CN109280938B - 一种花球状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极材料及其制备方法 - Google Patents

一种花球状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极材料及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109280938B
CN109280938B CN201811156335.7A CN201811156335A CN109280938B CN 109280938 B CN109280938 B CN 109280938B CN 201811156335 A CN201811156335 A CN 201811156335A CN 109280938 B CN109280938 B CN 109280938B
Authority
CN
China
Prior art keywords
reaction
mol
foamed nickel
doped
self
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811156335.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109280938A (zh
Inventor
黄剑锋
刘倩倩
冯亮亮
曹丽云
杨丹
张晓�
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shaanxi University of Science and Technology
Original Assignee
Shaanxi University of Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shaanxi University of Science and Technology filed Critical Shaanxi University of Science and Technology
Priority to CN201811156335.7A priority Critical patent/CN109280938B/zh
Publication of CN109280938A publication Critical patent/CN109280938A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109280938B publication Critical patent/CN109280938B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B11/00—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
    • C25B11/04—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by the material
    • C25B11/051—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B1/00—Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
    • C25B1/01—Products
    • C25B1/02—Hydrogen or oxygen
    • C25B1/04—Hydrogen or oxygen by electrolysis of water
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B11/00—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
    • C25B11/02—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by shape or form
    • C25B11/03—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by shape or form perforated or foraminous
    • C25B11/031—Porous electrodes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B11/00—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
    • C25B11/04—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by the material
    • C25B11/051—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier
    • C25B11/073—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier characterised by the electrocatalyst material
    • C25B11/075—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier characterised by the electrocatalyst material consisting of a single catalytic element or catalytic compound
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30—Hydrogen technology
    • Y02E60/36—Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Abstract

本发明提供了一种花球状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极材料的制备方法，包括：将清洁的泡沫镍浸泡在含有六水合氯化镍、氯化钒、氟化铵、及尿素的前驱体溶液中，进行第一次水热反应；将反应后的泡沫镍浸泡在含有硫代乙酰胺、及聚乙烯吡咯烷酮的水溶液中，进行第二次水热反应，得到花球状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极材料。本发明还公布了这种花球状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极材料。本发明的制备方法操作简单，反应周期短，制得的V掺杂的Ni3S2形貌均匀且具有自组装结构，有效的提高了材料的电催化性能。

Description

一种花球状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极材料及其制备方法
技术领域
本发明属电催化剂技术领域，具体涉及一种花球状的V掺杂的Ni3S2 /NF自支撑电极材料及其制备方法。
背景技术
Ni3S2微纳米材料的调控已成为近些年来Ni3S2材料的研究热点。利用水热法、微波水热法、溶剂热法、模板法等能够合成具有不同微观形貌（纳米片、纳米棒、纳米线结构等）的Ni3S2微纳米材料。专利“赵海雷, 张子佳, 曾志鹏等. 一种具有片层结构的纳米Ni3S2材料的制备方法, CN 104201380 B[P]. 2017.”采用溶剂热法，利用具有三维多孔结构的Ni网作为载体，合成出具有片层结构的纳米Ni3S2材料；文献“Zhou W, Wu X J, Cao X, etal. Ni3S2 nanorods/Ni foam composite electrode with low overpotential forelectrocatalytic oxygen evolution[J]. Energy & Environmental Science, 2013, 6(10):2921-2924.”通过水热反应，在三维多孔的导电基体泡沫镍表面生成Ni3S2纳米棒材料，其在电解水析氧反应过程中具有一定的催化性能。
然而，目前关于花球状的Ni3S2的报道却很少。
发明内容
本发明的目的在于提供一种花球状的V掺杂的Ni3S2 /NF自支撑电极材料的制备方法，制备方法操作简单，反应周期短，制得的V掺杂的Ni3S2形貌均匀且具有自组装结构，有效的提高了材料的电催化性能。
（1）将泡沫镍浸入丙酮溶液中超声清洗5~20min、然后转移至2~4mol/L的盐酸中进行超声清洗5~20min，最后分别用乙醇与超纯水交替冲洗2~3次，再在25~35℃下真空干燥10~14h；
（2）配置前驱体溶液，该前驱体溶液中包含浓度为（0.05~0.2）mol/L的六水合氯化镍，浓度为（0.0125~0.1）mol/L的氯化钒，浓度为（0.01~0.1）mol/L的氟化铵和浓度为（0.125~0.35）mol/L的尿素的水溶液，在室温下磁力搅拌20~40min得到澄清溶液A。将澄清溶液A和步骤（1）处理好的泡沫镍转入高温高压水热釜中，然后在90~150℃下反应6~18h，其中反应填充比应该控制在20~80%。水热反应结束，将反应釜自然冷却到室温，然后将反应后冷却的泡沫镍取出，经过3次水洗和3次醇交替清洗后收集产物，并在25~35℃下，真空干燥3~5h.
（3）将硫代乙酰胺（TAA）和聚乙烯吡咯烷酮（PVP）加入到20~40ml的超纯水中，搅拌均匀，得到混合溶液B。此时PVP与TAA的摩尔比0.01-0.06:3-5。然后将步骤（2）干燥后的泡沫镍和混合溶液B一起转移到高温高压水热釜中，然后在100~200℃下反应5~10h，其中反应填充比应该控制在20~80%。
本发明的有益的效果为：
（1）本发明通过简单的水热反应制备出花球状的V掺杂的Ni3S2 /NF自支撑电极材料，原理成本低，操作简便，对环境友好，产品产率高，可重复性强。
（2）本发明制备的花球状的V掺杂的Ni3S2 /NF自支撑电极，拓展了Ni3S2自组装结构的调控手段，对Ni3S2微纳米材料的性能及批量化生产有重要意义。
附图说明
图1为本发明实施例5制备的花球状的V掺杂的Ni3S2 /NF自支撑电极的X-射线衍射（XRD）图谱；
图2为本发明实施例5制备的花球状的V掺杂的Ni3S2 /NF自支撑电极的扫描电镜（SEM）照片；
图3为本发明实施例5制备的花球状的V掺杂的Ni3S2 /NF自支撑电极的HER性能图。
具体实施方式
下面结合附图以及具体实施例对本发明做进一步详细描述：
实施例1：
（1）将泡沫镍浸入丙酮溶液中超声清洗10min、然后转移至2mol/L的盐酸中进行超声清洗10min，最后分别用乙醇与超纯水交替冲洗3次，再在35℃下真空干燥10h；
（2）配置前驱体溶液，该前驱体溶液中包含浓度为0.05mol/L的六水合氯化镍，浓度为0.0125mol/L的氯化钒，浓度为0.05mol/L的氟化铵和浓度为0.125）mol/L的尿素的水溶液，在室温下磁力搅拌20min得到澄清溶液A。将澄清溶液A和步骤（1）处理好的导电基体转入高温高压水热釜中，然后在100℃下反应18h，其中反应填充比应该控制在40%。水热反应结束，将反应釜自然冷却到室温，然后将反应后冷却的导电基体取出，经过3次水洗和3次醇交替清洗后收集产物，并在35℃下，真空干燥3h.
（3）将硫代乙酰胺（TAA）和聚乙烯吡咯烷酮（PVP）加入到25ml的超纯水中，搅拌均匀，得到混合溶液B。此时PVP与TAA的摩尔比0.01:3。然后将步骤（2）干燥后的泡沫镍和混合溶液B一起转移到高温高压水热釜中，然后在100℃下反应8h，其中反应填充比应该控制在50%。
实施例2：
（1）将1cm x 5cm的泡沫镍浸入丙酮溶液中超声清洗10min、然后转移至2mol/L的盐酸中进行超声清洗10min，最后分别用乙醇与超纯水交替冲洗3次，再在35℃下真空干燥10h；
（2）配置前驱体溶液，该前驱体溶液中包含浓度为0.1mol/L的六水合氯化镍，浓度为0.04mol/L的氯化钒，浓度为0.05mol/L的氟化铵和浓度为0.2mol/L的尿素的水溶液，在室温下磁力搅拌20min得到澄清溶液A。将澄清溶液A和步骤（1）处理好的导电基体转入高温高压水热釜中，然后在120℃下反应14h，其中反应填充比应该控制在40%。水热反应结束，将反应釜自然冷却到室温，然后将反应后冷却的导电基体取出，经过3次水洗和3次醇交替清洗后收集产物，并在35℃下，真空干燥3h.
（3）将硫代乙酰胺（TAA）和聚乙烯吡咯烷酮（PVP）加入到30ml的超纯水中，搅拌均匀，得到混合溶液B。此时PVP与TAA的摩尔比0.02:4。然后将步骤（2）干燥后的泡沫镍和混合溶液B一起转移到高温高压水热釜中，然后在120℃下反应8h，其中反应填充比应该控制在60%。
实施例3：
（1）将1cm x 5cm的泡沫镍浸入丙酮溶液中超声清洗5min、再将泡沫镍浸入到2mol/L的盐酸中进行超声清洗5min，最后分别用乙醇与超纯水交替冲洗3次，在30℃下真空干燥10后得到处理后的泡沫镍；
（2）配置前驱体溶液，该前驱体溶液中包含浓度为0.1mol/L的六水合氯化镍，浓度为0.05mol/L的氯化钒，浓度为0.05mol/L的氟化铵和浓度为0.2mol/L的尿素的水溶液，在室温下磁力搅拌20min得到澄清溶液A。将澄清溶液A和步骤（1）处理好的泡沫镍转入高温高压水热釜中，然后在140℃下反应10h，其中反应填充比应该控制在30%。水热反应结束，将反应釜自然冷却到室温，然后将反应后冷却的导电基体取出，经过3次水洗和3次醇交替清洗后收集产物，并在35℃下，真空干燥3h.
（3）将硫代乙酰胺（TAA）和聚乙烯吡咯烷酮（PVP）加入到30ml的超纯水中，搅拌均匀，得到混合溶液B。此时PVP与TAA的摩尔比0.03:4。然后将步骤（2）干燥后的泡沫镍和混合溶液B一起转移到高温高压水热釜中，然后在140℃下反应7h，其中反应填充比应该控制在60%。
实施例4：
（1）将1cm x 5cm的泡沫镍浸入丙酮溶液中超声清洗5min、再将泡沫镍浸入到2mol/L的盐酸中进行超声清洗5min，最后分别用乙醇与超纯水交替冲洗3次，在30℃下真空干燥10后得到处理后的泡沫镍；
（2）配置前驱体溶液，该前驱体溶液中包含浓度为0.1167mol/L的六水合氯化镍，浓度为0.067mol/L的氯化钒，浓度为0.05mol/L的氟化铵和浓度为0.2167mol/L的尿素的水溶液，在室温下磁力搅拌20min得到澄清溶液A。将澄清溶液A和步骤（1）处理好的泡沫镍转入高温高压水热釜中，然后在150℃下反应15h，其中反应填充比应该控制在40%。水热反应结束，将反应釜自然冷却到室温，然后将反应后冷却的导电基体取出，经过3次水洗和3次醇交替清洗后收集产物，并在35℃下，真空干燥3h.
（3）将硫代乙酰胺（TAA）和聚乙烯吡咯烷酮（PVP）加入到40ml的超纯水中，搅拌均匀，得到混合溶液B。此时PVP与TAA的摩尔比0.06: 5。然后将步骤（2）干燥后的泡沫镍和混合溶液B一起转移到高温高压水热釜中，然后在160℃下反应6h，其中反应填充比应该控制在80%。
实施例5：
（1）将1cm x 5cm的泡沫镍浸入丙酮溶液中超声清洗5min、再将泡沫镍浸入到2mol/L的盐酸中进行超声清洗5min，最后分别用乙醇与超纯水交替冲洗3次，在30℃下真空干燥10后得到处理后的泡沫镍；
（2）配置前驱体溶液，该前驱体溶液中包含浓度为0.1mol/L的六水合氯化镍，浓度为0.025mol/L的氯化钒，浓度为0.05mol/L的氟化铵和浓度为0.25mol/L的尿素的水溶液，在室温下磁力搅拌20min得到澄清溶液A。将澄清溶液A和步骤（1）处理好的泡沫镍转入高温高压水热釜中，然后在150℃下反应10h，其中反应填充比应该控制在40%。水热反应结束，将反应釜自然冷却到室温，然后将反应后冷却的导电基体取出，经过3次水洗和3次醇交替清洗后收集产物，并在35℃下，真空干燥3h.
（3）将硫代乙酰胺（TAA）和聚乙烯吡咯烷酮（PVP）加入到25ml的超纯水中，搅拌均匀，得到混合溶液B。此时PVP与TAA的摩尔比0.01: 5。然后将步骤（2）干燥后的泡沫镍和混合溶液B一起转移到高温高压水热釜中，然后在160℃下反应5h，其中反应填充比应该控制在50%。
图1为本实施例制备的花球状的V掺杂的Ni3S2 /NF自支撑电极的X-射线衍射（XRD）图谱。XRD图谱中主要的特征峰与Ni3S2的XRD特征峰相一致，说明本发明在泡沫镍上生长出了Ni3S2。
图2为本实施例制备的花球状的V掺杂的Ni3S2 /NF自支撑电极的扫描电镜（SEM）照片。SEM照片显示，本发明制备的V掺杂的Ni3S2具有花球状的形貌特征。
图3为本实施例制备的花球状的V掺杂的Ni3S2 /NF自支撑电极的HER性能图。HER性能测试结果显示该电极材料具有优异的电催化产氢性能，在电流密度为50 mA/cm2时，其过电势为300 mV。

Claims (2)

1.一种花球状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将清洁的泡沫镍浸泡在含有0.05~0.2mol/L的六水合氯化镍、0.0125~0.1mol/L的氯化钒、0.01~0.1mol/L的氟化铵、及0.125~0.35mol/L的尿素的水溶液中，进行第一次水热反应；所述第一次水热反应的反应温度为90~150℃，反应时间为6~18h，反应填充比控制在20~80%；
将反应后的泡沫镍浸泡在含有硫代乙酰胺、及聚乙烯吡咯烷酮的水溶液中，硫代乙酰胺TAA与聚乙烯吡咯烷酮PVP的摩尔比为PVP：TAA=（0.01-0.06）:（3-5），进行第二次水热反应，得到花球状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极材料；第二次水热反应的反应温度为100~160℃，反应时间为5~10h，反应填充比控制在20~80%。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，具体步骤包括：
1）将泡沫镍浸入丙酮溶液中超声清洗5~20min，然后转移至2~4mol/L的盐酸中进行超声清洗5~20min，最后分别用乙醇与超纯水交替冲洗2~3次，再在25~35℃下真空干燥10~14h；
2）配制前驱体溶液，该前驱体溶液中包含浓度为0.05~0.2mol/L的六水合氯化镍、浓度为0.0125~0.1mol/L的氯化钒、浓度为0.01~0.1mol/L的氟化铵、及浓度为0.125~0.35mol/L的尿素的水溶液，在室温下磁力搅拌20~40min得到澄清溶液A；将澄清溶液A和步骤1）处理好的泡沫镍转入高温高压水热釜中，然后在90~150℃下反应6~18h，其中反应填充比应该控制在20~80%；水热反应结束，将反应釜自然冷却到室温，然后将反应后冷却的泡沫镍取出，经过3次水洗和3次醇交替清洗后收集产物，并在25~35℃下，真空干燥3~5h；
3）将硫代乙酰胺TAA和聚乙烯吡咯烷酮PVP加入到20~40ml的超纯水中，搅拌均匀，得到混合溶液B；此时PVP与TAA的摩尔比（0.01-0.06）:（3-5）；然后将步骤2）干燥后的泡沫镍和混合溶液B一起转移到高温高压水热釜中，然后在100~160℃下反应5~10h，其中反应填充比应该控制在20~80%。
CN201811156335.7A 2018-09-30 2018-09-30 一种花球状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极材料及其制备方法 Active CN109280938B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811156335.7A CN109280938B (zh) 2018-09-30 2018-09-30 一种花球状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极材料及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811156335.7A CN109280938B (zh) 2018-09-30 2018-09-30 一种花球状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极材料及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109280938A CN109280938A (zh) 2019-01-29
CN109280938B true CN109280938B (zh) 2021-02-05

Family

ID=65182128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811156335.7A Active CN109280938B (zh) 2018-09-30 2018-09-30 一种花球状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极材料及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109280938B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110518235B (zh) * 2019-07-15 2022-11-04 广东工业大学 一种自支撑二硫化三镍电极及其制备方法和应用
CN110629243B (zh) * 2019-08-30 2021-06-01 电子科技大学 一种桑葚状NiS/Ni复合纳米颗粒及其制备方法和应用
CN111996543B (zh) * 2020-09-02 2023-05-02 陕西科技大学 一种钒掺杂的硒化镍异质结自支撑电极及其制备方法和应用
CN113802139B (zh) * 2021-09-13 2023-03-24 陕西科技大学 一种核壳结构的硫化镍基电催化材料及其制备方法和应用
CN113652711A (zh) * 2021-09-13 2021-11-16 陕西科技大学 一种V-FeS/IF电催化材料及其制备方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104201380B (zh) * 2014-08-19 2017-02-15 北京科技大学 一种具有片层结构的纳米Ni3S2材料的制备方法
CN106158419A (zh) * 2016-07-27 2016-11-23 河南师范大学 硫化钴镍/泡沫镍超级电容器电极的制备方法
CN106430306B (zh) * 2016-08-30 2018-04-06 南开大学 一种二硫化钒微纳结构材料的制备方法
CN106587179B (zh) * 2017-01-04 2018-06-29 安阳师范学院 空心椭球形镍锰二元硫化物的制备方法
CN107086132B (zh) * 2017-04-26 2019-07-19 安徽师范大学 花状五氧化二钒/二硫化三镍纳米片及其制备方法和应用
CN108101123B (zh) * 2017-12-27 2019-10-18 同济大学 正四棱柱钒酸镍纳米材料及其制备方法
CN108325539B (zh) * 2018-03-15 2020-06-09 陕西科技大学 一种棒状自组装成花球状的钒修饰的Ni3S2电催化剂的合成方法
CN108423717B (zh) * 2018-03-20 2020-06-09 陕西科技大学 一种自组装Ni3S2纳米片的合成方法
CN108550829B (zh) * 2018-05-10 2020-12-25 中南大学 一种具有玫瑰状二硫化钒/碳量子点复合材料及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN109280938A (zh) 2019-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109280938B (zh) 一种花球状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极材料及其制备方法
CN109225270B (zh) 一种Ni3S2@NiV-LDH异质结构双功能电催化剂、制备方法及用途
CN107337190B (zh) 一种纳米花状的长在泡沫镍上的磷酸钴镍的制备方法
CN108325539B (zh) 一种棒状自组装成花球状的钒修饰的Ni3S2电催化剂的合成方法
CN109267089B (zh) 一种纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极及其制备方法
CN109371419B (zh) 一种短棒自组装成树枝状的V掺杂的Ni3S2/NF电极材料及其制备方法
CN106373785A (zh) 一种基于在碳布上生长的钴酸镍@二氧化锰核壳异质结构纳米线阵列、制备方法及其应用
CN108597892B (zh) 一种纳米多孔铜负载形貌可控铜基氧化物复合材料及其制备方法及应用
CN104795245A (zh) 一种线状镍钴氧化物@镍钴硫化物异质结构复合材料，其制备方法以及用途
CN110911174A (zh) 一种NiCo-LDH纳米材料的制备方法及其应用
CN111847514B (zh) 金属相二硫化钼、自支撑电极、制备方法、应用
CN109277110B (zh) 一种不规则球状的V掺杂的Ni3S2/NF析氧电催化剂及其制备方法
CN107324408A (zh) 一种Ni3S2微米棒阵列的合成方法
CN104465117B (zh) 一种钴酸锌@二氧化锰核壳异质结构纳米管阵列材料、制备方法及其应用
CN103482671B (zh) 一种均匀沉淀法制备Sm(OH)3 纳米晶的方法
CN104282446A (zh) 一种钴酸镍@钼酸镍核壳结构纳米材料、制备方法及其应用
CN109301204B (zh) 一种空心球结构硫化锡/氧化锡锂离子电池负极材料的制备方法
CN113832478B (zh) 一种三维异质结构的大电流析氧反应电催化剂的制备方法
CN111036247B (zh) 一种钴铁氧化物-磷酸钴电催化析氧复合材料及其制备方法和应用
CN110965076A (zh) 一种双功能三维分层核壳结构电解水电极的制备方法
CN109201083A (zh) 一种纳米花状二硫化钒/羟基氧化钒双功能复合电催化剂及其制备方法
CN110624540A (zh) 新型钌基自支撑电催化材料及其制备方法和在电催化氮气还原产氨中的应用
CN112786865A (zh) 一种MoS2准量子点/氮硫共掺杂生物质碳复合纳米材料的制备方法和应用
CN113428890A (zh) 一种多级结构CuS中空球、制备方法及其应用
CN110853933B (zh) 一种基于碳布原位合成三氧化钨/五氧化二钒复合电极材料及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant