CN109196075A - 用于有机光电装置的化合物、用于有机光电装置的组合物、有机光电装置及显示设备 - Google Patents

用于有机光电装置的化合物、用于有机光电装置的组合物、有机光电装置及显示设备 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种由化学式1表示的用于有机光电装置的化合物、一种用于有机光电装置的组合物、一种使用其的有机光电装置以及一种显示设备。化学式1的详情如说明书中所定义。

Description

用于有机光电装置的化合物、用于有机光电装置的组合物、有 机光电装置及显示设备
技术领域
公开了一种用于有机光电装置的化合物、一种用于有机光电装置的组合物、一种有机光电装置以及一种显示设备。
背景技术
有机光电装置是将电能转换成光能且反之亦然的装置。
有机光电装置可根据其驱动原理分类如下。一种为光电式装置，其中由光能产生激子，分离成电子及空穴且转移至不同电极以产生电能，以及另一种为发光装置，其中将电压或电流供应至电极以由电能产生光能。
有机光电装置可例如包括有机光电装置、有机发光二极管、有机太阳电池、有机感光鼓(organic photo conductor drum)等。
其中，有机发光二极管(OLED)近来已由于对平板显示器的需求增加而引起关注。有机发光二极管为通过施加电流至有机发光材料而将电能转换成光的装置，且具有其中在阳极与阴极之间设置有机层的结构。在本文中，有机层可包括发光层及任选的辅助层，且辅助层可为例如选自空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层以及空穴阻挡层的至少一个层。
有机发光二极管的性能可受有机层的特性影响，且其中可主要受有机层的有机材料的特性影响。
具体而言，需要开发一种能够增加空穴及电子迁移率且同时增加电化学稳定性的有机材料，以使得有机发光二极管可应用于大尺寸的平板显示器。
发明内容
本发明一个实施方式提供一种用于有机光电装置的化合物，所述化合物能够实现具有高效率及长寿命的有机光电装置。
本发明另一实施方式提供一种包含所述用于有机光电装置的化合物的用于有机光电装置的组合物。
本发明再一实施方式提供一种包含所述化合物的有机光电装置。
本发明又一实施方式提供一种包括所述有机光电装置的显示设备。
根据一个实施方式，提供一种由化学式1表示的用于有机光电装置的化合物。
[化学式1]
在化学式1中，
X1至X3独立地为N或CRa，
X1至X3中的至少一个为N，
Y为O或S，
Ar1为被取代或未被取代的C6至C30芳基，
Ra及R1至R12独立地为氢、氘、被取代或未被取代的C1至C20烷基、被取代或未被取代的C6至C30芳基、或它们的组合，且
L1与L2独立地为单键、或者被取代或未被取代的C6至C30亚芳基，且
a与b独立地为介于1至3范围内的整数。
根据另一实施方式，一种有机光电装置包括面向彼此的阳极和阴极以及至少一个设置于所述阳极与所述阴极之间的有机层，其中所述有机层包含用于所述有机光电装置的化合物或所述用于有机光电装置的组合物。
根据又一实施方式，一种显示设备包括所述有机光电装置。
可实现一种具有高效率及长寿命的有机光电装置。
附图说明
图1和图2为示出根据实施方式的有机发光二极管的剖视图。
<符号说明>
100、200：有机发光二极管
105：有机层
110：阴极
120：阳极
130：发光层
140：空穴辅助层
具体实施方式
在下文中，详细阐述本发明的实施方式。然而，该些实施方式为示范性的且本发明并非仅限于此，且本发明由权利要求的范围界定。
在本说明书中，当不另外提供定义时，“被取代”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、卤素、羟基、胺基、被取代或未被取代的C1至C30胺基、硝基、被取代或未被取代的C1至C40硅烷基、C1至C30烷基、C1至C10烷基硅烷基、C6至C30芳基硅烷基、C3至C30环烷基、C3至C30杂环烷基、C6至C30芳基、C2至C30杂芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基、氰基、或它们的组合替换。
在本发明的实施例中，“被取代”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、C1至C30烷基、C1至C10烷基硅烷基、C6至C30芳基硅烷基、C3至C30环烷基、C3至C30杂环烷基、C6至C30芳基、或C2至C30杂芳基替换。另外，在本发明的具体实施例中，“被取代”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、C1至C20烷基、C6至C30芳基、或C2至C30杂芳基替换。在本发明的具体实施例中，“被取代”是指至少一个氢被氘、C1至C20烷基、C6至C30芳基、被取代或未被取代的吡啶基、被取代或未被取代的喹啉基、被取代或未被取代的异喹啉基、被取代或未被取代的二苯并呋喃基、或者被取代或未被取代的二苯并噻吩基替换。
在本说明书中，当不另外提供定义时，“杂”是指在一个官能基中包含选自N、O、S、P及Si的1至3个杂原子且其余为碳。
在本说明书中，当不另外提供定义时，“烷基”是指脂肪族烃基。烷基可为无任何双键或三键的“饱和烷基”。
烷基可为C1至C30烷基。更具体而言，烷基可为C1至C20烷基或C1至C10烷基。举例而言，C1至C4烷基可在烷基链中具有1至4个碳原子，且可选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基及叔丁基。
烷基的具体实例可为甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基等。
在本说明书中，“芳基”是指包含至少一个烃芳香族部分的基团，且烃芳香族部分的所有元素具有形成共轭的p轨道，例如苯基、萘基等，二或更多个烃芳香族部分可通过σ键连接，且可为例如联苯基、三联苯基、四联苯基等，且二或更多个烃芳香族部分直接或间接稠合以提供非芳香族稠环。举例而言，其可为芴基。
芳基可包含单环、多环或稠环多环(即，共享相邻碳原子对的环)官能基团。
在本说明书中，“杂环基”为杂芳基的通用概念，且可包含至少一个选自N、O、S、P及Si的杂原子代替环状化合物(例如芳基、环烷基、其稠环或它们的组合)中的碳(C)。当杂环基为稠环时，杂环基的整个环或每个环可包含一或多个杂原子。
举例而言，“杂芳基”可指包含选自N、O、S、P及Si的至少一个杂原子的芳基。二或更多个杂芳基通过σ键直接连接，或当杂芳基包含二或更多个环时，所述二或更多个环可稠合。当杂芳基为稠环时，每个环可包含1至3个杂原子。
杂环基的具体实例可为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基等。
更具体而言，被取代或未被取代的C6至C30芳基及/或被取代或未被取代的C2至C30杂环基可为被取代或未被取代的苯基、被取代或未被取代的萘基、被取代或未被取代的蒽基、被取代或未被取代的菲基、被取代或未被取代的稠四苯基(naphthacenyl group)、被取代或未被取代的芘基、被取代或未被取代的联苯基、被取代或未被取代的对三联苯基、被取代或未被取代的间三联苯基、被取代或未被取代的邻三联苯基、被取代或未被取代的基、被取代或未被取代的三亚苯基、被取代或未被取代的苝基、被取代或未被取代的芴基、被取代或未被取代的茚基、被取代或未被取代的呋喃基、被取代或未被取代的噻吩基、被取代或未被取代的吡咯基、被取代或未被取代的吡唑基、被取代或未被取代的咪唑基、被取代或未被取代的三唑基、被取代或未被取代的恶唑基、被取代或未被取代的噻唑基、被取代或未被取代的恶二唑基、被取代或未被取代的噻二唑基、被取代或未被取代的吡啶基、被取代或未被取代的嘧啶基、被取代或未被取代的吡嗪基、被取代或未被取代的三嗪基、被取代或未被取代的苯并呋喃基、被取代或未被取代的苯并噻吩基、被取代或未被取代的苯并咪唑基、被取代或未被取代的吲哚基、被取代或未被取代的喹啉基、被取代或未被取代的异喹啉基、被取代或未被取代的喹唑啉基、被取代或未被取代的喹恶啉基、被取代或未被取代的萘啶基、被取代或未被取代的苯并恶嗪基、被取代或未被取代的苯并噻嗪基、被取代或未被取代的吖啶基、被取代或未被取代的啡嗪基、被取代或未被取代的啡噻嗪基、被取代或未被取代的啡恶嗪基、被取代或未被取代的二苯并呋喃基、或者被取代或未被取代的二苯并噻吩基、或它们的组合，但不限于此。
在本说明书中，单键是指不通过碳或除碳以外的杂原子的直接键连，且具体而言L为单键的含义是指与L连接的取代基与中心核心直接键连。也就是说，在本说明书中，单键并非是指经由碳而被键连的亚甲基。
在本说明书中，空穴特性是指当施加电场时贡献出电子以形成空穴的能力，且在阳极中形成的空穴可由于根据最高占用分子轨道(HOMO)能阶的传导特性而易于注入发光层中且在发光层中传输。
此外，电子特性是指当施加电场时接受电子的能力，且在阴极中形成的电子可由于根据最低未占用分子轨道(LUMO)能阶的传导特性而易于注入发光层且在发光层中传输。
在下文中，阐述根据一个实施方式的一种用于有机光电装置的化合物(以下又称为用于有机光电装置的第一化合物)。
根据实施例的用于有机光电装置的化合物由化学式1表示。
[化学式1]
在化学式1中，
X1至X3独立地为N或CRa，
X1至X3中的至少一个为N，
Y为O或S，
Ar1为被取代或未被取代的C6至C30芳基，
Ra及R1至R12独立地为氢、氘、被取代或未被取代的C1至C20烷基、被取代或未被取代的C6至C30芳基、或它们的组合，
L1与L2独立地为单键、或者被取代或未被取代的C6至C30亚芳基，且
a与b独立地为介于1至3范围内的整数。
根据一个实施方式，由化学式1表示的用于有机光电装置的化合物主要包含被咔唑基取代的咔唑，且具有以下结构：包含至少一个氮的杂环基在二苯并呋喃或二苯并噻吩的第3号位置处进行连接。
根据实施例的含氮杂环基与二苯并呋喃或二苯并噻吩直接连接而无需连接基，且在二苯并呋喃或二苯并噻吩的第3号位置处进行连接，且因此具有当对LUMO轨道施加电场时LUMO轨道在结构上扩张的易于接受电子的结构。因此，可降低通过施加用于有机光电装置的化合物而制造的有机光电装置的驱动电压。
另外，根据一个实施方式的用于有机光电装置的化合物包含在具有大的三重态能量及电化学稳定性的二苯并呋喃或二苯并噻吩的第3号位置处所连接的含氮杂环，并包含咔唑，因此具有吸电子基(EWG)及推电子基(EDG)两者，在整个分子上显示出双极特性，且在空穴与电子之间具有高结合力，并且因此可施加至传输层及空穴注入层且用作有机光电装置的发光层中的主体。
因此，当使用本发明的由化学式1表示的化合物作为有机发光二极管的空穴注入层、空穴传输层或发光层的材料时，可提高有机发光二极管的效率及寿命。
在化学式1中，较佳地，X1至X3中的至少两个为N，且更佳地，所有X1至X3均为N。
根据示例性实施方式的一种用于有机光电装置的化合物可由化学式1-1至化学式1-3表示：
[化学式1-1]
[化学式1-2]
[化学式1-3]
在化学式1-1至化学式1-3中，
X1至X3独立地为N或CRa，
X1至X3中的至少一个为N，
Ar1为被取代或未被取代的C6至C30芳基，
Y为O或S，
Ra及R1至R12独立地为氢、氘、被取代或未被取代的C1至C20烷基、被取代或未被取代的C6至C30芳基、或它们的组合，
L1与L2独立地为单键、或者被取代或未被取代的C6至C18亚芳基，且
a与b独立地为介于1至3范围内的整数。
在一个实施例中，化学式1-1至化学式1-3的所有X1至X3均可为N。
在一个实施例中，化学式1-1至化学式1-3的X1及X3可为N，且X2可为CH。
在一个实施例中，化学式1-1至化学式1-3的X1及X2可为N，且X3可为CH。
在一个实施例中，化学式1-1至化学式1-3的X2及X3可为N，且X1可为CH。
在一个实施例中，化学式1-1至化学式1-3的X1可为N，且X2及X3可为CH。
在一个实施例中，化学式1-1至化学式1-3的X2可为N，且X1及X3可为CH。
在一个实施例中，化学式1-1至化学式1-3的X3可为N，且X1及X2可为CH。
在一个实施例中，化学式1-1至化学式1-3的Ar1可为苯基、萘基、联苯基、三苯基或芴基。
在一个实施例中，化学式1-1至化学式1-3的L1及L2可为单键。
在一个实施例中，化学式1-1至化学式1-3的L1可为单键，L2为亚苯基，或者L2可为单键且L1可为亚苯基。
在一个实施例中，化学式1-1至化学式1-3的L1及L2可为亚苯基。
如在化学式1-1至化学式1-3中所示，当含氮杂环基包含在二苯并呋喃基或二苯并噻吩基的第3号位置处所直接连接而无需连接基的取代基时，可获得通过施加所述化合物而制造的有机发光二极管的驱动电压降低而所述有机发光二极管的寿命增加的最佳效果，这是因为将LUMO电子云定位于一个平面上并使所述电子云扩张的效果被最大化。然而，当含氮杂环基未在二苯并呋喃或二苯并噻吩的第3号位置处连接而是在二苯并呋喃或二苯并噻吩的其他位置处连接、或者经由亚芳连接基等与二苯并呋喃或二苯并噻吩连接时，可使通过LUMO电子云的扩张而降低驱动电压的效果降低。
在化学式1中，Ar1为被取代或未被取代的C6至C30芳基。
化学式1的被取代或未被取代的C6至C30芳基可为例如被取代或未被取代的苯基、被取代或未被取代的萘基、被取代或未被取代的蒽基、被取代或未被取代的菲基、被取代或未被取代的稠四苯基、被取代或未被取代的芘基、被取代或未被取代的联苯基、被取代或未被取代的三联苯基、被取代或未被取代的四联苯基、被取代或未被取代的基、被取代或未被取代的三亚苯基、被取代或未被取代的苝基、及被取代或未被取代的芴基，例如为苯基、1-萘基、2-萘基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基、邻三联苯基、间三联苯基或对三联苯基。
具体而言，化学式1的Ar1可为被取代或未被取代的C6至C30芳基，较佳为被取代或未被取代的C6至C18芳基，且更佳为被取代或未被取代的C6至C12芳基。举例而言，根据实施例的Ar1可为被取代或未被取代的苯基、被取代或未被取代的联苯基、被取代或未被取代的萘基、被取代或未被取代的对三联苯基、被取代或未被取代的间三联苯基、被取代或未被取代的邻三联苯基、被取代或未被取代的蒽基、被取代或未被取代的菲基、被取代或未被取代的三亚苯基、或者被取代或未被取代的芴基，例如为苯基、萘基、联苯基或三联苯基。
更具体而言，在本发明的示例性实施方式中，Ar1可为苯基、对联苯基、间联苯基、亚对三联苯基、亚间三联苯基、亚邻三联苯基等，但并非仅限于此。
本文中，在Ar1的被取代的芳基中，“被取代”是指至少一个氢被氘、C1至C20烷基或C6至C30芳基替换。举例而言，“被取代”是指至少一个氢被氘、C1至C10烷基、或C6至C18芳基替换，例如至少一个氢被氘、C1至C4烷基、或C6至C12芳基替换。
化学式1的L1及L2作为连接基可独立地为单键、或者被取代或未被取代的C6至C30亚芳基，且较佳为单键或者被取代或未被取代的C6至C18亚芳基。举例而言，根据实施例的连接基、L1及L2可独立地为单键、被取代或未被取代的亚苯基、被取代或未被取代的亚联苯基、被取代或未被取代的亚萘基、被取代或未被取代的亚对三联苯基、被取代或未被取代的亚间三联苯基、被取代或未被取代的亚邻三联苯基、被取代或未被取代的亚蒽基、被取代或未被取代的亚菲基、被取代或未被取代的亚三亚苯基、或者被取代或未被取代的亚芴基。
更具体而言，在本发明的示例性实施方式中，L1与L2可独立地为单键、苯基、对联苯基、间联苯基等，但并非仅限于此。
在本发明的示例性实施方式中，化学式1的Ar1可为苯基、萘基、联苯基、三联苯基或芴基，且L1与L2可独立地为单键、苯基或联苯基，且可例如由化学式1-a至化学式1-d表示。
[化学式1-a]
[化学式1-b]
[化学式1-c]
[化学式1-d]
在化学式1-a至化学式1-d中，
X1至X3独立地为N或CRa，
X1至X3中的至少一个为N，
Y为O或S，
n1、n2、m及k独立地为介于0至2范围内的整数，
Ra及R1至R14独立地为氢、氘、被取代或未被取代的C1至C10烷基、被取代或未被取代的C6至C18芳基、或它们的组合，且
相邻基即R13与R14相连接以形成被取代或未被取代的芳香族单环式或多环式环。
在一个实施例中，化学式1-a及化学式1-b的相邻基即R13与R14相连接以形成萘基、蒽基、菲基、三亚苯基或芴基。
在一个实施例中，化学式1-b及化学式1-d的m可为1，且k可为0。
在一个实施例中，化学式1-b及化学式1-d的m可为2，且k可为0。
在一个实施例中，化学式1-a至化学式1-d的n1与n2可独立地为0或1。
在一个实施例中，化学式1-a至化学式1-d的所有n1与n2均可独立地为0。化学式1的R1至R12可独立地为氢、氘、被取代或未被取代的C1至C20烷基、被取代或未被取代的C6至C30芳基、或它们的组合，较佳为氢、氘、未被取代的C1至C10烷基、被取代或未被取代的C6至C18芳基、或它们的组合，且更佳为氢、氘、被取代或未被取代的C1至C4烷基、被取代或未被取代的C6至C12芳基、或它们的组合。
具体而言，化学式1的R9至R12可独立地为氢、氘、被取代或未被取代的C1至C10烷基、被取代或未被取代的C6至C18芳基、或它们的组合，且较佳为氢、氘、被取代或未被取代的C1至C4烷基、被取代或未被取代的C6至C12芳基、或它们的组合。举例而言，根据实施例的R9至R12可独立地为氢、氘、甲基、乙基、丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、苯基或它们的组合。
具体而言，化学式1的R1至R4可独立地为氢、氘、被取代或未被取代的C1至C10烷基、被取代或未被取代的C6至C18芳基、或它们的组合，且较佳为氢、氘、被取代或未被取代的C1至C4烷基、被取代或未被取代的C6至C12芳基、或它们的组合。举例而言，根据一个实施方式的R1至R4可独立地为氢、氘、甲基、苯基或它们的组合。
具体而言，化学式1的R5至R8可独立地为氢、氘、被取代或未被取代的C1至C10烷基、被取代或未被取代的C6至C18芳基、或它们的组合，且较佳为氢、氘、被取代或未被取代的C1至C4烷基、被取代或未被取代的C6至C12芳基、或它们的组合。举例而言，根据一个实施方式的R5至R8可独立地为氢、氘、甲基、苯基或它们的组合。
在本发明的一个实施例中，化学式1的R1至R12可独立地为氢。
由化学式1表示的用于有机光电装置的化合物可例如选自组1的化合物，但并非仅限于此。
[组1]
用于有机光电装置的第一化合物可施加至有机光电装置，且可单独或与用于有机光电装置的其他化合物一起施加于有机光电装置中。当用于有机光电装置的化合物与用于有机光电装置的其他化合物一起施加时，所述化合物可以组合物的形式施加。
以下，阐述包含用于有机光电装置的第一化合物的用于有机光电装置的组合物的一个实施例。
根据本发明另一实施方式的用于有机光电装置的组合物包含用于有机光电装置的第一化合物以及由化学式2表示的用于有机光电装置的第二化合物。
[化学式2]
在化学式2中，
L3与L4独立地为单键、被取代或未被取代的C6至C30亚芳基、被取代或未被取代的C2至C30亚杂芳基、或它们的组合，
Ar2与Ar3独立地为被取代或未被取代的C6至C30芳基、被取代或未被取代的C2至C30杂环基、或它们的组合，
R21至R26独立地为氢、氘、被取代或未被取代的C1至C20烷基、被取代或未被取代的C6至C30芳基、被取代或未被取代的C2至C30杂环基、或它们的组合，
l为介于0至2的整数中的一个，且
“被取代”是指至少一个氢被氘、C1至C4烷基、C6至C18芳基、或C2至C30杂芳基替换。
在本发明的示例性实施方式中，化学式2的L3与L4可独立地为单键或者被取代或未被取代的C6至C18亚芳基。
在本发明的示例性实施方式中，化学式2的Ar2与Ar3可独立地为被取代或未被取代的苯基、被取代或未被取代的联苯基、被取代或未被取代的三联苯基、被取代或未被取代的萘基、被取代或未被取代的蒽基、被取代或未被取代的三亚苯基、被取代或未被取代的吡啶基、被取代或未被取代的嘧啶基、被取代或未被取代的喹唑啉基、被取代或未被取代的异喹唑啉基、被取代或未被取代的二苯并噻吩基、被取代或未被取代的二苯并呋喃基、被取代或未被取代的三嗪基、被取代或未被取代的喹啉基、被取代或未被取代的异喹啉基、被取代或未被取代的咔唑基、被取代或未被取代的芴基、或它们的组合。
在本发明的示例性实施方式中，化学式2的Ar2与Ar3可独立地为被取代或未被取代的苯基、被取代或未被取代的联苯基、被取代或未被取代的三联苯基、被取代或未被取代的萘基、被取代或未被取代的蒽基、被取代或未被取代的三亚苯基、被取代或未被取代的吡啶基、被取代或未被取代的喹唑啉基、被取代或未被取代的异喹唑啉基、被取代或未被取代的二苯并噻吩基、被取代或未被取代的二苯并呋喃基、被取代或未被取代的喹啉基、被取代或未被取代的异喹啉基、被取代或未被取代的咔唑基、被取代或未被取代的芴基、或它们的组合。
在本发明的示例性实施方式中，化学式2的Ar2与Ar3可独立地为被取代或未被取代的苯基、被取代或未被取代的联苯基、被取代或未被取代的三联苯基、被取代或未被取代的萘基、被取代或未被取代的蒽基、被取代或未被取代的三亚苯基、被取代或未被取代的芴基、或它们的组合。
在一个实施例中，化学式2的R21至R26可独立地为氢、氘、或者被取代或未被取代的C6至C12芳基，举例而言，化学式2的R21至R26可独立地为氢或氘。
在一个实施例中，化学式2的l可为0或1，且l可例如为0。
在本发明的具体示例性实施方式中，*-L3-Ar2及*-L4-Ar3为组Ⅱ的取代基中的一个，且化学式2为包含组Ⅱ的取代基中的一个与组Ⅰ的结构中的一个键连的化合物。
[组Ⅰ]
[组Ⅱ]
在组Ⅰ及组Ⅱ中，*为连接点。
由化学式2表示的用于有机光电装置的第二化合物可例如选自组2的化合物。
[组2]
第一主体化合物与第二主体化合物可以各种方式加以组合以制备各种组合物。
根据本发明示例性实施方式的组合物包含由化学式1-1或化学式1-2表示的化合物作为第一主体，且包含以下化合物作为第二主体：其中化学式2中的L3与L4独立地为单键、被取代或未被取代的C6至C30亚芳基；Ar2与Ar3独立地为被取代或未被取代的C6至C30芳基；R21至R26独立地为氢、氘、被取代或未被取代的C1至C20烷基、被取代或未被取代的C6至C30芳基；且l为0。
根据本发明示例性实施方式的组合物可包含由化学式1-1或化学式1-2表示的化合物作为第一主体，且包含由组2的化学式E-31、化学式E-99、化学式E-129及化学式E-140中的一个表示的化合物作为第二主体。
用于有机光电装置的第二化合物与用于有机光电装置的第一化合物一起用于发光层中，且会提高电荷迁移率及稳定性，并可由此改善发光效率及寿命特性。另外，可对用于有机光电装置的第二化合物与用于有机光电装置的第一化合物的比率进行调整，且由此可控制电荷迁移率。
举例而言，可包含重量比为约1:9至9:1、具体而言重量比为2:8至8:2、3:7至7:3、4:6至6:4、或5:5的用于有机光电装置的第一化合物及用于有机光电装置的第二化合物，且举例而言，可包含为3:7的用于有机光电装置的第一化合物及用于有机光电装置的第二化合物。另外，可使用重量比为1:1至1:4、1:1至1:3或1:1至4:6的用于有机光电装置的第一化合物及用于有机光电装置的第二化合物。
在所述范围内，可同时提高效率及寿命。
所述组合物除用于有机光电装置的第一化合物及用于有机光电装置的第二化合物之外可进一步包含一种或多种有机化合物。
用于有机光电装置的化合物可进一步包含掺杂剂。掺杂剂可为红色掺杂剂、绿色掺杂剂或蓝色掺杂剂。
掺杂剂以少量混合以引起光发射，且可一般为通过多次激发至三重态或多于三重态而发光的材料，例如金属络合物。掺杂剂可为例如无机化合物、有机化合物或有机/无机化合物，且可使用一种或多种。
掺杂剂可为例如磷光掺杂剂，且磷光掺杂剂的实例可为包含Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd或它们的组合的有机金属化合物。磷光掺杂剂可为例如由化学式Z表示的化合物，但不限于此。
[化学式Z]
L2MX
在化学式Z中，M为金属，且L与X为相同或不同的，且为与M形成络合化合物的配位体。
M可为例如Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd或它们的组合，且L及X可为例如双齿配位体。
以下，阐述一种包含用于有机光电装置的化合物或用于有机光电装置的组合物的有机光电装置。
根据另一实施方式的有机光电装置包括面向彼此的阳极及阴极以及设置于阳极与阴极之间的至少一个有机层，其中所述有机层包含所述用于有机光电装置的化合物或所述用于有机光电装置的组合物。
举例而言，所述有机层可包括发光层，且所述发光层可包含本发明的所述用于有机光电装置的化合物或所述用于有机光电装置的组合物。
具体而言，可包含所述用于有机光电装置的化合物或所述用于有机光电装置的组合物作为所述发光层的主体(例如绿色主体)。
另外，所述有机层可包括发光层及至少一个辅助层，所述至少一个辅助层选自空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层及空穴阻挡层，且所述辅助层可包含所述用于有机光电装置的化合物或所述用于有机光电装置的组合物。
所述辅助层可进一步包括相邻于所述发光层的电子传输辅助层，且所述电子传输辅助层可包含所述用于有机光电装置的化合物或所述用于有机光电装置的组合物。
在本发明的示例性实施例中，电子传输辅助层中所包含的用于有机光电装置的化合物可由化学式1-Ⅰ、化学式1-a或化学式1-c表示。
所述有机光电装置可为将电能转换成光能并且反之亦然的任何装置，但并无特别限制，并且可为例如有机光电式装置、有机发光二极管、有机太阳电池及有机感光鼓。
在本文中，参考图式阐述作为有机光电装置的一个实例的有机发光二极管。
图1及图2为根据一个实施方式的有机发光二极管的剖视图。
参考图1，根据一个实施方式的有机发光二极管100包括阳极120及阴极110以及设置于阳极120与阴极110之间的有机层105。
阳极120可由具有大功函数的导体制成以有助于空穴注入，且可例如由金属、金属氧化物及/或导电聚合物制成。阳极120可为，举例而言，金属，例如镍、铂、钒、铬、铜、锌、金等或其合金；金属氧化物，例如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等；金属与氧化物的组合，例如ZnO与Al或SnO2与Sb；导电聚合物，例如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧)噻吩](PEDT)、聚吡咯及聚苯胺，但并不仅限于此。
阴极110可由具有小功函数的导体制成以有助于电子注入，且可例如由金属、金属氧化物及/或导电聚合物制成。阴极110可为，举例而言，金属或其合金，例如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡、铅、铯、钡等；多层式结构材料，例如LiF/Al、LiO2/Al、LiF/Ca、LiF/Al及BaF2/Ca，但并不仅限于此。
有机层105包括发光层130，发光层130包含用于有机光电装置的化合物或用于有机光电装置的组合物。
图2为示出根据另一实施方式的有机发光二极管的剖视图。
参考图2，有机发光二极管200除发光层130之外还包括空穴辅助层140。空穴辅助层140可在阳极120与发光层130之间进一步增加空穴注入及/或空穴迁移率且阻挡电子。空穴辅助层140可为例如空穴传输层、空穴注入层及/或电子阻挡层，且可包括至少一个层。
尽管未示出，但图1或图2所示有机层105可进一步包括电子注入层、电子传输层、电子传输辅助层、空穴传输层、空穴传输辅助层、空穴注入层或它们的组合。在该些有机层中可包含本发明的用于有机光电装置的化合物或用于有机光电装置的组合物。有机发光二极管100及有机发光二极管200可通过以下方式来制造：在基板上形成阳极或阴极；利用例如真空沉积方法(蒸发)、溅镀、等离子电镀及离子电镀等干膜形成方法或者例如旋涂、浸渍及流涂等湿式涂布方法形成有机层；以及在有机层上形成阴极或阳极。
有机发光二极管可应用于有机发光二极管显示器。
以下，参考实施例更详细地说明实施方式。然而，该些实施例在任何意义上均不应解释为限制本发明的范围。
以下，实施例及合成例中所用的起始材料及反应物只要不存在特别注释，则购自西格玛-奥德里奇有限公司(Sigma-Aldrich Co.Ltd.)、钧锐化学有限公司(ApichemicalCo.Ltd.)或锑希爱有限公司(TCI Inc.)，或者是通过已知方法而合成。
(用于有机光电装置的化合物的制备)
通过以下步骤合成了作为本发明一个具体实例的化合物。
(用于有机光电装置的第一化合物)
合成例1：化合物[1]的合成
[反应流程1]
第一步骤：中间物A的合成
在氮气环境下将2,4-二氯-6-苯基-1,3,5-三嗪(50.55克，223.59毫摩尔)及二苯并呋喃-3-基硼酸(40.3克，190.06毫摩尔)溶解在了2升圆底烧瓶中的900毫升四氢呋喃中，向其中添加了四(三苯基膦)钯(12.9克，11.18毫摩尔)，且对所述混合物进行了搅拌。向其中添加了碳酸钾(61.8克，447.19毫摩尔)饱和水溶液，且在80℃下将所获得的混合物加热并回流了12小时。当反应完成之后，对有机层进行了分离，用无水MgSO4进行了处理以移除水分，进行了过滤，并在减压下进行了浓缩。使用二氯甲烷及己烷对所获得的残余物进行了结晶化以获得35.3克(44％)中间物A。
第二步骤：中间物B的合成
向1升圆底烧瓶中的240毫升N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中添加了3-溴咔唑(7.4克，29.96毫摩尔)，对所述混合物进行了搅拌，且向其中缓慢添加了氢化钠(60％，矿油，2.4克，59.92毫摩尔)。在30分钟之后，向其中缓慢添加了中间物A(12.6克，35.25毫摩尔)且将所获得的混合物搅拌了12小时。将反应产物倒入了水中，且对其中生成的固体进行了过滤。使用二氯苯及甲醇对所获得的残余物进行了凝固以获得17克(85％)中间物B。
第三步骤：化合物[1]的合成
将中间物B(16.5克，29.06毫摩尔)、咔唑(5.8克，34.88毫摩尔)及第三丁醇钠(5.6克，58.13毫摩尔)溶解在了50毫升二甲苯中，且向其中滴加了钯(二苯亚甲基丙酮)(0.836克，1.45毫摩尔)及叔丁基膦(1.41克，2.91毫摩尔，50％的甲苯混合物)。在120℃下在氮气流下对反应溶液进行了加热及搅拌。当反应完成之后，向反应产物中倒入了甲醇，且对其中生成的固体进行了过滤并又溶解在了二氯苯中，向其中添加了活性炭及无水硫酸镁，对所获得的混合物进行了搅拌，进行了过滤，并使用二氯苯及甲醇进行了再结晶以获得16克(84％)化合物[1]。
液相色谱(LC)质量(理论值：653.73克/摩尔，量测值：M+H+＝654.22克/摩尔)
合成例2：化合物[40]的合成
[反应流程2]
第一步骤：中间物C的合成
根据与中间物A的合成方法相同的方法使用2,4-二氯-6-苯基-1,3,5-三嗪(42.3克，187.24毫摩尔)及苯并噻吩-3-基硼酸(36.3克，159.15毫摩尔)获得了30克(43％)中间物C。
第二步骤：中间物D的合成
根据与中间物B的合成方法相同的方法使用3-溴咔唑(7.17克，29.13毫摩尔)及中间物C(12.8克，34.28毫摩尔)获得了16克(80％)中间物D。
第三步骤：化合物[40]的合成
根据与化合物[1]的合成方法相同的方法使用中间物D(14.8克，25.38毫摩尔)及咔唑(5.1克，30.46毫摩尔)获得了13克(76％)化合物[40]。
液相色谱质量(理论值：669.79克/摩尔，量测值：M+H+＝670.20克/摩尔)
合成例3：化合物[2]的合成
[反应流程3]
第一步骤：中间物E的合成
根据与化合物[1]的合成方法相同的方法使用2-溴咔唑(7.4克，29.96毫摩尔)及中间物A(12.61克，35.25毫摩尔)获得了17克(85％)中间物E。
第二步骤：化合物[2]的合成
根据与化合物[1]的合成方法相同的方法使用中间物E(14.756克，26毫摩尔)及咔唑(5.22克，31.21毫摩尔)获得了14克(82％)化合物[2]。
液相色谱质量(理论值：653.73克/摩尔，量测值：M+H+＝654.22克/摩尔)
合成例4：化合物[41]的合成
[反应流程4]
第一步骤：中间物F的合成
根据与中间物B的合成方法相同的方法使用2-溴咔唑(7.2克，29.13毫摩尔)及中间物C(12.81克，34.28毫摩尔)获得了16克(80％)中间物F。
第二步骤：化合物[41]的合成
根据与化合物[1]的合成方法相同的方法使用中间物F(13.9克，23.9毫摩尔)及咔唑(4.8克，28.67毫摩尔)获得了13克(81％)化合物[41]。
液相色谱质量(理论值：669.79克/摩尔，量测值：M+H+＝670.20克/摩尔)
比较合成例1：比较化合物1
[反应流程5]
根据与化合物[1]的合成方法相同的方法合成了比较化合物1。
液相色谱质量(理论值：563.65克/摩尔，量测值：M+H+＝564.21克/摩尔)
(有机发光二极管的制造：发光层装置1)
实施例1
使用在合成例1中获得的化合物[1]作为主体且使用Ir(PPy)3作为掺杂剂制造了有机发光二极管。
关于阳极，使用了1000埃厚的氧化铟锡，且关于阴极，使用了1000埃厚的铝。具体而言，说明一种制造有机发光二极管的方法，通过以下方式制造出阳极：将薄片电阻为15Ω/cm2的氧化铟锡玻璃基板切割成50毫米×50毫米×0.7毫米的大小，分别对其在丙酮、异丙醇及纯水每一个中进行了15分钟超音波清洗，且对其进行了30分钟紫外线臭氧清洗。
在基板上，通过在650×10-7帕的真空度下以0.1纳米/秒至0.3纳米/秒的沉积速率对N4,N4'-二(萘-1-基)-N4,N4'-二苯基联苯基-4,4'-二胺(NPB)(80纳米)进行沉积而形成了800埃厚的空穴传输层。随后，在相同的真空沉积条件下使用合成例1的化合物[1]形成了300埃厚的发光层，且同时沉积了磷光掺杂剂Ir(PPy)3。本文中，基于100重量％的发光层的总重量通过对沉积速率进行调整而将磷光掺杂剂沉积为7重量％。
在发光层上，通过在相同的真空沉积条件下对双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(苯基苯酚)铝(BAlq)进行沉积而形成了50埃厚的空穴阻挡层。随后，通过在相同的真空沉积条件下对Alq3进行沉积而形成了200埃厚的电子传输层。在电子传输层上，通过依序沉积LiF及Al而形成了阴极，以制造有机发光二极管。
有机发光二极管的结构为ITO/NPB(80纳米)/EML(化合物[1](93重量％)+Ir(PPy)3(7重量％)，30纳米)/Balq(5纳米)/Alq3(20纳米))/LiF(1纳米)/Al(100纳米)。
实施例2及实施例3
除了分别使用合成例2的化合物[40]及合成例3的化合物[2]替代了合成例1的化合物[1]以外，根据与实施例1相同的方法制造了根据实施例2及实施例3的每一有机发光二极管。
比较例1及比较例2
除了分别使用比较合成例1的比较化合物1及4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP，CAS号58328-31-7)替代了合成例1的化合物[1]以外，根据与实施例1相同的方法制造了根据比较例1及比较例2的每一有机发光二极管。
评估1：有机发光二极管的特性评估
对根据实施例1至实施例3以及比较例1及比较例2的每一有机发光二极管的视电压而定的电流密度变化、亮度变化及发光效率进行了量测，且结果示于表1中。
具体量测方法如下。(1)视电压变化而定的电流密度变化的量测
关于流入单位装置的电流值，使用电流-电压计(吉时利(Keithley)2400)在电压自0伏特增加至10伏特时对所获得的有机发光二极管进行了量测，且所量测的电流值除以面积，从而得到结果。
(2)视电压变化而定的亮度变化的量测
使用亮度计(美能达(Minolta)Cs-1000A)在有机发光二极管的电压自0伏特增加至10伏特时对亮度进行了量测。
(3)发光效率的量测
使用来自项目(1)及项目(2)的亮度、电流密度以及电压(伏特)计算了相同电流密度(10mA/cm2)下的电流效率(cd/A)。
(表1)
参考表1，根据实施例1至实施例3的有机发光二极管相较于根据比较例1及比较例2的有机发光二极管显示出驱动电压及发光效率均提高。原因在于实施例1至实施例3的化合物包含经咔唑基取代的咔唑且亦包含位于咔唑基的N处且与二苯并呋喃或二苯并噻吩直接连接而无需连接基的三嗪，且因此随着LUMO电子云的扩张而降低了驱动电压。
(有机发光二极管的制造：发光层装置2)
通过已知方法合成了用于有机光电装置的第二化合物E-31、E-99、E-129及E-140。
实施例4
用蒸馏水洗涤了涂布有成为1500埃厚的薄膜的氧化铟锡(ITO)的玻璃基板。在用蒸馏水洗涤之后，用例如异丙醇、丙酮、甲醇等溶剂对玻璃基板进行了超音波洗涤并进行了干燥，随后移至等离子清洗器，使用氧等离子清洗了10分钟，并移至真空沉积器。使用获得的此种氧化铟锡透明电极作为阳极，将化合物A真空沉积在了氧化铟锡基板上以形成700埃厚的空穴注入层，将化合物B在所述注入层上沉积至50埃厚，且将化合物C沉积至1020埃厚以形成空穴传输层。通过同时真空沉积合成例1的化合物[1]及化合物E-31作为主体并沉积10重量％的三(2-苯基吡啶)铱(Ⅲ)[Ir(ppy)3]作为掺杂剂，在空穴传输层上形成了400埃厚的发光层。本文中，以5:5的重量比使用了化合物[1]及化合物E-31，且单独阐述了化合物[1]及化合物E-31在以下实施例的比率。
随后，将化合物D及Liq以1:1的比率同时真空沉积在了发光层上以形成300埃厚的电子传输层，且通过依序在电子传输层上将Liq真空沉积至15埃厚以及将Al真空沉积至1200埃厚来形成了阴极，从而制造出有机发光二极管。
有机发光二极管具有如下五层式有机薄层。
ITO/化合物A(700埃)/化合物B(50埃)/化合物C(1,020埃)/EML[化合物[1]:E-31:Ir(ppy)3＝27重量％:63重量％:10重量％](400埃)/化合物D:Liq(300埃)/Liq(15埃)/Al(1,200埃)。
化合物A：N4,N4'-二苯基-N4,N4'-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯基-4,4'-二胺
化合物B：1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯基-六甲腈(HAT-CN)，
化合物C：N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-茀-2-胺
化合物D：8-(4-(4,6-二(萘-2-基)-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)喹啉
实施例5至实施例14以及比较例3至比较例6
根据与实施例4相同的方法如表2所示分别使用第一主体及第二主体制造了根据实施例5至实施例14以及比较例3至比较例6的有机发光二极管。
评估2：有机发光二极管的特性评估
对根据实施例4至实施例14以及比较例3至比较例6的每一有机发光二极管的发光效率及寿命特性进行了评估，且结果示于表2中。
具体量测方法如下。
(1)视电压变化而定的电流密度变化的量测
关于流入单位装置的电流值，使用电流-电压计(吉时利(Keithley)2400)在电压自0伏特增加至10伏特时对所获得的有机发光二极管进行了量测，且所量测的电流值除以面积，从而得到结果。
(2)视电压变化而定的亮度变化的量测
使用亮度计(美能达(Minolta)Cs-1000A)在有机发光二极管的电压自0伏特增加至10伏特时对亮度进行了量测。
(3)发光效率的量测
通过使用来自项目(1)及项目(2)的亮度、电流密度以及电压(伏特)计算了相同电流密度(10毫安/平方公分)下的电流效率(cd/A)。
(4)寿命的量测
通过在亮度(cd/m2)维持在6000坎德拉/平方米时，对直至电流效率(cd/A)降低至97％时所花费的时间进行量测而获得了寿命。
(表2)
参考表2，根据实施例4至实施例14的有机发光二极管相较于根据比较例3至比较例6的有机发光二极管，显示出了发光效率及寿命特性大幅提高。如上所述，原因在于实施例4至实施例14中所用的化合物包含在二苯并呋喃或二苯并噻吩的第3号位置处与含氮杂环基直接连接而无需连接基的取代基，且因此具有当施加电场时LUMO电子云扩张的易于接受电子的结构，并且因此驱动电压得以降低。
具体而言，使用CBP化合物作为第一主体化合物的比较例3以及使用第二主体化合物的比较例4及比较例5相较于根据本发明示例性实施例的有机发光二极管，显示出了高驱动电压及显着低的发光效率及寿命。另外，当使用根据本发明示例性实施例的第一主体及第二主体时，相较于根据比较例6的使用相同第二主体、但使用不具有经含氮杂环基直接取代的二苯并呋喃或二苯并噻吩的比较化合物1作为第一主体的有机发光二极管，根据实施例4至实施例14的有机发光二极管显示出了寿命最多增大4倍。
虽然本发明已结合目前视为实用的示例性实施例加以阐述，但应理解本发明不限于所公开的实施例，而是相反地旨在涵盖包含在随附权利要求范围的精神及范围内的各种修改及等效配置。因此，应理解上述实施例为示范性的，而不以任何方式限制本发明。

Claims (14)

1.一种用于有机光电装置的化合物，由化学式1表示：
[化学式1]
其中，在化学式1中，
X1至X3独立地为N或CRa，
X1至X3中的至少一个为N，
Y为O或S，
Ar1为被取代或未被取代的C6至C30芳基，
Ra及R1至R12独立地为氢、氘、被取代或未被取代的C1至C20烷基、被取代或未被取代的C6至C30芳基、或它们的组合，
L1与L2独立地为单键、或者被取代或未被取代的C6至C30亚芳基，且
a与b独立地为介于1至3范围内的整数。
2.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的化合物，所述用于有机光电装置的化合物由化学式1-1至化学式1-3表示：
[化学式1-1]
[化学式1-2]
[化学式1-3]
其中，在化学式1-1至化学式1-3中，
X1至X3独立地为N或CRa，
X1至X3中的至少一个为N，
Ar1为被取代或未被取代的C6至C30芳基，
Y为O或S，
Ra及R1至R12独立地为氢、氘、被取代或未被取代的C1至C20烷基、被取代或未被取代的C6至C30芳基、或它们的组合，
L1与L2独立地为单键、或者被取代或未被取代的C6至C18亚芳基，且
a与b独立地为介于1至3范围内的整数。
3.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的化合物，所述用于有机光电装置的化合物由化学式1-a或化学式1-b表示：
[化学式1-a]
[化学式1-b]
[化学式1-c]
[化学式1-d]
其中，在化学式1-a至化学式1-d中，
X1至X3独立地为N或CRa，
X1至X3中的至少一个为N，
Y为O或S，
n1、n2、m及k独立地为介于0至2范围内的整数，
Ra及R1至R14独立地为氢、氘、被取代或未被取代的C1至C10烷基、被取代或未被取代的C6至C18芳基、或它们的组合，且
R13与R14独立地存在或彼此连接以形成被取代或未被取代的芳香族单环式或多环式环。
4.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的化合物，其中Ar1为被取代或未被取代的苯基、被取代或未被取代的联苯基、被取代或未被取代的萘基、被取代或未被取代的对三联苯基、被取代或未被取代的间三联苯基、被取代或未被取代的邻三联苯基、被取代或未被取代的蒽基、被取代或未被取代的菲基、被取代或未被取代的三亚苯基、或者被取代或未被取代的芴基。
5.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的化合物，其中L1与L2独立地为单键、被取代或未被取代的亚苯基、被取代或未被取代的亚联苯基、被取代或未被取代的亚萘基、被取代或未被取代的亚对三联苯基、被取代或未被取代的亚间三联苯基、被取代或未被取代的亚邻三联苯基、被取代或未被取代的亚蒽基、被取代或未被取代的亚菲基、被取代或未被取代的亚三亚苯基、或者被取代或未被取代的亚芴基。
6.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的化合物，所述用于有机光电装置的化合物选自组1的化合物：
[组1]
7.一种用于有机光电装置的组合物，包含
第一化合物，所述第一化合物为权利要求1所述的用于有机光电装置的化合物；以及
用于有机光电装置的第二化合物，由化学式2表示：
[化学式2]
其中，在化学式2中，
L3与L4独立地为单键、被取代或未被取代的C6至C30亚芳基、被取代或未被取代的C2至C30亚杂芳基、或它们的组合，
Ar2与Ar3独立地为被取代或未被取代的C6至C30芳基、被取代或未被取代的C2至C30杂环基、或它们的组合，
R21至R26独立地为氢、氘、被取代或未被取代的C1至C20烷基、被取代或未被取代的C6至C30芳基、被取代或未被取代的C2至C30杂环基、或它们的组合，
l为介于0至2范围内的整数，且
所述“被取代”是指至少一个氢被氘、C1至C4烷基、C6至C18芳基、或C2至C30杂芳基替换。
8.根据权利要求7所述的用于有机光电装置的组合物，其中化学式2的Ar2与Ar3独立地为被取代或未被取代的苯基、被取代或未被取代的联苯基、被取代或未被取代的三联苯基、被取代或未被取代的萘基、被取代或未被取代的蒽基、被取代或未被取代的三亚苯基、被取代或未被取代的吡啶基、被取代或未被取代的嘧啶基、被取代或未被取代的三嗪基、被取代或未被取代的喹啉基、被取代或未被取代的异喹啉基、被取代或未被取代的喹唑啉基、被取代或未被取代的异喹唑啉基、被取代或未被取代的二苯并噻吩基、被取代或未被取代的二苯并呋喃基、被取代或未被取代的咔唑基、被取代或未被取代的芴基、或它们的组合。
9.根据权利要求7所述的用于有机光电装置的组合物，其中化学式2的*-L3-Ar2及*-L4-Ar3中的每一个为组Ⅱ的取代基中的一个，且
所述用于有机光电装置的第二化合物为包含与组Ⅰ的结构中的一个键连的组Ⅱ的取代基中的一个的化合物：
[组Ⅰ]
[组Ⅱ]
其中，在组Ⅰ及组Ⅱ中，*为连接点。
10.一种有机光电装置，包括
面向彼此的阳极及阴极，以及
至少一个有机层，设置于所述阳极与所述阴极之间，
其中所述有机层包含如权利要求1至6中任一项所述的用于有机光电装置的化合物；或
如权利要求7至9中任一项所述的用于有机光电装置的组合物。
11.根据权利要求10所述的有机光电装置，其中所述有机层包括发光层，且
所述发光层包含所述用于有机光电装置的化合物或所述用于有机光电装置的组合物。
12.根据权利要求11所述的有机光电装置，其中包含所述用于有机光电装置的化合物或所述用于有机光电装置的组合物作为所述发光层的主体。
13.根据权利要求11所述的有机光电装置，其中所述有机层包括选自以下的至少一个辅助层：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层及空穴阻挡层，且
所述辅助层还包括相邻于所述发光层的电子传输辅助层，且
所述电子传输辅助层包含所述用于有机光电装置的化合物或所述用于有机光电装置的组合物。
14.一种显示设备，包括如权利要求10所述的有机光电装置。
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