CN108511573A - 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，包括以下步骤：（1）在p型GaN层的表面生长透明导电膜；（2）腐蚀出由透明导电膜构成的电流扩展层台面图形；通过控制腐蚀时间，制作出p型GaN台面结构，腐蚀后不去胶；（4）根据台面结构的图形通过干法刻蚀沿GaN基外延片的p型GaN层到n型GaN层刻蚀出台面结构，在n型GaN层上制备出台面，同时去除表面的光刻胶；（5）分别在透明导电膜和n型GaN层的台面上制备p型电极和n型电极，得到GaN基发光二极管芯片；（6）制作钝化层。本发明中省去常规的工艺中腐蚀后去胶、再甩胶、曝光、显影等步骤，简化了光刻工艺的一次流程，缩短了生产周期，提高工作效率，同时又降低了原材料的消耗。
Description
技术领域
本发明涉及一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，属于光电子技术领域。
背景技术
光刻工艺是把掩膜版上的图形转移到晶片上，使晶片上具有想要制作的器件的光刻胶图形形貌，为了将器件的图形结构转移到晶片上，就需要对光刻后的晶片进行微细图形化处理。处理方法通常采用湿法腐蚀和干法刻蚀等。湿法腐蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的部分用化学溶液去除，以完成转移掩膜图形到薄膜上面的目的。干法刻蚀方法为ICP(Inductive Coupled Plasma，感应耦合等离子体)刻蚀。ICP刻蚀过程中，在高频射频源的作用下ICP刻蚀设备腔室内通入的气体会形成等离子体，在内建电场的作用下会轰击晶片表面以物理的作用刻蚀光刻前所沉积的薄膜层，同时形成的原子团会以化学作用刻蚀薄膜层。
GaN基发光二极管芯片的制备有许多方法，CN104022200A公开的《一种GaN基发光二极管芯片及其制备方法》以及CN102324450A公开的《GaN基发光二极管芯片及其制备方法》。
目前在制备GaN基发光二极管芯片的过程中，需要对晶片进行多次连续细微图形化处理，每做完一次图形都需要去胶，然后再重新甩胶、曝光、显影、腐蚀、去胶制作新的光刻图形，使得工艺过程时间比较长，步骤繁多。
发明内容
针对现有GaN基发光二极管芯片制备技术存在的时间较长、步骤较多的问题，本发明提出了一种简化流程，在提高工作效率同时又降低了原材料消耗的GaN基发光二极管芯片的制备方法。
本发明的GaN基发光二极管芯片的制备方法，包括以下步骤：
(1)在GaN基发光二极管外延片的p型GaN层上蒸镀一层透明导电膜；
(2)在透明导电膜表面涂上正性光刻胶，对正性光刻胶进行光刻，光刻出透明导电膜台面图形(透明导电膜构成的电流扩展层台面图形)；
(3)对透明导电膜进行腐蚀，腐蚀出由透明导电膜构成的电流扩展层台面图形，继续腐蚀使光刻胶图形与透明导电膜台面之间形成间隙，通过控制腐蚀时间，制作出p型GaN台面结构，冲水甩干，不需要去除表面光刻胶；
(4)根据p型GaN台面结构的图形通过干法刻蚀沿GaN基外延片的p型GaN层到n型GaN层刻蚀出台面结构，在n型GaN层上制备出台面，同时去除表面的光刻胶；
(5)分别在透明导电膜和n型GaN层的台面上制备p型电极和n型电极，得到GaN基发光二极管芯片；
(6)在GaN基发光二极管芯片表面上制作钝化层。
所述步骤(1)中透明导电膜的厚度为
所述步骤(2)中透明导电膜表面所涂的正性光刻胶的厚度为
所述步骤(2)中透明导电膜表面匀正性光刻胶的厚度大于做透明导电膜时正性光刻胶的厚度，以利于光刻胶对已形成的台阶的完全覆盖及涂胶后光刻胶表面的平坦化，且光刻胶厚度要足够抵挡干法刻蚀。
所述步骤(5)的具体过程如下：
①在经步骤(3)处理后的GaN基外延片上涂上3.5-5.5μm厚的负性光刻胶，进行对准、曝光、显影和烘干后对所述负性光刻胶进行光刻，其中用热板在90-100℃下烘烤1-2分钟对准，然后在紫外线下曝光10-20秒，再烘干后使用四甲基氢氧化铵显影20-40秒，用热板在90-100℃下烘烤1-2分钟，在透明导电膜和n型GaN层上光刻出p型电极和n型电极区域的负胶电极图形；
②然后用腐蚀液腐蚀10-15分钟腐蚀掉P电极区域下导电膜；
③最后在所述p型电极区域和n型电极区域分别沉积2μm-3μm厚的Cr金属层和Au金属层，剥离负性光刻胶后得到p型金属电极和n型金属电极。
所述步骤(6)中的钝化层氧化硅薄膜厚度为
所述步骤(6)制备钝化层的具体过程如下：
使用化学气相沉积法首先在GaN基发光二极管芯片的上表面沉积一层厚的氧化硅薄膜作为钝化层，然后在钝化层的表面涂上厚1.5μm-3μm的正性光刻胶，在90℃-100℃烘箱下烘烤5-10分钟，然后曝光机对准在紫外线下曝光5-10秒，使用四甲基氢氧化铵显影15-30秒，在90℃-100℃烘箱下烘烤5-10分钟，放入SiO2腐蚀液中腐蚀30-60秒，腐蚀掉未被光刻胶保护的SiO2薄膜，放入丙酮中5-10分钟，然后在乙醇中5-10分钟，取出后使用去离子水冲洗5-10分钟，去除表面的光刻胶，形成钝化层，得到GaN基发光二极管。
本发明通过在p型GaN层的表面先蒸镀透明导电膜(ITO),然后在ITO膜上匀正性光刻胶，通过曝光、显影制作出P型GaN台面光刻胶图形，然后腐蚀制做出透明导电膜台面，通过延长腐蚀的时间形成光刻胶图形与台面间隙即小台；腐蚀后GaN基外延片直接冲水甩干，然后进行烘烤，去除水分和表面溶剂，然后再经过ICP刻蚀形成P型GaN外延层台面。本发明中省去常规的工艺中腐蚀后去胶、再甩胶、曝光、显影等步骤，简化了光刻工艺的一次流程，缩短了生产周期，提高工作效率，同时又降低了原材料的消耗。
附图说明
图1是本发明中步骤(1)在GaN基外延片上生长透明导电膜的示意图。
图2是本发明步骤(2)制得具有透明导电膜的电流扩展层台面图形(即小台图形)且腐蚀后不去胶的GaN基外延片示意图。
图3是本发明步骤(3)形成p型GaN台面光刻胶图形与透明导电膜图形间隙的示意图
图4是本发明步骤(4)制得的p型GaN台面的示意图。
图5是本发明中步骤(5)制得的负胶电极图形示意图。
图6是本发明中步骤(5)腐蚀掉P电极区域下导电膜的示意图。
图7是本发明中的步骤(5)制得具有金属电极的GaN基外延片的示意图。
图8是本发明中的步骤(6)制备的GaN基发光二极管芯片的制备方法的示意图。
图中：1、透明导电层，2、p型GaN层，3、量子阱层，4、n型GaN层，5、用于制作透明导电层和p型GaN层台面的正性光刻胶 6、p型GaN台面光刻胶图形与透明导电膜图形间隙(小台台面图形形成)，7、负胶电极图形8、金属电极，9、钝化层。
具体实施方式
本发明的GaN基发光二极管芯片的制备方法，具体步骤如下：
(1)首先如图1所示，在GaN基外延片的p型GaN层2的上表面镀上透明导电膜1(氧化铟锡，ITO)，厚度为GaN基外延片由上至下包括p型GaN层2、量子阱层3和n型GaN层4。
(2)在GaN基外延片表面(透明导电膜1的表面)匀正性光刻胶5，光刻胶的厚度 通过对准、曝光、显影和烘干对所述正性光刻胶5进行光刻，光刻出可供后续腐蚀的透明导电膜台面图形(由透明导电膜构成的电流扩展层台面图形)，如图2所示。
(3)然后在水浴40℃-50℃ITO腐蚀液(HCL:FeCL3：H2O＝40：40：1)中腐蚀10-15分钟腐蚀出透明导电膜台面图形，然后通过控制延长腐蚀时间5-15分钟，使光刻胶图形与透明导电膜台面之间形成有效间隙6(p型GaN台面光刻胶图形与透明导电膜图形间隙(小台台面图形形成))，如图3所示，冲水甩干后不需要去除表面光刻胶。
(4)将带有p型GaN台面光刻胶图形的GaN基外延片放入110℃-120℃的烘箱烘烤20-30分钟，然后取出冷却后进行ICP(感应耦合等离子)刻蚀，如图4所示，利用ICP干法刻蚀方法，沿GaN基外延片的p型GaN层1、量子阱层2到n型GaN层3刻蚀出台面结构，同时去除表面残留的光刻胶。
(5)如图5、图6和图7所示，制备金属电极8，也就是分别在透明导电膜1和n型GaN层4的台面上制备p型电极和n型电极，制得GaN基发光二极管芯片。具体过程为：
①在经步骤(4)处理后的GaN基外延片上涂上3.5-5.5μm厚的负性光刻胶，进行对准、曝光、显影和烘干后对所述负性光刻胶进行光刻，其中用热板在90-100℃下烘烤1-2分钟对准，然后在紫外线下曝光10-20秒，再烘干后使用四甲基氢氧化铵显影20-40秒，用热板在90-100℃下烘烤1-2分钟，在ITO透明导电膜4和n型GaN层3上光刻出p型电极和n型电极区域的负胶电极图形7，如图6所示。
②然后用ITO腐蚀液腐蚀10-15分钟腐蚀掉P电极区域下导电膜，如图6所示。
③最后利用电子束蒸发法在所述p型电极区域和n型电极区域分别沉积2μm-3μm厚的Cr金属层和Au金属层，剥离负性光刻胶后得到p型金属电极和n型金属电极，如图7所示。
(6)如图8所示，对步骤(4)所制得的GaN基发光二极管芯片制备钝化层10
使用PECVD(化学气相沉积法)首先在GaN基发光二极管芯片的上表面沉积一层 的氧化硅薄膜作为钝化层10(露出金属电极9)，然后在钝化层10的表面涂上厚1.5μm-3μm的正性光刻胶，在90℃-100℃烘箱下烘烤5-10分钟，然后曝光机对准在紫外线下曝光5-10秒，使用四甲基氢氧化铵显影15-30秒，在90℃-100℃烘箱下烘烤5-10分钟，放入SiO2腐蚀液(HF:NH4F:H2O＝3：6：20)中腐蚀30-60秒，腐蚀掉未被光刻胶保护的SiO2薄膜，放入丙酮中5-10分钟，然后在乙醇中5-10分钟，取出后使用去离子水冲洗5-10分钟，去除表面的光刻胶，形成钝化层10，得到GaN基发光二极管。
Claims (7)
1.一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，包括以下步骤：
(1)在GaN基发光二极管外延片的p型GaN层上蒸镀一层透明导电膜；
(2)在透明导电膜表面涂上正性光刻胶，对正性光刻胶进行光刻，光刻出透明导电膜台面图形；
(3)对透明导电膜进行腐蚀，腐蚀出由透明导电膜构成的电流扩展层台面图形，继续腐蚀使光刻胶图形与透明导电膜台面之间形成间隙，通过控制腐蚀时间，制作出p型GaN台面结构，冲水甩干，不需要去除表面光刻胶；
(4)根据p型GaN台面结构的图形通过干法刻蚀沿GaN基外延片的p型GaN层到n型GaN层刻蚀出台面结构，在n型GaN层上制备出台面，同时去除表面的光刻胶；
(5)分别在透明导电膜和n型GaN层的台面上制备p型电极和n型电极，得到GaN基发光二极管芯片；
(6)在GaN基发光二极管芯片表面上制作钝化层。
2.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(1)中透明导电膜的厚度为
3.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(2)中透明导电膜表面所涂的正性光刻胶的厚度为
4.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(2)中透明导电膜表面匀正性光刻胶的厚度应大于做透明导电膜时正性光刻胶的厚度，以利于光刻胶对已形成的台阶的完全覆盖及涂胶后光刻胶表面的平坦化，且光刻胶厚度要足够抵挡干法刻蚀。
5.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(5)的具体过程如下：
①在经步骤(3)处理后的GaN基外延片上涂上3.5-5.5μm厚的负性光刻胶，进行对准、曝光、显影和烘干后对所述负性光刻胶进行光刻，其中用热板在90-100℃下烘烤1-2分钟对准，然后在紫外线下曝光10-20秒，再烘干后使用四甲基氢氧化铵显影20-40秒，用热板在90-100℃下烘烤1-2分钟，在透明导电膜和n型GaN层上光刻出p型电极和n型电极区域的负胶电极图形；
②然后用腐蚀液腐蚀10-15分钟腐蚀掉P电极区域下导电膜；
③最后在所述p型电极区域和n型电极区域分别沉积2μm-3μm厚的Cr金属层和Au金属层，剥离负性光刻胶后得到p型金属电极和n型金属电极。
6.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(6)中的钝化层氧化硅薄膜厚度为
7.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(6)制备钝化层的具体过程如下：
使用化学气相沉积法首先在GaN基发光二极管芯片的上表面沉积一层厚的氧化硅薄膜作为钝化层，然后在钝化层的表面涂上厚1.5μm-3μm的正性光刻胶，在90℃-100℃烘箱下烘烤5-10分钟，然后曝光机对准在紫外线下曝光5-10秒，使用四甲基氢氧化铵显影15-30秒，在90℃-100℃烘箱下烘烤5-10分钟，放入SiO2腐蚀液中腐蚀30-60秒，腐蚀掉未被光刻胶保护的SiO2薄膜，放入丙酮中5-10分钟，然后在乙醇中5-10分钟，取出后使用去离子水冲洗5-10分钟，去除表面的光刻胶，形成钝化层，得到GaN基发光二极管。
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| CN (1) | CN108511573A (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110676354A (zh) * | 2018-07-02 | 2020-01-10 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种led表面粗化芯片的生长方法 |
| CN110993509A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-04-10 | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 | 一种微型发光二极管显示背板的制造方法 |
| CN111487845A (zh) * | 2019-01-29 | 2020-08-04 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种可以直接剥离的led管芯电极掩模图形的制作方法 |
| CN112992661A (zh) * | 2020-11-23 | 2021-06-18 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 微型led及其制程方法 |
| CN114038952A (zh) * | 2021-09-09 | 2022-02-11 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 发光二极管芯片及其制备方法、显示装置 |
| US11342474B2 (en) * | 2018-05-04 | 2022-05-24 | The 13Th Research Institute Of China Electronics Technology Group Corporation | Method for preparing avalanche photodiode |
| CN115832129A (zh) * | 2023-02-22 | 2023-03-21 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种倒装led芯片制备方法 |
| CN116054770A (zh) * | 2023-03-30 | 2023-05-02 | 北京中科飞鸿科技股份有限公司 | 剥离工艺制备叉指电极的方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201910440U (zh) * | 2010-12-27 | 2011-07-27 | 同方光电科技有限公司 | 一种外延结构的GaN基材料发光二极管 |
| CN103413881A (zh) * | 2013-08-14 | 2013-11-27 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管芯片 |
| CN103426981A (zh) * | 2012-05-22 | 2013-12-04 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 一种GaN半导体LED芯片制作方法 |
| CN104659165A (zh) * | 2015-02-11 | 2015-05-27 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 |
| CN104882523A (zh) * | 2014-02-27 | 2015-09-02 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种钝化层折射率渐变的GaN基发光二极管芯片及其制备方法 |
| CN105140354A (zh) * | 2015-08-13 | 2015-12-09 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 |
| CN105719955A (zh) * | 2016-02-16 | 2016-06-29 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 |
| CN105932133A (zh) * | 2016-04-29 | 2016-09-07 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种高亮度led芯片及其制备方法 |
| CN106098892A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-11-09 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种高压发光二极管芯片的制造方法 |
| CN106252476A (zh) * | 2016-09-29 | 2016-12-21 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 |
-
2017
- 2017-02-28 CN CN201710115655.7A patent/CN108511573A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201910440U (zh) * | 2010-12-27 | 2011-07-27 | 同方光电科技有限公司 | 一种外延结构的GaN基材料发光二极管 |
| CN103426981A (zh) * | 2012-05-22 | 2013-12-04 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 一种GaN半导体LED芯片制作方法 |
| CN103413881A (zh) * | 2013-08-14 | 2013-11-27 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管芯片 |
| CN104882523A (zh) * | 2014-02-27 | 2015-09-02 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种钝化层折射率渐变的GaN基发光二极管芯片及其制备方法 |
| CN104659165A (zh) * | 2015-02-11 | 2015-05-27 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 |
| CN105140354A (zh) * | 2015-08-13 | 2015-12-09 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 |
| CN105719955A (zh) * | 2016-02-16 | 2016-06-29 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 |
| CN105932133A (zh) * | 2016-04-29 | 2016-09-07 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种高亮度led芯片及其制备方法 |
| CN106098892A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-11-09 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种高压发光二极管芯片的制造方法 |
| CN106252476A (zh) * | 2016-09-29 | 2016-12-21 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11342474B2 (en) * | 2018-05-04 | 2022-05-24 | The 13Th Research Institute Of China Electronics Technology Group Corporation | Method for preparing avalanche photodiode |
| CN110676354A (zh) * | 2018-07-02 | 2020-01-10 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种led表面粗化芯片的生长方法 |
| CN111487845A (zh) * | 2019-01-29 | 2020-08-04 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种可以直接剥离的led管芯电极掩模图形的制作方法 |
| CN110993509A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-04-10 | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 | 一种微型发光二极管显示背板的制造方法 |
| CN110993509B (zh) * | 2019-11-27 | 2021-07-13 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种微型发光二极管显示背板的制造方法 |
| CN112992661A (zh) * | 2020-11-23 | 2021-06-18 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 微型led及其制程方法 |
| CN112992661B (zh) * | 2020-11-23 | 2021-11-23 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 微型led及其制程方法 |
| CN114038952A (zh) * | 2021-09-09 | 2022-02-11 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 发光二极管芯片及其制备方法、显示装置 |
| CN115832129A (zh) * | 2023-02-22 | 2023-03-21 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种倒装led芯片制备方法 |
| CN116054770A (zh) * | 2023-03-30 | 2023-05-02 | 北京中科飞鸿科技股份有限公司 | 剥离工艺制备叉指电极的方法 |
| CN116054770B (zh) * | 2023-03-30 | 2023-07-04 | 北京中科飞鸿科技股份有限公司 | 剥离工艺制备叉指电极的方法 |
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