CN203367347U - 一种氮化镓基发光二极管芯片 - Google Patents
一种氮化镓基发光二极管芯片 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种氮化镓基发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底层（1）、N型GaN层（2）、MQW发光层（3）、P型GaN层（4）、二氧化硅保护层（5）、P电极（6）以及N电极（7），P型GaN层（4）与P电极（6）之间设置有ITO透明导电薄膜（8），所述ITO透明导电薄膜（8）的厚度为0.12μm，本实用新型有效解决传统氮化镓基发光二极管芯片的ITO透明导电薄膜厚度设置不合理，从而导致发光二极管的发光效率差的问题。
Description
技术领域
本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种氮化镓基发光二极管芯片。
背景技术
当前全球能源短缺的忧虑再度升高的背景下，节约能源是我们未来面临的重要的问题，在照明领域，LED发光产品的应用正吸引着世人的目光，LED作为一种新型的绿色光源产品，必然是未来发展的趋势，二十一世纪将进入以LED为代表的新型照明光源时代。LED球泡灯具与白炽灯比较，其最大的发展动力就是节能环保的优势。前LED行业的快速发展，已经使得部分LED照明产品价格低于白炽灯或等同的水平，使得普通百姓家都可以接受，而且亮度也优于白炽灯泡，LED（LightingEmittingDiode）照明即是发光二极管照明，是一种半导体固体发光器件，它是利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射，直接发出红、黄、蓝、绿色的光，在此基础上，利用三基色原理，添加荧光粉，可以发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色等任意颜色的光。
LED芯片作为LED照明的主要部件，在生产过程中，P型GaN层与P电极之间通常需要设置ITO透明导电薄膜，ITO透明导电薄膜的厚度尺寸通常会影响ITO对光的吸收，从而影响LED芯片的发光效率。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种氮化镓基发光二极管芯片，该技术方案有效解决传统氮化镓基发光二极管芯片的ITO透明导电薄膜厚度设置不合理，从而导致发光二极管的发光效率的问题。
本发明通过以下技术方案实现：
一种氮化镓基发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底层（1）、N型GaN层（2）、MQW发光层（3）、P型GaN层（4）、二氧化硅保护层（5）、P电极（6）以及N电极（7），P型GaN层（4）与P电极（6）之间设置有ITO透明导电薄膜（8），其特征在于：所述ITO透明导电薄膜（8）的厚度为0.12μm。
本发明与现有技术相比，具有以下明显优点：本发明将传统发光二极管芯片的ITO透明导电薄膜厚度由传统的0.25μm变成0.12μm，通过减薄ITO透明导电薄膜厚度，从而减少ITO透明导电薄膜对光的吸收，从而增加光效。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，本发明包括蓝宝石衬底层1、N型GaN层2、MQW发光层3、P型GaN层4、二氧化硅保护层5、P电极6以及N电极7，P型GaN层4与P电极6之间设置有ITO透明导电薄膜8，所述ITO透明导电薄膜8的厚度为0.12μm。
本发明未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。
Claims (1)
1.一种氮化镓基发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底层（1）、N型GaN层（2）、MQW发光层（3）、P型GaN层（4）、二氧化硅保护层（5）、P电极（6）以及N电极（7），P型GaN层（4）与P电极（6）之间设置有ITO透明导电薄膜（8），其特征在于：所述ITO透明导电薄膜（8）的厚度为0.12μm。
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| CN 201320493057 CN203367347U (zh) | 2013-08-14 | 2013-08-14 | 一种氮化镓基发光二极管芯片 |
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- 2013-08-14 CN CN 201320493057 patent/CN203367347U/zh not_active Expired - Fee Related
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