CN109151346B - 图像传感器和包括在图像传感器中的电子电路 - Google Patents

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Abstract

公开了一种电子电路。电子电路包括像素单元、第一钳位电路和第二钳位电路。像素单元输出具有输出电压电平的电压，所述输出电压电平在第一时间间隔中是第一输出电压电平并且在与所述第一时间间隔不同的第二时间间隔中是第二输出电压电平。第一钳位电路被配置为响应于在所述第一时间间隔中第一输出电压电平不大于第一电压电平，将来自所述像素单元的输出电压电平钳位到所述第一电压电平。第二钳位电路被配置为响应于在所述第二时间间隔中第二输出电压电平不大于第二电压电平，将来自所述像素单元的输出电压电平钳位到所述第二电压电平。

Description

图像传感器和包括在图像传感器中的电子电路
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年6月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0081847的优先权，其全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本文公开的发明构思的实施例涉及电子电路，并且更具体地涉及图像传感器。
背景技术
图像传感器可以包括用于感测光的电子电路。图像传感器用于电子设备(例如相机、扫描仪和/或智能电话)中。图像传感器可以包括电荷耦合器件(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)。CMOS图像传感器用于智能手机相机的需求日益增加。
CMOS图像传感器可以包括用CMOS晶体管实现的单元像素。CMOS图像传感器可以使用包括在单元像素中的光电二极管来感测光。光电二极管吸收光能，从而生成电子空穴对(EHP)。包括在像素中的晶体管将由光电二极管生成的电荷转换为电压信号。CMOS图像传感器通过使用在单元像素中生成的电压信号来获得与单元像素感测的光能量有关的信息。
由于CMOS图像传感器的单元像素是使用精细工艺制造的，因此可能会出现由于耦合引起的噪声。诸如水平噪声(SHBN)之类的拖光(smear)是CMOS图像传感器中出现的噪声。由于相邻像素之间的耦合，SHBN意味着与固定水平图案相对应的噪声。例如，在图像传感器在低照度环境下感测明亮光源的情况下，可以输出包括固定的带状图案的图像。
发明内容
本发明构思的实施例提供了一种用于减小耦合噪声的图像传感器以及一种用于配置图像传感器的电子电路。
根据本发明构思的一些实施例，电子电路可以包括像素单元、第一钳位电路和第二钳位电路。像素单元可以输出具有输出电压电平的电压，所述输出电压电平在第一时间间隔中是第一输出电压电平并且在与所述第一时间间隔不同的第二时间间隔中是第二输出电压电平。第一钳位电路可以响应于在所述第一时间间隔中第一输出电压电平不大于第一电压电平，将来自所述像素单元的输出电压电平钳位到所述第一电压电平。第二钳位电路可以响应于在所述第二时间间隔中第二输出电压电平不大于第二电压电平，将来自所述像素单元的输出电压电平钳位到所述第二电压电平。
应注意的是，相对于一个实施例描述的本发明构思的各方面可以并入不同的实施例中，尽管没有关于此进行具体描述。也就是说，能够用任意方式和/或组合来组合所有实施例和/或任意实施例的特征。在下面阐述的说明书中详细描述了本发明构思的这些和其他方面。
附图说明
通过参考以下附图的以下描述，上述和其他目的和特征将变得显而易见，其中，除非另有说明，否则相似的附图标记在各个附图中指代相似的部件，并且在附图中：
图1是示出了根据本发明构思的实施例的图像传感器的电路图；
图2是示出了由图1的图像传感器输出和输入的电压以及斜坡电压的示例的时序图；
图3是示出了根据本发明构思的实施例的图像传感器的电路图；
图4是示出了根据本发明构思的实施例的图像传感器的电路图；
图5是示出了由图4的图像传感器输出和输入的电压以及斜坡电压的示例的时序图；
图6是示出了由图4的图像传感器输出和输入的电压以及斜坡电压的示例的时序图；
图7是示出了根据本发明构思的实施例的图像传感器的电路图；
图8是示出了由图7的图像传感器输出和输入的电压以及斜坡电压的示例的时序图；
图9是示出了根据本发明构思的实施例的图像传感器的电路图；
图10是示出了由图9的图像传感器输出和输入的电压以及斜坡电压的示例的时序图；
图11是示出了根据本发明构思的实施例的图像传感器的框图；
图12是示出了根据本发明构思的实施例的图像传感器的电路图；
图13是示出了由图12的图像传感器输出和输入的电压以及斜坡电压的示例的时序图；
图14是示出了根据本发明构思的实施例的图像传感器的框图；以及
图15是示出了根据本发明构思的实施例的包括图14的图像传感器的电子设备的框图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图描述本发明构思的示例实施例。
本说明书中使用术语“钳位”。术语“钳位”可以意指调整，维持和/或控制从电子电路等输出的输出电压的电平，以具有与参考电平类似的电平。在本说明书中使用术语“钳位电路”。术语“钳位电路”可以表示被配置为执行钳位的电子电路。在本说明书中使用术语“码值”。术语“码值”是与特定模拟信息相对应的数字值，并且可以包括通过量化模拟信号而获得的值。
本发明构思的一些实施例可以源自以下认识：与单元像素相关联的晶体管电路可以共享公共偏置电压线，并且用于各个像素的输出电压线可以非常接近于公共偏置电压线。因此，一个像素的输出电压的转变可以影响偏置电压线上携带的电压，这进而可能影响与另一像素对应的输出线上的输出电压。该不希望的耦合在显示器上可以表现为噪声。本发明构思的一些实施例可以提供一个或多个钳位电路，当输出电压电平由于前述耦合效应而将降低到限定电平以下时，所述一个或多个钳位电路将单元像素的输出电压钳位到限定电平。
图1是示出了根据本发明构思的实施例的图像传感器的电路图。
参照图1，图像传感器100可以包括单元像素110、电流源Io以及一个或多个模数转换器(ADC)。以下，将参照图1描述包括ADC 120的图像传感器100。单元像素110可以包括光电二极管PD和一个或多个CMOS晶体管。以下，将参照图1描述包括四个CMOS晶体管的单元像素110。然而，本发明构思不限于此，并且通常可以包括包括一个或多个CMOS晶体管的单元像素实施例。在图1的示例中，单元像素110可以包括转移晶体管TG、复位晶体管RG、缓冲晶体管SF和选择晶体管SL。
复位晶体管RG可以通过其栅极端子接收复位电压V1。复位晶体管RG可以响应于复位电压V1而接通或关断。转移晶体管TG可以通过其栅极端子接收转移电压V2。转移晶体管TG可以响应于转移电压V2而接通或关断。选择晶体管SL可以通过其栅极端子接收选择电压V3。选择晶体管SL可以响应于选择电压V3而接通或关断。
例如，复位电压V1、转移电压V2和选择电压V3可以从电压发生器接收。复位电压V1、转移电压V2和选择电压V3的电平可以由电压发生器控制。根据本发明构思的各种实施例，电压发生器可以设置在图像传感器100的内部或外部。
光电二极管PD的一端可以连接到驱动电压。例如，驱动电压可以是接地电压或其他参考电压。以下，将参照图1描述驱动电压是地电压的示例，但是本发明构思的实施例不限于此。光电二极管PD的对端可以连接到转移晶体管TG的一端。转移晶体管TG可以将光电二极管PD与浮置扩散节点FD连接。
复位晶体管RG可以通过其一个端子接收第一偏置电压VPIX。例如，第一偏置电压VPIX可以通过用于第一偏置电压VPIX的线被从电压发生器发送到复位晶体管RG。第一偏置电压VPIX的电平可以由电压发生器等控制。复位晶体管RG的对端可以连接到浮置扩散节点FD。
缓冲晶体管SF的栅极端子可以连接到浮置扩散节点FD。缓冲晶体管SF可以通过其一个端子从电压发生器接收第一偏置电压VPIX。缓冲晶体管SF的对端可以连接到选择晶体管SL。选择晶体管SL可以连接缓冲晶体管SF和输出端子Nout。电流源Io可以将输出端子Nout与接地端子连接。电流源Io可以限制流过缓冲晶体管SF和选择晶体管SL的电流。例如，从单元像素110输出的电流的电平可以与从电流源Io输出的电流的电平相同。
在图1的示例中，根据本发明构思的一些实施例描述了接收第一偏置电压VPIX的复位晶体管RG和缓冲晶体管SF。在本发明构思的其他实施例中，本发明构思的复位晶体管RG和缓冲晶体管SF可以分别接收不同的偏置电压。
光电二极管PD可以响应于光而输出电荷。随着光强度变大，光电二极管PD输出的电荷量可以增加。光电二极管PD输出的电荷可以由转移晶体管TG传送到浮置扩散节点FD。由于从光电二极管PD传送的电荷，浮置扩散节点FD的电压电平可以降低。缓冲晶体管SF可以输出与浮置扩散节点FD的电压相对应的电压V4。响应于选择电压V3，选择晶体管SL可以将与电压V4相对应的输出电压Vout输出到输出端子Nout。因此，单元像素110可以输出与输入光的强度相对应的输出电压Vout。
复位晶体管RG可以响应于复位电压V1将浮置扩散节点FD的电压调节为恒定电压。缓冲晶体管SF可以输出与恒定电压相对应的电压V4。选择晶体管SL可以响应于选择电压V3，将与电压V4相对应的输出电压Vout输出到输出端子Nout。因此，输出电压Vout可以由复位晶体管RG调整为参考电压。
输出电压Vout可以被输出到ADC 120。斜坡电压发生器(未示出)可以输出斜坡电压。ADC 120可以从斜坡电压发生器接收斜坡电压。时钟信号发生器(未示出)可以输出时钟信号。斜坡电压发生器可以从时钟信号发生器接收时钟信号。接收到的时钟信号可以包括脉冲。斜坡电压发生器可以响应于时钟信号中包括的脉冲而输出斜坡电压。斜坡电压发生器和时钟信号发生器可以设置在图像传感器100的内部或外部。
ADC 120可以响应于接收到的斜坡电压和输出电压Vout而对时钟信号中包括的脉冲进行计数。ADC 120可以基于斜坡电压和输出电压Vout输出单元像素110的码值。也就是说，ADC 120可以输出与输出电压Vout对应的码值。
图2是示出了根据本发明构思的实施例的由图1的图像传感器输出和输入的电压以及斜坡电压的示例的时序图。如参考图1所述，斜坡电压发生器可以输出图2的斜坡电压Vramp。斜坡电压Vramp的电平可以由斜坡电压发生器控制。
如参照图1所述，图1所示的转移晶体管TG的栅极端子可以接收图2的转移电压V2。而且，图1的单元像素110可以输出图2的输出电压Vout。
第一间隔TV1和第二间隔TV2可以与斜坡电压Vramp的曲线图所表示的斜率值相关联。第一间隔TV1和第二间隔TV2中的每一个可以包括斜坡电压Vramp随时间以基本上恒定的比率变化的间隔。例如，第一间隔TV1和第二间隔TV2可以包括斜坡电压Vramp随时间以基本上恒定的比率减小的间隔。第一间隔TV1和第二间隔TV2可以彼此不同。第一间隔TV1可以在第二间隔TV2之前到达。在图2的示例中，第一间隔TV1可以包括时间点t2与时间点t4之间的间隔。第二间隔TV2可以包括时间点t6和时间点t8之间的间隔。
在时间点t1之前，复位晶体管RG可以响应于通过其栅极端子接收的复位电压V1而在特定时间间隔期间接通。在时间点t1之前，输出电压Vout的电平可以通过复位晶体管RG调整到Vc。
在时间点“0”和时间点t1之间，转移电压V2的电平可以是“0”。在时间点“0”和时间点t1之间，斜坡电压Vramp的电平可以是Vc，并且输出电压Vout的电平可以是Vo2。在时间点“0”和时间点t1之间，转移晶体管TG可以响应于转移电压V2而关断。
在时间点t1，斜坡电压Vramp的电平可以由斜坡电压发生器从Vc增加到Vb。在时间点t1和时间点t2之间，转移电压V2的电平为“0”，斜坡电压Vramp的电平可以为Vb，并且输出电压Vout的电平可以为Vo2。
在第一间隔TV1中，可以基于斜坡电压Vramp和输出电压Vout输出码值。在第一间隔TV1中，斜坡电压Vramp的电平可以由斜坡电压发生器随着时间以基本上恒定的比率降低。在第一间隔TV1中，斜坡电压Vramp的电平可以从Vb降低到Vd。如参考图1所描述的，ADC120可以对第一间隔TV1中包括的时钟信号中的脉冲进行计数。一个计数脉冲可以对应于一个最低有效位(LSB)。在图2的示例中，在时间点t2和时间点t3之间计数的脉冲可以对应于“P”。
在时间点t4，斜坡电压Vramp的电平可以由斜坡电压发生器从Vd增加到Vb。在时间点t4，转移电压V2的电平可以由电压发生器从“0”增加到Va。通过电压发生器，在从时间点t4开始的“ts”秒期间，转移电压V2可以是Va。因此，转移晶体管TG可以响应于通过其栅极端子接收到的转移电压V2而在“ts”秒期间接通。如参照图1所述，转移晶体管TG可以将由光电二极管PD生成的电荷传送到浮置扩散节点FD。因此，转移晶体管TG可以在从时间点t4开始的时间“ts”期间将由光电二极管PD生成的电荷传送到浮置扩散节点FD。
如参照图1所述，单元像素110可以输出与浮置扩散节点FD的电压电平相对应的输出电压Vout。通过转移晶体管TG传输的电荷，浮置扩散节点FD的电压电平可以降低。随着浮置扩散节点FD的电压电平降低，输出电压Vout的电平可以在时间点t5从Vo2降低到Vo1。
在第二间隔TV2中，可以基于斜坡电压Vramp和输出电压Vout输出码值。在第二间隔TV2中，通过斜坡电压发生器斜坡电压Vramp的电平可以随时间以恒定的比率降低。在第二间隔TV2中，斜坡电压Vramp的电平可以从Vb降低到Ve。如参照图1所描述的，ADC 120可以对第二间隔TV2中包括的时钟信号中的脉冲进行计数。一个计数脉冲可以对应于一个最低有效位(LSB)。在图2的示例中，在时间点t6和时间点t7之间计数的脉冲可以对应于“R”。
ADC 120可以计算“P”和“R”之间的差值。在图2的示例中，由ADC 120计算的差值可以是“Q”。由ADC 120计算的差值可以对应于单元像素110的码值。码值可以对应于光电二极管PD感测的光的强度。计算出的码值可以随着光电二极管PD感测的光的强度变大而变大。
如上参考图2所述，“Q”可以随着ADC 120计数的脉冲的数目在第二间隔TV2中增加而变大。时间点t6和时间点t7之间的间隔可以随着“Q”变大而增加。第二间隔TV2中计数的脉冲的数目可以随着时间点t6和时间点t7之间的间隔增加而增加。
第二间隔TV2可以随着表示第二间隔TV2中的斜坡电压Vramp的曲线图的斜率值变小而变长。第二间隔TV2中计数的脉冲的数目可以随着第二间隔TV2变长而增加。表示第一间隔TV1和第二间隔TV2中的斜坡电压Vramp的曲线图的斜率值可以对应于模拟增益。
图3是示出了根据本发明构思的实施例的图像传感器的电路图。
参考图3，图像传感器100_1可以包括一个或多个单元像素。在图3的示例中，图像传感器100_1可以包括第一像素110_1和第二像素110_2。第一像素110_1和第二像素110_2的配置与图1的单元像素110的配置类似，因此省略其描述。
光电二极管PD可以响应于光而生成电荷。由光电二极管PD生成的电荷可以通过转移晶体管TG1传送到浮置扩散节点FD1。浮置扩散节点FD1的电压电平可以由于通过转移晶体管TG1传送的电荷而降低。缓冲晶体管SF1可以输出与浮置扩散节点FD1的电压相对应的电压V4。选择晶体管SL1可以响应于选择电压V3_1输出输出电压Vout1。在图3的示例中，第一像素110_1的输出电压Vout1的电平可以在特定时间点减小。如在参照图2给出的描述中，ADC 120可以基于减小的输出电压Vout1来计算码值。
参考图3，用于第一偏置电压VPIX的线和用于输出电压Vout1的线可以彼此相邻放置。用于第一偏置电压VPIX的线与用于输出电压Vout1的线的接近可以引起耦合。因此，第一偏置电压VPIX可以随着输出电压Vout1减小而减小。
参考图3，用于第一偏置电压VPIX的线和用于输出电压Vout2的线可以彼此相邻放置。用于第一偏置电压VPIX的线与用于输出电压Vout2的线的接近可以引起耦合。因此，输出电压Vout2的电平可以随着第一偏置电压VPIX的电平减小而减小。
也就是说，输出电压Vout2的电平可以基于第一像素110_1的操作而不仅仅基于第二像素110_2的操作而减小。如在参照图2给出的描述中，ADC 120可以基于减小的输出电压Vout2来计算码值。
在图3的示例中，可以基于变化的输出电压Vout2来计算码值，而不管第二像素110_2的操作如何。ADC 120可以基于由于耦合噪声而变化的输出电压Vout2来计算异常码值。在下面的描述中，异常码值可以表示基于具有噪声分量的输出电压Vout计算的码值。例如，噪声分量可以包括具有基于耦合的电平的电压分量。备选地，噪声分量可以包括基于通过转移晶体管TG溢出到浮置扩散节点FD的电荷而输出的电压分量(参考图6)。显示器可以基于异常码值输出包括拖光状水平噪声(SHBN)的图像。
可以在与用于第一偏置电压VPIX的线相邻或接近的输出电压线之间发生耦合。因此，从连接到用于第一偏置电压VPIX的线的单元像素输出的输出电压的电平可以取决于输出电压Voutl的波动而变化。码值可以根据基于耦合而变化的输出电压来计算。因此，连接到用于第一偏置电压VPIX的线的单元像素可以生成受耦合噪声影响的输出电压。因此，显示器可以基于从连接到用于第一偏置电压VPIX的线的单元像素输出的输出电压来输出包括SHBN的图像(参考图15)。
由于耦合，输出电压Vout2的电平可以随着输出电压Vout1的电平变化很大而变化很大。因此，随着输出电压Vout1的电平可以变化很大，可以在第二像素110_2中出现更多的耦合噪声。因为第二像素110_2可以受更多耦合噪声的影响，所以显示器可以输出包括更多SHBN的图像(参见图15)。
图4是示出了根据本发明构思的实施例的图像传感器的电路图。图4的图像传感器200可以包括单元像素210、ADC 220和电压发生器230。图4的ADC 220的操作和配置类似于图1和图2的ADC 120的操作和配置，因此省略其描述。与图1的单元像素110相比，图4的单元像素210还可以包括第一钳位电路211。
参照图4，第一钳位电路211可以包括信号钳位电平晶体管SCLP_LV和信号钳位选择晶体管SCLP_SL。
信号钳位电平晶体管SCLP_LV可以通过其栅极端子从电压发生器230接收信号钳位电平电压Vslv。根据本发明构思的一些实施例，可以预先设置信号钳位电平电压Vslv的电平。信号钳位电平晶体管SCLP_LV可以通过其一个端子接收第二偏置电压VDDP。信号钳位电平晶体管SCLP_LV可以从电压发生器等接收第二偏置电压VDDP。第二偏置电压VDDP的电平可以由电压发生器等控制。信号钳位电平晶体管SCLP_LV的对端子可以连接到信号钳位选择晶体管SCLP_SL的一个端子。
信号钳位选择晶体管SCLP_SL可以通过其栅极端子接收信号钳位选择电压Vssl。例如，信号钳位选择晶体管SCLP_SL可以从电压发生器等接收信号钳位选择电压Vssl。信号钳位选择电压Vssl的电平可以由电压发生器等控制。信号钳位选择晶体管SCLP_SL可以响应于信号钳位选择电压Vssl和输出电压Vout而接通或关断。信号钳位选择晶体管SCLP_SL的对端子可以连接到输出端子Nout。
例如，信号钳位选择晶体管SCLP_SL可以具有第一阈值电压。第一阈值电压的电平可以基于信号钳位选择晶体管SCLP_SL的特性来确定。信号钳位选择晶体管SCLP_SL可以基于信号钳位选择电压Vssl的电平和输出电压Vout的电平之间的差值来操作。例如，在信号钳位选择电压Vssl的电平和输出电压Vout的电平之间的差值不小于第一阈值电压的电平的情况下，信号钳位选择晶体管SCLP_SL可以接通。例如，在信号钳位选择电压Vssl的电平和输出电压Vout的电平之间的差值小于第一阈值电压的电平的情况下，信号钳位选择晶体管SCLP_SL可以关断。
通过从输出电压Vout的电平减去第一阈值电压的电平而获得的值可以被定义为第一电压电平。因此，信号钳位选择晶体管SCLP_SL可以基于输出电压Vout的电平是否不大于第一电压电平而操作。例如，在输出电压Vout的电平不大于第一电压电平的情况下，信号钳位选择晶体管SCLP_SL可以接通。在输出电压Vout的电平大于第一电压电平的情况下，信号钳位选择晶体管SCLP_SL可以关断。
信号钳位电平晶体管SCLP_LV可以输出对应于信号钳位电平电压Vslv的电压V5。信号钳位电平电压Vslv可以与第一电压电平相关联。因此，信号钳位电平晶体管SCLP_LV可以输出与第一电压电平相关联的电压V5。在信号钳位选择晶体管SCLP_SL响应于信号钳位选择电压Vssl和输出电压Vout而接通的情况下，信号钳位选择晶体管SCLP_SL可以输出与电压V5相对应的信号钳位输出电压Vso。也就是说，第一钳位电路211可以将与信号钳位电平电压Vslv相对应的信号钳位输出电压Vso输出到输出端子Nout。因此，信号钳位输出电压Vso可以与第一电压电平相关联。
如上所述，第一钳位电路211可以取决于输出电压Vout的电平是否不大于第一电压电平来输出信号钳位输出电压Vso。输出电压Vout可以通过信号钳位输出电压Vso而被钳位到与信号钳位电平电压Vslv的电平相对应的特定电平。例如，特定电平可以是第一电压电平。
除第一钳位电路211之外的单元像素210的配置和操作与图1的单元像素110的配置和操作类似，因此省略其描述。
图5是示出了根据本发明构思的实施例的由图4的图像传感器输出和输入的电压以及斜坡电压的示例的时序图。
图4的转移晶体管TG可以通过其栅极端子接收图5的转移电压V2。图4的单元像素210可以输出图5的输出电压Vout。图4的信号钳位选择晶体管SCLP_SL可以通过其栅极端子接收图5的信号钳位选择电压Vssl。在图5的示例中，转移电压V2的电平和斜坡电压Vramp的电平的变化与参照图2所描述的变化类似，因此省略其描述。如在参照图2给出的描述中那样确定第一间隔TV1和第二间隔TV2，并且因此省略其描述。
在时间点“0”和时间点t2之间，信号钳位选择电压Vssl的电平可以是Vs1。在时间点t2，信号钳位选择电压Vssl的电平可以由电压发生器等增加到Vs2。在时间点t2，图4的信号钳位选择晶体管SCLP_SL可以响应于信号钳位选择电压Vssl而接通。如参照图4所述，输出电压Vout的电平可以由第一钳位电路211钳位到与信号钳位电平电压Vslv相对应的特定电平Vo3。特定电平Vo3可以是图4的第一电压电平。
由虚线表示的曲线图可以是指示图2的输出电压Vout的电平的曲线图。图1的单元像素110可以输出图2的非钳位输出电压Vout。非钳位输出电压Vout的电平可以是Vo1。在图5的示例中，Vo3可以大于Vo1。因此，在输出电压Vout的电平由第一钳位电路211钳位的情况下，时间点t2处的输出电压Vout的电平变化可以较小。如参考图3所述，在输出电压Vout的电平变化较小的情况下，在与单元像素210相邻设置的像素中出现的耦合噪声可以减小。在图3的示例中，在输出电压Vout1的电平变化较小的情况下，单元像素110_2中出现的耦合噪声可能减小。
图6是示出了根据本发明构思的实施例的由图4的图像传感器输出和输入的电压以及斜坡电压的示例的时序图。
在图6的示例中，图4的转移晶体管TG可以通过其栅极端子接收图6的转移电压V2。图4的单元像素210可以输出图6的输出电压Vout。图4的信号钳位选择晶体管SCLP_SL可以通过其栅极端子接收图6的信号钳位选择电压Vssl。在图6的示例中，转移电压V2的电平和斜坡电压Vramp的电平的变化与参照图2所描述的变化类似，因此省略其描述。如在参照图2给出的描述中那样确定第一间隔TV1和第二间隔TV2，并且因此省略其描述。
参考图4和图6，在光电二极管PD接收的光的强度不小于参考值的情况下，光电二极管PD生成的电荷可以通过处于关断状态的转移晶体管TG而溢出到浮置扩散节点FD。因此，在时间点t1之前(即，在图4的转移晶体管TG接通之前)，输出电压Vout的电平可以从Vo2降低到Vo4。
如参照图5所述，在时间点t1，输出电压Vout的电平可以由第一钳位电路211钳位到与信号钳位电平电压Vslv相对应的特定电平Vo3。因此，在时间点t1，输出电压Vout的电平可以从Vo4增加到Vo3。ADC220可以输出与增加的输出电压Vout的电平相对应的码值。与增加的输出电压Vout的电平相对应的码值可以小于与减小的输出电压Vout的电平相对应的码值。因此，基于图6的输出电压Vout计算的码值可以小于基于图5的输出电压Vout计算的码值。
随着计算的码值变小，与所计算的码值相对应的图像的亮度可以变得较暗。从图5和图6的比较可以理解，即使光电二极管PD接收的光的强度增加，所计算的码值也可以减小。也就是说，在光电二极管PD接收的光的强度不小于参考值的情况下，可以计算异常码值。显示器可以基于异常码值输出图像(参见图15)。
图7是示出了根据本发明构思的实施例的图像传感器的电路图。
与图1的单元像素110相比，图7的单元像素310还可以包括第一钳位电路311和第二钳位电路312。第一钳位电路311的配置和操作类似于图4的第一钳位电路211的配置和操作，因此省略其描述。
参考图7，第二钳位电路312可以包括复位钳位电平晶体管RCLP_LV和复位钳位选择晶体管RCLP_SL。
复位钳位电平晶体管RCLP_LV可以通过其栅极端子从电压发生器340接收复位钳位电平电压Vrlv。根据本发明构思的一些实施例，可以预先设置复位钳位电平电压Vrlv的电平。复位钳位电平晶体管RCLP_LV可以通过其一个端子接收第二偏置电压VDDP。例如，复位钳位电平晶体管RCLP_LV可以从电压发生器等接收第二偏置电压VDDP。第二偏置电压VDDP的电平可以由电压发生器等控制。复位钳位电平晶体管RCLP_LV的对端子可以连接到复位钳位选择晶体管RCLP_SL的一个端子。
复位钳位选择晶体管RCLP_SL可以通过其栅极端子接收复位钳位选择电压Vrsl。例如，复位钳位选择电压Vrsl可以从电压发生器等接收。复位钳位选择电压Vrsl的电平可以由电压发生器等控制。复位钳位选择晶体管RCLP_SL可以响应于复位钳位选择电压Vrsl和输出电压Vout而接通或关断。复位钳位选择晶体管RCLP_SL的对端子可以连接到输出端子Nout。
例如，复位钳位选择晶体管RCLP_SL可以具有第二阈值电压。第二阈值电压的电平可以基于复位钳位选择晶体管RCLP_SL的特性来确定。复位钳位选择晶体管RCLP_SL可以基于复位钳位选择电压Vrsl的电平与输出电压Vout的电平之间的差值来操作。例如，在复位钳位选择电压Vrsl的电平和输出电压Vout的电平之间的差值不小于第二阈值电压的电平的情况下，复位钳位选择晶体管RCLP_SL可以接通。在复位钳位选择电压Vrsl的电平与输出电压Vout的电平之间的差值小于第二阈值电压的电平的情况下，复位钳位选择晶体管RCLP_SL可以关断。
通过从输出电压Vout的电平减去第二阈值电压的电平所获得的值可以被定义为第二电压电平。因此，复位钳位选择晶体管RCLP_SL可以基于输出电压Vout的电平是否不大于第二电压电平而操作。例如，在输出电压Vout的电平不大于第二电压电平的情况下，复位钳位选择晶体管RCLP_SL可以接通。在输出电压Vout的电平大于第二电压电平的情况下，复位钳位选择晶体管RCLP_SL可以关断。
复位钳位电平晶体管RCLP_LV可以输出与复位钳位电平电压Vrlv相对应的电压V6。复位钳位电平电压Vrlv可以与第二电压电平相关联。因此，复位钳位电平晶体管RCLP_LV可以输出与第二电压电平相关联的电压V6。在复位钳位选择晶体管RCLP_SL接通的情况下，复位钳位选择晶体管RCLP_SL可以输出与电压V6相对应的复位钳位输出电压Vro。也就是说，第二钳位电路312可以将与复位钳位电平电压Vrlv相对应的复位钳位输出电压Vro输出到输出端子Nout。相应地，复位钳位输出电压Vro可以与第二电压电平相关联。
如上所述，第二钳位电路312可以基于输出电压Vout的电平是否不大于第二电压电平来输出复位钳位输出电压Vro。输出电压Vout的电平可以通过复位钳位输出电压Vro被钳位到特定电平。例如，特定电平可以是第二电压电平。
除了第二钳位电路312之外的单元像素310的配置和操作与图4的单元像素210的配置和操作类似，因此省略其描述。
图8是示出了根据本发明构思的实施例的由图7的图像传感器输出和输入的电压以及斜坡电压的示例的时序图。
在图8的示例中，图7的转移晶体管TG可以通过其栅极端子接收图8的转移电压V2。图7的单元像素310可以输出图8的输出电压Vout。图7的复位钳位选择晶体管RCLP_SL可以通过其栅极端子接收图8的复位钳位选择电压Vrsl。图7的信号钳位选择晶体管SCLP_SL可以通过其栅极端子接收图8的信号钳位选择电压Vssl。在图8的示例中，转移电压V2和斜坡电压Vramp的变化与参照图2所描述的变化类似，因此省略其描述。如在参照图2给出的描述中那样确定第一间隔TV1和第二间隔TV2，并且因此省略其描述。
在时间点“0”和时间点t1之间，复位钳位选择电压Vrsl的电平可以是Vr1。在时间点t1，复位钳位选择电压Vrsl的电平可以通过电压发生器等从Vr1增加到Vr2。复位钳位选择电压Vrsl的电平在时间点t1与时间点t2之间可以为Vr2。在时间点t1和时间点t2之间，响应于复位钳位选择电压Vrsl，图7的复位钳位选择晶体管RCLP_SL可以接通。如参考图7所述，在时间点t1和时间点t2之间，输出电压Vout的电平可以由第二钳位电路312被钳位到特定电平Vo5。特定电平Vo5可以是图7的第二电压电平。在时间点t3和时间点t4之间，输出电压Vout的电平可以由第一钳位电路311被钳位到特定电平Vo3。特定电平Vo3可以是图4的第一电压电平。
在图8的示例中，Vo5可以大于Vo3。由虚线表示的曲线图可以是指示图6的输出电压Vout的电平的曲线图。因此，基于图8的输出电压Vout计算的码值可以大于基于图6的输出电压Vout计算的码值。从图6和图8的比较可以理解，基于图8的输出电压Vout计算的码值可以受噪声影响的影响较小。
图9是示出了根据本发明构思的实施例的图像传感器的电路图。图9的图像传感器400可以包括单元像素410、ADC 420、电压发生器430和440以及多路复用器450。与图1的单元像素110相比，单元像素410还可以包括第三钳位电路411。
参照图9，第三钳位电路411可以包括钳位电平晶体管CLP_LV和钳位选择晶体管CLP_SL。多路复用器450可以包括第一开关S1和第二开关S2。多路复用器450可以使用第一开关S1来控制钳位电平晶体管CLP_LV的栅极端子和电压发生器430之间的连接。多路复用器450可以使用第二开关S2来控制钳位电平晶体管CLP_LV的栅极端子和电压发生器440之间的连接。
在第一开关S1接通或者闭合的情况下，钳位电平晶体管CLP_LV可以通过其栅极端子从电压发生器430接收复位钳位电平电压Vrlv。在第二开关S2接通或者闭合的情况下，钳位电平晶体管CLP_LV可以通过其栅极端子从电压发生器440接收信号钳位电平电压Vslv。根据本发明构思的一些实施例，可以预先设置信号钳位电平电压Vslv的电平和复位钳位电平电压Vrlv的电平。钳位电平晶体管CLP_LV可以通过其一个端子从电压发生器等接收第二偏置电压VDDP。第二偏置电压VDDP的电平可以由电压发生器等控制。钳位电平晶体管CLP_LV的对端子可以连接到钳位选择晶体管CLP_SL的一个端子。
钳位选择晶体管CLP_SL可以通过其栅极端子接收钳位选择电压Vcsl。例如，钳位选择晶体管CLP_SL可以从电压发生器等接收钳位选择电压Vcs1。钳位选择电压Vcs1的电平可以由电压发生器等控制。响应于钳位选择电压Vcs1，钳位选择晶体管CLP_SL可以接通或关断。钳位选择晶体管CLP_SL的对端子可以连接到输出端子Nout。钳位选择晶体管CLP_SL的操作类似于图4的信号钳位选择晶体管SCLP_SL的操作，因此省略其描述。
钳位电平晶体管CLP_LV可以输出与信号钳位电平电压Vslv或复位钳位电平电压Vrlv相对应的电压V5。在钳位选择晶体管CLP_SL接通的情况下，钳位选择晶体管CLP_SL可以输出与电压V5相对应的钳位输出电压Vco。也就是说，第三钳位电路411可以将与信号钳位电平电压Vslv或复位钳位电平电压Vrlv相对应的钳位输出电压Vco输出到输出端子Nout。输出电压Vout的电平可以通过钳位输出电压Vco钳位到特定的电平。
除了第三钳位电路411之外的单元像素410的配置和操作与图1的单元像素110的配置和操作类似，因此省略其描述。
图10是示出了根据本发明构思的实施例的由图9的图像传感器输出和输入的电压以及斜坡电压的示例的时序图。
在图10的示例中，图9的转移晶体管TG可以通过其栅极端子接收图10的转移电压V2。图9的单元像素410可以输出图10的输出电压Vout。图9的钳位选择晶体管CLP_SL可以通过其栅极端子接收图10的钳位选择电压Vcs1。图9的第一开关S1的连接状态可以通过图10的开关信号Switch控制。图9的第二开关S2的连接状态可以通过图10的开关信号Switch控制。多路复用器450可以从应用处理器等接收开关信号Switch。开关信号Switch可以由应用处理器等来控制(参照图15)。在图10的示例中，转移电压V2的变化和斜坡电压Vramp的变化与参照图2所描述的变化类似，因此省略其描述。如在参照图2给出的描述中那样确定第一间隔TV1和第二间隔TV2，因此省略其描述。
在时间点t1之前，钳位选择电压Vcs1的电平可以是Vc1。在时间点t1，电压发生器等可以将钳位选择电压Vcsl的电平从Vc1增加到Vc2。钳位选择电压Vcs1的电平在时间点t1与时间点t4之间可以为Vc2。在时间点t1和时间点t4之间，可以响应于钳位选择电压Vcs1而接通钳位选择晶体管CLP_SL。
第一开关S1可以在时间点t1和时间点t2之间开启或关闭。时间点t1与时间点t2之间的间隔可以包括第一间隔TV1。考虑第一间隔TV1可以确定时间点t1和时间点t2。例如，第一间隔TV1的开始时间点之前的时间点可以被确定为“t1”。而且，第一间隔TV1的结束时间点之后的时间点可以被确定为“t2”。因此，在时间点t1和时间点t2之间，图9的复用器450可以将复位钳位电平电压Vrlv传输到第三钳位电路411。
如参考图9所述，在时间点t1和时间点t2之间，钳位电平晶体管CLP_LV可以通过其栅极端子从电压发生器430接收复位钳位电平电压Vrlv。因此，在时间点t1与时间点t2之间，输出电压Vout的电平可以被钳位至与复位钳位电平电压Vrlv相对应的特定电平Vo5。
第二开关S2可以在时间点t3和时间点t4之间开启或关闭。时间点t3与时间点t4之间的间隔可以包括第二间隔TV2。考虑第二间隔TV2可以确定时间点t3和时间点t4。例如，第二间隔TV2的开始时间点之前的时间点可以被确定为“t3”。而且，第二间隔TV2的结束时间点之后的时间点可以被确定为“t4”。因此，在时间点t3和时间点t4之间，图9的多路复用器450可以将信号钳位电平电压Vslv传送到第三钳位电路411。
如参考图9所述，在时间点t3和时间点t4之间，图9的钳位电平晶体管CLP_LV可以通过其栅极端子从电压发生器440接收信号钳位电平电压Vslv。因此，在时间点t3与时间点t4之间，输出电压Vout的电平可以被钳位到与信号钳位电平电压Vslv相对应的特定电平Vo3。
在图10的示例中，Vo5可以大于Vo3。由虚线表示的曲线图可以是指示图6的输出电压Vout的电平的曲线图。因此，基于图10的输出电压Vout计算的码值可以大于基于图6的输出电压Vout计算的码值。从图6和图10的比较可以理解，基于图10的输出电压Vout计算的码值可以受噪声影响的影响较小。
图11是示出了根据本发明构思的实施例的图像传感器的框图。图11的图像传感器500可以包括第一基板510和第二基板520。第一基板510可以包括像素单元。第二基板520可以包括钳位单元和电流源Io。第一基板510的特定像素单元和第二基板520的与特定像素单元相对应的钳位单元可以构成单元像素(参见图12)。
电流源Io可以限制从像素单元和钳位单元输出的电流的电平。例如，电流源524可以限制从像素单元511和钳位单元521输出的电流的电平。例如，电流源524输出的电流的电平可以是第一电流电平。从像素单元511输出的电流的电平与从钳位单元521输出的电流的电平之和可以是第一电流电平。
第一基板510和第二基板520可以形成堆叠结构。第一基板510和第二基板520中包括的单元像素可以形成像素阵列结构。第一基板510和第二基板520中包括在的单元像素可以是根据本发明构思的各种实施例的图7的单元像素310或图9的单元像素410。
第一基板510可以包括像素单元511。第二基板520可以包括钳位单元521。像素单元511可以包括图1的单元像素110。钳位单元521可以包括图4的第一钳位电路211。备选地，钳位单元521可以包括图7的第一钳位电路311和第二钳位电路312。备选地，钳位单元521可以包括图9的第三钳位电路411。第一基板510中包括的其他像素单元被配置为与像素单元511类似，并且因此省略其描述。第二基板520中包括的其他钳位单元被配置为与钳位单元521类似，并且因此省略其描述。
像素单元511可以位于第一基板510中包括的像素阵列结构的特定行和特定列处。例如，像素单元511可以位于第m行和第n列处(这里，“m”和“n”是自然数)。钳位单元521可以位于第二基板520中包括的像素阵列结构的特定行和特定列处。例如，像素单元521可以位于第m行和第n列。
第一基板510中包括的像素单元之中位于同一行处的像素单元可以连接到用于第一偏置电压VPIX的同一条线。第一基板510中包括的像素单元之中位于同一列处的像素单元可以连接到用于输出电压Vout的同一条线。
第二基板520中包括的钳位单元之中位于同一行处的钳位单元可以连接到用于第二偏置电压VDDP的同一条线。第二基板520中包括的钳位单元之中位于同一列处的钳位单元可以连接到用于输出电压Vout的同一条线。
第一基板510中包括的像素单元之中位于同一行处的像素单元可以从第一偏置电压VPIX的同一条线接收第一偏置电压VPIX。第一偏置电压VPIX可以由电压发生器等控制。第一基板510中包括的像素单元之中位于同一列处的像素单元可以将输出电压Vout输出到用于输出电压Vout的同一条线。第二基板520中包括的钳位单元之中位于同一行处的钳位单元可以从用于第二偏置电压VDDP的同一条线接收第二偏置电压VDDP。第二偏置电压VDDP可以从电压发生器等接收。第二基板520中包括的钳位单元之中的位于同一列处的钳位单元可以将信号钳位输出电压Vso和复位钳位输出电压Vro输出到用于输出电压Vout的同一条线。
用于第一基板510的输出电压Vout的线和用于第二基板520的输出电压Vout的线可以彼此连接。例如，用于连接第一基板510的第n列的输出电压Vout的线和用于第二基板520的第n列的输出电压Vout的线可以彼此连接。例如，第一基板510的第n列中包括的输出端子512可以连接到接地端子523。例如，第一基板510的输出端子513可以连接到第二基板520的输出端子522。因此，像素单元511和钳位单元521可以连接到同一输出端子。
图12是示出了根据本发明构思的实施例的图像传感器的电路图。图12的图像传感器600可以包括像素单元610和钳位单元620。像素单元610和钳位单元620可以构成单元像素。图12的像素单元610可以是图11的像素单元511。图12的钳位单元620可以是图11的钳位单元521。
由像素单元610和钳位单元620组成的单元像素的配置和操作可以类似于图7的单元像素310或图9的单元像素410的配置和操作。钳位单元620可以包括图7的第一钳位电路311和第二钳位电路312。备选地，钳位单元620可以包括图9的第三钳位电路411。以下，将参照图12描述包括图7的第一钳位电路311和第二钳位电路312的图像传感器600。
如在参照图7给出的描述中，钳位单元620可以将信号钳位输出电压Vso或复位钳位输出电压Vro输出到输出端子Nout。为了输出信号钳位输出电压Vso或复位钳位输出电压Vro，钳位单元620可以将电流输出到输出端子Nout。当通过钳位单元620将电流输出到输出端子Nout时，第二偏置电压VDDP的电平可以波动。也就是说，第二偏置电压VDDP的电平可以减小，而同时第二偏置电压VDDP的能量被钳位单元620使用。
电流源Io可以限制像素单元610和钳位单元620输出的电流的电平。例如，从电流源Io输出的电流的电平可以是从像素单元610输出的电流的电平与从钳位单元620输出的电流的电平之和。因此，在通过钳位单元620将电流输出到输出端子Nout的情况下，由像素单元610输出的电流的电平可以降低。
缓冲晶体管SF和选择晶体管SL输出的电流的电平可以随着像素单元610输出的电流的电平减小而减小。第一偏置电压VPIX的电平可以随着缓冲晶体管SF输出的电流的电平减小而波动。也就是说，当像素单元610使用较少的能量时，第一偏置电压VPIX的电平可以增加。
用于第一偏置电压VPIX的线和用于输出电压Vout的线可以位于彼此相邻或接近的位置处。第一偏置电压VPIX的线与用于输出电压Vout的线的接近可以引起导致耦合。因此，输出电压Vout的电平可以取决于第一偏置电压VPIX的电平的波动而波动。在图12的示例中，输出电压Vout的电平可以随着第一偏置电压VPIX的电平增加而增加。
图13是示出了根据本发明构思的实施例的由图12的图像传感器输出和输入的电压以及斜坡电压的示例的时序图。
在图13的示例中，图12的转移晶体管TG可以通过其栅极端子接收图13的转移电压V2。图12的单元像素可以输出图13的输出电压Vout。图12的复位钳位选择晶体管RCLP_SL可以通过其栅极端子接收图13的复位钳位选择电压Vrsl。信号钳位选择晶体管SCLP_SL可以通过其栅极端子接收图13的信号钳位选择电压Vssl。在图13的示例中，转移电压V2和斜坡电压Vramp的变化与参照图2所描述的变化类似，因此省略其描述。如在参照图2给出的描述中那样确定第一间隔TV1和第二间隔TV2，因此省略其描述。
在时间点“0”和时间点t1之间，信号钳位选择电压Vssl的电平可以是Vs1。在时间点t1，电压发生器等可以将信号钳位选择电压Vssl的电平从Vs1增加到Vs2。在时间点t1和时间点t2之间，信号钳位选择电压Vssl的电平可以是Vs2。在时间点t1和时间点t2之间，信号钳位选择晶体管SCLP_SL可以响应于信号钳位选择电压Vssl而接通。当信号钳位选择晶体管SCLP_SL接通时，图12的钳位单元620可以输出与信号钳位电平电压Vslv相对应的信号钳位输出电压Vso。
如参照图12所述，由于信号钳位输出电压Vso由钳位单元620输出，所以用于第一偏置电压VPIX的线、用于第二偏置电压VDDP的线和用于输出电压Vout的线可以引起耦合。由于该耦合，输出电压Vout的电平在时间点t1和时间点t2之间可以增大然后减小。
由虚线表示的图13的曲线图可以指示图8的输出电压Vout。如参照图8和图10所述，在第二间隔TV2中，图8和图10的输出电压Vout的电平可以被钳位到Vo3。在图13的第二间隔TV2中，输出电压Vout的电平可以大于Vo3。因此，基于图13的输出电压Vout计算的码值可以小于基于图8或图10的输出电压Vout计算的码值。
随着计算出的码值变小，基于计算出的码值由显示设备输出的图像的亮度可以变暗。从图13和图8或图10的比较可以理解，即使图7和图9的光电二极管PD接收的光的强度和图12的光电二极管PD接收的光的强度相同，基于输出电压Vout计算的码值也可以减小。即，可以基于图13的输出电压Vout来计算异常码值。显示器可以基于异常码值输出包括SHBN的图像(参见图15)。
图14是示出了根据本发明构思的实施例的图像传感器的框图。图11的图像传感器700可以包括第一基板710和第二基板720。参考图14，第一基板710和第二基板720可以形成堆叠结构。
参照图14，第一基板710可以包括一个或多个单元像素。第一基板710中包括的单元像素可以形成像素阵列结构。第二基板720可以包括电流源Io。
例如，第一基板710可以包括单元像素711。单元像素711可以包括图3的单元像素210、图7的单元像素310和图9的单元像素410中的至少一个、以及图12的像素单元610和钳位单位620。单元像素711可以位于第一基板710中包括的像素阵列的特定行和特定列处。例如，单元像素711可以位于第m行和第n列处(这里，“m”和“n”是自然数)。
电流源Io可以限制从单元像素输出的电流的电平。例如，电流源723可以限制从单元像素711输出的电流的电平。在电流源723输出的电流的电平是第二电流电平的情况下，从像素单元711输出的电流的电平可以是第二电流电平。
第一基板710中包括的单元像素之中位于同一行处的单元像素可以连接到用于第一偏置电压VPIX的线。第一基板710中包括的单元像素之中位于同一列处的单元像素可以连接到用于输出电压Vout的同一条线和用于第二偏置电压VDDP的同一条线。第二基板720中包括的电流源Io可以分别连接到用于输出电压Vout的线。
第一基板710中包括的单元像素之中位于同一行处的单元像素可以从用于第一偏置电压VPIX的同一条线接收第一偏置电压VPIX。第一基板710中包括的单元像素之中位于同一列处的单元像素可以从用于第二偏置电压VDDP的同一条线接收第二偏置电压VDDP。第一基板710中包括的单元像素之中位于同一列处的单元像素可以将输出电压Vout输出到用于输出电压Vout的同一条线。
用于第一基板710的输出电压Vout的线和用于第二基板720的输出电压Vout的线可以彼此连接。例如，用于第一基板710的第n列的输出电压Vout的线和用于第二基板720的第n列的输出电压Vout的线可以彼此连接。第一基板710的输出端子712可以连接到接地端子722。第一基板710的输出端子713可以连接到第二基板720的输出端子721。
例如，用于第m行处的第一偏置电压VPIX的线和用于第n列处的第二偏置电压VDDP的线可以彼此相邻。在第一基板710中，用于第一偏置电压VPIX的线和用于第二偏置电压VDDP的线可以布置成网格形状。因此，第一偏置电压VPIX和第二偏置电压VDDP可用对彼此具有影响。
参考图12和图14，第m行处的第一偏置电压VPIX的线、第n列处的第二偏置电压VDDP的线和第n列处的输出电压Vout的线可以引起耦合。如参考图12所述，在供应至第m行的第一偏置电压VPIX的电平增加的情况下，供应至第n列的第二偏置电压VDDP的电平减小。参照图14，因为用于第m行处的第一偏置电压VPIX的线和用于第n列处的第二偏置电压VDDP的线彼此相邻或接近，所以第一偏置电压VPIX可以通过第二偏置电压VDDP的波动而偏移。
图14的用于第一偏置电压VPIX的线和用于第二偏置电压VDDP的线可以比图11的用于第一偏置电压VPIX和用于第二偏置电压VDDP的线布置为更靠近彼此。因此，图14的堆叠结构中提供的第一偏置电压VPIX和第二偏置电压VDDP的稳定性可以高于图11的堆叠结构中提供的第一偏置电压VPIX和第二偏置电压VDDP的稳定性。这可以意味着图14的单元像素被提供有比图11的单元像素更稳定的第一偏置电压VPIX和第二偏置电压VDDP。
图14的第一偏置电压VPIX和第二偏置电压VDDP的电平的变化可以小于图11的第一偏置电压VPIX和第二偏置电压VDDP的电平的变化。因此，基于图14的输出电压Vout计算的码值可以较少受到噪声的影响。
图14的输出电压Vout的变化与图8或图10的输出电压Vout的变化类似，因此省略其描述。
图15是示出了根据本发明构思的实施例的包括图14的图像传感器的电子设备的框图。
电子设备1000可以用能够使用或支持由移动行业处理器接口(MIPI)联盟提出的接口协议的数据处理设备来实现。例如，电子设备1000可以是几种类型的电子设备(例如但不限于便携式通信终端、个人数字助理(PDA)、便携式媒体播放器(PMP)、智能电话、平板电脑和可穿戴设备)中的一种。
电子设备1000可以包括应用处理器1100、显示器1220和图像传感器1230。应用处理器1100可以包括DigRF主设备1110、显示器串行接口(DSI)主机3120、相机串行接口(CSI)主机1130和物理层1140。应用处理器1100可以控制图4的图像传感器200、图7的图像传感器300、图9的图像传感器400、图11的图像传感器500、图12的图像传感器600和图14的图像传感器700。例如，应用处理器1100可以控制图10的开关信号Switch(信号)。
DSI主机1120可以通过DSI与显示器1220的DSI设备1225进行通信。例如，串行器SER可以在CSI主机1120中实现。例如，解串器DES可以在DSI设备1225中实现。
CSI主机1130可以通过CSI与图像传感器1230的CSI设备1235进行通信。例如，解串器DES可以在CSI主机1130中实现，并且串行器SER可以在CSI设备1235中实现。
图像传感器1230可以包括图4的图像传感器200、图7的图像传感器300、图9的图像传感器400、图11的图像传感器500、图12的图像传感器600以及图14的图像传感器700。图像传感器1230可以基于图5、图8和图10中所示的输出电压Vout输出码值。图像传感器1230可以通过CSI输出计算出的码值。码值可以与由图像传感器1230接收的光的强度相关联。
显示器1220可以包括DSI设备1225。显示器1220可以基于从图像传感器1230输出的码值输出图像。因此，显示器1220可以输出不受SHBN影响或减小了SHBN的影响的图像。
电子设备1000还可以包括用于与应用处理器1100进行通信的射频(RF)芯片1240。RF芯片1240可以包括物理层1242、DigRF从设备1244和天线1246。例如，RF芯片1240的物理层1242和应用处理器1100的物理层1140可以通过由MIPI联盟提出的DigRF接口彼此交换数据。
电子设备1000还可以包括动态随机存取存储器(DRAM)1250和储存器1255。DRAM1250和储存器1255可以存储从应用处理器1100接收的数据。而且，DRAM 1250和储存器1255可以将存储的数据提供给应用处理器1100。DRAM 1250和储存器1255可以存储与从图4的图像传感器200、图7的图像传感器300、图9的图像传感器400、图11的图像传感器500、图12的图像传感器600以及图14的图像传感器700接收的信号相关联的信息。
电子设备1000可以通过诸如全球微波接入互操作性(WiMAX)1260、无线局域网(WLAN)1262和超宽带(UWB)1264等的通信模块与外部设备/系统进行通信。电子设备1000还可以包括用于处理语音信息的扬声器1270和麦克风1275。电子设备1000还可以包括用于处理位置信息的全球定位系统(GPS)设备1280。
根据本发明构思的实施例，可以提供改善的图像质量的图像。
尽管已经参照实施例描述了本发明构思，但是对于本领域技术人员来说显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以进行各种改变和修改。因此，应当理解的是：上述实施例不是限制性的而是说明性的。

Claims (18)

1.一种电子电路，包括：
像素单元，被配置为输出具有输出电压电平的电压，所述输出电压电平在第一时间间隔中是第一输出电压电平并且在所述第一时间间隔之后的第二时间间隔中是第二输出电压电平，其中所述第一时间间隔和所述第二时间间隔中的每一个包括斜坡电压随时间以恒定比率变化的时间间隔；
第一电压发生器，被配置为生成复位钳位电平电压；
第二电压发生器，被配置为生成信号钳位电平电压；
第一钳位电路，被配置为接收所述复位钳位电平电压，并且响应于在所述第一时间间隔中第一输出电压电平不大于第一电压电平，将来自所述像素单元的输出电压电平钳位到与所述复位钳位电平电压相对应的所述第一电压电平；
第二钳位电路，被配置为接收所述信号钳位电平电压，并且响应于在所述第二时间间隔中第二输出电压电平不大于第二电压电平，将来自所述像素单元的输出电压电平钳位到与所述信号钳位电平电压相对应的所述第二电压电平，以及
其中，所述第一电压电平大于所述第二电压电平。
2.根据权利要求1所述的电子电路，其中，所述第一钳位电路、所述第二钳位电路和所述像素单元在同一基板上。
3.根据权利要求1所述的电子电路，还包括：
模数转换器，被配置为接收从所述像素单元输出的电压，
其中，与从所述像素单元输出的电压相对应的码值从所述模数转换器输出，并且
其中，所述码值与在所述像素单元中接收的光的强度相对应。
4.根据权利要求1所述的电子电路，其中，所述像素单元包括：
光电二极管，被配置为响应于光而输出电荷；
第一晶体管，被配置为在所述第一时间间隔之前将从所述像素单元输出的电压的电平调整为参考电压；
第二晶体管，被配置为将从所述光电二极管输出的电荷传送到浮置扩散节点；
第三晶体管，被配置为输出与所述浮置扩散节点的电压相对应的电压；以及
第四晶体管，被配置为响应于第一选择电压输出与从所述第三晶体管输出的电压相对应的电压，
其中，从所述第四晶体管输出的电压是从所述像素单元输出的电压。
5.根据权利要求4所述的电子电路，其中，所述第一晶体管被配置为从至少一个电压发生器接收第一偏置电压，并且所述第三晶体管被配置为从至少一个电压发生器接收第二偏置电压。
6.根据权利要求4所述的电子电路，其中，所述第一钳位电路包括：
第一电平晶体管，被配置为输出与所述第一电压电平相关联的电压；以及
第一选择晶体管，被配置为响应于第二选择电压和从所述像素单元输出的电压，输出与从所述第一电平晶体管输出的电压相对应的电压。
7.根据权利要求6所述的电子电路，其中，所述第二钳位电路包括：
第二电平晶体管，被配置为输出与所述第二电压电平相关联的电压，所述第二电压电平小于所述第一电压电平；以及
第二选择晶体管，被配置为响应于第三选择电压和从所述像素单元输出的电压来输出与从所述第二电平晶体管输出的电压相对应的电压。
8.一种图像传感器，包括：
包括像素单元的第一基板，所述像素单元被配置为输出具有与接收的光的强度相对应的输出电压电平的电压；以及
第二基板，包括被配置为限制从所述像素单元输出的电流的电平的电流源，
其中，所述像素单元包括：
第一钳位电路，被配置为响应于在第一时间间隔中来自所述像素单元的输出电压电平不大于第一电压电平，在所述第一时间间隔中将来自所述像素单元的输出电压电平钳位到所述第一电压电平；以及
第二钳位电路，被配置为响应于在所述第一时间间隔之后的第二时间间隔中来自所述像素单元的输出电压电平不大于第二电压电平，在所述第二时间间隔中将来自所述像素单元的输出电压电平钳位到所述第二电压电平，
其中，所述第一基板包括所述第一钳位电路和所述第二钳位电路，
其中，所述第一基板堆叠在所述第二基板上，
其中，所述第一时间间隔和所述第二时间间隔中的每一个包括斜坡电压随时间以恒定比率变化的时间间隔，并且
其中，所述第一电压电平大于所述第二电压电平。
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，从所述像素单元输出的电流的电平是从所述电流源输出的电流的电平。
10.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，所述像素单元被配置为通过所述第一基板的第一偏置电压线接收第一偏置电压。
11.根据权利要求10所述的图像传感器，其中，所述第一钳位电路和所述第二钳位电路被配置为通过所述第一基板的第二偏置电压线接收第二偏置电压。
12.根据权利要求11所述的图像传感器，其中，所述第一偏置电压线和所述第二偏置电压线以网格形状在所述第一基板上。
13.根据权利要求11所述的图像传感器，其中，响应于所述第一偏置电压的电平和所述第二偏置电压的电平中的至少一个的变化，来自所述像素单元的输出电压电平保持恒定。
14.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，所述图像传感器还包括模数转换器，所述模数转换器被配置为在所述第一时间间隔中基于所述斜坡电压的变化来输出码值。
15.根据权利要求14所述的图像传感器，
其中，所述模数转换器被配置为在所述第二时间间隔中基于所述斜坡电压的变化来输出所述码值。
16.一种图像传感器，包括：
像素单元，被配置为基于接收的光的强度输出具有输出电压电平的电压；以及
钳位单元，被配置为：
响应于第一选择电压并且响应于在第一时间间隔中来自所述像素单元的输出电压电平不大于第一电压电平，输出用于将来自所述像素单元的输出电压电平钳位到所述第一电压电平的第一钳位电压，并且
响应于第二选择电压并且响应于在所述第一时间间隔之后的第二时间间隔中来自所述像素单元的输出电压电平不大于第二电压电平，输出用于将来自所述像素单元的输出电压电平钳位到所述第二电压电平的第二钳位电压；以及
多路复用器，被配置为在包括所述第一时间间隔的时间间隔期间将与所述第一钳位电压相关联的电压传送到所述钳位单元，并且在包括所述第二时间间隔的时间间隔期间将与所述第二钳位电压相关联的电压传送到所述钳位单元，
其中，所述第一时间间隔和所述第二时间间隔中的每一个包括斜坡电压随时间以恒定比率变化的时间间隔，并且
其中，所述第一电压电平大于所述第二电压电平。
17.根据权利要求16所述的图像传感器，其中，所述像素单元和所述钳位单元响应于在同一基板上接收的第一偏置电压和第二偏置电压而操作。
18.根据权利要求16所述的图像传感器，还包括：
电流源，被配置为限制从所述像素单元和所述钳位单元输出的电流的电平，
其中，所述电流源在与包括所述像素单元和所述钳位单元的基板不同的基板上。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019167551A1 (ja) * 2018-02-28 2019-09-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 撮像装置
KR20210032613A (ko) 2019-09-16 2021-03-25 삼성전자주식회사 이미지 센서
DE102020120595A1 (de) 2019-09-16 2021-03-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Bildsensor
KR20210037302A (ko) * 2019-09-27 2021-04-06 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 동작 방법
FR3121556B1 (fr) * 2021-03-31 2023-03-10 St Microelectronics Rousset Convertisseur de tension
US20220408040A1 (en) * 2021-06-21 2022-12-22 Ams Sensors Belgium Bvba Imaging pixel to mitigate cross-talk effects
CN114025110A (zh) * 2021-11-03 2022-02-08 成都微光集电科技有限公司 像素单元阵列电路
CN116052596A (zh) * 2023-02-23 2023-05-02 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及其驱动方法、显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101841665A (zh) * 2009-03-18 2010-09-22 株式会社东芝 箝位电路以及具有箝位电路的固体摄像装置
CN103985721A (zh) * 2013-02-08 2014-08-13 三星电子株式会社 深度像素、三维图像传感器和操作深度像素的方法
CN104159051A (zh) * 2013-03-15 2014-11-19 三星电子株式会社 图像传感器以及包括该图像传感器的装置
CN106161984A (zh) * 2016-08-31 2016-11-23 钧捷科技（北京）有限公司 视频图像强光抑制、轮廓及细节增强处理方法及系统

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3389949B2 (ja) * 1999-03-16 2003-03-24 日本電気株式会社 固体撮像素子用雑音除去回路
JP2001086414A (ja) 1999-09-10 2001-03-30 Sony Corp 撮像装置及び信号処理方法
JP3918635B2 (ja) 2002-05-30 2007-05-23 ソニー株式会社 直流レベル制御方法、クランプ回路、撮像装置
KR100574891B1 (ko) * 2003-01-13 2006-04-27 매그나칩 반도체 유한회사 클램프 회로를 갖는 이미지센서
DE602004021985D1 (de) * 2003-03-25 2009-08-27 Panasonic Corp Bildaufnahmevorrichtung, die Detailverlust schattiger Bereiche vermeidet
KR100809680B1 (ko) 2004-02-04 2008-03-06 삼성전자주식회사 Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 클램프 회로
JP5080794B2 (ja) * 2006-01-17 2012-11-21 パナソニック株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP2007300521A (ja) * 2006-05-02 2007-11-15 Olympus Corp 固体撮像装置
JP2008271186A (ja) * 2007-04-20 2008-11-06 Olympus Corp 固体撮像装置
JP2009077345A (ja) * 2007-09-25 2009-04-09 Olympus Corp 固体撮像装置
US8768843B2 (en) 2009-01-15 2014-07-01 Igt EGM authentication mechanism using multiple key pairs at the BIOS with PKI
JP5282690B2 (ja) 2009-07-23 2013-09-04 ソニー株式会社 画素回路、固体撮像素子、およびカメラシステム
JP5881324B2 (ja) 2011-07-01 2016-03-09 オリンパス株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の制御方法、および撮像装置
JP5933219B2 (ja) * 2011-10-21 2016-06-08 オリンパス株式会社 固体撮像装置
JP2013168880A (ja) 2012-02-16 2013-08-29 Sony Corp 比較器、ａｄ変換器、固体撮像装置、カメラシステム、および電子機器
JP6071315B2 (ja) 2012-08-08 2017-02-01 オリンパス株式会社 固体撮像装置および撮像装置
JP6176990B2 (ja) * 2013-04-25 2017-08-09 オリンパス株式会社 固体撮像装置および撮像装置
JP6494263B2 (ja) 2014-02-19 2019-04-03 キヤノン株式会社 撮像素子及び電子機器
JP2015198273A (ja) * 2014-03-31 2015-11-09 ソニー株式会社 イメージセンサ、およびイメージセンサの動作方法、撮像装置および撮像方法、並びに電子機器
DE112015001704T5 (de) 2014-04-07 2016-12-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Bildsensor mit hoher Auflösung, Frame-Rate und niedrigem Stromverbrauch
JP6443667B2 (ja) 2014-05-23 2018-12-26 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 撮像装置
CN106664382B (zh) * 2014-07-15 2019-11-01 普里露尼库斯股份有限公司 固体摄影装置、固体摄影装置的制造方法以及电子机器
JP2017022444A (ja) 2015-07-07 2017-01-26 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像システム
JP6632421B2 (ja) * 2016-02-22 2020-01-22 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像装置
JP6746476B2 (ja) * 2016-11-24 2020-08-26 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、および、移動体
US10498996B2 (en) * 2017-11-14 2019-12-03 Semiconductor Components Industries, Llc Pixel control signal verification in a stacked image sensor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101841665A (zh) * 2009-03-18 2010-09-22 株式会社东芝 箝位电路以及具有箝位电路的固体摄像装置
CN103985721A (zh) * 2013-02-08 2014-08-13 三星电子株式会社 深度像素、三维图像传感器和操作深度像素的方法
CN104159051A (zh) * 2013-03-15 2014-11-19 三星电子株式会社 图像传感器以及包括该图像传感器的装置
CN106161984A (zh) * 2016-08-31 2016-11-23 钧捷科技（北京）有限公司 视频图像强光抑制、轮廓及细节增强处理方法及系统

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
《CMOS图像传感器的自适应降噪方法研究》;田里 等;《传感技术学报》;20081124;第21卷(第9期);1561-1565 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190001971A (ko) 2019-01-08
US11418736B2 (en) 2022-08-16
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US20190007632A1 (en) 2019-01-03
CN109151346A (zh) 2019-01-04
US20200252560A1 (en) 2020-08-06
KR102324224B1 (ko) 2021-11-10

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