CN105932133A - 一种高亮度led芯片及其制备方法 - Google Patents
一种高亮度led芯片及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105932133A CN105932133A CN201610279408.6A CN201610279408A CN105932133A CN 105932133 A CN105932133 A CN 105932133A CN 201610279408 A CN201610279408 A CN 201610279408A CN 105932133 A CN105932133 A CN 105932133A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- type gan
- led chip
- gan layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 64
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 166
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 14
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 14
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 229910018885 Pt—Au Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010437 gem Substances 0.000 description 1
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种高亮度LED芯片及其制备方法，该高亮度LED芯片在厚度方向依次包括蓝宝石衬底、外延层和电极，且外延层包括N型GaN层、量子阱层及P型GaN层，N型GaN层为包括上台阶部和下台阶部的台阶型结构，量子阱层及P型GaN层依次设置在上台阶部上方，下台阶部的N型GaN上直接设置有铬膜层，电极包括设置在所述铬膜层上的N电极和设置在P型GaN层上的P电极，电极与外延层接触或与铬膜层接触的一层均为铬层且N电极与P电极中铬层的厚度相同，铬膜层的厚度为8～12nm。本发明的LED芯片由于在N电极与N型GaN层间设置铬膜层，使本发明LED芯片亮度提升，芯片电压参数并不会发生变化，LED芯片更加节能环保。
Description
技术领域
本发明涉及LED芯片制造工艺，特别地，涉及一种高亮度LED芯片及其制备方法。
背景技术
发光二极管(Light-Emitting Diode，简称LED)是一种将电能转化为光能的半导体电子器件。目前LED芯片的性能一直在快速提升，成本也在迅速下降，而出光效率始终是LED芯片技术的核心指标之一。
专利申请CN200710305834.3中提供一种制作高亮度LED芯片的方法，包括：在蓝宝石衬底上生长外延片；在外延片上沉积SiO2薄膜；以SiO2薄膜作掩膜，光刻出芯片的N区图形；用腐蚀溶液清洗未受光刻胶保护的SiO2；用去胶溶液清洗去除光刻胶；用ICP刻蚀N面台阶和芯片尺寸的划道，露出N-GaN台面；在外延片表面蒸镀沉积铟锡氧化物薄膜；蒸镀以Cr/Ni/Au为金属组合的P-N电极。但这种Cr/Ni/Au电极结构由于第一层Cr膜很厚，而Cr材料形成的金属膜的反射率很低，吸收率较高，在Cr膜厚为的情况下，芯片量子阱层中发出光子射入金属电极的光基本被第一层的Cr吸收掉，转化为热能。
鉴于上述缺陷，目前LED芯片制造厂家都在保证各项可靠性的同时，千方百计提升发光效率；近年来，LED芯片的Cr/Al/Cr/Pt/Au反射电极结构已经基本取代了之前的Cr/Pt/Au电极结构，反射电极结构与传统的Cr/Pt/Au电极结构相比能有效提高LED芯片的外量子效率：通过金属电极第一层Cr减薄，第二层使用高反射率的金属Al，来使金属电极与GaN接触面形成反射膜，将射入到金属PAD面上的光反射回去后，通过其他角度射出芯片，从而达到提升出光效率的效果；然而随着第一层Cr的减薄，芯片电压会急剧升高，不利于LED芯片产业的发展。
因而，如何突破现有技术进一步提高LED亮度仍然是本领域技术人员亟待解决的技术课题。
发明内容
本发明目的在于提供一种工艺简单，节能环保的高亮度LED芯片，在不增加LED芯片电压的情况下，有效提升LED芯片的亮度。
为实现上述目的，本发明提供了一种高亮度LED芯片，所述LED芯片在厚度方向依次包括蓝宝石衬底、外延层和电极，且所述外延层包括N型GaN层、量子阱层及P型GaN层，N型GaN层为包括上台阶部和下台阶部的台阶型结构，量子阱层及P型GaN层依次设置在所述上台阶部上方，所述下台阶部的N型GaN上直接设置有铬膜层，所述电极包括设置在所述铬膜层上的N电极和设置在P型GaN层上的P电极，所述电极与外延层接触或与铬膜层接触的一层均为铬层且所述N电极与P电极中铬层的厚度相同，所述铬膜层的厚度为
在本发明中，所述P电极和N电极均为反射电极，其结构依次包括Cr-Al-Cr-Pt-Au层，第一层Cr层为
在本发明中，所述铬膜层的厚度为
在本发明中，所述铬膜层覆盖所述下台阶部的面积与所述N电极覆盖铬膜层的面积一致。
在本发明中，所述P型GaN层4上方设有透明导电层5。
在本发明中，LED芯片还包括一覆盖于所述芯片表面的SiO2保护层。
本发明中的P电极和N电极均为反射电极，在P电极与N型GaN之间增设一层铬膜层，有效解决了因反射电极中第一层Cr减薄，芯片电压急剧升高而严重限制反射电极对LED芯片亮度的提升的问题。
本发明还提供一种制备上述高亮度LED芯片的方法，所述方法至少包括如下步骤：
S1、先在蓝宝石衬底上形成所述外延层结构；
S2：在N型GaN层的下台阶部22上蒸镀铬并剥离去胶形成所述铬膜层8；
S3：在所述铬膜层8上蒸镀电极材料并剥离去胶形成所述N电极9，同时在所述P型GaN层4上蒸镀电极材料并剥离去胶形成所述P电极7。
在本发明中，所述步骤S2之前还包括如下步骤：
S2-1：在P型GaN层(4)上利用电子束蒸发设备蒸镀透明导电层(5)；
S2-2：在所述透明导电层(5)表层上光刻P区图形，在透明导电层表层上涂覆光刻胶、光罩曝光、显影后露出多余部分透明导电层；光刻后经过化学腐蚀后将露出部分透明导电层腐蚀掉，最后去掉光刻胶，露出P型GaN层；
S2-3：在所述透明导电层(5)表层上MESA光刻制作N区图形，利用ICP刻蚀自上至下依次刻蚀透明导电层(5)、P型GaN层(4)、量子阱层(3)以及N型GaN层(2)，并使N型GaN层形成具有上台阶部(21)及下台阶部(22)的台阶状结构，露出N型GaN层。
在本发明中，所述步骤S3之后还包括步骤：
S4：对所述P电极(7)和N电极(9)进行退火处理，得到LED晶圆；
S5：对所述LED晶圆进行研磨、抛光、切割得到所述LED芯片。
使用上述方法制作的LED芯片与传统LED芯片相比，可以大大提高LED芯片的出光效率，同时不会增加芯片电压。
相比于现有技术，本发明具有以下有益效果：
1、本发明的高亮度LED芯片，在N电极与N型GaN之间增设一层铬膜层，有效降低了N电极与N-GaN间接触电阻，使得现有技术中LED芯片因电极第一层Cr减薄而引起芯片电压急剧升高的问题得到根本性地改善；
2、使用本发明方法制备的LED芯片与现有技术方法制备的LED芯片相比，本发明方法在蒸镀N电极之前在N-GaN层上增加蒸镀铬膜层的工艺，可以使LED芯片亮度提升的同时，芯片电压参数并不会发生变化，使LED芯片更加节能环保。
除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本发明作进一步详细的说明。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1是本发明一种高亮度LED芯片的结构示意图；
其中，1、蓝宝石衬底，2、N型GaN层，3、量子阱层、4、P型GaN层，5、透明导电层，6、SiO2保护层，7、P电极，8、铬膜层，9、N电极。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的实施例进行详细说明，但是本发明可以根据权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
本发明提供了一种高亮度LED芯片的制备方法，该方法至少包括以下步骤：
步骤1、提供一蓝宝石衬底1，在蓝宝石衬底1上依次生长N型GaN层2、量子阱层3，及P型GaN层4，以形成发光外延层，在外延层的表面上利用电子束蒸发设备蒸镀透明导电层5；在透明导电层表层上通过光刻图形、刻蚀以及清洗去胶露出P型GaN层4，并使N型GaN层2形成为包括上台阶部21和下台阶部22的台阶型结构；再对LED芯片进行合金工艺处理，使透明导电层与外延层形成良好的欧姆接触，减低芯片正向电压；并在经过合金工艺处理后的LED芯片的表面采用等离子体化学气相沉积技术沉积一SiO2保护层6。
在本实施例中，可采用金属有机化学气相沉积、分子束外延或氢化物气相外延技术生长发光外延结构层，本发明制造方法的优选方案为采用金属有机化学气相沉积技术生长发光外延结构层；透明电极导电层5的材质可为ITO或Ni/Au等；采用感应耦合等离子刻蚀或反应离子刻蚀技术刻蚀的发光外延结构层。
接着进行步骤2、在N型GaN层的下台阶部22上光刻图形，利用电子束蒸发设备蒸镀铬并剥离去胶形成厚的铬膜层8；
所述步骤S2之前还包括步骤：S2-1：在P型GaN层4上利用电子束蒸发设备蒸镀透明导电层5；S2-2：在透明导电层5表层上光刻P区图形，在透明导电层表层上涂覆光刻胶、光罩曝光、显影后露出多余部分透明导电层；光刻后经过化学腐蚀后将露出部分透明导电层腐蚀掉，最后去掉光刻胶，露出P型GaN层；S2-3：在透明导电层5表层上MESA光刻制作N区图形，利用ICP刻蚀自上至下依次刻蚀透明导电层5、P型GaN层4、量子阱层3以及N型GaN层2，并使N型GaN层形成具有上台阶部21及下台阶部22的台阶状结构，露出N型GaN层。
在本实施例中，优选的，铬膜层的厚度为
然后进行步骤3、在铬膜层8上蒸镀电极材料并剥离去胶形成N电极9，同时在P型GaN层4上蒸镀电极材料并剥离去胶形成P电极7。
所述步骤S3之后还包括步骤：S4：对P电极7和N电极9进行退火处理，得到LED晶圆；S5：对LED晶圆进行研磨、抛光、切割得到LED芯片。
在本实施例中，P电极和N电极均采用反射电极，其结构依次包括Cr-Al-Cr-Pt-Au层，第一层Cr的厚度为
参见图1，为本发明实施例的一种高性能LED芯片的结构，LED芯片在厚度方向依次包括蓝宝石衬底1、外延层和电极，且外延层包括N型GaN层2、量子阱层3及P型GaN层4，N型GaN层2为包括上台阶部21和下台阶部22的台阶型结构，量子阱层3及P型GaN层4依次设置在上台阶部21上方，下台阶部22的N型GaN上直接设置有铬膜层8，电极包括设置在铬膜层8上的N电极9和设置在P型GaN层上的P电极7，还包括设置于P型GaN层4表面上的透明导电层5以及形成于上述结构的表面SiO2保护层6。
在本实施例中，P电极7和N电极9均为反射电极，其结构依次包括Cr-Al-Cr-Pt-Au层，电极与外延层接触或与铬膜层接触的一层均为第一层Cr且N电极与P电极中第一层Cr的厚度相同。
在本实施例中，铬膜层8覆盖下台阶部22的面积与N电极9覆盖所述铬膜层8的面积一致。铬膜层8的厚度为第一层Cr的厚度为优选的，铬膜层8的厚度为
如下表，在本发明中选取波长、电压、外延光致发光值相同的24片外延片制备成18*35mil芯片，外观检验表明实验芯片外观正常，点测电性参数进行对比。实施例中的LED芯片为采用本发明中上述方法制备得到，而对比例中的LED芯片为采用与本发明相似的方法制备，但对比例中的LED芯片均不涉及镀设铬膜层8的步骤，也即N电极9直接设置在所述下台阶部22上。
综上所述，由本发明制造方法得到的LED芯片结构，由于在P电极与N型GaN层之间增设铬膜层，芯片亮度提升了2.14mw，芯片电压参数不变。本发明对LED芯片的光效提升更为显著，使LED芯片更加节能环保。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种高亮度LED芯片，其特征在于，所述LED芯片在厚度方向依次包括蓝宝石衬底(1)、外延层和电极，且所述外延层包括N型GaN层(2)、量子阱层(3)及P型GaN层(4)，N型GaN层(2)为包括上台阶部(21)和下台阶部(22)的台阶型结构，量子阱层(3)及P型GaN层(4)依次设置在所述上台阶部(21)上方，所述下台阶部(22)的N型GaN上直接设置有铬膜层(8)，所述电极包括设置在所述铬膜层(8)上的N电极(9)和设置在P型GaN层上的P电极(7)，所述电极与外延层接触或与铬膜层接触的一层均为铬层且所述N电极与P电极中铬层的厚度相同，所述铬膜层(8)的厚度为
2.根据权利要求1所述LED芯片，其特征在于，所述P电极(7)和N电极(9)均为反射电极，其结构依次包括Cr-Al-Cr-Pt-Au层，第一层Cr的厚度为
3.根据权利要求1所述LED芯片，其特征在于，所述铬膜层(8)的厚度为
4.根据权利要求1所述LED芯片，其特征在于，所述铬膜层(8)覆盖所述下台阶部(22)的面积与所述N电极(9)覆盖所述铬膜层(8)的面积一致。
5.根据权利要求1所述LED芯片，其特征在于，所述P型GaN层(4)上方设有透明导电层(5)。
6.根据权利要求5所述LED芯片，其特征在于，还包括一沉积于所述芯片表面的SiO2保护层(6)。
7.一种如权利要求1～6中任意一项所述LED芯片的制备方法，其特征在于，所述方法至少包括如下步骤：
S1：在蓝宝石衬底上形成所述外延层结构；
S2：在N型GaN层的下台阶部(22)上蒸镀铬并剥离去胶形成所述铬膜层(8)；
S3：在所述铬膜层(8)上蒸镀电极材料并剥离去胶形成所述N电极(9)，同时在所述P型GaN层(4)上蒸镀电极材料并剥离去胶形成所述P电极(7)。
8.根据权利要求7所述LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S2之前还包括如下步骤：
S2-1：在P型GaN层(4)上利用电子束蒸发设备蒸镀透明导电层(5)；
S2-2：在所述透明导电层(5)表层上光刻P区图形，在透明导电层表层上涂覆光刻胶、光罩曝光、显影后露出多余部分透明导电层；光刻后经过化学腐蚀后将露出部分透明导电层腐蚀掉，最后去掉光刻胶，露出P型GaN层；
S2-3：在所述透明导电层(5)表层上MESA光刻制作N区图形，利用ICP刻蚀自上至下依次刻蚀透明导电层(5)、P型GaN层(4)、量子阱层(3)以及N型GaN层(2)，并使N型GaN层形成具有上台阶部(21)及下台阶部(22)的台阶状结构，露出N型GaN层。
9.根据权利要求7所述LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S3之后还包括步骤：
S4：对所述P电极(7)和N电极(9)进行退火处理，得到LED晶圆；
S5：对所述LED晶圆进行研磨、抛光、切割得到所述LED芯片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610279408.6A CN105932133B (zh) | 2016-04-29 | 2016-04-29 | 一种高亮度led芯片及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610279408.6A CN105932133B (zh) | 2016-04-29 | 2016-04-29 | 一种高亮度led芯片及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105932133A true CN105932133A (zh) | 2016-09-07 |
| CN105932133B CN105932133B (zh) | 2018-08-14 |
Family
ID=56836896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610279408.6A Active CN105932133B (zh) | 2016-04-29 | 2016-04-29 | 一种高亮度led芯片及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105932133B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108511573A (zh) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070096126A1 (en) * | 2003-12-17 | 2007-05-03 | Koji Kamei | Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device and negative electrode thereof |
| JP2008078432A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子 |
| CN101971368A (zh) * | 2008-03-13 | 2011-02-09 | 昭和电工株式会社 | 半导体发光元件及其制造方法 |
| CN104576867A (zh) * | 2015-01-20 | 2015-04-29 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种iii族半导体发光器件的制作方法 |
-
2016
- 2016-04-29 CN CN201610279408.6A patent/CN105932133B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070096126A1 (en) * | 2003-12-17 | 2007-05-03 | Koji Kamei | Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device and negative electrode thereof |
| JP2008078432A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子 |
| CN101971368A (zh) * | 2008-03-13 | 2011-02-09 | 昭和电工株式会社 | 半导体发光元件及其制造方法 |
| CN104576867A (zh) * | 2015-01-20 | 2015-04-29 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种iii族半导体发光器件的制作方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108511573A (zh) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105932133B (zh) | 2018-08-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102916028B (zh) | 发光二极管阵列及其制造方法 | |
| CN101084583A (zh) | 氮化镓化合物半导体发光元件及其制造方法 | |
| CN106058003B (zh) | 一种提升led芯片亮度的方法 | |
| CN103219352B (zh) | 阵列式结构的led组合芯片及其制作方法 | |
| CN102709426A (zh) | 一种表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 | |
| CN108231966A (zh) | 一种具有反射镜的led芯片及其制作方法 | |
| CN106025012A (zh) | 一种led芯片的制备方法及采用该方法制备的led芯片 | |
| CN102709422A (zh) | 半导体发光器件及其制备方法 | |
| CN103000778A (zh) | 发光二极管结构及其制造方法 | |
| CN102263173A (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
| CN104285307A (zh) | 高效发光二极管及其制造方法 | |
| CN102468384B (zh) | 蚀刻发光器件的生长层以减小漏电 | |
| CN108365078A (zh) | 一种3d通孔超结构led芯片及其制备方法 | |
| US8884157B2 (en) | Method for manufacturing optoelectronic devices | |
| KR20120030430A (ko) | 발광 반도체 디바이스 및 제조방법 | |
| KR101239852B1 (ko) | ＧａＮ계 화합물 반도체 발광 소자 | |
| CN105449059A (zh) | 具有电流扩展增透膜层的GaN基LED芯片及其制备方法 | |
| CN101859859B (zh) | 高亮度氮化镓基发光二极管及其制备方法 | |
| CN104425663A (zh) | 一种氮化镓基高压发光二极管的制作方法 | |
| CN105932133B (zh) | 一种高亮度led芯片及其制备方法 | |
| CN106340574B (zh) | 具有粗化电流扩展层的GaAs基LED芯片及制备方法 | |
| CN214336736U (zh) | 双层ito膜的led芯片结构 | |
| CN115472729A (zh) | 一种小型发光二极管结构及其制作方法 | |
| CN108172669A (zh) | 一种铝电极led芯片及其制作方法 | |
| CN108493307A (zh) | 一种正装led芯片及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |