CN203367349U - 一种高光效氮化镓基发光二极管芯片 - Google Patents
一种高光效氮化镓基发光二极管芯片 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种高光效氮化镓基发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底层（1）、N型GaN层（2）、MQW发光层（3）、P型GaN层（4）、二氧化硅保护层（5）、P电极（6）以及N电极（7），P型GaN层（4）与P电极（6）之间设置有ITO透明导电薄膜（8），其特征在于：所述二氧化硅保护层（5）的厚度为0.07μm，本发明有效解决传统氮化镓基发光二极管芯片的二氧化硅保护层厚度设置不合理，从而导致发光二极管的发光效率差的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种高光效氮化镓基发光二极管芯片。
背景技术
当前全球能源短缺的忧虑再度升高的背景下，节约能源是我们未来面临的重要的问题，在照明领域，LED发光产品的应用正吸引着世人的目光，LED作为一种新型的绿色光源产品，必然是未来发展的趋势，二十一世纪将进入以LED为代表的新型照明光源时代。LED球泡灯具与白炽灯比较，其最大的发展动力就是节能环保的优势。前LED行业的快速发展，已经使得部分LED照明产品价格低于白炽灯或等同的水平，使得普通百姓家都可以接受，而且亮度也优于白炽灯泡，LED（LightingEmittingDiode）照明即是发光二极管照明，是一种半导体固体发光器件，它是利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射，直接发出红、黄、蓝、绿色的光，在此基础上，利用三基色原理，添加荧光粉，可以发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色等任意颜色的光。
LED芯片作为LED照明的主要部件，在生产过程中，芯片N型GaN层、P型GaN层外围通常包覆二氧化硅保护层，防止电流扩散，改善发光效率。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种高光效氮化镓基发光二极管芯片，该技术方案有效解决传统氮化镓基发光二极管芯片的二氧化硅保护层厚度设置不合理，从而导致发光二极管的发光效率差的问题。
本实用新型通过以下技术方案实现：
一种高光效氮化镓基发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底层（1）、N型GaN层（2）、MQW发光层（3）、P型GaN层（4）、二氧化硅保护层（5）、P电极（6）以及N电极（7），P型GaN层（4）与P电极（6）之间设置有ITO透明导电薄膜（8），其特征在于：所述二氧化硅保护层（5）的厚度为0.07μm。
本实用新型与现有技术相比，具有以下明显优点：本实用新型将传统发光二极管芯片的二氧化硅保护层厚度由传统的0.1μm或为0.2μm变成0.07μm，通过减薄二氧化硅保护层的厚度，减少电流扩散，从而提高发光效率。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型包括蓝宝石衬底层1、N型GaN层2、MQW发光层3、P型GaN层4、二氧化硅保护层5、P电极6以及N电极7，P型GaN层4与P电极6之间设置有ITO透明导电薄膜8，所述二氧化硅保护层5的厚度为0.07μm。
本实用新型未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。
Claims (1)
1.一种高光效氮化镓基发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底层（1）、N型GaN层（2）、MQW发光层（3）、P型GaN层（4）、二氧化硅保护层（5）、P电极（6）以及N电极（7），P型GaN层（4）与P电极（6）之间设置有ITO透明导电薄膜（8），其特征在于：所述二氧化硅保护层（5）的厚度为0.07μm。
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