的预定扇区中判定位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量是超过不可恢复阈值、还是为不可恢复阈值以下(B1401)。在预定扇区中判定为了位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量为不可恢复阈值以下的情况下(B1401：否)，MPU60进入B1304的处理。在预定扇区中判定为了位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量超过不可恢复阈值的情况下(B1401：是)，MPU60在预定扇区中判定位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量是连续停止阈值以上超过不可恢复阈值、还是未连续停止阈值以上超过不可恢复阈值(B1402)。

在预定磁道的预定扇区中判定为了位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量连续停止阈值以上超过不可恢复阈值的情况下，MPU60停止对于该磁道的写处理(B1403)，结束处理。在预定扇区中判定为了位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量未连续停止阈值以上超过不可恢复阈值的情况下(B1402：否)，MPU60判定预定扇区是否为最后扇区(B1404)。在判定为了预定扇区不为最后扇区的情况下(B1404：否)，MPU60进入B1301的处理。在判定为了预定扇区为最后扇区的情况下(B1404：是)，MPU60结束处理。

根据第2实施方式，磁盘装置1在预定磁道中判定为了位置误差、PES、靠拢量或者偏离磁道量连续停止阈值以上超过不可恢复阈值的情况下，停止对于该磁道的写处理。因此，磁盘装置1能够提高可靠性。

以上对几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，并不是意在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围、宗旨内，并且，包含在权利要求书记载的发明及其等同的范围内。

例如，磁盘装置也可以是具有被称为分离扇区(split sector)的分离了的扇区的磁盘装置。分离扇区例如公开于US 2009/0195917A1。

Claims (19)

1.一种磁盘装置，具备：

盘；

头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及

控制器，其在所述盘的第1磁道的写处理时，基于按超过次数而规定的与所述头向所述盘的半径方向的第1偏离量对应的第1判定值、和变更写处理的第2阈值，对写处理进行控制，所述超过次数是所述第1偏离量超过了使在所述半径方向上与所述第1磁道相邻的第2磁道产生读错误的第1阈值的次数。

2.根据权利要求1所述的磁盘装置，

所述控制器每当所述第1偏离量超过所述第1阈值时，逐渐减小与所述第1磁道对应的第1DDOL。

3.根据权利要求1所述的磁盘装置，

所述控制器在判定为所述第1判定值比所述第2阈值大的情况下，停止所述第1磁道的写处理。

4.根据权利要求3所述的磁盘装置，

所述控制器在判定为所述第1判定值比所述第2阈值大的情况下，将与所述第1磁道对应的第1DDOL变更为比所述第1DDOL小的第2DDOL。

5.根据权利要求4所述的磁盘装置，

所述第2DDOL比所述第1阈值小。

6.根据权利要求4所述的磁盘装置，

所述控制器在所述第1偏离量以规定次数以上超过了所述第2DDOL的情况下，挪移所述第1磁道的至少一个扇区。

7.根据权利要求6所述的磁盘装置，

所述控制器在所述第1偏离量以规定次数以上超过了所述第2DDOL的情况下，将从所述第1磁道的所述第1偏离量以规定次数超过了所述第2DDOL的第1扇区到所述第1磁道的最后的第2扇区为止的多个扇区挪移至与所述第2磁道相反一侧的在所述半径方向上与所述第1磁道相邻的第3磁道。

8.根据权利要求7所述的磁盘装置，

所述控制器将对所述第1磁道的从最初的第3扇区到所述第1扇区为止的多个扇区进行XOR运算而得到的结果写入到所述第1磁道的第1奇偶校验扇区。

9.根据权利要求7所述的磁盘装置，

所述控制器将对所述第1磁道的从最初的第3扇区到所述第1扇区为止的多个扇区进行XOR运算而得到的结果写入到与所述第1磁道不同的记录区域。

10.根据权利要求4所述的磁盘装置，

所述控制器对所述第1阈值以第3阈值以上接近所述第1磁道的扇区进行挪移。

11.根据权利要求4所述的磁盘装置，

所述第1磁道包括考虑所述第1DDOL的第1组的多个扇区和考虑所述第2DDOL的第2组的多个扇区，

所述控制器，

在所述第1组的所述多个扇区中的第1扇区中所述第1偏离量超过了所述第1DDOL的次数达到了第1规定次数的情况下，从所述第1扇区挪移至少一个扇区，

在所述第2组的所述多个扇区中的第2扇区中所述第1偏离量超过了所述第2DDOL的次数达到了与所述第1规定次数不同的第2规定次数的情况下，从所述第2扇区挪移至少一个扇区。

12.根据权利要求11所述的磁盘装置，

所述第2规定次数小于所述第1规定次数。

13.根据权利要求1所述的磁盘装置，

所述控制器在判定为所述第1判定值比所述第2阈值大的情况下，挪移所述第1磁道的至少一个扇区。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的磁盘装置，

所述第1判定值为所述第1偏离量的平均值、最大值或者最小值。

15.根据权利要求1～13中任一项所述的磁盘装置，

所述控制器按以磁道为单位的纠错来对超过了所述第1阈值的所述第1偏离量和所述第2阈值进行管理。

16.根据权利要求15所述的磁盘装置，

所述控制器按所述纠错来对写处理进行制御。

17.一种磁盘装置，具备：

盘；

头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及

控制器，其在所述盘的第1磁道的写处理时，在所述头向所述盘的半径方向的第1偏离量连续多次超过了使在所述半径方向上与所述第1磁道相邻的第2磁道产生读错误的第1阈值的情况下，对写处理进行控制。

18.根据权利要求17所述的磁盘装置，

所述控制器在所述第1偏离量连续所述多次超过了所述第1阈值的情况下，停止所述第1磁道的写处理。

19.一种写处理方法，应用于磁盘装置，所述磁盘装置具备盘和头，所述头对所述盘写入数据，从所述盘读取数据，所述写处理方法包括：

在所述盘的第1磁道的写处理时，基于按超过次数而规定的与所述头向所述盘的半径方向的第1偏离量对应的第1判定值、和变更写处理的第2阈值，对写处理进行控制，所述超过次数是所述第1偏离量超过了使在所述半径方向上与所述第1磁道相邻的第2磁道产生读错误的第1阈值的次数。