JP2024043914A - 磁気ディスク装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ライト性能が高い磁気ディスク装置を提供すること。【解決手段】磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、磁気ヘッドと、制御回路と、を備える。磁気ディスクは、径方向に配列された複数の第１記憶領域を有する。複数の第１記憶領域のそれぞれは記録方式の変更が可能である。制御回路は、複数の第１記憶領域のうちのひとつの第１記憶領域の記録方式の変更を指示する第１コマンドを受信した場合、当該ひとつの第１記憶領域である第２記憶領域の記録方式を第１コマンドに従って変更するとともに、第２コマンドを受信する前に磁気ヘッドを第２記憶領域上に移動させる。【選択図】図６

Description

本実施形態は、磁気ディスク装置に関する。

近年、磁気ディスクの記録方式を複数の方式の間で変更可能な磁気ディスク装置が開発されている。複数の方式は、例えば、ＳＭＲ（Shingled Magnetic Recording）の方式またはＣＭＲ（Conventional Magnetic Recording）の方式を含み得る。

米国特許第１０５２２１８５号明細書

一つの実施形態は、ライト性能が高い磁気ディスク装置を提供することを目的とする。

一つの実施形態によれば、磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、磁気ヘッドと、制御回路と、を備える。磁気ディスクは、径方向に配列された複数の第１記憶領域を有する。複数の第１記憶領域のそれぞれは記録方式の変更が可能である。制御回路は、複数の第１記憶領域のうちのひとつの第１記憶領域の記録方式の変更を指示する第１コマンドを受信した場合、当該ひとつの第１記憶領域である第２記憶領域の記録方式を第１コマンドに従って変するとともに、第２コマンドを受信する前に磁気ヘッドを第２記憶領域上に移動させる。

図１は、実施形態の磁気ディスク装置の構成の一例を示す図である。 図２は、実施形態にかかる磁気ディスクの構成の一例を示す図である。 図３は、実施形態のＳＭＲの方式を説明するための模式的な図である。 図４は、実施形態のＣＭＲの方式を説明するための模式的な図である。 図５は、実施形態の磁気ディスクに設けられた複数のバンドの例を示す模式的な図である。 図６は、実施形態の磁気ディスク装置の、ひとつのバンドの記録方式をＳＭＲの方式からＣＭＲの方式に変更する動作の一例を示すフローチャートである。 図７は、実施形態の磁気ディスク装置の、ひとつのバンドの記録方式をＣＭＲの方式からＳＭＲの方式に変更する動作の一例を示すフローチャートである。

以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる磁気ディスク装置を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。

（実施形態）
図１は、実施形態の磁気ディスク装置１の構成の一例を示す図である。

磁気ディスク装置１は、ホスト４０に接続される。磁気ディスク装置１は、ホスト４０から、ライトコマンドまたはリードコマンドなどの、アクセスコマンドを受信することができる。また、磁気ディスク装置１は、アクセスコマンドに加えて、記録方式の変更を指示するコマンドを受信し得る。記録方式および記録方式の変更については後述する。

磁気ディスク装置１は、磁気ディスク１１を備える。磁気ディスク装置１は、アクセスコマンドに応じて磁気ディスク１１にデータをライトしたり磁気ディスク１１からデータをリードしたりする。

データのライトおよびリードは、磁気ヘッド２２を介して行われる。具体的には、磁気ディスク装置１は、磁気ディスク１１のほかに、スピンドルモータ１２、モータドライバ２１、磁気ヘッド２２、アクチュエータアーム１５、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１６、ランプ１３、プリアンプ２４、リードライトチャネル（ＲＷＣ）２５、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）２３、バッファメモリ２９、およびプロセッサ２６を備える。

磁気ディスク１１は、スピンドルモータ１２により、回転軸を中心に所定の回転速度で回転される。スピンドルモータ１２の回転は、モータドライバ２１により駆動される。

磁気ヘッド２２は、それに備わるライト素子２２ｗおよびリード素子２２ｒにより、磁気ディスク１１に対してデータのライトおよびリードを行う。また、磁気ヘッド２２は、アクチュエータアーム１５の先端に取り付けられている。磁気ヘッド２２は、モータドライバ２１によって駆動されるＶＣＭ１６により、磁気ディスク１１の径方向に沿って移動される。磁気ディスク１１の回転が停止しているときなどは、磁気ヘッド２２は、ランプ１３上に移動される。

プリアンプ２４は、磁気ディスク１１からのデータのリード時に、磁気ヘッド２２が磁気ディスク１１からリードされた信号を増幅して出力し、ＲＷＣ２５に供給する。また、プリアンプ２４は、ＲＷＣ２５から供給されたライト対象のデータに対応した信号を増幅して、磁気ヘッド２２に供給する。

ＨＤＣ２３は、Ｉ／Ｆバスを介してホスト４０との間で行われるデータの送受信の制御、バッファメモリ２９の制御、およびリードされたデータに対する誤り訂正処理などを行う。

バッファメモリ２９は、ホスト４０との間で送受信されるデータのバッファとして用いられる。例えば、バッファメモリ２９は、ライト対象のデータを磁気ディスク１１にライトされるまで記憶するために用いられる。

バッファメモリ２９は、例えば、高速な動作が可能な揮発性メモリによって構成される。バッファメモリ２９を構成するメモリの種類は、特定の種類に限定されない。バッファメモリ２９は、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）やＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）によって構成され得る。

ＲＷＣ２５は、ＨＤＣ２３から供給される、ライト対象のデータをコード変調してプリアンプ２４に供給する。また、ＲＷＣ２５は、磁気ディスク１１からリードされプリアンプ２４から供給された信号をコード復調してデジタルデータとしてＨＤＣ２３へ出力する。

プロセッサ２６は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）である。プロセッサ２６には、ＲＡＭ２７、ＦＲＯＭ（Flash Read Only Memory）２８およびバッファメモリ２９が接続されている。

ＲＡＭ２７は、例えばＤＲＡＭまたはＳＲＡＭによって構成される。ＲＡＭ２７は、プロセッサ２６によって動作用のメモリとして使用される。ＲＡＭ２７は、ファームウェア（プログラムデータ）がロードされる領域、および各種の管理データが一時記憶される領域として使用される。

ＦＲＯＭ２８は、不揮発性メモリである。プロセッサ２６は、ＦＲＯＭ２８および磁気ディスク１１などの不揮発性の領域に予め記憶されたファームウェアに従って、磁気ディスク装置１の全体的な制御を行う。例えば、プロセッサ２６は、ＦＲＯＭ２８または磁気ディスク１１からファームウェアをＲＡＭ２７にロードし、ロードされたファームウェアに従って、モータドライバ２１、プリアンプ２４、ＲＷＣ２５、ＨＤＣ２３などの制御を実行する。

なお、プロセッサ２６、ＨＤＣ２３、およびＲＷＣ２５を含む構成は、制御回路３０と見なすこともできる。制御回路３０は、ＲＡＭ２７、ＦＲＯＭ２８、またはバッファメモリ２９など、他の要素を含んでいてもよい。また、制御回路３０は、ＲＷＣ２５を含んでいなくてもよい。

図２は、実施形態にかかる磁気ディスク１１の構成の一例を示す図である。磁気ディスク１１の表面に形成された磁性層には、例えば出荷前にサーボライタなどによりサーボ情報が書き込まれている。サーボ情報は、セクタ／シリンダ情報、バーストパターン、およびポストコードを含む。セクタ／シリンダ情報は、磁気ディスク１１の円周方向および半径方向のサーボ番地を与える。バーストパターンは、サーボ番地が示す位置からの磁気ヘッド２２の位置ずれ量を与える。ポストコードは、ＲＲＯ（Repeatable RunOut）を補正するためのデータである。制御回路３０は、磁気ヘッド２２を用いてサーボ情報をリードし、リードしたサーボ情報に基づいてシーク動作およびトラッキング動作を実行する。シーク動作は、磁気ヘッド２２を径方向に移動させる動作である。トラッキング動作は、磁気ヘッド２２を目標トラック上に維持する動作である。なお、サーボ情報は、セルフサーボライト（ＳＳＷ）によって出荷後に磁気ディスク１１に書き込まれてもよい。

図２には、サーボ情報が書き込まれたサーボゾーンの配置の一例として放射状に配置されたサーボゾーン１１ａを示している。磁気ディスク１１の径方向には同心円の複数のトラック１１ｂが所定のピッチで設けられている。各トラック１１ｂの周回上は多数のセクタが連続的に形成されている。各セクタに対し、磁気ヘッド２２によって、データの書き込みおよび読み出しが実行される。

記録方式、つまり磁気ディスク１１に対してデータをライトする方式として、複数の記録方式がある。複数の記録方式は、ＳＭＲの方式およびＣＭＲの方式を含む。

図３は、実施形態のＳＭＲの方式を説明するための模式的な図である。ＳＭＲは、あるトラックのデータ（第１のデータと表記する）のライトを実行し、その後に当該トラックに径方向に隣接するトラックのデータ（第２のデータと表記する）のライトを実行する場合に、第１のデータの一部に第２のデータがオーバーラップするように、各トラックのデータをライト方式である。つまり、ＳＭＲによれば、磁気ディスク１１の径方向に互いに隣接する２つのトラックのうちの１つのトラックのデータが当該２つのトラックのうちの他のトラックのデータの一部にオーバーラップするようにライトされる。

一例として、図３には、３つのトラック１１ｂとして、トラック＃Ｍ－１、トラック＃Ｍ、およびトラックＭ＋１が描かれている。トラック＃Ｍ－１とトラック＃Ｍとは互いに隣接する。トラック＃Ｍとトラック＃Ｍ＋１とは互いに隣接する。この例では、トラック＃Ｍ－１のデータ、トラック＃Ｍのデータ、トラックＭ＋１のデータの順番にライトが行われる。トラック＃Ｍのデータは、トラック＃Ｍ－１のデータの上に径方向に一部がオーバーラップするようにライトされる。トラック＃Ｍ＋１のデータは、トラック＃Ｍのデータの上に径方向に一部がオーバーラップするようにライトされる。即ち、ＳＭＲによれば、１つのトラック１１ｂのデータが、すでにデータがライトされた隣接トラック１１ｂのデータの一部にオーバーラップすることが繰り返される。

ＳＭＲによれば上記の方法でデータのライトが行われるため、トラックピッチＴＰが磁気ヘッド２２のライト素子２２ｗのコア幅（ＷＨｗ）よりも狭められる。その結果、記録密度の向上が実現する。つまり、ＳＭＲによれば、後述するＣＭＲに比べて、記憶容量を増加させることができる。

しかしながら、ＳＭＲによれば、トラックピッチＴＰがライト素子２２ｗのコア幅ＷＨｗよりも狭いため、複数トラック分のデータのうちの一部を更新（換言すると書き換え）すると、当該更新したデータに隣接するトラックのデータが破壊される。データの破壊を防止するために、ＳＭＲによれば、当該一部のデータを含む複数トラック分のデータが一括に更新される。一括の更新が行われる複数トラックを含む領域は、バンドと称される。ＳＭＲによれば、上記のような更新方法が行われることから、後述するＣＭＲに比べて、ランダムアクセス性能が劣る。

図４は、実施形態のＣＭＲの方式を説明するための模式的な図である。本図に示されるように、ＣＭＲによれば、各トラックのデータは、径方向に隣接するトラックのデータとオーバーラップしないように配置される。換言すると、ＣＭＲは、磁気ディスク１１の径方向に互いに隣接する２つのトラックのデータが互いにオーバーラップしないようにライトされる方式である。

例えば、図４には、３つのトラック１１ｂとして、トラック＃Ｎ－１、トラック＃Ｎ、およびトラックＮ＋１が描かれている。トラック＃Ｎ－１とトラック＃Ｎとは径方向に離間して配置されている。トラック＃Ｎとトラック＃Ｎ＋１とは径方向に離間して配置されている。つまり隣接する２つのトラックのデータが互いにオーバーラップしないように、トラック＃Ｎ－１、トラック＃Ｎ、およびトラックＮ＋１が配置されている。

ＣＭＲによれば、トラックピッチＴＰは、ライト素子２２ｗのコア幅（ＷＨｗ）と同一かより大きいので、任意の位置のデータを更新することができる。よって、ＣＭＲによれば、ＳＭＲよりも記憶容量が小さい反面、ランダムアクセス性能を高い。

磁気ディスク装置１は、ＳＭＲの方式およびＣＭＲの方式のうちの何れの方式でもデータのライトを実行可能である。磁気ディスク装置１が実行可能な記録方式は、ＳＭＲの方式およびＣＭＲの方式に限定されない。磁気ディスク装置１は、ＳＭＲの方式およびＣＭＲの方式に加えて任意の記録方式でデータのライトが実行可能に構成されてもよい。または、磁気ディスク装置１は、ＳＭＲの方式およびＣＭＲの方式の一方または両方に替えて、任意の複数の記録方式でデータのライトが実行可能に構成されてもよい。ここでは一例として、磁気ディスク装置１は、ＳＭＲの方式およびＣＭＲの方式でのデータのライトが実行可能に構成されていることとする。

記録方式の変更は、予め決められた記憶領域の単位に実行される。ここでは一例として、記録方式の変更はバンド単位で実行されることとする。

図５は、実施形態の磁気ディスク１１に設けられた複数のバンドの例を示す模式的な図である。

磁気ディスク１１の記録面、つまりトラック１１ｂが配置され得る領域は、径方向に複数の記憶領域１１０に分割されている。複数の記憶領域１１０は、１つのメディアキャッシュ領域１２０と、複数のバンド１３０と、を含む。記憶領域１１０間には、ガード領域と呼ばれるデータのライトが禁止された領域が設けられるが、図５ではガード領域の図示を省略している。

記録面内の径方向の最も外側、即ち最もアウター側、に設けられた記憶領域１１０は、データを一時的に格納することが可能な記憶領域であるメディアキャッシュ領域１２０とされる。なお、メディアキャッシュ領域１２０の位置はこれに限定されない。記録面に設けられるメディアキャッシュ領域１２０は、１つに限定されない。記録面にメディアキャッシュ領域１２０が設けられていなくてもよい。

また、記録面には、複数のバンド１３０として、４個のバンド１３０が設けられる。換言すると、４個のバンド１３０が径方向に配列されている。なお、記録面に設けられるバンド１３０の数はこれに限定されない。

制御回路３０は、バンド１３０毎に記録方式の変更を行う。記録方式の変更の処理は、具体的には、記録方式の変更の対象のバンド１３０内の全てのトラック１１ｂの配置を変更することなど、ソフトウェア的な設定変更によって実現する。制御回路３０は、記録方式の変更前のトラック１１ｂの配置の設定を消去して、変更後の記録方式に従ったトラック１１ｂの配置を設定する。記録方式が変更されたバンド１３０に対しては、制御回路３０は、変更されたトラック１１ｂの配置に従って、シーク動作およびトラッキング動作を実行する。

また、制御回路３０は、ホスト４０から受信する記録方式の変更を指示するコマンドに応じて記録方式の変更を実行する。記録方式の変更を指示するコマンドを、変更コマンドと表記する。変更コマンドは、変更先の記録方式および記録方式の変更の対象のバンド１３０の指定を含み得る。記録方式の変更の対象のバンド１３０を、対象バンド１３０と表記する。

なお、磁気ディスク装置１が使用可能な記録方式の数が２つである場合、変更コマンドは変更先の記録方式を必ずしも明示的に含んでいなくてもよい。制御回路３０は、変更コマンドを、対象バンド１３０の記録方式を現在設定されている記録方式から２つの記録方式のうちの他の記録方式に変更するためのコマンドとして解釈するように構成されてもよい。

また、すでにデータがライトされている対象バンド１３０に対して記録方式の変更が行われた場合、制御回路３０は、記録方式の変更後は、そのデータのリードは行えないように構成されている。つまり、記録方式の変更が行われた場合、記録方式の変更前に対象バンド１３０にライトされていたデータはイレースされるものと見なされる。

実行される可能性が高い磁気ディスク装置１の使い方として、不要なデータが格納されている或るバンド１３０の記録方式を変更して、記録方式の変更によって記憶容量分の全てが使用可能になったバンド１３０に新たなデータのライトを開始するという使い方が考えられる。実施形態では、この使い方において、新たなデータの磁気ディスク１１へのライトを出来るだけ早く開始できるように、制御回路３０は、変更コマンドに応じて対象バンド１３０の記録方式の変更を行う場合、記録方式の変更を行うとともに磁気ヘッド２２を対象バンド１３０上に移動させる。つまり、制御回路３０は、変更コマンドに応じて対象バンド１３０の記録方式の変更を行う際、更新コマンドの後にライトコマンドを含む別の新たなコマンドをホスト４０から受信する前に磁気ヘッド２２を対象バンド１３０上に移動させる。これによって、磁気ディスク装置１が更新コマンドの後に対象バンド１３０にデータをライトするためのライトコマンドを受信した場合、ライトコマンドに応じた磁気ヘッド２２の径方向の移動を不要とするか、または当該移動の距離を抑制することができる。その結果、磁気ヘッド２２を用いた対象バンド１３０へのデータのライトを速やかに開始することが可能であり、ライト性能が向上する。

続いて、実施形態の磁気ディスク装置１の動作を説明する。ここでは、ひとつのバンド１３０の記録方式をＳＭＲの方式からＣＭＲの方式に変更する場合と、対象バンド１３０の記録方式をＣＭＲの方式からＳＭＲの方式に変更する場合と、を分けて説明する。

図６は、実施形態の磁気ディスク装置１の、ひとつのバンド１３０の記録方式をＳＭＲの方式からＣＭＲの方式に変更するときの動作の一例を示すフローチャートである。

制御回路３０は、ひとつのバンド１３０を対象バンド１３０として指定して対象バンド１３０の記録方式をＳＭＲの方式からＣＭＲの方式に変更することを指示する変更コマンドを受信すると（Ｓ１０１）、変更コマンドに従って対象バンド１３０の記録方式をＳＭＲからＣＭＲに変更する（Ｓ１０２）。

そして、制御回路３０は、モータドライバ２１を介してＶＣＭ１６を制御することによって、磁気ヘッド２２を対象バンド１３０上に移動させる（Ｓ１０３）。

なお、Ｓ１０２の処理とＳ１０３の処理との実行の順番はこれに限定されない。制御回路３０は、Ｓ１０２の処理とＳ１０３の処理とを並行して実行してもよい。また、Ｓ１０３の処理の開始のタイミングはＳ１０２の処理の開始のタイミングよりも早くてもよい。

続いて、制御回路３０は、ホスト４０から新たなコマンド（つまり変更コマンドの次のコマンド）を受信すると（Ｓ１０４）、当該新たなコマンドは対象バンド１３０にデータをライトすることを指示するライトコマンドであるか否かを判定する（Ｓ１０５）。

新たなコマンドは対象バンド１３０にデータをライトすることを指示するライトコマンドである場合（Ｓ１０５：Ｙｅｓ）、制御回路３０は、モータドライバ２１を介してＶＣＭ１６を制御することによって、磁気ヘッド２２の位置をライト先のトラック１１ｂ上に微調整する（Ｓ１０６）。

なお、Ｓ１０６の処理はスキップされる場合があり得る。例えば、Ｓ１０３の処理によって磁気ヘッド２２が移動した位置がライト先のトラック１１ｂと一致している場合、制御回路３０はＳ１０６の処理をスキップする。

アクチュエータアーム１５の先端に圧電素子などのマイクロアクチュエータが設けられ、マイクロアクチュエータによって磁気ヘッド２２の位置の微調整が可能に構成される場合がある。アクチュエータアーム１５がそのような構成を備える場合、Ｓ１０６の処理では、モータドライバ２１は、ＶＣＭ１６のモータ位置を変えずにマイクロアクチュエータのみの動作によって磁気ヘッド２２の位置を微調整してもよい。

磁気ヘッド２２の位置がライト先のトラック１１ｂ上にあるとき、制御回路３０は、磁気ヘッド２２を用いた磁気ディスク１１へのデータのライトを開始する（Ｓ１０７）。そして、ライトが完了すると（Ｓ１０８）、一連の動作が終了する。

新たなコマンドは対象バンド１３０にデータをライトすることを指示するライトコマンドでない場合（Ｓ１０５：Ｎｏ）、制御回路３０は、当該新たなコマンドを実行し（Ｓ１０９）、一連の動作が終了する。

図７は、実施形態の磁気ディスク装置１の、ひとつのバンド１３０の記録方式をＣＭＲの方式からＳＭＲの方式に変更するときの動作の一例を示すフローチャートである。

制御回路３０は、ひとつのバンド１３０を対象バンド１３０として指定して対象バンド１３０の記録症式をＣＭＲの方式からＳＭＲの方式に変更することを指示する変更コマンドを受信すると（Ｓ２０１）、変更コマンドに従って対象バンド１３０の記録方式をＣＭＲからＳＭＲに変更する（Ｓ２０２）。

そして、制御回路３０は、モータドライバ２１を介してＶＣＭ１６を制御することによって、磁気ヘッド２２を対象バンド１３０内のトラック１１ｂのうちの最初にライトされるトラック１１ｂ上に移動させる（Ｓ２０３）。

前述したように、ＳＭＲの方式によれば、１つのバンド１３０に含まれる複数のトラック１１ｂに対し、ライトの順番が決められている。よって、対象バンド１３０内の最初にライトされるトラック１１ｂは、一意に決まる。Ｓ２０３では、制御回路３０は、磁気ヘッド２２を、最初にライトされるトラック１１ｂ上に移動させる。

なお、Ｓ２０２の処理とＳ２０３の処理との実行の順番はこれに限定されない。制御回路３０は、Ｓ２０２の処理とＳ２０３の処理とを並行して実行してもよい。また、Ｓ２０３の処理の開始のタイミングはＳ２０２の処理の開始のタイミングよりも早くてもよい。

続いて、制御回路３０は、ホスト４０から新たなコマンド（つまり変更コマンドの次のコマンド）を受信すると（Ｓ２０４）、当該新たなコマンドは対象バンド１３０にデータをライトすることを指示するライトコマンドであるか否かを判定する（Ｓ２０５）。

新たなコマンドは対象バンド１３０にデータをライトすることを指示するライトコマンドである場合（Ｓ２０５：Ｙｅｓ）、制御回路３０は、磁気ヘッド２２を用いた磁気ディスク１１へのデータのライトを開始する（Ｓ２０６）。

Ｓ２０３の処理によって、磁気ヘッド２２は事前に最初にライトされるトラック１１ｂに移動されている。よって、Ｓ２０６では、制御回路３０は、磁気ヘッド２２の移動を行うことなくライトを開始することができる。

ライトが完了すると（Ｓ２０７）、一連の動作が終了する。

新たなコマンドは対象バンド１３０にデータをライトすることを指示するライトコマンドでない場合（Ｓ２０５：Ｎｏ）、制御回路３０は、当該新たなコマンドを実行し（Ｓ２０８）、一連の動作が終了する。

以上述べたように、実施形態によれば、制御回路３０は、ひとつのバンド１３０の記録方式の変更を指示する変更コマンドを受信した場合、指定されたひとつのバンド１３０である対象バンド１３０の記録方式を変更コマンドに従って変更して、次のコマンドを受信する前に磁気ヘッド２２を対象バンド１３０上に移動させる。

よって、磁気ディスク装置１が更新コマンドの後に対象バンド１３０にデータをライトするためのライトコマンドを受信した場合、当該ライトコマンドに応じた磁気ヘッド２２の径方向の移動を不要とするか、または当該移動の距離を抑制することができる。その結果、磁気ヘッド２２を用いた対象バンド１３０へのデータのライトを速やかに開始することが可能であり、ライト性能が向上する。

また、実施形態によれば、受信した変更コマンドが対象バンド１３０の記録方式をＳＭＲの方式に変更することを指示するコマンドである場合、制御回路３０は、対象バンド１３０の記録方式をＳＭＲの方式に変更するとともに、対象バンド１３０内の最初にライトされるトラック１１ｂ上に前記磁気ヘッドを移動させる。

よって、制御回路３０は、変更コマンドの次に対象バンド１３０に対するライトを指示するライトコマンドを受信した場合、その時点の磁気ヘッド２２が位置するトラック１１ｂからライトを開始することができる。

即ち、制御回路３０は、ライトの開始前に磁気ヘッド２２の移動を行うことなくライトコマンドに応じたライトを直ちに開始することができる。よって、ライト性能が向上する。

なお、制御回路３０は、対象バンド１３０の記録方式をＳＭＲからＣＭＲに変更する際と同様に、対象バンド１３０の記録方式をＣＭＲからＳＭＲに変更する際でも、磁気ヘッド２２を対象バンド１３０上に移動させてもよい。

また、実施形態によれば、受信した変更コマンドが対象バンド１３０の記録方式をＣＭＲの方式に変更することを指示するコマンドであり、かつ続いて受信したコマンドが対象バンド１３０へのライトを指示するライトコマンドである場合、制御回路３０は、磁気ヘッド２２を対象バンド１３０内のライト先のトラック１１ｂ上に移動させて、データのライトを開始する。

制御回路３０は、ライトコマンドを受信する前に予め磁気ヘッド２２を対象バンド１３０上に移動させておくので、ライトコマンドに応じた磁気ヘッド２２の移動の距離を抑制できる。よって、ライト性能が向上する。

なお、以上述べた説明では、記録方式はバンド単位で変更された。記録方式は、複数バンド単位で変更されるよう、磁気ディスク装置１が構成されてもよい。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１ 磁気ディスク装置、１１ 磁気ディスク、１１ａ サーボゾーン、１１ｂ トラック、１２ スピンドルモータ、１３ ランプ、１５ アクチュエータアーム、２１ モータドライバ、２２ 磁気ヘッド、２２ｒ リード素子、２２ｗ ライト素子、２３ ＨＤＣ、２４ プリアンプ、２５ ＲＷＣ、２６ プロセッサ、２７ ＲＡＭ、２８ ＦＲＯＭ、２９ バッファメモリ、３０ 制御回路、４０ ホスト、１１０ 記憶領域、１２０ メディアキャッシュ領域、１３０ バンド。

Claims (4)

1. 径方向に配列されたそれぞれは記録方式の変更が可能な複数の第１記憶領域を有する磁気ディスクと、
   磁気ヘッドと、
   複数の第１記憶領域のうちのひとつの第１記憶領域の記録方式の変更を指示する第１コマンドを受信した場合、前記ひとつの第１記憶領域である第２記憶領域の記録方式を前記第１コマンドに従って変更するとともに、第２コマンドを受信する前に前記磁気ヘッドを前記第２記憶領域上に移動させる制御回路と、
   を備える磁気ディスク装置。
2. 前記制御回路は、前記第１コマンドが前記第２記憶領域の記録方式をＳＭＲ（Shingled Magnetic Recording）の方式に変更することを指示するコマンドである場合、前記第２記憶領域の記録方式をＳＭＲの方式に変更するとともに、前記第２記憶領域内の最初にライトされるトラックである第１トラック上に前記磁気ヘッドを移動させる、
   請求項１に記載の磁気ディスク装置。
3. 前記制御回路は、前記第２コマンドを受信し、かつ前記第２コマンドが前記第２記憶領域へのデータのライトを指示するコマンドである場合、前記第１トラックからデータのライトを開始する、
   請求項２に記載の磁気ディスク装置。
4. 前記制御回路は、前記第１コマンドが前記第２記憶領域の記録方式をＣＭＲ（Conventional Magnetic Recording）の方式に変更することを指示するコマンドであり、かつ前記第２コマンドを受信し、かつ前記第２コマンドが前記第２記憶領域へのデータのライトを指示するコマンドである場合、前記磁気ヘッドを前記第２記憶領域内のライト先のトラック上に移動させて、データのライトを開始する、
   請求項１に記載の磁気ディスク装置。

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