JP2017022444A - 撮像素子及び撮像システム - Google Patents
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Abstract
【課題】撮像素子内部で増幅率を細かく切り替えることが可能な撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換により、入射された光量に応じた信号を出力する画素部と、第1の容量素子と、第2の容量素子と、増幅回路とを含み、第1の容量素子と第2の容量素子の静電容量に応じて定まる増幅率で画素部から出力される信号を増幅する増幅部と、第1の容量素子の端子間に印加される電圧を制御して第1の容量素子の静電容量を変化させることにより、増幅部の増幅率を変化させる電圧生成部とを有することを特徴とする撮像素子。
【選択図】図3
【解決手段】光電変換により、入射された光量に応じた信号を出力する画素部と、第1の容量素子と、第2の容量素子と、増幅回路とを含み、第1の容量素子と第2の容量素子の静電容量に応じて定まる増幅率で画素部から出力される信号を増幅する増幅部と、第1の容量素子の端子間に印加される電圧を制御して第1の容量素子の静電容量を変化させることにより、増幅部の増幅率を変化させる電圧生成部とを有することを特徴とする撮像素子。
【選択図】図3
Description
本発明は、撮像素子及び撮像システムに関する。
デジタルカメラ等の撮像装置において、CMOS型の撮像素子が用いられるものがある。このようなCMOS型の撮像素子を有する撮像装置は、多機能化、高画質化の要求に向けて、様々な工夫がなされている。一例としては、撮影シーンの輝度に応じて光電変換素子からの信号を読み出す回路の増幅率(ゲイン)を切り替える機能を有するものがある。
増幅率の切り替え機能は、例えば、撮像素子の画素から出力された信号出力段にある増幅部の増幅率を切り替えることにより実現され得る。撮像素子のアナログゲインは、レイアウトの制約、制御信号線の本数の制約などにより、1倍、2倍、4倍・・・のように離散的となっているものが多い。そのため、増幅率を細かく調整することが難しい場合がある。特許文献1には、撮像素子の後段にデジタルアンプを設けることで、増幅率を細かく調整して、画質の連続性を保つ処理が記載されている。
また、近年、撮像素子の小型化も要求されている。特許文献2には、画素、列アンプ等が設けられた撮像チップと、信号処理回路等が設けられた信号処理チップとがマイクロバンプにより互いに接合された撮像装置が記載されている。撮像チップは画素からの信号を出力する出力電極を有しており、信号処理チップは出力電極からの信号を入力する入力電極を有している。撮像チップの出力電極と信号処理チップの入力電極の間には、誘電体層が設けられており、出力電極、入力電極及び誘電体層は、クランプ容量として機能する。このような構成により、マイクロバンプの圧着時のストレスによる暗電流の発生が低減されることが特許文献2に記載されている。
しかしながら、特許文献1に記載の技術のように撮像素子の後段のデジタルアンプで増幅する場合、撮像素子内部で増幅する場合に比べノイズが増加することがある。特に動画撮影時において、撮像素子内部でのみ増幅するモードから撮像素子の後段のデジタルアンプを併用して増幅するモードに移行する際に、ノイズ感などの画像特性が大きく変化することがある。
特許文献2には、チップ間に形成された容量素子に係る静電容量の調整及び静電容量の製造ばらつきについて具体的に記載されていない。したがって、これらに起因する問題について、特許文献2では何ら言及されていない。
本発明は上記の問題の少なくとも1つに鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、撮像素子内部で増幅率を細かく切り替えることが可能な撮像素子を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、積層構造の撮像素子において、増幅部の増幅率の調整をより好適なものとすることにある。
本発明の一観点によれば、光電変換により、入射された光量に応じた信号を出力する画素部と、第1の容量素子と、第2の容量素子と、増幅回路とを含み、前記第1の容量素子と前記第2の容量素子の静電容量に応じて定まる増幅率で前記画素部から出力される信号を増幅する増幅部と、前記第1の容量素子の端子間に印加される電圧を制御して前記第1の容量素子の静電容量を変化させることにより、前記増幅部の増幅率を変化させる電圧生成部とを有することを特徴とする撮像素子が提供される。
本発明の他の観点によれば、光電変換により、入射された光量に応じた信号を出力する画素部を有する第1の基板と、前記画素部から出力される信号を増幅する増幅回路を有する第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に誘電体を挟んで形成される第1の容量素子及び第2の容量素子とを有し、前記増幅回路は、前記第1の容量素子と前記第2の容量素子の静電容量に応じて定まる増幅率で前記画素部から出力される信号を増幅することを特徴とする撮像素子が提供される。
本発明によれば、撮像素子内部で増幅率を細かく切り替えることが可能な撮像素子が提供される。
また、本発明によれば、積層構造の撮像素子において、増幅部の増幅率の調整をより好適なものとした撮像素子が提供される。
以下に、本発明の好ましい実施の形態を、添付の図面に基づいて詳細に説明する。各図において、同一の機能を有する部分については同一の符号を付し、重複する説明は簡略化又は省略することがある。
(第1の実施形態)
以下、図1乃至図8を参照して、本発明の第1の実施形態による撮像素子について説明する。図1は、第1の実施形態に係る撮像素子の構成を示す図である。本実施形態による撮像素子は、一例としてCMOS型撮像素子であるものとする。
以下、図1乃至図8を参照して、本発明の第1の実施形態による撮像素子について説明する。図1は、第1の実施形態に係る撮像素子の構成を示す図である。本実施形態による撮像素子は、一例としてCMOS型撮像素子であるものとする。
本実施形態の撮像素子は、画素部1、列出力線2、電流源3、列アンプ部4、アンプ出力線5、列回路6、出力アンプ7、垂直走査回路8、水平走査回路9、電圧生成回路10及びクランプ電位線11を有する。複数の画素部1は撮像素子内に2次元状に配置される。列出力線2、電流源3、列アンプ部4、アンプ出力線5及び列回路6は、複数の画素部1の各列に対応して設けられる。
垂直走査回路8は、駆動信号線を介して画素部1の制御のための駆動信号φRES、φTX、φSELを画素部1に供給する。同じ行に配置された画素部1には共通の駆動信号線を介して駆動信号が入力される。図1では、これらの各駆動信号の末尾に行番号が付されている。すなわち、例えばn行目に入力される駆動信号φRES、φTX、φSELには、行番号nを付して駆動信号φRESn、φTXn、φSELnと表記している。
画素部1の出力信号は列出力線2に出力される。電流源3は、列出力線2に接続され画素部1の出力の負荷として動作する。列アンプ部4は、列出力線2に接続され、画素部1から列出力線2を介して入力された信号を任意の増幅率で増幅する。電圧生成回路10は、クランプ電位線11を介してクランプ電位Vcを各列アンプ部4に供給する電圧生成部である。
列アンプ部4で増幅された信号は、アンプ出力線5を介して列回路6に入力される。列回路6は入力された信号を保持する機能を有する。水平走査回路9は、列回路6の各々に対し、信号を読み出す列を選択する駆動信号を出力する。列回路6は水平走査回路9からの駆動信号に応じて、出力アンプ7に保持している信号を出力する。出力アンプ7は入力された信号を増幅してセンサ外部へ出力する。
本実施形態による撮像素子は、2つの基板上に分かれて形成される。撮像素子は、これらのチップを互いに積層して電気的に接続した積層構造となっている。2つの基板(チップ)のうちの第1の基板を画素チップCHIP1とし、第2の基板を信号処理チップCHIP2とする。画素チップCHIP1は、画素部1、列出力線2、電流源3及び垂直走査回路8を含む。信号処理チップCHIP2は、アンプ出力線5、列回路6、出力アンプ7、水平走査回路9、電圧生成回路10及びクランプ電位線11を含む。列アンプ部4は、画素チップCHIP1と信号処理チップCHIP2にまたがって配置されている。
図2は、第1の実施形態に係る画素部1の構成を示す図である。画素部1は、転送トランジスタM1、リセットトランジスタM2、増幅トランジスタM3、選択トランジスタM4、フォトダイオードPD、フローティングディフュージョンFDを有する。フォトダイオードPDは、入射された光量に応じた信号電荷を生成して蓄積する光電変換素子である。各トランジスタは、例えばN型のMOSトランジスタで構成されるものとするがこれに限定されず、スイッチング又は増幅の機能を有していればよい。転送トランジスタM1、リセットトランジスタM2、選択トランジスタM4の制御端子であるゲートノードには、それぞれ駆動信号φTX、φRES、φSELが入力される。
フォトダイオードPDに蓄積された電荷は、転送トランジスタM1を介してフローティングディフュージョンFDに転送される。このとき、フローティングディフュージョンFDの電圧は転送された電荷に応じて変化する。すなわち、フローティングディフュージョンFDにおいて電荷電圧変換が行われる。フローティングディフュージョンFDの電圧は、リセットトランジスタM2をオンにすることにより、電源電圧VDDにリセットされる。フローティングディフュージョンFDの電圧は、増幅トランジスタM3のゲートに入力される。これにより、フローティングディフュージョンFDに転送された電荷に基づく信号は、増幅トランジスタM3により電流増幅され、選択トランジスタM4を介して列出力線2に出力される。信号を出力する行の選択トランジスタM4をオンにし、その他の行の選択トランジスタM4をオフにすることにより、所定の行の画素部1のみが列出力線2に接続される。
図3は、第1の実施形態に係る列アンプ部4の構成を示す回路図である。列アンプ部4はスイッチトキャパシタ型の回路構成を含んでおり、画素部1から列出力線2を介して入力される信号を増幅して出力する増幅部として機能する。列アンプ部4は、差動入力単相出力の差動増幅回路である増幅回路Amp、入力容量CAPin(第1の容量素子)、帰還容量CAPf(第2の容量素子)及びクランプトランジスタM5(第3のスイッチ)を有する。入力容量CAPinは、画素チップCHIP1と信号処理チップCHIP2にまたがって構成されており、列出力線2と増幅回路Ampの反転入力端子(−側入力端子)の間に配置される。増幅回路Ampの出力端子はアンプ出力線5に接続される。帰還容量CAPf及びクランプトランジスタM5は、増幅回路Ampの反転入力端子とアンプ出力線5の間に、互いに並列接続の関係で配置される。クランプトランジスタM5は駆動信号φCLAMPにより駆動される。増幅回路Ampの非反転入力端子(+側入力端子)はクランプ電位線11に接続される。
図4は、第1の実施形態に係る撮像素子の断面構造を示す図である。図4を参照して、撮像素子の積層構造、特に列アンプ部4の入力容量CAPinの構造を説明する。図4に示されているように、撮像素子は、画素チップCHIP1と信号処理チップCHIP2を積層した構造となっている。
画素チップCHIP1は、マイクロレンズML、カラーフィルタCF、フォトダイオードPD及び転送トランジスタM1を含む画素部1、配線層12並びに表面電極13を有する。信号処理チップCHIP2は、トランジスタM6、表面電極16及び配線層17を有する。便宜上、画素チップCHIP1、信号処理チップCHIP2はいずれも、表面電極13又は表面電極16がある側の面を表面とし、その反対側の面を裏面とする。
画素チップCHIP1は、チップの裏面側が受光面である裏面照射型の構造になっている。すなわち、画素部1内のフォトダイオードPDは裏面側に形成されている。フォトダイオードPDの裏面方向の上部にはカラーフィルタCFとマイクロレンズMLが画素部1の各々に対応して配置されている。
画素チップCHIP1の配線層12は、画素部1から出力された信号を信号処理チップCHIP2に伝送する機能等を有する。配線層12内の信号伝送配線は画素チップCHIP1の表面にある表面電極13と接続されている。
同様に、信号処理チップCHIP2も表面電極16を有している。画素チップCHIP1の表面電極13と信号処理チップCHIP2の表面電極16は、誘電体層14を介して接続されている。入力容量CAPinは、2つの表面電極13、16と誘電体層14により形成される。誘電体層14には、バイアス電圧に依存して入力容量CAPinの静電容量が大きく変化する材料が用いられる。例えば、誘電体層14はチタン酸バリウム等の強誘電体を主材料とすることができる。
強誘電体材料にバイアス電圧を印加すると、強誘電体材料内の自発分極が電界の方向に整列する。これにより、強誘電体材料は、常誘電体材料よりも大きな誘電率を示す。この状態よりもさらに電界を大きくすると、自発分極の整列が終わり分極が飽和するため、電界が小さい場合と比べて誘電率が小さくなる。このようなメカニズムにより、強誘電体材料の誘電率は電界に依存して変化するため、入力容量CAPinは、バイアス電圧に依存して静電容量が変化する。
信号処理チップCHIP2の表面電極16は、配線層17を介して信号処理チップCHIP2に形成されているトランジスタM6に接続される。トランジスタM6は、列回路6などの回路を構成するトランジスタである。
続いて図5を参照して、撮像素子の駆動方法について説明する。図5は、第1の実施形態に係る撮像素子の駆動方法を示すタイミングチャートである。図中のφSEL、φRES、φCLAMP、φTXの各信号は駆動信号を示しており、これらの各信号は、High状態(以下“H”)及びLow状態(以下“L”)のいずれかの状態をとるものとする。また、各トランジスタは“H”のときにオン(接続状態)となり、“L”のときにオフ(非接続状態)となるものとする。図中のVAMPin及びVAMPoutは列アンプ部4の内部ノードの電位を示す。電位VAMPinは列アンプ部4の入力、すなわち列出力線2の電位であり、電位VAMPoutはアンプ出力線5の電位である。破線で示されたクランプ電位Vcはクランプ電位線11の電位を示す。
図中の時刻t1〜t8の期間は撮像素子のある行の画素部1から信号を同時に読み出す際の一連の駆動期間を示す。時刻t1〜t8の駆動を各行の画素部1に対して繰り返し行うことにより行ごとに順次信号を読み出す。
時刻t1において、駆動信号φSELが“H”になり、読み出し対象行の選択トランジスタM4がオンになる。これにより、読み出し対象行の画素部1から列出力線2に信号を出力可能となる。
時刻t2において、駆動信号φRESが“H”になり、リセットトランジスタM2がオンになると、フローティングディフュージョンFDに蓄積された信号電荷がリセットされる。フローティングディフュージョンFDの電位がリセットされると、電位VAMPinが変動する。列アンプ部4は反転増幅回路を構成しているため、電位VAMPoutは電位VAMPinの変動に応じて反転増幅された電位となる。
時刻t3において、駆動信号φRESが“L”になり、リセットトランジスタM2がオフになると、フローティングディフュージョンFDのリセットが終了する。フローティングディフュージョンFDの電位は駆動信号φRESの信号電圧の変化の影響により変化する。そのため、時刻t3において、電位VAMPin、VAMPoutはいずれも変動する。
時刻t4において、駆動信号φCLAMPが“H”となる。これにより、列アンプ部4内のクランプトランジスタM5がオンになり、増幅回路Ampの反転入力端子と出力端子が短絡される。このとき、電位VAMPoutはクランプ電位Vcになる。
時刻t5において、駆動信号φCLAMPが“L”となり、クランプトランジスタM5がオフになる。これにより、増幅回路Ampの反転入力端子の電位が変動するが、反転入力端子と非反転入力端子の仮想接地により、電位VAMPoutは反転入力端子の電位変動を打ち消すように変動する。時刻t5以降、電位VAMPoutが安定するまで待ち、安定時の電位VAMPoutがリセットレベルとして後段の列回路6において保持される。
時刻t6において、駆動信号φTXが“H”になり、転送トランジスタM1がオンになると、フォトダイオードPDに蓄積された信号電荷がフローティングディフュージョンFDに転送される。電位VAMPinは信号電荷に応じた電位に変動し、電位VAMPoutは電位VAMPinの変動に応じて反転増幅された電位となる。
時刻t7において、駆動信号φTXが“L”になり、転送トランジスタM1がオフになる。出力電位VAMPoutは駆動信号φTXの電位変動の影響を受けて変化する。電位VAMPoutが安定するまで待ち、後段の列回路6において、安定時の電位VAMPoutと時刻t5と時刻t6の間に取得されたリセットレベルとの差分を取得する。この差分がセンサ外部に出力される。このようにして差分を取得することにより、リセットレベルに相当するノイズが除去され、フォトダイオードPDに蓄積された電荷に対応する信号のみを増幅した信号を得ることができる。
その後、時刻t8において、駆動信号φSELが“L”になり、選択トランジスタM4がオフになり、当該行の読み出しが終了する。
電位VAMPinの電位変化をΔVSin、電位VAMPoutの電位変化をΔVSoutとする。このとき、増幅率(ΔVSout/ΔVSin)は、入力容量CAPinの静電容量Cinと帰還容量CAPfの静電容量Cfを用いて下記の式(1)で表される。
ΔVSout/ΔVSin=−Cin/Cf (1)
ΔVSout/ΔVSin=−Cin/Cf (1)
本実施形態においては、帰還容量CAPfは信号処理チップCHIP2の配線層17の層間に形成される。すなわち、帰還容量CAPfは酸化シリコンなどを主成分とする層間絶縁層を誘電体層とする容量である。そのため、印加電圧に対する静電容量の変化はほとんどなく、Cfは変化しないものと考えることができる。しかしながら、入力容量CAPinはバイアス電圧に依存して静電容量が大きく変化するチタン酸バリウム等の材料を用いて形成される。そのため、入力容量CAPinの端子間に印加されるバイアス電圧ΔVdcにより静電容量Cinは変化する。
入力容量CAPinの静電容量Cinのバイアス電圧依存性を図6(a)に示す。バイアス電圧ΔVdcが大きくなると、入力容量CAPinの静電容量Cinは減少する。また、入力容量CAPinは、列出力線2と増幅回路Ampの反転入力端子との間に接続されている。定常状態では、増幅回路Ampの反転入力端子の電位は仮想接地により、非反転入力端子の電位とほぼ一致する。したがって、入力容量CAPinのCHIP2側の表面電極16の電位は、クランプ電位Vcになる。すなわち、入力容量CAPinの端子間に印加されるバイアス電圧ΔVdcは、列出力線2の電位VAMPinとクランプ電位Vcとの差となる。電位VAMPinはリセット電位に対して信号振幅の分だけ低い電位であるため、信号振幅が十分小さければ、リセット電位付近で一定になる。よって、バイアス電圧ΔVdcは、ほぼクランプ電位Vcで決定される。したがって、電圧生成回路10により、クランプ電位Vcを制御することで入力容量CAPinの静電容量Cinを制御することが可能になる。
列アンプ部のゲインのクランプ電位依存性を図6(b)に示す。図6(a)及び図6(b)を参照して、クランプ電位Vcの制御による増幅率の制御について述べる。バイアス電圧ΔVdcがVdc1のときに静電容量CinはC1であり、バイアス電圧ΔVdcがVdc2のときに静電容量Cinは1/2×C1であるものとする。また、クランプ電位VcがVc1、Vc2のとき、バイアス電圧ΔVdcはそれぞれVdc1、Vdc2であるものとする。また、バイアス電圧ΔVdcがVdc1のときの増幅率をGain1とする。前述のように列アンプ部4は反転増幅回路であるため、実際には増幅率は負の値であるが、以下の説明では、簡略化のため増幅率を入出力電圧比の絶対値、すなわち正の値として考える。
バイアス電圧ΔVdcがVdc1からVdc2になるようにクランプ電位VcをVc1からVc2に変化させると、静電容量CinはC1から1/2×C1に減少する。上述の式(1)により、列アンプ部4の増幅率もGain1から1/2×Gain1に減少する。図6(a)に示したように静電容量Cinはクランプ電位Vcに対し連続的に変化する。そのため、クランプ電位Vcを連続的に変化させるように制御することにより、列アンプ部4の増幅率を連続的に変化させることが可能である。
このように、本実施形態の撮像素子は、列アンプ部4の入力容量CAPinにバイアス電圧依存性のある誘電体を用いることにより、撮像素子の増幅率を列アンプ部4の内部で連続的に制御することが可能である。そのため、動画撮影時などの増幅率を細かく制御する必要がある撮影状況であっても、撮像素子の外部でデジタルゲインを与えなくても増幅率の制御が可能となる。したがって、デジタルゲインを与える場合と比べ、ノイズを低減する効果が得られる。このノイズ低減効果について説明する。
撮像素子で生じるノイズは、列アンプ部4の前段で発生する第1のノイズと、列アンプ部4の後段で発生する第2のノイズに分けて考えることができる。デジタルゲインを使用して増幅率を制御する場合には、その処理はAD変換後、すなわち列アンプ部4の後段で行われるため、第1及び第2のノイズの双方が増幅される。これに対して、列アンプ部4のゲインのみにより増幅率を制御する場合は、第2のノイズは増幅されないため、ノイズの合計量を、デジタルゲインを使用する場合と比べ低減することができる。
図7(a)及び図7(b)は、第1の実施形態によるノイズ低減効果を示す図である。図7(a)は、本実施形態の比較例に係るグラフであり、一部の設定増幅率の場合にデジタルゲインを使用した際のノイズ量を示している。図7(b)は、本実施形態に係るグラフであり、デジタルゲインを使用せず、列アンプ部4のゲインのみを使用した際のノイズ量を示している。図7(a)及び図7(b)において、いずれも横軸はカメラシステム全体で設定される増幅率を示しており、縦軸はノイズ量を示している。
図7(a)は、列アンプで設定可能な増幅率が1.0、2.0、4.0と離散的である場合を想定した比較例である。その他の増幅率を設定する場合には後段のデジタルアンプにより与えられるデジタルゲインを併用することで増幅が行われる。設定増幅率が1.0の場合、列アンプの前段で生じたノイズが0.5であり、列アンプの後段で生じたノイズが2.0であるため、ノイズの合計量は2.5である。この状態から列アンプの設定増幅率を2.0に変更すると、列アンプの前段で生じたノイズは2倍に増幅されて1.0となる。しかしながら、列アンプの後段で生じたノイズは2.0のままであるため、ノイズの合計量は3.0となる。
一方、設定増幅率を1.0から1.6に変更した場合、列アンプの前段で生じたノイズ、列アンプ前の後段で生じたノイズはいずれも1.6倍に増幅されて、それぞれ0.8、3.2となる。これにより、ノイズの合計量は4.0となる。このように、列アンプで設定可能な増幅率が1.0、2.0、4.0と離散的である場合、これらの値の中間の増幅率を設定する場合にデジタルゲインを与える必要がある。この場合、列アンプの後段で生じたノイズが増幅されることになるため、ノイズの合計量が増大するという問題が生じ得る。また、設定増幅率とノイズ量の関係が単調増加ではなくなり、動画撮影時にノイズ感が急激に変化して目立ちやすくなるという問題も生じ得る。
これに対し、本実施形態に係る図7(b)では、列アンプ部4の増幅率が連続的に設定可能である。したがって、デジタルゲインを与える必要がないため、図示されているようにいずれの設定増幅率であっても列アンプの後段で生じたノイズは2.0のままである。したがって、ノイズの合計量は、多くの設定増幅率の場合において上述の比較例の場合よりも小さくなる。また、設定増幅率とノイズ量の関係は単調増加になり、動画のノイズ感も目立ちにくくなる。
列アンプで設定可能な増幅率の種類を増やすためには、増幅回路に増幅率変更用の容量及びスイッチ(トランジスタ)を追加し、容量の接続関係をスイッチで切り替えることで、増幅率の設定値をより細かくする手法も想定される。しかしながら、この手法では、容量及びスイッチの個数が増加する。また、この列アンプは撮像素子の画素配列の各列に対応して配置されるものであるため、これらの容量及びスイッチは各列にそれぞれ配置されることになる。したがって、回路面積が大きくなるという問題がある。
しかしながら、本実施形態の構成は、入力容量CAPinの静電容量Cinをクランプ電位Vcによって変化させることにより、連続的に増幅率を変化させるものであるため、回路規模の増大という問題は生じにくい。よって、本実施形態は上記の手法よりも回路の小型化においてより有効である。
なお、列アンプ部4は図3の構成に限られるものではない。図8に列アンプ部4の変形例を示す。図8に示される変形例では、列出力線2は増幅回路Ampの非反転入力端子に接続され、クランプ電位線11は入力容量CAPinの一端に接続され、入力容量CAPinの他端は増幅回路Ampの反転入力端子に接続される。その他の回路構成は図3と同様である。図8の変形例の列アンプ部4は非反転増幅回路として動作する。このとき、増幅率(ΔVSout/ΔVSin)は、入力容量CAPinの静電容量Cinと帰還容量CAPfの静電容量Cfを用いて下記の式(2)で表される。
ΔVSout/ΔVSin=Cin/Cf+1 (2)
ΔVSout/ΔVSin=Cin/Cf+1 (2)
この変形例において、入力容量CAPinの端子間に印加されるバイアス電圧ΔVdcは、クランプ電位線11のクランプ電位Vcと入力電位VAMPinの差になる。そのため、信号振幅が十分小さく入力電位VAMPinが大きく変動しない場合には、バイアス電圧ΔVdcは、ほぼクランプ電位Vcで決定される。したがって、電圧生成回路10により、クランプ電位Vcを連続的に変化させることにより、静電容量Cinを連続的に変化させることが可能であり、同様の効果が得られる。なお、本変形例の構成において、クランプ電位線11は画素チップCHIP1側の表面電極13に接続されるので、電圧生成回路10及びクランプ電位線11は、画素チップCHIP1に配置することが、回路の簡略化の面で好ましい。
(第2の実施形態)
以下、図9を参照して、本発明の第2の実施形態による撮像素子について説明する。図9は本発明の第2の実施形態に係る列アンプ部4−1の構成を示す回路図である。列アンプ部4−1以外の構成は第1の実施形態と同様のため、説明を省略する。
以下、図9を参照して、本発明の第2の実施形態による撮像素子について説明する。図9は本発明の第2の実施形態に係る列アンプ部4−1の構成を示す回路図である。列アンプ部4−1以外の構成は第1の実施形態と同様のため、説明を省略する。
列アンプ部4−1は、帰還容量CAPf1、CAPf2、CAPf3(第3の容量素子)及びトランジスタM7−1、M7−2、M7−3(第1のスイッチ)をさらに有する。また、図3のCAPfに換えて、帰還容量CAPf0が増幅回路Ampの反転入力端子と出力端子の間に接続されている。帰還容量CAPf1及びトランジスタM7−1は直列接続されており、これらは増幅回路Ampの反転入力端子と出力端子の間に設けられている。帰還容量CAPf2、CAPf3及びトランジスタM7−2、M7−3も同様である。帰還容量CAPf0、CAPf1、CAPf2、CAPf3の静電容量は、それぞれCf0、Cf1、Cf2、Cf3とする。トランジスタM7−1、M7−2、M7−3はそれぞれ駆動信号φm7−1、φm7−2、φm7−3により制御される。
第1の実施形態において、帰還容量CAPfの静電容量Cfは固定値である。そのため、列アンプ部4のゲインは入力容量CAPinの静電容量Cinのみにより変更される。しかしながら、静電容量Cinの変化量には下限があり、例えば、1/4×C1、1/8×C1のような小さい容量値に調整することは困難である場合がある。本実施形態では、帰還容量CAPf0に加え、帰還容量CAPf1、CAPf2、CAPf3を設け、トランジスタM7−1、M7−2、M7−3の接続/非接続を切り替えることにより、帰還容量を可変とすることができる。したがって、列アンプ部4の増幅率をより広い範囲に制御できる。
静電容量の具体的な設定方法の一例を説明する。静電容量Cf0と静電容量Cf1は等しい値に設定され、静電容量Cf2は静電容量Cf1の2倍、静電容量Cf3は静電容量Cf1の4倍の静電容量になるように設定されているものとする。この場合、撮像素子の設定増幅率に応じてトランジスタM7−1、M7−2、M7−3を個別にオン又はオフに制御することで、帰還容量の合計値をCf0から8×Cf0までの範囲で段階的に制御することが可能である。例えば、帰還容量の合計値を6×Cf0とする場合には、トランジスタM7−1、M7−3をオンにすればよい。
また、帰還容量CAPf0、CAPf1、CAPf2、CAPf3の組み合わせによる帰還容量の制御と静電容量Cinのクランプ電位Vcによる制御とを併用することにより、連続的な増幅率の制御が維持できる。このように粗い増幅率の設定を帰還容量CAPfで、細かい増幅率の設定を入力容量CAPinで行うことにより、増幅率の制御の連続性を保ったまま、増幅率の変更範囲を広げることができる。
本実施形態の撮像素子では列アンプ部4−1の回路面積は増大するものの、容量とスイッチの組み合わせのみにより同程度に細かく増幅率を制御しようとする場合に比べれば、回路面積の増加を抑えることが可能である。なお、図9において4つの帰還容量CAPfを並列に接続しているが、この個数に限られるものではなく、所望の増幅率の変更範囲に応じて適宜増減可能である。
(第3の実施形態)
以下、図10及び図11を参照して、本発明の第3の実施形態による撮像素子について説明する。図10は本発明の第3の実施形態に係る列アンプ部4−2の構成を示す回路図である。図11は本発明の第3の実施形態に係る撮像素子の断面構造を示す図である。列アンプ部4−2及び撮像素子の断面構造以外の構成は第1の実施形態及び第2の実施形態と同様のため、説明を省略する。
以下、図10及び図11を参照して、本発明の第3の実施形態による撮像素子について説明する。図10は本発明の第3の実施形態に係る列アンプ部4−2の構成を示す回路図である。図11は本発明の第3の実施形態に係る撮像素子の断面構造を示す図である。列アンプ部4−2及び撮像素子の断面構造以外の構成は第1の実施形態及び第2の実施形態と同様のため、説明を省略する。
図10を参照して本実施形態の列アンプ部4−2の構成について説明する。列アンプ部4−2は、図3又は図8の入力容量CAPinに換えて、入力容量CAPin0が設けられ、さらに入力容量CAPin1(第4の容量素子)を有する。また、列アンプ部4−2は、さらにトランジスタM8−0、M8−1(第2のスイッチ)を有する。入力容量CAPin0とトランジスタM8−0は直列接続されており、これらは、列出力線2と増幅回路Ampの非反転入力端子の間に接続される。入力容量CAPin1とトランジスタM8−1も同様に直列接続されており、これらは、列出力線2と増幅回路Ampの非反転入力端子の間に接続される。トランジスタM8−0、M8−1はそれぞれ駆動信号φm8−0、φm8−1により制御される。
入力容量CAPin0は、第1及び第2の実施形態と同様にバイアス電圧に依存して静電容量が大きく変化する材料を用いて構成されている。これに対して入力容量CAPin1は、静電容量に電圧依存性のない、あるいは電圧依存性が小さい材料を用いて構成される。すなわち、入力容量CAPin1は、端子間に印加される電圧に対する静電容量の依存性が入力容量CAPin0と異なる。また、トランジスタM8−0、M8−1のオン/オフによって入力容量CAPin0、入力容量CAPin1は接続/非接続を選択することが可能である。
続いて図11を参照して入力容量CAPin1の構成について説明する。入力容量CAPin0の構成は第1の実施形態と同じ構成であるため説明を省略する。入力容量CAPin1は、信号処理チップCHIP2の配線層17の層間に形成される。すなわち、入力容量CAPin1は酸化シリコンなどを主成分とする層間絶縁層を誘電体層とする容量である。そのため、入力容量CAPin1は、入力容量CAPin0に比べ、印加電圧に対する静電容量変化率が小さい。列出力線2からの信号を入力容量CAPin1に入力させる配線部分において、画素チップCHIP1の表面電極13と信号処理チップCHIP2の表面電極16とはバンプ15により電気的及び機械的に接続される。
入力容量CAPin0はバイアス電圧ΔVdcに対する静電容量の変化率が大きい。信号振幅が大きい場合には信号電圧の変化によるバイアス電圧ΔVdcによって、列回路部の4−2の増幅率が変化することがある。この増幅率の変化により、フォトダイオードPDで発生した電荷量に対する撮像素子の出力の線形性が劣化することがある。これは、上述のように信号振幅が大きい場合顕著となり得る。よって、信号振幅が大きく、線形性が要求される場合には、トランジスタM8−0をオフ、トランジスタM8−1をオンにして入力容量CAPin1のみにより列出力線2からの信号が増幅回路Ampに入力されるようにする。入力容量CAPin1は、バイアス電圧ΔVdcに対する静電容量の変化率が小さいため、上述の線形性劣化は生じにくい。したがって、信号振幅が大きい場合であってもフォトダイオードPDで発生した電荷量に対する撮像素子の出力の線形性が維持される。
なお、上述の線形性劣化は信号振幅が大きい場合に生じる傾向があり、この場合は撮像素子の列アンプ部4−2の増幅率を低く設定する必要がある。そのため、入力容量CAPin1の静電容量は入力容量CAPin0よりも小さい値であることが好ましい。
本実施形態の撮像素子においては、列アンプ部4の増幅率が低い範囲では入力容量CAPin1を用いるため、増幅率の連続性が保たれない。しかしながら、増幅率が低い範囲では信号振幅が大きいことからノイズ量は非常に小さい。そのため、撮像素子の外部でデジタルゲインを与えることでノイズ量が増大しても、画質への影響は軽微である。このような理由により、本実施形態の撮像素子では、増幅率が高くノイズ量の増加が画質に影響しやすい場合にのみ入力容量CAPin0を用いる。以上のように、本実施形態では、増幅率に応じて入力容量を選択的に用いることにより、上述の要因による画質への影響を低減しつつ、効果的にノイズ量を抑えることが可能となる。
第1乃至第3の実施形態では入力容量CAPin0が画素チップCHIP1と信号処理チップCHIP2の間に形成されている構成を例示しているが、これに限定されるものではない。例えば、列アンプ部4、4−1、4−2を単一のチップ上に形成することもできる。この場合、入力容量CAPinは、チップ間ではなく、列アンプ部4、4−1、4−2が形成されているチップ上に形成してもよい。ただし、第1乃至第3の実施形態のようにチップ間に入力容量CAPinを形成する構造は、配線層間に形成する構造と比べて誘電体層14の材料の選択自由度が高い利点があるため、より好適である。
(第4の実施形態)
以下、図12及び図13を参照して、本発明の第4の実施形態による撮像素子について説明する。図12は本発明の第4の実施形態に係る列アンプ部4−3の構成を示す回路図である。図13は本発明の第4の実施形態に係る撮像素子の断面構造を示す図である。列アンプ部4−3及び撮像素子の断面構造以外の構成は第1乃至第3の実施形態と同様のため、説明を省略する。
以下、図12及び図13を参照して、本発明の第4の実施形態による撮像素子について説明する。図12は本発明の第4の実施形態に係る列アンプ部4−3の構成を示す回路図である。図13は本発明の第4の実施形態に係る撮像素子の断面構造を示す図である。列アンプ部4−3及び撮像素子の断面構造以外の構成は第1乃至第3の実施形態と同様のため、説明を省略する。
まず、図12を参照して、本実施形態の構成を図3に示した第1の実施形態の構成と対比して説明する。本実施形態では、第1の実施形態と同様に増幅回路Amp及びクランプトランジスタM5は、信号処理チップCHIP2に形成されている。しかしながら、本実施形態では、帰還容量CAPfが入力容量CAPinと同様に画素チップCHIP1と信号処理チップCHIP2にまたがって構成されている。
続いて図13を参照して、撮像素子の断面構造及び、列アンプ部4−3の帰還容量CAPfの構成を説明する。帰還容量CAPf及びその配線以外の部分については第1の実施形態の図4と同様であるため説明を省略する。
入力容量CAPinと同様に、帰還容量CAPfは、画素チップCHIP1の表面電極13と信号処理チップCHIP2の表面電極16の間に誘電体層14を構成することにより形成されている。また、帰還容量CAPfの画素チップCHIP1側の端子と信号処理チップCHIP2の配線とはバンプ15により接続される。この配線は信号処理チップCHIP2に配置されたクランプトランジスタM5に接続される。
このように、本実施形態の撮像素子は、帰還容量CAPfが入力容量CAPinと同様に画素チップCHIP1と信号処理チップCHIP2の間に形成されるので容量を形成するための面積の利用効率が向上し、使用面積が削減され得る。
また、入力容量CAPinと帰還容量CAPfをCHIP1とCHIP2にまたがった同一層に生成することにより、列アンプ部4−3の増幅率の設定精度を向上させることができる。この理由について説明する。
一般に、並行平板型キャパシタの容量C[F]は、電極板間の誘電体の誘電率ε[F/m]、電極板面積S[m2]、電極板間隔d[m]により、以下の式(3)により定まる。
C=ε×S/d (3)
C=ε×S/d (3)
第1の実施形態のように、入力容量CAPinのみを画素チップCHIP1と信号処理チップCHIP2の間に設け、帰還容量CAPfを信号処理チップCHIP2内に設ける場合、入力容量CAPinと帰還容量CAPfとで電極板間隔dが異なる。一般的には、基板間に形成される入力容量CAPinの方が、配線間に形成される帰還容量CAPfよりも電極板間隔dが大きくなりやすい。
そのため、両者の静電容量を同程度のオーダーとするためには面積、誘電率を適宜調整するなどの複雑な設計調整が必要となる。また、基板間に形成される入力容量CAPinと、配線間に形成される帰還容量CAPfは異なる工程で形成されるので、両者の容量比の製造ばらつきを安定化させることが難しい場合もある。容量比は列アンプ部の増幅率に影響するため、増幅率の設定精度が不十分となる可能性がある。
本実施形態の列アンプ部4−3は、増幅率設定のための対となる容量である入力容量CAPinと帰還容量CAPfとを同一層に形成することにより、増幅率の精度が向上する。入力容量CAPinと帰還容量CAPfは同一層に同一工程で形成できるので、両者の静電容量を同程度のオーダーとする調整は容易である。また、電極板間隔dがばらついたとしても、入力容量CAPinと帰還容量CAPfの静電容量は同じ比率でばらつくので、両者の容量比Cin/Cfのばらつきは低減される。したがって、容量比Cin/Cfに依存する増幅率のばらつきは低減される。
以上のように、本実施形態によれば、積層構造の撮像素子において、入力容量CAPin及び帰還容量CAPfを基板間に形成することで、容量を形成する領域の面積が低減されている。また、入力容量CAPin及び帰還容量CAPfは同一層に同一工程で形成できるので、列アンプ部4−3の増幅率の精度を向上させることができる。
なお、クランプトランジスタM5は、画素チップCHIP1に形成してもよいが、図12のように信号処理チップCHIP2に形成することがより好ましい。信号処理チップCHIP2内の他の信号処理回路のトランジスタと同時に形成することが可能となるため、形成が容易となる利点があるためである。また、画素チップCHIP1の面積を削減できる利点もある。クランプトランジスタM5を信号処理チップCHIP2に配置することの利点は他の実施形態においても同様である。
(第5の実施形態)
以下、図14を参照して、本発明の第5の実施形態による撮像素子について説明する。図14は本発明の第5の実施形態に係る列アンプ部4−4の構成を示す回路図である。その他の構成は第2の実施形態と同様のため、説明を省略する。
以下、図14を参照して、本発明の第5の実施形態による撮像素子について説明する。図14は本発明の第5の実施形態に係る列アンプ部4−4の構成を示す回路図である。その他の構成は第2の実施形態と同様のため、説明を省略する。
本実施形態の列アンプ部4−4に含まれる回路素子の接続関係は、第2の実施形態の列アンプ部4−1と同じである。ただし、本実施形態では、入力容量CAPin及び帰還容量CAPf0、CAPf1、CAPf2、CAPf3がいずれも画素チップCHIP1と信号処理チップCHIP2にまたがって構成されている。
これにより、第2の実施形態で述べたようにトランジスタM7−1、M7−2、M7−3の接続/非接続を切り替えることにより、帰還容量を可変とすることができる。したがって、列アンプ部4−4の増幅率をより広い範囲に制御できる。この効果に加え、第4の実施形態で述べたように入力容量CAPin及び帰還容量CAPf0、CAPf1、CAPf2、CAPf3がいずれも同一層に同一工程で形成できるので、列アンプ部4−4の増幅率の精度が向上する。
なお、第4の実施形態及び第5の実施形態において、入力容量CAPin及び帰還容量CAPfは、第1乃至第3の実施形態のようにバイアス電圧に依存して静電容量が変化する構成であってもよく、そうでなくてもよい。入力容量CAPin及び帰還容量CAPfの静電容量が変化するようにして列アンプ部4−3、4−4で増幅率を変化させる制御を行う場合、第1乃至第3の実施形態と同様の効果がさらに得られる。この構成を採用しない場合であっても、第4の実施形態及び第5の実施形態で説明した効果を得ることができる。
(第6の実施形態)
上記の各実施形態の撮像素子は、種々の撮像システムに適用可能である。撮像システムの一例としては、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダー、監視カメラなどがあげられる。図15に、第6の実施形態に係る撮像システムの一例として、動画撮影が可能なデジタルスチルカメラに、上述した実施形態のいずれかの撮像素子を適用した撮像システムのブロック図を示す。
上記の各実施形態の撮像素子は、種々の撮像システムに適用可能である。撮像システムの一例としては、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダー、監視カメラなどがあげられる。図15に、第6の実施形態に係る撮像システムの一例として、動画撮影が可能なデジタルスチルカメラに、上述した実施形態のいずれかの撮像素子を適用した撮像システムのブロック図を示す。
図15に例示した撮像システムは、撮像素子154、レンズ152の保護のためのバリア151、被写体の光学像を撮像素子154に結像させるレンズ152、及びレンズ152を通過する光量を可変にするための絞り153を有する。レンズ152及び絞り153は撮像素子154に光を導く光学系である。撮像素子154は、上述した実施形態のいずれかの撮像素子である。また、図15に例示した撮像システムは、撮像素子154より出力される出力信号の処理を行う信号処理部155を有する。信号処理部155は、撮像素子154が出力する信号に基づいて画像を生成する。具体的には、信号処理部155は、その他、必要に応じて、各種の補正及び圧縮を行って、画像データを出力する。また、信号処理部155は、撮像素子154が出力する信号を用いて、焦点検出を行ってもよい。信号処理部155は、出力信号にデジタルゲインを与えるデジタルアンプを備えていてもよい。
図15に例示した撮像システムは、さらに、画像データを一時的に記憶するためのバッファメモリ部156、外部コンピュータ等と通信するための外部インターフェース部(外部I/F部)157を有する。さらに、撮像システムは、撮像データの記録又は読み出しを行うための半導体メモリ等の記録媒体159、記録媒体159に記録又は読み出しを行うための記録媒体制御インターフェース部(記録媒体制御I/F部)158を有する。なお、記録媒体159は、撮像システムに内蔵されていてもよく、着脱可能であってもよい。
さらに、撮像システムは、各種演算とデジタルスチルカメラ全体を制御する制御・演算部1510、撮像素子154と信号処理部155に各種タイミング信号を出力するタイミング発生部1511を有する。ここで、タイミング信号などは、外部から入力されてもよく、撮像システムは少なくとも撮像素子154と、撮像素子154から出力された出力信号を処理する信号処理部155とを有すればよい。
なお、本実施形態の撮像システムの機能の一部は、上述した実施形態のいずれかの撮像素子の信号処理チップCHIP2内に設けられていてもよく、別のチップ内に設けられていてもよい。
以上のように、本実施形態の撮像システムは、撮像素子154を適用して撮像動作を行うことが可能である。
(その他の実施形態)
本発明は、上述の実施形態の1以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける1つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、1以上の機能を実現する回路(例えば、ASIC)によっても実現可能である。
本発明は、上述の実施形態の1以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける1つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、1以上の機能を実現する回路(例えば、ASIC)によっても実現可能である。
本発明が適用される実施形態は、上記実施形態に限られるものではなく種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態に示した構成を任意に2つ以上選択して組み合わせてもよい。
また、第6の実施形態に示した撮像システムは、本発明の撮像素子を適用しうる撮像システムの一例を示したものであり、本発明の撮像素子を適用可能な撮像システムは図15に示した構成に限定されるものではない。
上記実施形態は、本発明を適用しうる幾つかの態様を例示したものに過ぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜修正や変形を行うことを妨げるものではない。
1 画素部
4 列アンプ部(増幅部)
10 電圧生成回路(電圧生成部)
14 誘電体
CHIP1 画素チップ(第1の基板)
CHIP2 信号処理チップ(第2の基板)
Amp 増幅回路
CAPin 入力容量(第1の容量素子)
CAPout 帰還容量(第2の容量素子)
4 列アンプ部(増幅部)
10 電圧生成回路(電圧生成部)
14 誘電体
CHIP1 画素チップ(第1の基板)
CHIP2 信号処理チップ(第2の基板)
Amp 増幅回路
CAPin 入力容量(第1の容量素子)
CAPout 帰還容量(第2の容量素子)
Claims (12)
- 光電変換により、入射された光量に応じた信号を出力する画素部と、
第1の容量素子と、第2の容量素子と、増幅回路とを含み、前記第1の容量素子と前記第2の容量素子の静電容量に応じて定まる増幅率で前記画素部から出力される信号を増幅する増幅部と、
前記第1の容量素子の端子間に印加される電圧を制御して前記第1の容量素子の静電容量を変化させることにより、前記増幅部の増幅率を変化させる電圧生成部と
を有することを特徴とする撮像素子。 - 前記増幅回路は、非反転入力端子と、反転入力端子と、出力端子とを有する差動増幅回路であり、
前記第1の容量素子は、前記画素部と、前記反転入力端子の間に接続され、
前記第2の容量素子は、前記反転入力端子と前記出力端子の間に接続され、
前記電圧生成部は、前記非反転入力端子の電位を制御することにより前記第1の容量素子の静電容量を変化させる
ことを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。 - 前記増幅回路は、非反転入力端子と、反転入力端子と、出力端子とを有する差動増幅回路であり、
前記第1の容量素子は、前記反転入力端子に一端が接続され、
前記第2の容量素子は、前記反転入力端子と前記出力端子の間に接続され、
前記電圧生成部は、前記第1の容量素子の他端の電位を制御することにより前記第1の容量素子の静電容量を変化させる
ことを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。 - 前記画素部を含む第1の基板と、
前記増幅回路を含む第2の基板と、
をさらに有し、
前記第1の容量素子は、前記第1の基板と前記第2の基板との間に誘電体を挟んで形成される
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の撮像素子。 - 前記増幅部は、
第3の容量素子と、
前記第2の容量素子と前記第3の容量素子との間の接続関係を切り替えることにより、前記増幅率を変化させる第1のスイッチと
をさらに有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の撮像素子。 - 前記増幅部は、
端子間に印加される電圧に対する静電容量の依存性が前記第1の容量素子と異なる第4の容量素子と、
前記第1の容量素子又は前記第4の容量素子を前記増幅部と選択的に接続させる第2のスイッチと
をさらに有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の撮像素子。 - 前記第1の容量素子は、前記第4の容量素子よりも、端子間に印加される電圧の変化に対する静電容量の変化量が大きく、
前記第2のスイッチは、前記増幅部の増幅率を高く設定する場合に、前記第1の容量素子を選択し、前記増幅部の増幅率を低く設定する場合に、前記第4の容量素子を選択する
ことを特徴とする請求項6に記載の撮像素子。 - 光電変換により、入射された光量に応じた信号を出力する画素部を有する第1の基板と、
前記画素部から出力される信号を増幅する増幅回路を有する第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に誘電体を挟んで形成される第1の容量素子及び第2の容量素子と
を有し、
前記増幅回路は、前記第1の容量素子と前記第2の容量素子の静電容量に応じて定まる増幅率で前記画素部から出力される信号を増幅することを特徴とする撮像素子。 - 前記増幅回路は、非反転入力端子と、反転入力端子と、出力端子とを有する差動増幅回路であり、
前記第2の基板は、前記反転入力端子と前記出力端子を接続するための第3のスイッチをさらに有することを特徴とする請求項8に記載の撮像素子。 - 第1の基板と前記第2の基板との間に前記誘電体を挟んで形成される第3の容量素子をさらに有し、
前記第2の基板は、前記第2の容量素子と前記第3の容量素子との間の接続関係を切り替えることにより、前記増幅率を変化させる、第1のスイッチをさらに有することを特徴とする請求項8又は9に記載の撮像素子。 - 前記第1の容量素子及び前記第2の容量素子の少なくとも1つの端子間に印加される電圧を制御して前記第1の容量素子及び前記第2の容量素子の少なくとも1つの静電容量を変化させることにより、前記増幅率を変化させる電圧生成部をさらに有することを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 請求項1乃至11のいずれか1項に記載の撮像素子と、
前記撮像素子が出力する信号に基づいて画像を生成する信号処理部と
を備えることを特徴とする撮像システム。
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