CN103413881A - 一种氮化镓基发光二极管芯片 - Google Patents

一种氮化镓基发光二极管芯片 Download PDF

Info

Publication number
CN103413881A
CN103413881A CN2013103513940A CN201310351394A CN103413881A CN 103413881 A CN103413881 A CN 103413881A CN 2013103513940 A CN2013103513940 A CN 2013103513940A CN 201310351394 A CN201310351394 A CN 201310351394A CN 103413881 A CN103413881 A CN 103413881A
Authority
CN
China
Prior art keywords
emitting diode
gallium nitride
layer
electrode
type gan
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN2013103513940A
Other languages
English (en)
Inventor
张向飞
刘坚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huaian Aucksun Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Huaian Aucksun Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huaian Aucksun Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Huaian Aucksun Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN2013103513940A priority Critical patent/CN103413881A/zh
Publication of CN103413881A publication Critical patent/CN103413881A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

本发明公开了一种氮化镓基发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底层（1）、N型GaN层（2）、MQW发光层（3）、P型GaN层（4）、二氧化硅保护层（5）、P电极（6）以及N电极（7），P型GaN层（4）与P电极（6）之间设置有ITO透明导电薄膜（8），所述ITO透明导电薄膜（8）的厚度为0.12μm，本发明有效解决传统氮化镓基发光二极管芯片的ITO透明导电薄膜厚度设置不合理，从而导致发光二极管的发光效率的问题。

Description

一种氮化镓基发光二极管芯片
技术领域
本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种氮化镓基发光二极管芯片。
背景技术
当前全球能源短缺的忧虑再度升高的背景下，节约能源是我们未来面临的重要的问题，在照明领域，LED发光产品的应用正吸引着世人的目光，LED作为一种新型的绿色光源产品，必然是未来发展的趋势，二十一世纪将进入以LED为代表的新型照明光源时代。LED球泡灯具与白炽灯比较，其最大的发展动力就是节能环保的优势。前LED行业的快速发展，已经使得部分LED照明产品价格低于白炽灯或等同的水平，使得普通百姓家都可以接受，而且亮度也优于白炽灯泡，LED（LightingEmittingDiode）照明即是发光二极管照明，是一种半导体固体发光器件，它是利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射，直接发出红、黄、蓝、绿色的光，在此基础上，利用三基色原理，添加荧光粉，可以发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色等任意颜色的光。
LED芯片作为LED照明的主要部件，在生产过程中，P型GaN层与P电极之间通常需要设置ITO透明导电薄膜，ITO透明导电薄膜的厚度尺寸通常会影响ITO对光的吸收，从而影响LED芯片的发光效率。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种氮化镓基发光二极管芯片，该技术方案有效解决传统氮化镓基发光二极管芯片的ITO透明导电薄膜厚度设置不合理，从而导致发光二极管的发光效率的问题。
本发明通过以下技术方案实现：
一种氮化镓基发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底层（1）、N型GaN层（2）、MQW发光层（3）、P型GaN层（4）、二氧化硅保护层（5）、P电极（6）以及N电极（7），P型GaN层（4）与P电极（6）之间设置有ITO透明导电薄膜（8），其特征在于：所述ITO透明导电薄膜（8）的厚度为0.12μm。
本发明与现有技术相比，具有以下明显优点：本发明将传统发光二极管芯片的ITO透明导电薄膜厚度由传统的0.25μm变成0.12μm，通过减薄ITO透明导电薄膜厚度，从而减少ITO透明导电薄膜对光的吸收，从而增加光效。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，本发明包括蓝宝石衬底层1、N型GaN层2、MQW发光层3、P型GaN层4、二氧化硅保护层5、P电极6以及N电极7，P型GaN层4与P电极6之间设置有ITO透明导电薄膜8，所述ITO透明导电薄膜8的厚度为0.12μm。
本发明未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。

Claims (1)

1.一种氮化镓基发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底层（1）、N型GaN层（2）、MQW发光层（3）、P型GaN层（4）、二氧化硅保护层（5）、P电极（6）以及N电极（7），P型GaN层（4）与P电极（6）之间设置有ITO透明导电薄膜（8），其特征在于：所述ITO透明导电薄膜（8）的厚度为0.12μm。
CN2013103513940A 2013-08-14 2013-08-14 一种氮化镓基发光二极管芯片 Withdrawn CN103413881A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2013103513940A CN103413881A (zh) 2013-08-14 2013-08-14 一种氮化镓基发光二极管芯片

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2013103513940A CN103413881A (zh) 2013-08-14 2013-08-14 一种氮化镓基发光二极管芯片

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103413881A true CN103413881A (zh) 2013-11-27

Family

ID=49606879

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2013103513940A Withdrawn CN103413881A (zh) 2013-08-14 2013-08-14 一种氮化镓基发光二极管芯片

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103413881A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104538537A (zh) * 2014-11-18 2015-04-22 庄家铭 一种侧壁与背部导通的发光二极管及其制作工艺
CN108511573A (zh) * 2017-02-28 2018-09-07 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104538537A (zh) * 2014-11-18 2015-04-22 庄家铭 一种侧壁与背部导通的发光二极管及其制作工艺
CN108511573A (zh) * 2017-02-28 2018-09-07 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103700651A (zh) 高显色led灯丝
CN104347606A (zh) 发光二极管封装结构及光源模块
US9166117B2 (en) Light emitting device and method for mixing light thereof
CN103413881A (zh) 一种氮化镓基发光二极管芯片
CN203521455U (zh) 一种led芯片
CN203367347U (zh) 一种氮化镓基发光二极管芯片
CN203367349U (zh) 一种高光效氮化镓基发光二极管芯片
CN103413882A (zh) 一种高光效氮化镓基发光二极管芯片
CN203384721U (zh) 一种led灯管
CN204201655U (zh) 双通道发光二极管
US20140319562A1 (en) Light-emitting diode package structure
US10704743B2 (en) Saturated amber light source device
CN203367246U (zh) 全自动led芯片显影机用取片手臂
KR101780400B1 (ko) 조명 장치
CN104315416A (zh) 双通道发光二极管
CN203733795U (zh) 一种led封装结构
CN108054259A (zh) 一种led芯片及其制作方法
CN205480398U (zh) Led灯带的防水结构
CN207993890U (zh) 一种可实现白光的led封装结构及其光源装置
CN103400781A (zh) 全自动led芯片显影机用取片手臂
CN203312368U (zh) 一种cob型led光源的封装结构
CN203367249U (zh) 全自动led芯片干法刻蚀机用承片盘
CN203360556U (zh) Led芯片金属蒸镀机
CN203367336U (zh) 全自动led芯片晶粒计数器用芯片吸附台面
CN203360558U (zh) Led芯片ito蒸镀机转盘装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C04 Withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20131127