CN109358437A - 一种应用于rtp的蚀刻工具及工艺 - Google Patents

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    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs

Abstract

本发明公开了一种应用于RTP的蚀刻工具及工艺,该丝印网用于在ITO层表面印刷蚀刻膏,其丝印网由金属丝纵横交织而成,形成的网孔密度为320‑400个/英寸,线径为18‑30μm,孔径为39‑55μm。该蚀刻工艺采用蚀刻膏蚀刻的方式,简化了蚀刻工艺步骤,提高了工艺效率,并且使用的人工和设备更少,适合RTP生产线的工艺生产。

Description

一种应用于RTP的蚀刻工具及工艺
技术领域
本发明涉及LCD的ITO蚀刻技术领域,特别是一种应用于RTP的蚀刻工具及工艺。
背景技术
现有的ITO蚀刻工艺主要包括五大工艺步骤,如下:
1)涂胶
涂胶是光刻的首道工序,它是在ITO玻璃表面上涂一层光刻胶,涂胶效果控制好坏直接影响光刻质量,因此在操作时应将光刻胶按要求准备好,并控制好光刻胶的涂层厚度及均匀性、涂层表面状态等。
2)曝光
曝光就是在涂好光刻胶的玻璃表面覆盖掩模版,通过紫外光进行选择性照射,使受光照部位的光刻胶发生化学反应,改变了这部分胶膜在显影液中的溶解度。显影后,光刻胶膜显现出与掩模版相对应的图形。曝光时间和曝光强度选择是根据版的质量、光刻胶性质、光源强弱和光源到ITO玻璃的距离等因素来确定。
3)显影
显影就是将感光部分的光刻胶溶除,留下未感光部分的胶膜从而显示所需要的图形。显影过程是将曝光后的玻璃放入显影槽中,显影液通过摇摆的喷头喷洒在玻璃的光刻胶面上,过一定时间显出图形后,玻璃再通过水洗,将显影液冲掉。显影液有两种,一种是与光刻胶配套的专用显影液;另一种是一定浓度的碱液(KOH或NaOH)。第二种使用普通些。碱液配置是在专用调制槽中进行,先在槽中注一定量高纯水,根据配液浓度称量一定量的碱放入槽中搅拌,待碱液完全溶解后,将配好的液注入显影槽中。
4)刻蚀
刻蚀是用一定比例的酸液把玻璃上未受光刻胶保护的ITO膜腐蚀掉,而将有光刻胶保护的ITO膜保存下来,最终形成ITO图形。选用的腐蚀液必须是能腐蚀掉ITO胶又不能损伤玻璃表面和光刻胶,一般选用一定比例的HC1,HNO3和水的混合液。刻蚀的温度和时间对刻蚀效果影响很大,两者的变化也影响到刻蚀速度。速度太快难以控制容易造成过刻蚀;速度太慢需要时间长,则光刻胶抗蚀能力降低,容易出现溶胶现象。一般恒定刻蚀温度,用时间调整刻蚀效果,刻蚀时间应由刻蚀速度和ITO膜厚来确定,ITO膜越厚刻蚀时间就越长。通过试验可确定不同ITO膜厚应选用多少刻蚀时间,刻蚀时间的控制对刻蚀效果非常关键,时间太短ITO膜刻蚀不净,图形会出现短路;时间太长,由于光刻胶抗蚀能力下降,图形变差或被蚀断
5)去膜和清洗
去膜就是把刻蚀后玻璃上剩余的光刻胶去掉,清洗是冲洗干净玻璃表面的残胶、杂质等。去膜液是用碱液配制而成的,它的碱浓度要高于显影浓度。去膜是在一定温度条件下,用碱液冲洗并用滚刷擦洗玻璃以保证将玻璃上残胶去除净;清洗是用高纯水冲洗玻璃上残留碱液同时冲洗残胶,即采用物理和化学方法清洗。
发明内容
本发明要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足,提供一种应用于RTP的蚀刻工具及工艺,使得印刷的蚀刻膏更加顺滑和更加细,简化工艺步骤,提高了工艺效率,并且使用的人工和设备更少,适合RTP生产线的工艺生产。
为解决上述技术问题,本发明所采取的技术方案是:一种应用于RTP的蚀刻工具,用于在ITO层表面印刷蚀刻膏,其丝印网由金属丝纵横交织而成,形成的网孔密度为320-400个/英寸,线径为18-30μm,孔径为39-55μm。
上述技术方案中,所述金属线为不锈钢线。
上述技术方案中,纵向所述金属线相对于刮刀印刷方向的夹角α为22.5±0.5度。
一种应用于RTP的蚀刻工艺,其包括以下步骤:
1)印蚀刻膏,利用如前述的用于ITO蚀刻工艺的丝印网将蚀刻膏在ITO层表面印刷出对应的设计图案;
2)蚀刻ITO,待蚀刻膏印刷完毕后,加热并等待充分腐蚀;
3)去除蚀刻膏,待腐蚀完毕后,采用碱液浸泡以清洗蚀刻膏。
上述技术方案中,在所述步骤1)印蚀刻膏之前对ITO层进行烘烤。烘烤的温度为150±5℃,烘烤的时间为1±0.1h。
上述技术方案中,在所述步骤2)中,加热的温度为80±5℃,腐蚀的时间为15±1min。
上述技术方案中,在所述步骤3)中,碱液为采用0.1%浓度的NaOH溶液,并且在35±1℃的条件下浸泡20±1min。
上述技术方案中,应用在355mm*406mm范围的玻璃基板上。
本发明的有益效果是:简化工艺步骤,蚀刻ITO只是需要放置蚀刻膏即可。本发明的工艺较原工艺效率更高,使用的人工和设备更少,适合RTP生产线的工艺生产。产品在355mm*406mm范围内,图案的形变小于0.05mm。因为可以印更细的走线,所以产品的边框可以更窄,更好的满足客户要求。
附图说明
图1是本发明的丝印网结构示意图;
图2是本发明蚀刻工艺过程及蚀刻变化示意图。
图中,1a、蚀刻前的ITO层;1b、蚀刻中的ITO层;1c、蚀刻后的ITO层;2a、蚀刻前的蚀刻膏;2b、蚀刻中的蚀刻膏;2c、蚀刻后的蚀刻膏;3、聚酯基板;4、金属线;5、网孔。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详细的说明。
如图1所示,一种应用于RTP的蚀刻工具,用于在ITO层表面印刷蚀刻膏,其丝印网由金属丝纵横交织而成,形成的网孔5密度为320-400个/英寸,线径L为18-30μm,孔径为39-55μm。所述金属线4为不锈钢线。纵向所述金属线4相对于刮刀印刷方向的夹角α为22.5±0.5度。以往的丝印网均为采用聚酯纤维材质,且其与刮刀印刷方向的夹角是45±0.5度,承受的拉力较不锈钢的小,如果拉力不够会使得线不够绷紧,容易使网孔5形状发生形变,使得印刷出的图案也会变形,聚酯纤维线的线径一般为30-34μm,网孔5的孔径一般为27-36μm,在印刷时,印刷线宽是由线径和孔径决定的线径越小,相邻网孔5的距离就会越小;孔径越大,网孔5中的蚀刻膏量就会越多;ITO的蚀刻实际上是需要蚀刻出作为导线的线条,那么线条必须是连续的,而且作为导线其电阻越小越好;在印刷时,蚀刻膏是单独填充到单个网孔5中,而如果网孔5孔径足够大而相邻网孔5之间的距离足够小,相邻网孔5中的蚀刻膏就会连在一起,而形成相对更加光滑的线条,而不是凹凸不平的线条;当然孔径和线径都必须在规定范围内。网孔5密度越大,所形成的线占相同尺寸范围的比例就会越小,也就是可以形成更细的走线,那么产品的边框也可以更窄。
一种应用于RTP的蚀刻工艺,其包括以下步骤:
1)印蚀刻膏,利用如前述的用于ITO蚀刻工艺的丝印网将蚀刻膏在ITO层表面印刷出对应的设计图案;在印蚀刻膏之前先对ITO层进行烘烤。烘烤的温度为150±5℃,烘烤的时间为1±0.1h。印刷前的预热,可以保证ITO层上蚀刻的图案不会变形。
2)蚀刻ITO,待蚀刻膏印刷完毕后,加热并等待充分腐蚀;加热的温度为80±5℃,腐蚀的时间为15±1min。如图2所示,蚀刻前的蚀刻膏2a为完整的,蚀刻中的蚀刻膏2b会逐渐消耗;蚀刻前的ITO层1a为完整的,蚀刻中的ITO层1b会逐渐被腐蚀;蚀刻膏的消耗与ITO层的腐蚀是因为蚀刻膏与ITO层产生化学反应生成其他物质。
3)去除蚀刻膏,待腐蚀完毕后,采用碱液浸泡以清洗蚀刻膏;碱液为采用0.1%浓度的NaOH溶液,并且在35±1℃的条件下浸泡20±1min。如图2所示,蚀刻后的蚀刻膏2c被取走,但是会有残留物在蚀刻后的ITO层1c的蚀刻槽内存在残留,所以需要低浓度碱液进行清洗,去除残留物。
其中,应用在355mm*406mm范围的聚酯基板3上,可以实现设计图形的线条形变小于0.05mm。
以上的实施例只是在于说明而不是限制本发明,故凡依本发明专利申请范围所述的方法所做的等效变化或修饰,均包括于本发明专利申请范围内。

Claims (9)

1.一种应用于RTP的蚀刻工具,其特征在于:用于在ITO层表面印刷蚀刻膏,丝印网由金属丝纵横交织而成,形成的网孔密度为320-400个/英寸,线径为18-30μm,孔径为39-55μm。
2.根据权利要求1所述的一种应用于RTP的蚀刻工具,其特征在于:所述金属线为不锈钢线。
3.根据权利要求1所述的一种应用于RTP的蚀刻工具,其特征在于:纵向所述金属线相对于刮刀印刷方向的夹角α为22.5±0.5度。
4.一种应用于RTP的蚀刻工艺,其特征在于,包括以下步骤:
1)印蚀刻膏,利用如权利要求1-3任一所述的丝印网将蚀刻膏在ITO层表面印刷出对应的设计图案;
2)蚀刻ITO,待蚀刻膏印刷完毕后,加热并等待充分腐蚀;
3)去除蚀刻膏,待腐蚀完毕后,采用碱液浸泡以清洗蚀刻膏。
5.根据权利要求4所述的一种应用于RTP的蚀刻工艺,其特征在于:在所述步骤1)印蚀刻膏之前对ITO层进行烘烤。
6.根据权利要求5所述的一种应用于RTP的蚀刻工艺,其特征在于:烘烤的温度为150±5℃,烘烤的时间为1±0.1h。
7.根据权利要求4所述的一种应用于RTP的蚀刻工艺,其特征在于:在所述步骤2)中,加热的温度为80±5℃,腐蚀的时间为15±1min。
8.根据权利要求4所述的一种应用于RTP的蚀刻工艺,其特征在于:在所述步骤3)中,碱液为采用0.1%浓度的NaOH溶液,并且在35±1℃的条件下浸泡20±1min。
9.根据权利要求4所述的一种应用于RTP的蚀刻工艺,其特征在于:应用在355mm*406mm范围的玻璃基板上。
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