CN109148511B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及显示装置，该显示装置包括：第一像素电极和第二像素电极，设置成在衬底上彼此邻近；像素限定层，包括对应于第一像素电极的第一开口、对应于第二像素电极的第二开口以及布置成与第一开口邻近的第一凸部；第一中间层，设置在第一像素电极上以与第一开口对应，并且包括第一发射层；以及第一导电无机层，布置在第一中间层上以对应于第一开口。第一导电无机层的至少一个端部延伸超过第一中间层的端部，并且在第一开口和第二开口之间设置于像素限定层上。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年6月19日提交的第10-2017-0077584号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的通过引用并入本文，如其本文中充分阐述一样。
技术领域
示例性实施方式涉及显示装置。
背景技术
有机发光显示装置是包括像素的显示装置，每个像素包括有机发光二极管(OLED)。OLED可包括像素电极、面对像素电极的对电极以及位于像素电极和对电极之间的发射层。
在能够显示全色图像的有机发光显示装置中，具有不同颜色的光可从像素区域发射，并且每个像素的发射层以及在多个像素上方设置为公共体(或层)的对电极可使用沉积掩模形成。由于有机发光显示装置的分辨率变得更高，所以在沉积过程期间使用的沉积掩模的敞开缝隙的宽度已经变得更窄，并且需要进一步减小敞开缝隙之间的间隔。此外，为了制造具有甚至更高分辨率的有机发光显示装置，必须减少或消除阴影效应。因此，可使用利用紧密接触的衬底和掩模来执行沉积过程的方法。
然而，当利用紧密接触的衬底和掩模进行沉积过程时，掩模可能损坏像素限定层。为了防止这个问题，可在像素限定层上布置间隔件。然而，为此，需要添加另一过程，并且间隔件可能增加有机发光显示装置的厚度。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对本发明构思的背景的理解，并且因此，其可包括不构成在本国中对于本领域普通技术人员已经知晓的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施方式提供了这样的显示装置，其能够在通过剥离工艺形成包括发射层的中间层时，防止设置在中间层上的导电无机层的端部不充分地沉积或者从像素限定层分离。所得的显示装置能够改善显示质量，而不会以非均匀的方式在像素之间发射光。
其他方面将在随后的详细说明中阐述，并且根据本公开将部分地显而易见，或者可通过实践本发明构思而习得。
根据示例性实施方式，显示装置包括：第一像素电极和第二像素电极，设置成在衬底上彼此邻近；像素限定层，包括对应于第一像素电极的第一开口、对应于第二像素电极的第二开口以及设置成与第一开口邻近的第一凸部；第一中间层，设置在第一像素电极上且布置成与第一开口对应，并且包括第一发射层；以及第一导电无机层，设置在第一中间层上且布置成对应于第一开口。第一导电无机层的至少一个端部延伸超过第一中间层的端部，并且在第一开口和第二开口之间设置于像素限定层上。
第一凸部可包括指向第一开口的第一侧表面以及与第一侧表面相对的第二侧表面，以及第一凸部的顶点可布置于第一侧表面和第二侧表面之间。
第一导电无机层的至少一个端部可超过第一凸部的顶点在第二侧表面上方延伸。
第一中间层的端部可超过第一凸部的顶点在第二侧表面上方延伸。
第二侧表面和衬底的主表面之间的角度可小于90°。
第一导电无机层的至少一个端部可直接接触像素限定层。
第一导电无机层的至少一个端部可延伸超过第一中间层的端部0.5μm或更多。
第一导电无机层可包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、镱(Yb)、钙(Ca)、锂(Li)、金(Au)或其化合物的金属层。
第一导电无机层可包括透明导电氧化物(TCO)。
第一中间层还可包括第一功能层和第二功能层中的至少一个，第一功能层设置在第一像素电极和第一发射层之间，第二功能层设置在第一发射层和第一导电无机层之间。
根据一个或多个实施方式，显示装置包括：第一像素电极和第二像素电极，布置成彼此邻近；像素限定层，包括对应于第一像素电极的第一开口、对应于第二像素电极的第二开口、与第一开口邻近的第一凸部以及与第二开口邻近的第二凸部；第一中间层，设置在第一像素电极上且包括第一发射层；第二中间层，设置在第二像素电极上且包括第二发射层；第一导电无机层，设置在第一中间层上且配置为覆盖第一中间层的端部；以及第二导电无机层，设置在第二中间层上且配置为覆盖第二中间层的端部。
第一导电无机层的至少一个端部可延伸超过第一中间层的端部并且可直接接触像素限定层。
第一导电无机层的至少一个端部可以比第一中间层的端部更进一步地朝向第二凸部延伸。
第一凸部可包括指向第一开口的第一侧表面以及与第一侧表面相对的第二侧表面，以及，第一凸部的顶点可布置于第一侧表面和第二侧表面之间。第一导电无机层的至少一个端部可超过第一凸部的顶点在第二侧表面上方延伸。
像素限定层还可包括布置在第一凸部和第二凸部之间的另外的凸部。
第一导电无机层的至少一个端部和第二导电无机层的至少一个端部可布置在第一凸部的顶点和第二凸部的顶点之间。
显示装置还可包括公共对电极，该公共对电极设置在第一导电无机层和第二导电无机层上并且配置为覆盖第一导电无机层和第二导电无机层。
第一导电无机层和第二导电无机层中的至少一个可包括导电金属层和导电氧化物层中的至少之一。
导电金属层可包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、镱(Yb)、钙(Ca)、锂(Li)、金(Au)或其化合物。
导电氧化物层包含以下至少之一：铟锡的氧化物(ITO)、铟锌的氧化物(IZO)、锌的氧化物(ZnO)、铟的氧化物(In2O3)、铟镓的氧化物(IGO)以及铝锌的氧化物(AZO)。
在根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置中，导电无机层的端部可延伸超过中间层的端部充分的长度，从而增强与像素限定层的粘附，并且导电无机层的端部的厚度可增大，从而防止导电无机层的端部剥落。上述效果是示例性的，并且将在下面的描述中详细地描述根据实施方式的效果。
上述的概括性描述以及随后的详细描述是示例性和说明性的，并且旨在提供所要求保护的主题的进一步说明。
附图说明
附图(其被包括以提供对本发明构思的进一步理解，并且并入本说明书中且构成本说明书的一部分)示出本发明构思的示例性实施方式，并且与说明书一起用来解释本发明构思的原理。
图1、图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10和图11是示意性示出根据本发明构思的示例性实施方式的制造显示装置的方法的剖视图。
图12A和图12B是更详细示出图3的过程的剖视图。
图13A和图13B是分别示出根据比较示例的过程和根据本发明构思的示例性实施方式的过程的剖视图。
图14A是根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的平面图。
图14B是根据本发明构思的另一个示例性实施方式的显示装置的一部分的平面图。
图15是根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的示意性平面图。
图16是根据本发明构思的另一个示例性实施方式的显示装置的示意性剖视图。
图17是根据本发明构思的另一个示例性实施方式的显示装置的一部分的剖视图。
图18是根据本发明构思的另一个示例性实施方式的显示装置的一部分的剖视图。
具体实施方式
在以下描述中，为了说明的目的，阐述了诸多具体细节以提供对各种示例性实施方式的透彻理解。然而，显而易见的是，各种示例性实施方式可在没有这些具体细节的情况下或者通过一个或多个等同布置来实施。在其他示例中，公知的结构和装置以框图形式示出，以避免不必要地使各种示例性实施方式不清楚。
在附图中，为了清楚和描述的目的，层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸可能被放大。此外，相同的附图标记表示相同的元件。
当元件或层被称为在另一元件或层上、连接至或联接至另一元件或层时，其可以直接在该另一元件或层上、直接连接至或直接联接至该另一元件或层，或者可存在介于其间的元件或层。然而，当元件或层被称为直接在另一元件或层上、直接连接至或直接联接至另一元件或层时，不存在介于其间的元件或层。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的群组中的至少一个”可解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多的任意组合，例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。相同的附图标记通篇表示相同的元件。如在本文中使用的，措辞“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任意及所有组合。
虽然术语第一、第二等可在本文中用于描述各种元件、组件、区域、层和/或段，但是这些元件、组件、区域、层和/或段不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层和/或段与另一个元件、组件、区域、层和/或段区分开。因此，在没有背离本公开的教导的情况下，以下讨论的第一元件、组件、区域、层和/或段可称为第二元件、组件、区域、层和/或段。
为了描述的目的，在本文中可使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等空间相对术语，并且从而描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如，如果附图中的设备翻转，则描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件将定向成在其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可包含在……上方和在……下方两种定向。此外，设备能以其他方式定向(例如，旋转90度或处于其他定向)，并且因此，本文中使用的空间相对描述语应相应地进行解释。
本文中使用的术语出于描述具体实施方式的目的，并且不旨在进行限制。除非上下文另外明确地指出，否则如本文中使用的，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”旨在也包括复数形式。此外，措辞“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(comprising)”在本说明书中使用时指出存在所阐述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组合，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组合。
本文中参照作为理想化示例性实施方式和/或中间结构的示意图的截面图描述各种示例性实施方式。这样，将预期到由于例如制造技术和/或公差而引起的相对于附图的形状的变动。因此，本文中公开的示例性实施方式不应被视为限于区域的具体示出的形状，而是包括由于例如制造引起的形状上的变动。附图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状并非旨在示出装置的区域的实际形状且并非旨在进行限制。
除非另行定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有如由本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。除非在本文中明确地如此限定，否则术语，诸如常用辞典中限定的那些，应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的含义进行解释。
图1至图11是示意性示出根据本发明构思的示例性实施方式的制造显示装置的方法的剖视图。图12A和图12B是更详细示出图3的过程的剖视图。图13A和图13B是分别示出根据比较示例的过程和根据本发明构思的示例性实施方式的过程的剖视图。
参照图1，第一像素电极210A、第二像素电极210B和第三像素电极210C形成在衬底100上。第一像素电极210A、第二像素电极210B和第三像素电极210C可形成在同一层上。例如，第一像素电极210A、第二像素电极210B和第三像素电极210C可形成在平坦化绝缘层170上。
在形成第一像素电极210A、第二像素电极210B和第三像素电极210C之前，可首先形成多个层。参照图1，可在衬底100上形成薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst，然后形成平坦化绝缘层170以覆盖薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst，并且之后，在平坦化绝缘层170上形成第一像素电极210A、第二像素电极210B和第三像素电极210C。
衬底100可由诸如玻璃、金属或塑料的多种材料中的任意材料形成，其中塑料诸如为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺(PI)。在衬底100上可形成有：用于防止杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层中的缓冲层110、用于使薄膜晶体管TFT的半导体层与薄膜晶体管TFT的栅电极绝缘的栅极绝缘层130、用于使薄膜晶体管TFT的源电极和漏电极与薄膜晶体管TFT的栅电极绝缘的层间绝缘层150、以及具有接近平坦的顶表面且覆盖薄膜晶体管TFT的平坦化绝缘层170。
缓冲层110可由氧化物层(例如，硅的氧化物(SiOx)层)和/或氮化物层(例如，硅的氮化物(SiNx)层)形成。栅极绝缘层130和层间绝缘层150可包括硅的氧化物(SiO2)、硅的氮化物(SiNx)、硅的氮氧化物(SiON)、铝的氧化物(Al2O3)、钛的氧化物(TiO2)、钽的氧化物(Ta2O5)、铪的氧化物(HFO2)、锌的氧化物(ZnO2)等。平坦化绝缘层170可包括有机材料，诸如：丙烯醛基、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅醚(HMDSO)。虽然参照图1描述了介于从缓冲层110至平坦化绝缘层170之间的绝缘层，但是示例性实施方式不限于此。根据另一个示例性实施方式，根据薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的多种结构，可布置比上述绝缘层数量更多的绝缘层。
第一像素电极210A、第二像素电极210B和第三像素电极210C可由导电氧化物形成，诸如：铟锡的氧化物(ITO)、铟锌的氧化物(IZO)、锌的氧化物(ZnO)、铟的氧化物(In2O3)、铟镓的氧化物(IGO)或铝锌的氧化物(AZO)。可选地，第一像素电极210A、第二像素电极210B和第三像素电极210C可包括反射层和/或位于反射层上的由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的层，其中，反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物。第一像素电极210A、第二像素电极210B和第三像素电极210C中的每一个可形成为单层或多层结构。
参照图2，像素限定层180形成在第一像素电极210A、第二像素电极210B和第三像素电极210C上。像素限定层180可通过具有分别与子像素对应的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3，即，分别通过其暴露第一像素电极210A、第二像素电极210B和第三像素电极210C的至少相应部分(所述相应部分包括第一像素电极210A、第二像素电极210B和第三像素电极210C的相应中央部分)的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3，来限定子像素。像素限定层180的、设置在第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3之中的相邻开口之间的堤部(bank)还可通过增加第一像素电极210A、第二像素电极210B和第三像素电极210C中的每一个的端部与待在随后过程中形成的第一导电无机层至第三导电无机层中的每一个和/或公共对电极240之间的距离，来防止在第一像素电极210A、第二像素电极210B和第三像素电极210C中的每一个的端部处出现电弧等。
像素限定层180可包括与第一开口OP1邻近的第一凸部181、与第二开口OP2邻近的第二凸部182以及与第三开口OP3邻近的第三凸部183。第一凸部181、第二凸部182和第三凸部183可以是从像素限定层180的堤部凸出的子隆起部(sub-mound)。
第一凸部181和第二凸部182包括在像素限定层180的、布置于第一像素电极210A和第二像素电极210B之间的堤部上，以及第一凸部181与第一开口OP1邻近并且第二凸部182与第二开口OP2邻近。第一凸部181可至少部分地围绕第一开口OP1，第二凸部182可至少部分地围绕第二开口OP2，并且凹部可位于第一凸部181和第二凸部182之间。
第二凸部182和第三凸部183包括在像素限定层180的、位于第二像素电极210B和第三像素电极210C之间的堤部上，以及第二凸部182与第二开口OP2邻近并且第三凸部183与第三开口OP3邻近。第三凸部183可至少部分地围绕第三开口OP3，并且凹部可位于第二凸部182和第三凸部183之间。
第三凸部183和第一凸部181包括在像素限定层180的、布置于第三像素电极210C和第一像素电极210A之间的堤部上，以及第三凸部183与第三开口OP3邻近并且第一凸部181与第一开口OP1邻近。凹部可位于第三凸部183和第一凸部181之间。
第一凸部181包括面对第一开口OP1的第一侧表面181a以及与第一侧表面181a相对的第二侧表面181b。第一侧表面181a和第二侧表面181b利用第一凸部181的、位于第一侧表面181a和第二侧表面181b之间的顶点彼此连接。第一侧表面181a可延伸成相对于第一像素电极210A的顶表面具有某一倾斜角度；并且第二侧表面181b可延伸成相对于第一凸部181和第二凸部182之间的凹部或第一凸部181和第三凸部183之间的凹部具有某一倾斜角度，从而在与第一侧表面181a的延伸方向相反的方向上远离第一像素电极210A。
第二凸部182包括面对第二开口OP2的第一侧表面182a以及与第一侧表面182a相对的第二侧表面182b。第一侧表面182a和第二侧表面182b利用第二凸部182的、位于第一侧表面182a和第二侧表面182b之间的顶点彼此连接。第一侧表面182a可延伸成相对于第二像素电极210B的顶表面具有某一倾斜角度，并且第二侧表面182b可延伸成相对于第二凸部182和第三凸部183之间的凹部或第二凸部182和第一凸部181之间的凹部具有某一倾斜角度，从而在与第一侧表面182a的延伸方向相反的方向上远离第二像素电极210B。
第三凸部183包括面对第三开口OP3的第一侧表面183a以及与第一侧表面183a相对的第二侧表面183b。第一侧表面183a和第二侧表面183b利用第三凸部183的、位于第一侧表面183a和第二侧表面183b之间的顶点彼此连接。第一侧表面183a可延伸成相对于第三像素电极210C的顶表面具有某一倾斜角度，并且第二侧表面183b可延伸成相对于第三凸部183和第二凸部182之间的凹部或第三凸部183和第一凸部181之间的凹部具有某一倾斜角度，从而在与第一侧表面183a的延伸方向相反的方向上远离第三像素电极210C。
像素限定层180的高度，即从像素限定层180的底表面到第一凸部181、第二凸部182和第三凸部183中的每一个的顶点的高度，可以为约1μm至约5μm或者约1μm至约4μm，但是示例性实施方式不限于此。
像素限定层180可包括有机材料和/或无机材料，并且可形成为单层或多层。有机材料可包括基于烯烃的有机材料、基于丙烯醛基的有机材料、基于酰亚胺的有机材料等。基于酰亚胺的有机材料可以为PI。无机材料可包括硅的氧化物、硅的氮化物等。
可通过调节暴露量，使用半色调掩模、缝隙掩模、栅格式光学掩模等来获得以上参照图2描述的包括第一凸部181、第二凸部182和第三凸部183以及凹部的像素限定层180的形状。
参照图3，第一掩模图案610形成在上面已经形成有像素限定层180的衬底100上。例如，第一保护树脂层410和第一光刻胶层510可顺序地形成在上面已经形成有像素限定层180的衬底100上，从而形成第一掩模图案610。第一保护树脂层410可包括但不限于按质量包含约50％的氟的含氟材料。第一光刻胶层510可包括正性感光材料。
其后，使第一光刻胶层510的与第一像素电极210A对应的区域曝光并显影，从而形成开口区域。短语“A与B对应”和“对应于B的A”可理解为A与B重叠。
接下来，可蚀刻第一保护树脂层410经由第一光刻胶层510的开口区域暴露的部分，从而形成暴露第一像素电极210A的第一暴露孔412。例如，第一暴露孔412可通过使用能够选择性地移除第一保护树脂层410的剥离剂(例如，包含氢氟醚的剥离剂)通过湿蚀刻第一保护树脂层410而形成。第一保护树脂层410的第一暴露孔412可形成为比第一光刻胶层510的开口区域大。因此，第一光刻胶层510与第一暴露孔412邻近的端部突出超过第一保护树脂层410的与第一暴露孔412邻近的端部，从而形成屋檐结构(eaves structure)。
其后，将第一中间层220A和第一导电无机层230A顺序地形成在上面已经形成有第一掩模图案610的衬底100上。第一中间层220A和第一导电无机层230A可经由第一暴露孔412顺序地形成在第一像素电极210A上，并且还可形成在第一掩模图案610上。
图12A和图12B是更详细示出图3的过程的剖视图。
参照图12A，如上所述，第一保护树脂层410的第一暴露孔412可形成为比第一光刻胶层510的开口区域大，并且因此，第一光刻胶层510的与第一暴露孔412邻近的部分可在朝向第一暴露孔412的方向上延伸超过第一保护树脂层410。换言之，第一光刻胶层510的与第一暴露孔412邻近的区域可具有“屋檐结构”。
第一光刻胶层510的与第一暴露孔412邻近的端部可图案化成沿着线E与第一凸部181的顶点181P对准，或者图案化成在线E后方(例如，位于第一凸部181的第二侧表面181b上方)。
其后，如图12B所示，可顺序地形成第一中间层220A和第一导电无机层230A。
用于形成第一中间层220A的材料通过第一暴露孔412(参见图12A)在第一像素电极210A上方移动。用于形成第一中间层220A的材料穿过第一暴露孔412，并且此时，用于形成第一中间层220A的材料的投射角(incidence angle)可受第一光刻胶层510的屋檐结构限制。图12B的线F相对于衬底100的主表面形成这样的角度，即，用于形成第一中间层220A的材料通过第一光刻胶层510的屋檐结构以该角度投射，并且因此，第一中间层220A的端部可位于线F的端部处。用于形成第一中间层220A的材料不仅可沉积在第一像素电极210A的顶表面，还可沉积在第一凸部181的第二侧表面181b的一部分以及第一凸部181的第一侧表面181a上。第一中间层220A可通过热蒸发来形成。
用于形成第一导电无机层230A的材料可经由第一暴露孔412(参见图12A)在第一中间层220A上方移动。用于形成第一导电无机层230A的材料穿过第一暴露孔412，并且此时，用于形成第一导电无机层230A的材料的投射角可受第一光刻胶层510的屋檐结构限制。图12B的线G相对于衬底100的主表面形成这样的角度，即，用于形成第一导电无机层230A的材料通过第一光刻胶层510的屋檐结构以该角度投射。因为用于形成第一导电无机层230A的材料就成分、分子量、沉淀方法等而言与第一中间层220A的材料不同，因此线G和线F相对于衬底100的主表面形成不同的角度，并且第一导电无机层230A的端部可位于线G的端部处。第一导电无机层230A不仅可覆盖整个第一中间层220A，而且第一导电无机层230A的端部可在像素限定层180上方延伸并且因此可直接接触像素限定层180。第一导电无机层230A可通过热蒸发或溅射形成。
如图12B的放大图中所示，第一导电无机层230A的端部可在第一凸部181的顶点、第一中间层220A的端部和第一凸部181的第二侧表面181b上方延伸，并且可直接接触第二侧表面181b。第一导电无机层230A的端部可延伸超过第一中间层220A的端部预定长度Li1，该预定长度Li1可为约0.5μm或者更多。因为第一导电无机层230A的端部延伸超过第一中间层220A的端部约0.5μm或更多，所以第一中间层220A可被完全覆盖和保护，可充分地确保第一导电无机层230A与像素限定层180的粘附，并且能够防止第一导电无机层230A的端部由于第一导电无机层230A自身的应力从像素限定层180剥落。
第一凸部181的第二侧表面181b与第一光刻胶层510的屋檐重叠并且由第一光刻胶层510的屋檐覆盖。因此，如果第二侧表面181b与衬底100的主表面之间的角度θ1是90°或更大，则，即使当第一导电无机层230A的材料沿着线G倾斜地投射时，第一导电无机层230A的端部也可能间断地形成(可能缩短)，并且可能不覆盖第一中间层220A的端部。然而，根据本发明构思的示例性实施方式，第一凸部181的第二侧表面181b和衬底100的主表面之间的角度θ1可形成为小于90°，并且例如可在10°至70°的范围中，从而解决上述问题。
如图12B的另一个放大图中所示，第一中间层220A包括第一发射层223A。第一发射层223A可包括能够发射呈第一颜色(例如，红色)的光的荧光材料或磷光材料。第一功能层221A和第二功能层222A可分别形成在第一发射层223A下方和第一发射层223A上。第一中间层220A可形成为使得第一中间层220A的与第一像素电极210A重叠的中央区域具有约180nm至约300nm的厚度，但是本发明构思不限于此。
第一功能层221A可以是单层或多层结构。例如，当第一功能层221A由高分子量材料形成时，第一功能层221A可以是单层的空穴传输层(HTL)，并且可由聚(3,4)乙撑二氧噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)形成。另一方面，当第一功能层221A由低分子量材料形成时，第一功能层221A可包括空穴注入层(HIL)和HTL。
第二功能层222A可形成在第一发射层223A上以覆盖第一发射层223A。第二功能层222A是可选的。例如，当第一功能层221A和第一发射层223A由高分子量材料形成时，可省略第二功能层222A。当第一功能层221A和第一发射层223A由低分子量材料形成时，可形成第二功能层222A以改善有机发光器件OLED的特性。在这种情况下，第二功能层222A可具有单层或多层结构，并且第二功能层222A可包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
第一导电无机层230A可包括：包含Ag、Mg、Al、镱(Yb)、钙(Ca)、锂(Li)、Au或其化合物的导电金属层；或/和，诸如透明导电氧化物(TCO)层的导电氧化物层。TCO层可包括铟锡的氧化物(ITO)、铟锌的氧化物(IZO)、锌的氧化物(ZnO)、铟的氧化物(In2O3)、铟镓的氧化物(IGO)和铝锌的氧化物(AZO)等中的至少之一。根据示例性实施方式，第一导电无机层230A可以是包含Ag和Mg的合金，并且可形成为包含ITO的多层结构或形成为包含上述材料的单层结构。第一导电无机层230A可形成具有约3nm至约15nm(优选地，约5nm至约10nm)的厚度，但是第一导电无机层230A的厚度不限于此。
通过以上参照图12A和图12B描述的过程形成的第一导电无机层230A的端部可接触像素限定层180，并且接触面积可由于像素限定层180的形状(第一凸部181的形状)而增大。
在图13A中所示的比较示例中，当像素限定层80不具有突出部时，用于形成第一中间层220A'和第一导电无机层230A'的材料可倾斜地投射并且沉积在像素限定层80上。当用于形成第一导电无机层230A'的材料沿着线G投射到像素限定层80上时，根据用于形成第一导电无机层230A'的材料的投射角(例如，线E和线G之间的角度α),线E和第一导电无机层230A'的端部之间的距离L1可为如下面的表1中的约0.87μm、约1.50μm或约2.60μm。
表1
投射角度(α) 距离(L1)
30° 0.87μm
45° 1.50μm
60° 2.60μm
然而，如图13B中所示的示例性实施方式中那样，当像素限定层180包括突出部(例如，第一凸部181)并且第一导电无机层230A的材料以与图13A的情况相同的方式投射时，从线E到第一导电无机层230A的端部的水平长度L(L＝L1+L2)可以比图13A的距离L1大出距离L2。距离L2可与邻近于第一凸部181的凹部的深度d成正比(L2＝d×tanα)，并且根据投射角(例如，线E和线G之间的角度α)可以为如下面表2中的约0.58μm、约1.00μm或约1.73μm。表2示出像素限定层180的凹部的深度d是约1μm的情况的模拟结果。
表2
投射角度(α) 距离(L1) 距离(L2)
30° 0.87μm 0.58μm
45° 1.50μm 1.00μm
60° 2.60μm 1.73μm
如以上参照图13B描述的，当像素限定层180包括具有第一侧表面181a和第二侧表面181b的第一凸部181时，第一导电无机层230A的端部可覆盖或接触像素限定层180，并且覆盖或接触面积可由于像素限定层180的形状而增大。另外，由于第一凸部181的具有一定倾斜度的第二侧表面181b的影响，第一导电无机层230A的端部可具有不仅足以覆盖第一中间层220A还足以覆盖像素限定层180的厚度。因此，可防止这样的问题，例如，由于第一导电无机层230A自身的应力而导致第一导电无机层230A的端部从像素限定层180分离，或者第一导电无机层230A的端部与像素限定层180之间的附着力减小。
返回参照图4，经由剥离工艺移除图3的第一掩模图案610。例如，当通过使用含氟溶剂移除第一保护树脂层410(参见图3)时，还可移除堆叠在第一保护树脂层410上的第一光刻胶层510、第一中间层220A和第一导电无机层230A。
通过剥离工艺，第一中间层220A和第一导电无机层230A可保留在第一像素电极210A上，并且可形成发射呈第一颜色的光的发光器件，例如，有机发光器件OLED。
经由图3和图4的通过使用第一掩模图案610图案化第一中间层220A和第一导电无机层230A的过程，位于第一像素电极210A上的第一中间层220A和第一导电无机层230A的端部(特别是，第一导电无机层230A的端部)可位于像素限定层180的、在第一像素电极210A与邻近于第一像素电极210A的像素电极之间的隆起部上。例如，第一导电无机层230A的端部可位于像素限定层180的、在第一开口OP1和第二开口OP2之间的隆起部上，或者像素限定层180的、在第一开口OP1和第三开口OP3之间的隆起部上。更详细地，第一导电无机层230A的端部可位于第一凸部181与第二凸部182之间或/和第一凸部181与第三凸部183之间。
参照图5，在上面已经形成有第一中间层220A和第一导电无机层230A的衬底100上形成第二保护树脂层420，并且在第二保护树脂层420上形成第二光刻胶层520。第二保护树脂层420可包括按质量包含约50％的氟的含氟材料，并且第二光刻胶层520可包括正性感光材料。
曝光并显影第二光刻胶层520的与第二像素电极210B对应的部分以形成开口区域，并且蚀刻第二保护树脂层420经由开口区域暴露的部分以形成第二暴露孔422。第二光刻胶层520以及包括第二暴露孔422的第二保护树脂层420可形成第二掩模图案620。
第二暴露孔422可形成为比第二光刻胶层520的开口区域大，并且第二光刻胶层520可具有屋檐结构。第二光刻胶层520的与第二暴露孔422邻近的端部可定位成与第二凸部182的顶点对准，或者可定位在第二凸部182的顶点后方，例如定位在第二凸部182的第二侧表面182b上。相应地，第二凸部182的第二侧表面182b可至少部分地与第二光刻胶层520重叠。
参照图6，在上面已经形成有第二掩模图案620的衬底100上顺序地形成第二中间层220B和第二导电无机层230B。
第二导电无机层230B可覆盖第二中间层220B，但是第二导电无机层230B的端部可延伸超过第二中间层220B的端部。例如，第二导电无机层230B的端部可在第二凸部182的顶点和第二侧表面182b上方延伸，并且可直接接触像素限定层180。图6示出第二导电无机层230B的端部直接接触第二凸部182的第二侧表面182b的结构。
如图6的放大图中所示，第二中间层220B包括第二发射层223B。第二发射层223B可包括能够发射呈第二颜色(例如，绿色)的光的荧光材料或磷光材料。第一功能层221B和第二功能层222B可分别形成在第二发射层223B下方和第二发射层223B上。第一功能层221B可包括HTL和/或HIL，并且第二功能层222B可包括ETL和/或EIL。
第二导电无机层230B可包括：TCO层或/和包含Ag、Mg、Al、Yb、Ca、Li、Au或其化合物的金属层。第二导电无机层230B可以是上述材料的单层或多层。
参照图7，通过剥离工艺移除第二掩模图案620。例如，当通过使用含氟溶剂移除第二保护树脂层420(参见图6)时，还可移除堆叠在第二保护树脂层420上的第二光刻胶层520、第二中间层220B和第二导电无机层230B。
第二中间层220B和第二导电无机层230B可保留在第二像素电极210B上，并且第二中间层220B可由第二导电无机层230B完全覆盖。第二导电无机层230B的端部可在像素限定层180的第二凸部182的第二侧表面182b上方延伸超过第二中间层220B的端部，并且可直接接触第二侧表面182b。与第二导电无机层230B的端部与第二中间层220B的端部之间的距离对应的长度Li2可为约0.5μm或更大。因为第二导电无机层230B的端部延伸超过第二中间层220B的端部约0.5μm或更多，所以第二中间层220B可被完全地覆盖和保护，可充分确保第二导电无机层230B与像素限定层180的粘附，以及能够防止第二导电无机层230B的端部由于第二导电无机层230B自身的应力而从像素限定层180剥落。
经由图6和图7的通过使用第二掩模图案620图案化第二中间层220B和第二导电无机层230B的过程，位于第二像素电极210B上的第二中间层220B和第二导电无机层230B的端部(特别是，第二导电无机层230B的端部)可位于像素限定层180的、在第二像素电极210B与邻近于第二像素电极210B的像素电极之间的隆起部上。例如，第二导电无机层230B的端部可位于像素限定层180的、在第二开口OP2和第一开口OP1之间的隆起部上，或者像素限定层180的、在第二开口OP2和第三开口OP3之间的隆起部上。更详细地，第二导电无机层230B的端部可位于第二凸部182与第一凸部181之间，或/和第二凸部182与第三凸部183之间。
参照图8，在上面已经形成有第二中间层220B和第二导电无机层230B的衬底100上形成第三保护树脂层430，并且在第三保护树脂层430上形成第三光刻胶层530。第三保护树脂层430可包括按质量包含约50％的氟的含氟材料，并且第三光刻胶层530可包括正性感光材料。
曝光并显影第三光刻胶层530的与第三像素电极210C对应的部分以形成开口区域，并且蚀刻第三保护树脂层430的经由开口区域暴露的部分以形成第三暴露孔432。第三光刻胶层530以及包括第三暴露孔432的第三保护树脂层430可形成第三掩模图案630。
第三暴露孔432可形成为比第三光刻胶层530的开口区域大，并且第三光刻胶层530可具有屋檐结构。第三光刻胶层530的与第三暴露孔432邻近的端部可定位成与第三凸部183的顶点对准，或者可定位在第三凸部183的顶点后方，例如定位在第三凸部183的第二侧表面183b上。相应地，第三凸部183的第二侧表面183b可至少部分地与第三光刻胶层530重叠。
参照图9，在上面已经形成有第三掩模图案630的衬底100上顺序地形成第三中间层220C和第三导电无机层230C。
第三导电无机层230C可覆盖第三中间层220C，但是第三导电无机层230C的端部可延伸超过第三中间层220C的端部。例如，第三导电无机层230C的端部可超过第三凸部183的顶点在第二侧表面183b上方延伸，并且可直接接触像素限定层180。图9示出第三导电无机层230C的端部直接接触第三凸部183的第二侧表面183b的结构。
如图9的放大图中所示，第三中间层220C包括第三发射层223C。第三发射层223C可包括能够发射呈第三颜色(例如，蓝色)的光的荧光材料或磷光材料。第一功能层221C和第二功能层222C可分别形成在第三发射层223C下方和第三发射层223C上。第一功能层221C可包括HTL和/或HIL，并且第二功能层222C可包括ETL和/或EIL。
第三导电无机层230C可包括TCO层或/和包含Ag、Mg、Al、Yb、Ca、Li、Au或其化合物的金属层。第三导电无机层230C可以是上述材料的单层或多层。
参照图10，通过剥离工艺移除第三掩模图案630。例如，当通过使用含氟溶剂移除第三保护树脂层430(参见图9)时，还可移除堆叠在第三保护树脂层430上的第三光刻胶层530、第三中间层220C和第三导电无机层230C。
第三中间层220C和第三导电无机层230C可保留在第三像素电极210C上，并且第三中间层220C可由第三导电无机层230C完全覆盖。第三导电无机层230C的端部可在像素限定层180的第三凸部183的第二侧表面183b上方延伸超过第三中间层220C的端部，并且可直接接触第二侧表面183b。与第三导电无机层230C的端部和第三中间层220C的端部之间的距离对应的长度Li3可为约0.5μm或更大。因为第三导电无机层230C的端部延伸超过第三中间层220C的端部约0.5μm或更多，所以第三中间层220C可被完全地覆盖和保护，可充分确保第三导电无机层230C与像素限定层180的粘附，以及能够防止第三导电无机层230C的端部由于第三导电无机层230C自身的应力而从像素限定层180剥落。
经由图9和图10的通过使用第三掩模图案630图案化第三中间层220C和第三导电无机层230C的过程，位于第三像素电极210C上的第三中间层220C和第三导电无机层230C的端部(特别是，第三导电无机层230C的端部)可位于像素限定层180的、在第三像素电极210C与邻近于第三像素电极210C的像素电极之间的隆起部上。例如，第三导电无机层230C的端部可位于像素限定层180的、在第三开口OP3和第一开口OP1之间的隆起部上，或者像素限定层180的、在第三开口OP3和第二开口OP2之间的隆起部上。更详细地，第三导电无机层230C的端部可位于第三凸部183与第一凸部181之间或/和第三凸部183与第二凸部182之间。
参照图11，可在衬底100上形成公共对电极240。公共对电极240可以是由Ag、Mg、Al、Yb、Ca、Li、Au或其化合物形成的层，或者可以是由诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明材料形成的层。可选地，公共对电极240可包括包含Ag和Mg的金属薄膜。例如，公共对电极240可以是包含选自Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag和Mg中的至少一种材料的层。
图14A是根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的一部分的平面图。图14B是根据本发明构思的另一个示例性实施方式的显示装置的一部分的平面图。图14A和图14B可对应于当在图11的方向K上观察时的平面图。图11可对应于沿图14A和图14B的线XI-XI'截取的截面。
参照图14A和图14B，红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B可布置成互相间隔开。根据红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B的布局，第一中间层220A、第二中间层220B和第三中间层220C以及第一导电无机层230A、第二导电无机层230B和第三导电无机层230C可针对红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B中的每一个分别地/独立地进行图案化，或者可在同一颜色的像素之间彼此连接。
如图14A中所示，可针对每个红色像素R独立地图案化第一中间层220A和第一导电无机层230A，可针对每个绿色像素G独立地图案化第二中间层220B和第二导电无机层230B，以及可针对每个蓝色像素B独立地图案化第三中间层220C和第三导电无机层230C。
如上所述，如图11中所示，第一导电无机层230A、第二导电无机层230B和第三导电无机层230C的相应第一端部可在像素限定层180上方延伸超过第一中间层220A、第二中间层220B和第三中间层220C的相应第一端部，并且可接触像素限定层180。虽然像素限定层180的第一凸部181(参见图11)未在图14A中示出，但是第一凸部181可形成为完全围绕第一开口OP1。类似地，第二凸部182(参见图11)可形成为完全围绕第二开口OP2，并且第三凸部183(参见图11)可形成为完全地围绕第三开口OP3。
如图14A中所示，互相间隔开的第一导电无机层230A、第二导电无机层230B和第三导电无机层230C可由以上参照图11描述的公共对电极240覆盖，并且可通过公共对电极240彼此电连接。
参照图14B，可在红色像素R上一体地图案化第一中间层220A，以及可在红色像素R上一体地图案化第一导电无机层230A。例如，第一中间层220A可图案化为在多个红色像素R上方形成条纹，并且第一导电无机层230A可图案化为在多个红色像素R上方形成条纹。类似地，第二中间层220B可图案化为在多个绿色像素G上方形成条纹，以及第二导电无机层230B可图案化为在多个绿色像素G上方形成条纹，以及第三中间层220C可图案化为在多个蓝色像素B上方形成条纹，以及第三导电无机层230C可图案化为在多个蓝色像素B上方形成条纹。
如上所述，如图11中所示，第一导电无机层230A、第二导电无机层230B和第三导电无机层230C的相应一个端部可在像素限定层180上方延伸超过第一中间层220A、第二中间层220B和第三中间层220C的相应一个端部，并且可接触像素限定层180。虽然像素限定层180的第一凸部181(参见图11)未在图14B中示出，但是第一凸部181可形成为部分地围绕第一开口OP1，例如，可沿着图14B中的第一开口OP1的两个侧壁竖直地形成。类似地，第二凸部182(参见图11)可沿着第二开口OP2的两个侧壁形成，并且第三凸部183(参见图11)可沿着第三开口OP3的两个侧壁形成。
根据示例性实施方式，第一导电无机层230A、第二导电无机层230B和第三导电无机层230C可由以上参照图11描述的公共对电极240覆盖，并且可通过公共对电极240彼此电连接。
图15是根据示例性实施方式的显示装置的示意性平面图。
参照图15，以上参照图11、图14A和图14B描述的公共对电极240可覆盖显示区域DA，并且可接触包括在非显示区域NDA中的第一电源线10，该非显示区域NDA是衬底100的边缘区域。第一电源线10通过公共对电极240向每个像素(子像素)供应第一电源电压ELVSS。第二电源线20可布置在衬底100的非显示区域NDA上，并且第二电源线20通过线向每个像素(子像素)供应第二电源电压ELVDD。
每个子像素的开关薄膜晶体管TFT2根据从扫描线SL接收的开关电压，将从数据线DL接收的数据电压传输至驱动薄膜晶体管TFT1。存储电容器Cst可存储与从开关薄膜晶体管TFT2接收的电压和第二电源电压ELVDD之间的差值对应的电压，并且驱动薄膜晶体管TFT1可根据存储在存储电容器Cst中的电压的值来控制有机发光器件OLED的驱动电流Id。有机发光器件OLED可通过驱动电流Id发射具有某一亮度的光。
虽然图11、图14A、图14B和图15示出第一导电无机层230A、第二导电无机层230B和第三导电无机层230C通过公共对电极240接收第一电源电压ELVSS并且彼此电连接的情况，但是示例性实施方式不限于此。
根据另一个示例性实施方式，当第一导电无机层230A、第二导电无机层230B和第三导电无机层230C中的每一个延伸为形成如图14B中所示的条纹时，第一导电无机层230A、第二导电无机层230B和第三导电无机层230C中的每一个可延伸成直接接触包括在衬底100的图15的非显示区域NDA中的第一电源线10。在这种情况中，即使在第一导电无机层230A、第二导电无机层230B和第三导电无机层230C未由公共对电极240覆盖时，第一导电无机层230A、第二导电无机层230B和第三导电无机层230C也可接收第一电源电压ELVSS。
图16是根据本发明构思的另一个示例性实施方式的显示装置的示意性剖视图。
随着显示装置的分辨率增大，相邻的子像素之间的间隔可能变得更小。在这种情况中，如图16中所示，像素限定层1180的在相邻像素电极(例如，第一像素电极210A和第二像素电极210B)之间的隆起部的宽度可能减小；以及，随着隆起部的宽度减小，第一凸部1181和第二凸部1182之间的凹部的宽度也可能减小。
虽然在第一像素电极210A、第二像素电极210B和第三像素电极210C上形成第一中间层1220A、第二中间层1220B和第三中间层1220C以及第一导电无机层1230A、第二导电无机层1230B和第三导电无机层1230C的过程与以上参照图1至图10描述的过程相同，但是如图16中所示，当像素限定层1180的隆起部的宽度减小或/和导电无机材料的投射角等改变时，相邻的导电无机层可能彼此接触。例如，第一导电无机层1230A的端部和第二导电无机层1230B的端部可能在第一凸部1181和第二凸部1182之间(例如，在第一凸部1181和第二凸部1182之间的凹部上)彼此重叠并且彼此接触。类似地，第二导电无机层1230B的端部和第三导电无机层1230C的端部可在第二凸部1182和第三凸部1183之间的凹部上彼此重叠且接触，以及第三导电无机层1230C的端部和第一导电无机层1230A的端部可在第三凸部1183和第一凸部1181之间的凹部上彼此重叠且接触。
第一导电无机层1230A、第二导电无机层1230B和第三导电无机层1230C中的每一个可延伸成直接接触包括在衬底100的图15的非显示区域NDA中的第一电源线10，并且可直接接收第一电源电压ELVSS。可选地，第一导电无机层1230A、第二导电无机层1230B和第三导电无机层1230C可通过图15的公共对电极240接收第一电源电压ELVSS。
图17和图18是根据本发明构思的其他示例性实施方式的显示装置的部分的剖视图。
参照图17，可在至少部分地围绕第一像素电极210A的像素限定层2180的第一凸部2181周围进一步设置至少一个另外的突出部2281。
延伸超过第一中间层2220A的端部的第一导电无机层2230A的端部可在第一凸部2181的顶点和第一凸部2181的第二侧表面2181b上方延伸，并且此时，还可在一个另外的突出部2281的顶点上方延伸。
参照图18，至少部分地围绕第一像素电极210A的像素限定层3180的凹部(所述凹部邻近于像素限定层3180的第一凸部3181)的深度d'可小于第一凸部3181的高度或与第一凸部3181的高度基本相同。
第一导电无机层3230A的端部可延伸超过第一中间层3220A的端部，并且此时，可在第一凸部3181的顶点和第一凸部3181的第二侧表面3181b上方延伸。如上所述，通过改变例如像素限定层3180的凹部的深度d'以及第二侧表面3181b和衬底100的主表面之间的角度θ1'，可增大第一导电无机层3230A和像素限定层3180之间(例如，第一导电无机层3230A和第二侧表面3181b之间)的接触面积。
虽然上面参照图17和图18、通过集中于第一像素电极210A、第一中间层2220A和3220A以及第一导电无机层2230A和3230A描述了像素限定层2180和3180的结构，但是这些结构也可应用至集中于第二像素电极和第三像素电极、第二中间层和第三中间层以及第二导电无机层和第三导电无机层上的像素限定层的结构。
虽然本文中已经描述了某些示例性实施方式和实施例，但是根据本说明书，其他实施方式和修改将是显而易见的。因此，本发明构思不限于这些实施方式，而是在于所提出的权利要求的更宽泛的范围以及各种明显的修改和等同布置。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
第一像素电极和第二像素电极，设置成在衬底上彼此邻近；
像素限定层，包括对应于所述第一像素电极的第一开口、对应于所述第二像素电极的第二开口以及与所述第一开口邻近的第一凸部；
第一中间层，设置在所述第一像素电极上且布置成与所述第一开口对应，并且包括第一发射层，所述第一中间层覆盖所述第一凸部的顶点；以及
第一导电无机层，设置在所述第一中间层上且布置成对应于所述第一开口，
其中，所述第一导电无机层的至少一个端部延伸超过所述第一中间层的端部，并且在所述第一开口和所述第二开口之间设置于所述像素限定层上。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一凸部包括指向所述第一开口的第一侧表面以及与所述第一侧表面相对的第二侧表面，以及所述第一凸部的所述顶点位于所述第一侧表面和所述第二侧表面之间。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一导电无机层的所述至少一个端部超过所述第一凸部的所述顶点在所述第二侧表面上方延伸。
4.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一中间层的端部超过所述第一凸部的所述顶点在所述第二侧表面上方延伸。
5.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二侧表面和所述衬底的主表面之间的角度小于90°。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一导电无机层的所述至少一个端部直接接触所述像素限定层。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一导电无机层的所述至少一个端部延伸超过所述第一中间层的端部0.5μm或更多。
8.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一导电无机层包括包含银、镁、铝、镱、钙、锂、金或其化合物的金属层。
9.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一导电无机层包括透明导电氧化物。
10.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一中间层还包括以下至少之一：
第一功能层，设置在所述第一像素电极和所述第一发射层之间；以及
第二功能层，设置在所述第一发射层和所述第一导电无机层之间。
11.一种显示装置，包括：
第一像素电极和第二像素电极，设置成彼此邻近；
像素限定层，包括对应于所述第一像素电极的第一开口、对应于所述第二像素电极的第二开口、与所述第一开口邻近的第一凸部以及与所述第二开口邻近的第二凸部；
第一中间层，设置在所述第一像素电极上且包括第一发射层；
第二中间层，设置在所述第二像素电极上且包括第二发射层；
第一导电无机层，设置在所述第一中间层上且配置为覆盖所述第一中间层的端部；以及
第二导电无机层，设置在所述第二中间层上且配置为覆盖所述第二中间层的端部，
其中，所述第一凸部直接接触所述第二凸部。
12.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一导电无机层的至少一个端部延伸超过所述第一中间层的端部，并且直接接触所述像素限定层。
13.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一导电无机层的至少一个端部比所述第一中间层的端部更进一步地朝向所述第二凸部延伸。
14.如权利要求11所述的显示装置，其中：
所述第一凸部包括指向所述第一开口的第一侧表面以及与所述第一侧表面相对的第二侧表面，以及所述第一凸部的顶点布置于所述第一侧表面和所述第二侧表面之间；以及
所述第一导电无机层的至少一个端部超过所述第一凸部的所述顶点在所述第二侧表面上方延伸。
15.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述像素限定层还包括布置在所述第一凸部和所述第二凸部之间的另外的凸部。
16.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一导电无机层的至少一个端部和所述第二导电无机层的至少一个端部布置在所述第一凸部的顶点和所述第二凸部的顶点之间。
17.如权利要求11所述的显示装置，还包括公共对电极，所述公共对电极设置在所述第一导电无机层和所述第二导电无机层上，并且配置为覆盖所述第一导电无机层和所述第二导电无机层。
18.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一导电无机层和所述第二导电无机层中的至少一个包括导电金属层和导电氧化物层中的至少之一。
19.如权利要求18所述的显示装置，其中，所述导电金属层包含银、镁、铝、镱、钙、锂、金或其化合物。
20.如权利要求18所述的显示装置，其中，所述导电氧化物层包含以下至少之一：铟锡的氧化物、铟锌的氧化物、锌的氧化物、铟的氧化物、铟镓的氧化物以及铝锌的氧化物。
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